JP2930517B2 - Method for manufacturing reflective liquid crystal display device - Google Patents

Method for manufacturing reflective liquid crystal display device

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JP2930517B2
JP2930517B2 JP6011986A JP1198694A JP2930517B2 JP 2930517 B2 JP2930517 B2 JP 2930517B2 JP 6011986 A JP6011986 A JP 6011986A JP 1198694 A JP1198694 A JP 1198694A JP 2930517 B2 JP2930517 B2 JP 2930517B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、入射された偏光した光
を反射板で反射することによって表示を行う反射型液晶
表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device which performs display by reflecting incident polarized light on a reflection plate.

【0002】[0002]

【従来の技術】反射型LCD(液晶表示装置)に要求さ
れる性能の中で最も重要となるのは、周囲光をいかに有
効に活用できるかどうかである。現在、電卓、ワープロ
等に一般に用いられている表示モードは、2枚の偏光板
と、反射板とを組み合わせたTN方式(ツイステッドネ
マティク)方式である。
2. Description of the Related Art The most important performance required for a reflective LCD (Liquid Crystal Display) is how to effectively utilize ambient light. At present, a display mode generally used for calculators, word processors, and the like is a TN (twisted nematic) system in which two polarizing plates and a reflecting plate are combined.

【0003】ところが、このような偏光板を2枚用いる
方式では、入射光が反射板で反射して得られる円偏光或
いは楕円偏光である反射光の一方直線偏光成分とこの直
線偏光成分に直交する方向の直線偏光成分とのいずれか
一方の直線偏光成分を、偏光板で遮断することになる。
これにより、該偏光板によるの光のロスが大きいため、
明るい表示が得られないという課題を有している。
However, in such a system using two polarizing plates, one of a circularly polarized light or an elliptically polarized reflected light obtained by reflecting incident light on a reflecting plate is orthogonal to the linearly polarized light component. Either one of the linearly polarized light components and the linearly polarized light component in the direction is blocked by the polarizing plate.
Thereby, since the loss of light by the polarizing plate is large,
There is a problem that a bright display cannot be obtained.

【0004】そこで、偏光板を用いない表示モードとし
て2色性色素と液晶を組み合わせたWT(ホワイトテー
ラー)型の表示モードを用いた反射型LCDが提案され
ている。しかし、この表示モードは液晶のコレステリッ
ク−ネマチック相転移を基本としているため、液晶に印
加される駆動電圧が飽和電圧に達するまでの途中の電圧
で、液晶中にドメインが形成され、このドメインによっ
て光散乱を起こすために、階調表示が困難である。
Therefore, a reflection type LCD using a WT (white tailor) type display mode in which a dichroic dye and a liquid crystal are combined has been proposed as a display mode without using a polarizing plate. However, since this display mode is based on the cholesteric-nematic phase transition of the liquid crystal, a domain is formed in the liquid crystal at a voltage halfway until the drive voltage applied to the liquid crystal reaches the saturation voltage, and the domain forms an optical signal. Because of scattering, gradation display is difficult.

【0005】階調表示が可能でしかも明るい表示が得ら
れる表示モードとして、偏光板を1枚用いたECB(電
界制御複屈折)モード(中村ほか:第18回液晶討論会
3D110)が提案されている。
[0005] As a display mode in which a gray scale display is possible and a bright display is obtained, an ECB (Electric Field Controlled Birefringence) mode using one polarizing plate (Nakamura et al., 18th Liquid Crystal Discussion 3D110) has been proposed. I have.

【0006】この表示モードの動作原理を図8に示す。
図8の液晶表示装置1は、偏光板2、位相差板3、液晶
層4、及び反射板5とを備えて構成される。図8(1)
に示す暗状態では、液晶層4と位相差板3とを組み合わ
せたときの見かけ上のリタデーション△n・dがλ/4
条件となっているため、矢符A1に示すように入射した
直線偏光は、液晶層4、位相差板3を通過後、矢符A2
に示す回転方向の円偏光になり、更に、反射板5による
反射後、矢符A3に示すように、矢符A2方向とは逆回
りの円偏光となる。さらに液晶層4と位相差板3とを通
過後、入射時の直線偏光方向とは90゜回転した状態の
直線偏光となり、偏光板2で光が遮断される。
FIG. 8 shows the operation principle of this display mode.
The liquid crystal display device 1 shown in FIG. 8 includes a polarizing plate 2, a retardation plate 3, a liquid crystal layer 4, and a reflecting plate 5. Fig. 8 (1)
In the dark state shown in FIG. 7, the apparent retardation Δn · d when the liquid crystal layer 4 and the phase difference plate 3 are combined is λ / 4
Since the condition is satisfied, the linearly polarized light incident as shown by the arrow A1 passes through the liquid crystal layer 4 and the phase difference plate 3 and then passes through the arrow A2.
After being reflected by the reflection plate 5, the light becomes circularly polarized light in the opposite direction to the direction of the arrow A2 as shown by the arrow A3. Further, after passing through the liquid crystal layer 4 and the phase difference plate 3, the light becomes a linearly polarized light rotated by 90 ° from the direction of the linearly polarized light at the time of incidence, and the light is blocked by the polarizing plate 2.

【0007】一方、図8(2)に示される明状態では、
前記見かけ上のリタデーション△n・dが0となってい
るため、入射した前記直線偏光は、反射板5による反射
後も偏光状態が変化せず、反射光は偏光板2を通過す
る。このようにして、ECBモードは、表示を実現する
ことができる。
On the other hand, in the bright state shown in FIG.
Since the apparent retardation Δn · d is 0, the incident linearly polarized light does not change its polarization state even after being reflected by the reflector 5, and the reflected light passes through the polarizer 2. In this manner, display can be realized in the ECB mode.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この表示モ
ードに用いられる反射板として、明状態の時に入射する
直線偏光が反射しても直線偏光として保持され、暗状態
の時に入射する円偏光が反射しても円偏光にそれぞれ保
持されていなければ、良好なコントラストが得られず、
表示品位が低下してしまうことになる。従って、反射型
液晶表示装置の表示品位を向上するために、前述したよ
うに、入射する直線偏光が反射後も直線偏光に良好に保
持され、入射する楕円偏光が、反射後も同一の楕円偏光
であるように保持される必要がある。
By the way, as a reflector used in this display mode, even if linearly polarized light incident in a bright state is reflected, it is retained as linearly polarized light, and circularly polarized light incident in a dark state is reflected. Even if they are not kept in circularly polarized light, good contrast cannot be obtained,
The display quality will be degraded. Therefore, in order to improve the display quality of the reflection type liquid crystal display device, as described above, the incident linearly polarized light is favorably maintained as the linearly polarized light even after the reflection, and the incident elliptically polarized light remains the same after the reflection. Need to be held to be

【0009】本発明はこのような問題点を解決するもの
であり、その目的は、反射後の偏光度を良好に保持して
いる反射板を備えることによって、表示品位が格段に向
上された反射型液晶表示装置を提供することであり、製
造される反射型液晶表示装置の表示品位を格段に向上す
ることができる反射型液晶表示装置の製造方法を提供す
ることである。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a reflection plate whose display quality is remarkably improved by providing a reflection plate having a good polarization degree after reflection. It is an object of the present invention to provide a reflective liquid crystal display device, and to provide a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device capable of significantly improving the display quality of the manufactured reflective liquid crystal display device.

【0010】[0010]

【0011】[0011]

【0012】[0012]

【0013】[0013]

【0014】[0014]

【0015】[0015]

【0016】[0016]

【0017】[0017]

【0018】[0018]

【0019】[0019]

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】 本発明の反射型液晶表示
装置の製造方法は、光が入射する側に配置され、電気絶
縁性及び透光性を有し、一方側に透明電極が形成されて
いる第1基板と、該第1基板と液晶層を介して対向配置
され、入射光を反射する光反射部材が配置されている電
気絶縁性を有する第2基板と、該第1基板に光の入射側
に設けられている偏光板とを備える反射型液晶表示装置
の製造方法において、 該第2基板上の液晶層側に有機絶
縁膜を塗布する工程と、 該有機絶縁膜を露光および現像
処理して複数の凹凸を形成する工程と、 該複数の凹凸を
熱処理して滑らかな形状の凹凸を形成する工程と、 該滑
らかな凹凸上に該滑らかな凹凸に沿うように有機絶縁膜
を形成する工程と、 該有機絶縁膜上に光反射部材を形成
する工程とを有し、 光反射部材による反射光の下式で
表される偏光度V
According to a method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device of the present invention, the reflection type liquid crystal display device is arranged on a light incident side, has electrical insulation and translucency, and has a transparent electrode formed on one side. A first substrate, a second substrate having electrical insulation, and a second substrate having a light reflecting member disposed opposite to the first substrate via a liquid crystal layer and reflecting incident light; Reflective liquid crystal display device comprising: a polarizing plate provided on the light incident side
In the manufacturing method, the liquid crystal layer on the second substrate is
Applying an edge film, and exposing and developing the organic insulating film
Processing to form a plurality of irregularities, and the plurality of irregularities
Heat-treating to form smooth irregularities ;
Organic insulating film on the smooth irregularities along the smooth irregularities
Forming a light reflecting member on the organic insulating film
And a step of, degree of polarization V of the following formulas of the reflected light by the light reflecting member

【0021】[0021]

【数4】 (Equation 4)

【0022】S0、S1、S2、S3:光反射部材に円偏光
を入射して得られる反射光のストークスのパラメータ。
S 0 , S 1 , S 2 , S 3 : Stokes parameters of reflected light obtained by making circularly polarized light incident on the light reflecting member.

【0023】 S1:水平直線偏光成分、S2:45°直線偏光成分、 S3:右円偏光成分、S0:光強度 が、少なくとも50%以上であるように選ばれることを
特徴としており、そのことによって上記目的が達成され
る。
S 1 : horizontal linearly polarized light component, S 2 : 45 ° linearly polarized light component, S 3 : right circularly polarized light component, S 0 : light intensity is selected so as to be at least 50% or more.
It achieves the above-mentioned object.

【0024】[0024]

【作用】反射型液晶表示装置に本発明の特徴をもつ光反
射部材を用いることで、該光反射部材の前記偏光度を格
段に向上でき、入射する直線偏光が該反射部材によって
反射された後も直線偏光に良好に保持され、入射される
楕円偏光が反射後も同一の楕円偏光であるように、良好
に保持される。これにより、本発明は、従来にない良好
なコントラストを有する反射型液晶表示装置を実現する
ことができる。
By using a light-reflecting member having the characteristics of the present invention in a reflection-type liquid crystal display device, the degree of polarization of the light-reflecting member can be significantly improved, and after the incident linearly polarized light is reflected by the reflecting member. Are also favorably held in linearly polarized light, and are favorably maintained such that incident elliptically polarized light remains the same elliptically polarized light even after reflection. As a result, the present invention can realize a reflective liquid crystal display device having a better contrast than ever before.

【0025】また、特に視差が問題になる場合には、前
記反射機能を有する反射部材を、第2基板の該液晶層
側、即ち、液晶層とほぼ隣接する位置に配されている構
成とすることができる。
Further, when parallax is a problem, the reflecting member having the reflecting function is arranged on the liquid crystal layer side of the second substrate, that is, at a position substantially adjacent to the liquid crystal layer. be able to.

【0026】また、前記反射機能を有する反射部材は、
誘電体ミラーやコレステリック液晶を用いたノッチ型フ
ィルターの絶縁性薄膜であってもよいが、金属薄膜とし
ても差し支えがない。さらにこの場合には前記透光性を
有する第1基板に形成された透明電極と前記液晶層を挟
んで対向する電極としての機能を付与することもでき
る。
The reflecting member having the reflecting function is:
It may be an insulating thin film of a notch type filter using a dielectric mirror or cholesteric liquid crystal, but may be a metal thin film. Further, in this case, a function as an electrode opposed to the transparent electrode formed on the light-transmitting first substrate with the liquid crystal layer interposed therebetween can be provided.

【0027】[0027]

【実施例】【Example】

(実施例1)以下に、本発明の実施例1を、具体的に説
明する。図5に、本発明の反射型液晶表示装置の実施例
1に用いられる反射型液晶表示装置の製造工程を示す。
図5(1)に示すように厚さ1.1mmのガラス基板5
1(商品名7059、コーニング社製)の一方の面に、
レジスト材料として、例えばOFPR−800(東京応
化社製)からなるレジスト層52を、好ましくは500
r.p.m〜3000r.p.mの回転速度でスピンコ
ートする。本実施例では、まず3000r.p.mの回
転速度で30秒レジスト層52を塗布し、レジスト層5
2を1.2μmの膜厚で成膜した。次に、100℃で3
0分プリベークした後、所定のパターンが形成されたフ
ォトマスク53を配置し、露光、及び現像剤(NMD−
3、2.3% 東京応化社製)で現像を行い、ガラス基
板51の表面に微細な凹凸を形成した(図5(3))。
(Example 1) Hereinafter, Example 1 of the present invention will be specifically described. FIG. 5 shows a manufacturing process of the reflective liquid crystal display device used in the first embodiment of the reflective liquid crystal display device of the present invention.
As shown in FIG. 5A, a glass substrate 5 having a thickness of 1.1 mm
1 (trade name 7059, manufactured by Corning Incorporated)
As a resist material, for example, a resist layer 52 made of OFPR-800 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is preferably used.
r. p. m-3000 r. p. Spin coat at a rotation speed of m. In this embodiment, first, 3000r. p. The resist layer 52 is applied at a rotation speed of m for 30 seconds.
2 was formed in a thickness of 1.2 μm. Next, at 100 ° C., 3
After pre-baking for 0 minutes, a photomask 53 having a predetermined pattern formed thereon is arranged, exposed, and developed (NMD-
3, 2.3% by Tokyo Ohka Co., Ltd.) to form fine irregularities on the surface of the glass substrate 51 (FIG. 5 (3)).

【0028】ガラス基板51上の凹凸を、好ましくは1
20〜250℃で熱処理すると、該凹凸の角隅部が熱で
変形し、なめらかな形状の凹凸が形成される(図5
(4))。本実施例では、まず180℃30分熱処理を
行った。更に、凹凸部を形成したガラス基51上に有機
絶縁膜54としてポリイミド樹脂を好ましくは920〜
3500r.p.mの回転速度で20秒間スピンコート
する。本実施例ではまず2200r.p.mの回転速度
で20秒塗布し、有機絶縁膜54を1μmの膜厚で形成
し、凹凸の高低差が抑制された更に滑らかな凹凸部を形
成した。更に、有機絶縁膜54を形成した上に、金属薄
膜55を形成した(図5(5))。金属薄膜55の材料
としては、Al、Ni、Cr、Ag等を挙げることがで
きる。金属薄膜55の膜厚は、0.01〜1.0μm程
度が適している。好ましくは、0.1〜0.5μmであ
る。本実施例ではAlを真空蒸着することにより、金属
薄膜を形成した。
The unevenness on the glass substrate 51 is preferably
When heat treatment is performed at 20 to 250 ° C., the corners of the irregularities are deformed by heat to form smooth irregularities (FIG. 5).
(4)). In this embodiment, first, heat treatment was performed at 180 ° C. for 30 minutes. Further, a polyimide resin is preferably used as the organic insulating film 54 on the glass substrate 51 on which the concave and convex portions are formed.
3500r. p. Spin coat at a rotation speed of m for 20 seconds. In this embodiment, first, 2200 r. p. The coating was performed at a rotation speed of m for 20 seconds to form an organic insulating film 54 having a thickness of 1 μm, thereby forming a smoother uneven portion in which the difference in height of the unevenness was suppressed. Further, a metal thin film 55 was formed on the organic insulating film 54 (FIG. 5 (5)). Examples of the material of the metal thin film 55 include Al, Ni, Cr, and Ag. The thickness of the metal thin film 55 is suitably about 0.01 to 1.0 μm. Preferably, it is 0.1 to 0.5 μm. In this example, a metal thin film was formed by vacuum deposition of Al.

【0029】以上述べたレジストの塗布条件、熱処理条
件、ポリイミド樹脂の塗布条件以外で数種類の反射板を
製作した。
Several types of reflectors were manufactured under conditions other than the resist application conditions, heat treatment conditions, and polyimide resin application conditions described above.

【0030】以上により得た反射板を図2の反射板21
の位置におき、反射後の偏向光のストークスパラメータ
を測定した。
The reflector obtained as described above is used as the reflector 21 in FIG.
And the Stokes parameter of the reflected polarized light was measured.

【0031】図2に反射板21による反射光の偏光度の
測定方法を示す。反射板21に対して垂直方向から20
゜の角度に光源22を置き、その光を偏光板23と1/
4波長板24で円偏光にし、反射板21に入射させる。
正反射方向を0゜とし、パワーメータ25を正反射から
ずれた角度θ(θ=30゜)に置く。パワーメータ25
と反射板21の間には偏光板26と1/4波長板27を
置く。偏光板26の透過軸と1/4波長板27の光軸の
向きを変化させてストークスのパラメータを測定する。
ここで、ストークスのパラメータの表示と測定方法、偏
光度については以下に示す文献に詳しく記載されてい
る。ここで表現されている偏光度は、「最新応用物理学
シリーズ1結晶光学」(編者 応用物理学会光学懇話
会、発行所森北出版)の137ページ〜140ページに
記載されている、ストークスのパラメータを用いた偏光
度と同じものである。この文献にはストークスのパラメ
ータの測定方法とストークスのパラメータを用いた偏光
度の定義式とが詳しく記載されている。以下にストーク
スパラメータを示す。
FIG. 2 shows a method for measuring the degree of polarization of light reflected by the reflector 21. 20 from the perpendicular to the reflector 21
The light source 22 is placed at an angle of ゜, and the light is
The light is converted into circularly polarized light by the four-wavelength plate 24 and is incident on the reflection plate 21.
The regular reflection direction is set to 0 °, and the power meter 25 is placed at an angle θ (θ = 30 °) shifted from the regular reflection. Power meter 25
A polarizing plate 26 and a quarter-wave plate 27 are placed between the reflector and the reflecting plate 21. The Stokes parameters are measured by changing the directions of the transmission axis of the polarizing plate 26 and the optical axis of the quarter-wave plate 27.
Here, the display and measurement method of Stokes parameters and the degree of polarization are described in detail in the following documents. The degree of polarization expressed here is based on the Stokes parameter described on pages 137 to 140 of “Latest Applied Physics Series 1 Crystal Optics” (editor, Japan Society of Applied Physics, Optical Society, published by Morikita Publishing). It is the same as the degree of polarization used. This document describes in detail the method of measuring the Stokes parameter and the definition formula of the degree of polarization using the Stokes parameter. The Stokes parameters are shown below.

【0032】[0032]

【数5】S0=<|Ex2>+<|Ey2S 0 = <| E x | 2 > + <| E y | 2 >

【0033】[0033]

【数6】S1=<|Ex2>ー<|Ey2S 1 = <| E x | 2 >-<| E y | 2 >

【0034】[0034]

【数7】S2=<2Exycosδ>S 2 = <2E x E y cos δ>

【0035】[0035]

【数8】S3=<2Exysinδ> ただし、δ=ψy−ψx 上記数5〜数8のS0、S1、S2、S3 がストークスパ
ラメータである。変数Ex、EyはX軸方向、Y軸方向の
光強度、変数φx、φyはX軸方向、Y軸方向の光波の位
相である。また、ストークスパラメータそれぞれの意味
はS1の水平直線偏光成分、S2は45°直線偏光成分、
3は右円偏光成分、S0は光強度である。以下の数9に
代表的な偏光状態の例を示す。
S 3 = <2E x E y sin δ> where δ = ψ y −ψ x S 0 , S 1 , S 2 , and S 3 in the above equations 5 to 8 are Stokes parameters. Variable E x, the E y is the X-axis direction, the light intensity of the Y-axis direction, variable phi x, phi y are the X-axis direction, Y axis direction of the light wave phase. Also, the meaning of each Stokes parameter is a horizontal linear polarization component of S 1 , S 2 is a 45 ° linear polarization component,
S 3 is the right circularly polarized light component, S 0 is the light intensity. The following Expression 9 shows an example of a typical polarization state.

【0036】[0036]

【数9】 (Equation 9)

【0037】これらの状態に直交する垂直直線偏光、−
45°直線偏光および左円偏光の各成分はそれぞれスト
ークスパラメータS2、S3、S4の負の量として表され
る。
Vertical linearly polarized light orthogonal to these states,
The 45 ° linearly polarized light component and the left circularly polarized light component are expressed as negative quantities of the Stokes parameters S 2 , S 3 and S 4 , respectively.

【0038】完全偏光においては、For perfectly polarized light,

【0039】[0039]

【数10】S0 2=S1 2+S2 2+S3 2 となり、4個のパラメータのすべてが独立ではない。部
分偏光に対しては、
S 0 2 = S 1 2 + S 2 2 + S 3 2 , and all four parameters are not independent. For partially polarized light,

【0040】[0040]

【数11】S0 2>S1 2+S2 2+S となり、偏光度は全強度中の完全偏光分強度の比として
次のように求められる。
Equation 11] S 0 2> S 1 2 + S 2 2 + S 3 2 , and the degree of polarization is calculated as follows as the ratio of full polarization component intensity of the total intensity.

【0041】[0041]

【数12】 (Equation 12)

【0042】自然光の状態ベクトルは時間平均的にx、
y成分の強度が等しく、かつ両成分は互いに相関がない
ことから、直接に
The state vector of natural light is x,
Since the intensity of the y component is equal and both components are not correlated with each other,

【0043】[0043]

【数13】 (Equation 13)

【0044】として求められる。Is obtained.

【0045】ストークスのパラメータの測定方法は、
「光学技術ハンドブック」(編集 久保田 広ら、発行
所 朝倉書店)の106ページ〜107ページに、偏光
板の透過軸と1/4波長板の光軸を示して図示されてい
る。以下にその測定方法を示す。
The method of measuring the Stokes parameter is as follows.
On pages 106 to 107 of "Optical Technology Handbook" (edited by Hiroshi Kubota, Asakura Shoten Publishing Co., Ltd.), the transmission axis of the polarizing plate and the optical axis of the quarter-wave plate are shown. The measurement method is described below.

【0046】ここではストークスのパラメータをI、
Q、U、Vという記号を用いて表している。前記文献
「最新応用物理学シリーズ1 結晶光学」と記号が異な
るが、特にストークスのパラメータについて対比すると
下表になる。
Here, the parameter of Stokes is I,
It is represented using the symbols Q, U and V. Although the symbol is different from that of the above-mentioned document "Latest Applied Physics Series 1 Crystal Optics", the following table shows a comparison with Stokes parameters in particular.

【0047】[0047]

【表1】 [Table 1]

【0048】これらを踏まえて、測定方法を図式で表す
と、次のようになる。
Based on the above, the measurement method is represented by the following scheme.

【0049】図3に測定系を示す。FIG. 3 shows a measurement system.

【0050】ストークスパラメータI、Q、U、Vはそ
れぞれが単独で測定されるのではなく、図4(a)〜
(d)のように、1/4波長板の光軸と偏光板の透過軸
を変化させて光強度を測定し、下記の数14〜数17に
よる連立方程式を解けばストークスパラメータが求めら
れる。
The Stokes parameters I, Q, U and V are not measured independently, but are shown in FIGS.
As shown in (d), the Stokes parameter can be obtained by measuring the light intensity while changing the optical axis of the quarter-wave plate and the transmission axis of the polarizing plate, and solving the simultaneous equations of the following equations (14) to (17).

【0051】[0051]

【数14】1/2(I+Q)=i(a)14 (I + Q) = i (a)

【0052】[0052]

【数15】1/2(I−Q)=i(b)15 (I−Q) = i (b)

【0053】[0053]

【数16】1/2(I+U)=i(c)16 (I + U) = i (c)

【0054】[0054]

【数17】1/2(I+V)=i(d) 即ち、関数i(a)〜i(d)は、偏光板と位相差板が
図4(a)〜(b)の状態で測定した光強度で、図4
(a)〜(d)の測定をそれぞれ行い、上記数14〜数
17の連立方程式を解くことで、表1のストークスパラ
メータI、Q、U、Vを求めることができる。
17 (I + V) = i (d) That is, the functions i (a) to i (d) were measured with the polarizing plate and the phase difference plate in the state shown in FIGS. Figure 4
The Stokes parameters I, Q, U, and V in Table 1 can be obtained by performing the measurements (a) to (d) and solving the simultaneous equations of Equations 14 to 17 above.

【0055】次に、上記作成方法で作成した反射板を用
いた反射型液晶セルの構造と作成方法を示す。図7に、
反射板75を用いた本実施例による反射型液晶表示装置
の断面図を示す。ITO(Indium Tin Ox
ide)からなる透明電極72が形成されたガラス基板
71と、前記ガラス基板51、レジスト層52、有機絶
縁膜54、及び金属薄膜55を備える反射板75とに、
液晶配向膜73としてポリイミド樹脂をそれぞれ形成
し、200℃で1時間焼成した。その後、液晶分子を配
向させるために液晶配向膜73にラビング処理を行い、
平行配向セルとなるように5μmのスペーサーを散布し
貼り合わせを行った。これらの2枚のガラス基板51、
71の間には、液晶封止層(図中略)が形成されてい
る。この液晶風刺層は、5.5μmのスペーサーを混入
した接着性シール剤をスクリーン印刷することによって
形成されている。液晶層74は、液晶封止層(図中略)
を形成した後、真空脱気することにより封入される。本
実施例では液晶層には、(メルク社製、商品名 ZLI
2459)を用いた。液晶の光学異方性Δnは0.1
1、セル厚dは約5μmであるので、この液晶層のリタ
デーション△n・dは550nmである。
Next, the structure of a reflection type liquid crystal cell using the reflection plate produced by the above-mentioned production method and the production method will be described. In FIG.
1 is a cross-sectional view of a reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment using a reflection plate 75. FIG. ITO (Indium Tin Ox)
a) a glass substrate 71 on which a transparent electrode 72 made of ide) is formed, and a reflection plate 75 including the glass substrate 51, the resist layer 52, the organic insulating film 54, and the metal thin film 55.
A polyimide resin was formed as the liquid crystal alignment film 73, and baked at 200 ° C. for 1 hour. Thereafter, a rubbing process is performed on the liquid crystal alignment film 73 to align the liquid crystal molecules,
A 5 μm spacer was sprayed and bonded so as to form a parallel alignment cell. These two glass substrates 51,
Between 71, a liquid crystal sealing layer (omitted in the figure) is formed. This liquid crystal satire layer is formed by screen-printing an adhesive sealant mixed with a 5.5 μm spacer. The liquid crystal layer 74 is a liquid crystal sealing layer (omitted in the drawing).
, And then sealed by vacuum degassing. In the present embodiment, the liquid crystal layer (ZLI, trade name, manufactured by Merck Ltd.)
2459) was used. The optical anisotropy Δn of the liquid crystal is 0.1
1. Since the cell thickness d is about 5 μm, the retardation Δn · d of this liquid crystal layer is 550 nm.

【0056】図6には、上記反射型液晶セル61に、電
圧を印加してオン状態とオフ状態を反射率の比(コント
ラスト比)を測定する方法を示す。入射光62は液晶セ
ル61に対して垂直方向から20°の角度で入射し、偏
光板63と位相差板64を通過し、液晶相を通り反射板
で反射され、液晶相、位相差板67、偏光板66を通過
してパワーメータ65で反射光の最大値(オン状態)と
最小値(オフ状態)を測定する。測定角度θはθ=30
°である。
FIG. 6 shows a method of applying a voltage to the reflective liquid crystal cell 61 to measure the ratio of the reflectance (contrast ratio) between the on state and the off state. The incident light 62 enters the liquid crystal cell 61 at an angle of 20 ° from the vertical direction, passes through the polarizing plate 63 and the phase difference plate 64, passes through the liquid crystal phase and is reflected by the reflection plate, and the liquid crystal phase and the phase difference plate 67 The maximum value (ON state) and the minimum value (OFF state) of the reflected light are measured by the power meter 65 after passing through the polarizing plate 66. The measurement angle θ is θ = 30
°.

【0057】図1に、数種類の反射板の偏光度と、その
反射板を使用し偏光板を1枚用いたECBモード反射型
LCDのコントラストの特性を示す。
FIG. 1 shows the degree of polarization of several types of reflectors and the contrast characteristics of an ECB mode reflective LCD using the reflectors and using one polarizer.

【0058】前述したように、この表示モードでは偏光
度が保たれていることがコントラスト向上のポイントと
なる。第1図より、コントラストに急激な変化が現れる
のは偏光度が50%を越えてからであることがわかる。
実用的な反射型LCDとしてコントラストが4以下では
表示品位の低下故に実用に供することが出来ない。従っ
て図1より偏光度は50%以上必要である。また好まし
くは、コントラスト比7以上が必要となり、偏光度は7
0%以上必要となる。
As described above, maintaining the degree of polarization in this display mode is the point of improving the contrast. From FIG. 1, it can be seen that a sharp change in contrast appears after the polarization degree exceeds 50%.
If the contrast is 4 or less as a practical reflection type LCD, it cannot be put to practical use because of the deterioration of display quality. Therefore, the degree of polarization is required to be 50% or more from FIG. Preferably, a contrast ratio of 7 or more is required, and the degree of polarization is 7
0% or more is required.

【0059】(実施例2)図9に本実施例に用いるアク
ティブマトリクス基板の製造工程を示す。まず、ガラス
からなる絶縁性基板上に、スパッタリング法により、3
00nmの厚さのTa金属層を形成し、この金属層をフ
ォトリソグラフィ法及びエッチングによりパターニング
を行って、ゲートバス配線及びゲート電極を形成した。
尚、ゲートバス配線及びゲート電極の保護のため上部に
例えばTa5を設けてもよい(S1)。次に、プラ
ズマCVD(化学的気相成長法)法により、400nm
の厚さのSiNxからなるゲート絶縁膜(S2)と、後
に半導体層となる厚さ100nmのa−Si層と、後に
コンタクト層となる厚さ40nmのn+型a−Si層と
をこの順で連続的に形成した(S3)。次に、n+型a
−Si層とa−Si層のパターニングを行って、コンタ
クト層及び半導体層を形成した(S3)。
(Embodiment 2) FIG. 9 shows a manufacturing process of an active matrix substrate used in this embodiment. First, on an insulating substrate made of glass, 3
A Ta metal layer having a thickness of 00 nm was formed, and the metal layer was patterned by photolithography and etching to form a gate bus wiring and a gate electrode.
Incidentally, for example, Ta 2 O 5 may be provided on the upper portion to protect the gate bus wiring and the gate electrode (S1). Next, 400 nm is formed by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method.
A gate insulating film (S2) made of SiN x having a thickness of 100 nm, an a-Si layer having a thickness of 100 nm to be a semiconductor layer later, and an n + -type a-Si layer having a thickness of 40 nm to be a contact layer later. They were formed continuously in this order (S3). Next, the n + type a
The contact layer and the semiconductor layer were formed by patterning the -Si layer and the a-Si layer (S3).

【0060】次に、この基板上の全面に、厚さ200n
mのMo金属をスパッタ法によって形成し、このMo金
属層のパターニングを行って、ソース電極、ドレイン電
極、及びソースバス配線を形成した(S4)。以上によ
り、TFTが完成する、次に、TFTを形成した基板上
に実施例1で示した方法、材料で凹凸を形成し(S5〜
S8)、さらに、有機絶縁層をフォトリソグラフィー法
により、有機絶縁層にコンタクトホールを形成した(S
6)。さらに、凹凸上の全面にアルミニウムの膜を形成
し(S9)、反射電極を得た。
Next, the entire surface of the substrate is coated with a thickness of 200 n.
m Mo metal was formed by a sputtering method, and the Mo metal layer was patterned to form a source electrode, a drain electrode, and a source bus wiring (S4). As described above, the TFT is completed. Next, the unevenness is formed on the substrate on which the TFT is formed by the method and the material described in the first embodiment (S5 to S5).
S8) Further, a contact hole was formed in the organic insulating layer by photolithography in the organic insulating layer (S8).
6). Further, an aluminum film was formed on the entire surface on the irregularities (S9) to obtain a reflective electrode.

【0061】図10に本実施例による反射型アクティブ
マトリクス基板81を用いて作成した反射型カラー液晶
表示装置の断面図を示す。例えばマゼンダとグリーンの
補色カラーフィルター96の表面には、全面にITO
(Indium Tin Oxide)からなる透明電
極97を100nmの膜厚で形成した。反射型アクティ
ブマトリクス基板81と補色カラフィルター基板95の
透明電極97の表面に、それぞれ液晶配向膜94、98
を塗布した後、焼成した。これらの2枚の基板の間に
は、液晶封止層(図中略)が、5μmのスペーサーを混
入した接着性シール剤をスクリーン印刷することによっ
て形成されている。液晶層99は液晶封止層(図中略)
を形成した後、真空脱気することにより封入される。液
晶は実施例1で用いた液晶と同じものを使用した。カラ
ーフィルタには他にシアンとレッド、ブルーとイエロー
また、RGB方式を用いてもよい。
FIG. 10 is a sectional view of a reflection type color liquid crystal display device manufactured using the reflection type active matrix substrate 81 according to the present embodiment. For example, the surface of the complementary color filter 96 for magenta and green is entirely covered with ITO.
A transparent electrode 97 made of (Indium Tin Oxide) was formed with a thickness of 100 nm. Liquid crystal alignment films 94 and 98 are provided on the surfaces of the transparent electrode 97 of the reflective active matrix substrate 81 and the complementary color filter substrate 95, respectively.
Was applied and then fired. Between these two substrates, a liquid crystal sealing layer (omitted in the figure) is formed by screen printing an adhesive sealant mixed with a 5 μm spacer. The liquid crystal layer 99 is a liquid crystal sealing layer (omitted in the figure).
, And then sealed by vacuum degassing. The liquid crystal used was the same as the liquid crystal used in Example 1. Alternatively, cyan and red, blue and yellow, or an RGB system may be used for the color filter.

【0062】以上のように作成した反射型液晶表示装置
を用いて、実施例1と同じ偏光度−コントラストの特性
を測定したところ、図1と同じような結果になることを
確認した。
The same polarization degree-contrast characteristics as in Example 1 were measured using the reflection type liquid crystal display device prepared as described above, and it was confirmed that the same result as in FIG. 1 was obtained.

【0063】また、本実施例の反射型液晶表示装置で
は、反射型アクティブマトリクス基板81の反射電極8
8を形成した面が、液晶層側に配されているので視差が
なくなり、良好な表示画面が得られる。
In the reflection type liquid crystal display device of this embodiment, the reflection electrode 8 of the reflection type active matrix substrate 81 is used.
Since the surface on which 8 is formed is disposed on the liquid crystal layer side, there is no parallax, and a good display screen can be obtained.

【0064】さらに基板としては、本実施例ではガラス
基板を用いたが、Si基板のような不透明基板でも同様
な効果が発揮され、この場合には回路を基板上に集積で
きるメリットがある。
Although a glass substrate is used as a substrate in this embodiment, an opaque substrate such as a Si substrate has a similar effect. In this case, there is an advantage that circuits can be integrated on the substrate.

【0065】(実施例3)図11に本実施例で示す反射
型液晶表示装置に用いられる反射板の製造工程を示す。
図11(1)に示すように実施例2で記述したアクティ
ブマトリクス基板111のTFT素子側に、ポリイミド
樹脂からなる有機絶縁膜112を好ましくは920〜3
500r.p.mの回転速度で20秒スピンコートす
る。その上面にレジスト材料として例えばOFPR−8
00(東京応化社製)からなるレジスト層113を好ま
しくは500r.p.m〜3000r.p.mの回転速
度でスピンコートする。本実施例では3000r.p.
mの回転速度で30秒塗布し、レジスト層113を1.
2μmの膜厚で成膜した。次に、100℃で30分プリ
ベークした後、所定のパターンが形成されたフォトマス
ク114を配置し、露光、現像剤(NMD−3、2.3
8% 東京応化社製)を用いる現像処理を行い、表面に
微細な凹凸を形成した(図11(4))。ガラス基板1
11上の凹凸を好ましくは120〜250℃で熱処理す
ると、前述したように凹凸の角がとれてなめらかな凹凸
面が形成される(図1(5))。本実施例では180℃
で30分熱処理を行った。
(Embodiment 3) FIG. 11 shows a manufacturing process of a reflection plate used in the reflection type liquid crystal display device shown in this embodiment.
As shown in FIG. 11A, an organic insulating film 112 made of a polyimide resin is preferably formed on the TFT element side of the active matrix substrate 111 described in the second embodiment.
500r. p. Spin coat at a rotation speed of m for 20 seconds. On the upper surface, for example, OFPR-8 as a resist material
00 (manufactured by Tokyo Ohkasha Co., Ltd.), preferably 500 r. p. m-3000 r. p. Spin coat at a rotation speed of m. In this embodiment, 3000 r. p.
m at a rotation speed of 30 m, and the resist layer 113
The film was formed with a thickness of 2 μm. Next, after prebaking at 100 ° C. for 30 minutes, a photomask 114 on which a predetermined pattern is formed is arranged, exposed, and developed (NMD-3, 2.3).
8% (manufactured by Tokyo Ohkasha Co., Ltd.) to form fine irregularities on the surface (FIG. 11 (4)). Glass substrate 1
When the unevenness on the surface 11 is heat-treated at preferably 120 to 250 ° C., a smooth uneven surface is formed as described above (FIG. 1 (5)). 180 ° C. in this embodiment
For 30 minutes.

【0066】更に、凹凸部を形成したガラス基板111
の上面からドライエッチング処理を行い、有機絶縁膜1
15を図11(7)の形状にする。滑らかな凹凸形状の
有機絶縁膜115上に、再度、ポリイミド樹脂からなる
有機絶縁膜115を好ましくは920〜3500r.
p.mの回転速度で20秒スピンコートする。本実施例
では2200r.p.mの回転速度で20秒塗布し、有
機絶縁膜115を1μmの膜厚で形成し、更に滑らかな
凸部を形成した。更に、有機絶縁膜115を形成した上
に、金属薄膜116を形成した(図11(8))。金属
薄膜116としてはA1、Ni、Cr、Ag等を挙げる
ことができる。金属薄膜116の厚さは、0.01〜
1.0μmが適している。本実施例ではAlを真空蒸着
することにより、金属薄膜を形成した。
Further, the glass substrate 111 having the uneven portions formed thereon
Dry etching process from the upper surface of the organic insulating film 1
15 is formed into the shape shown in FIG. An organic insulating film 115 made of a polyimide resin is again preferably formed on the smooth and uneven organic insulating film 115, preferably at 920 to 3500 rpm.
p. Spin coat at a rotation speed of m for 20 seconds. In this embodiment, 2200 r. p. The coating was performed at a rotation speed of m for 20 seconds, the organic insulating film 115 was formed to a thickness of 1 μm, and smoother projections were formed. Further, a metal thin film 116 was formed on the organic insulating film 115 (FIG. 11 (8)). Examples of the metal thin film 116 include A1, Ni, Cr, and Ag. The thickness of the metal thin film 116 is 0.01 to
1.0 μm is suitable. In this example, a metal thin film was formed by vacuum deposition of Al.

【0067】以上のように凹凸形状を作成したアクティ
ブマトリクス基板を用いて、実施例2と同じように反射
型液晶セルを作成し、偏光度−コントラストの特性を測
定した所、図1と同じような結果になることを確認し
た。
A reflection type liquid crystal cell was prepared in the same manner as in Example 2 by using the active matrix substrate having the unevenness as described above, and the polarization degree-contrast characteristics were measured. It was confirmed that the result was good.

【0068】(実施例4)図12に本実施例で示す反射
型液晶表示装置を示す。これは実施例1で説明した図7
の光反射板85が、液晶層を介在して対向配置される一
対の投光性基板の外側に配置されている例である。この
反射型液晶表示装置の場合、光反射板が液晶層に直に接
していないので視差が生じるが、図6の測定方法でコン
トラスト測定を行った結果、実施例1と同様の偏光度−
コントラスト特性が得られた。
Embodiment 4 FIG. 12 shows a reflection type liquid crystal display device shown in this embodiment. This corresponds to FIG. 7 described in the first embodiment.
Is an example in which the light reflecting plate 85 is disposed outside a pair of light-transmitting substrates that are disposed to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. In the case of this reflection type liquid crystal display device, parallax occurs because the light reflection plate is not in direct contact with the liquid crystal layer, but as a result of measuring the contrast by the measurement method of FIG.
A contrast characteristic was obtained.

【0069】(実施例5)本実施例では実施例1で示し
た表示モード(図7の液晶セルを用いて、図6の測定系
で表示する方法)における位相差板を使用しない場合を
説明する。図13に本実施例の反射型液晶表示装置の断
面図を示す。図6の位相差板64、67を使用しないと
きは、液晶層61だけで円偏光になるよう、液晶層の捩
れ角、偏光板の角度などを設定する。このようにして作
成した表示装置のコントラスト測定を行った所、実施例
1と同様の偏光度−コントラスト特性が得られた。ただ
し、コントラスト測定では図13の偏光板は取り外して
ある。
(Embodiment 5) In this embodiment, the case where the phase difference plate is not used in the display mode shown in Embodiment 1 (method of displaying by the measurement system of FIG. 6 using the liquid crystal cell of FIG. 7) will be described. I do. FIG. 13 is a sectional view of the reflection type liquid crystal display device of the present embodiment. When the phase difference plates 64 and 67 in FIG. 6 are not used, the twist angle of the liquid crystal layer, the angle of the polarizer, and the like are set so that only the liquid crystal layer 61 becomes circularly polarized light. When the contrast of the display device thus manufactured was measured, the same degree of polarization-contrast characteristics as in Example 1 were obtained. However, in the contrast measurement, the polarizing plate of FIG. 13 was removed.

【0070】(実施例6)本実施例では実施例5で示し
た表示モードにおいて、反射板が液晶セルの外側に配置
されている場合について説明する。図14に本実施例で
示す液晶表示装置の断面図を示す。この場合、実施例4
と同様の理由で視さが生じるが、コントラスト測定を行
った所、実施例1と同様の偏光度−コントラスト特性が
得られた。ただし、コントラスト測定では図14の偏光
板は取り外してある。
(Embodiment 6) In this embodiment, a case will be described in which the reflector is disposed outside the liquid crystal cell in the display mode shown in Embodiment 5. FIG. 14 is a sectional view of the liquid crystal display device shown in this embodiment. In this case, Example 4
However, when the contrast was measured, the same degree of polarization-contrast characteristics as in Example 1 were obtained. However, in the contrast measurement, the polarizing plate in FIG. 14 was removed.

【0071】(実施例7)上記実施例では表示モードと
して偏光板を1枚と位相差板を用いて並行配向させた表
示モードを取り上げたが、本実施例では表示モードとし
て偏光板を1枚と位相差板と液晶層を約240°ツイス
トさせたSTNモードについて説明する。
(Embodiment 7) In the above embodiment, a display mode in which one polarizing plate and one polarizing plate are aligned in parallel using a retardation plate is taken as a display mode, but in this embodiment, one polarizing plate is used as a display mode. The STN mode in which the phase difference plate and the liquid crystal layer are twisted by about 240 ° will be described.

【0072】対向基板に透明電極ITO(Indium
Tin Oxide)が形成されたガラス基板と実施
例1で作成した反射板に液晶配向膜としてポリイミド樹
脂を形成し、200度で1時間焼成した。その後、液晶
分子を配向させるためラビング処理を行い、約240°
ツイストするように両基板を貼り合わせて液晶セルを作
成する、これらの2枚の基板の間には、液晶封止層が直
径6.5μmのスペーサーを混入した接着剤シール剤を
スクリーン印刷することによって形成されている。液晶
層は液晶封止層を形成した後、真空脱気することにより
封入される。本実施例では液晶層には、商品名ZLI4
427(メルク社製)を用いた。液晶層のリタデーショ
ンは650nmであり、偏光板は実施例1で用いたもの
と同じものを用い、位相差板のリタデーションは350
nmである。
A transparent electrode ITO (Indium) is provided on the opposite substrate.
A polyimide resin was formed as a liquid crystal alignment film on the glass substrate on which Tin Oxide was formed and the reflection plate prepared in Example 1, and baked at 200 ° C. for 1 hour. After that, a rubbing process is performed to align the liquid crystal molecules, and the rubbing process is performed at about 240 °.
A liquid crystal cell is created by bonding both substrates in a twisted manner. Between these two substrates, a liquid crystal sealing layer is screen-printed with an adhesive sealant mixed with a spacer having a diameter of 6.5 μm. Is formed by The liquid crystal layer is sealed by vacuum degassing after forming the liquid crystal sealing layer. In this embodiment, the liquid crystal layer has a trade name of ZLI4
427 (Merck) was used. The retardation of the liquid crystal layer is 650 nm, the same polarizing plate as that used in Example 1 is used, and the retardation of the retardation plate is 350.
nm.

【0073】また、偏光板の透過軸と偏光板に隣接する
液晶分子の配列方向とのなす角度βと位相差板の遅相軸
と位相差板に隣接する液晶分子の配列方向とのなす角度
γとが、
The angle β between the transmission axis of the polarizing plate and the arrangement direction of the liquid crystal molecules adjacent to the polarization plate, and the angle between the slow axis of the retardation plate and the alignment direction of the liquid crystal molecules adjacent to the retardation plate γ is

【0074】[0074]

【数18】0.5β+45°m+7.5°≦γ≦0.5
β+45°m+27.5° (mは整数)の関係を満たすようにそれぞれの軸を設定
した。このようにして作成した表示装置のコントラスト
測定を行った所、実施例1と同様の偏光度−コントラス
ト特性が得られた。ただし、コントラスト測定では図1
3の偏光板は取り外してある。前記実施例では表示モー
ドとして偏光板を1枚と位相差板を用いて並行配向させ
た表示モード、ツイスト配向させたモードを取り上げた
が、これに限定することなく例えば、同じ構造で強誘電
性LCDで使用される複屈折表示モード等、本発明に係
わる反射型アクティブマトリクス基板及びそのパネル構
成法への適用は可能である。
[Expression 18] 0.5β + 45 ° m + 7.5 ° ≦ γ ≦ 0.5
Each axis was set so as to satisfy the relationship of β + 45 ° m + 27.5 ° (m is an integer). When the contrast of the display device thus manufactured was measured, the same degree of polarization-contrast characteristics as in Example 1 were obtained. However, in contrast measurement, FIG.
The polarizing plate of No. 3 has been removed. In the above-described embodiment, a display mode in which one polarizing plate is aligned in parallel by using one polarizing plate and a phase difference plate, and a mode in which twist alignment is performed are taken as examples of the display mode. The reflection type active matrix substrate according to the present invention, such as a birefringence display mode used in an LCD, and its application to a panel configuration method are possible.

【0075】スイッチング素子としてTFTを用いた場
合に次いて説明したが、他の例えばMIM(Metal
−Insulator−Metal)素子、ダイオー
ド、バリスタ等を用いたアクティブマトリクス基板にも
適用することができる。
The case where a TFT is used as a switching element has been described below. However, for example, an MIM (Metal
-Insulator-Metal) can be applied to an active matrix substrate using an element, a diode, a varistor, or the like.

【0076】また、反射板として感光性樹脂をパターニ
ングする方法、ドライエッチによる方法を説明したが、
その他にサンドブラスト法、ウェットエッチ法なども有
効な作成方法であり適用することができる。
The method of patterning a photosensitive resin as a reflection plate and the method of dry etching have been described.
In addition, a sandblasting method, a wet etching method, and the like are also effective production methods and can be applied.

【0077】[0077]

【発明の効果】本発明によれば、反射型液晶表示装置に
本発明の特徴をもつ光反射部材を用いることで、該光反
射部材の前記偏光度を格段に向上でき、入射する直線偏
光が該反射部材によって反射された後も直線偏光に良好
に保持され、入射される楕円偏光が反射後も同一の楕円
偏光であるように、良好に保持される。これにより、本
発明は、従来にない良好なコントラストを有する反射型
液晶表示装置を実現することができる。
According to the present invention, by using a light reflecting member having the features of the present invention in a reflection type liquid crystal display device, the degree of polarization of the light reflecting member can be remarkably improved, and incident linearly polarized light can be reduced. Even after being reflected by the reflecting member, it is satisfactorily maintained as linearly polarized light, and the elliptically polarized light that is incident is well maintained so as to be the same elliptically polarized light even after reflection. As a result, the present invention can realize a reflective liquid crystal display device having a better contrast than ever before.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の反射型液晶表示装置の偏光度−コント
ラスト特性を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a degree of polarization-contrast characteristic of a reflection type liquid crystal display device of the present invention.

【図2】反射板による反射光のストークスパラメータの
測定方法を示す系統図である。
FIG. 2 is a system diagram showing a method for measuring a Stokes parameter of light reflected by a reflector.

【図3】ストークスパラメータの測定系を示す系統図で
ある。
FIG. 3 is a system diagram showing a measurement system of Stokes parameters.

【図4】ストークスパラメータの測定原理を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing the principle of measurement of Stokes parameters.

【図5】本発明の反射板作成方法の一実施例を示す断面
図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing one embodiment of a method for producing a reflector according to the present invention.

【図6】本発明の反射型液晶表示装置のコントラスト測
定方法を示す系統図である。
FIG. 6 is a system diagram showing a method for measuring the contrast of the reflective liquid crystal display device of the present invention.

【図7】本発明の反射型液晶表示装置の一実施例を示す
断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing one embodiment of the reflection type liquid crystal display device of the present invention.

【図8】本発明の反射型液晶表示装置の一実施例の動作
原理を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an operation principle of one embodiment of the reflection type liquid crystal display device of the present invention.

【図9】本発明の反射型アクティブマトリクス基板の製
造工程を示す工程図である。
FIG. 9 is a process chart showing a manufacturing process of the reflective active matrix substrate of the present invention.

【図10】本発明の反射型アクティブマトリクス基板を
用いた反射型液晶表示装置の断面図である。
FIG. 10 is a sectional view of a reflective liquid crystal display device using the reflective active matrix substrate of the present invention.

【図11】本発明の反射板の作成方法の一実施例を示す
断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing one embodiment of a method for producing a reflector according to the present invention.

【図12】本発明の反射型液晶表示装置の一実施例を示
す断面図である。
FIG. 12 is a sectional view showing one embodiment of the reflection type liquid crystal display device of the present invention.

【図13】本発明の反射型液晶表示装置の一実施例を示
す断面図である。
FIG. 13 is a sectional view showing one embodiment of the reflection type liquid crystal display device of the present invention.

【図14】本発明の反射型液晶表示装置の一実施例を示
す断面図である。
FIG. 14 is a sectional view showing one embodiment of the reflection type liquid crystal display device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21、61、75、128、136、147 反射板 22、62 光源 23、26、33、63、66、121、131、14
1 偏光板 24、27、36、64、67、122 1/4波長板 25、65 受光器 31 入射光 32 出射光 34 偏光板の遅相軸 35 偏光板の進相軸 37 光軸 51、71、 81、95、111、123、126、
132、142、145 ガラス基板 52、113 レジスト膜 53、114 フォトマスク 54、112、115 有機絶縁膜 55、116 反射膜 72、97、124、133、143 透明電極 73、93、 98、125、134、144 配向膜 74、99、129、135、148 液晶層 96 カラーフィルタ 88 反射電極 90 TFT(薄膜トランジスタ) 92 凹凸形成樹脂 96a 透過部 96b 遮光層 127、146 透明樹脂
21, 61, 75, 128, 136, 147 Reflecting plate 22, 62 Light source 23, 26, 33, 63, 66, 121, 131, 14
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polarizing plate 24, 27, 36, 64, 67, 122 Quarter-wave plate 25, 65 Light receiver 31 Incident light 32 Outgoing light 34 Slow axis of polarizing plate 35 Fast axis of polarizing plate 37 Optical axis 51, 71 , 81, 95, 111, 123, 126,
132, 142, 145 Glass substrates 52, 113 Resist films 53, 114 Photomasks 54, 112, 115 Organic insulating films 55, 116 Reflective films 72, 97, 124, 133, 143 Transparent electrodes 73, 93, 98, 125, 134 , 144 alignment film 74, 99, 129, 135, 148 liquid crystal layer 96 color filter 88 reflective electrode 90 TFT (thin film transistor) 92 irregularity forming resin 96 a transmitting part 96 b light shielding layer 127, 146 transparent resin

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/1335 520 G02F 1/13 101 G02F 1/1343 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G02F 1/1335 520 G02F 1/13 101 G02F 1/1343

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 光が入射する側に配置され、電気絶縁性
及び透光性を有し、一方側に透明電極が形成されている
第1基板と、該第1基板と液晶層を介して対向配置さ
れ、入射光を反射する光反射部材が配置されている電気
絶縁性を有する第2基板と、該第1基板に光の入射側に
設けられている偏光板とを備える反射型液晶表示装置
製造方法において、 該第2基板上の液晶層側に有機絶縁膜を塗布する工程
と、 該有機絶縁膜を露光および現像処理して複数の凹凸を形
成する工程と、 該複数の凹凸を熱処理して滑らかな形状の凹凸を形成す
る工程と、 該滑らかな凹凸上に該滑らかな凹凸に沿うように有機絶
縁膜を形成する工程と、 該有機絶縁膜上に光反射部材を形成する工程とを有し、 光反射部材による反射光の下式で表される偏光度V 【数2】 0、S1、S2、S3:光反射部材に円偏光を入射して得
られる反射光のストークスのパラメータ。 S1:水平直線偏光成分、S2:45°直線偏光成分、 S3:右円偏光成分、S0:光強度 が、少なくとも50%以上であるように選ばれることを
特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
A first substrate having an electrical insulation property and a light-transmitting property, and a transparent electrode formed on one side; and a first substrate and a liquid crystal layer interposed therebetween. A reflection type liquid crystal display comprising: a second substrate having electrical insulation provided with a light reflection member disposed to face and reflecting incident light; and a polarizing plate provided on the first substrate on a light incident side. apparatus of
A step of applying an organic insulating film on the liquid crystal layer side on the second substrate in the manufacturing method
Exposing and developing the organic insulating film to form a plurality of irregularities.
Forming a plurality of irregularities and heat-treating the plurality of irregularities to form smooth-shaped irregularities.
And removing the organic material along the smooth irregularities on the smooth irregularities.
Forming a Enmaku, and forming a light reflecting member on the organic insulating film, [2 Number] polarization degree V of the following formulas of the reflected light by the light reflecting member S 0 , S 1 , S 2 , S 3 : Stokes parameters of reflected light obtained by making circularly polarized light incident on the light reflecting member. S 1 : horizontal linearly polarized light component, S 2 : 45 ° linearly polarized light component, S 3 : right circularly polarized light component, S 0 : light intensity is selected to be at least 50% or more.
A method for manufacturing a reflective liquid crystal display device.
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