JP2930705B2 - 合成樹脂原料チップの結晶化方法 - Google Patents

合成樹脂原料チップの結晶化方法

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【発明の詳細な説明】 a. 産業上の利用分野 本発明は結晶性合成樹脂原料チップの結晶化方法に関
する。
b. 従来の技術 各産業分野で用いられる合成樹脂の各種フィルム,繊
維(糸)は、予め製造した合成樹脂の原料チップを用
い、これを溶融することによってフィルムや繊維を製造
している。
この原料チップには、次のようなものがある。すなわ
ち、原料が重合化され、厚さ1〜2mm程度のシート状に
成形された後、このシートを3〜4mm角の大きさにカッ
トしてなる結晶性合成樹脂原料チップ(通常シートカッ
トという)、あるいは直径3mm程度の円柱状に成形され
た後、4〜5mm程度の長さにカットされた原料チップ
(通常ストランドカットという)などである。
このうち、特にポリエステル系樹脂の原料チップは、
通常0.5%程度の水分を含有している。この原料チップ
を溶融して各種フィルム、あるいは繊維(糸)に加工す
るのであるが、原料チップに水分が多く含まれていると
溶融時に加水分解を起こし、所望のフィルム、あるいは
糸に加工することができない。
そこで原料チップの含有水分を100ppm好ましくは50pp
m以下に乾燥する必要がある。そのためには原料チップ
の温度を180℃程度に加熱する必要があるが、特にポリ
エステル系樹脂チップは、この温度に達する過程、すな
わち100〜130℃の温度範囲に達すると、樹脂の結晶化現
象が始まり、その結果、表面が粘着性を帯び、表面が溶
けた状態となり、樹脂チップ同志が融着し、ブロックを
生成したり、乾燥装置のケーシング等に融着してしま
う。
そこで、樹脂の結晶化によるこの現象を防止するため
に、原料チップを180℃程度に加熱する前に、あらかじ
め100℃前後の温度に加熱してその表面を結晶化させて
おき、その後高温で加熱してもその表面が、粘着性を帯
びないようにした乾燥方法が実施されている。なお、樹
脂の種類によっては結晶化温度が異なるので、必ずしも
100℃前後とは限らない。この方法の代表的なものに
は、流動層乾燥装置を使用する方法や、伝導伝熱型の溝
型撹拌乾燥機を使用する方法とがある。
前記流動層乾燥装置を使用する方法は、約15〜30分
間、80〜100℃の熱風で原料チップを流動化させつつ加
熱して(回分処理)、該原料チップの表面を結晶化させ
る方法である(特公昭43−1499号参照)。
一方、前記伝導伝熱型の溝型撹拌乾燥機を使用する方
法は、120℃前後の熱交換媒体(例えば、スチーム・熱
媒油)を中空回転体およびジャケット部に供給し、原料
チップ層を強制的に撹拌しながら該原料チップの表面を
結晶性させる方法である。
c. 発明が解決しようとする課題 前記流動層乾燥装置を使用する方法では、空搭速度が
速すぎると原料チップがサイクロン等の捕集器へ輸送さ
れてしまい、また遅すぎると流動層内で原料チップ同志
の融着によりブロック化を起こして流動化が停止してし
まうため、この方法で安定な流動層を形成するために
は、かなりのノウハウを必要とした。
また、前記伝導伝熱型の溝型撹拌乾燥機を使用する方
法においては、原料チップを強制的に撹拌するとはいう
ものの、原料チップの動きが鈍いところ、例えば隣合う
中空回転体の間や、原料チップ層の温度を測定するため
にケーシングの側面から挿入した側温体の下部等に、原
料チップのブロックが生じたり、ケーシング等に融着し
てしまう場合があった。
また、中空回転体の回転に伴って、原料チップは乾燥
した状態で撹拌されるので、原料チップ同志の摩擦、乾
燥機内各部との摩擦によって微粉が発生するため、これ
も問題点の一つであった。
このように、どちらの結晶化法においても、原料チッ
プ同志のブロック化およびケーシング等への融着、およ
びそれに伴う原料チップの品質劣化が問題となる。さら
に流動層乾燥装置を使用する方法では、原料チップ同志
のブロック化による流動化の停止、また溝型撹拌乾燥機
を使用する方法では、原料チップ同志のブロック化によ
り撹拌動力が上昇し、モーターの許容動力がオーバー
(オーバーロード)してしまうと問題も生じる。
本願発明は、以上の問題点に鑑みてなされたもので、
原料チップ同志の融着によるブロック化、ケーシング等
への融着、およびこれらによってもたらされる原料チッ
プの品質劣化を防止しながら、合成樹脂原料チップを効
率よく結晶化させる方法を提供することを目的とする。
d. 課題を解決するための手段 前記目的を達成するため、本発明は、伝導伝熱型の溝
型撹拌乾燥機の熱交換用ジャケットと中空回転体の内部
に100〜180℃の熱交換媒体を供給して加熱し、結晶性合
成樹脂原料チップの表面に水膜を形成し、上記乾燥機内
で、上記結晶性合成樹脂原料チップを上記中空回転体の
回転によって撹拌し、上記熱交換用ジャケットと中空回
転体からの熱を上記水膜を介して原料チップに伝達する
ことにより、該原料チップを加熱して結晶化させること
で前記課題を解消した。
e. 作用 上記のように構成された合成樹脂原料チップの結晶化
方法は、中空回転体およびジャケットに100〜180℃の熱
交換媒体が供給された伝導伝熱型の溝型撹拌乾燥機のケ
ーシング内で表面に水膜を形成した結晶性合成樹脂原料
チップを撹拌し、前記熱交換媒体からの伝導伝熱によっ
てこの原料チップを加熱・結晶化させる方法であるの
で、該原料チップ同志の融着によるブロック化、ケーシ
ング等への融着、およびそれらによってもたらされる原
料チップの品質劣化を防止しながら結晶化することがで
きるようになった。また、水膜を介して加熱されるの
で、かなり高温の熱交換媒体を用いても原料チップの温
度を100℃(水の沸点)以下に抑えながら結晶化できる
ようになったので、短時間で効率良い結晶化を行えるよ
うになった。
f. 実施例 以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら
詳細に説明する。
第1図は本発明の方法を実施するために使用する伝導
伝熱型の溝型撹拌乾燥機の一例である。
ケーシング1は比較的横に長い容器であって支持台2,
2′によってやや傾斜して設けてあり、図の左側の高い
方が前部,右側の低い方が後部となる。ケーシングの横
断面は第2図に示すように二つの円弧によって画かれた
椀型であって、中央底部にはこの円弧によって形成され
る凸状の隆起体3が容器の長手方向に走っている。そし
てケーシング1の底面および側面の全面にわたって熱交
換用のジャケット4が設けてある。5,5′はそれぞれ熱
交換媒体の入口および出口である。ケーシング1の後部
底には原料の排出口6が、上面にはカバー7が設けてあ
る。カバー7には原料投入口8、搬送ガス送入口9、同
排出口10が設けられている。
ケーシング1の内部には、2本の中空軸11,11′が並
列に貫通し、ケーシング1の前部に設けた軸受12,12′
および後部に設けた軸受13,13′によって回転するよう
に軸支されている。そして各軸の前部にはギヤー14,1
4′を設けて、互いに噛み合わせ、互いに逆方向に回転
するようにしてあり、中空軸11にはスプロケット15を設
けて、チェーン(図示省略)を噛合し、原動機に連結し
てある。そして各軸の前端は、ロータリージョイント1
6,16′を介して熱交換媒体供給管17,17′に、また後端
は、ロータリージョイント18,18′を介して熱交換媒体
排出管19,19′に連結されている。
各中空軸には、多数の熱交換器を一定の間隔をもって
配置してある。この熱交換器は、例えば楔型の中空回転
体20である。この回転体20は2枚の扇型板材を相対して
配置し、一端は互いに相接し、他端は間隔を於いて設
け、その周囲を板材で囲んで間に楔状の空間部が形成さ
れるようにしてある(第1図符号20参照)。すなわち回
転方向(第2図矢印参照)の先端となる前端部21は線状
に、同じく後端となる後端部22は面状となっており、後
端部22には原料チップ層をかき上げるためのかき上げ板
23を取り付けてある。そしてこの回転体20は、前端部21
が原料チップ層をかき分けて回転するように矢印の方向
に回転する。
各中空軸には軸方向に内部を真二つに仕切る仕切板24
を設け、軸内部を一次室25と二次室26とに分割してあ
る。また、各軸には一次室25と中空回転体20の内部とを
連結する連通孔27、および二次室26と中空回転体20の内
部とを連通する連通孔28をそれぞれ設けてある。
カバー7には原料チップ層上面29に該原料チップ同士
の融着によるブロック化、およびケーシングへの融着を
防止するための水またはスチームを供給するための手
段、例えばスプレーノズル30を配置し、該スプレーノズ
ル30を挿入するために孔31を設けてある。スプレーノズ
ル30から噴霧された水またはスチームが原料チップ層の
上面29を完全に覆うことが望ましい。したがって、スプ
レーノズル30はその噴射角度および溝型撹拌乾燥機の大
きさにもよるが、軸に平行に1列あるいは2列以上、等
間隔に配置する。なお、噴霧した水またはスチーム、お
よび原料チップが当初から持っている付着水を乾燥する
ためのゾーンとして、排出口側から1/4〜1/5の長さ範囲
にはスプレーノズルは配置しない。スプレーノズル30
は、噴霧面積の広いフルコーンタイプが望ましい。スプ
レーノズル30には給水管32が連設されている。
また原料チップが結晶化されるとき、常にその表面に
水膜が形成されてさえいればよく、したがって水または
スチームは連続的にまたは間欠的に供給する。また、上
記理由により必ずしもスプレーノズルを用いる必要はな
い。
次に、この装置を用いて、結晶性合成樹脂原料チップ
を結晶化する場合を説明する。まず、二つの中空軸11,1
1′を原動機によりスプロケット15を介して一定の回転
数で回転させる。次に熱交換媒体入口5からジャケット
4に所定の温度に加熱した熱交換媒体を供給し、ジャケ
ット4を一定の温度に加熱すると同時に熱交換媒体供給
管17,17′,ロータリージョイント16,16′を介して中空
軸11,11′にも熱交換媒体を供給する。熱交換媒体がス
チームの場合、ジャケット4に供給されたスチームは、
ジャケット4を加熱した後、凝縮液となって熱交換媒体
出口5′から排出される。他方、中空軸11,11′に供給
されたスチームは、一次室25から連通孔27を介して中空
回転体20に入り、該中空回転体20を一定の温度に加熱し
た後、凝縮液は軸の回転に伴って連通孔28を経て二次室
26に入り、ロータリージョイント18,18′、熱交換媒体
排出管19,19′を通して排出される。
次に、一定流量の水またはスチームをスプレーノズル
30からケーシング1内に供給する。
ジャケット4、中空回転体20の温度が一定になった
後、結晶性合成樹脂原料チップを原料投入口8よりケー
シング1内に連続的に定量供給する。ケーシング1内に
供給された原料チップは、原料チップ投入口8の下部に
おける充填された原料チップによる圧力と、ケーシング
1の傾斜によって次第にケーシング内を流下し、中空回
転体20の間隙を通って排出口側へと移動し、排出され
る。
この過程において、原料チップは、中空回転体20の回
転に伴って撹拌されるので、原料チップ層の上面のみな
らず層内部の個々の原料チップの表面にも、スプレーノ
ズル30から噴霧された水またはスチームによる水膜を形
成する。そして、原料チップは前記水膜を介して、中空
回転体20、ジャケット4内の熱交換媒体の伝導伝熱によ
り加熱され、次第に結晶化されていく。蒸発した水は搬
送ガス送入口9および場合によっては原料投入口8から
供給された搬送ガスに伴って同排出口10から排出され
る。
さらに100〜数10ppm程度まで原料チップを乾燥するた
めには、上記溝型撹拌乾燥機の後段に、例えば180℃程
度のスチームあるいは熱媒油を熱交換媒体とした前記溝
型撹拌乾燥機と同様の乾燥機を連設し、上記原料チップ
を乾燥する。
次に、前記装置を用いてポリエステルチップの結晶化
処理をおこなった具体例について説明する。
ケーシング内有効容積77、ジャケットの伝熱面積0.
87m2、中空回転体の伝熱面積1.83m2の溝型撹拌乾燥機を
用い、表1に示す条件で、夫々、本発明の処理よるT−
1〜T−8および比較例について実施した。
原料チップ供給量に対する水またはスチームの供給量
の比は、原料チップの滞留時間、軸の回転数、溝型撹拌
乾燥機の伝熱面積にもよるが、水の場合はほぼ0.2〜2.5
[kg−water/kg−chip]、スチームの場合はほぼ0.05〜
0.25[kg−steam/kg−chip]の範囲が適当であると考え
られる。ただし、水またはスチームの供給量は、その後
の乾燥のことを考えると、少ないことが好ましい。ま
た、原料チップは水膜を介して加熱され、該原料チップ
はその温度を100℃以下に抑えた状態で結晶化されるの
で、かなり高温の熱交換媒体を用いることができる。従
って、使用可能な熱交換媒体の温度範囲は100〜180℃と
かなり広い。
スチームと水とを比較すると、スチームはそれ自身の
顕熱で原料チップを昇温することができるので、水の場
合より熱交換媒体の量が少なくてすむ。
表1の結晶化度(目視)の項においては、排出品の中
から任意に100個のチップを取り出して、その表面に未
結晶部分を有するチップが3個以内の場合を「優」、10
個以内の場合を「良」とした。
前記表1のテスト条件で5〜12時間連続運転を行った
が、どのテストにおいても、溝型撹拌乾燥機のケーシン
グ内面および中空軸、中空回転体の表面にも、ポリエス
テルチップの融着は見られなかった。
一方、T−5と同一条件でスチームをスプレーしなか
った比較例においては、原料チップ同士の融着、および
ケーシング等への融着がみられた。
本発明の前記方法は、溝型撹拌乾燥機において、その
ケーシング1内に導入したスプレーノズル30によって水
またはスチームを原料チップに噴霧するようにしたもの
であるが、同乾燥機の原料投入口8から投入する原料チ
ップに対し、原料投入口8の直前において水またはスチ
ームを噴霧しておくこともできる。この場合は、前記実
施例とは異なり、前記乾燥機とは別途に、原料に対する
必要な噴霧手段を設ける必要がある。この場合は、当然
前記スプレーノズル30の前記乾燥機内への装着は不要と
なる。
g. 発明の効果 本発明に係る方法によって以下のような効果がえられ
る。
1) 結晶性合成樹脂チップの表面に水膜を形成しなが
ら乾燥装置によって結晶化処理をおこなうので、原料チ
ップ同士の融着によるブロック化が防止できる。
2) また、中空回転体およびジャケットに100〜180℃
の熱交換媒体が供給された伝導伝熱型の溝型撹拌乾燥機
のケーシング内で、結晶性合成樹脂原料チップ層の上面
に水またはスチームを供給しながら、該合成樹脂原料チ
ップ層を強制的に撹拌して、層内部の原料チップの表面
にまで上記水またはスチームによる水膜を形成し、該水
膜を介して、上記中空回転体およびジャケット内の熱交
換媒体からの伝導伝熱によって上記合成樹脂原料チップ
を加熱・結晶化させるので、原料チップ同士の融着によ
るブロック化を防止するばかりでなく、原料チップの装
置ケーシング内面および中空軸、中空回転体の表面への
付着も防止しながら原料チップを結晶化することができ
る。
3) 上記1),2)によって、原料チップの品質劣化を
防止することができた。
4) また上記1),2)によって、装置の撹拌動力の上
昇、それに伴うモーターの許容動力のオーバーによる停
止を防止でき、原料チップの結晶化を安全に、かつ連続
的に行うことができるようになった。
5) 上記のように、水膜を介して加熱されるので、か
なり高温の熱交換媒体を用いても原料チップの温度を10
0℃(水の沸点)以下の一定の温度に抑えながら結晶化
できるので、短時間で効率良い結晶化を行えるようにな
った。
6) さらに乾燥ゾーンを除いたほとんどの原料チップ
は、常にその表面に水膜が形成された状態にあるので、
中空回転体の撹拌に伴う原料チップ同士の摩擦、原料チ
ップの中空回転体およびケーシングとの摩擦による微粉
の発生を殆ど抑えることができた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る方法の実施に用いる溝型撹拌機の
側面説明図、第2図は第1図のA−A線による拡大断面
説明図である。 1……ケーシング、4……ジャケット、 20……中空回転体、30……スプレーノズル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) B29B 7/00 - 17/02

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】伝導伝熱型の溝型撹拌乾燥機の熱交換用ジ
    ャケットと中空回転体の内部に100〜180℃の熱交換媒体
    を供給して加熱し、結晶性合成樹脂原料チップの表面に
    水膜を形成し、上記乾燥機内で、上記結晶性合成樹脂原
    料チップを上記中空回転体の回転によって撹拌し、上記
    熱交換用ジャケットと中空回転体からの熱を上記水膜を
    介して原料チップに伝達することにより、該原料チップ
    を加熱して結晶化させることを特徴とする合成樹脂原料
    チップの結晶化方法。
  2. 【請求項2】伝導伝熱型の溝型撹拌乾燥機の熱交換用ジ
    ャケットと中空回転体の内部に100〜180℃の熱交換媒体
    を供給して加熱し、上記乾燥機内で結晶性合成樹脂原料
    チップ層を、水又はスチームを供給しながら上記中空回
    転体の回転によって撹拌して、上記原料チップ層の表層
    部のみならず層内部の原料チップの表面にも水膜を形成
    し、上記熱交換用ジャケットと中空回転体からの熱を該
    水膜を介して原料チップに伝達することにより、該原料
    チップを加熱して結晶化させることを特徴とする合成樹
    脂原料チップの結晶化方法。
  3. 【請求項3】上記結晶性合成樹脂原料チップ層に水又は
    スチームを供給する手段が、スプレーノズルであること
    を特徴とする請求項2に記載の合成樹脂原料チップの結
    晶化方法。
  4. 【請求項4】伝導伝熱型の溝型撹拌乾燥機の熱交換用ジ
    ャケットと中空回転体の内部に100〜180℃の熱交換媒体
    を供給して加熱し、表面に水膜を形成した結晶性合成樹
    脂原料チップを上記乾燥機内に供給し、上記中空回転体
    の回転によって撹拌し、上記熱交換用ジャケットと中空
    回転体からの熱を上記水膜を介して原料チップに伝達す
    ることにより、該原料チップを加熱して結晶化させるこ
    とを特徴とする合成樹脂原料チップの結晶化方法。
  5. 【請求項5】供給された水を乾燥するために、上記合成
    樹脂原料チップ層の排出側から1/4〜1/5の長さ範囲に、
    水又はスチームの供給手段を設けないことを特徴とする
    請求項2又は3に記載の合成樹脂原料チップの結晶化方
    法。
  6. 【請求項6】上記合成樹脂原料チップの供給量に対する
    水の供給量の比が、0.2〜2.5であることを特徴とする請
    求項2に記載の合成樹脂原料チップの結晶化方法。
  7. 【請求項7】上記合成樹脂原料チップの供給量に対する
    スチームの供給量の比が、0.05〜0.25であることを特徴
    とする請求項2に記載の合成樹脂原料チップの結晶化方
    法。
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