JP2943774B2 - Semiconductor device external shape holding member, semiconductor device, and method of manufacturing the same - Google Patents
Semiconductor device external shape holding member, semiconductor device, and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特に、フレキシブルなテープキャリ
アによるボールグリッド(Ball Grid)タイプ
の半導体装置において特に安価で安易な外形保持部材及
びこの外形保持部材を用いた半導体装置、及び製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an inexpensive and easy-to-use outer shape holding member for a ball grid type semiconductor device using a flexible tape carrier. And a semiconductor device using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】フレキシブルなテープキャリアを用いた
ボールグリッドタイプの半導体装置として、例えば特開
平7−321157号公報には、チップサイズがほぼパ
ッケージサイズとなるようなフィルムキャリアおよびこ
れを用いた半導体装置の構成が提案されている。そし
て、上記公報には、その実施例7として、フィルムキャ
リアの半導体ベアチップ搭載部以外にチップ周辺部に
も、外部接続用パッドの一部が形成されている例が記載
されており、平坦性を確保しつつ、チップサイズ以上の
パッド形成可能な領域を作製する方法としてモールド成
形が紹介されている。2. Description of the Related Art As a ball grid type semiconductor device using a flexible tape carrier, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-32157 discloses a film carrier having a chip size substantially equal to a package size, and a semiconductor device using the same. Has been proposed. The above publication describes, as Example 7, an example in which a part of an external connection pad is formed not only on a semiconductor bare chip mounting portion of a film carrier but also on a peripheral portion of the chip. Molding is introduced as a method for manufacturing a pad-forming area larger than the chip size while securing the area.
【0003】トランスファーモールドは、金型内に樹脂
を注入することによって半導体デバイスを樹脂封止する
ものであり、外形保持性の点で優れている。しかし、ト
ランスファーモールドは大きく高価な設備、金型が必要
とされる。The transfer mold is for sealing a semiconductor device with a resin by injecting a resin into a mold, and is excellent in terms of holding an outer shape. However, transfer molds require large and expensive equipment and dies.
【0004】図3は、従来のモールド形成の一例を示す
図である。図3では、樹脂のエージング時に、半導体デ
バイス(チップ)1と樹脂9の熱膨張持性の差のために
反りが発生し、コプラナリティ不良が発生する。FIG. 3 is a diagram showing an example of a conventional mold formation. In FIG. 3, when the resin is aged, warpage occurs due to a difference in thermal expansion retention between the semiconductor device (chip) 1 and the resin 9, and coplanarity failure occurs.
【0005】また、トランスファーモールドは、放熱性
については劣り、放熱性を確保するために、金属キャッ
プ、リングを半導体デバイスやその周辺に接着する場合
がある。The transfer mold is inferior in heat dissipation, and a metal cap and a ring may be adhered to a semiconductor device and its periphery in order to secure heat dissipation.
【0006】金属キャップやリングは、前述の特開平7
−321157号公報に記載されるようなフレキシブル
なテープキャリアに貼り付けることにより、その表面を
平坦に保ち、その上にボールバンプなどを形成し、ボー
ルグリッドタイプの半導体装置を実現している。また、
半導体デバイスと密着させることによって、その放熱性
を確保している。[0006] The metal caps and rings are disclosed in
By sticking to a flexible tape carrier as described in JP-A-32157, the surface is kept flat, and a ball bump or the like is formed thereon, thereby realizing a ball grid type semiconductor device. Also,
By adhering to the semiconductor device, its heat dissipation is ensured.
【0007】図4は、従来の金属リングの一例を示す図
である。図4を参照すると、従来の金属リング11にお
いては、金属リング11の内側側面が半導体デバイス1
に干渉しないようにするため、開口寸法lRは、半導体
デバイス1の幅lに加えて、金属リング11内側側面の
面粗さ±x、金属リング11の内側を打ち抜く(開口幅
の)加工精度±y、金属リング11をテープキャリア3
に熱圧着する装置の精度(例えば、画像認識と機械)の
精度±zを考慮し、 lR=l+x+2y+2z となる。FIG. 4 is a view showing an example of a conventional metal ring. Referring to FIG. 4, in the conventional metal ring 11, the inner side surface of the metal ring 11 is the semiconductor device 1.
In order to prevent interference with the semiconductor device 1, the opening dimension l R is, in addition to the width l of the semiconductor device 1, the surface roughness ± x of the inner side surface of the metal ring 11, and the processing accuracy of punching the inside of the metal ring 11 (of the opening width). ± y, metal ring 11 to tape carrier 3
Considering the accuracy of the device for thermocompression bonding (eg, image recognition and machine) ± z, l R = l + x + 2y + 2z.
【0008】従って、金属リング11と半導体デバイス
1の間隙幅は、 最大x+2y+2z となり、この領域には外部接続用パッドを形成するのが
困難となる。Accordingly, the maximum gap width between the metal ring 11 and the semiconductor device 1 is x + 2y + 2z, and it is difficult to form an external connection pad in this region.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のフィル
ムキャリア半導体装置においては下記記載の問題点を有
している。The above-mentioned conventional film carrier semiconductor device has the following problems.
【0010】放熱用の金属キャップやリングは、半導体
デバイス周辺にマウントする際に、デバイス自身に干渉
して傷つけることを回避するために、高い外形寸法が要
求される。もしくは、はめ合わせの寸法公差を大きく取
る必要がある。[0010] The metal cap or ring for heat dissipation needs to have a high external dimension in order to avoid being damaged by interference with the device itself when mounted around the semiconductor device. Alternatively, it is necessary to increase the dimensional tolerance of the fitting.
【0011】しかし、高い外形寸法を実現するには、一
般に放電加工などの加工手段に頼ることとなり、部材の
価格を低く抑えることができなくなってしまう。However, in order to realize a high external dimension, it is generally necessary to rely on machining means such as electric discharge machining, so that it is impossible to keep the cost of members low.
【0012】また、寸法公差を大きくした場合には、半
導体デバイスと金属キャップ、リングの間の間隙が大き
くなってしまい、十分な平坦性を維持できなくなってし
まう可能性が高い。In addition, when the dimensional tolerance is increased, the gap between the semiconductor device and the metal cap or ring becomes large, and there is a high possibility that sufficient flatness cannot be maintained.
【0013】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、フレキシブルな
テープキャリアによる半導体装置において、半導体ベア
チップ搭載部以外にチップ周辺部にも外部接続用パッド
の一部を形成するために平坦性を確保しつつ、チップサ
イズ以上のパッド形成可能な領域を作製するための手段
として、トランスファーモールドや金属キャップ、リン
グよりも安価で、且つ容易な外形保持部材、この外形保
持部材を用いた半導体装置、及びその製造方法を提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device using a flexible tape carrier, in which an external connection pad is provided not only on a semiconductor bare chip mounting portion but also on a chip peripheral portion. As a means for producing a pad-formable area larger than the chip size while ensuring flatness to form a part of a part, a contour holding member that is cheaper and easier than transfer mold, a metal cap, and a ring. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device using the outer shape holding member and a method of manufacturing the same.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置は、半導体デバイスとこれに接
続された配線パターンを有するフレキシブルなテープキ
ャリアと、格子状に配置された外部端子と、を備え、前
記半導体デバイスは、前記テープキャリア上の一つのコ
ーナーに寄せて前記テープ上の接着剤によりマウントさ
れ、前記テープキャリア上の、前記半導体デバイスがマ
ウントされた領域以外の領域にマウントされ、前記半導
体デバイスの4辺のうち前記テープキャリア縁部に沿っ
た2辺以外の2辺にそれぞれ対向する、縁を備えた金属
板よりなる外形保持部材を備える。In order to achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention comprises a semiconductor device and a semiconductor device.
A flexible tape carrier having a continuous wiring pattern, and external terminals arranged in a grid,
The semiconductor device has one core on the tape carrier.
The adhesive on the tape.
Is the on the tape carrier, the semiconductor device is mounted in a region other than the mounted area, the semiconductor
Along the edge of the tape carrier among the four sides of the body device
And an outer shape holding member made of a metal plate having an edge, which faces two sides other than the two sides .
【0015】また、本発明による半導体装置は、半導体
デバイスとそれに接続された配線パターンを有するフレ
キシブルなテープキャリア、格子状に配置されたボール
バンプ、L字型金属板の外形保持部材から成り、前記半
導体デバイスはテープキャリア上のある一方の角に寄せ
て前記テープ上の接着剤を介してマウントされ、L字型
金属板は前記半導体デバイスとは対角のもう一方に同じ
く前記テープ上の接着剤を介してマウントされたことを
特徴とし、コプラナリティ不良を防ぐことを目的とし
て、前記半導体デバイスと前記L字型金属板の外形保持
部材の間の間隙をポッティング樹脂により封止したこと
を特徴とする。The semiconductor device according to the present invention comprises a semiconductor device and a flexible tape carrier having a wiring pattern connected thereto, ball bumps arranged in a grid, and an L-shaped metal plate outer shape holding member. The semiconductor device is mounted on one side of the tape carrier via an adhesive on the tape, and the L-shaped metal plate is mounted on the other side of the semiconductor device at the opposite corner with the adhesive on the tape. The gap between the semiconductor device and the outer shape holding member of the L-shaped metal plate is sealed with a potting resin for the purpose of preventing coplanarity defects. .
【0016】また、本発明による半導体装置の製造方法
は、ポッティング樹脂による封止に際し、ポッティング
樹膳の揮発成分キュアによって生じ得る半導体デバイス
とL字型金属板の外形保持部材の間のテープキャリア表
面で発生するコプラナリティを著しく損なう段差を防ぐ
ために、キュア時に前記半導体デバイス上と前記L字型
金属板の外形保持部材上にそれぞれ異なったおもりを載
せ前記テープキャリア表面を平坦に保持することを特徴
とする。Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, when sealing with a potting resin, a tape carrier surface between a semiconductor device and an outer shape holding member of an L-shaped metal plate, which can be generated by volatile component curing of a potting table. In order to prevent a step that significantly impairs coplanarity generated in the above, a different weight is placed on the semiconductor device and on the outer shape holding member of the L-shaped metal plate during curing, and the tape carrier surface is held flat. I do.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。本発明の半導体装置は、その好ましい実施の形態
において、半導体デバイス(図1の1)と、これに接続
された配線パターンを有するフレキシブルなテープキャ
リア(図1の3)と、格子状に配置されたボールバンプ
(図1の4)と、平面形状がL字型の金属板よりなる外
形保持部材(図1の2)と、を備え、半導体デバイス
(図1の1)はテープキャリア(図1の3)上のある一
方の角に寄せてテープ上の接着剤を介してマウントさ
れ、L字型の金属板よりなる外形保持部材(図1の2)
は、半導体デバイス(図1の1)とは対角のもう一方
に、テープキャリア(図1の3)上に接着剤を介してマ
ウントされる。そして、本発明の実施の形態において
は、好ましくは、半導体デバイス(図1の1)と外形保
持部材(図1の2)との間の間隙をポッティング樹脂
(図1の5)により封止する。Embodiments of the present invention will be described. In a preferred embodiment of the semiconductor device of the present invention, a semiconductor device (1 in FIG. 1) and a flexible tape carrier (3 in FIG. 1) having a wiring pattern connected thereto are arranged in a grid. The semiconductor device (1 in FIG. 1) includes a ball bump (4 in FIG. 1) and an outer shape holding member (2 in FIG. 1) formed of an L-shaped metal plate. 3) An outer shape holding member (2 in FIG. 1) which is mounted on the tape via an adhesive on one of the upper corners and is made of an L-shaped metal plate
Is mounted on a tape carrier (3 in FIG. 1) via an adhesive on the other side diagonally to the semiconductor device (1 in FIG. 1). Then, in the embodiment of the present invention, preferably, a gap between the semiconductor device (1 in FIG. 1) and the outer shape holding member (2 in FIG. 1) is sealed with a potting resin (5 in FIG. 1). .
【0018】本発明の実施の形態によれば、フレキシブ
ルなテープキャリアより成るボールグリッドアレイタイ
プの半導体装置において、容易に半導体ベアチップ搭載
部以外にチップ周辺部にも外部接続用パッドの一部が形
成できるように平坦性を保つことができ、かつモールド
形成より半導体デバイスから発生する熱の放散に優れ
る。According to the embodiment of the present invention, in a ball grid array type semiconductor device comprising a flexible tape carrier, a part of an external connection pad is easily formed not only on a semiconductor bare chip mounting portion but also on a chip peripheral portion. The flatness can be maintained as much as possible, and the heat generated from the semiconductor device is better dissipated than the mold formation.
【0019】また、本発明の製造方法は、その好ましい
実施の形態において、ポッティング樹脂(図1の5)に
よる封止に際し、ポッティング樹脂の揮発成分のキュア
時に、半導体デバイス(図1の1)上と、L字型金属板
よりなる外形保持部材(図1の2)上に、それぞれ形状
が異なったおもりを載せ、テープキャリア(図1の3)
表面を平坦に保持する。In a preferred embodiment of the manufacturing method of the present invention, when sealing with a potting resin (5 in FIG. 1), a volatile component of the potting resin is cured on the semiconductor device (1 in FIG. 1). And weights having different shapes are placed on an outer shape holding member (2 in FIG. 1) made of an L-shaped metal plate, and a tape carrier (3 in FIG. 1)
Keep the surface flat.
【0020】[0020]
【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention;
【0021】図1は、本発明の一実施例の構成を示す図
であり、(A)は上面図、(B)は下面図、(C)は断
面図である。図1を参照すると、本実施例の半導体装置
は、半導体デバイス(ベアチップ)1と、それに接続さ
れた配線パターンを有するフレキシブルなテープキャリ
ア3と、格子状に配置されたボールバンプ4と、平面形
状がL字型の金属板の外形保持部材2から成り、半導体
デバイス1はテープキャリア上のある一方の角に寄せて
テープ3上の接着剤を介してマウントされ、L字型金属
板2は、半導体デバイス1とは対角のもう一方に同じく
テープ3上に接着剤を介してマウントされている。そし
てコプラナリティ不良を防ぐことを目的として、半導体
デバイス1とL字型金属板2の間の間隙をポッティング
樹脂5により封止した構成とされている。FIGS. 1A and 1B are views showing the configuration of an embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a top view, FIG. 1B is a bottom view, and FIG. Referring to FIG. 1, a semiconductor device according to the present embodiment includes a semiconductor device (bare chip) 1, a flexible tape carrier 3 having a wiring pattern connected thereto, ball bumps 4 arranged in a grid, and a planar shape. Consists of an L-shaped metal plate outer shape holding member 2. The semiconductor device 1 is mounted via an adhesive on a tape 3 so as to approach a certain corner on a tape carrier, and the L-shaped metal plate 2 The other diagonal to the semiconductor device 1 is similarly mounted on the tape 3 via an adhesive. The gap between the semiconductor device 1 and the L-shaped metal plate 2 is sealed with a potting resin 5 for the purpose of preventing coplanarity defects.
【0022】本実施例において、半導体ベアチップ1が
搭載されている部分以外の形状に合うようなL字型の金
属板2は、例えば42アロイ材や、アルミニウム、銅よ
りなる。In this embodiment, the L-shaped metal plate 2 conforming to the shape other than the portion on which the semiconductor bare chip 1 is mounted is made of, for example, 42 alloy material, aluminum, or copper.
【0023】そして、金型による打ち抜きや放電加工に
より形成され、必要に応じて、半導体デバイス1と接触
する部分を整えるために、研磨処理(ヤスリ掛けや化学
研磨)を施される。Then, it is formed by punching or electric discharge machining with a metal mold, and is subjected to a polishing treatment (file sanding or chemical polishing) in order to arrange a portion to be in contact with the semiconductor device 1 as necessary.
【0024】このL字型金属板2よりなる外形保持部材
を、既に、半導体デバイス1がマウントされ、電極パッ
ドとテープキャリアの配線が接合(ボンディング)され
たフレキシブルなテープキャリア3に、例えば熱可塑性
ポリイミドなどや熱硬化性のエポキシなどの接着剤3a
を介して、熱圧着により接着される。The outer shape holding member made of the L-shaped metal plate 2 is attached to a flexible tape carrier 3 on which the semiconductor device 1 is already mounted and the wiring of the electrode pad and the tape carrier is bonded (bonded), for example, by a thermoplastic resin. Adhesive 3a such as polyimide or thermosetting epoxy
Are bonded by thermocompression bonding.
【0025】なお、この際に、半導体デバイス1のマウ
ント、ボンディングと、外形保持部材2の熱圧着の順序
は、任意に組み替えることが可能である。At this time, the order of mounting and bonding of the semiconductor device 1 and thermocompression bonding of the outer shape holding member 2 can be arbitrarily changed.
【0026】その後、半導体デバイス1とL字型金属板
の外形保持部材2の間のフレキシブルなテープキャリア
部分に生じ得る段差や凸凹を防ぐために、ポッティング
樹脂5により、半導体デバイス1とL字型金属板の外形
保持部材2の間の空間を封止する。Thereafter, in order to prevent a step or unevenness that may occur in a flexible tape carrier portion between the semiconductor device 1 and the outer shape holding member 2 of the L-shaped metal plate, the semiconductor device 1 and the L-shaped metal The space between the outer shape holding members 2 of the plate is sealed.
【0027】更にその後、ポッティング樹脂は揮発成分
をキュアするが、この際に、樹脂の収縮により、前述の
段差や凸凹が発生する可能性が有るので、半導体デバイ
ス1とL字型金属板の外形保持部材2の上に、図2
(A)、図2(B)、図2(C)に示すように、それぞ
れ異なったおもり6、7、8を、図2(D)に断面図と
して示すように載せて、段差や凸凹を訂正する。図2
(D)を参照すると、おもり8の凸部が下層のおもり7
の開口を通してチップ1の表面と当接し、おもり7は外
形保持部材2の表面と当接する。Thereafter, the potting resin cures the volatile components. At this time, the above-mentioned steps and irregularities may occur due to the shrinkage of the resin. On the holding member 2, FIG.
(A), FIG. 2 (B), and FIG. 2 (C), different weights 6, 7, and 8 are respectively placed as shown in a sectional view of FIG. correct. FIG.
Referring to (D), the protruding part of the weight 8 is the lower layer weight 7.
The weight 7 contacts the surface of the external shape holding member 2 through the opening of the chip 1.
【0028】その後、テープキャリア3のパッド形成領
域に、ボールバンプ電極4を形成する。ボールバンプ電
極4が形成される面はチップ表面であることにより、ま
たL字型金属板の外形保持部材2により平坦性が確保さ
れているので、コプラナリティ不良などは少ない。Thereafter, a ball bump electrode 4 is formed in the pad formation region of the tape carrier 3. Since the surface on which the ball bump electrodes 4 are formed is the chip surface and the flatness is ensured by the L-shaped metal plate outer shape holding member 2, coplanarity defects and the like are small.
【0029】図3を参照して説明した、従来のモールド
形成では、樹脂のエージング時に半導体デバイスと樹脂
の熱膨張持性の差のために反りが発生し、コプラナリテ
ィ不良が発生するが、本実施例の半導体装置において
は、反りの発生によるコプラナリティ不良は発生しな
い。In the conventional mold formation described with reference to FIG. 3, warpage occurs due to the difference in thermal expansion retention between the semiconductor device and the resin during aging of the resin, and coplanarity failure occurs. In the example semiconductor device, the coplanarity defect due to the warpage does not occur.
【0030】また、図3に示した従来のモールド形成
は、半導体デバイスが樹脂によって覆われていることに
より、放熱特性が一般的に良くないが、本実施例におい
ては、半導体デバイス1のチップ裏面が外部に露出し
て、一部がL字型金属板の外形保持部材2に囲まれてい
るため、前記従来例に比べ放熱性に優れる。In the conventional molding shown in FIG. 3, the semiconductor device is covered with resin, so that the heat radiation characteristics are generally not good. In the present embodiment, the chip back surface of the semiconductor device 1 is used. Are exposed to the outside and a part is surrounded by the L-shaped metal plate outer shape holding member 2, so that the heat dissipation is superior to that of the conventional example.
【0031】また、外形保持部材2に、例えば、空冷フ
ァンや放熱フィン等積極的な冷却構造を採用することに
より、さらに放熱の効果を高めることが可能である。Further, by adopting a positive cooling structure such as an air-cooling fan or a radiating fin for the outer shape holding member 2, it is possible to further enhance the heat radiation effect.
【0032】また、図4を参照して説明した従来の金属
リング構造に対して、本実施例は、要求される外形寸法
やテープキャリアに接着される際の位置合わせの寸法公
差において優れる。The present embodiment is superior to the conventional metal ring structure described with reference to FIG. 4 in the required external dimensions and the dimensional tolerance of the alignment when being bonded to the tape carrier.
【0033】前述したように、図4の従来の金属リング
では、金属リングの内側側面が半導体デバイスに干渉し
ないようにするため、開口寸法lRは半導体デバイスの
幅lに加えて金属リング内側側面の面粗さ±x、金属リ
ングの内側を打ち抜く(開口幅の)加工精度±y、金属
リングをテープキャリアに熱圧着する装置の精度(例え
ば、画像認識と機械)の精度±zを考慮し、lR=l+
x+2y+2zとなり、金属リング11と半導体デバイ
ス1の間隙幅は最大x+2y+2zとなり、この領域に
は外部接続用パッドを形成するのが困難となる。As described above, in the conventional metal ring shown in FIG. 4, in order to prevent the inner side surface of the metal ring from interfering with the semiconductor device, the opening dimension l R is added to the width l of the semiconductor device and the inner side surface of the metal ring. Considering the surface roughness ± x, the processing accuracy ± y for punching the inside of the metal ring (of the opening width) ± y, and the accuracy of the equipment for thermocompression bonding the metal ring to the tape carrier (eg, image recognition and machine) ± z , L R = l +
x + 2y + 2z, and the maximum gap width between the metal ring 11 and the semiconductor device 1 is x + 2y + 2z, making it difficult to form external connection pads in this region.
【0034】これに対して、本実施例によるL字型金属
板の外形保持部材は金属リングの内側を打ち抜く(開口
幅の)加工精度を必要としないので、半導体デバイスと
の間隙幅は、最大x+2zとなり、図4に示した金属リ
ングと較べ、2y分だけ有利となる。On the other hand, since the outer shape holding member of the L-shaped metal plate according to the present embodiment does not require the processing accuracy of punching the inside of the metal ring (the opening width), the gap width with the semiconductor device is maximum. x + 2z, which is advantageous by 2y compared to the metal ring shown in FIG.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.
【0036】本発明に第一の効果は、平坦性を確保しつ
つ、良好な放熱特性を実現する、ということである。The first effect of the present invention is to realize good heat radiation characteristics while securing flatness.
【0037】その理由は、本発明においては、半導体デ
バイスのチップ裏面が外部に露出し、テープキャリア上
のチツプがマウントされた部分以外には一部がL字型金
属板の外形保持部材を備えたことによる。また、外部保
持部材に積極的な冷却構造を採用した場合には、さらに
放熱の効果を高めることが可能である。The reason is that, in the present invention, the back surface of the chip of the semiconductor device is exposed to the outside, and a part other than the part on which the chip on the tape carrier is mounted is provided with an outer shape holding member of an L-shaped metal plate. It depends. Further, when a positive cooling structure is employed for the external holding member, it is possible to further enhance the heat radiation effect.
【0038】また、本発明は、従来の金属リング構造に
対して、要求される外形寸法やテープキャリアに接着さ
れる際の位置合わせの寸法公差において優れている、す
なわち、従来の金属リング構造ほどの加工精度が要求さ
れず、コストの低減を達成する、ということである。Further, the present invention is superior to the conventional metal ring structure in the required external dimensions and the dimensional tolerance for alignment when being bonded to the tape carrier. No processing accuracy is required, and cost reduction is achieved.
【0039】その理由は、本発明においては、L字型金
属板の外形保持部材は金属リングの内側を打ち抜く(開
口幅の)加工精度を必要とせず、半導体デバイスとの間
隙幅の許容公差が、従来の金属リングよりも有利とされ
るためである。The reason is that, in the present invention, the outer shape holding member of the L-shaped metal plate does not require the processing accuracy of punching the inside of the metal ring (the opening width), and the tolerance of the gap width with the semiconductor device is limited. This is because it is more advantageous than the conventional metal ring.
【図1】本発明一実施例の構成を示す図であり、(A)
は上面図、(B)は下面図、(C)は断面図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of one embodiment of the present invention, and FIG.
Is a top view, (B) is a bottom view, and (C) is a cross-sectional view.
【図2】本発明一実施例の半導体装置製造方法を説明す
るための図であり、(A)から(C)は、キュア時に半
導体デバイスとL字型金属板の外形保持材にそれぞれ異
なったおもりを載せるおもりの平面図、(D)はおもり
を載せてテープキャリア表面を平坦に保持する工程を示
す断面図である。FIGS. 2A to 2C are diagrams for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIGS. FIG. 4D is a plan view of the weight on which the weight is placed, and FIG. 4D is a cross-sectional view showing a step of placing the weight and keeping the surface of the tape carrier flat.
【図3】従来のモールド形成による半導体装置を示す図
であり、(A)は上面図、(B)は下面図、(C)は断
面図である。3A and 3B are diagrams showing a conventional semiconductor device formed by molding, wherein FIG. 3A is a top view, FIG. 3B is a bottom view, and FIG. 3C is a cross-sectional view.
【図4】従来の金属リングを用いた半導体装置の構成を
示す図であり、(A)は上面図、(B)は下面図、
(C)は断面図である。4A and 4B are diagrams showing a configuration of a semiconductor device using a conventional metal ring, wherein FIG. 4A is a top view, FIG.
(C) is a sectional view.
1 半導体デバイス 2 L字型金属板の外形保持部材 3 テープキャリア 3a 接着剤 4 ボールバンプ 5 ポッティング樹脂 6 組立工程途中の半製品の状態を示す図 7 キュア時にL字型金属板に載せられるおもり 8 キュア時に半導体デバイスに載せられるおもり 9 樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 L-shaped metal plate outer shape holding member 3 Tape carrier 3a Adhesive 4 Ball bump 5 Potting resin 6 Figure showing state of semi-finished product during assembly process 7 Weight to be placed on L-shaped metal plate during curing 8 Weight placed on semiconductor device during cure 9 Resin
Claims (5)
ターンを有するフレキシブルなテープキャリアと、 格子状に配置された外部端子と、 を備え、 前記半導体デバイスは、前記テープキャリア上の一つの
コーナーに寄せて前記テープ上の接着剤によりマウント
され、 前記テープキャリア上の、前記半導体デバイスがマウン
トされた領域以外の領域にマウントされ、前記半導体デ
バイスの4辺のうち前記テープキャリア縁部に沿った2
辺以外の2辺にそれぞれ対向する、縁を備えた金属板よ
りなる外形保持部材を備えたことを特徴とする半導体装
置。1. A semiconductor device comprising: a flexible tape carrier having a semiconductor device and a wiring pattern connected thereto; and external terminals arranged in a grid pattern, wherein the semiconductor device is provided at one corner on the tape carrier. The semiconductor device is mounted on an area other than the area where the semiconductor device is mounted on the tape carrier, and two of the four sides of the semiconductor device are arranged along the edge of the tape carrier.
A semiconductor device comprising an outer shape holding member made of a metal plate having an edge, which faces two sides other than the side.
ターンを有するフレキシブルなテープキャリアと、 格子状に配置されたボールバンプと、 平面形状がL字型の金属板よりなる外形保持部材と、 を備え、 前記半導体デバイスは前記テープキャリア上のある一方
の角に寄せて前記テープ上の接着剤を介してマウントさ
れ、 前記L字型の金属板よりなる外形保持部材は、前記半導
体デバイスとは対角のもう一方に、前記テープキャリア
上に接着剤を介してマウントされてなる、 ことを特徴とする半導体装置。2. A flexible tape carrier having a semiconductor device and a wiring pattern connected to the semiconductor device, ball bumps arranged in a grid, and an outer shape holding member made of a metal plate having an L-shaped planar shape. The semiconductor device is mounted via an adhesive on the tape so as to approach one corner on the tape carrier, and the outer shape holding member made of an L-shaped metal plate is paired with the semiconductor device. A semiconductor device, wherein the other corner is mounted on the tape carrier via an adhesive.
の間の間隙をポッティング樹脂により封止してなる、こ
とを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。Wherein the semiconductor device and the by encapsulating the gap between the outer holding member by a potting resin, a semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the.
ターンを有するフレキシブルなテープキャリアと、 格子状に配置されたボールバンプと、 平面形状がL字型の金属板よりなる外形保持部材と、 を備え、 前記半導体デバイスは前記テープキャリア上のある一方
の角に寄せて前記テープ上の接着剤を介してマウントさ
れ、 前記L字型の金属板よりなる外形保持部材は、前記半導
体デバイスとは対角のもう一方に、前記テープキャリア
上に接着剤を介してマウントされてなり、 前記半導体デバイスと前記L字型金属板よりなる外形保
持部材との間の間隙をポッティング樹脂により封止して
なる半導体装置の製造方法であって、 前記ポッティング樹脂による封止に際し、ポッティング
樹脂の揮発成分のキュア時に、前記半導体デバイス上
と、前記L字型金属板よりなる外形保持部材上に、それ
ぞれ形状が異なったおもりを載せ、前記テープキャリア
表面を平坦に保持する、ことを特徴とする半導体装置の
製造方法。4. A semiconductor device, a flexible tape carrier having a wiring pattern connected to the semiconductor device, ball bumps arranged in a grid, and an outer shape holding member made of an L-shaped metal plate. The semiconductor device is mounted via an adhesive on the tape so as to approach one corner on the tape carrier, and the outer shape holding member made of an L-shaped metal plate is paired with the semiconductor device. The other of the corners is mounted on the tape carrier via an adhesive, and a gap between the semiconductor device and the outer shape holding member made of the L-shaped metal plate is sealed with a potting resin. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of curing a volatile component of a potting resin when sealing with the potting resin; A method of manufacturing a semiconductor device, wherein weights having different shapes are placed on an outer shape holding member made of the L-shaped metal plate, and the surface of the tape carrier is held flat.
有するフレキシブルなテープキャリア上の一つのコーナ
ーに寄せて前記テープキャリア上に接着剤によりマウン
トする工程と、(b)前記半導体デバイスがマウントされた前記テープ
キャリア上において、前記半導体デバイスがマウントさ
れた領域以外の領域に、前記半導体デバイスの4辺のう
ち前記テープキャリア縁部に沿った2辺以外の2辺にそ
れぞれ対向する縁を備えた金属板よりなる外形保持部材
を接着剤を用い熱圧着する工程と 、(c)前記半導体デバイスと前記外形保持部材の間隙を
ポッティング樹脂により封止する工程と 、(d)前記ポッティング樹脂の揮発成分のキュア時に、
前記半導体デバイスと前記外形保持部材にそれぞれ異な
ったおもりを載せてキュアを行う工程と、 (e)前記テープキャリアのパッド形成領域に格子状に
バンプ電極を形成する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法 。5. A semiconductor device comprising: a wiring pattern;
One corner on a flexible tape carrier with
On the tape carrier with an adhesive.
A step of bets, (b) the tape on which the semiconductor device is mounted
The semiconductor device is mounted on a carrier.
The four sides of the semiconductor device
Other than the two sides along the edge of the tape carrier.
Outer shape holding member made of a metal plate having edges facing each other
A step of crimping heat using an adhesive, the gap between the outer holding member and (c) said semiconductor device
A step of sealing with a potting resin , and (d) at the time of curing volatile components of the potting resin,
The semiconductor device and the outer shape holding member have different
(C) placing a weight on the tape carrier and curing the tape carrier.
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a bump electrode .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18771197A JP2943774B2 (en) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Semiconductor device external shape holding member, semiconductor device, and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18771197A JP2943774B2 (en) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Semiconductor device external shape holding member, semiconductor device, and method of manufacturing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1126515A JPH1126515A (en) | 1999-01-29 |
JP2943774B2 true JP2943774B2 (en) | 1999-08-30 |
Family
ID=16210842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP18771197A Expired - Lifetime JP2943774B2 (en) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Semiconductor device external shape holding member, semiconductor device, and method of manufacturing the same |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2943774B2 (en) |
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---|---|---|---|---|
JP2010034294A (en) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Nec Electronics Corp | Semiconductor device and method of designing the same |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP18771197A patent/JP2943774B2/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JPH1126515A (en) | 1999-01-29 |
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