JP2940620B2 - Liquid processing equipment - Google Patents

Liquid processing equipment

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JP2940620B2
JP2940620B2 JP63047700A JP4770088A JP2940620B2 JP 2940620 B2 JP2940620 B2 JP 2940620B2 JP 63047700 A JP63047700 A JP 63047700A JP 4770088 A JP4770088 A JP 4770088A JP 2940620 B2 JP2940620 B2 JP 2940620B2
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motor
resist
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semiconductor wafer
processed
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、処理装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a processing apparatus.

(従来の技術) 被処理基板例えば半導体ウエハに対してレジストを塗
布処理する場合、半導体ウエハの被塗布面を上側に向け
てウエハチャックで真空吸着し、被塗布面の中心部にレ
ジストを滴下して上記半導体ウエハをウエハチャックに
接続したモータで高速回転させることにより遠心力でレ
ジストを被塗布面に拡げていく方式が行なわれている。
例えば特開昭52−144971号公報には、塗布材を滴下して
ウエハ状物体を回転することにより、塗布膜を形成する
回転塗布装置が開示されている。
(Prior Art) When a resist is applied to a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer, the surface to be coated of the semiconductor wafer is directed upward and vacuum chucked by a wafer chuck, and the resist is dropped onto the center of the surface to be coated. In this method, the semiconductor wafer is rotated at a high speed by a motor connected to a wafer chuck to spread the resist over the surface to be coated by centrifugal force.
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 52-144491 discloses a spin coating apparatus that forms a coating film by dropping a coating material and rotating a wafer-shaped object.

上記のようなレジスト塗布装置により半導体ウエハの
塗布を行なうと、レジストの温度変化により上記半導体
ウエハ上における膜厚が不均一になるという問題があ
り、最近では上記レジストの温調を行ない、レジストの
温度変化をなくした状態で半導体ウエハ表面に滴下して
レジスト塗布を行なうことが実施されている。このよう
なレジスト温調として例えば特開昭61−125017号公報に
より周知である。
When a semiconductor wafer is coated by the above-described resist coating apparatus, there is a problem that the film thickness on the semiconductor wafer becomes non-uniform due to a change in the temperature of the resist. It has been practiced to apply a resist by dropping it on the surface of a semiconductor wafer in a state where the temperature change is eliminated. Such a resist temperature control is well known, for example, from JP-A-61-125017.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら上記説明の従来の技術の如く、レジスト
塗布処理や現像処理等モータにより半導体ウエハを回転
して処理する半導体ウエハ処理装置では、塗布するレジ
スト液を温調しても、ウエハチャックと接続したモータ
の駆動軸を伝わる熱やモータが発熱することによる輻射
熱により半導体ウエハの温度分布が不均一となり、レジ
スト膜厚の均一性が実現できず歩留りが低下するという
課題があった。
(Problems to be Solved by the Invention) However, as in the conventional technology described above, in a semiconductor wafer processing apparatus that rotates a semiconductor wafer by a motor such as a resist coating process or a developing process, the temperature of a resist solution to be coated is controlled. However, the heat transmitted through the drive shaft of the motor connected to the wafer chuck and the radiant heat generated by the motor cause uneven temperature distribution of the semiconductor wafer, which makes it impossible to achieve uniform resist film thickness and reduces the yield. was there.

本発明は上記点に対処してなされたもので、処理の均
一性を実現し、歩留りを向上することのできる液処理装
置を提供しようとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a liquid processing apparatus that can realize uniform processing and improve the yield.

(課題を解決するための手段) 本発明は,回転する被処理体の処理面にレジスト液を
供給して処理する液処理装置において、前記被処理体の
処理面に供給されるレジスト液を温度調整する第1の温
調手段と,前記被処理体を保持し,モータの出力軸の回
転に基づいて回転可能に構成された保持体と,前記モー
タの出力軸を突出可能に構成され、前記モータの接触す
る部材と,少なくともこの部材の前記モータと接触する
領域を温度調整する第2の温調手段と,を具備し,前記
部材は,モータ側と前記保持体側を熱的に仕切るように
構成されたことを特徴とする。
(Means for Solving the Problems) According to the present invention, in a liquid processing apparatus for supplying and processing a resist liquid on a processing surface of a rotating object to be processed, the resist liquid supplied to the processing surface of the object to be processed is heated and cooled. A first temperature control means for adjusting, a holding member configured to hold the object to be processed and rotatable based on rotation of an output shaft of a motor, and configured to be capable of projecting an output shaft of the motor; A motor contacting member; and a second temperature adjusting means for adjusting a temperature of at least a region of the member contacting the motor, wherein the member thermally separates the motor side from the holding body side. It is characterized by comprising.

また本発明は,回転する被処理体の処理面にレジスト
液を供給して処理する液処理装置において,前記被処理
体の処理面に供給されるレジスト液を温度調整する第1
の温調手段と,前記被処理体を保持し,モータの出力側
の回転に基づいて回転可能に構成された保持体と、この
保持体の下方位置に設けられ、前記モータの出力軸を突
出可能に構成された第一の部材と,この第一の部材を温
度調整する第2の温調手段と,前記第一の部材と接して
設けられ,前記第一の部材とともにモータ側と前記保持
体側とを熱的に仕切る第二の部材と,具備したことを特
徴とする。
According to the present invention, there is provided a liquid processing apparatus for supplying a resist liquid to a processing surface of a rotating object to be processed, wherein the temperature of the resist liquid supplied to the processing surface of the object is adjusted.
A holder for holding the object to be processed and rotatable based on the rotation of the output side of the motor; provided at a position below the holder for projecting the output shaft of the motor. A first member configured to be capable of being used, a second temperature control means for adjusting the temperature of the first member, and a motor provided on the motor side together with the first member, the second member being provided in contact with the first member; And a second member for thermally partitioning the body side.

これら液処理装置において,前記モータを,前記部材
もしくは前記第一の部材に取り付けることができる。ま
た,前記第2の温調手段は,前記部材もしくは第一の部
材の内部を恒温水を循環させる構成とすることができ
る。
In these liquid processing apparatuses, the motor can be attached to the member or the first member. Further, the second temperature adjusting means may be configured to circulate constant-temperature water through the inside of the member or the first member.

(作用) 本発明の液処理装置では,被処理体の処理面に供給さ
れるレジスト液の温度を第1の温調手段によって調節で
き、第2の温調手段によりモータの出力軸を伝わる熱や
モータの輻射熱を断熱する如くコントロールすることに
より、ウエハチャックや半導体ウエハの温度の不均一を
防止し,レジスト膜厚均一性を向上することができる。
(Operation) In the liquid processing apparatus of the present invention, the temperature of the resist solution supplied to the processing surface of the object to be processed can be adjusted by the first temperature control means, and the heat transmitted to the output shaft of the motor by the second temperature control means. By controlling the radiation heat of the motor and the motor so as to insulate the heat, it is possible to prevent the temperature of the wafer chuck and the semiconductor wafer from being uneven, and to improve the uniformity of the resist film thickness.

(実施例) 以下、本発明装置を半導体製造工程における半導体ウ
エハのレジスト塗布に適用した一実施例につき、図面を
参照して説明する。
(Embodiment) An embodiment in which the apparatus of the present invention is applied to resist coating of a semiconductor wafer in a semiconductor manufacturing process will be described below with reference to the drawings.

まず、レジスト塗布装置の構成を説明する。 First, the configuration of the resist coating device will be described.

被処理基板例えば半導体ウエハ(1)を保持例えば吸
着保持可能に例えば樹脂製円板状ウエハチャック(2)
が設けられている。このウエハチャック(2)は出力軸
(3)を介してスピンモータ(4)例えばACサーボモー
タに連設しており、例えば回転数が0〜8000rpmの所望
の回転数に回転可能に設けられている。このウエハチャ
ック(2)により保持した半導体ウエハ(1)を囲繞す
る如く例えば樹脂製又はSUS製の円筒状カップ(5)が
設けられており、このカップ(5)は上記半導体ウエハ
(1)表面の延長面と交わる近辺の部分を角度A(A≠
90゜)として傾斜させて設けられている。このカップ
(5)の底部には例えば円筒状排出管(6a)が設けられ
ており、この排出管(6a)と接続し上下動可能な円筒状
排出管(6b)を介して使用後のレジストを収容する例え
ば塩化ビニル製立方形状ドレインボックス(7)に連設
している。更に、このカップ(5)の底部には、このカ
ップ(5)内の排気を行なうための図示しない排気機構
に連設した例えば円筒状排気管(8)が設けられてい
る。
For example, a resin-made disk-shaped wafer chuck (2) capable of holding a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer (1), for example, by suction holding
Is provided. The wafer chuck (2) is connected to a spin motor (4), for example, an AC servomotor via an output shaft (3). The wafer chuck (2) is rotatably provided at a desired rotation speed of, for example, 0 to 8000 rpm. I have. A cylindrical cup (5) made of, for example, resin or SUS is provided so as to surround the semiconductor wafer (1) held by the wafer chuck (2), and the cup (5) is a surface of the semiconductor wafer (1). Angle A (A ≠
90 ゜). At the bottom of the cup (5), for example, a cylindrical discharge pipe (6a) is provided, and the resist after use is connected to the discharge pipe (6a) via a vertically movable cylindrical discharge pipe (6b). Are connected to, for example, a cubic drain box (7) made of vinyl chloride. Further, at the bottom of the cup (5), for example, a cylindrical exhaust pipe (8) connected to an exhaust mechanism (not shown) for exhausting the inside of the cup (5) is provided.

また、上記半導体ウエハ(1)の中心軸上に設定され
たレジストを、上記半導体ウエハ(1)表面に滴下可能
な如く例えば四弗化エチレン樹脂製又はSUS製のレジス
ト滴下ノズル(9)が設けられており、これはレジスト
温調自在例えば恒温水により温調を行なう例えば円筒管
状熱交換器(10)にレジスト滴下位置まで接している。
この熱交換器(10)は、例えばウレタン樹脂又はゴム製
の管(11a,11b)により第1の温調器(12)に接続され
ていて、第1の温調器(12)により温調した恒温水を熱
交換器(10)に循環可能となっている。
A resist drop nozzle (9) made of, for example, tetrafluoroethylene resin or SUS is provided so that a resist set on the central axis of the semiconductor wafer (1) can be dropped on the surface of the semiconductor wafer (1). This is in contact with, for example, a cylindrical heat exchanger (10) for controlling the temperature of the resist, which can be adjusted with constant temperature water, for example, to a resist dropping position.
The heat exchanger (10) is connected to the first temperature controller (12) by, for example, urethane resin or rubber tubes (11a, 11b), and the temperature is controlled by the first temperature controller (12). The constant temperature water can be circulated to the heat exchanger (10).

そして、ノズル(9)は、例えば四弗化エチレン樹脂
製又はSUS製の管(13a,13b,13c)と、レジストの逆流を
防止する逆止弁(14)と例えばエアシリンダ等を用いた
ポンプ駆動機構(15)を具備した例えばベーロズやダイ
アフラムを用いたポンプ(16)と、非接触の液面センサ
(17)例えば静電容量センサ等を2個備えたタンク(1
8)とを介してレジストタンク(19)に接続されてい
て、半導体ウエハ上にレジストを供給可能となってい
る。
The nozzle (9) is made of, for example, a pipe (13a, 13b, 13c) made of tetrafluoroethylene resin or SUS, a check valve (14) for preventing backflow of resist, and a pump using, for example, an air cylinder or the like. For example, a pump (16) using a verose or diaphragm equipped with a drive mechanism (15) and a tank (1) equipped with two non-contact liquid level sensors (17) such as a capacitance sensor
8) and a resist tank (19) through which the resist can be supplied onto the semiconductor wafer.

ここで、カップ(5)は螺着等により例えばAl製方形
板状の台(20)に支持されており、同様にスピンモータ
(4)も螺着等によりAl製円形板状のモータ取付板(2
1)を介して台(20)に固着支持されている。なお、こ
のモータ取付板(21)が請求項1の「モータと接触する
部材」に相当し,請求項2の「第一の部材」に相当す
る。また,台(20)が請求項2の「第二の部材」に相当
する。このモータ取付板(21)は第2の温調器(22)か
らの恒温水を例えばウレタン樹脂又はゴム製の管(23a,
23b)を介して循環温調可能となっていて、スピンモー
タ(4)の駆動軸即ち出力軸(3)を伝わる熱及びスピ
ンモータ(4)から輻射熱をコントロールする手段を形
成している。即ち、第2図に示す如く、台(20)に支持
され、スピンモータ(4)を固定したモータ取付板(2
1)内部に例えば円環状に設けられた孔(30)に、管(2
3a,23b)を介して恒温水を循環することによりモータ取
付板(21)を所望の温度にコントロール可能となってい
て、このことによりスピンモータからの輻射熱をコント
ロール可能となっている。また、出力軸(3)とモータ
取付板(21)の間には、モータ取付板(21)の温度コン
トロールにより出力軸(3)を伝わる熱をコントロール
可能な如く、熱伝導性の例えば焼結合金製円柱状軸受
(31)が設けられている。
Here, the cup (5) is supported on, for example, an Al square plate-like base (20) by screwing or the like. Similarly, the spin motor (4) is also screw-fastened or the like by an Al circular plate-like motor mounting plate. (2
It is fixedly supported by the base (20) via 1). The motor mounting plate (21) corresponds to the "member in contact with the motor" in claim 1 and the "first member" in claim 2. Further, the base (20) corresponds to the “second member” of the second aspect. The motor mounting plate (21) is supplied with constant temperature water from the second temperature controller (22) by using, for example, urethane resin or rubber pipes (23a,
The circulation temperature can be controlled via 23b), and forms means for controlling heat transmitted through the drive shaft of the spin motor (4), that is, the output shaft (3), and radiant heat from the spin motor (4). That is, as shown in FIG. 2, the motor mounting plate (2) supported by the base (20) and fixing the spin motor (4).
1) Insert a pipe (2) into the hole (30)
The motor mounting plate (21) can be controlled to a desired temperature by circulating constant-temperature water through 3a, 23b), whereby the radiant heat from the spin motor can be controlled. Further, between the output shaft (3) and the motor mounting plate (21), a heat conductive material such as sintering can be controlled by controlling the temperature of the motor mounting plate (21) to control the heat transmitted through the output shaft (3). A gold cylindrical bearing (31) is provided.

また、上記構成の半導体ウエハ処理装置は図示しない
制御部で動作制御及び設定制御される。
The operation and setting of the semiconductor wafer processing apparatus having the above configuration are controlled by a control unit (not shown).

次に、上述した半導体ウエハ処理装置による半導体ウ
エハのレジスト塗布方法を説明する。
Next, a method of applying a resist on a semiconductor wafer by the above-described semiconductor wafer processing apparatus will be described.

被処理基板例えば半導体ウエハ(1)を図示しない搬
送機構例えばベルト搬送によりウエハチャック(2)上
に搬送し、上記半導体ウエハ(1)の中心と上記ウエハ
チャック(2)の中心を合わせてウエハチャック(2)
上に載置する。この中心合わせは予めカップ(5)外の
図示しない機構で行なってもよい。そして、この載置し
た半導体ウエハ(1)をウエハチャック(2)により図
示しない真空機構により吸着保持する。この時、上記半
導体ウエハ(1)の搬送を容易にするために、予めカッ
プ(5)が支持する台(20)に対して下降しており、保
持した後に上昇する如くしてもよい。
A substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer (1) is transferred onto the wafer chuck (2) by a transfer mechanism (not shown), for example, a belt, and the center of the semiconductor wafer (1) is aligned with the center of the wafer chuck (2). (2)
Place on top. This centering may be performed in advance by a mechanism (not shown) outside the cup (5). Then, the placed semiconductor wafer (1) is sucked and held by a wafer chuck (2) by a vacuum mechanism (not shown). At this time, in order to facilitate the transfer of the semiconductor wafer (1), the cup (5) may be lowered beforehand with respect to the support (20) supported by the cup (5), and may be raised after being held.

この保持された半導体ウエハ(1)の中心部にレジス
ト滴下ノズル(9)からレジストを滴下する。このレジ
ストはレジストタンク(19)からポンプ(16)とポンプ
駆動機構(15)の働きで管(13a)を介してノズル
(9)に供給され、この供給されたレジストはポンプ
(16)に設けられた逆止弁(14)により逆流することは
ない。ここで、ポンプ(16)とレジストタンク(19)間
には、管(13b,23c)を介して液面センサ(17)を具備
したタンク(18)が設けられていて、このタンク(18)
内のレジスト量を検出することによりレジスト残量を検
出している。この様にレジスト残量を検出するので、レ
ジスト残量が少なくなった時にレジスト中に気泡が混じ
り、不良品が大量発生し歩留りが大幅に低下するのを防
止でき、また、供給するレジスト量が所望の量となら
ず、所望のレジスト膜厚が得られない場合や膜厚の均一
性を得られない場合を防止でき、生産性が向上する。し
かも、完全にレジスト残量がなくなって、まったく処理
できなかった半導体ウエハ(1)が次工程に誤って流さ
れる事も防止できる。また、事前に作業工程の中にレジ
スタタンク(19)の交換作業等を組み込めるので、作業
の効率化を計れるという効果もある。
A resist is dropped from the resist dropping nozzle (9) to the center of the held semiconductor wafer (1). The resist is supplied from the resist tank (19) to the nozzle (9) through the pipe (13a) by the action of the pump (16) and the pump drive mechanism (15). The supplied resist is provided to the pump (16). There is no backflow by the check valve (14) provided. Here, a tank (18) having a liquid level sensor (17) is provided between the pump (16) and the resist tank (19) via pipes (13b, 23c).
The remaining amount of the resist is detected by detecting the amount of the resist inside. Since the remaining amount of resist is detected in this manner, when the remaining amount of resist is reduced, bubbles are mixed in the resist, thereby preventing the occurrence of a large number of defective products and a drastic reduction in the yield. The case where the desired amount of the resist is not obtained and the desired film thickness of the resist is not obtained or the case where the uniformity of the film thickness cannot be obtained can be prevented, and the productivity is improved. In addition, it is possible to prevent the semiconductor wafer (1), which could not be processed at all because the remaining amount of the resist completely disappears, from being erroneously sent to the next step. In addition, since the replacement work of the register tank (19) can be incorporated in the work process in advance, there is an effect that the work efficiency can be improved.

そして、レジスト残量を検知する手段は、ポンプ駆動
機構(15)の作動回数とポンプ(16)容量から算定する
如くしてもよく、レジストタンク(19)の重量を重量セ
ンサ例えばひずみセンサで感知してレジスト残量を検知
してもよい。
The means for detecting the remaining amount of the resist may be calculated from the number of operations of the pump drive mechanism (15) and the capacity of the pump (16), and the weight of the resist tank (19) is detected by a weight sensor such as a strain sensor. Then, the remaining amount of the resist may be detected.

ここで、このレジストをレジスト滴下ノズル(9)に
供給する時既に、ノズル(9)内のレジストは熱交換器
(10)へ管(11a,11b)と第1の温調器(12)により循
環した恒温水で所望の温度例えば20℃〜30℃程度となっ
ている。この様に、滴下するレジストを例えば2重管構
造の熱交換で温調することにより、レジストの温度変化
をなくした状態で半導体ウエハ(1)表面にレジスト塗
布を行なうことができ、膜厚の不均一やロット間の不均
一を防止でき、歩留りを向上することができる。
Here, when this resist is supplied to the resist dropping nozzle (9), the resist in the nozzle (9) is supplied to the heat exchanger (10) by the pipes (11a, 11b) and the first temperature controller (12). The temperature of the circulated constant temperature water is a desired temperature, for example, about 20 ° C. to 30 ° C. In this way, by controlling the temperature of the dropped resist by, for example, heat exchange of a double tube structure, the resist can be applied to the surface of the semiconductor wafer (1) in a state in which the temperature of the resist has not changed, and the thickness of the film can be reduced. Unevenness and unevenness between lots can be prevented, and the yield can be improved.

また、この時既に、スピンモータ(4)は所望の回転
数例えば4000〜6000rpm程度で所望の加速度例えば10000
〜50000rpm/secで回転している。この回転時にスピンモ
ータ(4)から熱が生じ、この熱が出力軸(3)を伝わ
ったり、直接スピンモータ(4)から輻射熱として放出
され、半導体ウエハ(1)やウエハチャック(2)に熱
影響を与えるが、スピンモータ(4)上面を固着支持す
るモータ取付板(21)内部の孔(30)に、管(23a,23
b)を介して第2の温調器(22)より恒温水を循環する
ことにより、モータ取付板(21)温度をコントロールす
る。このことにより、スピンモータ(4)の駆動軸即ち
出力軸(3)を伝わる熱を軸受(31)を介してモータ取
付板(21)でコントロールでき、また、スピンモータ
(4)からの輻射熱もモータ取付板(21)でコントロー
ルできる。そこで、スピンモータ(4)の出力軸(3)
を伝わる熱及びスピンモータ(4)の輻射熱を断熱する
如くコントロールして、ウエハチャック(2)や半導体
ウエハ(1)の温度の不均一を防止し、レジスト膜厚均
一性を向上し、処理の均一性により歩留りを向上するこ
とができる。
At this time, the spin motor (4) has already been rotated at a desired rotational speed, for example, about 4000 to 6000 rpm, and a desired acceleration, for example, 10,000.
It rotates at ~ 50000rpm / sec. During this rotation, heat is generated from the spin motor (4), and this heat is transmitted through the output shaft (3) or directly emitted from the spin motor (4) as radiant heat, and is transferred to the semiconductor wafer (1) and the wafer chuck (2). Although it has an effect, pipes (23a, 23a) are inserted into holes (30) inside the motor mounting plate (21) that firmly supports the top surface of the spin motor (4).
The temperature of the motor mounting plate (21) is controlled by circulating constant temperature water from the second temperature controller (22) via b). Thus, the heat transmitted to the drive shaft of the spin motor (4), that is, the output shaft (3) can be controlled by the motor mounting plate (21) via the bearing (31), and the radiant heat from the spin motor (4) can also be controlled. It can be controlled with the motor mounting plate (21). Therefore, the output shaft (3) of the spin motor (4)
In order to prevent the temperature of the wafer chuck (2) and the semiconductor wafer (1) from being uneven, the uniformity of the resist film thickness is improved, and The yield can be improved by the uniformity.

次に、レジストを半導体ウエハ(1)上に滴下し、遠
心力により半導体ウエハ(1)表面に拡散する。この半
導体ウエハ(1)を更に回転させて、上記拡散されたレ
ジストを乾燥させる。このような処理中、図示しない制
御部に予め設定されたプログラムによりカップ(5)内
の排気を図示しない排気機構により排気管(8)を介し
て行なう。また上記半導体ウエハ(1)の回転により飛
散したレジストは、カップ(5)の内側即ち半導体ウエ
ハ(1)の表面の延長面と交わる近辺の部分を角度A
(A≠90゜)として傾斜させて設けられた部分により半
導体ウエハ(1)表面へのはね返り防止が行なわれて周
縁部に付着し落下する。そして、この飛散したレジスト
排出管(6a,6b)を介して使用後のレジストを収容する
ドレインボックス(7)に収容する。ここで、排出管
(6a)と接続した排出管(6b)が矢印方向に上下動可能
となっているので、排出管(6b)を上昇させた状態でド
レインボックス(7)が容易に水平方向に移動可能とな
り、ドレインボックス(7)の交換が短時間で行なうこ
とができ、装置の稼働効率が向上する。このドレインボ
ックス(7)の交換は、ドレインボックス(7)内の使
用後のレジスト量を検出したり、ドレインボックス
(7)の重量を検出することにより、自動的に排出管
(6b)を上昇させて交換する様にしてもよい。
Next, a resist is dropped on the semiconductor wafer (1) and diffused on the surface of the semiconductor wafer (1) by centrifugal force. The semiconductor wafer (1) is further rotated to dry the diffused resist. During such processing, the inside of the cup (5) is exhausted by an exhaust mechanism (not shown) through the exhaust pipe (8) according to a program preset in a control unit (not shown). Further, the resist scattered by the rotation of the semiconductor wafer (1) forms an angle A on the inner side of the cup (5), that is, in the vicinity of the intersection with the extended surface of the surface of the semiconductor wafer (1).
(A {90}) prevents the semiconductor wafer (1) from rebounding from the surface provided by being inclined and adheres to the peripheral portion and falls. Then, the used resist is accommodated in the drain box (7) for accommodating the used resist via the scattered resist discharge pipes (6a, 6b). Here, since the discharge pipe (6b) connected to the discharge pipe (6a) can move up and down in the direction of the arrow, the drain box (7) can be easily moved in the horizontal direction with the discharge pipe (6b) raised. , The drain box (7) can be replaced in a short time, and the operation efficiency of the apparatus is improved. The replacement of the drain box (7) automatically raises the discharge pipe (6b) by detecting the used resist amount in the drain box (7) or detecting the weight of the drain box (7). It may be made to be replaced.

そして、処理済みの半導体ウエハを図示しない搬送機
構で搬出することにより処理を終了する。
Then, the processing is completed by unloading the processed semiconductor wafer by a transfer mechanism (not shown).

また、上記実施例ではモータの駆動軸を伝わる熱及び
モータからの輻射熱をコントロールする手段を、モータ
を取付けた板を恒温水で温調することにより説明した
が、モータから発生し処理に影響を行じる熱をコントロ
ールできればよく、上記実施例に限定されるものではな
い。
Further, in the above embodiment, the means for controlling the heat transmitted through the drive shaft of the motor and the radiant heat from the motor are described by controlling the temperature of the plate on which the motor is mounted with constant temperature water. It is only necessary to control the heat generated, and the present invention is not limited to the above embodiment.

しかも、上記実施例ではレジストの温調をノズルの恒
温水を用いた熱交換で説明したが、滴下する直前のレジ
ストを所望の温度に温調できればよく、ヒートシンクや
ヒートパイプやぺルチェ素子等何れの方法で温調しても
良いことは言うまでもない。
In addition, in the above embodiment, the temperature control of the resist was described by heat exchange using the constant temperature water of the nozzle. However, it is sufficient that the temperature of the resist immediately before dropping can be controlled to a desired temperature. Needless to say, the temperature may be controlled by the above method.

以上述べたようにこの実施例によれば、ウエハチャッ
ク上の半導体ウエハをスピンモータで回転し、半導体ウ
エハ上にレジスト等を滴下し処理する場合、スピンモー
タの駆動軸を伝わる熱及びスピンモータからの輻射熱を
コントロールする手段即ちモータ取付板を温調する様な
構造とすることにより、レジスト膜厚均一性等処理の均
一性を実現するこができる。
As described above, according to this embodiment, when the semiconductor wafer on the wafer chuck is rotated by the spin motor, and the resist or the like is dropped on the semiconductor wafer for processing, the heat transmitted through the drive shaft of the spin motor and the spin motor are used. By controlling the radiant heat of the motor, that is, by adopting a structure for controlling the temperature of the motor mounting plate, uniformity of processing such as uniformity of the resist film thickness can be realized.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明によれば、レジスト膜厚均
一性等の処理と均一性を向上し、歩留りを向上すること
ができる。
As described above, according to the present invention, processing such as uniformity of the resist film thickness and uniformity can be improved, and the yield can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明装置の一実施例を説明するための構成
部、第2図は第1図のスピンモータ及びモータ取付板を
説明するための図である。 図において、 1……半導体ウエハ、2……ウエハチャック 3……出力軸、4……スピンモータ 21……モータ取付板、22……第2の温調器、 30……孔、31……軸受
FIG. 1 is a view for explaining the components of an embodiment of the apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a view for explaining the spin motor and the motor mounting plate of FIG. In the drawing, 1 ... a semiconductor wafer, 2 ... a wafer chuck 3 ... an output shaft, 4 ... a spin motor 21 ... a motor mounting plate, 22 ... a second temperature controller, 30 ... a hole, 31 ... bearing

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】回転する被処理体の処理面にレジスト液を
供給して処理する液処理装置において, 前記被処理体の処理面に供給されるレジスト液を温度調
整する第1の温調手段と, 前記被処理体を保持し、モータの出力軸を回転に基づい
て回転可能に構成された保持体と, 前記モータの出力軸を突出可能に構成され、前記モータ
と接触する部材と, 少なくともこの部材の前記モータと接触する領域を温度
調整する第2の温調手段と,を具備し、 前記部材は,モータ側と前記保持体側を熱的に仕切るよ
うに構成されたことを特徴とする液処理装置。
1. A liquid processing apparatus for supplying and processing a resist liquid on a processing surface of a rotating object to be processed, wherein first temperature control means for adjusting the temperature of the resist liquid supplied to the processing surface of the object to be processed. A holding member configured to hold the object to be processed and rotatable based on rotation of an output shaft of the motor; and a member configured to be capable of projecting the output shaft of the motor and contacting the motor. Second temperature control means for adjusting the temperature of an area of the member that comes into contact with the motor, wherein the member is configured to thermally separate the motor side and the holding body side. Liquid treatment equipment.
【請求項2】回転する被処理体の処理面にレジスト液を
供給して処理する液処理装置において, 前記被処理体の処理面に供給されるレジスト液を温度調
整する第1の温調手段と, 前記被処理体を保持し,モータの出力軸の回転に基づい
て回転可能に構成された保持体と, この保持体の下方位置に設けられ,前記モータの出力軸
を突出可能に構成された第一の部材と, この第一の部材を温度調整する第2の温調手段と, 前記第一の部材の接して設けられ、前記第一の部材とと
もにモータ側の前記保持体側とを熱的に仕切る第二の部
材と, を具備したことを特徴とする液処理装置。
2. A liquid processing apparatus for supplying and processing a resist liquid on a processing surface of a rotating object to be processed, wherein first temperature control means for adjusting the temperature of the resist liquid supplied to the processing surface of the object to be processed. A holding member configured to hold the object to be processed and to be rotatable based on rotation of an output shaft of a motor; provided at a position below the holding member so that the output shaft of the motor can protrude. A first member, a second temperature adjusting means for adjusting the temperature of the first member, and a heat member that is provided in contact with the first member and heats the holder together with the first member on the motor side. And a second member for partitioning the liquid.
【請求項3】前記モータが,前記部材もしくは前記第一
の部材に取り付けられている請求項1または2の液処理
装置。
3. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein said motor is attached to said member or said first member.
【請求項4】前記第2の温調手段は,前記部材もしくは
第一の部材の内部を恒温水を循環させる構成を備える請
求項1,2,または3の何れかに記載の液処理装置。
4. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the second temperature control means has a structure for circulating constant temperature water inside the member or the first member.
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