JP2864238B2 - ATM cell generator - Google Patents

ATM cell generator

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JP2864238B2
JP2864238B2 JP3298797A JP3298797A JP2864238B2 JP 2864238 B2 JP2864238 B2 JP 2864238B2 JP 3298797 A JP3298797 A JP 3298797A JP 3298797 A JP3298797 A JP 3298797A JP 2864238 B2 JP2864238 B2 JP 2864238B2
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伸記 石山
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ATM伝送装置あ
るいはATMネットワークの試験等に用いられるATM
セル発生装置において、セルデータ列を限られたメモリ
容量で多くのパターンとして発生させるための技術に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ATM used for testing an ATM transmission apparatus or an ATM network.
The present invention relates to a technique for generating a cell data string as many patterns with a limited memory capacity in a cell generator.

【0002】[0002]

【従来の技術】ATM伝送装置あるいはATMネットワ
ークでは、伝送アドレス情報と伝達データ情報とで構成
される所定ビット長(例えば53バイト長)のデータを
1つのセルデータとし、このセルデータ単位で通信を行
っている。
2. Description of the Related Art In an ATM transmission apparatus or ATM network, data of a predetermined bit length (for example, 53 bytes) composed of transmission address information and transmission data information is defined as one cell data, and communication is performed in units of this cell data. Is going.

【0003】このような伝送装置やネットワークの誤り
試験等を行うために、従来では、図5に示すATMセル
発生装置10が用いられている。
Conventionally, an ATM cell generator 10 shown in FIG. 5 is used to perform such an error test of a transmission device or a network.

【0004】このATMセル発生装置10には、セルメ
モリ11およびトラフィックメモリ12が設けられてお
り、セルメモリ11には、設定部13のセルデータ書込
手段13aによって、出力したい種類のセルデータDs
(1)〜Ds(N)が、それぞれ先頭アドレスA(1)
〜A(N)から53バイトの範囲に書き込まれている。
The ATM cell generator 10 is provided with a cell memory 11 and a traffic memory 12. The cell memory 11 has the cell data Ds of the type desired to be output by the cell data writing means 13 a of the setting unit 13.
(1) to Ds (N) are head addresses A (1), respectively.
AA (N) to 53 bytes.

【0005】また、トラフィックメモリ12には、設定
部13のパターンデータ書込手段13bによって、セル
メモリ11に記憶されているセルデータのうち、任意の
セルデータの先頭アドレスがその出力したい順番に0番
地からn−1番地まで書き込まれている。なお、トラフ
ィックメモリ12には、セルデータの先頭アドレスとと
もにその先頭アドレスのセルデータが1連のセルデータ
列の最後であるか否かを表すためのフラグデータFが書
き込まれる。この例では1のフラグデータが1連のセル
データ列の最後を表している。
In the traffic memory 12, the head address of any cell data among the cell data stored in the cell memory 11 is set to 0 in the order of output by the pattern data writing means 13 b of the setting unit 13. Addresses from address to n-1 are written. Note that the traffic memory 12 is written with flag data F for indicating whether or not the cell data at the head address is the end of a series of cell data strings together with the head address of the cell data. In this example, one piece of flag data represents the end of a series of cell data strings.

【0006】制御部15は、設定部13によってセルメ
モリ11およびトラフィックメモリ12にデータが書き
込まれた状態で、設定部13のセルデータ出力指示手段
13cからセルデータの出力の指示を受けて、トラフィ
ックメモリ12に記憶されているデータにしたがった順
序でセルメモリ11からセルデータを順次読み出して出
力する。
The control unit 15 receives an instruction to output cell data from the cell data output instructing means 13 c of the setting unit 13 in a state where the data has been written to the cell memory 11 and the traffic memory 12 by the setting unit 13, and The cell data is sequentially read from the cell memory 11 in the order according to the data stored in the memory 12 and output.

【0007】この制御部15は、トラフィックメモリ1
2に対する読出アドレスを指定するための第1のアドレ
スカウンタ16と、セルメモリ11に対する読出アドレ
スを指定するための第2のアドレスカウンタ17と、第
1、第2のアドレスカウンタ16、17をコントロール
するコントローラ18とによって構成されている。
[0007] The control unit 15 includes the traffic memory 1
A first address counter 16 for designating a read address for cell 2, a second address counter 17 for designating a read address for cell memory 11, and first and second address counters 16 and 17 are controlled. It is configured by the controller 18.

【0008】コントローラ18は、図6の(a)に示す
ように、セルデータ出力指示手段13cからセルデータ
の出力の指示を受けると、図6の(c)に示すように第
1のアドレスカウンタ16をリセットして、トラフィッ
クメモリ12の0番地のデータA(1)を読み出し、こ
のデータA(1)を図6の(d)に示すように第2のア
ドレスカウンタ17にプリセットしてから、第2のアド
レスカウンタ17を1ずつ歩進させる。このため、セル
メモリ11に対してA(1)、A(1)+1、…、A
(1)+52までアドレスが指定され、図6の(e)に
示すようにセルメモリ11からセルデータDs(1)が
出力される。また、第2のアドレスカウンタ17の出力
がA(1)+52に達する前に、第1のアドレスカウン
タ16が1だけ増加され、トラフィックメモリ12の1
番地のデータA(4)が読み出され、セルデータDs
(1)の出力が完了したときに、このデータA(4)が
第2のアドレスカウンタ17へプリセットされて、前記
同様に第2のアドレスカウンタ17がA(4)から1ず
つ増加して、セルデータDs(4)が出力される。
When the controller 18 receives an instruction to output cell data from the cell data output instructing means 13c as shown in FIG. 6A, the first address counter as shown in FIG. The data A (1) of address 0 of the traffic memory 12 is read out by resetting the data A16, and the data A (1) is preset in the second address counter 17 as shown in FIG. The second address counter 17 is incremented by one. Therefore, A (1), A (1) +1,.
(1) An address is specified up to +52, and cell data Ds (1) is output from the cell memory 11 as shown in FIG. Before the output of the second address counter 17 reaches A (1) +52, the first address counter 16 is incremented by one, and
The address data A (4) is read out and the cell data Ds
When the output of (1) is completed, the data A (4) is preset in the second address counter 17, and the second address counter 17 increases by one from A (4) in the same manner as described above. Cell data Ds (4) is output.

【0009】以下、同様にして、トラフィックメモリ1
2に記憶されているデータで指定されたアドレスのセル
データが順番に出力され、n番目のデータA(3)が読
み出されたときには、図6の(b)に示すようにトラフ
ィックメモリ12から1のフラグデータFが出力され
る。コントローラ18は、1のフラグデータFを受ける
と、その時出力されているデータA(3)を第2のアド
レスカウンタ17にプリセットしてセルデータDs
(3)を出力させている間に、第1のプリセットカウン
タ16をリセットして、再びトラフィックメモリ12の
0番地のデータA(1)を読み出させて、それまで出力
したセルデータ列を繰り返し出力させる。
Hereinafter, similarly, the traffic memory 1
2 are sequentially output, and when the n-th data A (3) is read out, the traffic memory 12 outputs the data from the traffic memory 12 as shown in FIG. The flag data F of 1 is output. When receiving the flag data F, the controller 18 presets the data A (3) output at that time to the second address counter 17 and stores the data A (3) in the cell data Ds.
While (3) is being output, the first preset counter 16 is reset, the data A (1) at address 0 of the traffic memory 12 is read again, and the cell data string output so far is repeated. Output.

【0010】このため、このATMセル発生装置10か
らは、トラフィックメモリ12に記憶されているn個の
データにそれぞれ対応したn個の連続したセルデータが
繰り返し出力されることになる。
Therefore, the ATM cell generator 10 repeatedly outputs n continuous cell data corresponding to the n data stored in the traffic memory 12, respectively.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のATMセル発生装置10では、最大繰り返し
発生パターン長Rがトラフィックメモリ12のアドレス
数分しか得られないので、実際に伝送されるデータのよ
うに多種類のセルデータによる試験を行うためには、ト
ラフィックメモリの容量を増加するしか方法がない。
However, in such a conventional ATM cell generator 10, since the maximum repetition pattern length R can be obtained only for the number of addresses in the traffic memory 12, the data of the data actually transmitted is not obtained. The only way to perform a test using various types of cell data is to increase the capacity of the traffic memory.

【0012】例えば、17ビットのアドレス空間を有す
るトラフィックメモリを用いた場合には、最大繰り返し
発生パターン長Rが13,1072セルとなるが、この
長さを100倍以上にするためには、さらに7ビット多
い24ビット以上のアドレス空間を有する高価なメモリ
を使用しなければならず、またアドレス空間が増えるこ
とによって、装置が大型化してしまう。
For example, when a traffic memory having an address space of 17 bits is used, the maximum repetition pattern length R is 13,1072 cells. An expensive memory having an address space of 24 bits or more, which is 7 bits larger, must be used, and the increase in the address space increases the size of the device.

【0013】本発明は、この問題を解決し、限られたメ
モリ容量で最大繰り返しパターン長を長くできるように
したATMセル発生装置を提供することを目的としてい
る。
An object of the present invention is to provide an ATM cell generator which solves this problem and can increase the maximum repetition pattern length with a limited memory capacity.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のATMセル発生装置は、セルデータが予め
記憶されているセルメモリ(21)と、該セルメモリに
記憶されているセルデータの出力順序を指定するための
データが予め記憶されているトラフィックメモリ(2
2)と、該トラフィックメモリに記憶されているデータ
を順次読み出し、該読み出した各データに対応するセル
データを前記セルメモリから出力させる制御部(25)
とを備えたATMセル発生装置において、前記トラフィ
ックメモリはシーケンス情報領域と複数のパターン情報
領域とを有し、該各パターン情報領域にはそれぞれセル
データのセルメモリアドレスがその出力順に予め記憶さ
れており、前記シーケンス情報領域には前記パターン情
報領域を複数指定するための複数のトラフィックメモリ
アドレスが予め記憶されており、前記制御部は、前記ト
ラフィックメモリのシーケンス情報領域に記憶されてい
るトラフィックメモリアドレスを所定順に読み出し、該
読み出した各トラフィックメモリアドレスで指定された
パターン情報領域に記憶されているセルメモリアドレス
を順番に読み出し、該読み出した各セルメモリアドレス
で指定されたセルデータを前記セルメモリから順次出力
させるように構成されている。
To achieve the above object, an ATM cell generator according to the present invention comprises a cell memory (21) in which cell data is stored in advance and a cell memory (21) stored in the cell memory. A traffic memory (2) in which data for designating the data output order is stored in advance.
2) and a control unit (25) for sequentially reading data stored in the traffic memory and outputting cell data corresponding to the read data from the cell memory.
Wherein the traffic memory has a sequence information area and a plurality of pattern information areas, and in each of the pattern information areas, a cell memory address of cell data is stored in advance in the output order. In the sequence information area, a plurality of traffic memory addresses for designating a plurality of the pattern information areas are stored in advance, and the control unit is configured to control a traffic memory address stored in the sequence information area of the traffic memory. Are read in a predetermined order, the cell memory addresses stored in the pattern information area specified by the read traffic memory addresses are sequentially read, and the cell data specified by the read cell memory addresses are read from the cell memory. Configuration to output sequentially It has been.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。図1は、一実施形態のATMセル
発生装置20の構成を示すブロック図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an ATM cell generator 20 according to one embodiment.

【0016】このATMセル発生装置20は、セルメモ
リ21、トラフィックメモリ22、制御部25およびC
PUからなる設定部23によって構成されている。
The ATM cell generator 20 includes a cell memory 21, a traffic memory 22, a control unit 25 and a C memory.
It is configured by a setting unit 23 composed of a PU.

【0017】セルメモリ21には、予め設定部23によ
って各先頭アドレスA(1)〜A(N)からそれぞれ5
3バイトの範囲に任意のセルデータDs(1)〜Ds
(N)がそれぞれ書き込まれている。
The cell memory 21 stores 5 bits from each of the start addresses A (1) to A (N) by the setting unit 23 in advance.
Arbitrary cell data Ds (1) to Ds in the range of 3 bytes
(N) are respectively written.

【0018】トラフィックメモリ22は、先頭アドレス
をB(1)(0番地)とするシーケンス情報領域22a
と、先頭アドレスをそれぞれB(2)、B(3)、…、
B(M+1)とする複数個(M個)のパターン情報領域
22b1 〜22bM とに分かれており、各パターン情報
領域22b1 〜22bM には、設定部23によって予め
図2に示すように最大m個までの任意のセルデータのセ
ルメモリアドレスAがその出力順に記憶されている。
The traffic memory 22 has a sequence information area 22a having a start address of B (1) (address 0).
, And the start addresses are B (2), B (3),.
B (M + 1) and is divided into a pattern information region 22b 1 ~22b M plurality (M number) which, in each pattern information region 22b 1 ~22b M, as shown previously in Figure 2 by the setting unit 23 Cell memory addresses A of up to m arbitrary cell data are stored in the output order.

【0019】一方、シーケンス情報領域22aには、設
定部23によって予め図2に示すように最大m個までの
パターン情報領域の先頭アドレスBが任意の順列組合せ
で記憶されている。なお、以下の説明では、各パターン
情報領域22b1 〜22bMに記憶されているアドレス
データの組をそれぞれパターンデータDp(1)〜Dp
(M)と呼び、シーケンス情報領域22aに記憶されて
いるアドレスデータの組をシーケンスデータDsqと呼
ぶ。
On the other hand, in the sequence information area 22a, as shown in FIG. 2, head addresses B of up to m pattern information areas are stored in advance by the setting unit 23 in an arbitrary permutation combination. In the following description, a set of address data stored in each of the pattern information areas 22b 1 to 22b M is referred to as pattern data Dp (1) to Dp, respectively.
(M), and a set of address data stored in the sequence information area 22a is called sequence data Dsq.

【0020】また、このトラフィックメモリ22のシー
ケンスデータDsqおよびパターンデータDp(1)〜D
p(M)には、例えばこのATMセル発生装置20が出
力するセルデータ列の1周期の最終のパターンデータを
1で指定するフラグデータFaと、シーケンス領域22
aで指定された各パターン情報領域22b1 〜22bM
の最終のセルデータを1で指定するフラグデータFbが
記憶されている。
The sequence data Dsq and the pattern data Dp (1) to Dp (1)
In p (M), for example, the flag data Fa for designating the last pattern data of one cycle of the cell data string output by the ATM cell generator 20 with 1, and the sequence area 22
Each pattern information area 22b 1 to 22b M designated by a
The flag data Fb which designates the last cell data of 1 by 1 is stored.

【0021】設定部23は、セルメモリ21に対して任
意のセルデータを書き込むためのセルデータ書込手段2
3aと、トラフィックメモリ22の各パターン情報領域
22b1 〜22bM に任意のパターンデータを書き込む
ためのパターンデータ書込手段23bと、トラフィック
メモリ22のシーケンス情報領域22aに任意のシーケ
ンスデータを書き込むためのシーケンスデータ書込手段
23cと、セルデータの出力開始と出力停止を制御部2
5に指示するためのセルデータ出力指示手段23dとを
有している。
The setting section 23 is a cell data writing means 2 for writing arbitrary cell data to the cell memory 21.
And 3a, the pattern data writing means 23b for writing an arbitrary pattern data in each pattern information region 22b 1 ~22b M traffic memory 22, for writing an arbitrary sequence data in the sequence information area 22a of the traffic memory 22 Sequence data writing means 23c and control unit 2 for starting and stopping output of cell data
5 is provided.

【0022】制御部25は、設定部23から出力開始の
指示を受けると、トラフィックメモリ22のシーケンス
情報領域22aのシーケンスデータDsqを先頭から読み
出して、そのデータで指定されているアドレスのパター
ンデータDpを先頭から順番に読み出し、そのデータで
指定されているアドレスのセルデータをセルメモリ21
から読み出すという動作を繰り返し行う。
When the control section 25 receives an output start instruction from the setting section 23, the control section 25 reads the sequence data Dsq in the sequence information area 22a of the traffic memory 22 from the beginning, and reads the pattern data Dp of the address specified by the data. Are read in order from the beginning, and the cell data at the address specified by the data is read from the cell memory 21.
The operation of reading data from is repeated.

【0023】制御部25は、図1に示しているように、
トラフィックメモリ22のシーケンス情報領域22aの
アドレスを指定するための第1のアドレスカウンタ2
6、トラフィックメモリ22のパターン情報領域22b
1 〜22bM のアドレスを指定するための第2のアドレ
スカウンタ27、セルメモリ21のアドレスを指定する
ための第3のアドレスカウンタ28、第1、第2のアド
レスカウンタ26、27の出力の何れか一方を選択的に
トラフィックメモリ22へ出力するためのデータセレク
タ29および第1〜第3のアドレスカウンタ26〜28
とデータセレクタ29を制御するコントローラ30とに
よって構成されている。
The control unit 25, as shown in FIG.
First address counter 2 for specifying an address of sequence information area 22a of traffic memory 22
6. Pattern information area 22b of traffic memory 22
Any one of the outputs of the second address counter 27 for designating the address of 1 to 22b M , the third address counter 28 for designating the address of the cell memory 21, and the first and second address counters 26 and 27 Data selector 29 and first to third address counters 26 to 28 for selectively outputting one of them to traffic memory 22.
And a controller 30 for controlling the data selector 29.

【0024】図3は、このコントローラ30の処理手順
を示すフローチャートである。以下、このフローチャー
トに基づいてこのATMセル発生装置20の動作を説明
する。
FIG. 3 is a flowchart showing the processing procedure of the controller 30. Hereinafter, the operation of the ATM cell generator 20 will be described with reference to this flowchart.

【0025】予めセルデータDs、パターンデータDp
およびシーケンスデータDsqが前記図1、図2に示した
ように記憶されている状態で、図4の(a)に示すよう
に、設定部23からセルデータの出力開始が指示される
と、図4の(d)〜(f)に示すように、第1〜第3の
アドレスカウンタ26〜28がリセットされ、データセ
レクタ29が第1のアドレスカウンタ26側に接続され
る(S1〜S3)。このため、トラフィックメモリ22
に対して0番地、即ちB(1)番地が指定され、これを
先頭アドレスとするシーケンスデータDsqの第1データ
B(2)とフラグデータFaとが読み出される(S
4)。
The cell data Ds and the pattern data Dp
In the state where the sequence data Dsq is stored as shown in FIGS. 1 and 2, when the start of cell data output is instructed from the setting unit 23 as shown in FIG. As shown in (d) to (f) of FIG. 4, the first to third address counters 26 to 28 are reset, and the data selector 29 is connected to the first address counter 26 (S1 to S3). Therefore, the traffic memory 22
, The address B (1) is designated, and the first data B (2) of the sequence data Dsq and the flag data Fa having this address as the start address are read (S).
4).

【0026】そして、このフラグデータFaがラッチさ
れ、第1データB(2)が図4の(e)のように第2の
アドレスカウンタ27にプリセットされ、データセレク
タ29が第2のアドレスカウンタ27側に切り換えられ
る(S5〜S7)。
Then, the flag data Fa is latched, the first data B (2) is preset in the second address counter 27 as shown in FIG. 4E, and the data selector 29 is set in the second address counter 27. (S5 to S7).

【0027】このため、トラフィックメモリ22に対し
てB(2)番地が指定され、B(2)番地を先頭アドレ
スとするパターンデータDp(1)の第1データA
(1)と0のフラグデータFbとが読み出される(S
8)。
For this reason, the address B (2) is designated in the traffic memory 22, and the first data A of the pattern data Dp (1) having the address B (2) as the head address.
(1) and the flag data Fb of 0 are read (S
8).

【0028】そして、このフラグデータFbがラッチさ
れ、第1データA(1)が図4の(f)のように第3の
アドレスカウンタ28にプリセットされ、セルメモリ2
1に対してA(1)番地が指定される(S9〜S1
0)。
Then, the flag data Fb is latched, and the first data A (1) is preset in the third address counter 28 as shown in FIG.
Address A (1) is designated for No. 1 (S9 to S1)
0).

【0029】ここで、第3のアドレスカウンタ28に所
定周期のクロックパルスを与えて、セルメモリ21のア
ドレスA(1)〜A(1)+52までの範囲に記憶され
ているセルデータDs(1)の読み出しを開始させる
(S11)。
Here, a clock pulse of a predetermined cycle is given to the third address counter 28, and the cell data Ds (1) stored in the address A (1) to A (1) +52 of the cell memory 21 is stored. ) Is started (S11).

【0030】次に、この1セル分の読み出しが行われて
いる間に、フラグデータFa、Fbが共に1か否かが判
定され、1でない場合には現在出力しているセルデータ
が、1パターンデータの最後のセルデータであるか否か
が判定され、最後のセルデータでなければ、図4の
(e)のように第2のアドレスカウンタ27の計数値を
B(2)から1だけ増加させて、トラフィックメモリ2
2から現在のパターンデータDp(1)の第2データA
(3)とフラグデータFbとを読み出し、そのフラグデ
ータFbをラッチしてから、現在出力しているセルデー
タの出力が終了するのを待つ(S12〜S17)。
Next, while the reading of one cell is being performed, it is determined whether or not both of the flag data Fa and Fb are “1”. It is determined whether or not it is the last cell data of the pattern data. If it is not the last cell data, the count value of the second address counter 27 is incremented by 1 from B (2) as shown in FIG. Increase the traffic memory 2
2 to the second data A of the current pattern data Dp (1)
(3) and the flag data Fb are read out, the flag data Fb is latched, and the process waits until the output of the currently output cell data is completed (S12 to S17).

【0031】そして、そのセルデータの出力が完了した
時点で、処理S10へ戻り第2データA(3)を第3の
アドレスカウンタ28へプリセットして、セルメモリ2
1のアドレスA(3)を先頭アドレスとして記憶されて
いるセルデータDs(3)の出力を開始させる。なお、
セルデータの出力終了を待っている間に設定部23から
出力停止が指示されると処理S1へ戻り、次の出力指示
を待つ(S18)。
When the output of the cell data is completed, the process returns to step S10, where the second data A (3) is preset in the third address counter 28, and the cell memory 2
The output of the cell data Ds (3) stored with the address A (3) of 1 as the head address is started. In addition,
If output stop is instructed from the setting unit 23 while waiting for the end of cell data output, the process returns to step S1 and waits for the next output instruction (S18).

【0032】この処理S10〜S18までを繰り返すこ
とによって、セルメモリ21からは、図4の(g)に示
すように、パターンデータDp(1)で指定された各ア
ドレスのセルデータDs(1)、Ds(3)、…、Ds
(12)が順番に出力されることになる。
By repeating the processes S10 to S18, the cell memory 21 outputs the cell data Ds (1) of each address specified by the pattern data Dp (1) as shown in FIG. , Ds (3), ..., Ds
(12) will be output in order.

【0033】そして、パターンデータDp(1)の最後
のデータ(m番目のデータ)A(12)の出力中には、
第1のアドレスカウンタ26の計数値が1だけ増加さ
れ、データセレクタ29が第1のアドレスカウンタ26
側に切り換えられる(S19〜S20)。このため、シ
ーケンスデータDsqの第2データB(4)とフラグデー
タFaが読み出され、そのフラグデータFaがラッチさ
れ、データB(4)が第2のアドレスカウンタ27にプ
リセットされてから、データセレクタ29が第2のアド
レスカウンタ27側に切り換えられて、処理S15へ移
行して、アドレスB(4)を先頭アドレスとしてトラフ
ィックメモリ22に記憶されているパターンデータDp
(3)の第1データA(11)が読み出され、現在出力
中のセルデータDs(12)に続いて、アドレスA(1
1)を先頭アドレスとしてセルメモリ21に記憶されて
いるセルデータDs(11)を出力させる(S21〜S
24)。
During the output of the last data (m-th data) A (12) of the pattern data Dp (1),
The count value of the first address counter 26 is incremented by 1, and the data selector 29 sets the first address counter 26
(S19-S20). Therefore, the second data B (4) of the sequence data Dsq and the flag data Fa are read out, the flag data Fa is latched, and the data B (4) is preset in the second address counter 27. The selector 29 is switched to the second address counter 27 side, and the process proceeds to step S15, where the pattern data Dp stored in the traffic memory 22 with the address B (4) as the leading address.
The first data A (11) of (3) is read, and following the cell data Ds (12) currently being output, the address A (1) is read.
The cell data Ds (11) stored in the cell memory 21 is output with 1) as the start address (S21 to S21).
24).

【0034】このため、セルメモリ21からは、図4の
(g)に示しているように、パターンデータDp(1)
で指定されたセルデータ列に続いてパターンデータDp
(3)で指定されたセルデータDs(11)、Ds
(4)、…、Ds(2)が出力されることになり、以下
同様にして、シーケンスデータDsqで指定されているパ
ターンデータが順番に選択され、その選択されたパター
ンデータによって指定されているセルデータが出力され
る。
Therefore, as shown in FIG. 4G, the pattern data Dp (1) is output from the cell memory 21.
Pattern data Dp following the cell data string specified in
Cell data Ds (11), Ds specified in (3)
(4),..., Ds (2) are output. Similarly, pattern data specified by the sequence data Dsq is sequentially selected, and specified by the selected pattern data. Cell data is output.

【0035】そして、シーケンスデータDsqの最後のデ
ータB(3)が、1のフラグデータFaとともに読み出
されて、そのデータB(3)で指定されているトラフィ
ックメモリ22のパターンデータDp(2)の最後のデ
ータA(5)と1のフラグデータFbが読み出されて、
そのアドレスA(5)を先頭アドレスとするセルデータ
Ds(5)が出力されているときには、第1のアドレス
カウンタ26がリセットされてから、処理S20に移行
する(S25)。
Then, the last data B (3) of the sequence data Dsq is read out together with one flag data Fa, and the pattern data Dp (2) of the traffic memory 22 specified by the data B (3) is read out. Of the last data A (5) and 1 flag data Fb are read out,
When the cell data Ds (5) having the address A (5) as the leading address is being output, the process proceeds to step S20 after the first address counter 26 is reset (S25).

【0036】このため、それまで出力した一連のセルデ
ータの列が繰り返し出力されることになる。なお、上記
例は、パターン情報領域22b1 に「1」のフラグデー
タFbが設定されていない場合を説明しているが、フラ
グデータFbを「1」とすることもできる。
For this reason, the series of cell data output up to that point is repeatedly output. Although the above example describes a case where the flag data Fb of “1” is not set in the pattern information area 22b 1 , the flag data Fb may be set to “1”.

【0037】ここで、シーケンス情報領域22aのアド
レス数および各パターン情報領域22b1 〜22bM
アドレス数をともにmとすると、このトラフィックメモ
リ22を用いたセルデータの最大繰り返しパターン長
R′はm2 セルとなる。
[0037] Here, if both the m number of addresses of the sequence information area 22a and the number of addresses of each pattern information region 22b 1 ~22b M, maximum repetition pattern length R 'cell data using the traffic memory 22 m There are two cells.

【0038】例えば、m=8192のときの最大繰り返
しパターン長R′は67,108,864セルとなり、
同一容量のトラフィックメモリを用いた従来装置のセル
データの最大繰り返しパターン長R=131,072セ
ルに比べて格段に長くなる。
For example, when m = 8192, the maximum repetition pattern length R 'is 67, 108, 864 cells.
The maximum repetition pattern length R of cell data of the conventional device using the same capacity traffic memory is much longer than R = 131,072 cells.

【0039】なお、一般式で比較すると、従来装置の最
大繰り返しパターン長(トラフィックメモリ22の容
量)はm×(1+M)であるのに対し、このATMセル
発生装置20の最大繰り返しパターン長R′はm×mで
あるから、m>1+MのときにこのATMセル発生装置
20の最大繰り返しパターン長R′は同一容量のトラフ
ィックメモリを用いた従来装置の最大繰り返しパターン
長Rより長くなる。
In comparison with the general formula, the maximum repetition pattern length (capacity of the traffic memory 22) of the conventional device is m × (1 + M), whereas the maximum repetition pattern length R 'of the ATM cell generator 20 is as follows. Is m × m, so that when m> 1 + M, the maximum repetition pattern length R ′ of the ATM cell generator 20 is longer than the maximum repetition pattern length R of the conventional device using the same capacity of traffic memory.

【0040】また、上記の実施形態では、シーケンス情
報領域22aのアドレス数および各パターン情報領域2
2b1 〜22bM のアドレス数をともにmとしていた
が、各パターン情報領域22b1 〜22bM のアドレス
数に対してシーケンス情報領域22aのアドレス数が異
なっていてもよく、また、各パターン情報領域22b1
〜22bM のアドレス数が異なっていてもよい。
In the above embodiment, the number of addresses in the sequence information area 22a and the number of
2b 1 ~22b M had together with m the number of addresses of may have different number of addresses in sequence information area 22a to the address number of each pattern information region 22b 1 ~22b M, Each pattern information area 22b 1
The number of addresses of 2222b M may be different.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のATMセ
ル発生装置は、トラフィックメモリを複数のパターン情
報領域とシーケンス情報領域に分け、複数のパターン情
報領域にはそれぞれセルデータのセルメモリアドレスが
その出力順に予め記憶され、シーケンス情報領域にはパ
ターン情報領域を複数指定するための複数のトラフィッ
クメモリアドレスが予め記憶され、制御部がトラフィッ
クメモリのシーケンス情報領域に記憶されている複数の
トラフィックメモリアドレスを所定順に読み出し、その
読み出した各トラフィックメモリアドレスで指定された
パターン情報領域に記憶されているセルメモリアドレス
を順番に読み出し、その読み出した各セルメモリアドレ
スで指定されたセルデータをセルメモリから順次出力さ
せるように構成されている。
As described above, the ATM cell generator according to the present invention divides the traffic memory into a plurality of pattern information areas and a sequence information area, and the plurality of pattern information areas each have a cell memory address of cell data. A plurality of traffic memory addresses for designating a plurality of pattern information areas are stored in advance in the sequence information area, and a plurality of traffic memory addresses stored in the sequence information area of the traffic memory are stored in the sequence information area. Are read in a predetermined order, the cell memory addresses stored in the pattern information area specified by the read traffic memory addresses are sequentially read, and the cell data specified by the read cell memory addresses are sequentially read from the cell memory. Configured to output To have.

【0042】このため、トラフィックメモリの容量が少
なくても、セルデータの最大繰り返しパターン長を格段
に長くすることができる。
Therefore, even if the capacity of the traffic memory is small, the maximum repetition pattern length of the cell data can be significantly increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態の構成を示すブロック図FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】一実施形態のメモリの領域とデータ記憶例を示
す図
FIG. 2 is a diagram illustrating a memory area and an example of data storage according to an embodiment;

【図3】一実施形態の要部の処理手順を示すフローチャ
ート
FIG. 3 is a flowchart illustrating a processing procedure of a main part of the embodiment;

【図4】一実施形態の動作を説明するためのタイミング
チャート
FIG. 4 is a timing chart for explaining the operation of the embodiment;

【図5】従来装置の構成を示すブロック図FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of a conventional device.

【図6】従来装置の動作を説明するためのタイミングチ
ャート
FIG. 6 is a timing chart for explaining the operation of the conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 ATMセル発生装置 21 セルメモリ 22 トラフィックメモリ 22a シーケンス情報領域 22b1 〜22bM パターン情報領域 23 設定部 25 制御部 26〜28 アドレスカウンタ 29 データセレクタ 30 コントローラReference Signs List 20 ATM cell generator 21 Cell memory 22 Traffic memory 22a Sequence information area 22b 1 to 22b M pattern information area 23 Setting unit 25 Control unit 26 to 28 Address counter 29 Data selector 30 Controller

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】セルデータが予め記憶されているセルメモ
リ(21)と、該セルメモリに記憶されているセルデー
タの出力順序を指定するためのデータが予め記憶されて
いるトラフィックメモリ(22)と、該トラフィックメ
モリに記憶されているデータを順次読み出し、該読み出
した各データに対応するセルデータを前記セルメモリか
ら出力させる制御部(25)とを備えたATMセル発生
装置において、 前記トラフィックメモリはシーケンス情報領域と複数の
パターン情報領域とを有し、該各パターン情報領域には
それぞれセルデータのセルメモリアドレスがその出力順
に予め記憶されており、前記シーケンス情報領域には前
記パターン情報領域を複数指定するための複数のトラフ
ィックメモリアドレスが予め記憶されており、 前記制御部は、前記トラフィックメモリのシーケンス情
報領域に記憶されているトラフィックメモリアドレスを
所定順に読み出し、該読み出した各トラフィックメモリ
アドレスで指定されたパターン情報領域に記憶されてい
るセルメモリアドレスを順番に読み出し、該読み出した
各セルメモリアドレスで指定されたセルデータを前記セ
ルメモリから順次出力させるように構成されていること
を特徴とするATMセル発生装置。
1. A cell memory in which cell data is stored in advance, and a traffic memory in which data for designating an output order of the cell data stored in the cell memory is stored in advance. An ATM cell generator comprising: a controller for sequentially reading data stored in the traffic memory and outputting cell data corresponding to the read data from the cell memory; Has a sequence information area and a plurality of pattern information areas, and the cell information addresses of the cell data are stored in advance in the respective pattern information areas in the output order, and the pattern information area is stored in the sequence information area. A plurality of traffic memory addresses for specifying a plurality are stored in advance, and the control Reads the traffic memory addresses stored in the sequence information area of the traffic memory in a predetermined order, sequentially reads the cell memory addresses stored in the pattern information area specified by the read traffic memory addresses, An ATM cell generator configured to sequentially output cell data designated by each read cell memory address from the cell memory.
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