JP2911594B2 - Vacuum valve - Google Patents

Vacuum valve

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JP2911594B2
JP2911594B2 JP32755990A JP32755990A JP2911594B2 JP 2911594 B2 JP2911594 B2 JP 2911594B2 JP 32755990 A JP32755990 A JP 32755990A JP 32755990 A JP32755990 A JP 32755990A JP 2911594 B2 JP2911594 B2 JP 2911594B2
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【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、特に低サージ性および大電流遮断性の両者
を兼備した真空バルブに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Purpose of the Invention] (Industrial application field) The present invention particularly relates to a vacuum valve having both a low surge property and a large current interruption property.

(従来の技術) 真空中でのアーク拡散性を利用して高真空中で電流し
ゃ断を行なわせる真空バルブの接点は、対向する固定、
可動の2つの接点から構成されている。この真空バルブ
を用いて、電動機負荷などの誘導性回路の電流をしゃ断
するとき、過度の異常サージ電圧が発生し、負荷機器を
破壊させる恐れがある。
(Prior art) The contacts of a vacuum valve that interrupts current in a high vacuum using arc diffusivity in a vacuum are fixed,
It is composed of two movable contacts. When the current in an inductive circuit such as a motor load is cut off by using this vacuum valve, an excessive abnormal surge voltage is generated, and there is a possibility that the load device may be destroyed.

この異常サージ電圧の発生原因は、主として、真空中
における小電流しゃ断時に発生するさい断現象(交流電
流波形の自然ゼロ点を待たずに強制的に電流しゃ断が行
われること)によるものである。
The cause of the occurrence of the abnormal surge voltage is mainly due to the interruption phenomenon that occurs when a small current is interrupted in a vacuum (current interruption is performed without waiting for the natural zero point of the AC current waveform).

さい断現象による異常サージ電圧の値Vsは、回路のサ
ージインピーダンスZoと、電流さい断値Icの積、すなわ
ちVs=Zo・Icで表される。従って、異常サージ電圧Vsを
低くするためには電流さい断値Icを小さくしなくてはな
らない。
The value Vs of the abnormal surge voltage due to the disconnection phenomenon is represented by the product of the surge impedance Zo of the circuit and the current disconnection value Ic, that is, Vs = Zo · Ic. Therefore, in order to lower the abnormal surge voltage Vs, the current break value Ic must be reduced.

上記の要求に対して、炭化タングステン(WC)と銀
(Ag)とを複合化した合金の接点を用いた真空開閉器が
開発され(特願昭42−68447号、米国特許第3683138
号)、これが実用化されている。
In response to the above requirements, a vacuum switch using contacts made of an alloy of a composite of tungsten carbide (WC) and silver (Ag) has been developed (Japanese Patent Application No. 42-68447, US Pat. No. 3,683,138).
No.), which has been put to practical use.

このAg−WC系合金の接点は、 (1) WCの介在が電子放射を容易にさせ、 (2) 電界放射電子の衝突による電極面の加熱に基づ
く接点材料の蒸発を促進させ、更に、 (3) 接点材料の炭化物がアークにより分解し、荷電
体を生成してアークを接続する等の点で優れた低さい断
電流特性を発揮する。
The contact of the Ag-WC alloy has the following features: (1) WC facilitates electron emission; (2) promotes evaporation of the contact material based on heating of the electrode surface due to the collision of field emission electrons; 3) Carbide of the contact material is decomposed by the arc, generates a charged body, and exhibits excellent low breaking current characteristics in that the arc is connected.

また、低さい断電流特性を発揮する他の接点材料とし
て、ビスマス(Bi)と銅(Cu)とを複合化した合金が製
造され、この材料が真空バルブに実用化されている(特
公昭35−14974号、米国特許第2975256号、特公昭41−12
131号、米国特許第3246979号)。この合金のうち、Biを
10重量%(以下wt%)としたもの(特公昭35−14974
号)は、その適度な蒸気圧特性を有するので、低いさい
断電流特性を発揮し、また、Biを0.5wt%としたもの
(特公昭41−12131号)は、結晶粒界に偏析して存在す
る結果、合金自体を脆化し、低い溶着引外力を実現し大
電流しゃ断性に優れている。
In addition, as another contact material exhibiting low breaking current characteristics, an alloy in which bismuth (Bi) and copper (Cu) are compounded has been manufactured, and this material has been put to practical use in vacuum valves (Japanese Patent Publication No. No. -14974, U.S. Pat.No. 2,975,256, Japanese Patent Publication No. 41-12
131, US Patent No. 3246979). Of this alloy, Bi
10% by weight (hereinafter referred to as wt%) (Japanese Patent Publication No. 35-14974)
No.) has a low vapor current characteristic because of its moderate vapor pressure characteristics, and the one with Bi of 0.5 wt% (JP-B No. 41-12131) segregates at the grain boundaries. As a result, the alloy itself is embrittled, a low welding pull-out force is realized, and the high current breaking performance is excellent.

低さい断電流特性を得る他の接点材料として、AgとCu
との比率をほぼ7:3としたAg−Cu−WC合金が提案されて
いる(特開昭58−157015号)。この合金において、従来
にない限定をしたAgとCuとの比率を選択するので、安定
したさい断電流特性を発揮すると記載されている。
Ag and Cu are other contact materials with low breaking current characteristics.
Ag-Cu-WC alloys having a ratio of about 7: 3 have been proposed (JP-A-58-157015). It is described that in this alloy, the ratio of Ag and Cu, which is not limited in the past, is selected, so that it exhibits stable current-breaking characteristics.

更に、特開昭62−77439号公報には、耐弧性材料の粒
径(例えば、WCの粒径)を0.2〜1μmとすることによ
り、低さい断電流特性の改善に有効であることが示唆さ
れている。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-77439 discloses that by setting the particle size of the arc-resistant material (for example, the particle size of WC) to 0.2 to 1 μm, it is effective to improve the low breaking current characteristics. Is suggested.

また、特願平1−108742号公報には、高導電成分を偏
在させることなく均一化することにより、低サージ性が
得られることが示唆されている。
Also, Japanese Patent Application No. 1-108742 suggests that a low surge property can be obtained by homogenizing high conductive components without uneven distribution.

一方、大電流化を指向した接点としては、前述のCu−
Bi合金の他、Cu−Te合金も知られている(特公昭44−23
751号公報)、また、Cu−Cr合金材料も高耐圧大電流用
として優れた特性を有している。
On the other hand, the contacts for increasing the current are the Cu-
In addition to Bi alloys, Cu-Te alloys are also known (JP-B-44-23)
No. 751), and a Cu—Cr alloy material also has excellent characteristics for high withstand voltage and high current use.

(発明が解決しようとする課題) 真空遮断器には、基本的な特性として、大電流遮断性
能が要求されるが、近年、電動機などの誘導性回路に適
用されることが一層増えるとともに、高サージインピー
ダンス負荷も出現したため、優れた低サージ特性をも兼
備しなくてはならなくなってきている。
(Problems to be Solved by the Invention) A vacuum circuit breaker is required to have a large current breaking performance as a basic characteristic. However, in recent years, it has been increasingly applied to an inductive circuit such as an electric motor, and With the emergence of surge impedance loads, it has become necessary to combine excellent low surge characteristics.

低サージ性を持たせるには、接点からの蒸気放出が十
分でなくてはならない。一方、大電流遮断を可能とする
には、放出した蒸気を素早く拡散させなければならない
ことはもちろんのこと、実際の使用時即ち大電流通電時
に、接点の温度上昇を低く抑える必要性から導電率はあ
る程度大きくなければならない。
In order to have a low surge property, there must be sufficient vapor release from the contacts. On the other hand, in order to enable high-current interruption, the released steam must be quickly diffused, and the conductivity must be kept low during actual use, that is, when a large current is applied. Must be somewhat large.

従来、これらの両特性を同時に満足させる接点材料は
なかった。
Heretofore, there has been no contact material that satisfies both these characteristics simultaneously.

WCとAgとを複合化した合金の接点(特願昭42−68447
号、米国特許第3683138号)では、さい断電流値自体が
不十分である。
Contact point of alloy combining WC and Ag (Japanese Patent Application No. 42684684)
No. 3,683,138), the breaking current value itself is insufficient.

10wt%のBiとCuとを複合化した合金(特公昭35−1497
4号、米国特許第2975256号)では、開閉回数の増大と共
に電極間空間への金属供給量が減少し、低さい断電流特
性の劣化が現れ、高蒸気圧元素量に依存して耐電圧特性
の劣化も指摘されている。
An alloy composed of 10 wt% Bi and Cu (Japanese Patent Publication No. 35-1497)
No. 4, U.S. Pat. No. 2,975,256), the amount of metal supplied to the interelectrode space decreases with an increase in the number of times of opening and closing, and the degradation of low breaking current characteristics appears. Withstand voltage characteristics depend on the amount of high vapor pressure elements. Has also been pointed out.

0.5wt%のBiとCuとを複合化した合金(特公昭41−121
31号、米国特許第3246979号)では、低さい断電流特性
が不十分である。
0.5wt% Bi and Cu composite alloy (Japanese Patent Publication No. 41-121)
No. 31, U.S. Pat. No. 32,469,795), the low breaking current characteristics are insufficient.

また、AgとCuとの重量比率をほぼ7:3としたAg−Cu−W
C合金(特開昭58−157015号)、耐弧性材料の粒径を0.2
〜1μmとする合金(特開昭62−77439号)および、そ
の高導電成分を偏在させることなく均一化した、Ag−Cu
−WC合金(特願平1−108742号公報)では、優れた低サ
ージ性を得ることができるものの、金属蒸気を放出しや
すくすることを目的として、接点材料の導電率を低くし
ているために、十分な大電流遮断特性を発揮し得ない。
In addition, Ag-Cu-W in which the weight ratio of Ag and Cu was approximately 7: 3
C alloy (JP-A-58-157015), the particle size of the arc resistant material is 0.2
Alloy having a thickness of about 1 μm (Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-77439) and Ag-Cu alloy having a uniform high conductivity component without uneven distribution
-In the WC alloy (Japanese Patent Application No. 1-108742), although excellent low surge property can be obtained, the conductivity of the contact material is lowered for the purpose of facilitating the release of metal vapor. In addition, sufficient high current interruption characteristics cannot be exhibited.

逆に、大電流化を指向したCu−Bi合金、Cu−Te合金、
およびCu−Cr合金では、金属蒸気の放出が少ない上に拡
散も速いため、十分な低サージ性は望めない。
Conversely, Cu-Bi alloy, Cu-Te alloy,
In the case of Cu and Cu-Cr alloys, sufficient low surge cannot be expected because the metal vapor release is small and diffusion is fast.

この発明は、上述の背景に基づきなされたものであ
り、その目的とするところは、優れた大電流遮断性能と
低く安定した低サージ性の両特性を兼備し、苛酷化する
真空遮断器への要求に応える接点材料を提供することで
ある。
The present invention has been made based on the above-described background, and has as its object to combine an excellent large-current interrupting performance and a low and stable low-surge characteristic, and to provide a vacuum circuit breaker that is becoming more severe. The purpose is to provide a contact material that meets the requirements.

〔発明の構成〕[Configuration of the invention]

(課題を解決するための手段) この発明者らは、上記の課題解決のために研究開発を
進めた結果、被アーク部となる部分の接点表面の導電成
分含有量を接点材料の平均の導電成分量より少なくする
ことが、この発明の目的達成に、有効であるとの知見を
得て、この発明を完成させるに至った。
(Means for Solving the Problems) As a result of research and development for solving the above-mentioned problems, the present inventors have determined that the content of the conductive component on the contact surface in the portion to be arced is the average conductivity of the contact material. The inventors have found that reducing the amount of the components is effective in achieving the object of the present invention, and have completed the present invention.

すなわち、この発明の真空バルブは、接点の表面層を
形成する第1層領域とこの第1層領域より内部を形成す
る第2層領域とから構成される真空バルブ用接点であっ
て、前記接点中の第1層領域と第2層領域はAgまたは/
およびCuからなる高導電性成分で連続一体化され、前記
接点中の第2層領域中の平均高導電性成分の量(b)は
接点材料の全量に対し20〜50重量%の範囲にあり、前記
接点中の第1層領域中の平均高導電性成分の量(a)は
前記第2層領域中の平均高導電性成分の量(b)の20〜
80%の範囲にあり、残部が耐弧性成分により構成された
接点、を具備してなること、を特徴とするものである。
That is, the vacuum valve according to the present invention is a vacuum valve contact comprising a first layer region forming a surface layer of the contact and a second layer region forming an interior from the first layer region, The first and second layer regions are made of Ag or /
And the high conductive component consisting of Cu and Cu is continuously integrated, and the amount (b) of the average high conductive component in the second layer region in the contact is in the range of 20 to 50% by weight based on the total amount of the contact material. The amount (a) of the average high conductivity component in the first layer region in the contact is 20 to 20 times the amount (b) of the average high conductivity component in the second layer region.
80%, with the balance comprising a contact made of an arc resistant component.

この発明の好ましい態様において、前記第1層領域の
厚さを150μm以下のものとすることができる。
In a preferred aspect of the present invention, the thickness of the first layer region can be 150 μm or less.

この発明の好ましい他の態様において、前記耐弧性成
分がTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、MoおよびWからなる
群から選ばれる1種以上の金属の金属炭化物からなるも
のとすることができる。
In another preferred embodiment of the present invention, the arc-resistant component comprises one or more metal carbides selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W. can do.

この発明の好ましい他の態様において、前記接点の接
点材料の全量に対し必要に応じて0〜3重量%のFe、Co
およびNiから選ばれる少なくとも1種の補助成分を含有
することができる。
In another preferred embodiment of the present invention, if necessary, 0 to 3% by weight of Fe, Co,
And at least one auxiliary component selected from Ni and Ni.

この発明の好ましい更に他の態様において、高導電性
成分がAgおよびCuからなり、高導電性成分中のAgの比率
が50%以上であるものとすることができる。
In still another preferred embodiment of the present invention, the highly conductive component comprises Ag and Cu, and the ratio of Ag in the highly conductive component may be 50% or more.

発明の具体的説明 以下、図面を参照しつつ、この発明をより具体的に説
明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to the drawings.

真空バルブ 第1図は、真空バルブの断面図、第2図は真空バルブ
の電極部の拡大断面図である。
1. Vacuum Valve FIG. 1 is a sectional view of a vacuum valve, and FIG. 2 is an enlarged sectional view of an electrode portion of the vacuum valve.

第1図に於いて、しゃ断室1は、絶縁材料によりほぼ
円筒状に形成された絶縁容器2と、この両端に封止金具
3a,3bを介して設けた金属性の蓋体4a,4bとで真空密に構
成されている。
In FIG. 1, a shut-off chamber 1 has an insulating container 2 formed of an insulating material in a substantially cylindrical shape, and sealing fittings at both ends thereof.
A metallic cover 4a, 4b provided via 3a, 3b forms a vacuum-tight structure.

前記しゃ断室1内には、導電棒5,6の対向する端部に
取付けられた1対の電極7,8が配設され、上部の電極7
を固定電極、下部の電極8を可動電極としている。また
この電極8の電極棒6には、ベローズ9が取付けられし
ゃ断室1内を真空密に保持しながら電極8の軸方向の移
動を可能にしている。またこのベローズ9上部には金属
性のアークシールド10が設けられ、ベローズ9がアーク
蒸気で覆われることを防止している。又、前記電極7,8
を覆うようにしゃ断室1内に金属性のアークシールド11
が設けられ、これにより絶縁容器2がアーク蒸気で覆わ
れることを防止している。更に電極8は、第2図に拡大
して示す如く導電棒6にろう付部12によって固定される
か、又はかしめによって圧着接続されている。接点13a
は電極8にろう付14によってろう付で取付けられる。な
お、接点13bは電極7にろう付により取付けられる。
A pair of electrodes 7 and 8 attached to opposing ends of the conductive rods 5 and 6 are disposed in the shut-off chamber 1.
Is a fixed electrode, and the lower electrode 8 is a movable electrode. A bellows 9 is attached to the electrode rod 6 of the electrode 8 to enable the electrode 8 to move in the axial direction while keeping the inside of the cutoff chamber 1 vacuum-tight. A metal arc shield 10 is provided on the bellows 9 to prevent the bellows 9 from being covered with the arc vapor. Also, the electrodes 7, 8
A metallic arc shield 11 in the shut-off chamber 1 so as to cover
Is provided, thereby preventing the insulating container 2 from being covered with the arc vapor. Further, the electrode 8 is fixed to the conductive rod 6 by a brazing portion 12 as shown in an enlarged manner in FIG. Contact 13a
Is brazed to the electrode 8 by brazing. The contact 13b is attached to the electrode 7 by brazing.

第3図は本発明の接点材料の拡大断面図であり、接点
は接点表面層を形成する第1層領域15とこの第1層領域
より内部を形成する第2層領域13とから構成されてい
る。
FIG. 3 is an enlarged sectional view of the contact material of the present invention. The contact is composed of a first layer region 15 forming a contact surface layer, and a second layer region 13 forming an interior from the first layer region. I have.

接 点 本発明の真空バルブ用接点は、接点表面層を形成する
第1層領域とこの第1層領域より内部を形成する第2層
領域とから構成されている。
The contact for a vacuum valve according to the present invention includes a first layer region forming a contact surface layer, and a second layer region forming an interior from the first layer region.

電流さい断現象は、アークの陰極点における物質およ
びエネルギーバランスの崩壊によって生ずる現象であ
る。この陰極点の大きさは、高々100μm程度であり、
従って、接点材料のさい断特性は、材料の平均的な物性
より、極表面の物性への依存性が強い。
The current interruption phenomenon is a phenomenon caused by the breakdown of the material and energy balance at the cathode point of the arc. The size of this cathode spot is at most about 100 μm,
Therefore, the breaking characteristics of the contact material depend more on the physical properties of the extreme surface than on the average physical properties of the material.

さい断電流値は接点材料の熱伝導率に強く依存してい
るため、例えばAg/Cu−WC−Co接点材料は優れた電流さ
い断特性を有しているが、導電率が低いため、十分大き
な電流を流すことができない。
Since the breaking current value strongly depends on the thermal conductivity of the contact material, for example, Ag / Cu-WC-Co contact material has excellent current breaking characteristics, but the conductivity is low. A large current cannot be passed.

従って、低サージ性であり、しかも大電流しゃ断を可
能とするためには、接点表面の熱伝導率(あるいは導電
率)を低くし、しかも全体の(平均の)熱伝導率(ある
いは導電率)は、ある程度高くしなければならない。
Therefore, in order to have a low surge property and to enable a large current interruption, the thermal conductivity (or electrical conductivity) of the contact surface is reduced, and the overall (average) thermal conductivity (or electrical conductivity) is reduced. Must be somewhat high.

このため本発明の接点は、接点表面を形成する第1層
領域を相対的に熱伝導率(あるいは導電率)の低い材料
で構成し、この第1層領域より内部を形成する第2層領
域を第1層領域を形成する材料よりも相対的に熱伝導率
(あるいは導電率)の高い材料で構成してなるものであ
る。ここで第2層領域は接点の大部分を占めるので、接
点全体の熱伝導率(あるいは導電率)は、第2層領域の
熱伝導率(あるいは導電率)によりほぼ支配されること
になる。
Therefore, in the contact of the present invention, the first layer region forming the contact surface is made of a material having a relatively low thermal conductivity (or electric conductivity), and the second layer region forming the inside from the first layer region is formed. Is made of a material having a relatively higher thermal conductivity (or electrical conductivity) than the material forming the first layer region. Here, since the second layer region occupies most of the contact, the thermal conductivity (or conductivity) of the entire contact is substantially controlled by the thermal conductivity (or conductivity) of the second layer region.

上記第1層領域の厚さ、すなわち、接触部最表面部か
ら深さ方向への距離は、150μm以下であることが好ま
しく、さらに好ましくは100μm以下である。この所定
値を越える値では、低サージ性を確保するための接点か
らの導電性成分の蒸気放出を必要量だけ行わせる温度に
達せず、一方、この厚さが所定値未満では、少なすぎる
導電性成分量のため蒸発による導電性成分の枯渇現象が
開閉回数の経過とともに起こり、低サージ性の低下、接
触抵抗温度上昇特性の不安定さが生ずる。
The thickness of the first layer region, that is, the distance from the outermost surface of the contact portion in the depth direction is preferably 150 μm or less, and more preferably 100 μm or less. At a value exceeding the predetermined value, the temperature does not reach a temperature at which the required amount of vaporization of the conductive component is released from the contact for ensuring low surge properties. Due to the amount of the conductive component, a phenomenon of depletion of the conductive component due to evaporation occurs with the passage of the number of times of opening / closing, resulting in lowering of the low surge property and instability of the characteristic of increasing the contact resistance temperature.

上記の第1層領域と第2層領域とはAgまたは/および
Cuよりなる高導電性成分で連続一体化されてなる。ここ
で高導電性成分で連続一体化されてなるというのは、界
面が明確に存在している場合と存在していない場合の双
方を含むものとし、両領域が実質的に一体化されていれ
ば足りることを意味する。
The first layer region and the second layer region are made of Ag and / or
It is continuously integrated with a highly conductive component made of Cu. Here, being continuously integrated with the highly conductive component includes both a case where the interface is clearly present and a case where the interface is not present, provided that both regions are substantially integrated. Means enough.

上記第1層領域と第2層領域中の高導電性成分として
は、Agまたは/およびCuが用いられる。両層のうち一方
がAgのみまたはCuのみで他方がAgおよびCuの共存した場
合、両方ともにAgおよびCuの共存した場合のいずれの場
合にも安定したさい断特性が得られる。この高導電性成
分としては、AgおよびCuからなり、高導電性成分中のAg
の比率が50%以上であることが好ましい。
Ag or / and Cu is used as the highly conductive component in the first layer region and the second layer region. When one of the two layers contains only Ag or only Cu and the other coexists with Ag and Cu, a stable cutting characteristic can be obtained in both cases where both Ag and Cu coexist. The highly conductive component is composed of Ag and Cu, and the Ag in the highly conductive component is Ag.
Is preferably 50% or more.

前記接点中の第2層領域中の平均高導電性成分の量
(b)は接点材料の全量に対し20〜50重量%の範囲であ
る。
The amount (b) of the average highly conductive component in the second layer region in the contact is in the range of 20 to 50% by weight based on the total amount of the contact material.

接点中の高導電性成分の量が20重量%未満では、接点
材料の通電時の温度上昇が高くなってしまうため、好ま
しくない。この種の焼結系の接点材料において、しばし
ば電流しゃ断不能の原因となる集中アーク放電の発生も
陽極の温度上昇による陽極からの過剰な金属蒸気の発生
によるものであり、これを防止するためにも、接点中の
高導電性成分の量はある程度の量を必要とし、また、導
電材料としては、でき得る限り、導電率の高いものを用
いることが好ましく、最低でも、20IACS%以上である必
要がある。しかし、接点中の高導電性成分の量が50重量
%を越えると、さい断特性の劣化を招くので好ましくな
い。
If the amount of the highly conductive component in the contact is less than 20% by weight, the temperature rise during energization of the contact material is undesirably high. In this type of sintered contact material, the occurrence of concentrated arc discharge, which often causes current interruption, is also due to the generation of excess metal vapor from the anode due to the temperature rise of the anode. Also, the amount of the highly conductive component in the contact requires a certain amount, and as the conductive material, it is preferable to use a material with high conductivity as much as possible, and at least 20 IACS% or more There is. However, if the amount of the highly conductive component in the contact exceeds 50% by weight, the cutting characteristics are deteriorated, which is not preferable.

本発明における前記接点中の第1層領域中の平均高導
電性成分の量(a)は、前記第2層領域中の平均高導電
性成分の量(b)の20〜80%の範囲である。すなわち、
この制限によれば、第1層領域中の高導電性成分の量
(a)の範囲は、接点材料を基準として4〜40重量%に
相当する。(a)が4重量%未満では、放電に伴う接点
表面の導電性成分の蒸発による消失により、接点表面温
度が局所的に極端に高くなるため、しゃ断特性が低下す
る。また、第1層領域中の導電性成分の蒸発による局部
的に消失した部分にアークが当たって大きな電流で電流
さい断が発生するため、さい断特性も同時に劣化(さい
断値自体が高いのみならずばらつきも大きい)する。一
方(a)が40重量%を越えると、さい断値が高くなり好
ましくない。
In the present invention, the amount (a) of the average high conductive component in the first layer region in the contact is in the range of 20 to 80% of the amount (b) of the average high conductive component in the second layer region. is there. That is,
According to this limitation, the range of the amount (a) of the highly conductive component in the first layer region corresponds to 4 to 40% by weight based on the contact material. When (a) is less than 4% by weight, the contact surface temperature becomes extremely high locally due to the disappearance of the conductive component on the contact surface due to the discharge due to the discharge, so that the cutoff characteristics deteriorate. In addition, since an arc is applied to a portion that has been locally lost due to evaporation of the conductive component in the first layer region and current interruption occurs with a large current, the interruption characteristics are simultaneously deteriorated (only the interruption value itself is high). But the variation is large). On the other hand, when the content of (a) exceeds 40% by weight, the breaking value is undesirably increased.

本発明において、接点材料のうち導電性成分を除く残
部は耐弧性成分により構成される。この耐弧性成分とし
ては、一般に融点が2500K以上の高温でも安定な物質で
ある必要がある。
In the present invention, the rest of the contact material excluding the conductive component is constituted by the arc-resistant component. The arc resistant component generally needs to be a substance that is stable even at a high temperature of a melting point of 2500 K or more.

さい断電流値は、単に熱伝導率を低くしただけでは十
分低くならない。たとえばAg/Cu−WC−Co接点材料では
電流減少にともない、アーク・プラズマからのイオン衝
突による入力エネルギーが減少しても、融点が高いた
め、アークにより固体あるいは液体として高温まで加熱
されたWCから、その冷却にともない顕熱が放出され、低
い電流値までアークの維持に必要なだけの金属蒸気を維
持し得る。このように、耐弧材は、接点材料の熱伝導率
を低く抑えるばかりでなく、電流減少時にアーク維持材
である導電材の冷却を緩和する役割を担っているので、
さい断電流値を低く抑えるには、融点が2500K以上の高
温でも安定な物質である必要がある。
The breaking current value does not become sufficiently low simply by reducing the thermal conductivity. For example, in the case of Ag / Cu-WC-Co contact material, even if the input energy due to the ion collision from the arc plasma is reduced due to the decrease in current, the melting point is high, so the WC heated to a high temperature as a solid or liquid by the arc is used. The sensible heat is released with the cooling, and the metal vapor required for maintaining the arc can be maintained to a low current value. As described above, the arc-resistant material not only keeps the thermal conductivity of the contact material low, but also plays a role in relaxing the cooling of the conductive material that is the arc maintaining material when the current decreases.
In order to keep the breaking current low, the material must be stable even at a high melting point of 2500K or higher.

このような耐弧材としては、具体的には、Ti、Zr、H
f、V、Nb、Ta、Cr、MoおよびWからなる群から選ばれ
る1種以上の金属の金属炭化物、すなわち、TiC、ZrC、
HfC、VC、NbC、TaC、Cr3C2、Mo2C、WCからなる群から選
ばれる1種以上、が好ましい。
As such arc-resistant materials, specifically, Ti, Zr, H
f, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W, a metal carbide of one or more metals selected from the group consisting of TiC, ZrC,
One or more selected from the group consisting of HfC, VC, NbC, TaC, Cr 3 C 2 , Mo 2 C, and WC are preferred.

補助成分として必要に応じFe、Co、Niから選ばれる一
種以上の成分を、焼結助剤として含めることができる。
その含有量は、接点材料の全量に対して0〜3重量%の
範囲が好ましい。補助成分がゼロでも、さい断値にある
程度のばらつきが見られるものの、さい断値は概して低
い特徴がある。一方3重量%を越えるとさい断特性が急
速に低下する。
If necessary, one or more components selected from Fe, Co, and Ni can be included as sintering aids as auxiliary components.
The content is preferably in the range of 0 to 3% by weight based on the total amount of the contact material. Even when the auxiliary component is zero, although the threshold value has some variation, the threshold value is generally low. On the other hand, when the content exceeds 3% by weight, the breaking characteristics rapidly decrease.

接点材料の製造法 次に、この接点材料の製造方法の一例につき説明す
る。
Next, an example of a method for manufacturing the contact material will be described.

ここでは高導電材がAgまたはAg−Cuの合金、耐弧材が
WC、そして焼結助剤がCoであるAgまたは/およびCu−WC
−Co接点材料の場合について主として示す。
Here, the highly conductive material is Ag or Ag-Cu alloy, and the arc resistant material is
WC, and Ag or / and Cu-WC whose sintering aid is Co
The case of -Co contact material is mainly shown.

製造に先立って、必要粒径別に耐弧性成分および補助
成分を分類する。分類作業は例えば篩分けと沈降法とを
併用して行うことで容易に所定粒径の粉末を得る。まず
所定粒径のWCとCoおよび/またはCを所定量および、WC
粒径より十分大きい所定粒径のAgを所定量の一部用意
し、これらを混合し、その後加圧成型して粉末成形体を
得る。
Prior to production, the arc resistant components and auxiliary components are classified according to the required particle size. The classification operation is performed by using, for example, a sieving method and a sedimentation method in combination to easily obtain a powder having a predetermined particle size. First, a predetermined amount of WC, Co and / or C having a predetermined particle size, and WC
A predetermined amount of Ag having a predetermined particle size that is sufficiently larger than the particle size is prepared, mixed, and then pressed and molded to obtain a powder compact.

ついで、この粉末成形体を露点が−50℃以下の水素雰
囲気或いは真空度が、1.3×10-1Pa以下で、所定温度、
例えば1150℃×1時間にて仮焼結し、仮焼結体を得る。
Then, the powder compact was subjected to a hydrogen atmosphere having a dew point of −50 ° C. or less or a degree of vacuum of 1.3 × 10 −1 Pa or less at a predetermined temperature,
For example, it is temporarily sintered at 1150 ° C. × 1 hour to obtain a temporarily sintered body.

ついで、この仮焼結体の残存空孔中に所定量のAg又は
/及びCuを1150℃×1時間で溶浸しAg又は/及びCu−Co
−WC合金を得る。溶浸は主として真空中で行うが、水素
中でも可能である。
Next, a predetermined amount of Ag or / and Cu is infiltrated into the residual pores of this temporary sintered body at 1150 ° C. × 1 hour, and Ag and / or Cu—Co
-Obtain WC alloy. The infiltration is performed mainly in a vacuum, but is also possible in hydrogen.

Coを配合しないAg又は/及びCu−WCについても同様で
ありカーボンは、WC或いはAg又は/及びCuといずれか又
は双方に、あらかじめ混合させておき、仮焼結体を得
る。
The same applies to Ag- and / or Cu-WC containing no Co. Carbon is preliminarily mixed with WC or Ag and / or Cu, or both, to obtain a temporarily sintered body.

尚、Ag及びCuの双方が存在する場合の合金中の導電成
分の比率Ag/(Ag+Cu)の制御は、次の様にして行っ
た。例えばあらかじめ所定比率Ag/(Ag+Cu)を有する
インゴットを、温度1200℃、真空度1.3×10-2Paで真空
溶解を行い、切断し溶浸用素材として用いた。導電成分
の比率Ag/(Ag+Cu)の制御の他の方法は仮焼結体を作
る際、あらかじめ、所定量の一部をWC中に混合させてお
き後から残余のAg又はAg+Cuを溶浸させることでも、所
望組成の接点合金を得ることが出来る。
The control of the ratio Ag / (Ag + Cu) of the conductive component in the alloy when both Ag and Cu were present was performed as follows. For example, an ingot having a predetermined ratio of Ag / (Ag + Cu) was subjected to vacuum melting at a temperature of 1200 ° C. and a degree of vacuum of 1.3 × 10 −2 Pa, cut, and used as a material for infiltration. Another method of controlling the ratio of conductive components Ag / (Ag + Cu) is to mix a predetermined amount of WC in advance before making a temporary sintered body, and then infiltrate the remaining Ag or Ag + Cu. This also makes it possible to obtain a contact alloy having a desired composition.

この様にして作製した組成が均一な接点は、例えば60
0℃の温度に、所定時間置くことにより表面のみ導電成
分量を減少させることができる。
A contact having a uniform composition produced in this manner is, for example, 60 contacts.
By placing the film at a temperature of 0 ° C. for a predetermined time, the amount of the conductive component only on the surface can be reduced.

接点材料中に含まれる導電成分には、粉末配合時に導
入されたものと、溶浸時に導入されたものの2種類あ
る。前者は接点材料中に島状に分布し、その大きさは、
配合時のAg又は/及びCu粉末の大きさ程度でこの場合は
約44μm、一方後者は粒子間が5μm以下のWCスケルト
ン間に存在している。接点の加工面にはこの両者が混在
しているが、導電成分の融点以上の温度において加熱を
行えば、導電成分は再溶融するため、表面張力のつりあ
いから、接点表面のWC粒子間距離の広い部分からは、導
電成分がなくなり(スケルトン内部にひきこまれ、その
分だけろうづけ部分からしみだす)、結果として接点表
面(第1層領域)の導電成分量を減少させることが出来
る。
There are two types of conductive components contained in the contact material, those introduced during powder compounding and those introduced during infiltration. The former is distributed in the form of islands in the contact material, and its size is
In this case, the size of the Ag or / and Cu powder at the time of compounding is about 44 μm in this case, while the latter is present between WC skeletons having a particle size of 5 μm or less. Both are mixed on the processed surface of the contact, but if heating is performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the conductive component, the conductive component will re-melt. The conductive component disappears from the wide part (into the inside of the skeleton and exudes from the brazed part correspondingly), and as a result, the amount of the conductive component on the contact surface (first layer region) can be reduced.

また、第1層領域の高導電性成分を、第2層領域のそ
れより所定量少なくする手段の別の技術は、上記の様に
して作製した組成が均一な接点の一方の面を少なくとも
1KVを多数回放電させる電圧コンディショニング又は、
少なくとも1KAを多数回しゃ断させる電流コンディショ
ニングを与えることで、いずれもその回数とエネルギー
を調整することで第1層領域の厚さ(深さ)を制御す
る。
Another technique for reducing the amount of the highly conductive component of the first layer region by a predetermined amount from that of the second layer region is to provide at least one surface of a contact having a uniform composition produced as described above.
Voltage conditioning that discharges 1KV many times or
By applying current conditioning that interrupts at least 1 KA many times, the number and energy of each are adjusted to control the thickness (depth) of the first layer region.

更に、第1層領域の高導電性成分を第2層領域のそれ
より所定量少なくする他の技術は、所定量の組成を有す
る合金を別々に作製し、これらを重ね合わせて得る方法
である。
Further, another technique for reducing the high conductivity component of the first layer region by a predetermined amount from that of the second layer region is to separately produce alloys having a predetermined amount of composition and obtain them by overlapping them. .

(実施例) 次に、本発明の実施例データを得た評価方法、および
評価条件につき述べる。
(Example) Next, an evaluation method and an evaluation condition for obtaining the example data of the present invention will be described.

(1)電流さい断特性 各接点を取付けて10-3Pa以下に排気した組立て式真空
バルブを製作し、この装置を0.8m/秒の開極速度で開極
させ遅れ小電流をしゃ断した時のさい断電流を測定し
た。しゃ断電流は20A(実効値)、50Hzとした。開極位
相はランダムに行い500回しゃ断されたときのさい断電
流を接点数3個につき測定しその平均値および最大値を
第1〜2表に示した。
(1) Current cut-off characteristics When an assembling type vacuum valve with each contact mounted and evacuated to 10 -3 Pa or less is manufactured, when this device is opened at an opening speed of 0.8 m / sec and a small delay current is cut off The breaking current was measured. The breaking current was 20 A (effective value) and 50 Hz. The opening phase was random, and the breaking current when the circuit was cut off 500 times was measured for three contacts. The average and maximum values are shown in Tables 1-2.

(2)大電流遮断特性 遮断試験をJEC規格の5号試験で行い、これにより接
点材料の遮断特性を評価した。
(2) Large current breaking characteristics The breaking test was performed by JEC Standard No. 5 test, and the breaking characteristics of the contact material were evaluated by this.

(3)高導電性成分の量 X線マイクロ・アナライザーによって100%の導電性
成分のX線強度を100とし、各接点表面のX線強度を測
定し、これらの相対比較によって成分量とした。
(3) Amount of Highly Conductive Component The X-ray intensity of 100% of the conductive component was set to 100 by an X-ray microanalyzer, and the X-ray intensity of each contact surface was measured.

実施例1〜3、比較例1〜2 接点中の第1層領域中の高導電性成分の量(a)と第
2層領域中の高導電性成分の量(b)との比 の値をほぼ20%と一定とした試料では、第2層領域中の
高導電性成分の量(b)が少なもすぎるとさい断値が高
い(劣る)のみならず、ばらつき幅が大きく、更にしゃ
断特性充分でない(比較例−1)。一方この数値(b)
が75%の場合には同様さい断特性が劣る(比較例−
2)。従って、第2層領域中の高導電性成分の量(b)
の値は、20〜50wt%の範囲が好ましい。
Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 2 Ratio of the amount (a) of the highly conductive component in the first layer region in the contact and the amount (b) of the highly conductive component in the second layer region In the sample in which the value of (b) was constant at approximately 20%, when the amount (b) of the highly conductive component in the second layer region was too small, not only the break value was high (poor), but also the variation width was large. Further, the breaking characteristics are not sufficient (Comparative Example-1). On the other hand, this numerical value (b)
Is 75%, the breaking characteristics are similarly inferior (Comparative Example-
2). Therefore, the amount (b) of the highly conductive component in the second layer region
Is preferably in the range of 20 to 50% by weight.

実施例4〜6、比較例−3 前記した実施例1〜3、比較例1〜2では、 値がほぼ20%のものにつき述べたが、この値が40〜80%
(実施例4〜6)でも良好なさい断特性としゃ断特性を
示すが、この値 が150%では、さい断値が高くなり好ましくない。
Examples 4 to 6, Comparative Example-3 In Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 described above, I mentioned about a value of almost 20%, but this value is 40-80%
(Examples 4 to 6) show good breaking characteristics and breaking characteristics. If it is 150%, the threshold value is undesirably high.

上記実施例1〜6のように、第1層領域中の高導電性
成分の量(a)は、1以下〜52.5wt%まで変化してい
る。第1表からわかるように第1層領域中の高導電性成
分の量(a)が、第2層領域中のそれ(b)に比べ小さ
くかつ所定範囲内にあるとき、さい断特性に優れている
ことが判る。すなわち(a)が所定値以内では、さい断
値が小さくなっている。また、4wt%(実施例−1)以
上においては接点のしゃ断特性も合格値を示している。
As in Examples 1 to 6, the amount (a) of the highly conductive component in the first layer region varies from 1 to 52.5 wt%. As can be seen from Table 1, when the amount (a) of the highly conductive component in the first layer region is smaller than that (b) in the second layer region and within a predetermined range, the cutting characteristics are excellent. You can see that That is, when (a) is within the predetermined value, the threshold value is small. In addition, at 4 wt% or more (Example-1), the breaking characteristics of the contacts also show acceptable values.

一方、(a)が1wt%以下(比較例−1)では、しゃ
断特性の低下(不合格)が見られているが、これは放電
に伴う接点表面の導電成分の蒸発による消失により、接
点表面温度が局所的に極端に高くなるためである。ま
た、この接点ではさい断特性も同時に劣化(さい断値自
体が高いのみならずばらつきも大)しているが、これは
第1層領域中の導電成分が蒸発による局部的消失した部
分にアークがあたって、大きな電流で電流さい断が発生
したためである。
On the other hand, when (a) was 1 wt% or less (Comparative Example-1), the breaking characteristics were deteriorated (failed), but this was caused by the disappearance of the conductive components on the contact surface due to the evaporation due to the discharge. This is because the temperature becomes extremely high locally. In addition, in this contact, the cutting characteristics are also deteriorated at the same time (the cutting value itself is high and the variation is large). This is because the conductive component in the first layer region has an arc at a portion where the conductive component has locally disappeared due to evaporation. This is because current interruption occurred with a large current.

実施例7〜9、比較例4〜5 前記した実施例1〜6、比較例1〜3では、第1層領
域の厚さは50〜65μmであったが、この厚さが150μm
の場合(実施例−7)には、改良したさい断特性が得ら
れるが、この厚さが400μm(比較例−4)では、接点
部を第1層領域と第2層領域とに分け第1層領域の方の
導電成分を第2層領域中のそれより少なくし、さい断特
性を改良する効果を得ることができない。その意味で第
1層領域の存在しない比較例−5では、さい断特性の改
良効果は示していない。
Examples 7 to 9, Comparative Examples 4 to 5 In Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 described above, the thickness of the first layer region was 50 to 65 μm, but this thickness was 150 μm.
In the case of (Example-7), improved breaking characteristics can be obtained. However, when the thickness is 400 μm (Comparative Example-4), the contact portion is divided into a first layer region and a second layer region. The conductive component in the first layer region is smaller than that in the second layer region, and the effect of improving the cutting characteristics cannot be obtained. In that sense, Comparative Example-5 in which the first layer region does not exist does not show the effect of improving the cutting characteristics.

接点中の補助成分が3wt%(実施例−8)では、補助
成分のゼロ(実施例−9)の場合よりさい断特性は幾分
劣るものの、その値は1.6A以下であって好ましい範囲内
である。これ以上の補助成分量は、さい断特性を急速に
低下させる。特に補助成分がゼロ(実施例−9)では、
さい断値にある程度のばらつきが見られるもののさい断
値は概して低い特徴がある。Coの量が例えば7%のもの
ではさい断特性の顕著な低下が見られる。
When the auxiliary component in the contact is 3 wt% (Example-8), the breaking characteristic is slightly inferior to the case where the auxiliary component is zero (Example-9), but the value is 1.6 A or less, which is within the preferable range. It is. Higher amounts of auxiliary components rapidly reduce the cutting performance. In particular, when the auxiliary component is zero (Example-9),
Although the threshold value has some variation, the threshold value is generally low. When the amount of Co is, for example, 7%, a remarkable decrease in cutting characteristics is observed.

実施例10〜14 第1層領域、第2層領域中の高導電性成分は、前記実
施例1〜9、比較例1〜5で示したAgのみでなく、一方
がAgとCuが共存(実施例−10、11)した場合及び両方が
AgとCuが共存(実施例−12)していても、安定したさい
断特性を示す。
Examples 10 to 14 The highly conductive components in the first layer region and the second layer region are not limited to Ag shown in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 5, and one of them has coexistence of Ag and Cu ( Examples-10, 11) and both
Even when Ag and Cu coexist (Example-12), stable cutting characteristics are exhibited.

更に、補助成分の種類はCoのみならずFe、Ni(実施例
13〜14)においても安定したさい断特性を示す。
Further, the types of auxiliary components are not only Co but also Fe and Ni (Examples).
13-14) shows stable cutting characteristics.

実施例15〜22 耐弧性成分は、前記した実施例1〜14、比較例1〜5
では、粒径6μm以下のWCを使用したが、第1層領域と
第2層領域中の高導電性成分の比率 が所定値以内にあるならば、TiC、ZrC、HfC、VC、NbC、
TaC、Cr3C2、Mo2C(実施例15〜22)においても安定した
さい断特性としゃ断特性が得られる。
Examples 15 to 22 The arc-resistant components were as described in Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 5 described above.
Used a WC with a particle size of 6 μm or less. However, the ratio of the highly conductive component in the first layer region and the second layer region was Is within a predetermined value, TiC, ZrC, HfC, VC, NbC,
TaC, stable chopping characteristic and cutoff characteristics in Cr 3 C 2, Mo 2 C ( Example 15-22) is obtained.

〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、接点材料の第1層
領域中の導電性成分の量(a)を第2層領域中のそれ
(b)より所定値範囲内において少なくすることによ
り、(a)、(b)が均一な組成の接点に比べさい断特
性に優れ、かつ大電流しゃ断可能な接点を具備した真空
バルブとすることができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the amount (a) of the conductive component in the first layer region of the contact material is set within a predetermined value range from that (b) in the second layer region. By reducing the number, it is possible to obtain a vacuum valve having contacts that are excellent in breaking characteristics as compared with contacts having a uniform composition in (a) and (b) and that can cut off a large current.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明による真空バルブ用の接点材料が適用さ
れる真空バルブの断面図、第2図は第1図に示す真空バ
ルブの電極部分の拡大断面図である。第3図は、接点材
料の拡大断面図である。 1……しゃ断室、2……絶縁容器、3a,3b……封止金
具、4a,4b……蓋体、5,6……導電棒、7,8……電極、9
……ベローズ、10,11……アークシールド、12,14……ろ
う付部、13a,13b……第2層領域の接点、15……接点表
面の導電成分量が少ない第1層領域の部分。
FIG. 1 is a sectional view of a vacuum valve to which a contact material for a vacuum valve according to the present invention is applied, and FIG. 2 is an enlarged sectional view of an electrode portion of the vacuum valve shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged sectional view of a contact material. 1 ... shut-off chamber, 2 ... insulating container, 3a, 3b ... sealing metal fittings, 4a, 4b ... lid, 5, 6 ... conductive rod, 7, 8 ... electrode, 9
... bellows, 10, 11 ... arc shield, 12, 14 ... brazing parts, 13a, 13b ... contacts in the second layer area, 15 ... parts of the first layer area where the amount of conductive components on the contact surface is small. .

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−170822(JP,A) 特開 昭58−157015(JP,A) 特開 昭62−184727(JP,A) 特開 昭62−15716(JP,A) 特開 昭59−42734(JP,A) 特開 昭60−56321(JP,A) 特開 昭62−77439(JP,A) 特開 平3−98222(JP,A) 特開 平2−288033(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01H 33/66 H01H 33/64 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-63-170822 (JP, A) JP-A-58-157015 (JP, A) JP-A-62-184727 (JP, A) JP-A-62-184727 15716 (JP, A) JP-A-59-42734 (JP, A) JP-A-60-56321 (JP, A) JP-A-62-77439 (JP, A) JP-A-3-98222 (JP, A) JP-A-2-28033 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01H 33/66 H01H 33/64

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】接点の表面層を形成する第1層領域とこの
第1層領域より内部を形成する第2層領域とから構成さ
れる真空バルブ用接点であって、 前記接点中の第1層領域と第2層領域はAgまたは/およ
びCuからなる高導電性成分で連続一体化され、 前記接点中の第2層領域中の平均高導電性成分の量
(b)は接点材料の全量に対し20〜50重量%の範囲にあ
り、 前記接点中の第1層領域中の平均高導電性成分の量
(a)は前記第2層領域中の平均高導電性成分の量
(b)の20〜80%の範囲にあり、 残部が耐弧性成分により構成された接点、 を具備してなることを特徴とする真空バルブ。
1. A vacuum valve contact comprising: a first layer region forming a surface layer of a contact; and a second layer region forming an interior from the first layer region, wherein a first layer in the contact is provided. The layer region and the second layer region are continuously integrated with a high conductive component made of Ag and / or Cu, and the average amount of the high conductive component in the second layer region in the contact (b) is the total amount of the contact material. The amount (a) of the average high conductivity component in the first layer region in the contact is the amount (b) of the average high conductivity component in the second layer region. 20. The vacuum valve according to claim 19, wherein the contact is in the range of 20 to 80%, and the balance is constituted by an arc-resistant component.
【請求項2】前記第1層領域の厚さが150μm以下であ
る、請求項1に記載の真空バルブ。
2. The vacuum valve according to claim 1, wherein said first layer region has a thickness of 150 μm or less.
【請求項3】前記耐弧性成分がTi、Zr、Hf、V、Nb、T
a、Cr、MoおよびWからなる群から選ばれる1種以上の
金属の金属炭化物である、請求項1または2のいずれか
に記載の真空バルブ。
3. The arc resistant component is Ti, Zr, Hf, V, Nb, T
The vacuum valve according to claim 1, wherein the vacuum valve is a metal carbide of at least one metal selected from the group consisting of a, Cr, Mo, and W. 4.
【請求項4】前記接点の接点材料の全量に対し必要に応
じて0〜3重量%のFe、CoおよびNiから選ばれる少なく
とも1種の補助成分を含有する、請求項1〜3のいずれ
か1項に記載の真空バルブ。
4. The method according to claim 1, further comprising 0 to 3% by weight of at least one auxiliary component selected from Fe, Co and Ni with respect to the total amount of the contact material of the contact. The vacuum valve according to claim 1.
【請求項5】高導電性成分がAgおよびCuからなり、高導
電性成分中のAgの比率が50%以上である、請求項1〜4
のいずれか1項に記載の真空バルブ。
5. The highly conductive component comprises Ag and Cu, and the ratio of Ag in the highly conductive component is 50% or more.
The vacuum valve according to any one of the preceding claims.
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