JP2861018B2 - Ion implanter - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオン注入装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an ion implantation apparatus.
〔従来の技術〕 従来のイオン注入装置は第２図に示すように、イオン
を発生させるイオンソース部11と、発生したイオンから
半導体基板（以下単に基板という）２に注入するイオン
種を選ぶ分析管10と、この分析管10から選んだイオンを
加速するビームライン９と、基板２を保持する支持板３
を有し、基板２にイオンを注入するための真空チャンバ
ー４とから主に構成されている。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 2, a conventional ion implantation apparatus analyzes an ion source 11 for generating ions and an ion species to be implanted into a semiconductor substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) 2 from the generated ions. A tube 10, a beam line 9 for accelerating ions selected from the analysis tube 10, and a support plate 3 for holding the substrate 2
And a vacuum chamber 4 for implanting ions into the substrate 2.
上述した従来のイオン注入装置は、基板２にイオン注
入を行うための真空チャンバー４とビームライン９の間
に基板２の入れ替えの為必要なシャッターを有してい
る。しかしながら、従来のイオン注入装置は、基板２を
入れかえて真空チャンバーを真空引きした後このシャッ
ターを開けると、基板側チャンバーとビームライン側の
真空度の違いで気流のみだれが生じる。このためビーム
ライン９の壁面や基板側の真空チャンバー４内の粉塵が
舞い上り基板２に付着するという欠点があった。The above-described conventional ion implantation apparatus has a shutter necessary for replacing the substrate 2 between the vacuum chamber 4 for performing ion implantation on the substrate 2 and the beam line 9. However, in the conventional ion implantation apparatus, if the shutter is opened after the vacuum chamber is evacuated by replacing the substrate 2, airflow is generated due to a difference in the degree of vacuum between the substrate side chamber and the beam line side. For this reason, there is a disadvantage that dust in the wall surface of the beam line 9 and the vacuum chamber 4 on the substrate side soars and adheres to the substrate 2.
これを防ぐためには、ビームライン９の壁面と基板側
の真空チャンバー４内の粉塵を取り除くことが必要であ
る。基板側の真空チャンバー４内の粉塵は、基板２の入
れ替えの際その都度の清掃ができるので問題はない。し
かしビームライン９側の粉塵を除去するためには、ビー
ムライン９全体を大気にしなければならず、その容量も
大きいので、清掃に多大な工数を要し、清掃後の再稼働
までにかかる時間も長く必要とする。In order to prevent this, it is necessary to remove the dust in the wall of the beam line 9 and the vacuum chamber 4 on the substrate side. There is no problem because dust in the vacuum chamber 4 on the substrate side can be cleaned each time the substrate 2 is replaced. However, in order to remove the dust on the side of the beam line 9, the entire beam line 9 needs to be in the atmosphere, and its capacity is large. Need longer.
このため、従来のイオン注入装置は、ビームライン９
側の粉塵の除去は十分行うことができないままで作業が
行なわれることが多く、基板に粉塵が付着し半導体装置
の製造歩留り及び信頼性を低下させるという問題点があ
った。For this reason, the conventional ion implantation apparatus uses the beam line 9.
In many cases, the operation is performed without sufficiently removing the dust on the side, and there is a problem that the dust adheres to the substrate, thereby lowering the production yield and reliability of the semiconductor device.
本発明のイオン注入装置は、イオンソース部と該イオ
ンソース部からのイオン種を分離する分析管と該分析管
により分離されたイオンビームを引き出すビームライン
と該ビームラインに接続しイオン注入を行うための半導
体基板を保持する真空チャンバーとを有するイオン注入
装置において、前記ビームラインと真空チャンバー間
に、前記ビームラインと前記真空チャンバーにそれぞれ
シャッターを介して接続され、かつ前記ビームライン側
を高真空に保ったまま清掃可能な箱型の予備真空室を設
けたたものである。The ion implantation apparatus of the present invention performs ion implantation by connecting an ion source, an analysis tube for separating ion species from the ion source, a beam line for extracting an ion beam separated by the analysis tube, and the beam line. An ion implantation apparatus having a vacuum chamber for holding a semiconductor substrate, wherein the beam line and the vacuum chamber are connected via a shutter between the beam line and the vacuum chamber, respectively, and the beam line side is subjected to high vacuum. In this case, a box-shaped preliminary vacuum chamber is provided which can be cleaned while maintaining the vacuum.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例の断面図である。 FIG. 1 is a sectional view of one embodiment of the present invention.
第１図において、イオン注入装置は、イオンソース部
11と、イオンソース部からのイオン種を分離するための
分析管10と、分離されたイオンビームを引き出すビーム
ライン９と、シャッター6A、6Bを有し、ビームライン９
に接続され、ビームライン側を高真空に保ったまま清掃
可能な箱型の予備真空室１と、この予備真空室１に接続
し基板２を保持する支持板３を有する真空チャンバー４
とから主に構成されている。そしてイオンソース部11,
ビームライン9,予備真空室1,真空チャンバー４には、そ
れぞれ高真空にするためのクライオポンプ８が接続され
ている。イオン注入を行う際はモーター５に接続された
支持板３を回転させることにより基板２に均一にイオン
を注入させることができる。そしてこの予備真空室１は
ビームの方向に対し奥行10cm程度のメンテナンスを行い
やすい大きさになっている。In FIG. 1, an ion implantation apparatus includes an ion source section.
11, an analysis tube 10 for separating the ion species from the ion source, a beam line 9 for extracting the separated ion beam, and shutters 6A and 6B.
And a vacuum chamber 4 having a box-shaped preliminary vacuum chamber 1 which can be cleaned while maintaining the beam line side at a high vacuum, and a support plate 3 connected to the preliminary vacuum chamber 1 and holding a substrate 2.
It is mainly composed of And the ion source part 11,
A cryopump 8 for establishing a high vacuum is connected to the beam line 9, the preliminary vacuum chamber 1, and the vacuum chamber 4, respectively. When performing ion implantation, the substrate 2 can be uniformly implanted with ions by rotating the support plate 3 connected to the motor 5. The preliminary vacuum chamber 1 has a depth of about 10 cm with respect to the direction of the beam and is easily sized for maintenance.
このように構成された本実施例によれば、シャッター
6A、6Bを閉じた状態で真空チャンバー４を、ちようつが
いを支点として開けて大気圧としたのち、シャッター6A
を開けて予備真空室１内を清掃できる為、容量の大きい
ビームライン９を清掃する時にくらべ、わずかな時間と
工数で予備真空室１の清掃を行うことができる。このた
め予備真空室１内を粉塵のない清潔な状態に保つことが
できる。According to the present embodiment configured as described above, the shutter
After closing the vacuum chamber 4 with the 6A and 6B closed and opening the vacuum chamber 4 with the fulcrum as a fulcrum, the shutter 6A is opened.
Can be opened to clean the inside of the preliminary vacuum chamber 1, so that the preliminary vacuum chamber 1 can be cleaned in a shorter time and man-hour than when cleaning the beam line 9 having a large capacity. For this reason, the inside of the preliminary vacuum chamber 1 can be kept clean without dust.
実際にイオン注入を行う時は、次のように操作する。
まず、予備真空室１と真空チャンバー４とのシャッター
6Aを開ける。数秒後予備真空室１とビームライン９との
シャッター6Bを開けてから基板２にイオン注入を行う。When actually performing ion implantation, the following operation is performed.
First, the shutter between the preliminary vacuum chamber 1 and the vacuum chamber 4
Open 6A. After a few seconds, the shutter 6B between the preliminary vacuum chamber 1 and the beam line 9 is opened, and then the ion implantation into the substrate 2 is performed.
以上説明したように本発明は、半導体基板を保持する
支持板を有する真空チャンバーと、イオンビームを引き
出すビームラインとの間に予備真空室を設けることによ
り、予備真空室の清掃が簡単に行えるため、半導体基板
へのビームラインからの粉塵の付着を防止することがで
きるため、半導体装置の製造歩留り及び信頼性を向上さ
せることができるという効果がある。As described above, according to the present invention, the preliminary vacuum chamber can be easily cleaned by providing the preliminary vacuum chamber between the vacuum chamber having the support plate holding the semiconductor substrate and the beam line for extracting the ion beam. In addition, since it is possible to prevent dust from adhering to the semiconductor substrate from the beam line, there is an effect that the manufacturing yield and reliability of the semiconductor device can be improved.
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来のイ
オン注入装置の一例の断面図である。 １……予備真空室、２……基板、３……支持板、４……
真空チャンバー、５……モーター、6A、6B……シャッタ
ー、８……クライオポンプ、９……ビームライン、10…
…分析管、11……イオンソース部。FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of an example of a conventional ion implantation apparatus. 1 ... Preliminary vacuum chamber, 2 ... Substrate, 3 ... Support plate, 4 ...
Vacuum chamber, 5 ... motor, 6A, 6B ... shutter, 8 ... cryopump, 9 ... beam line, 10 ...
... Analytical tube, 11 ... Ion source section.
Claims (1)
イオン種を分離する分析管と該分析管により分離された
イオンビームを引き出すビームラインと該ビームライン
に接続しイオン注入を行うための半導体基板を保持する
真空チャンバーとを有するイオン注入装置において、前
記ビームラインと真空チャンバー間に、前記ビームライ
ンと前記真空チャンバーにそれぞれシャッターを介して
接続され、かつ前記ビームライン側を高真空に保ったま
た清掃可能な箱型の予備真空室を設けたことを特徴とす
るイオン注入装置。An ion source section, an analysis tube for separating ion species from the ion source section, a beam line for extracting an ion beam separated by the analysis tube, and a semiconductor connected to the beam line for performing ion implantation. In an ion implantation apparatus having a vacuum chamber for holding a substrate, between the beam line and the vacuum chamber, the beam line and the vacuum chamber are connected via a shutter, respectively, and the beam line side is maintained at a high vacuum. An ion implantation apparatus characterized by having a box-shaped auxiliary vacuum chamber that can be cleaned.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1672689A JP2861018B2 (en) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | Ion implanter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1672689A JP2861018B2 (en) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | Ion implanter |
Publications (2)
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| JPH02197049A JPH02197049A (en) | 1990-08-03 |
| JP2861018B2 true JP2861018B2 (en) | 1999-02-24 |
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ID=11924266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP1672689A Expired - Fee Related JP2861018B2 (en) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | Ion implanter |
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| JP (1) | JP2861018B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4649773B2 (en) * | 2001-05-14 | 2011-03-16 | 株式会社デンソー | Ion implantation machine |
| JP4854614B2 (en) * | 2007-07-09 | 2012-01-18 | アルバック・クライオ株式会社 | Ion implantation method |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1672689A patent/JP2861018B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02197049A (en) | 1990-08-03 |
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