JP2938481B2 - ＳｉＣリングヒーター - Google Patents
ＳｉＣリングヒーターInfo
- Publication number
- JP2938481B2 JP2938481B2 JP31659389A JP31659389A JP2938481B2 JP 2938481 B2 JP2938481 B2 JP 2938481B2 JP 31659389 A JP31659389 A JP 31659389A JP 31659389 A JP31659389 A JP 31659389A JP 2938481 B2 JP2938481 B2 JP 2938481B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- heater
- heat generating
- generating portion
- ring heater
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、ガラスの線引き加熱用、アルミ溶解用、
ノズル保温用などに用いるSiCリングヒーターに関す
る。
ノズル保温用などに用いるSiCリングヒーターに関す
る。
従来の技術 ガラス棒を線引き加熱して細くしたり、あるいは金属
電線を線引き加熱して細くすることが行われている。
電線を線引き加熱して細くすることが行われている。
従来、この線引き加熱は次のような形状のヒーターを
用いて行っていた。
用いて行っていた。
金属ヒーターをリング状に巻いて、このヒーターの
中にガラス棒などを通して線引き加熱する。このヒータ
ーはニクロム線やカンタル線である。
中にガラス棒などを通して線引き加熱する。このヒータ
ーはニクロム線やカンタル線である。
第14図に示すようなヒーター100はそのSiCオーム型
発熱体110がΩ形に形成されている。一方と他方のSiCオ
ーム型発熱体110を向い合せて、これらSiC発熱体110の
間にガラス棒を通して線引き加熱する。
発熱体110がΩ形に形成されている。一方と他方のSiCオ
ーム型発熱体110を向い合せて、これらSiC発熱体110の
間にガラス棒を通して線引き加熱する。
第15図に示すようなヒーター150では、１つの発熱
体170をループ状に曲げて、その中にガラス棒を通して
線引き加熱する。
体170をループ状に曲げて、その中にガラス棒を通して
線引き加熱する。
発明が解決しようとする課題 前述のの形式では、金属ヒーターが高温で使用でき
ず、酸化しやすい。しかも金属ヒーターの電気容量が少
ないため電流をたくさん流そうとすると、負荷がかかり
切れやすくなる。
ず、酸化しやすい。しかも金属ヒーターの電気容量が少
ないため電流をたくさん流そうとすると、負荷がかかり
切れやすくなる。
前述のの、第14図のいわゆる両側端子型のヒーター
100では、SiCオーム型発熱体110のわん曲した部分の頂
部120と、端子部130に接続された付け根部分140との間
に温度差がある。このため、加熱対象であるガラスや電
線に温度むらが生じ、製品品質に影響を与えていた。つ
まり端子部130に近い付け根部分140は温度が低いため均
熱にならない。
100では、SiCオーム型発熱体110のわん曲した部分の頂
部120と、端子部130に接続された付け根部分140との間
に温度差がある。このため、加熱対象であるガラスや電
線に温度むらが生じ、製品品質に影響を与えていた。つ
まり端子部130に近い付け根部分140は温度が低いため均
熱にならない。
前述のの、第15図のいわゆる片側端子型のヒーター
150では、両端子部160間の距離が近くスパークする危険
性がある。たとえば上方から端子部160の間に物がおち
てくると、それだけでスパークしてしまう。
150では、両端子部160間の距離が近くスパークする危険
性がある。たとえば上方から端子部160の間に物がおち
てくると、それだけでスパークしてしまう。
この発明は、均熱性に優れ、高温加熱が可能でスパー
クをおこさないSiCリングヒーターを提供することを目
的とする。
クをおこさないSiCリングヒーターを提供することを目
的とする。
課題を解決するための手段 この発明は前掲の特許請求の範囲に記載のSiCリング
ヒーターを要旨としている。
ヒーターを要旨としている。
実施例１ 第１図と第２図を参照する。
SiCリングヒーター１は、反応焼結SiCにより一体に構
成されている。SiCリングヒーター１は、リング状の発
熱部２と端子部3,4を有している。発熱部２と端子部3,4
の間にはくびれ部分5,6がそれぞれ設けられている。
成されている。SiCリングヒーター１は、リング状の発
熱部２と端子部3,4を有している。発熱部２と端子部3,4
の間にはくびれ部分5,6がそれぞれ設けられている。
このSiCリングヒーター１は、SiC粉末とバインダを混
合造粒し、CIPにより成形を行った。出来上った成形体
は1000℃にて仮焼成した後、加工機により所定の寸法に
加工した。加工体は、SiCを含浸させる反応焼結を行っ
た後、研摩などの仕上げ処理を施し、SiCリングヒータ
ー１を得た。
合造粒し、CIPにより成形を行った。出来上った成形体
は1000℃にて仮焼成した後、加工機により所定の寸法に
加工した。加工体は、SiCを含浸させる反応焼結を行っ
た後、研摩などの仕上げ処理を施し、SiCリングヒータ
ー１を得た。
端子部3,4には穴7,8が形成されている。この穴7,8に
はそれぞれボルト９が通されて、ターミナル部10に端子
部3,4が固定されるようになっている。
はそれぞれボルト９が通されて、ターミナル部10に端子
部3,4が固定されるようになっている。
第３図から明らかなように、発熱部２の厚みt1は、端
子部3,4の厚みt2より薄くなっている。しかも第３図と
第４図に示すように発熱部２の下面と端子部3,4の下面
は平坦面である。
子部3,4の厚みt2より薄くなっている。しかも第３図と
第４図に示すように発熱部２の下面と端子部3,4の下面
は平坦面である。
第２図において、発熱部２の中心温度をたとえば800
℃に保持して、第１図に示すようにガラス棒11を発熱部
２の開口部12の中心Ｐに合せて通して線引き加熱してガ
ラス棒11を細くする場合を例に説明する。この場合、発
熱部２のＡ〜Ｈ部における温度分布は、発熱部２の中心
を800℃に保持したとき、発熱部２の温度差で約20℃以
内であった。
℃に保持して、第１図に示すようにガラス棒11を発熱部
２の開口部12の中心Ｐに合せて通して線引き加熱してガ
ラス棒11を細くする場合を例に説明する。この場合、発
熱部２のＡ〜Ｈ部における温度分布は、発熱部２の中心
を800℃に保持したとき、発熱部２の温度差で約20℃以
内であった。
温度の低くなりがちなＡ部とＥ部のところは、くびれ
部分5,6になっている。くびれ部分５、６の断面積が他
の部分に比べて小さく設定してあるので、温度が大幅に
下がるようなことがなくなる。
部分5,6になっている。くびれ部分５、６の断面積が他
の部分に比べて小さく設定してあるので、温度が大幅に
下がるようなことがなくなる。
一方、第14図に示す従来例の両側端子型のヒーター10
0では、発熱体110の中心を800℃に保持したときの温度
差が185℃であり、また、第15図に示す従来例の片側端
子型のヒーター150では、発熱体170の中心を同じ800℃
の温度に保持したときの温度差が最大215℃であった。
0では、発熱体110の中心を800℃に保持したときの温度
差が185℃であり、また、第15図に示す従来例の片側端
子型のヒーター150では、発熱体170の中心を同じ800℃
の温度に保持したときの温度差が最大215℃であった。
実施例２ 第５図〜第７図を参照する。
SiCリングヒーター201は、反応焼結SiCにより一体に
構成されている。SiCリングヒーター201は、リング状の
発熱部202と端子部203,204を有している。発熱部202と
端子部203,204の間には、くびれ部分205,206がそれぞれ
設けられている。
構成されている。SiCリングヒーター201は、リング状の
発熱部202と端子部203,204を有している。発熱部202と
端子部203,204の間には、くびれ部分205,206がそれぞれ
設けられている。
端子部203,204には穴207,208が形成されている。
第６図から明らかなように、発熱部202の厚みt3より
も、端子部203,204の厚みt4が大幅に厚くなっている。
も、端子部203,204の厚みt4が大幅に厚くなっている。
実施例３ 第８図〜第10図を参照する。
SiCリングヒーター301は、反応焼結SiCにより一体に
構成されている。SiCリングヒーター301は、リング状の
発熱部302と端子部303,304を有している。
構成されている。SiCリングヒーター301は、リング状の
発熱部302と端子部303,304を有している。
端子部303,304には穴307,308が形成されている。
第８図と第９図から明らかなように、発熱部302は、
端子部303,304に対して90゜ずらした状態になってい
る。
端子部303,304に対して90゜ずらした状態になってい
る。
実施例４ 第11図〜第13図を参照する。
SiCリングヒーター401は、反応焼結SiCにより一体に
構成されている。SiCリングヒーター401は、リング状の
発熱部402と端子部403,404を有している。発熱部402と
端子部403,404の間には、くびれ部分405,406がそれぞれ
設けられている。
構成されている。SiCリングヒーター401は、リング状の
発熱部402と端子部403,404を有している。発熱部402と
端子部403,404の間には、くびれ部分405,406がそれぞれ
設けられている。
端子部403,404には穴407,408が形成されている。
第12図から明らかなように、発熱部402の厚みと、端
子部403,404の厚みが同じになっている。
子部403,404の厚みが同じになっている。
ところで、この発明は上述の実施例に限定されない。
たとえば、この発明のSiCリングヒーターは、再結晶質S
iCで構成してもよい。反応焼結SiCにするか再結晶質SiC
にするかは、SiCリングヒーターの使用温度で区別され
る。
たとえば、この発明のSiCリングヒーターは、再結晶質S
iCで構成してもよい。反応焼結SiCにするか再結晶質SiC
にするかは、SiCリングヒーターの使用温度で区別され
る。
反応焼結SiCの場合は、使用温度が1000℃位でせいぜ
い高くても1200℃である。これに対し、再結晶質SiCの
場合は1500℃位まで使用できる。
い高くても1200℃である。これに対し、再結晶質SiCの
場合は1500℃位まで使用できる。
反応焼結SiCは、高温で使用すると、Siがふきでるこ
とがあるが、低温での使用では、Siが気孔中にはいりこ
んでいるので、再結晶質SiCのものよりも長く使用でき
るという利点がある。
とがあるが、低温での使用では、Siが気孔中にはいりこ
んでいるので、再結晶質SiCのものよりも長く使用でき
るという利点がある。
SiCリングヒーターを所定の形に加工する際には、た
とえばNC制御加工機械によって高い寸法精度で加工する
のが望ましい。なぜなら寸法精度が悪いと、発熱ムラが
生じることになるからである。
とえばNC制御加工機械によって高い寸法精度で加工する
のが望ましい。なぜなら寸法精度が悪いと、発熱ムラが
生じることになるからである。
発明の効果 この発明によれば、発熱ムラあるいは温度ムラを極力
小さくでき、リング状の発熱部の中心に被加熱物を通す
ことにより、発熱部からの距離が一定になり、加熱する
際に均一な加熱ができ、被加熱物の加熱加工精度を向上
できる。また、各端子部は発熱部の両側に、それをはさ
んだ形で離れて設けられており、スパークのおそれがな
い。
小さくでき、リング状の発熱部の中心に被加熱物を通す
ことにより、発熱部からの距離が一定になり、加熱する
際に均一な加熱ができ、被加熱物の加熱加工精度を向上
できる。また、各端子部は発熱部の両側に、それをはさ
んだ形で離れて設けられており、スパークのおそれがな
い。
第１図は、本発明のSiCリングヒーターの実施例１を示
す斜視図、第２図は実施例１の平面図、第３図は実施例
１の正面図、第４図は実施例１の側面図、第５図は本発
明のSiCリングヒーターの実施例２の平面図、第６図は
実施例２の正面図、第７図は実施例２の側面図、第８図
は本発明のSiCリングヒーターの実施例３の平面図、第
９図は実施例３の正面図、第10図は実施例３の側面図、
第11図は、本発明のSiCリングヒーターの実施例４の平
面図、第12図は実施例４の正面図、第13図は実施例４の
側面図、第14図と第15図は従来のヒーターを示す図であ
る。 １……リングヒーター ２……発熱部 3,4……端子部 5,6……くびれ部分 7,8……穴
す斜視図、第２図は実施例１の平面図、第３図は実施例
１の正面図、第４図は実施例１の側面図、第５図は本発
明のSiCリングヒーターの実施例２の平面図、第６図は
実施例２の正面図、第７図は実施例２の側面図、第８図
は本発明のSiCリングヒーターの実施例３の平面図、第
９図は実施例３の正面図、第10図は実施例３の側面図、
第11図は、本発明のSiCリングヒーターの実施例４の平
面図、第12図は実施例４の正面図、第13図は実施例４の
側面図、第14図と第15図は従来のヒーターを示す図であ
る。 １……リングヒーター ２……発熱部 3,4……端子部 5,6……くびれ部分 7,8……穴
Claims (1)
- 【請求項１】端子部と発熱部が反応焼結SiCあるいは再
結晶質SiCの同じ材質で一体に構成されており、前記発
熱部の両側に前記端子部が形成されており、前記発熱部
がリング状になっており、かつ、前記端子部と前記発熱
部の間に前記端子部より断面積が小さくなっているくび
れ部分を有することを特徴とするSiCリングヒーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31659389A JP2938481B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | ＳｉＣリングヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31659389A JP2938481B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | ＳｉＣリングヒーター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03179686A JPH03179686A (ja) | 1991-08-05 |
| JP2938481B2 true JP2938481B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=18078810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31659389A Expired - Fee Related JP2938481B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | ＳｉＣリングヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2938481B2 (ja) |
-
1989
- 1989-12-07 JP JP31659389A patent/JP2938481B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03179686A (ja) | 1991-08-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |