JP2883955B2 - Method for producing boron oxide - Google Patents
Method for producing boron oxideInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （発明の産業上利用分野） 本発明は酸化ほう素の製造方法、さらに詳細にはIn
P、GaAs、GaPなどのIII−Ｖ族化合物半導体単結晶の液
体カプセル封じ引き上げ法に用いられる高純度酸化ほう
素（B2O3）液体カプセル剤の製造方法に関するものであ
る。The present invention relates to a method for producing boron oxide, and more particularly to a method for producing boron oxide.
The present invention relates to a method for producing a high-purity boron oxide (B 2 O 3 ) liquid encapsulant used for a liquid encapsulation and pulling method of a III-V compound semiconductor single crystal such as P, GaAs, and GaP.
（従来の技術および問題点） III−Ｖ族化合物半導体単結晶の実用的な育成方法と
して従来より第１図に示す液体カプセル封じ引き上げ法
が用いられている。引き上げ法の原理は第１図に示すよ
うに、ルツボ１中に融解した結晶原料２を作り、種結晶
３を液面に接触させて上部低温側にゆっくり引き上げる
ことによって、種結晶３の先端に同じ結晶方位を有する
単結晶４を成長させるものである。しかしIII族とＶ族
の２成分元素からなるIII−Ｖ族化合物では、Ｐ、Asな
どのＶ族元素の蒸気圧が高いという特徴がある。その結
果、原料を融点付近に加熱するとＶ族元素が蒸発して融
液にならず、単結晶を成長させることができない。そこ
で、第１図に示すように、成長容器６内に高圧の不活性
ガスを満たし、不揮発性の液体カプセル剤５で融液原料
を封じて分解を抑えながら単結晶の引き上げを行なうこ
とが必要である。このカプセル剤の材質として、 １）低融点高沸点であること、２）比重が小さいこと、
３）透明であること、４）不活性であることが必要であ
り、そのため一般にB2O3がカプセル剤として用いられ
る。(Prior Art and Problems) As a practical method for growing a group III-V compound semiconductor single crystal, a liquid encapsulation pulling method shown in FIG. 1 has been conventionally used. As shown in FIG. 1, the principle of the pulling method is as follows. As shown in FIG. 1, a melted crystal raw material 2 is prepared in a crucible 1, and the seed crystal 3 is brought into contact with the liquid surface and slowly pulled up to the upper low-temperature side. This is for growing a single crystal 4 having the same crystal orientation. However, a group III-V compound composed of a group III element and a group V element is characterized in that the vapor pressure of a group V element such as P or As is high. As a result, when the raw material is heated to around the melting point, the group V element evaporates and does not become a molten liquid, so that a single crystal cannot be grown. Therefore, as shown in FIG. 1, it is necessary to fill the growth vessel 6 with a high-pressure inert gas and to seal the melt raw material with the non-volatile liquid encapsulant 5 so as to pull up the single crystal while suppressing decomposition. It is. As the material of the capsule, 1) a low melting point and a high boiling point, 2) a low specific gravity,
It must be 3) transparent and 4) inert, so that B 2 O 3 is commonly used as a capsule.
しかしながら、第１図から明らかなように、B2O3カプ
セル剤とルツボは融液原料と直接に接触しているため
に、その純度、材質はIII−Ｖ族化合物半導体単結晶の
純度に大きく影響する。このうち、ルツボは近年におい
て気相成長法によるpBNルツボなどの開発により結晶純
度に影響しない高純度な材料が使えるようになった。一
方、B2O3カプセル剤はこれまでホウ砂などの天然原料を
精製して得る方法が一般的に用いられているが、この方
法ではB2O3の純度を上げるには限界があった。また、ハ
ロゲン化ほう素と酸素との気相反応により高純度B2O3を
得る方法が試みられているが、次のような問題点があっ
た。However, as is clear from FIG. 1, since the B 2 O 3 capsule agent and the crucible are in direct contact with the melt raw material, the purity and material thereof are significantly higher than the purity of the group III-V compound semiconductor single crystal. Affect. In recent years, the development of a crucible such as a pBN crucible by vapor phase growth has made it possible to use a high-purity material that does not affect the crystal purity. On the other hand, B 2 O 3 capsules have generally been obtained by refining natural materials such as borax, but this method has a limit in increasing the purity of B 2 O 3 . Further, a method of obtaining high-purity B 2 O 3 by a gas phase reaction between boron halide and oxygen has been attempted, but has the following problems.
ハロゲン化ほう素と酸素との気相反応によりB2O3を合
成するには、一例として次の気相反応が用いられる。In order to synthesize B 2 O 3 by a gas phase reaction between boron halide and oxygen, the following gas phase reaction is used as an example.
4BCl3＋6H2＋3O2→2B2O3＋12HCl この反応は、酸水素炎中にBCl3のガス（室温で気体）
を吹き込むことによって行なわれる。生成物としてB2O3
の他にHClができるが、製造容器に排気装置を接続して
おけば気体成分であるHClは排気されて固相のB2O3とは
分離できる。この反応の原料となるBCl3（室温）、H2、
O2の各ガス成分は高純度化が容易なため、生成物のB2O3
の高純度化は容易である。4BCl 3 + 6H 2 + 3O 2 → 2B 2 O 3 + 12HCl This reaction is a gas of BCl 3 in an oxyhydrogen flame (gas at room temperature)
It is performed by blowing. B 2 O 3 as product
In addition, HCl can be produced, but if an exhaust device is connected to the production container, HCl as a gas component is exhausted and can be separated from solid-phase B 2 O 3 . BCl 3 (room temperature), H 2 ,
Since each gas component of O 2 can be easily purified, the B 2 O 3
Can be easily purified.
この方法を用いた従来の装置構成を第２図に示す。８
は酸水素炎バーナーで三重ノズル構造である。FIG. 2 shows a conventional apparatus configuration using this method. 8
Is an oxyhydrogen flame burner with a triple nozzle structure.
中央のノズルはBCl3＋H2ガス用で、外側の二重のノズ
ルはN2およびO2ガス用である。中央ノズルには液体12
（BCl3）の入ったバブラー13を介してBCl3＋H2の混合ガ
スを供給している。前記液体12は氷の入った冷却容器14
によって冷却されている。The middle nozzle is for BCl 3 + H 2 gas and the outer double nozzle is for N 2 and O 2 gas. Liquid 12 in central nozzle
A mixed gas of BCl 3 + H 2 is supplied through a bubbler 13 containing (BCl 3 ). The liquid 12 is a cooling container 14 containing ice.
Has been cooled by.
H2、N2およびO2の各ガスはバブラー導入管または各ノ
ズルに供給している。H 2 , N 2 and O 2 gases are supplied to a bubbler inlet tube or each nozzle.
10はB2O3回収容器である。B2O3を生成するためには、
まず、各ノズルよりH2、O2、N2ガスを出し点火して酸水
素炎９を発生させる。次いで、バルブ15をバブラー13側
に切り替え、H2ガスを液体BCl312中を通してBCl3＋H2ガ
スを発生させ、中央ノズルより９の酸水素炎中に、BCl3
を放出する。この結果、微粉末ガス状のB2O3が生成し、
さらに容器10の低温部で凝縮して数mm角から数cm角の板
状のB2O3固形物11となる。しかし、第２図の構成では、
回収容器10外へのB2O3の飛散が多く、また、酸水素炎９
と回収容器10の距離が大きく取れないことにより、B2O3
の容器10への凝縮が起きにくいので、原料に対するB2O3
の回収率が20％程度と低く実用にならないという問題が
あった。Reference numeral 10 denotes a B 2 O 3 recovery container. To generate B 2 O 3
First, H 2 , O 2 , and N 2 gas are emitted from each nozzle and ignited to generate an oxyhydrogen flame 9. Then, the valve 15 switched to the bubbler 13 side, the H 2 gas is generated BCl 3 + H 2 gas through the liquid BCl 3 12 Medium, in an oxyhydrogen flame from the central nozzle 9, BCl 3
Release. As a result, fine powder gaseous B 2 O 3 is generated,
Further, it is condensed in the low temperature part of the container 10 to form a plate-shaped B 2 O 3 solid substance 11 having a size of several mm square to several cm square. However, in the configuration of FIG.
A large amount of B 2 O 3 is scattered out of the collection container 10 and the oxyhydrogen flame 9
B 2 O 3
B 2 O 3
However, there was a problem that the recovery rate was as low as about 20%, which was not practical.
以上の理由により、高純度のIII−Ｖ族化合物半導体
単結晶を得るために高純度B2O3カプセル剤の実用的な製
造方法が必要であった。For the above reasons, a practical method for producing a high-purity B 2 O 3 capsule was required to obtain a high-purity III-V compound semiconductor single crystal.
本発明は、上述の問題点に鑑みなされたものであり、
ハロゲン化ほう素の酸水素炎中の酸化反応による高純度
B2O3カプセル剤の実用的な製造方法を提供することにあ
る。The present invention has been made in view of the above problems,
High Purity by Oxidation Reaction of Boron Halide in Oxygen Flame
An object of the present invention is to provide a practical method for producing B 2 O 3 capsules.
（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決するため、本発明による二酸化ほう
素の製造方法は、ハロゲン化ほう素、酸素、水素および
窒素の高純度ガスを原料とし、それらをノズルより放出
して酸水素炎を形成させ、前記酸水素炎中で反応させ、
生成した酸化ほう素を低温部に凝縮せしめる酸化ほう素
の製造方法において、ハロゲン化ほう素および水素ガス
を放出する中央のノズルと、前記中央のノズルの外側を
覆う、窒素ガスを放出する第二のノズルと、前記第二の
ノズルの外側を覆う、酸素を放出する酸素放出用のノズ
ルと、前記酸素放出用のノズルの外側を覆う冷却用ガス
を放出する冷却用のノズルを有する四重ノズルを使用し
て、前記冷却用ガスを放射状に吹き出させながら、生成
した酸化ほう素を低温部に凝縮させることを特徴として
いる。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the method for producing boron dioxide according to the present invention uses a high-purity gas of boron halide, oxygen, hydrogen and nitrogen as a raw material, and feeds them to a nozzle. Release to form an oxyhydrogen flame, react in the oxyhydrogen flame,
A method for producing boron oxide in which generated boron oxide is condensed in a low-temperature portion, comprising: a central nozzle for discharging boron halide and hydrogen gas; and a second nozzle for discharging nitrogen gas, which covers the outside of the central nozzle. Nozzle, a nozzle for discharging oxygen, which covers the outside of the second nozzle, and a nozzle for discharging the cooling gas, which covers the outside of the nozzle for discharging oxygen. Is used to condense the generated boron oxide to a low-temperature portion while radially blowing the cooling gas.
ハロゲン化ほう素の酸水素炎中の酸化反応による高純
度B2O3の製造方法において四重ノズルを用いることなど
により微粉末ガス状のB2O3の飛散を防ぐと同時に冷却効
果を高めることができるので、B2O3の回収を効率良く行
なうことができる。さらに温度分布の調整によりB2O3の
高温部での生成と低温部での凝縮が制御できるので、B2
O3の固体を連続成長させて形状制御しロッド状の固形物
を得ることができる。Prevention of scattering of fine powder gaseous B 2 O 3 by using a quadruple nozzle in the production method of high purity B 2 O 3 by oxidation reaction of boron halide in oxyhydrogen flame and at the same time increase cooling effect Therefore, B 2 O 3 can be efficiently recovered. Moreover, since it condensation control in generating the low-temperature portion of the high temperature portion adjusted by the B 2 O 3 of the temperature distribution, B 2
O 3 solid can be continuously grown to control its shape to obtain a rod-shaped solid.
（実施例１） 第３図に本発明の実施例１を示す。16は酸水素炎バー
ナーで四重ノズル構造である。中央のノズル（BCl3＋H2
ガス用）はpBN製で、外側の三重のノズル（N2およびO2
ガス用）は石英製のものを用いた。中央のノズルをpBN
製にした理由は、石英製にした場合のSiの混入を防ぐた
めである。中央ノズルには、氷の入った冷却容器14によ
って冷却されたBCl312の入ったバブラー13を介してBCl3
＋H2の混合ガスを供給している。H2、N2およびO2の各ガ
スは純化器を通して第３図のようにバブラー導入管また
は各ノズルに供給している。(Example 1) FIG. 3 shows Example 1 of the present invention. Reference numeral 16 denotes an oxyhydrogen flame burner having a quadruple nozzle structure. Central nozzle (BCl 3 + H 2
Gas) is made pBN, outer triple nozzle (N 2 and O 2
For gas), a quartz material was used. Center nozzle for pBN
The reason for this is to prevent Si from being mixed in the case of quartz. The central nozzle is charged with BCl 3 via a bubbler 13 containing BCl 3 12 cooled by a cooling vessel 14 containing ice.
+ Supplies a mixed gas of H 2. H 2 , N 2 and O 2 gases are supplied to the bubbler introduction pipe or each nozzle through the purifier as shown in FIG.
10はpBN製のB2O3回収容器で水冷機構17により冷却さ
れている。10 is cooled by water cooling mechanism 17 with pBN-made B 2 O 3 the collection container.
B2O3の生成方法は第２図の説明と同様である。同時に
生成したHClガスは容器10後方に置いた排気装置により
回収した。The method for generating B 2 O 3 is the same as that described with reference to FIG. The HCl gas generated at the same time was recovered by an exhaust device placed behind the container 10.
本発明では、四重ノズルを用いることによって、最外
郭ノズルよりN2ガスを放射状に吹き出せる構造に特徴が
ある。これにより、高温のガス状のB2O3の冷却効果を上
げ、さらにB2O3の容器外への飛散を防げるので、回収率
を大幅に高めることができる。実施例１では、原料BCl3
に対してＢ換算で40％のB2O3を回収することができた。
さらに、実施例１では最外郭のノズルからのN2ガスを冷
却媒体を通して出すか、または液体N2ガスに交換すれば
高温B2O3の冷却効率が上がるのでB2O3の回収率を40％以
上に高めることが可能であった。The present invention is characterized in that the N 2 gas can be radially blown out from the outermost nozzle by using a quadruple nozzle. As a result, the cooling effect of the high-temperature gaseous B 2 O 3 can be improved, and the scattering of the B 2 O 3 out of the container can be prevented, so that the recovery rate can be greatly increased. In Example 1, the raw material BCl 3
In contrast, 40% of B 2 O 3 was recovered in terms of B.
Further, the N 2 gas or out through the cooling medium, or recovery of B 2 O 3 because the cooling efficiency is improved high temperature B 2 O 3 be replaced in the liquid N 2 gas from the nozzle of the outermost Example 1 It was possible to increase it to over 40%.
（実施例２） 第４図は実施例２の説明図であって、B2O3の回収率を
さらに高めるための改善方法である。B2O3の回収率を高
めるためには、高温で生成したB2O3を効果的に冷却する
と同時に容器10外への飛散を防ぐことが重要である。Example 2 FIG. 4 is an explanatory view of Example 2 and shows an improvement method for further increasing the recovery rate of B 2 O 3 . To increase the recovery of B 2 O 3 is, it is important to prevent scattering of the B 2 O 3 generated at a high temperature to effectively cool to simultaneously vessel 10 outside.
実施例２は基本構成は実施例１と同じであるが、導管
構造の石英容器18を用い、ａ）B2O3の外部への飛散を防
ぐ効果と、ｂ）回収容器10へB2O3を導く効果によりB2O3
の回収率を70％以上に高めることができた。さらに、覆
い構造にすることにより有害なHClガスを外部に漏れる
ことなく排気することができる。一方、第４図のような
導管18を用いると酸水素炎９と回収容器10の距離を変え
てもガス状のB2O3は確実に回収容器に導かれるので、以
下の効果が生じる。The second embodiment has the same basic configuration as the first embodiment, but uses a quartz vessel 18 having a conduit structure, and a) an effect of preventing B 2 O 3 from scattering to the outside, and b) a B 2 O 3 B 2 O 3 by the guiding effect
Was increased to more than 70%. Further, by forming a cover structure, harmful HCl gas can be exhausted without leaking to the outside. On the other hand, when the conduit 18 as shown in FIG. 4 is used, even if the distance between the oxyhydrogen flame 9 and the recovery container 10 is changed, gaseous B 2 O 3 is surely guided to the recovery container, and the following effects are produced.
すなわち、この距離を調整して温度分布を最適化する
とB2O3の高温部での生成と低温部での凝縮が制御可能と
なり、容器10内にB2O3の大きな固形物ができる。すなわ
ち、B2O3を連続成長させることができる。この方法によ
り得られたB2O3固形物は大きな塊となるので後処理が容
易であり、表面積は物理的に小さくなるので水分および
不純物の混入を少なくすることができた。That is, if the temperature distribution is optimized by adjusting this distance, the generation of B 2 O 3 in the high-temperature part and the condensation in the low-temperature part can be controlled, and a large solid substance of B 2 O 3 is formed in the container 10. That is, B 2 O 3 can be continuously grown. The B 2 O 3 solid obtained by this method became a large lump, so that post-treatment was easy, and the surface area was physically small, so that the incorporation of moisture and impurities could be reduced.
（実施例３） 第５図は実施例３の説明図である。実施例３は実施例
２をB2O3の固形物成長法として発展させたものである。
19は四重ノズルであるが、最外郭の石英壁は導管構造と
なっている。20はリング状に並んだ石英パイプで液体窒
素または冷却したN2ガスを吹き出し、ガス状のB2O3を冷
却するのに用いる。21は回転移動機構と連結している金
属円板とロッドから成り、B2O3固形物の成長速度に合わ
せて矢印の方向に移動させる。実施例３では、酸水素炎
９と円板21面との距離を調整し、ノズル（石英パイプ）
20より吹き出す窒素の吹き出し量を制御することにより
B2O3固形物11を円柱状に連続成長させることができた。
すなわち、実施例３では高純度B2O3が高効率に得られる
だけでなく、B2O3固形物11の形状制御を行なうことがで
きた。この方法を用いれば、円柱状のB2O311を輪切りに
するだけで、結晶成長用のルツボ形状に合わせたB2O3カ
プセル剤として用いることができる。Third Embodiment FIG. 5 is an explanatory diagram of a third embodiment. Example 3 is an extension of Example 2 as a B 2 O 3 solid growth method.
19 is a quadruple nozzle, but the outermost quartz wall has a conduit structure. 20 blown N 2 gas liquid nitrogen or cooled quartz pipe arranged in a ring shape, it is used to cool the gaseous B 2 O 3. Numeral 21 is composed of a metal disk and a rod connected to a rotary moving mechanism, and moves the solid in the direction of the arrow in accordance with the growth rate of the B 2 O 3 solid. In the third embodiment, the distance between the oxyhydrogen flame 9 and the surface of the disk 21 is adjusted, and the nozzle (quartz pipe) is used.
By controlling the amount of nitrogen blown out from 20
The B 2 O 3 solid 11 could be continuously grown in a columnar shape.
That is, in Example 3, not only high-purity B 2 O 3 was obtained with high efficiency, but also the shape control of the B 2 O 3 solid 11 was able to be performed. If this method is used, the cylindrical B 2 O 3 11 can be used as a B 2 O 3 capsule agent adapted to a crucible shape for crystal growth simply by slicing it.
（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば高純度B2O3カプ
セル剤を大量に製造することができる。したがって、こ
れまで高純度酸化ほう素液体カプセル剤が使用できなか
った化合物半導体単結晶引き上げ法に適用すれば、高純
度結晶が育成できるので新しい電子光学的デバイスの実
現に役立てることができる。(Effect of the Invention) As described above, according to the present invention, high-purity B 2 O 3 capsules can be produced in large quantities. Therefore, when applied to a compound semiconductor single crystal pulling method in which a high-purity boron oxide liquid encapsulant could not be used, high-purity crystals can be grown, which can be used for realizing a new electro-optical device.
第１図は液体カプセル封じ引き上げ法の原理を説明した
説明図、第２図は従来の方法を説明した説明図、第３図
は本発明による第一の実施例の説明図、第４図は本発明
による第二の実施例の説明図、第５図は本発明による第
三の実施例の説明図である。 １……ルツボ、２……融液（融解した単結晶原料）、３
……種結晶、４……単結晶、５……液体カプセル、６…
…高圧結晶成長容器、７……軸シール、８……三重ノズ
ル、９……酸水素炎、10……回収容器、11……B2O2固形
物、12……BCl3（液体）、13……バブラー、14……氷水
使用の冷却容器、15……バルブ、16……四重ノズル、17
……水冷機構、18……石英容器、19……導管付き四重ノ
ズル、20……石英パイプ、21……回転移動機構付き回転
基板台。FIG. 1 is an explanatory view illustrating the principle of the liquid encapsulating and pulling up method, FIG. 2 is an explanatory view illustrating a conventional method, FIG. 3 is an explanatory view of a first embodiment according to the present invention, and FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram of a second embodiment according to the present invention, and FIG. 5 is an explanatory diagram of a third embodiment according to the present invention. 1 ... crucible, 2 ... melt (molten single crystal raw material), 3
… Seed crystal, 4 single crystal, 5 liquid capsule, 6
... high-pressure crystal growth vessel, 7 ...... shaft seal, 8 ...... triple nozzle, 9 ...... oxyhydrogen flame, 10 ...... collection container, 11 ...... B 2 O 2 solid, 12 ...... BCl 3 (liquid) 13 ... bubbler, 14 ... cooling container using ice water, 15 ... valve, 16 ... quadruple nozzle, 17
... water cooling mechanism, 18 ... quartz container, 19 ... quadruple nozzle with conduit, 20 ... quartz pipe, 21 ... rotating substrate stand with rotary movement mechanism.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 芳宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社精密機能材料研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C01B 35/10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Yoshihiro Kubota 2-13-1 Isobe, Annaka-shi, Gunma Prefecture Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Precision Functional Materials Research Laboratories (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB Name) C01B 35/10
Claims (4)
の高純度ガスを原料とし、それらをノズルより放出して
酸水素炎を形成させ、前記酸水素炎中で反応させ、生成
した酸化ほう素を低温部に凝縮せしめる酸化ほう素の製
造方法において、ハロゲン化ほう素および水素ガスを放
出する中央のノズルと、前記中央のノズルの外側を覆
う、窒素ガスを放出する第二のノズルと、前記第二のノ
ズルの外側を覆う、酸素を放出する酸素放出用のノズル
と、前記酸素放出用のノズルの外側を覆う冷却用ガスを
放出する冷却用のノズルを有する四重ノズルを使用し
て、前記冷却用ガスを放射状に吹き出させながら、生成
した酸化ほう素を低温部に凝縮させることを特徴とする
酸化ほう素の製造方法。1. A high-purity gas of boron halide, oxygen, hydrogen and nitrogen, which is discharged from a nozzle to form an oxyhydrogen flame and reacted in the oxyhydrogen flame to produce the oxidized hydrogen. In a method for producing boron oxide for condensing silicon into a low-temperature portion, a central nozzle that emits boron halide and hydrogen gas, and a second nozzle that emits nitrogen gas, which covers the outside of the central nozzle, Using a quadruple nozzle that covers the outside of the second nozzle and has a nozzle for releasing oxygen that releases oxygen and a nozzle for cooling that releases a cooling gas that covers the outside of the nozzle for releasing oxygen. A method for producing boron oxide, wherein the generated boron oxide is condensed in a low-temperature portion while blowing the cooling gas radially.
ための覆いを設けたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の酸化ほう素の製造方法。2. The method for producing boron oxide according to claim 1, wherein a cover for preventing scattering of boron oxide is provided in said low-temperature part.
間の温度分布を制御するために、両者間の距離の調整と
凝縮部である低温部の冷却を行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載のいずれかの酸化
ほう素の製造方法。3. In order to control the temperature distribution between the oxyhydrogen flame and the low temperature part of the boron oxide condensing part, the distance between the two is adjusted and the low temperature part which is the condensing part is cooled. 3. The method for producing boron oxide according to claim 1 or claim 2.
ための回転移動機構によって回転していることを特徴と
する特許請求の範囲第１項から第３項記載のいずれかの
酸化ほう素の製造方法。4. The oxidizing device according to claim 1, wherein said low-temperature portion is rotated by a rotary moving mechanism for controlling the growth of boron oxide. Method of manufacturing element.
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