JP2871437B2 - Lead frame manufacturing method - Google Patents
Lead frame manufacturing methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの製造
方法、特に一方の面に第1の金属層を有する中間金属層
の他方の面に形成された第2の金属層からなるリードの
表面上をドライフィルムによりマスクした状態で上記第
1の金属層を選択的にエッチングし、上記中間金属層の
不要部分を除去し、その後上記ドライフィルムを除去す
るリードフレームの製造方法に関する。The present invention relates to a method of manufacturing a lead frame, the surface of the second lead composed of a metal layer formed on the other surface of the intermediate metal layer having a first metal layer, especially one surface It said first while masking by dry film on the
The present invention relates to a lead frame manufacturing method for selectively etching a metal layer, removing an unnecessary portion of the intermediate metal layer, and thereafter removing the dry film.
【0002】[0002]
【従来の技術】リードフレームの製造方法として、例え
ば図4(A)乃至(I)に示すような方法がある。 (A)図4(A)に示すようにアルミニウムからなる中
間金属層(厚さ例えば5μm)1の一方の面にアウター
リードとなる厚い(例えば150μm)銅層2を、他方
の面にインナーリードの下地となる薄い(例えば0.1
μm)銅層3を積層したリードフレーム材4を用意す
る。 (B)次に、図4(B)に示すように銅層3上に電着フ
ォトレジスト膜(厚さ20μm)5を塗布し、露光、現
像により形成すべきインナーリードに対してネガのパタ
ーンにこのレジスト膜5をパターニングする。2. Description of the Related Art As a method of manufacturing a lead frame, for example, there is a method as shown in FIGS. (A) As shown in FIG. 4A, one surface of an intermediate metal layer (thickness, for example, 5 μm) 1 made of aluminum has a thick (for example, 150 μm) copper layer 2 serving as an outer lead, and the other surface has an inner lead. (For example, 0.1
μm) A lead frame material 4 on which a copper layer 3 is laminated is prepared. (B) Next, as shown in FIG. 4 (B), an electrodeposited photoresist film (thickness: 20 μm) 5 is applied on the copper layer 3, and a negative pattern is formed on the inner leads to be formed by exposure and development. Next, this resist film 5 is patterned.
【0003】(C)次に、上記レジスト膜5をマスクと
して、図4(C)に示すように、上記銅層3上にメッキ
により銅層を成長させることによりインナーリード(厚
さ例えば20μm)3aを形成する。 (D)次に、フォトレジスト5を除去した後、図4
(D)に示すように各インナーリード3a、3a、…が
曲ったり折れたりするのを防止するための例えばポリイ
ミドからなる補強テープ(厚さ例えば125μm)6を
インナーリード3a、3a、…近傍にそれと直交するよ
うに貼り付ける。(C) Next, using the resist film 5 as a mask, as shown in FIG. 4C, a copper layer is grown on the copper layer 3 by plating to form inner leads (thickness, for example, 20 μm). 3a is formed. (D) Next, after removing the photoresist 5, FIG.
As shown in (D), a reinforcing tape (thickness, for example, 125 μm) 6 made of, for example, polyimide for preventing each of the inner leads 3a, 3a,... From being bent or broken is provided near the inner leads 3a, 3a,. Paste it perpendicular to it.
【0004】(E)次に、図4(E)に示すようにポジ
型のドライフィルム(厚さ例えば40μm)7をコーテ
ィングしてリードフレームのインナーリード3a側を保
護する。 (F)次に、図4(F)に示すように厚い銅層2の選択
エッチングによりアウターリードを形成する。エッチン
グ液として例えばH2 O2 /H2 SO4 系の液を用い
る。 (G)次に、図4(G)に示すように、アウターリード
2をマスクとしてアルミニウム層1をエッチングするこ
とによりアルミニウム層1の不要部分を除去する。具体
的には、例えば5%NaOH溶液(50℃)に2分間浸
漬することによりエッチングする。 (H)次に、図4(H)に示すように、アルミニウム層
1の残存部分をマスクとして薄い銅層3をエッチングに
より除去する。これにより、各インナーリード3aが他
のインナーリード3aと電気的に接続されることなく独
立した状態となる。エッチング液として例えばH2 O2
/H2 SO4 系の液を用い、エッチング時間は例えば4
分間程度である。 (I)その後、上記ドライフィルム7を図4(I)に示
すように剥離して除去する。このドライフィルム7の剥
離は例えば有機アミン(20%、温度45℃)に3分間
浸漬することにより行う。図5(A)、(B)は従来例
の説明図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のB
−B線視断面図であり、図4(A)乃至(I)に示した
断面は図5(A)のX−X線に相当する部分である。こ
の図5はリードフレームの要部を単純化して示してお
り、実際のリードフレームは図5に示したものよりも相
当に複雑である。(E) Next, as shown in FIG. 4 (E), a positive type dry film (eg, 40 μm thick) 7 is coated to protect the inner lead 3a side of the lead frame. (F) Next, as shown in FIG. 4 (F), outer leads are formed by selective etching of the thick copper layer 2. For example, an H 2 O 2 / H 2 SO 4 based solution is used as an etching solution. (G) Next, as shown in FIG. 4G, unnecessary portions of the aluminum layer 1 are removed by etching the aluminum layer 1 using the outer leads 2 as a mask. Specifically, for example, etching is performed by immersing in a 5% NaOH solution (50 ° C.) for 2 minutes. (H) Next, as shown in FIG. 4H, the thin copper layer 3 is removed by etching using the remaining portion of the aluminum layer 1 as a mask. Thereby, each inner lead 3a is in an independent state without being electrically connected to the other inner leads 3a. As an etching solution, for example, H 2 O 2
/ H 2 SO 4 -based liquid, and the etching time is, for example, 4
About a minute. (I) Thereafter, the dry film 7 is peeled and removed as shown in FIG. The dry film 7 is peeled off by immersing it in an organic amine (20%, temperature: 45 ° C.) for 3 minutes, for example. FIGS. 5A and 5B are explanatory views of a conventional example, where FIG. 5A is a plan view and FIG. 5B is a view B of FIG.
FIG. 5B is a sectional view taken along the line B, and the sections shown in FIGS. 4A to 4I are portions corresponding to line XX in FIG. FIG. 5 shows the main parts of the lead frame in a simplified manner, and the actual lead frame is considerably more complicated than that shown in FIG.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、図4に示す
ような従来のリードフレームにはドライフィルム7の剥
離により図5(A)乃至(C)に示すように、リード曲
り、折れ、ドライフィルムの絡みが主としてインナーリ
ード先端分において生じるという問題点があった。そし
て、その原因は、ドライフィルムの剥離法が非溶解法で
あることにあり、そのため、剥離する際に図5(A)に
示すようなリード曲りが生じたり、図5(B)に示すよ
うなリード折れやドライフィルム絡みが生じたり、図5
(C)に示すようなリード劣化(細化)が生じたりし
た。そして、ドライフィルムとして剥離法が溶解型のも
のは少なくとも現在存在していないのが実状である。By the way, as shown in FIGS. 5A to 5C, the lead frame of the conventional lead frame as shown in FIG. However, there is a problem that the entanglement mainly occurs at the tip of the inner lead. The cause is that the dry film peeling method is a non-dissolving method. Therefore, when peeling, a lead bend occurs as shown in FIG. 5A, or as shown in FIG. 5B. Lead breakage and dry film entanglement,
Lead deterioration (thinning) as shown in FIG. In fact, at least, at present, there is no dry film in which the release method is of a dissolving type.
【0006】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、一方の面に第1の金属層を有する中
間金属層の他方の面に形成された第2の金属層からなる
リードの表面上をドライフィルムによりマスクした状態
で上記第1の金属層を選択的にエッチングし、上記中間
金属層の不要部分を除去し、その後上記ドライフィルム
を除去するリードフレームの製造方法において、ドライ
フィルムの剥離によりリードの曲り、折れ、ドライフィ
ルムの絡み、リードの劣化(細化)が生じるのを防止す
ることを目的とする。[0006] The present invention has been made to solve the above problem, a second metal layer formed on the other surface of the intermediate metal layer having a first metal layer on one surface In the method of manufacturing a lead frame, the first metal layer is selectively etched while the surface of the lead is masked with a dry film to remove unnecessary portions of the intermediate metal layer, and then the dry film is removed. It is another object of the present invention to prevent the lead from being bent or broken due to peeling of the dry film, entanglement of the dry film, and deterioration (thinning) of the lead.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明リードフレームの
製造方法は、ドライフィルムの形成前にリードフレーム
のリード側の面にフォトレジストを少なくとも隣接リー
ド間を埋めるように形成する工程と、上記ドライフィル
ムの除去後に上記フォトレジストを除去する工程を有す
ることを特徴とする。According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a lead frame, comprising: forming a photoresist on a lead-side surface of a lead frame so as to fill at least a space between adjacent leads before forming a dry film; The method further comprises a step of removing the photoresist after removing the film.
【0008】[0008]
【作用】本発明リードフレームの製造方法によれば、ド
ライフィルム形成前に、リード間を埋めるようにフォト
レジストを形成するので、各リード間の位置関係が規定
され、その状態でドライフィルムが剥離されるので、ド
ライフィルムの剥離によってリードの曲り、折れ、ドラ
イフィルムの絡みが生じることはない。そして、上記フ
ォトレジストはドライフィルムの剥離後に液を用いて除
去することができるので、インナーリードの曲り、折
れ、ドライフィルムの絡みが生じる虞れを伴うことなく
容易に除去することができる。According to the method of manufacturing a lead frame of the present invention, a photoresist is formed so as to fill the space between the leads before forming the dry film, so that the positional relationship between the leads is defined, and the dry film is peeled off in that state. Therefore, the lead does not bend, break, or entangle with the dry film due to the peeling of the dry film. Since the photoresist can be removed using a liquid after the dry film is peeled off, the photoresist can be easily removed without the possibility that the inner leads are bent or broken and the dry film is entangled.
【0009】[0009]
【実施例】以下、本発明リードフレームの製造方法を図
示実施例に従って詳細に説明する。図1(A)乃至
(K)は本発明リードフレームの製造方法の一つの実施
例を工程順に示す断面図である。 (A)図1(A)に示すようにアルミニウムからなる中
間金属層(厚さ例えば5μm)1の一方の面にアウター
リードとなる厚い(例えば150μm)銅層2を、他方
の面にインナーリードの下地となる薄い(例えば0.1
μm)銅層3を積層したリードフレーム材4を用意す
る。 (B)次に、図4(B)に示すように銅層3上に電着フ
ォトレジスト膜(厚さ20μm)5を塗布し、露光、現
像により形成すべきインナーリードに対してネガのパタ
ーンにこのレジスト膜5をパターニングする。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a lead frame according to the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. 1A to 1K are cross-sectional views showing one embodiment of a method for manufacturing a lead frame according to the present invention in the order of steps. (A) As shown in FIG. 1A, a thick (for example, 150 μm) copper layer 2 serving as an outer lead is formed on one surface of an intermediate metal layer (thickness, for example, 5 μm) 1 made of aluminum, and an inner lead is formed on the other surface. (For example, 0.1
μm) A lead frame material 4 on which a copper layer 3 is laminated is prepared. (B) Next, as shown in FIG. 4 (B), an electrodeposited photoresist film (thickness: 20 μm) 5 is applied on the copper layer 3, and a negative pattern is formed on the inner leads to be formed by exposure and development. Next, this resist film 5 is patterned.
【0010】(C)次に、上記レジスト膜5をマスクと
して、図4(C)に示すように、上記銅層3上にメッキ
により銅層を成長させることによりインナーリード(厚
さ例えば20μm)3aを形成する。 (D)次に、フォトレジスト5を除去した後、図4
(D)に示すように各インナーリード3a、3a、…が
曲ったり折れたりするのを防止するための例えばポリイ
ミドからなる補強テープ(厚さ例えば125μm)6を
インナーリード3a、3a、…近傍にそれと直交するよ
うに貼り付ける。(C) Next, using the resist film 5 as a mask, as shown in FIG. 4C, a copper layer is grown on the copper layer 3 by plating to form inner leads (thickness, for example, 20 μm). 3a is formed. (D) Next, after removing the photoresist 5, FIG.
As shown in (D), a reinforcing tape (thickness, for example, 125 μm) 6 made of, for example, polyimide for preventing each of the inner leads 3a, 3a,... From being bent or broken is provided near the inner leads 3a, 3a,. Paste it perpendicular to it.
【0011】(E)次に、図1(E)に示すように、ポ
ジ型フォトレジスト膜(例えば東京応化製PMER−D
F40S)8を形成する。 具体的には、例えば東京応化製のフォトレジストPME
R−DF40Sの50%液を全面的に厚さ5μm程度塗
布する。すると、フォトレジストは各隣接インナーリー
ド3a・3a間に入り込む。そして、その後、ベーキン
グ処理を施す。このベーキング処理は例えばオーブンを
用いて60℃の温度で10分間行う。(E) Next, as shown in FIG. 1E, a positive photoresist film (for example, PMER-D manufactured by Tokyo Ohka) is used.
F40S) 8 is formed. Specifically, for example, a photoresist PME manufactured by Tokyo Ohka
A 50% solution of R-DF40S is applied over the entire surface to a thickness of about 5 μm. Then, the photoresist enters between the adjacent inner leads 3a. After that, a baking process is performed. This baking treatment is performed at a temperature of 60 ° C. for 10 minutes using, for example, an oven.
【0012】次いで、再び東京応化製のフォトレジスト
PMER−DF40Sの50%液を塗布する。但し、今
度の塗布は補強テープ6よりも内側(先端側)の部分
[図5(B)の(イ)に相当する部分]に対して行い、
その厚さは例えば50μmと厚くする。その後、再度ベ
ーキング処理(オーブンにより140℃の温度で30分
間程度行う。すると、フォトレジスト8は、図2に示す
ように、各隣接インナーリード3a・3aの間に入り込
み、各隣接インナーリード3a・3a間の位置関係を規
定し、リード曲り、折れ等を防止する。Next, a 50% solution of a photoresist PMER-DF40S manufactured by Tokyo Ohka is applied again. However, this application is performed on a portion inside (front end side) of the reinforcing tape 6 (a portion corresponding to (a) in FIG. 5B).
The thickness is set to, for example, 50 μm. Thereafter, baking treatment is again performed (approximately 30 minutes in an oven at a temperature of 140 ° C. Then, as shown in FIG. 2, the photoresist 8 enters between the adjacent inner leads 3a, 3a, and the adjacent inner leads 3a, 3a. The positional relationship between 3a is defined, and lead bending, bending, and the like are prevented.
【0013】(F)次に、図1(F)に示すようにポジ
型のドライフィルム(厚さ例えば40μm)7をコーテ
ィングしてリードフレームのインナーリード3a側を保
護する。 (G)次に、図1(G)に示すように厚い銅層2の選択
エッチングによりアウターリードを形成する。エッチン
グ液として例えばH2 O2 /H2 SO4 系の液を用い
る。(F) Next, as shown in FIG. 1F, a positive type dry film (for example, 40 μm thick) 7 is coated to protect the inner lead 3a side of the lead frame. (G) Next, as shown in FIG. 1G, outer leads are formed by selective etching of the thick copper layer 2. For example, an H 2 O 2 / H 2 SO 4 based solution is used as an etching solution.
【0014】(H)次に、図1(H)に示すように、ア
ウターリード2をマスクとしてアルミニウム層1をエッ
チングすることによりアルミニウム層1の不要部分を除
去する。具体的には、例えば5%NaOH溶液(50
℃)に2分間浸漬することにより行う。 (I)次に、図1(I)に示すように、ドライフィルム
7を剥離して除去する。このドライフィルム7の剥離は
有機アミン(20%、温度45℃)に3分間浸漬するこ
とにより行う。(H) Next, as shown in FIG. 1H, unnecessary portions of the aluminum layer 1 are removed by etching the aluminum layer 1 using the outer leads 2 as a mask. Specifically, for example, a 5% NaOH solution (50
C.) for 2 minutes. (I) Next, as shown in FIG. 1 (I), the dry film 7 is peeled and removed. The peeling of the dry film 7 is performed by immersing it in an organic amine (20%, temperature: 45 ° C.) for 3 minutes.
【0015】(J)次に、図1(J)に示すように、ア
ルミニウム層1の残存部分をマスクとして薄い銅層3を
エッチングにより除去する。これにより、各インナーリ
ード3aが他のインナーリード3aと電気的に接続され
ることなく独立した状態となる。 (K)その後、図1(K)に示すように、上記ポジ型の
フォトレジスト膜8を除去する。このフォトレジスト膜
8の除去は、例えば東京応化製のPMER−剥離液PS
を温度60℃にし、そのなかにリードフレームを10分
間浸漬することにより行う。すると、ポジ型のフォトレ
ジスト膜8はスムーズに且つ完全に除去することがで
き、その除去がインナーリードの曲り、折れ、ドライフ
ィルムの絡み、インナーリードの劣化(細化)が生じる
虞れを伴わない。(J) Next, as shown in FIG. 1 (J), the thin copper layer 3 is removed by etching using the remaining portion of the aluminum layer 1 as a mask. Thereby, each inner lead 3a is in an independent state without being electrically connected to the other inner leads 3a. (K) Then, as shown in FIG. 1K, the positive photoresist film 8 is removed. The removal of the photoresist film 8 is performed, for example, using a PMER-stripping solution PS manufactured by Tokyo Ohka.
At a temperature of 60 ° C., and immersing the lead frame therein for 10 minutes. Then, the positive type photoresist film 8 can be removed smoothly and completely, and the removal is accompanied by the possibility that the inner leads are bent or broken, the dry film is entangled, and the inner leads are deteriorated (thinned). Absent.
【0016】このようなリードフレームの製造方法によ
れば、ドライフィルム7形成前に、インナーリード3
a、3a間を埋めるようにフォトレジスト膜8を形成す
るので、各インナーリード3a、3a間の位置関係が規
定され、その状態でドライフィルム7が剥離されるの
で、ドライフィルム7の剥離によってインナーリード3
aの曲り、折れ、ドライフィルムの絡み、インナーリー
ド3aの劣化(細化)が生じることはない。そして、上
記フォトレジスト8は、ドライフィルム7の剥離後に液
を用いて容易に除去することができるのでインナーリー
ドの曲り、折れ、ドライフィルムの絡みが生じる虞れを
伴うことなく容易に除去することができる。図3は本実
施例におけるポジ型フォトレジスト除去後のインナーリ
ードを示す平面図である。According to such a lead frame manufacturing method, the inner leads 3 are formed before the dry film 7 is formed.
Since the photoresist film 8 is formed so as to fill in the space between the inner leads 3a and 3a, the positional relationship between the inner leads 3a and 3a is defined, and the dry film 7 is peeled off in that state. Lead 3
There is no occurrence of bending, bending, entanglement of the dry film, and deterioration (thinning) of the inner leads 3a. The photoresist 8 can be easily removed using a liquid after the dry film 7 has been peeled off, so that the photoresist 8 can be easily removed without the possibility that the inner lead may be bent, broken, or entangled with the dry film. Can be. FIG. 3 is a plan view showing the inner leads after the removal of the positive photoresist in this embodiment.
【0017】[0017]
【発明の効果】本発明リードフレームの製造方法は、ド
ライフィルムの形成前にリードフレームのリード側の面
にフォトレジストを少なくとも隣接リード間を埋めるよ
うに形成する工程と、ドライフィルム除去後に上記フォ
トレジストを除去する工程を有することを特徴とするも
のである。従って、本発明リードフレームの製造方法に
よれば、ドライフィルム形成前に、リード間を埋めるよ
うにフォトレジストを形成するので、各リード間の位置
関係が規定され、その状態でドライフィルムが剥離され
るので、ドライフィルムの剥離によってリードの曲り、
折れ劣化(細化)、ドライフィルムの絡みが生じること
はない。そして、上記フォトレジストはドライフィルム
の剥離後に液を用いてリードの曲り、折れ劣化(細
化)、ドライフィルムの絡みが生じる虞れを伴うことな
く容易に除去することができる。The method for manufacturing a lead frame according to the present invention comprises the steps of forming a photoresist on the lead side surface of the lead frame so as to fill at least the space between adjacent leads before forming the dry film; And a step of removing the resist. Therefore, according to the lead frame manufacturing method of the present invention, before forming the dry film, the photoresist is formed so as to fill the space between the leads, so that the positional relationship between the leads is defined, and the dry film is peeled off in that state. Therefore, lead bending due to peeling of dry film,
There is no breakage (thinning) and no tangling of the dry film. Then, the photoresist can be easily removed by using a liquid after peeling off the dry film without causing the possibility of bending, breaking deterioration (thinning) and tangling of the dry film.
【図1】(A)乃至(K)は本発明リードフレームの製
造方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。FIGS. 1A to 1K are cross-sectional views showing one embodiment of a method for manufacturing a lead frame according to the present invention in the order of steps.
【図2】インナーリード間にフォトレジストが入った状
態を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which a photoresist is inserted between inner leads.
【図3】本発明の効果を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing the effect of the present invention.
【図4】(A)乃至(I)はリードフレームの製造方法
の従来例を工程順に示す断面図である。FIGS. 4A to 4I are sectional views showing a conventional example of a method for manufacturing a lead frame in the order of steps.
【図5】(A)、(B)は従来例を説明するためのもの
で、(A)は平面図、(B)は(A)のA−A線視断面
図である。FIGS. 5A and 5B are views for explaining a conventional example, in which FIG. 5A is a plan view and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
【図6】(A)乃至(C)は従来例の問題点を示す図で
ある。FIGS. 6A to 6C are diagrams showing problems of a conventional example.
【符号の説明】 1 中間金属層(アルミニウム) 2 アウターリード(銅) 3、3a インナーリード(銅) 7 ドライフィルム 8 フォトレジスト[Explanation of Signs] 1 Intermediate metal layer (aluminum) 2 Outer lead (copper) 3, 3a Inner lead (copper) 7 Dry film 8 Photoresist
Claims (1)
属層の他方の面に形成された第2の金属層からなるリー
ドの表面上をドライフィルムによりマスクした状態で該
第2の金属層を選択的にエッチングし、上記中間金属層
の不要部分を除去し、その後上記ドライフィルムを除去
するリードフレームの製造方法において、 上記ドライフィルムの形成前にリードフレームの上記リ
ード側の面にフォトレジストを少なくとも隣接リード間
を埋めるように形成する工程と、 ドライフィルム除去後に上記フォトレジストを除去する
工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの製造方法[Claim 1 wherein said state in which the other of the second lead of the upper surface made of a metal layer formed on a surface of the intermediate metal layer is masked by a dry film having a first metal layer on one surface
In a lead frame manufacturing method for selectively etching a second metal layer to remove an unnecessary portion of the intermediate metal layer and thereafter removing the dry film, the lead side of the lead frame may be formed before the dry film is formed. Forming a photoresist on at least the surface of the lead so as to fill at least the space between adjacent leads; and removing the photoresist after removing the dry film.
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JP34622393A JP2871437B2 (en) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | Lead frame manufacturing method |
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JP34622393A JP2871437B2 (en) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | Lead frame manufacturing method |
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Families Citing this family (2)
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CN112831809A (en) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 广东杰信半导体材料股份有限公司 | Lead frame processing method |
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- 1993-12-21 JP JP34622393A patent/JP2871437B2/en not_active Expired - Fee Related
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