JP2882743B2 - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JP2882743B2
JP2882743B2 JP5321709A JP32170993A JP2882743B2 JP 2882743 B2 JP2882743 B2 JP 2882743B2 JP 5321709 A JP5321709 A JP 5321709A JP 32170993 A JP32170993 A JP 32170993A JP 2882743 B2 JP2882743 B2 JP 2882743B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関する。特に、機能テストが容易に行える半導体集積回
路装置及びその半導体集積回路装置におけるテスト方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device. In particular, the present invention relates to a semiconductor integrated circuit device capable of easily performing a function test and a test method for the semiconductor integrated circuit device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路装置は、近年高密度化と
高機能化が著しく進展し、その結果半導体集積回路の機
能テストが大きな問題となってきている。半導体集積回
路装置のテストを容易にするために、様々なテスト容易
化手法が提案されている。それらは、例えば、スキャン
・パス法や、バウンダリ・スキャン法等、各種の手法が
提案され、また実現されている。
2. Description of the Related Art In recent years, the density and function of semiconductor integrated circuit devices have been remarkably increased, and as a result, the function test of semiconductor integrated circuits has become a major problem. Various test facilitation methods have been proposed to facilitate testing of semiconductor integrated circuit devices. For example, various methods such as a scan path method and a boundary scan method have been proposed and realized.

【0003】近年、マトリクス・プロービング方式と呼
ばれるテスト容易化手法が提案されている。このマトリ
クス・プロービング方式は、半導体集積回路装置を構成
する各ゲートの出力端子に、データ読み出し/書き込み
用のスイッチ素子を設け、全てのゲートの出力信号を観
測しようとするものである。この各スイッチ素子のON
/OFFを制御するために、プローブ線が設けられ、こ
のプローブ線に直交するようにデータを読み出すための
センス線が設けられている。
In recent years, a test facilitation method called a matrix probing method has been proposed. In the matrix probing method, a switch element for reading / writing data is provided at an output terminal of each gate constituting a semiconductor integrated circuit device, and the output signals of all gates are to be observed. ON of each switch element
To control / OFF, a probe line is provided, and a sense line for reading data is provided so as to be orthogonal to the probe line.

【0004】図3には、このようなマトリクス・プロー
ビング方式による半導体集積回路装置のチップの平面図
が示されている。図3において、P1、P2、…PNで
示されているのが、N本のプローブ線であり、これらの
プローブ線P1〜PNと直交して、センス線S1、S
2、…Smが設けられている。図3に示されているよう
に、プローブ線P1〜PNとセンス線S1〜Smとのそ
れぞれの交点には、スイッチ素子10が設けられてい
る。図3に示されているように、この各スイッチ素子1
0はプローブ線P1〜PNによってそのON/OFFが
制御され、各ゲートの出力信号をセンス線S1〜Smに
出力する。
FIG. 3 is a plan view of a chip of a semiconductor integrated circuit device using such a matrix probing method. In FIG. 3, P1, P2,... PN denote N probe lines, which are orthogonal to the probe lines P1 to PN, and sense lines S1, S2.
2,... Sm are provided. As shown in FIG. 3, a switch element 10 is provided at each intersection of the probe lines P1 to PN and the sense lines S1 to Sm. As shown in FIG. 3, each switch element 1
0 is controlled ON / OFF by the probe lines P1 to PN, and outputs the output signal of each gate to the sense lines S1 to Sm.

【0005】図4には、マトリクス・プロービング方式
におけるプローブ線P1〜PNと、センス線S1〜Sm
との取扱にシフトレジスタを用いた例の回路図が示され
ている。図4に示されているように、プローブ線P1〜
PNは、シフトレジスタ27に保持されているデータに
よって駆動される。このシフトレジスタ27に供給され
るデータは、入力端子33を介して入力される。そし
て、各センス線S1〜Smにあらわれた信号は、シフト
レジスタ28に入力し、このシフトレジスタ28によっ
てシリアルに出力端子32から出力される。このよう
に、シフトレジスタ27、28を用いることにより、半
導体集積回路装置に必要な端子の個数を減らすことが可
能である。なお、センス線S1〜Smに接続されている
シフトレジスタ28は、データの入力だけでなく、内部
回路に初期値の書き込みをする場合にも用いられる。こ
のような初期値は、例えば入力端子31を介してシフト
レジスタ28に格納される。
FIG. 4 shows probe lines P1 to PN and sense lines S1 to Sm in a matrix probing method.
A circuit diagram of an example in which a shift register is used for handling is shown. As shown in FIG.
The PN is driven by data held in the shift register 27. The data supplied to the shift register 27 is input via an input terminal 33. The signals appearing on each of the sense lines S1 to Sm are input to the shift register 28, and are serially output from the output terminal 32 by the shift register 28. As described above, by using the shift registers 27 and 28, the number of terminals required for the semiconductor integrated circuit device can be reduced. The shift register 28 connected to the sense lines S1 to Sm is used not only for inputting data but also for writing an initial value to an internal circuit. Such an initial value is stored in the shift register 28 via the input terminal 31, for example.

【0006】このように、マトリクス・プロービング方
式によるテストは、基本的にゲートの出力信号を全て読
み出すため、そのテスト結果の量が膨大なものとなる。
そこで、センス線S1〜Smから読み出したデータをデ
ータ圧縮してから外部に読み出す手法が提案されてい
る。図5には、このような目的のために、センス線S1
〜Smに、リニアフィードバックシフトレジスタ(LF
SR)を接続した場合の回路図が示されている。図5に
示されているように、各センス線S1〜Smにはリニア
フィードバックシフトレジスタ36が接続されている。
このリニアフィードバックシフトレジスタは、図5に示
されているように、シフトレジスタの所定の段から、初
段にフィードバックをかけた構成を成している。このフ
ィードバックのかけ方によって、このリニアフィードバ
ックシフトレジスタ(以下、LFSRと呼ぶ)は、所定
のいわゆる生成多項式をあらわす。この結果、出力端子
43から出力される値は、センス線S1〜Smにあらわ
れた信号を、この生成多項式で除算した余りとなる。こ
のような構成により、データの圧縮を図ることができ、
効率的なテストが可能となる。
As described above, in the test by the matrix probing method, since all the output signals of the gates are basically read, the amount of test results becomes enormous.
Therefore, a method of compressing data read from the sense lines S1 to Sm and then reading the data to the outside has been proposed. FIG. 5 shows the sense line S1 for such a purpose.
To Sm, a linear feedback shift register (LF)
(SR) is shown. As shown in FIG. 5, a linear feedback shift register 36 is connected to each of the sense lines S1 to Sm.
As shown in FIG. 5, the linear feedback shift register has a configuration in which feedback is applied to a first stage from a predetermined stage of the shift register. Depending on how this feedback is applied, the linear feedback shift register (hereinafter referred to as LFSR) represents a predetermined so-called generator polynomial. As a result, the value output from the output terminal 43 is the remainder obtained by dividing the signals appearing on the sense lines S1 to Sm by the generator polynomial. With such a configuration, data can be compressed,
Efficient testing becomes possible.

【0007】以上のような、マトリクス・プロービング
方式による半導体集積回路装置が、例えば米国特許47
49947号に記載されている。また、同様な半導体集
積回路装置が特開平1−179338号公報にも記載さ
れている。
A semiconductor integrated circuit device using the matrix probing method as described above is disclosed in, for example, US Pat.
No. 49947. A similar semiconductor integrated circuit device is also described in JP-A-1-179338.

【0008】さらに、米国特許5157627号には、
マトリクス・プロービング方式において、内部回路に所
定の初期値を設定する手法についての記述がある。ま
た、米国特許5179534号には、マトリクス・プロ
ービング方式において、内部回路に初期値を設定し易く
する手法について記述がある。
Further, in US Pat. No. 5,157,627,
In the matrix probing method, there is a description about a method of setting a predetermined initial value in an internal circuit. Also, US Pat. No. 5,179,534 describes a technique for making it easier to set an initial value in an internal circuit in a matrix probing method.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のマトリクス・フロービング方式による半導体集積回路
装置においては、被検査回路である内部回路の各ゲート
の出力端子からの出力信号が全てLFSR(一般には複
数のセンス線S1〜Smが接続されるため、他入力のM
ISRとなる。従って、以下MISRと呼ぶ)に供給さ
れ、所定のデータ圧縮が行われ、所定のシグネチャーが
このMISRから出力される。
As described above, in the conventional semiconductor integrated circuit device of the matrix flowing method, all the output signals from the output terminals of the gates of the internal circuit which is the circuit to be inspected are LFSR ( Generally, since a plurality of sense lines S1 to Sm are connected, M
ISR. Therefore, the data is supplied to the MISR, a predetermined data compression is performed, and a predetermined signature is output from the MISR.

【0010】この為、従来のこのような半導体集積回路
装置に対するテストデータは、内部回路の全ての個所に
対して特定の値を設定する必要があった。もし、不適切
なデータ、または不定なデータが存在すれば、MISR
から出力されるシグネチャーによるテストが信頼性の低
いものとなってしまう。
[0010] For this reason, it is necessary to set a specific value for test data for such a conventional semiconductor integrated circuit device in all parts of the internal circuit. If there is inappropriate data or indefinite data, MISR
Tests with signatures output from are unreliable.

【0011】従って、この半導体集積回路に対して作成
されるテストデータは回路全体の値を定めなくてはなら
ないので膨大な量のテストデータとなってしまう。
Therefore, the test data created for this semiconductor integrated circuit has to determine the value of the whole circuit, and thus becomes an enormous amount of test data.

【0012】一方、半導体集積回路の設計においては、
そのブロック毎に機能が定められる場合が多く、その結
果、ブロック毎にテストデータの作成が行えれば、極め
て便利である。また、回路を構成するブロック毎にテス
トデータを設定できれば、テストデータの作成もし易
く、テストデータ全体の量も少なくなることが期待され
る。
On the other hand, in the design of a semiconductor integrated circuit,
In many cases, a function is determined for each block. As a result, it is extremely convenient if test data can be created for each block. Further, if test data can be set for each block constituting a circuit, it is expected that test data can be easily created and the total amount of test data is reduced.

【0013】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、その目的は、マトリクス・プロービング方式を採
用した半導体集積回路装置において、回路の各ブロック
毎にシグネチャーを出力することが可能な半導体集積回
路装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a semiconductor integrated circuit device which can output a signature for each block of a circuit in a semiconductor integrated circuit device employing a matrix probing method It is to provide a circuit device.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、プローブ線とセンス線とを備え、回路内
部の測定点における信号の値を読み出すマトリクスプロ
ービング方式によるテスト機能を有する半導体集積回路
装置において、前記センス線上の信号が供給されるMI
SRと、前記MISRに供給される前記センス線上の信
号を、外部からの制御信号に基づき、各センス線ごとに
マスクするマスク手段と、を含み、前記MISRは、マ
スクされているセンス線以外のセンス線に対するシグネ
チャを算出することを特徴とする半導体集積回路装置で
ある。
According to the present invention, there is provided a semiconductor device comprising a probe line and a sense line and having a test function by a matrix probing method for reading out a signal value at a measurement point in a circuit. In the integrated circuit device, the MI supplied with the signal on the sense line is
SR, and masking means for masking a signal on the sense line supplied to the MISR for each sense line based on an external control signal, wherein the MISR includes a signal other than the masked sense line. A semiconductor integrated circuit device for calculating a signature for a sense line.

【0015】[0015]

【作用】本発明のマスク手段は、制御信号に基づいて、
所定のセンス線をマスクし、MISRに送出しない。そ
の為、MISRは、マスクされていないセンス線の信号
のみに基づきシグネチャーを算出し、外部に出力する。
According to the present invention, the masking means operates based on a control signal.
A predetermined sense line is masked and is not sent to the MISR. Therefore, the MISR calculates the signature based only on the signal of the unmasked sense line and outputs the signature to the outside.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の好適な実施例を図面に基づい
て説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1には、本発明の好適な実施例である半
導体集積回路装置の構成ブロック図が示されている。図
1に示されているように、この半導体集積回路装置のチ
ップ上には、ブロックAと、ブロックBとの2つのブロ
ックからなる回路が設けられている。そして、マトリッ
クス・プロービング方式におけるプローブ線がブロック
A及びBにまたがって配設されている。一方、このプロ
ーブ線と直角に交わるセンス線は、それぞれのブロック
A及びB毎に独立に設けられている。このプローブ線及
びセンス線は、それぞれ複数本設けられているが、図1
においては省略してそれぞれ1本ずつしか示されてはい
ない。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a semiconductor integrated circuit device according to a preferred embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a circuit composed of two blocks, a block A and a block B, is provided on a chip of the semiconductor integrated circuit device. In the matrix probing method, probe wires are provided over blocks A and B. On the other hand, sense lines that intersect the probe lines at right angles are provided independently for each of the blocks A and B. A plurality of probe lines and sense lines are provided, respectively.
Are omitted and only one is shown.

【0018】本実施例において特徴的なことは、センス
線は、直接MISR100に接続されているのではな
く、マスク回路102a、102bを介して接続されて
いることである。このマスク回路102aはブロックA
に対して設けられており、マスク回路102bはブロッ
クBに対して設けられている。すなわち、ブロックAに
配置されている各センス線は全てマスク回路102aに
接続されており、ブロックBの上に配置されている全て
のセンス線はマスク回路102bに接続されている。
A feature of this embodiment is that the sense lines are not directly connected to the MISR 100 but are connected via mask circuits 102a and 102b. This mask circuit 102a is a block A
, And the mask circuit 102b is provided for the block B. That is, all the sense lines arranged in the block A are connected to the mask circuit 102a, and all the sense lines arranged in the block B are connected to the mask circuit 102b.

【0019】マスク回路102a、102bは、制御回
路104からのイネーブル信号EN1、EN2によって
制御されている。マスク回路102aはイネーブル信号
EN1によって制御されて、このイネーブル信号EN1
が「High」である場合に、接続されているセンス線
上の信号をそのままMISR100に伝達する。マスク
回路102bも同様に、イネーブル信号EN2が「Hi
gh」である場合に接続されている「ブロックB上の」
センス線の信号をそのままMISR100に送出する。
そして、イネーブル信号EN1、EN2が「Low」で
ある場合には、それぞれのマスク回路102a、102
bは、常に「Low」の値の信号をMISI100に供
給する。
The mask circuits 102a and 102b are controlled by enable signals EN1 and EN2 from a control circuit 104. The mask circuit 102a is controlled by the enable signal EN1, and the enable signal EN1
Is “High”, the signal on the connected sense line is transmitted to the MISR 100 as it is. Similarly, the mask circuit 102b sets the enable signal EN2 to “Hi”.
gh ”is connected to“ on block B ”
The signal on the sense line is sent to the MISR 100 as it is.
When the enable signals EN1 and EN2 are “Low”, the respective mask circuits 102a and 102
b always supplies a signal of “Low” value to the MISI 100.

【0020】制御回路104は、2ビットのレジスタで
あり、このレジスタには、外部から値がセットされる。
そして、外部からセットされたこの2ビットの値がその
ままイネーブル信号EN1、EN2として、マスク回路
102a、102bにそれぞれ供給されるのである。
The control circuit 104 is a 2-bit register, and a value is externally set in this register.
Then, the two-bit values set from the outside are supplied as they are as enable signals EN1 and EN2 to the mask circuits 102a and 102b, respectively.

【0021】このように、本実施例における半導体集積
回路装置においては、外部からの設定によりブロックA
もしくはブロックBのいずれかからのセンス線の信号の
値を強制的に「Low」とすることが可能である。従っ
て、この半導体集積回路装置に対するテストデータを作
成する際には、ブロックAのみに対するテストデー
タ、、そしてブロックBのみに対するテストデータとを
それぞれ独立に作成することが可能である。その結果、
テストデータの作成を迅速に行うことができ、また、テ
ストデータの量が膨大になることを防止することが可能
である。それにともない、この半導体集積回路装置のテ
ストに必要な時間も短縮することが可能である。
As described above, in the semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment, the block A
Alternatively, the value of the signal of the sense line from any of the blocks B can be forcibly set to “Low”. Therefore, when creating test data for this semiconductor integrated circuit device, it is possible to independently create test data for only block A and test data for only block B. as a result,
Test data can be created quickly, and the amount of test data can be prevented from becoming enormous. Accordingly, the time required for testing the semiconductor integrated circuit device can be reduced.

【0022】本実施例において特徴的な構成であるマス
ク回路102a、102bの回路図が図2に示されてい
る。図2に示されているように、マスク回路102a、
102bは、それぞれ複数のANDゲート106から構
成されている。そして、各ANDゲート106の一方の
端子はイネーブル信号EN1またはEN2に接続され、
他方はブロックAもしくはブロックBからのセンス線に
接続されている。そして、各ANDゲート106の出力
信号は、MISR100に供給されている。このような
構成により、イネーブル信号EN1、EN2が「Hig
h」である場合には、それぞれのセンス線の信号の値が
そのままMISR100に供給されるが、イネーブル信
号EN1、EN2の値が「Low」である場合には、そ
れぞれのセンス線の信号の値はMISR100には伝え
られず、MISR100には常に「Low」の値の信号
が供給されるのである。
FIG. 2 is a circuit diagram of the mask circuits 102a and 102b, which are characteristic configurations of the present embodiment. As shown in FIG. 2, the mask circuit 102a,
Each 102b is composed of a plurality of AND gates 106. One terminal of each AND gate 106 is connected to the enable signal EN1 or EN2,
The other is connected to a sense line from block A or block B. The output signal of each AND gate 106 is supplied to the MISR 100. With such a configuration, the enable signals EN1 and EN2 are set to “High”.
h ", the value of the signal on each sense line is supplied to the MISR 100 as it is, but when the values of the enable signals EN1, EN2 are" Low ", Is not transmitted to the MISR 100, and the signal of the value of “Low” is always supplied to the MISR 100.

【0023】本実施例において特徴的なことは、外部か
ら制御信号を設定することによりブロックAもしくはブ
ロックB上のセンス線の値を強制的に「Low」とし
て、MISR100にこの「Low」の値を供給させる
ことが可能なことである。この結果、例えばブロックA
に対してのみテストを行いたい場合には、ブロックAに
対してテストデータを供給し、イネーブル信号EN2を
「Low」とする事によってブロックB上のセンス線の
信号の値を「Low」とし、MISR100にブロック
Aからのセンス線に対してのみシグネチャーを計算させ
ることが可能である。なお、ブロックBに対してのみシ
グネチャーを計算する場合には、イネーブル信号EN2
を「High」として、イネーブル信号EN1を「Lo
w」とする事により達成される。
A characteristic of this embodiment is that the value of the sense line on the block A or B is forcibly set to "Low" by setting a control signal from the outside, and the value of the "Low" is stored in the MISR 100. Can be supplied. As a result, for example, block A
If it is desired to perform a test on only the block A, the test data is supplied to the block A, and the value of the signal of the sense line on the block B is set to "Low" by setting the enable signal EN2 to "Low". It is possible to have MISR 100 calculate the signature only for the sense lines from block A. When the signature is calculated only for the block B, the enable signal EN2
Is set to “High” and the enable signal EN1 is set to “Lo”.
w ".

【0024】以上述べたように、本実施例によれば、マ
トリックス・プロービング方式を採用した半導体集積回
路装置において、内部回路の所定のブロックからのセン
ス線をマスクする回路を設けたので、MISR100に
所望のセンス線のみに対するシグネチャーを計算させる
ことが可能となった。従って、各ブロック毎にテストデ
ータを作成することが可能となり、テストデータの作成
が容易になると共に、その量が膨大となることを防止す
ることが可能である。
As described above, according to the present embodiment, in the semiconductor integrated circuit device employing the matrix probing method, a circuit for masking a sense line from a predetermined block of an internal circuit is provided. It is now possible to calculate a signature for only a desired sense line. Therefore, it is possible to create test data for each block, making it easy to create test data and preventing an enormous amount of test data.

【0025】[0025]

【発明の効果】この様に、本発明によればセンス線をマ
スクする手段を設けたので、所望のセンス線に対しての
みシグネチャーを算出することが可能である。その結
果、テストデータの作成を所望の例えばブロック毎にす
る事が可能となりテストデータの作成が容易になると共
に、その量が膨大となることを防止することができる。
As described above, according to the present invention, since the means for masking the sense line is provided, it is possible to calculate the signature only for the desired sense line. As a result, it is possible to create test data for each desired block, for example, so that test data can be easily created and the amount of test data can be prevented from becoming enormous.

【0026】また、テストデータの量を減少させる事に
よりテスト自体に必要な時間を短縮することが可能とな
る。
Further, by reducing the amount of test data, the time required for the test itself can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の好適な実施例を表す半導体集積回路装
置の構成ブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to a preferred embodiment of the present invention.

【図2】マスク回路102a、102bの詳細な回路図
である。
FIG. 2 is a detailed circuit diagram of the mask circuits 102a and 102b.

【図3】従来のマトリクス・プロービング方式を利用し
た半導体集積回路装置の平面図である。
FIG. 3 is a plan view of a semiconductor integrated circuit device using a conventional matrix probing method.

【図4】従来のマトリクス・プロービング方式を利用し
た半導体集積回路装置において、シフトレジスタが使用
されている様子を表す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing how a shift register is used in a conventional semiconductor integrated circuit device using a matrix probing method.

【図5】従来のマトリクス・プロービング方式を利用し
た半導体集積回路装置において、各センス線S1〜Sm
にLFSRが接続されている様子を示す説明図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a conventional semiconductor integrated circuit device using a matrix probing method.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state in which an LFSR is connected to a.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 MISR 102a、102b マスク回路 104 制御回路 106 ANDゲート 100 MISR 102a, 102b Mask circuit 104 Control circuit 106 AND gate

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 プローブ線とセンス線とを備え、回路内
部の測定点における信号の値を読み出すマトリクスプロ
ービング方式によるテスト機能を有する半導体集積回路
装置において、 前記センス線上の信号が供給されるMISRと、 前記MISRに供給される前記センス線上の信号を、外
部からの制御信号に基づき、各センス線ごとにマスクす
るマスク手段と、 を含み、前記MISRは、マスクされているセンス線以
外のセンス線に対するシグネチャを算出することを特徴
とする半導体集積回路装置。
1. A semiconductor integrated circuit device comprising a probe line and a sense line, and having a test function by a matrix probing method for reading out a signal value at a measurement point inside the circuit, comprising: Masking means for masking a signal on the sense line supplied to the MISR for each sense line based on an external control signal, wherein the MISR comprises a sense line other than the sense line being masked. A semiconductor integrated circuit device for calculating a signature for
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