JP2945661B1 - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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Abstract
【要約】
【課題】 サポートの数を増やすことなくフィラメント
の変形を抑制してハロゲンランプの寿命を延ばし、ひい
ては当該ハロゲンランプを用いたエピタキシャル成長装
置等の半導体製造装置の性能を向上させること。
【解決手段】 本発明は、エピタキシャル成長装置１０
等において、ハロゲンランプ２０のフィラメント２４を
支持するためのサポート２６を、一端が封体２２に対し
て固定され他端が支持点の隣接位置まで延びるサポート
ロッド４８と、一端がサポートロッド４８の他端に固定
され他端がフィラメント２４に前記支持点で接続される
ようになっているサポートワイヤ５０とから構成し、サ
ポートワイヤをサポートロッドよりも剛性が低くしたこ
とを特徴とする。フィラメントの支持については、主と
して、剛性のあるサポートロッドによって行われ、フィ
ラメントとの連結は剛性の低いサポートワイヤにより行
われる。An object of the present invention is to suppress the deformation of a filament without increasing the number of supports, extend the life of a halogen lamp, and improve the performance of a semiconductor manufacturing apparatus such as an epitaxial growth apparatus using the halogen lamp. The present invention relates to an epitaxial growth apparatus (10).
And the like, a support 26 for supporting the filament 24 of the halogen lamp 20 includes a support rod 48 having one end fixed to the sealing body 22 and the other end extending to a position adjacent to the support point, and one end being other than the support rod 48. And a support wire 50 fixed to one end and connected to the filament 24 at the other end at the support point, wherein the support wire is lower in rigidity than the support rod. The support of the filament is mainly performed by a rigid support rod, and the connection with the filament is performed by a less rigid support wire.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシャル成
長装置や高速熱処理装置等の半導体製造装置に関し、特
に、処理チャンバ内を加熱するための加熱源として用い
られるハロゲンランプの改良に関する。The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus such as an epitaxial growth apparatus and a high-speed heat treatment apparatus, and more particularly to an improvement in a halogen lamp used as a heating source for heating the inside of a processing chamber.
【０００２】[0002]
【従来の技術】エピタキシャル成長装置等の半導体製造
装置においては、処理チャンバ内を高温に加熱する必要
があるが、その加熱源としてはハロゲンランプが広く用
いられている。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing apparatus such as an epitaxial growth apparatus, it is necessary to heat a processing chamber to a high temperature. As a heating source, a halogen lamp is widely used.
【０００３】図３は、エピタキシャル成長装置等で用い
られる従来一般のハロゲンランプ１を示している。図示
のハロゲンランプ１は横置きタイプ（封体３の長手方向
軸線を水平に向けて配置するタイプ）であり、タングス
テン製のフィラメント２が封体３内にその長手方向に沿
って配置されている。このようなハロゲンランプ１は点
灯・消灯又は供給電力の昇降が繰り返されるため、フィ
ラメント２に高い熱ストレスが加わる。このため、フィ
ラメント２の結晶組織が崩れ、自重により中間部が撓ん
で、やがて断線に至る。FIG. 3 shows a conventional general halogen lamp 1 used in an epitaxial growth apparatus or the like. The illustrated halogen lamp 1 is of a horizontal type (a type in which the longitudinal axis of the envelope 3 is oriented horizontally), and a tungsten filament 2 is arranged in the envelope 3 along the longitudinal direction. . Since such a halogen lamp 1 is repeatedly turned on and off or the power supply is increased and decreased, a high thermal stress is applied to the filament 2. For this reason, the crystal structure of the filament 2 is broken, and the intermediate portion is bent by its own weight, which eventually leads to disconnection.
【０００４】そこで、従来においては、フィラメント２
の中間部をサポート４により支持することとしている。
従来のサポート４はタングステン製のワイヤであり、図
示するように、一端が封体の根本部で固定され、フィラ
メント２に対してほぼ平行に延びている。そして、サポ
ート４の自由端側はフィラメント２に向けてほぼ直角に
屈曲され、その先端でフィラメント２を巻き付けて支持
している。Therefore, conventionally, the filament 2
Is supported by the support 4.
The conventional support 4 is a tungsten wire, one end of which is fixed at the root of the sealing body and extends substantially parallel to the filament 2 as shown in the figure. The free end side of the support 4 is bent at a substantially right angle toward the filament 2, and the filament 2 is wound and supported at the tip.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
サポート４は、自由端側の部分の屈曲加工とフィラメン
ト２に対する巻付け加工とを可能とすべく比較的細いタ
ングステンワイヤを用いていたため、支持が不十分であ
るという問題点があった。即ち、従来のサポート４の太
さでは、使用に伴って生ずるフィラメント２の変形を支
えることができず、最終的にはフィラメント２同士が接
触したりフィラメント２と封体３とが接触したりして、
比較的短時間で断線していた。従って、このようなハロ
ゲンランプ１を使用している半導体製造装置は、頻繁に
ハロゲンランプ１の交換のために運転を停止する必要が
あり、生産性が悪いという問題点があった。However, since the conventional support 4 uses a relatively thin tungsten wire so as to enable bending of the free end portion and winding of the filament 2, the support is not used. There was a problem that it was insufficient. That is, the thickness of the conventional support 4 cannot support the deformation of the filament 2 caused by use, and eventually the filaments 2 come into contact with each other or the filament 2 comes into contact with the sealing body 3. hand,
The wire was broken in a relatively short time. Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus using such a halogen lamp 1 needs to frequently stop its operation for replacement of the halogen lamp 1, and there is a problem that productivity is poor.
【０００６】この問題点に対してはサポート４の数を増
やすことも考えられるが、サポート４の数を増やした場
合には、ハロゲンランプ１の熱特性が変化し、ウェハ処
理に悪影響を及ぼすという新たな問題が生じてしまう。It is conceivable to increase the number of supports 4 in order to solve this problem. However, if the number of supports 4 is increased, the thermal characteristics of the halogen lamp 1 change, which adversely affects wafer processing. New problems arise.
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、サポートの数を増やすことなくフ
ィラメントの変形を抑制してハロゲンランプの寿命を延
ばし、ひいては当該ハロゲンランプを用いた半導体製造
装置の性能を向上させることにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to suppress the deformation of a filament without increasing the number of supports, thereby extending the life of a halogen lamp, and furthermore, a semiconductor using the halogen lamp. It is to improve the performance of a manufacturing apparatus.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、処理チャンバ内に配置されたウェハを加
熱するための加熱源としてハロゲンランプを備えている
半導体製造装置において、ハロゲンランプが、封体内に
配置されたフィラメントをその中間の所定の支持点にて
支持するサポートを有しており、前記サポートは、一端
が封体に対して固定され他端が前記支持点の隣接位置ま
で延びているサポートロッドと、一端がサポートロッド
の他端に固定され他端がフィラメントに前記支持点で接
続されるよう曲げ加工されているサポートワイヤとから
成ることを特徴としている。更に、本発明は、サポート
ロッドの剛性をサポートワイヤよりも高くし、その一方
で、サポートワイヤの曲げ加工性をサポートロッドより
も高くしたことを特徴としている。According to the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus comprising a halogen lamp as a heating source for heating a wafer disposed in a processing chamber. Has a support for supporting the filament disposed in the envelope at a predetermined support point therebetween, the support having one end fixed to the envelope and the other end positioned adjacent to the support point. And a support wire having one end fixed to the other end of the support rod and the other end bent to connect to the filament at the support point. Further, the present invention is characterized in that the rigidity of the support rod is higher than that of the support wire, while the bending property of the support wire is higher than that of the support rod.
【０００９】このような構成において、フィラメントの
支持については、主として、剛性のあるサポートロッド
によって行われる。従って、フィラメントの変形に十分
に対抗することができる。また、サポートロッドとフィ
ラメントとの連結は曲げ加工性の高いサポートワイヤに
より容易に行われる。In such a configuration, the filament is mainly supported by a rigid support rod. Therefore, it is possible to sufficiently resist deformation of the filament. In addition, the connection between the support rod and the filament is easily performed by a support wire having high bending workability.
【００１０】サポートは、サポートロッドとサポートワ
イヤとを別個に形成した後に一体化させた型式のものが
考えられるが、サポートロッドとサポートワイヤを１本
の線材ないしは棒材から一体形成することも可能であ
る。The support may be of a type in which the support rod and the support wire are separately formed and then integrated, but the support rod and the support wire may be integrally formed from one wire or rod. It is.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、図面に沿って本発明の好適
な実施形態について詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１２】図１は、本発明に従って構成されたエピタ
キシャル成長装置１０を概略的に示している。図示のエ
ピタキシャル成長装置１０はシリコンウェハ（図示せ
ず）を一枚ずつ処理する枚葉式であり、石英ガラスで構
成された処理チャンバ１２と、この処理チャンバ１２内
に配置されたウェハ支持用のサセプタ１４とを備えてい
る。処理チャンバ１４の側部には処理ガスの導入口１６
が形成され、これに対向する位置には排気口１８が形成
されている。また、処理チャンバ１２の上側領域及び下
側領域には、それぞれ、複数本のハロゲンランプ２０が
放射状に配置されている。FIG. 1 schematically shows an epitaxial growth apparatus 10 constructed according to the present invention. The illustrated epitaxial growth apparatus 10 is of a single-wafer type for processing silicon wafers (not shown) one by one, and includes a processing chamber 12 made of quartz glass and a susceptor for supporting a wafer disposed in the processing chamber 12. 14 is provided. A processing gas inlet 16 is provided at the side of the processing chamber 14.
Is formed, and an exhaust port 18 is formed at a position opposed to this. A plurality of halogen lamps 20 are radially arranged in the upper region and the lower region of the processing chamber 12, respectively.
【００１３】図２は、このようなエピタキシャル成長装
置１０に用いられるハロゲンランプ２０を拡大して示す
一部断面側面図である。図示のハロゲンランプ２０は横
置きタイプであり、石英ガラスから作られた透明な封体
２２と、この封体２２の内部に配設されたフィラメント
２４と、このフィラメント２４の中間部を支持するため
のサポート２６ａ、２６ｂとを備えている。FIG. 2 is an enlarged partial cross-sectional side view showing a halogen lamp 20 used in such an epitaxial growth apparatus 10. As shown in FIG. The illustrated halogen lamp 20 is of a horizontal type, and is for supporting a transparent envelope 22 made of quartz glass, a filament 24 disposed inside the envelope 22, and an intermediate portion of the filament 24. Support 26a, 26b.
【００１４】封体２２は略円筒形の真空密閉容器であ
る。封体２２の一方の端部は、封体２２内にフィラメン
ト等の内部構成部材を配置した後に封止される。また、
図２おいて、符号２８は封体２２の一端に設けられた排
気管であるが、この排気管２８は、これを用いて封体２
２内を真空にしハロゲン系ガスを封入した後に閉じられ
る。The sealing body 22 is a substantially cylindrical vacuum sealed container. One end of the sealing body 22 is sealed after disposing an internal component such as a filament in the sealing body 22. Also,
In FIG. 2, reference numeral 28 denotes an exhaust pipe provided at one end of the sealing body 22.
The inside of the chamber 2 is evacuated and sealed after a halogen-based gas is sealed.
【００１５】フィラメント２４は、細いタングステンワ
イヤを小さな直径でコイル状に巻いたものを、大きな直
径で更にコイル状に巻いたものである。フィラメント２
４の両端は、それぞれ、太いタングステン製コネクティ
ングワイヤ３０，３２の一端に巻き付けられて固定され
ている。コネクティングワイヤ３０，３２の他端は封体
２２の封止端部３４に埋設されており、また、封止端部
３４の近傍で石英ガラス製のバインダ３６により拘束さ
れている。一方のコネクティングワイヤ３０は短く、他
方のコネクティングワイヤ３２は封体２２の内壁面に沿
って排気管２８の内部まで延びている。従って、コネク
ティングワイヤ３０，３２により支持されたフィラメン
ト２４は、封体２２のほぼ中心にその長手方向に沿って
配置される。The filament 24 is formed by winding a thin tungsten wire into a coil with a small diameter and further winding it into a coil with a large diameter. Filament 2
4 are respectively wound around and fixed to one ends of the thick tungsten connecting wires 30 and 32. The other ends of the connecting wires 30 and 32 are embedded in a sealing end 34 of the sealing body 22, and are restrained by a quartz glass binder 36 near the sealing end 34. One connecting wire 30 is short, and the other connecting wire 32 extends inside the exhaust pipe 28 along the inner wall surface of the sealing body 22. Therefore, the filament 24 supported by the connecting wires 30 and 32 is disposed substantially at the center of the envelope 22 along the longitudinal direction.
【００１６】なお、コネクティングワイヤ３０，３２は
封体２２の封止端部３４内でモリブデン箔３８，４０を
介してコネクティングピン４２，４４に接続されてい
る。コネクティングピン４２，４４は封止端部３４を取
り囲むセラミック製のベース４６により支持され、電源
（図示せず）に接続可能となっている。The connecting wires 30, 32 are connected to connecting pins 42, 44 via molybdenum foils 38, 40 in the sealing end 34 of the sealing body 22. The connecting pins 42 and 44 are supported by a ceramic base 46 surrounding the sealing end 34 and can be connected to a power supply (not shown).
【００１７】フィラメント２４の中間部は、封体２２内
に設けられたサポート２６ａ，２６ｂによって支持され
ている。図示実施形態において、サポート２６ａ，２６
ｂは上下１対あり、上側に配置されるサポート２６ａ
は、フィラメント２４の全長の、封止端部３４側から約
３分の１の位置を支持し、下側に配置されるサポート２
６ｂは封止端部３４側から約３分の２の位置を支持する
ようになっている。The intermediate portion of the filament 24 is supported by supports 26a and 26b provided in the sealing body 22. In the illustrated embodiment, the supports 26a, 26
b is a pair of upper and lower supports 26a arranged on the upper side
Supports about one-third of the entire length of the filament 24 from the side of the sealing end 34, and the support 2 disposed on the lower side
6b is designed to support a position about two-thirds from the sealing end 34 side.
【００１８】各サポート２６ａ，２６ｂは、一端がバイ
ンダ３６に埋設されたサポートロッド４８を有してい
る。前述したように、バインダ３６はコネクティングワ
イヤ３０，３２を介して封体２２に固定されているの
で、バインダ３６に埋設されたサポートロッド４８は封
体２２によって片持ち支持された状態となる。サポート
ロッド４８はフィラメント２４と実質的に同一の材料で
あるタングステンから成る比較的太い剛性の高い棒状体
であり、封体２２の内壁面に沿って延び、その先端はフ
ィラメント２４の支持点の隣接位置にまで達している。Each of the supports 26a and 26b has a support rod 48 having one end embedded in the binder 36. As described above, since the binder 36 is fixed to the sealing body 22 via the connecting wires 30 and 32, the support rod 48 embedded in the binder 36 is in a state of being cantilevered by the sealing body 22. The support rod 48 is a relatively thick and rigid rod made of tungsten, which is substantially the same material as the filament 24, and extends along the inner wall surface of the envelope 22, and its tip is adjacent to the support point of the filament 24. Has reached the position.
【００１９】また、サポート２６ａ，２６ｂは、サポー
トロッド４８の先端に固定されたサポートワイヤ５０を
有している。サポートワイヤ５０もサポートロッド４８
と同様にタングステンから作られている。一方、サポー
トワイヤ５０はサポートロッド４８よりも細く、剛性は
サポートロッド４８に比して低いが、曲げ加工性に富ん
でいる。Each of the supports 26a and 26b has a support wire 50 fixed to the tip of a support rod 48. The support wire 50 is also the support rod 48
As well as being made from tungsten. On the other hand, the support wire 50 is thinner than the support rod 48 and has a lower rigidity than the support rod 48, but has excellent bending workability.
【００２０】図示実施形態において、サポートワイヤ５
０の一端はコイル状に巻かれており、このコイル部分５
２の内径はサポートロッド４８の外径よりも僅かに小さ
くされている。従って、コイル部分５２にサポートロッ
ド４８の先端を挿入すると、コイル部分５２はそのばね
力によりサポートロッド４８を締め付け、サポートワイ
ヤ５０はそのままサポートロッド４８に固定される。サ
ポートロッド４８の先端に固定されたサポートワイヤ５
０は、フィラメント２４の対応の支持点に向かって延
び、従来と同様、その先端のループ状部分５４でフィラ
メント２４に接続されている。このようにサポートワイ
ヤ５０はサポートロッド４８に比して複雑な形状を採っ
ているが、前述したように剛性が低く曲げ加工性が高い
ので、容易に所望の形状に加工することが可能となって
いる。In the illustrated embodiment, the support wire 5
0 is wound in a coil shape.
The inner diameter of 2 is slightly smaller than the outer diameter of the support rod 48. Therefore, when the tip of the support rod 48 is inserted into the coil portion 52, the coil portion 52 tightens the support rod 48 by its spring force, and the support wire 50 is fixed to the support rod 48 as it is. Support wire 5 fixed to the tip of support rod 48
Numeral 0 extends toward the corresponding support point of the filament 24 and is connected to the filament 24 by a loop-shaped portion 54 at the distal end thereof as in the related art. As described above, the support wire 50 has a complicated shape as compared with the support rod 48. However, as described above, since the rigidity is low and the bending workability is high, the support wire 50 can be easily processed into a desired shape. ing.
【００２１】上記構成のハロゲンランプ２０を用いたエ
ピタキシャル成長装置１０において、サセプタ１４上に
シリコンウェハを載置した後、ハロゲンランプ２０を点
灯してシリコンウェハを加熱すると共に、排気口１８か
ら排気を行いながらトリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ3）
ガスやジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）ガス等を処理ガ
スとして導入口１６から導入すると、所定温度に加熱さ
れたシリコンウェハの表面に沿って処理ガスが層流状態
で流れ、シリコンウェハ上にシリコンの単結晶がエピタ
キシャル成長する。After the silicon wafer is placed on the susceptor 14 in the epitaxial growth apparatus 10 using the halogen lamp 20 having the above-described structure, the halogen lamp 20 is turned on to heat the silicon wafer and exhaust the gas through the exhaust port 18. While trichlorosilane (SiHCl 3 )
When a gas, dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ) gas, or the like is introduced from the inlet 16 as a processing gas, the processing gas flows in a laminar state along the surface of the silicon wafer heated to a predetermined temperature, and the silicon A single crystal grows epitaxially.
【００２２】かかるエピタキシャル成長プロセス毎にハ
ロゲンランプ２０に供給される電力が昇降され、急激な
昇降温による熱ストレスがフィラメント２４に加わる。
これにより、ハロゲンランプ２０が長期にわたり使用さ
れると、フィラメント２４のタングステンの結晶組織が
崩れ、自重により下方に撓み始める。この時、上側のサ
ポート２６ａのサポートワイヤ５０には主として引張り
力が作用し、サポートロッド４８の先端には下方への曲
げ荷重が作用する。サポートワイヤ５０は細いタングス
テンワイヤであるが、引張り力に対しては過度に細くな
い限りは、十分に対抗することができる。また、サポー
トロッド４８は剛性の高いものが用いられているため、
曲げ荷重にも十分に耐えることができる。具体的には、
全長が約３．５ｃｍの８重巻きフィラメント２４の３巻
き目を、バインダ３６からの長さが約２．５ｃｍのサポ
ートロッド４８、及び、サポートロッド４８とフィラメ
ント２４との間の長さが約６ｍｍのサポートワイヤ５０
から成るサポート２６ａで支持する場合、サポートワイ
ヤ５０の直径は約０．７ｍｍ、サポートロッド４８の直
径は約１．２ｍｍであればよい。なお、下側のサポート
２６ｂは上側のサポート２６ａの補助として機能するも
のであるため、そのサポートロッド４８とサポートワイ
ヤ５０の各直径は上側のものと同等とれば足りる。The power supplied to the halogen lamp 20 is raised and lowered in each epitaxial growth process, and a thermal stress is applied to the filament 24 by a rapid rise and fall in temperature.
As a result, when the halogen lamp 20 is used for a long period of time, the tungsten crystal structure of the filament 24 breaks down and starts to bend downward by its own weight. At this time, a tensile force mainly acts on the support wire 50 of the upper support 26a, and a downward bending load acts on the tip of the support rod 48. The support wire 50 is a thin tungsten wire, but can sufficiently oppose the tensile force unless it is excessively thin. Further, since a high rigidity is used for the support rod 48,
It can sufficiently withstand bending loads. In particular,
A third turn of the octuple filament 24 having a total length of about 3.5 cm is connected to a support rod 48 having a length of about 2.5 cm from the binder 36, and a length between the support rod 48 and the filament 24 is set to about 3 cm. 6mm support wire 50
When the support 26a is made of a support 26a, the diameter of the support wire 50 may be about 0.7 mm, and the diameter of the support rod 48 may be about 1.2 mm. Since the lower support 26b functions as an auxiliary to the upper support 26a, it is sufficient that each diameter of the support rod 48 and the support wire 50 is equal to that of the upper support 26a.
【００２３】このようにして、フィラメント２４の熱ス
トレスによる変形はサポート２６ａ，２６ｂによって抑
制することが可能となる。フィラメント２４は、変形が
大きくなってフィラメント２４の巻線同士が接触したり
封体２２の内壁面に接触したりしたとき等に断線するの
で、変形が抑えられれば、従来に比してハロゲンランプ
２０の寿命は大幅に延びることとなる。従って、ハロゲ
ンランプ２０の交換のためにエピタキシャル成長装置１
０を停止しなければならない回数も大幅も低減される。In this manner, deformation of the filament 24 due to thermal stress can be suppressed by the supports 26a and 26b. The filament 24 is severely deformed and breaks when the windings of the filament 24 come into contact with each other or when the filament 24 comes into contact with the inner wall surface of the sealing body 22. The life of 20 will be greatly extended. Therefore, in order to replace the halogen lamp 20, the epitaxial growth apparatus 1
The number of times 0 must be stopped is also greatly reduced.
【００２４】以上、本発明の好適な実施形態について詳
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限られないこ
とは言うまでもない。Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail, it goes without saying that the present invention is not limited to the above embodiments.
【００２５】例えば、上記実施形態では、従来構成のハ
ロゲンランプに対応させてサポートの数を２本としてい
るが、上側のサポート２４ａのみでもフィラメント２４
を十分に支持することができ、或いはフィラメントが長
い場合には３本以上のサポートを設けてもよい。勿論、
具体例としてサポートの寸法を記載したが、その寸法も
例示に過ぎない。For example, in the above embodiment, the number of supports is set to two in correspondence with the halogen lamp of the conventional configuration.
Can be sufficiently supported, or three or more supports may be provided when the filament is long. Of course,
Although the dimensions of the support have been described as specific examples, the dimensions are merely examples.
【００２６】また、上記実施形態では、サポート２４
ａ，２４ｂは、別個に形成されたサポートロッド４８と
サポートワイヤ５０を結合して成るものであるが、サポ
ートロッドとサポートワイヤとを１本の線材又は棒材か
ら線引き加工若しくは切削加工し、サポートを分離不可
能な一体物として構成してもよい。In the above embodiment, the support 24
The support rods a and 24b are formed by connecting a support rod 48 and a support wire 50 which are separately formed. The support rod and the support wire are drawn or cut from a single wire or a bar to form a support. May be configured as an inseparable unitary material.
【００２７】更に、本発明は、加熱源としてハロゲンラ
ンプを用いている半導体製造装置ならばどのような型式
のものでも適用可能であり、例えば高速熱処理アニール
装置にも適用することができる。Further, the present invention is applicable to any type of semiconductor manufacturing apparatus using a halogen lamp as a heating source, and can be applied to, for example, a high-speed heat treatment annealing apparatus.
【００２８】[0028]
【実施例】次に、本発明に従って構成されたエピタキシ
ャル成長装置を実際に運転し、そこで用いられたハロゲ
ンランプの平均寿命を測定した実施例について述べる。EXAMPLE Next, an example in which the epitaxial growth apparatus constructed according to the present invention was actually operated and the average life of the halogen lamp used therein was measured will be described.
【００２９】この実施例におけるエピタキシャル成長装
置は、基本的には、アプライドマテリアルズ社から販売
されている製品名「Ｅｐｉ Ｃｅｎｔｕｒａ」を用いて
おり、ハロゲンランプのみを図２に示す上記形態のもの
とした。ハロゲンランプは、封体の内部空間の直径が約
２ｃｍ、長さが約６ｃｍのものであり、フィラメント
が、線径０．３ｍｍのタングステンワイヤを約２．１ｍ
ｍの直径でコイル状にし、それを更に直径約８ｍｍの８
重巻きコイルとしたものを用いた。このハロゲンランプ
のサポートは上下にそれぞれ１本ずつ設けられており、
上側のサポートについては、バインダからの長さが約
２．５ｃｍ、直径が約１．２ｍｍのタングステン製サポ
ートロッド、及び、サポートロッドとフィラメントとの
間の長さが約６ｍｍ、直径が約０．７ｍｍのタングステ
ン製サポートワイヤから構成されている。また、下側の
サポートは、バインダからの長さが約３．５ｃｍ、直径
が約１．２ｍｍのタングステン製サポートロッド、及
び、サポートロッドとフィラメントとの間の長さが約６
ｍｍ、直径が約０．７ｍｍのタングステン製サポートワ
イヤから構成されたものである。The epitaxial growth apparatus in this embodiment basically uses the product name "Epi Centura" sold by Applied Materials, and uses only the halogen lamp as shown in FIG. . The halogen lamp has an inner space of about 2 cm in diameter and a length of about 6 cm, and the filament is formed of a tungsten wire having a diameter of 0.3 mm and a diameter of about 2.1 m.
m with a diameter of about 8 mm
The thing used as the heavy winding coil was used. The support of this halogen lamp is provided one each at the top and bottom,
For the upper support, a tungsten support rod about 2.5 cm in length from the binder and about 1.2 mm in diameter, and a length between the support rod and the filament of about 6 mm and a diameter of about 0.2 mm. It is composed of a 7 mm tungsten support wire. The lower support is a tungsten support rod having a length of about 3.5 cm from the binder and a diameter of about 1.2 mm, and a length between the support rod and the filament of about 6 mm.
mm and a tungsten support wire having a diameter of about 0.7 mm.
【００３０】このような構成の本発明によるエピタキシ
ャル成長装置を通常のエピタキシャル成長プロセスに従
って連続運転したところ、ハロゲンランプの平均寿命は
３５４２時間という結果が得られた。When the epitaxial growth apparatus according to the present invention having such a configuration was continuously operated in accordance with a normal epitaxial growth process, the average life of the halogen lamp was 3542 hours.
【００３１】また、この実施例と比較するために、ハロ
ゲンランプを従来のものにして同様な実験を行った。こ
の比較例におけるハロゲンランプは、図３に示す従来構
成のものであり、サポート以外は上記仕様と同一のもの
を使用した。サポートは、０．７ｍｍ径のタングステン
ワイヤから成り、支持点は上記実施例におけるハロゲン
ランプと同じ位置とした。For comparison with this embodiment, a similar experiment was conducted using a conventional halogen lamp. The halogen lamp in this comparative example had the conventional configuration shown in FIG. 3, and the same lamp as the above-mentioned specification was used except for the support. The support was made of a tungsten wire having a diameter of 0.7 mm, and the support point was set at the same position as the halogen lamp in the above embodiment.
【００３２】この比較例では、ハロゲンランプの平均寿
命は１０６８時間であった。従って、本発明によれば、
ハロゲンランプの平均寿命は従来の約３倍となり、半導
体製造装置の稼働時間が延びるという効果が得られるこ
とが分かる。In this comparative example, the average life of the halogen lamp was 1068 hours. Thus, according to the present invention,
It can be seen that the average life of the halogen lamp is about three times that of the conventional lamp, and the effect of extending the operation time of the semiconductor manufacturing apparatus can be obtained.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ハ
ロゲンランプのサポートの数を増やすことなしに、フィ
ラメントの変形を抑制することができる。従って、ハロ
ゲンランプの性能を維持したまま、その寿命を大幅に延
ばすことができ、それを用いた半導体製造装置の処理能
力も向上されることとなる。As described above, according to the present invention, the deformation of the filament can be suppressed without increasing the number of supports of the halogen lamp. Therefore, the life of the halogen lamp can be greatly extended while maintaining the performance of the halogen lamp, and the processing capability of a semiconductor manufacturing apparatus using the same can be improved.
【図１】本発明により構成されたエピタキシャル成長装
置を概略的に示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory view schematically showing an epitaxial growth apparatus configured according to the present invention.
【図２】図１のエピタキシャル装置で用いられるハロゲ
ンランプを示す一部断面側面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional side view showing a halogen lamp used in the epitaxial apparatus of FIG.
【図３】従来一般のハロゲンランプを示す一部断面側面
図である。FIG. 3 is a partial sectional side view showing a conventional general halogen lamp.
１０…エピタキシャル成長装置、１２…処理チャンバ、
１４…サセプタ、２０…ハロゲンランプ、２２…封体、
２４…フィラメント、２６ａ，２６ｂ…サポート、４８
…サポートロッド、５０…サポートワイヤ、５２…コイ
ル部分、５４…ループ状部分。10: epitaxial growth apparatus, 12: processing chamber,
14: susceptor, 20: halogen lamp, 22: sealing body,
24 ... filament, 26a, 26b ... support, 48
... support rod, 50 ... support wire, 52 ... coil part, 54 ... loop-shaped part.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−184325（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−38386（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−76153（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−144265（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/365 H01L 21/31 C23C 16/00 - 16/56 H01K 3/00 - 13/06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-3-184325 (JP, A) JP-A-50-38386 (JP, A) JP-A-62-76153 (JP, A) JP-A-10-108 144265 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/205 H01L 21/365 H01L 21/31 C23C 16/00-16/56 H01K 3/00-13/06
Claims (2)
熱するための加熱源としてハロゲンランプを備えている
半導体製造装置において、 前記ハロゲンランプは、封体内に配置されたフィラメン
トをその中間の所定の支持点にて支持するサポートを有
しており、 前記サポートは、一端が前記封体に対して固定され他端
が前記支持点の隣接位置まで延びているサポートロッド
と、一端が前記サポートロッドの前記他端に固定され他
端が前記フィラメントに前記支持点で接続されるよう曲
げ加工されているサポートワイヤとから成り、 前記サポートロッドは剛性が前記サポートワイヤよりも
高く、前記サポートワイヤは曲げ加工性が前記サポート
ロッドよりも高いことを特徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus provided with a halogen lamp as a heating source for heating a wafer disposed in a processing chamber, wherein the halogen lamp is provided with a filament disposed in a sealed body at a predetermined position therebetween. A support rod having one end fixed to the envelope and the other end extending to a position adjacent to the support point, and one end of the support rod; A support wire fixed to the other end and bent at the other end so as to be connected to the filament at the support point. The support rod has higher rigidity than the support wire, and the support wire is bent. A semiconductor manufacturing apparatus having higher performance than the support rod.
イヤが一体的に形成されていることを特徴とする請求項
１に記載の半導体製造装置。2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said support rod and said support wire are formed integrally.
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