JP2940287B2 - Antiferroelectric liquid crystal display device - Google Patents

Antiferroelectric liquid crystal display device

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JP2940287B2
JP2940287B2 JP4849992A JP4849992A JP2940287B2 JP 2940287 B2 JP2940287 B2 JP 2940287B2 JP 4849992 A JP4849992 A JP 4849992A JP 4849992 A JP4849992 A JP 4849992A JP 2940287 B2 JP2940287 B2 JP 2940287B2
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display device
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富雄 田中
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、反強誘電性液晶表示素
子に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antiferroelectric liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】反強誘電性液晶表示素子は、反強誘電性
液晶がもっている分子配列状態の安定性を利用したもの
で、この反強誘電性液晶表示素子としては、従来、単純
マトリックス方式のものが知られている。図5および図
6は従来の反強誘電性液晶表示素子を示しており、図5
は液晶表示素子の一部分の断面図、図6は一方の基板の
平面図である。
2. Description of the Related Art An anti-ferroelectric liquid crystal display device utilizes the stability of the molecular alignment state of an anti-ferroelectric liquid crystal. Are known. FIGS. 5 and 6 show a conventional antiferroelectric liquid crystal display device.
Is a sectional view of a part of the liquid crystal display element, and FIG. 6 is a plan view of one of the substrates.

【0003】この反強誘電性液晶表示素子の構成を説明
すると、図5および図6において、1,2は液晶層をは
さんで対向配置される一対の透明基板(ガラス板等)で
あり、この両基板1,2のうち、一方の基板1には複数
本の走査電極(透明電極)3が互いに平行に形成され、
他方の基板2には上記走査電極3の長さ方向に対して直
交する複数本の信号電極(透明電極)4が互いに平行に
形成されている。
The structure of this antiferroelectric liquid crystal display device will be described. In FIGS. 5 and 6, reference numerals 1 and 2 denote a pair of transparent substrates (a glass plate or the like) which are arranged to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. A plurality of scanning electrodes (transparent electrodes) 3 are formed on one of the substrates 1 and 2 in parallel with each other.
On the other substrate 2, a plurality of signal electrodes (transparent electrodes) 4 orthogonal to the length direction of the scanning electrodes 3 are formed in parallel with each other.

【0004】また、両基板1,2の電極形成面の上には
それぞれ配向膜5,6が設けられている。これら配向膜
5,6はいずれもポリイミド等の有機高分子化合物から
なる水平配向膜であり、これら配向膜5,6はそれぞ
れ、その膜面を互いに平行な方向にラビングした配向処
理膜とされている。
Further, alignment films 5 and 6 are provided on the electrode forming surfaces of the substrates 1 and 2 respectively. Each of these alignment films 5 and 6 is a horizontal alignment film made of an organic polymer compound such as polyimide. Each of these alignment films 5 and 6 is an alignment treatment film whose surface is rubbed in a direction parallel to each other. I have.

【0005】そして、上記一対の基板1,2とは、その
外周縁部において図示しない枠状のシール材を介して接
着されており、この両基板1,2間の前記シール材で囲
まれた領域には、反強誘電性液晶7が封入されている。
この反強誘電性液晶7は、スメクティック層構造をなし
ており、分子配列状態の安定性をもちかつ電界に応じて
液晶分子の配列方向が変化する。
The pair of substrates 1 and 2 are bonded at their outer peripheral edges via a frame-shaped sealing material (not shown), and are surrounded by the sealing material between the two substrates 1 and 2. An antiferroelectric liquid crystal 7 is sealed in the region.
The antiferroelectric liquid crystal 7 has a smectic layer structure, has a stable molecular alignment state, and changes the alignment direction of liquid crystal molecules according to an electric field.

【0006】すなわち、反強誘電性液晶7は、スメクテ
ィック層構造の法線に対しあるチルト角(22.5〜30°)
で傾いた方向に液晶分子が配列する性質をもっており、
その分子配列状態には3つの安定状態がある。
That is, the antiferroelectric liquid crystal 7 has a certain tilt angle (22.5 to 30 °) with respect to the normal of the smectic layer structure.
Liquid crystal molecules are arranged in the direction inclined by
There are three stable states in the molecular arrangement state.

【0007】第1の安定状態は、無電界時または弱い電
界が印加されたときの状態であり、この状態では、液晶
分子が各層ごとに互い違いの向きで配列(スメクティッ
ク層構造の法線に対し同じチルト角で交互に逆向きに配
列)する。したがって、無電界または弱い電界が印加さ
れた状態における液晶層全体での液晶分子の平均的な配
列方向はスメクティック層構造の法線方向にある。
The first stable state is a state where there is no electric field or when a weak electric field is applied. In this state, the liquid crystal molecules are arranged alternately in each layer (in the normal direction of the smectic layer structure). They are alternately arranged in the opposite direction at the same tilt angle). Therefore, the average arrangement direction of the liquid crystal molecules in the entire liquid crystal layer in a state where no electric field or a weak electric field is applied is in a normal direction of the smectic layer structure.

【0008】第2の安定状態は、液晶層に一方向の極性
の強い電界が印加されたときの状態であり、このとき
は、液晶分子の自発分極が電界と作用して、全ての液晶
分子が、スメクティック層構造の法線に対し、一方向に
上記チルト角(22.5〜30°)で一様に配列する。
The second stable state is a state in which an electric field having a strong unidirectional polarity is applied to the liquid crystal layer. In this case, the spontaneous polarization of the liquid crystal molecules acts on the electric field, and all the liquid crystal molecules are turned on. Are uniformly arranged in one direction at the tilt angle (22.5 to 30 °) with respect to the normal of the smectic layer structure.

【0009】第3の安定状態は、液晶層に逆方向の極性
の強い電界が印加されたときの状態であり、このとき
は、液晶分子の自発分極が逆方向電界と作用して液晶分
子が反転し、全ての液晶分子が、スメクティック層構造
の法線に対し、上記第2の安定状態とは逆方向に上記チ
ルト角(22.5〜30°)で一様に配列する。
The third stable state is a state in which a strong electric field having a reverse polarity is applied to the liquid crystal layer. In this case, the spontaneous polarization of the liquid crystal molecules acts on the reverse electric field to cause the liquid crystal molecules to move. The liquid crystal molecules are inverted, and all the liquid crystal molecules are uniformly arranged at a tilt angle (22.5 to 30 °) in a direction opposite to the second stable state with respect to a normal line of the smectic layer structure.

【0010】また、反強誘電性液晶7の液晶分子配列方
向は、両基板1,2の配向膜5,6によって規制される
ため、上記第1の安定状態では、液晶分子が、その平均
的な配列方向が配向膜5,6の配向処理方向(ラビング
方向)にほぼ一致する状態に配列し、第2および第3の
安定状態では、全ての液晶分子が、分子長軸方向が前記
配向処理方向に対して上記チルト角だけ傾いた方向を向
く状態に配列する。
In addition, since the alignment direction of the liquid crystal molecules of the antiferroelectric liquid crystal 7 is regulated by the alignment films 5 and 6 of the two substrates 1 and 2, in the first stable state, the liquid crystal molecules are averaged. In the second and third stable states, all of the liquid crystal molecules are oriented such that the major axis direction is the same as the alignment treatment direction (rubbing direction) of the alignment films 5 and 6. They are arranged so as to face a direction inclined by the tilt angle with respect to the direction.

【0011】一方、上記両基板1,2の外面にはそれぞ
れ偏光板8,9が積層されている。この両偏光板8,9
は、その透過軸が互いにほぼ直交するようにクロスニコ
ルに配置されており、さらに一方の偏光板、例えば図5
において下側の入射側偏光板8の透過軸の方向は、上記
第1の安定状態における液晶分子の平均的な配列方向と
ほぼ平行にしてある。
On the other hand, polarizing plates 8 and 9 are laminated on the outer surfaces of the substrates 1 and 2, respectively. These polarizing plates 8, 9
Are arranged in crossed Nicols such that their transmission axes are substantially orthogonal to each other.
In the above, the direction of the transmission axis of the lower incident-side polarizing plate 8 is substantially parallel to the average arrangement direction of the liquid crystal molecules in the first stable state.

【0012】図7は上記液晶表示素子の等価回路図であ
り、一方の基板1の走査電極3と他方の基板2の信号電
極4との交差対向部およびその間の反強誘電性液晶7と
で構成される画素はコンデンサと等価であるため、上記
液晶表示素子の等価回路は、走査電極3と信号電極4と
を前記画素がもつ容量(以下、画素容量という)CLCで
接続した回路で表わされる。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the above-mentioned liquid crystal display element. In FIG. 7, an anti-ferroelectric liquid crystal 7 and an intersecting portion between the scanning electrode 3 of one substrate 1 and the signal electrode 4 of the other substrate 2 are provided. Since the constituted pixel is equivalent to a capacitor, the equivalent circuit of the liquid crystal display element is represented by a circuit in which the scanning electrode 3 and the signal electrode 4 are connected by a capacitance (hereinafter referred to as a pixel capacitance) CLC of the pixel. .

【0013】上記液晶表示素子の表示動作について説明
すると、両基板1,2の電極3,4間に電圧を印加して
いない状態または印加電圧が低い状態では、液晶分子が
上記第1の安定状態に配列する。そして、この第1の安
定状態では、入射側偏光板8を透過して直線偏光になっ
た光は、その偏光の方向が液晶分子の平均的な配列方向
とほぼ等しいため、前記直線偏光のまま液晶層を出射し
て、クロスニコルに配置されている出射側偏光板9で遮
られる。したがってこのときは、液晶表示素子の出射光
はほとんどなく、表示がOFF(暗)状態になる。
The display operation of the liquid crystal display device will be described. In a state where no voltage is applied between the electrodes 3 and 4 of the substrates 1 and 2 or a state where the applied voltage is low, the liquid crystal molecules are in the first stable state. Array. In the first stable state, the light that has passed through the incident-side polarizing plate 8 and has become linearly polarized light has the same polarization direction as the average alignment direction of the liquid crystal molecules. The liquid crystal layer is emitted, and is blocked by the emission-side polarizing plate 9 arranged in crossed Nicols. Therefore, at this time, almost no light is emitted from the liquid crystal display element, and the display is turned off (dark).

【0014】一方、両基板1,2の電極3,4間に一方
向の極性のON電圧(液晶のしきい値電圧より高い電
圧)を印加すると、液晶分子が第2の安定状態に配列す
る。そして、この第2の安定状態では、液晶分子の長軸
方向が、入射側偏光板8を透過して直線偏光になった光
の偏光方向に対し、上記チルト角(22.5〜30°)とほぼ
同じ角度ずれているため、液晶層に入射した直線偏光が
液晶層の複屈折効果によって楕円偏光となり、そのうち
出射側偏光板9の透過軸方向の成分の光が液晶表示素子
の出射光となって、表示がON(明)状態になる。
On the other hand, when an ON voltage (voltage higher than the threshold voltage of the liquid crystal) in one direction is applied between the electrodes 3 and 4 of the substrates 1 and 2, the liquid crystal molecules are arranged in the second stable state. . In the second stable state, the major axis direction of the liquid crystal molecules is substantially equal to the tilt angle (22.5 to 30 °) with respect to the polarization direction of the light that has passed through the incident-side polarizing plate 8 and has become linearly polarized light. Since the angles are shifted by the same angle, the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer becomes elliptically polarized light due to the birefringence effect of the liquid crystal layer, and the light of the component in the transmission axis direction of the emission side polarizing plate 9 becomes the emission light of the liquid crystal display element. , The display is turned on (bright).

【0015】これは、両基板1,2の電極3,4間に逆
方向の極性のON電圧を印加したときも同様であり、こ
のときは液晶分子が第3の安定状態に配列するが、この
第3の安定状態でも、液晶層に入射した直線偏光が液晶
層の複屈折効果によって楕円偏光となり、そのうち出射
側偏光板9の透過軸方向の成分の光が液晶表示素子の出
射光となって、表示がON(明)状態になる。
This is the same when an ON voltage of the opposite polarity is applied between the electrodes 3 and 4 of the substrates 1 and 2. In this case, the liquid crystal molecules are arranged in the third stable state. Even in the third stable state, the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer becomes elliptically polarized light due to the birefringence effect of the liquid crystal layer, and light of the component in the transmission axis direction of the output side polarizing plate 9 becomes light emitted from the liquid crystal display element. The display is turned on (bright).

【0016】図8は上記反強誘電性液晶表示素子におけ
る電極3,4間への印加電圧と光の透過率との典型的な
関係を示しており、印加電圧が0V付近では透過率は低
く、したがって液晶表示素子はOFF状態であるが、印
加電圧を+側に上げて行くと、その電圧値があるしきい
値を越えたときに透過率が高くなり、液晶表示素子がO
N状態になる。また、この状態から印加電圧を下げて行
くと、この印加電圧が前記ON状態となる電圧値より低
いあるしきい値電圧以下となったときに透過率が低くな
り、液晶表示素子が再びOFF状態になる。これは、印
加電圧を−側に変化させたときも同様であり、このとき
も、印加電圧の絶対値があるしきい値を越えたときに液
晶表示素子がON状態になり、この状態から印加電圧の
絶対値を下げて行くと、前記ON状態となる電圧値より
低いあるしきい値以下となったときに液晶表示素子が再
びOFF状態になる。
FIG. 8 shows a typical relationship between the voltage applied between the electrodes 3 and 4 and the light transmittance in the antiferroelectric liquid crystal display element. When the applied voltage is around 0 V, the transmittance is low. Therefore, although the liquid crystal display element is in the OFF state, when the applied voltage is increased to the + side, the transmittance increases when the voltage value exceeds a certain threshold value, and the liquid crystal display element is turned off.
It becomes N state. Further, when the applied voltage is reduced from this state, the transmittance becomes low when the applied voltage becomes equal to or lower than a certain threshold voltage which is lower than the voltage value at which the liquid crystal display element is turned on. become. This is the same when the applied voltage is changed to the negative side. In this case, the liquid crystal display element is turned on when the absolute value of the applied voltage exceeds a certain threshold value. When the absolute value of the voltage is reduced, the liquid crystal display element is turned off again when the absolute value of the voltage becomes equal to or lower than a certain threshold value lower than the voltage value for turning on the liquid crystal display.

【0017】したがって、図8において液晶表示素子が
ON状態になるときの電圧値と再びOFF状態になると
きの電圧値との中間付近の電圧値+VB ,−VB を基準
電圧とし、この基準電圧+VB ,−VB に画像データ信
号を重畳させた駆動電圧を電極3,4間に印加すれば、
上記液晶表示素子に画像表示を行なわせるさせることが
できる。
Accordingly, in FIG. 8, voltage values + VB and -VB near the middle between the voltage value when the liquid crystal display element is turned on and the voltage value when the liquid crystal display element is turned off again are used as the reference voltage, and this reference voltage + VB , -VB with a driving voltage superimposed on the image data signal applied between the electrodes 3 and 4,
The liquid crystal display device can display an image.

【0018】図9は上記液晶表示素子の1つの画素の電
極3,4間に印加される駆動電圧の波形と前記画素の光
透過率との関係を示している。図においてTS は前記画
素の選択期間であり、この選択期間TS は、1画面を表
示する1フレームTF を画素の行数(走査電極数)で等
分割した期間である。
FIG. 9 shows the relationship between the waveform of the drive voltage applied between the electrodes 3 and 4 of one pixel of the liquid crystal display device and the light transmittance of the pixel. In the figure, TS is the pixel selection period, and this selection period TS is a period obtained by equally dividing one frame TF for displaying one screen by the number of rows of pixels (the number of scanning electrodes).

【0019】この図9のように、今、例えば最初の選択
期間TS に、選択画素の電極3,4間に基準電圧VB よ
り十分高い電圧が印加されたとすると、このときは液晶
分子が上述した第2の安定状態に配列するため、画素が
ON(明)状態になる。なお、選択期間TS が経過して
非選択期間になると、この画素の走査電極3の電位は非
選択電位となるが、信号電極4には他の行の画素を駆動
するためのデータ信号が印加されるため、上記画素に
は、非選択期間中にも前記データ信号に応じた波形の電
圧が印加される。しかし、この非選択期間中は走査電極
3の電位が非選択電位であるため、非選択期間中に印加
される電圧は+VB 近傍の電圧であり、したがって、液
晶分子の僅かな動きによる透過率の変動はあるものの、
液晶分子の配列状態が上記第2の安定状態から他の安定
状態に変化してしまうことはない。
As shown in FIG. 9, if a voltage sufficiently higher than the reference voltage VB is applied between the electrodes 3 and 4 of the selected pixel during the first selection period T S, for example, The pixels are turned on (bright) to arrange them in the second stable state. When the selection period TS elapses and the non-selection period starts, the potential of the scanning electrode 3 of this pixel becomes the non-selection potential, but the data signal for driving the pixels of another row is applied to the signal electrode 4. Therefore, a voltage having a waveform corresponding to the data signal is applied to the pixel even during the non-selection period. However, during this non-selection period, since the potential of the scanning electrode 3 is at the non-selection potential, the voltage applied during the non-selection period is a voltage near + VB. Although there are fluctuations,
The arrangement state of the liquid crystal molecules does not change from the second stable state to another stable state.

【0020】また、次の選択期間TS に選択画素の電極
3,4間に、前の選択時とは逆極性の電圧(−電圧)が
印加されたとすると、液晶分子の配列状態が上記第2の
安定状態から他の安定状態に変化するが、この印加電圧
の絶対値が図9のように基準電圧VB より小さい場合
は、液晶分子の配列状態が第3の安定状態までは反転せ
ずに第1の安定状態となり、画素がOFF(暗)状態に
なる。また、非選択期間中には、上述したように他の行
の画素を駆動するためのデータ信号に応じた波形の電圧
が印加されるが、この非選択期間中に印加される電圧は
−VB 近傍の電圧であり、したがって、液晶分子の僅か
な動きによる透過率の変動はあるものの、液晶分子の配
列状態が上記第1の安定状態から他の安定状態に変化し
てしまうことはない。
If a voltage (-voltage) having a polarity opposite to that of the previous selection is applied between the electrodes 3 and 4 of the selected pixel during the next selection period Ts, the arrangement state of the liquid crystal molecules is changed to the second state. Changes from the stable state to another stable state. When the absolute value of the applied voltage is smaller than the reference voltage VB as shown in FIG. 9, the alignment state of the liquid crystal molecules is not inverted until the third stable state. The first stable state is set, and the pixel is turned off (dark). Further, during the non-selection period, as described above, a voltage having a waveform corresponding to a data signal for driving pixels in another row is applied. However, the voltage applied during the non-selection period is -VB. The voltage is close to the voltage, and therefore, although the transmittance varies due to slight movement of the liquid crystal molecules, the alignment state of the liquid crystal molecules does not change from the first stable state to another stable state.

【0021】さらに、図9には示していないが、選択画
素の電極3,4間に、絶対値が基準電圧VB より十分高
い−電圧が印加されると、液晶分子が第3の安定状態に
配列して画素がON(明)状態になり、また、絶対値が
基準電圧VB より小さい+電圧が印加されると、液晶分
子が第1の安定状態に配列して画素がOFF(暗)状態
になる。
Further, although not shown in FIG. 9, when a voltage having an absolute value sufficiently higher than the reference voltage VB is applied between the electrodes 3 and 4 of the selected pixel, the liquid crystal molecules are brought into the third stable state. When the pixels are arranged to be in an ON (bright) state, and when a + voltage whose absolute value is smaller than the reference voltage VB is applied, the liquid crystal molecules are arranged in a first stable state and the pixels are in an OFF (dark) state. become.

【0022】そして、この反強誘電性液晶表示素子にお
いては、上記第1,第2,第3のいずれかの安定状態に
配列した液晶分子が、次にその配列状態を変化させる電
界が印加されるまでの間、上記安定状態を維持するた
め、一般に利用されているTNモードやSTNモードの
液晶表示素子に比べて高コントラストの表示が得られる
し、また高デューティで時分割駆動できる可能性がある
から、高精細および大画面の液晶表示素子の実現が期待
できる。
In the antiferroelectric liquid crystal display device, the liquid crystal molecules arranged in one of the first, second and third stable states are applied with an electric field for changing the arrangement state. Until the above, the above-mentioned stable state is maintained, so that a higher contrast display can be obtained as compared with a generally used TN mode or STN mode liquid crystal display element, and there is a possibility that time-division driving can be performed at a high duty. Therefore, realization of a high-definition and large-screen liquid crystal display device can be expected.

【0023】[0023]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現在知
られている反強誘電性液晶は、いずれも電界に対する応
答時間が長いという問題をもっている。そして、従来の
反強誘電性液晶表示素子は上述したような単純マトリッ
クス方式のものであるため、1画面を書込むフレーム周
波数を高くすることはできなかった。
However, all of the currently known antiferroelectric liquid crystals have a problem that the response time to an electric field is long. Since the conventional antiferroelectric liquid crystal display device is of the simple matrix type as described above, the frame frequency for writing one screen cannot be increased.

【0024】これは、単純マトリックス液晶表示素子で
は、液晶分子の配列状態を変化させる電界が各画素の選
択期間中だけしか液晶に印加されないため、画素のON
状態またはOFF状態への書込みを、その画素の選択期
間内に完了させる必要があるためである。
This is because, in the simple matrix liquid crystal display device, an electric field for changing the arrangement state of liquid crystal molecules is applied to the liquid crystal only during the selection period of each pixel.
This is because writing to the state or the OFF state needs to be completed within the selection period of the pixel.

【0025】すなわち、単純マトリックス液晶表示素子
では、液晶分子の配列状態を変化させる電界は選択期間
中にしか液晶に作用せず、したがって選択期間内に液晶
分子配列状態の切替えを完了しないと、画素が書込み不
良となって、画像表示ができなくなる。
That is, in the simple matrix liquid crystal display device, the electric field for changing the arrangement state of the liquid crystal molecules acts on the liquid crystal only during the selection period. Becomes writing failure, and the image cannot be displayed.

【0026】このため、従来の反強誘電性液晶表示素子
では、各列の画素の選択期間を、液晶分子の配列状態の
変化に必要な期間に設定する必要があるが、反強誘電性
液晶の電界に対する応答時間は上述したように長いた
め、この反強誘電性液晶の応答時間に合わせて上記選択
期間を設定したのでは、フレーム周波数が実用値以下と
なってしまう。
For this reason, in the conventional antiferroelectric liquid crystal display element, it is necessary to set the selection period of the pixels in each column to a period necessary for changing the arrangement state of the liquid crystal molecules. Since the response time to the electric field is long as described above, if the selection period is set in accordance with the response time of the antiferroelectric liquid crystal, the frame frequency becomes less than the practical value.

【0027】本発明は、反強誘電性液晶を用いたもので
ありながら、各列の画素の選択期間を短くしてフレーム
周波数を高くし、しかも液晶分子の配列状態をその安定
状態まで確実に変化させて高コントラストの表示を行な
わせることができる反強誘電性液晶表示素子を提供する
ことを目的としたものである。
According to the present invention, while using an antiferroelectric liquid crystal, the frame period is increased by shortening the selection period of the pixels in each column, and the arrangement state of the liquid crystal molecules is surely brought to its stable state. It is an object of the present invention to provide an antiferroelectric liquid crystal display device capable of performing high contrast display by changing the display.

【0028】[0028]

【課題を解決するための手段】本発明の反強誘電性液晶
表示素子は、反強誘電性液晶の層をはさんで対向する一
対の透明基板の一方に、縦横に配列された複数の画素電
極と、これらの画素電極にそれぞれ接続された半導体能
動素子と、この能動素子に駆動信号を供給する信号線
と、前記画素電極および前記能動素子を直接覆い、表面
が平坦化された配向膜とを設け、他方の基板に、前記画
素電極と対向する対向電極を設けたことを特徴とするも
のである。
According to the present invention, there is provided an antiferroelectric liquid crystal display device comprising a plurality of pixels arranged vertically and horizontally on one of a pair of transparent substrates opposed to each other with an antiferroelectric liquid crystal layer interposed therebetween. An electrode, a semiconductor active element connected to each of the pixel electrodes, a signal line for supplying a drive signal to the active element, an alignment film directly covering the pixel electrode and the active element, and having a planarized surface. And a counter electrode facing the pixel electrode is provided on the other substrate.

【0029】[0029]

【作用】すなわち、本発明は、反強誘電性液晶表示素子
をアクティブマトリックス化したものであり、能動素子
を設けた基板面に表面に平坦化された配向膜が形成され
ているため、液晶の配向が均一になる。また、アクティ
ブマトリックス液晶表示素子では、選択期間に能動素子
がONして信号線から供給される駆動信号に応じた電荷
が画素に充電され、非選択期間は能動素子がOFFして
画素と信号線との間が電気的に遮断されるため、非選択
期間における画素からの放電は徐々にしか行われないか
ら、非選択期間中も画素に充分な電荷を保持させておく
ことができる。
[Action] The present invention is for an antiferroelectric liquid crystal display element is an active matrix of active elements
A planarized alignment film is formed on the surface of the substrate provided with
Therefore, the orientation of the liquid crystal becomes uniform. In the active matrix liquid crystal display element, the active element is turned on during the selection period, and the pixel is charged with the electric charge corresponding to the drive signal supplied from the signal line. Is electrically cut off, so that the discharge from the pixel during the non-selection period is performed only gradually, so that the pixel can hold sufficient electric charge even during the non-selection period.

【0030】そして、反強誘電性液晶の分子は、画素の
保持電荷に応じた電界によっていずれかの安定状態に配
列するため、非選択期間中も画素に十分な電荷が保持さ
れていれば、液晶分子配列状態の切替えを選択期間内に
完了させなくても、非選択期間中に液晶分子配列状態の
切替えることができる。
Since the molecules of the antiferroelectric liquid crystal are arranged in any stable state by an electric field corresponding to the charge held in the pixel, if sufficient charge is held in the pixel even during the non-selection period, Even if the switching of the liquid crystal molecule alignment state is not completed within the selection period, the liquid crystal molecule alignment state can be switched during the non-selection period.

【0031】したがって、本発明の反強誘電性液晶表示
素子によれば、反強誘電性液晶の応答時間が長くても、
それに合わせて選択期間を長くとる必要はないから、各
列の画素の選択期間を短くしてフレーム周波数を高くす
ることができるし、また、液晶分子の配列状態をその安
定状態まで確実に変化させて、高コントラストの表示を
行なわせることができる。
Therefore, according to the antiferroelectric liquid crystal display device of the present invention, even if the response time of the antiferroelectric liquid crystal is long,
It is not necessary to lengthen the selection period accordingly, so that the selection period of the pixels in each column can be shortened to increase the frame frequency, and the arrangement state of the liquid crystal molecules can be reliably changed to its stable state. Thus, a high-contrast display can be performed.

【0032】[0032]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図1〜図4を参照
して説明する。図1は反強誘電性液晶表示素子の一部分
の断面図、図2は画素電極と能動素子を形成した基板の
一部分の平面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a cross-sectional view of a part of an antiferroelectric liquid crystal display element, and FIG. 2 is a plan view of a part of a substrate on which pixel electrodes and active elements are formed.

【0033】この実施例の反強誘電性液晶表示素子は、
薄膜トランジスタ(以下TFTと記す)を能動素子とす
るアクティブマトリックス液晶表示素子であり、液晶層
をはさんで対向する一対の透明基板11,12のうち、
図1において下側の基板(以下TFT基板という)11
には、透明な画素電極13とこの画素電極13に接続さ
れた能動素子であるTFT14とが縦横に配列形成され
ている。
The antiferroelectric liquid crystal display device of this embodiment is
This is an active matrix liquid crystal display element having a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) as an active element. Among a pair of transparent substrates 11 and 12 opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween,
In FIG. 1, a lower substrate (hereinafter referred to as a TFT substrate) 11
, A transparent pixel electrode 13 and a TFT 14 as an active element connected to the pixel electrode 13 are vertically and horizontally arranged.

【0034】上記TFT14は例えば逆スタガー構造の
ものであり、基板11上に形成されたゲート電極Gと、
このゲート電極Gを覆うSi N(窒化シリコン)等から
なるゲート絶縁膜15と、このゲート絶縁膜15の上に
形成されたa−Si (アモルファスシリコン)からなる
半導体層16と、この半導体層16の上に形成されたソ
ース電極Sおよびドレイン電極Dとからなっている。
The TFT 14 has, for example, an inverted stagger structure, and includes a gate electrode G formed on the substrate 11,
A gate insulating film 15 made of SiN (silicon nitride) or the like covering the gate electrode G; a semiconductor layer 16 made of a-Si (amorphous silicon) formed on the gate insulating film 15; And a source electrode S and a drain electrode D formed thereon.

【0035】また、上記TFT基板11には、各画素電
極13の行間に対応させてゲートラインGLが配線され
るとともに、各画素電極13の列間に対応させてデータ
ラインDLが配線されており、TFT14のゲート電極
GはゲートラインGLにつながり、ドレイン電極Dはデ
ータラインDLにつながっている。なお、ゲートライン
GLはその端子部(図示せず)を除いてTFT14のゲ
ート絶縁膜15で覆われており、データラインDLは前
記ゲート絶縁膜15の上に形成されている。また、画素
電極13は前記ゲート絶縁膜(透明膜)15の上に形成
されており、その一端部においてTFT14のソース電
極Sに接続されている。
The TFT substrate 11 is provided with a gate line GL corresponding to a row between the pixel electrodes 13 and a data line DL corresponding to a column between the pixel electrodes 13. The gate electrode G of the TFT 14 is connected to the gate line GL, and the drain electrode D is connected to the data line DL. The gate line GL is covered with a gate insulating film 15 of the TFT 14 except for a terminal portion (not shown), and the data line DL is formed on the gate insulating film 15. The pixel electrode 13 is formed on the gate insulating film (transparent film) 15 and has one end connected to the source electrode S of the TFT 14.

【0036】一方、図1において上側の基板(以下、対
向基板という)12には、上記TFT基板11の各画素
電極13と対向する透明な対向電極17が形成されてい
る。この対向電極17は、表示領域全体にわたる面積の
1枚電極とされている。
On the other hand, a transparent counter electrode 17 facing each pixel electrode 13 of the TFT substrate 11 is formed on an upper substrate (hereinafter referred to as a counter substrate) 12 in FIG. The counter electrode 17 is a single electrode having an area covering the entire display area.

【0037】また、上記TFT基板11および対向基板
12の電極形成面の上にはそれぞれ配向膜18,19が
設けられている。これら配向膜18,19はいずれもポ
リイミド等の有機高分子化合物からなる水平配向膜であ
り、その膜面にはラビングによる配向処理が施されてい
る。なお、反強誘電性液晶を用いる液晶表示素子では、
液晶層をはさんで対向する一対の基板11,12のうち
少なくとも一方の基板の配向膜に液晶分子の配列方向を
規制する機能をもたせておけば、液晶分子の配列方向を
十分規制できるため、いずれかの基板の配向膜は、水平
配向性だけをもつ非ラビング膜でもよい。
Further, alignment films 18 and 19 are provided on the electrode forming surfaces of the TFT substrate 11 and the counter substrate 12, respectively. Each of these alignment films 18 and 19 is a horizontal alignment film made of an organic polymer compound such as polyimide, and its film surface is subjected to an alignment treatment by rubbing. Incidentally, in a liquid crystal display device using an antiferroelectric liquid crystal,
If the alignment film of at least one of the pair of substrates 11 and 12 facing each other with the liquid crystal layer interposed therebetween has a function of regulating the alignment direction of the liquid crystal molecules, the alignment direction of the liquid crystal molecules can be sufficiently regulated. The alignment film of any of the substrates may be a non-rubbing film having only horizontal alignment.

【0038】上記TFT基板11と対向基板12とは、
その外周縁部において図示しない枠状のシール材を介し
て接着されており、この両基板11,12間の前記シー
ル材で囲まれた領域には、反強誘電性液晶20が封入さ
れている。なお、この反強誘電性液晶20は従来の反強
誘電性液晶表示素子に用いられているものと同じもので
あり、電界に応じて液晶分子の配列状態が前述した第
1,第2,第3の安定状態に変化する。
The TFT substrate 11 and the counter substrate 12 are
The outer peripheral edge is bonded via a frame-shaped sealing material (not shown), and an antiferroelectric liquid crystal 20 is sealed in a region between the substrates 11 and 12 surrounded by the sealing material. . The antiferroelectric liquid crystal 20 is the same as that used in the conventional antiferroelectric liquid crystal display device, and the arrangement state of the liquid crystal molecules according to the electric field is changed to the first, second, and second liquid crystal molecules. 3 changes to a stable state.

【0039】一方、上記両基板11,12の外面にはそ
れぞれ偏光板21,22が積層されている。この両偏光
板21,22は、従来の反強誘電性液晶表示素子と同様
に、その透過軸が互いにほぼ直交するようにクロスニコ
ルに配置されており、さらに一方の偏光板、例えば図1
において下側の入射側偏光板21の透過軸の方向は、第
1の安定状態における液晶分子の配列方向(液晶層全体
での平均的な配列方向)とほぼ平行にしてある。
On the other hand, polarizing plates 21 and 22 are laminated on the outer surfaces of the substrates 11 and 12, respectively. Like the conventional antiferroelectric liquid crystal display device, the two polarizing plates 21 and 22 are arranged in crossed Nicols so that their transmission axes are substantially orthogonal to each other.
In the figure, the direction of the transmission axis of the lower incident-side polarizing plate 21 is substantially parallel to the alignment direction of liquid crystal molecules in the first stable state (average alignment direction in the entire liquid crystal layer).

【0040】図3は上記反強誘電性液晶表示素子の等価
回路図であり、画素電極13と対向電極17およびその
間の液晶20とで形成される画素はコンデンサと等価で
あるため、この画素は容量(以下、画素容量という)C
LCで表わされる。また、CSはTFT14がもっている
浮遊容量CS であり、この浮遊容量CS は、画素容量C
LCに対して並列に接続されている。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the antiferroelectric liquid crystal display element. A pixel formed by the pixel electrode 13, the counter electrode 17, and the liquid crystal 20 between them is equivalent to a capacitor. Capacity (hereinafter referred to as pixel capacity) C
Expressed in LC. CS is the stray capacitance CS of the TFT 14, and this stray capacitance CS is the pixel capacitance Cs.
Connected in parallel to LC.

【0041】上記反強誘電性液晶表示素子は、各ゲート
ラインGLに順次ゲート信号を印加し、これに同期させ
て各データラインDLに画像データ信号を印加すること
によって表示駆動される。
The anti-ferroelectric liquid crystal display device is driven for display by sequentially applying a gate signal to each gate line GL and applying an image data signal to each data line DL in synchronization with the gate signal.

【0042】図4は1つの画素のTFT14にゲートラ
インGLおよびデータラインDLから印加されるゲート
信号およびデータ信号の波形と、画素の電極間電圧の波
形と、画素の光透過率の変化とを示している。図におい
てTS は前記画素の選択期間であり、この選択期間TS
は、1画面を表示する1フレームTF を画素の行数(走
査電極数)で等分割した期間である。
FIG. 4 shows the waveforms of the gate signal and the data signal applied to the TFT 14 of one pixel from the gate line GL and the data line DL, the waveform of the voltage between the electrodes of the pixel, and the change of the light transmittance of the pixel. Is shown. In the figure, TS is a selection period of the pixel, and this selection period TS
Is a period in which one frame TF for displaying one screen is equally divided by the number of rows of pixels (the number of scanning electrodes).

【0043】上記反強誘電性液晶表示素子の表示動作を
説明すると、選択期間TS にTFT14のゲート電極G
にゲート信号−VG が印加されると、TFT14がON
し、データラインDLからTFT14を介して画素に供
給されるデータ信号VD に応じた電荷が、画素(画素容
量CLCおよび浮遊容量CS )に充電される。この場合、
画素への充電は急速に行なわれ、画素の電極間(画素電
極13と対向電極17との間の電圧)が、ゲート信号−
VG とデータ信号VD との電位差に相当する電圧にな
る。
The display operation of the antiferroelectric liquid crystal display device will be described. The gate electrode G of the TFT 14 during the selection period TS is described.
When the gate signal -VG is applied to the TFT, the TFT 14 is turned ON.
Then, a charge corresponding to the data signal VD supplied from the data line DL to the pixel via the TFT 14 is charged in the pixel (pixel capacitance CLC and floating capacitance CS). in this case,
The pixel is rapidly charged, and the voltage between the electrodes of the pixel (the voltage between the pixel electrode 13 and the counter electrode 17) is reduced by the gate signal-.
It becomes a voltage corresponding to the potential difference between VG and the data signal VD.

【0044】また、選択期間TS が経過し非選択期間に
なると、TFT14のゲート電極Gに対するゲート信号
の印加が断たれてTFT14がOFFする。そして、非
選択期間には、画素(画素容量CLCおよび浮遊容量CS
)に蓄積された電荷が放電されるが、この非選択期間
はTFT14がOFFしており、画素とデータラインD
Lとの間が電気的に遮断されているから、非選択期間に
おける画素からの放電は徐々にしか行なわれず、したが
って、非選択期間中も画素に十分な電荷を保持させてお
くことができる。
When the selection period Ts has elapsed and the non-selection period has come, the application of the gate signal to the gate electrode G of the TFT 14 is cut off and the TFT 14 is turned off. In the non-selection period, the pixels (pixel capacitance CLC and floating capacitance CS)
)), The TFT 14 is turned off during this non-selection period, and the pixel and the data line D
Since the connection to L is electrically cut off, the discharge from the pixel during the non-selection period is performed only gradually, so that the pixel can hold a sufficient charge even during the non-selection period.

【0045】そして、反強誘電性液晶の分子は、画素の
保持電荷に応じた電界によっていずれかの安定状態に配
列するため、非選択期間中も画素に十分な電荷が保持さ
れていれば、液晶分子配列状態の切替えを選択期間内に
完了させなくても、非選択期間中に液晶分子配列状態の
切替えることができる。
Since the molecules of the antiferroelectric liquid crystal are arranged in one of the stable states by an electric field corresponding to the charge held in the pixel, if sufficient charge is held in the pixel even during the non-selection period, Even if the switching of the liquid crystal molecule alignment state is not completed within the selection period, the liquid crystal molecule alignment state can be switched during the non-selection period.

【0046】したがって、上記反強誘電性液晶表示素子
によれば、反強誘電性液晶の応答時間が長くても、それ
に合わせて選択期間を長くとる必要はないから、各列の
画素の選択期間を短くしてフレーム周波数を高くするこ
とができるし、また、液晶分子の配列状態をその安定状
態まで確実に変化させて、高コントラストの表示を行な
わせることができる。なお、上記実施例では、TFT
(薄膜トランジスタ)を能動素子としているが、上記能
動素子は例えば薄膜ダイオード等であってもよい。
Therefore, according to the antiferroelectric liquid crystal display element, even if the response time of the antiferroelectric liquid crystal is long, it is not necessary to take a long selection period in accordance with the response time. Can be increased to increase the frame frequency, and the arrangement state of the liquid crystal molecules can be reliably changed to its stable state to perform a high-contrast display. In the above embodiment, the TFT
Although the (thin film transistor) is an active element, the active element may be, for example, a thin film diode.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明は、反強誘電性液晶の層をはさん
で対向する一対の透明基板の一方に、縦横に配列された
複数の画素電極と、これらの画素電極にそれぞれ接続さ
れた半導体能動素子と、この能動素子に駆動信号を供給
する信号線と、前記画素電極および前記能動素子を直接
覆い、表面が平坦化された配向膜とを設け、他方の基板
に、前記画素電極と対向する対向電極を設けて、反強誘
電性液晶表示素子をアクティブマトリックス化したもの
であるから、反強誘電性液晶の層厚が均一になり、配向
不良の発生を防止することができる。また、この発明に
よれば、反強誘電性液晶を用いたものでありながら、各
列の画素の選択期間を短くしてフレーム周波数を高く
し、しかも液晶分子の配列状態をその安定状態まで確実
に変化させて高コントラストの表示を行なわせることが
できる。
According to the present invention, a plurality of pixel electrodes arranged vertically and horizontally are connected to one of a pair of transparent substrates opposed to each other with a layer of antiferroelectric liquid crystal therebetween, and these pixel electrodes are respectively connected to the transparent electrodes. A semiconductor active element, a signal line for supplying a drive signal to the active element, and a direct connection between the pixel electrode and the active element.
An anti-ferroelectric liquid crystal display element is formed into an active matrix by providing an orientation film that covers and has a planarized surface, and a counter electrode facing the pixel electrode on the other substrate. The layer thickness of the dielectric liquid crystal becomes uniform, and the occurrence of alignment failure can be prevented. Further, according to the present invention, while using an antiferroelectric liquid crystal, the frame period is increased by shortening the selection period of the pixels in each column, and the alignment state of the liquid crystal molecules is ensured to its stable state. And a high-contrast display can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す反強誘電性液晶表示素
子の一部分の断面図。
FIG. 1 is a sectional view of a part of an antiferroelectric liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同じく画素電極と能動素子を形成した基板の一
部分の平面図。
FIG. 2 is a plan view of a part of the substrate on which pixel electrodes and active elements are formed.

【図3】上記反強誘電性液晶表示素子の等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the antiferroelectric liquid crystal display device.

【図4】1つの画素の能動素子(TFT)に印加される
ゲート信号およびデータ信号の波形と、画素の電極間電
圧の波形と、画素の光透過率の変化とを示す図。
FIG. 4 is a diagram showing waveforms of a gate signal and a data signal applied to an active element (TFT) of one pixel, a waveform of a voltage between electrodes of the pixel, and a change in light transmittance of the pixel.

【図5】従来の反強誘電性液晶表示素子の一部分の断面
図。
FIG. 5 is a sectional view of a part of a conventional antiferroelectric liquid crystal display device.

【図6】同じく一方の基板の一部分の平面図。FIG. 6 is a plan view of a part of one of the substrates.

【図7】従来の反強誘電性液晶表示素子の等価回路図。FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a conventional antiferroelectric liquid crystal display device.

【図8】反強誘電性液晶表示素子における電極間への印
加電圧と光の透過率との典型的な関係を示す図。
FIG. 8 is a diagram showing a typical relationship between a voltage applied between electrodes and light transmittance in an antiferroelectric liquid crystal display device.

【図9】従来の反強誘電性液晶表示素子の1つの画素の
電極間に印加される駆動電圧の波形と画素の光透過率と
の関係を示す図。
FIG. 9 is a view showing a relationship between a waveform of a driving voltage applied between electrodes of one pixel of a conventional antiferroelectric liquid crystal display element and light transmittance of the pixel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,12…基板、13…画素電極、14…TFT(能
動素子)、GL…ゲートライン、G…ゲート電極、15
…ゲート絶縁膜、16…半導体層、S…ソース電極、D
…ドレイン電極、DL…データライン、17…対向電
極、18,19…配向膜、20…反強誘電性液晶、2
1,22…偏光板。
11, 12: substrate, 13: pixel electrode, 14: TFT (active element), GL: gate line, G: gate electrode, 15
... gate insulating film, 16 ... semiconductor layer, S ... source electrode, D
... Drain electrode, DL ... Data line, 17 ... Counter electrode, 18, 19 ... Alignment film, 20 ... Anti-ferroelectric liquid crystal, 2
1,22 ... Polarizing plate.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/141 G02F 1/1337 G02F 1/136 G02F 1/133 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G02F 1/141 G02F 1/1337 G02F 1/136 G02F 1/133

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】反強誘電性液晶を用いた液晶表示素子にお
いて、前記反強誘電性液晶の層をはさんで対向する一対
の透明基板の一方に、縦横に配列された複数の画素電極
と、これらの画素電極にそれぞれ接続された半導体能動
素子と、この能動素子に駆動信号を供給する信号線と、
前記画素電極および前記能動素子を直接覆い、表面が平
坦化された配向膜とを設け、他方の基板に、前記画素電
極と対向する対向電極を設けたことを特徴とする反強誘
電性液晶表示素子。
In a liquid crystal display device using an antiferroelectric liquid crystal, a plurality of pixel electrodes arranged vertically and horizontally are formed on one of a pair of transparent substrates facing each other with the antiferroelectric liquid crystal layer interposed therebetween. A semiconductor active element connected to each of the pixel electrodes, a signal line for supplying a drive signal to the active element,
An antiferroelectric liquid crystal display, comprising: an alignment film that directly covers the pixel electrode and the active element and has a planarized surface; and a counter electrode facing the pixel electrode is provided on the other substrate. element.
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