JP2852208B2 - Photoelectric conversion device - Google Patents

Photoelectric conversion device

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JP2852208B2
JP2852208B2 JP7236946A JP23694695A JP2852208B2 JP 2852208 B2 JP2852208 B2 JP 2852208B2 JP 7236946 A JP7236946 A JP 7236946A JP 23694695 A JP23694695 A JP 23694695A JP 2852208 B2 JP2852208 B2 JP 2852208B2
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accumulation
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右二 今井
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】この発明は、合焦検出装置等
に用いられる非破壊型の電荷蓄積イメージセンサアレイ
を有する光電変換装置に関し、特に光電変換装置の電荷
蓄積時間の制御に関する。 【0002】 【従来の技術】現在広く用いられているCCDあるいは
MOS撮像素子のような電荷蓄積型の固体撮像素子を一
眼レフレックスカメラなどの合焦検出装置に用いると、
被写体が暗い場合には、積分時間が長くなり、1回の合
焦判定に要する時間が長くなると共に、出力信号中の暗
電流成分が大きくなり、ダイナミックレンジが減少し、
各セル間の暗電流のバラツキの影響も顕著になってくる
ので、高精度な焦点検出は難しいものとなっている。ま
た、ダイナミックレンジの減少に伴い、フォーカスエイ
ドの場合には合焦表示幅も広くなってしまう。 【0003】ここで、CCD撮像素子を使用した従来の
光電変換装置を、図9によって説明すると、像の横ズレ
を検出するため、撮影レンズの結像面に配置されたCC
Dイメージラインセンサ1は、フォトダイオードアレイ
2,移送ゲート3,CCDシフトレジスタ4および露光
制御用測光素子(以下、モニターと略称する。)5から
構成されている。移送ゲート3はフォトダイオードアレ
イ2の電荷をCCDシフトレジスタ4に移送する移送ゲ
ートである。また、モニター5はフォトダイオードアレ
イ2の電荷蓄積時間を制御するための測光用素子であ
る。 【0004】このようにCCDイメージラインセンサ1
を使用した合焦検出装置は、図10のタイミングチャー
トに示すように動作する。先ず、制御回路(以下、CP
Uと略称する。)7からのモニターリセットパルスMR
がモニター5に供給されると、モニター5は所定のレベ
ルにリセットされ、被写体の明るさに応じた傾きで電位
が変化する。このモニター5が基準電位Vref に達する
と、比較器6の出力は反転する。モニターリセットパル
スMRが供給されてから比較器6の出力が反転するまで
の時間(以下、測光情報という)をTM とする。CPU
7は、この測光情報TM をカウントし、移送ゲートパル
スφT を移送ゲート3に供給し、フォトダイオードアレ
イ2に積分時間Tint =TM の期間積分された電荷をC
CDシフトレジスタ4に移送する。 【0005】上記フォトダイオードアレイ2は、その両
端にマスクしたフォトダイオード(マスクダミー)をも
っていて、暗出力のみをホールドするようになってい
る。このマスクダミーの出力電圧とマスクしていないフ
ォトダイオードの出力との差をとって暗出力を補償する
ようになっており、暗出力補償回路9で、この暗出力を
差し引いた後、増幅器10で信号を増幅して演算回路8
に送り、合焦検出の演算を行ってCPU7に入力させ、
その結果を図示しない表示装置に表示したり、撮影レン
ズを駆動するようになっている。 【0006】このように動作する電荷蓄積型の光電変換
素子列を用いた従来の合焦検出装置等の光電変換装置に
おいては、被写体が暗い場合には積分時間が長くなり、
1回の合焦判定に要する時間が長くなると共に、図7の
A,Bに示すように出力信号中の暗電流成分が大きくな
り、ダイナミックレンジが減少し、各セル間の暗電流の
バラツキの影響も顕著になってくるので、高精度な焦点
検出は難しいものとなっていた。また、ダイナミックレ
ンジの減少に伴い、図7のCの右側に示されるように、
フォーカスエイドの場合には合焦表示幅も広くなってし
まうという欠点があった。 【0007】更に、従来の光電変換装置の電荷蓄積時間
の制御は、上述したようにモニター5が基準電位Vref
に達した際に、電荷蓄積を終了させているので、リアル
タイムに処理するための複雑な回路を設ける必要があ
る。また、モニター5をフォトダイオードアレイ2に隣
接して設ける必要があり、構成が複雑になると共に、面
積が増加するという問題があった。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の請求項
1に記載の発明は、上記の点に鑑み、非破壊型で読み出
し可能なイメージセンサアレイを用い、蓄積電荷を非破
壊で読み出し、この読み出された情報に基づいて、イメ
ージセンサアレイの受光量が適正量に達する前に、予め
電荷蓄積時間を求めておき、この時間が経過した時点で
電荷蓄積を終了させることにより、特別なモニター用の
センサーを設けることなく、また複雑な回路の必要のな
い簡単な構成の光電変換装置を提供することを目的とす
る。 【0009】 【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明による光電変換装置の発明は、被写体光
を受光し光電変換された電荷をリセットパルスに同期し
て蓄積を開始すると共に、この蓄積された電荷を非破壊
で読み出し可能なイメージセンサアレイと、上記リセッ
トパルスに同期して蓄積された電荷を蓄積動作の初期段
階において非破壊で読み出し電荷蓄積レベルを検出する
検出手段と、上記イメージセンサアレイの電荷蓄積の開
始後、上記検出手段による検出結果に基づいて上記イメ
ージセンサアレイの電荷蓄積の終了時間を初期段階で予
測しこの予測結果に基づいて上記イメージセンサアレイ
の電荷蓄積時間の制御を行なう制御手段とを具備したこ
とを特徴とし、上記制御手段は上記イメージセンサアレ
イの電荷蓄積の開始後、上記検出手段の検出結果に基づ
いて上記センサアレイの電荷蓄積終了時間を電荷蓄積中
に演算し演算された電荷蓄積終了時間に基づいて計時動
作を行い、上記演算された電荷蓄積時間が経過したとき
に上記イメージセンサアレイの電荷蓄積を終了させるこ
とを特徴とする。また、上記制御手段は上記イメージセ
ンサアレイの電荷蓄積時間が所定の積分最大時間を超え
ないように、上記検出手段の検出結果に基づいて上記イ
メージセンサアレイの電荷蓄積を終了させるようにした
ことを特徴とする。 【0010】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
示の例によって説明する。図1は、本発明の第1実施の
形態を示した光電変換装置の構成ブロック図である。符
号1はCCDイメージラインセンサであり、フォトダイ
オードアレイ2の電荷が移送ゲート3によりCCDシフ
トレジスタ4に移送される。モニター5はフォトダイオ
ードアレイ2の電荷蓄積時間を制御するための測光用素
子であり、このモニター5と同様の測光用素子を遮光し
た露光制御用測光素子11が側近に設けられている。 【0011】次に、このように構成されたCCDイメー
ジラインセンサ1を用いた合焦検出装置の動作を、図2
のタイミングチャートを参照しながら説明すると、先
ず、制御回路であるCPU7からモニターリセットパル
スMRがモニター5および露光制御用測光素子11に供
給される。すると、このモニター5は所定のレベルにリ
セットされ、被写体の明るさに応じた傾きで電位が変化
する。露光制御用測光素子11は時間と共に、暗電流成
分が蓄積され、差動増幅器12の出力が基準電位Vref
に達したとき、比較器6の出力は反転する。モニターリ
セットパルスMRがCPU7からモニター5に供給され
てから、比較器6の出力が反転するまでの時間(測光情
報)をTM とする。カウンタ13は、このTM を計測
し、その結果をCPU7に送る。 【0012】このCPU7はモニターリセットパルスM
Rを送出してからnTM ( n>1)の時間経過後、移送
ゲートパルスφT を移送ゲート3に供給し、フォトダイ
オードアレイ2に積分時間Tint =n・TM の期間積分
された電荷をCCDシフトレジスタ4に移送し、暗出力
補償回路9で暗出力を差し引いた後、利得可変増幅器1
0で増幅され、その信号は演算回路8に送られ合焦検出
の演算を行ない(合焦検出演算はアナログでもデジタル
でもよい。)、その結果をCPU7を介し、図示しない
表示装置に表示するか撮影レンズを駆動したりする。 【0013】なお、CCDイメージラインセンサ1を駆
動するには、他にいくつかの駆動クロックパルスが必要
であるが、ここでは省略してある。また、電荷を積分す
る動作に入る前にフォトダイオードの電荷がクリアされ
る構造のCCDイメージラインセンサを、この実施の形
態では前提としている。なお、モニターとしては、図1
ではフォトダイオードアレイ2に隣接した素子を用いた
例で説明したが、本発明では、フォトダイオード上にフ
ローティングゲートを設け、フォトダイオードの電荷を
非破壊で読み出す方式を用いる。 【0014】図1において、遮光した(露光制御用)素
子11を設け、この出力とモニター5の出力との差をと
る理由は、モニター5にも積分時間に比例した暗出力が
発生し、この暗出力をキャンセルしないと所期の目的が
達成されないからである。 【0015】次に、比較器6の出力が反転するまでの時
間(測光情報)TM とフォトダイオードアレイ2の積分
時間Tint および利得可変増幅器10の利得設定につい
て説明する。 【0016】図3は、その一例を示すものであって、こ
の例では最大積分時間Tint ・MAXを300〔ms〕と
し、TM 100〔ms〕の範囲では Tint =3TM に設定してある。また、TM 100〔ms〕の範囲で増
幅器10の利得はG0 である。 【0017】TM >100〔ms〕の範囲では、積分時間
Tint は300〔ms〕とし、増幅器10の利得Gは に自動的に設定される。 【0018】このような構成をとれば、被写体が暗い場
合で長大な積分時間を必要とする場合にも、積分時間は
任意に設定された最大積分時間以下であり、暗電流成分
によるダイナミックレンジの低下が避けられる。また、
この場合の利得可変増幅器10の構成を図4に示す。
(この利得可変増幅器10の構成,作用の詳細はテレビ
ジョン工学ハンドブック第6編 テレビジョン電子回路
P6−71参照)即ち、暗出力補償回路9からの出力は
RF入力端子に印加され、CPU7からの入力がAGC
入力端子に印加され、出力端子は演算回路8の入力端に
接続される。なお、AGC入力とRF入力は交換可能で
ある。 【0019】利得可変増幅器10の利得設定は図3に示
したものに限られるわけではなく、図5に示されるよう
に階段状に設定しても構わない。この場合の利得可変増
幅器10の構成例を図6に示す。暗出力補償回路9の出
力はオペアンプの非反転入力端子であるVinに接続さ
れ、CPU7からの出力はDATA BUSおよびCO
NTROL LINESに接続され、オペアンプの出力
端Vout は演算回路8の入力端に接続される。他の実施
の形態としては、CPU7より得られる利得の値GをD
/A変換して、差動増幅器12の出力を乗算してもよ
い。 【0020】以上は、CCDイメージラインセンサ1の
出力を、モニター出力により利得可変増幅器10の利得
で制御し、被写体が暗い場合のダイナミックレンジの低
下を回復した例である。この場合を図7の右側に示して
いるが、この場合にはフォーカスエイドにもオートフォ
ーカスにも対応できる。 【0021】フォーカスエイドのみの場合には、モニタ
ー出力により増幅器の利得を制御するのではなく、合焦
表示のための閾値を制御して合焦表示幅を被写体が明る
い場合と同じになるように制御する。 【0022】合焦表示は評価値をS、合焦表示のための
閾値をS0 としたとき |S|<S0 のときに合焦表示をする。この閾値S0 をモニター出力
により制御する。即ち、暗い場合には評価値は図7の右
側に示すように、デフォーカスに対する傾きが小さくな
るが、合焦表示の閾値をそれに応じて小さくしてやれば
よい。このときの例を図8に示す。図3に示すものと同
様に Tint =3TM ,Tint ・MAX =300〔ms〕 とした場合を示している。被写体が明るい場合の閾値を
S00とした。明らかにG/G0 =(S0 /S00)-1であ
る。 【0023】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、非
破壊型で読み出し可能なイメージセンサアレイから蓄積
電荷を非破壊で読み出し、この読み出された情報に基づ
いて、イメージセンサアレイの受光量が適正量に達する
前に、予め電荷蓄積時間を求めておき、この時間が経過
した時点で電荷蓄積を終了させたので、特別なモニター
用のセンサーを設けることなく、また複雑な回路の必要
のない簡単な構成とすることができる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectric conversion device having a nondestructive charge storage image sensor array used for a focus detection device and the like, and more particularly to a photoelectric conversion device. It relates to control of the charge accumulation time. 2. Description of the Related Art When a charge storage type solid-state imaging device such as a CCD or a MOS imaging device which is widely used at present is used for a focus detection device such as a single-lens reflex camera,
When the subject is dark, the integration time becomes longer, the time required for one focus determination becomes longer, the dark current component in the output signal increases, and the dynamic range decreases.
Since the influence of the variation in dark current between cells also becomes remarkable, it is difficult to detect a focus with high accuracy. Further, as the dynamic range decreases, the focus display width increases in the case of focus aid. Here, a conventional photoelectric conversion device using a CCD image pickup device will be described with reference to FIG. 9. In order to detect a lateral shift of an image, a CC disposed on an image forming surface of a photographing lens is used.
The D image line sensor 1 includes a photodiode array 2, a transfer gate 3, a CCD shift register 4, and an exposure control photometric element (hereinafter abbreviated as a monitor) 5. The transfer gate 3 is a transfer gate for transferring the charge of the photodiode array 2 to the CCD shift register 4. The monitor 5 is a photometric element for controlling the charge accumulation time of the photodiode array 2. As described above, the CCD image line sensor 1
Operates as shown in the timing chart of FIG. First, a control circuit (hereinafter, CP)
Abbreviated as U. ) Monitor reset pulse MR from 7
Is supplied to the monitor 5, the monitor 5 is reset to a predetermined level, and the potential changes at an inclination according to the brightness of the subject. When the monitor 5 reaches the reference potential Vref, the output of the comparator 6 is inverted. The time from when the monitor reset pulse MR is supplied to when the output of the comparator 6 is inverted (hereinafter referred to as photometric information) is defined as TM. CPU
7 counts the photometric information TM, supplies a transfer gate pulse .phi.T to the transfer gate 3, and transfers the charge integrated in the photodiode array 2 during the integration time Tint = TM to C.
The data is transferred to the CD shift register 4. The photodiode array 2 has photodiodes (mask dummy) masked at both ends thereof, and holds only the dark output. The dark output is compensated by taking the difference between the output voltage of the mask dummy and the output of the unmasked photodiode. After the dark output is subtracted by the dark output compensating circuit 9, the amplifier 10 compensates for the dark output. Operation circuit 8 amplifies the signal
To calculate the in-focus state and input it to the CPU 7,
The result is displayed on a display device (not shown) or the photographing lens is driven. In a conventional photoelectric conversion device such as a focus detection device using a charge storage type photoelectric conversion element array that operates as described above, the integration time becomes long when the subject is dark,
As the time required for one focus determination becomes longer, the dark current component in the output signal increases as shown in FIGS. 7A and 7B, the dynamic range decreases, and the variation of the dark current between cells varies. Since the influence becomes remarkable, it has been difficult to detect a focus with high accuracy. Also, with the decrease in the dynamic range, as shown on the right side of FIG.
In the case of the focus aid, there is a disadvantage that the in-focus display width is widened. Further, as described above, the monitor 5 controls the charge accumulation time of the conventional photoelectric conversion device by using the reference potential Vref.
Since the charge accumulation is terminated when the number of charges reaches the limit, a complicated circuit for real-time processing must be provided. In addition, it is necessary to provide the monitor 5 adjacent to the photodiode array 2, so that the configuration is complicated and the area is increased. [0008] In view of the above, the invention according to claim 1 of the present invention uses a non-destructive readable image sensor array and non-destructively stores accumulated charges. By reading, based on the read information, a charge accumulation time is obtained in advance before the amount of light received by the image sensor array reaches an appropriate amount, and the charge accumulation is terminated when this time has elapsed. It is an object of the present invention to provide a photoelectric conversion device having a simple configuration without providing a special monitor sensor and requiring no complicated circuit. In order to achieve the above-mentioned object, the invention of a photoelectric conversion device according to the present invention is to receive an object light and store the photoelectrically converted charge in synchronization with a reset pulse. At the same time, an image sensor array capable of non-destructively reading out the accumulated electric charge and non-destructively reading out the electric charge accumulated in synchronization with the reset pulse in an initial stage of the accumulation operation to detect a charge accumulation level.
Detection means, after the start of charge accumulation of the image sensor array, the based on the detection result by the detecting means Ime
The end time of charge storage in the sensor array at the initial stage.
The image sensor array
Control means for controlling the charge accumulation time of the image sensor array.
After the start of charge accumulation in (a), the charge
And the charge accumulation end time of the above sensor array is being accumulated.
Time measurement based on the calculated charge accumulation end time
When the charge accumulation time calculated above elapses
To terminate the charge accumulation in the image sensor array.
And features. Further, the control means is configured to control the image
Sensor array charge storage time exceeds the specified integration maximum time
Not to be detected based on the detection result of the detection means.
Stopped charge accumulation in image sensor array.
It is characterized by the following . Embodiments of the present invention will be described below with reference to illustrated examples. FIG. 1 is a configuration block diagram of a photoelectric conversion device showing a first embodiment of the present invention. Reference numeral 1 denotes a CCD image line sensor, and charges of the photodiode array 2 are transferred to a CCD shift register 4 by a transfer gate 3. The monitor 5 is a photometric element for controlling the charge accumulation time of the photodiode array 2, and an exposure control photometric element 11 similar to the monitor 5 that shields the photometric element is provided near the monitor 5. Next, the operation of the focus detection apparatus using the CCD image line sensor 1 configured as described above will be described with reference to FIG.
First, a monitor reset pulse MR is supplied from the CPU 7 serving as a control circuit to the monitor 5 and the exposure control photometry element 11. Then, the monitor 5 is reset to a predetermined level, and the potential changes at an inclination corresponding to the brightness of the subject. The exposure control light metering element 11 accumulates a dark current component with time, and the output of the differential amplifier 12 becomes the reference potential Vref.
, The output of the comparator 6 is inverted. The time (photometric information) from when the monitor reset pulse MR is supplied from the CPU 7 to the monitor 5 to when the output of the comparator 6 is inverted is defined as TM. The counter 13 measures this TM and sends the result to the CPU 7. This CPU 7 has a monitor reset pulse M
After a lapse of nTM (n> 1) from the transmission of R, a transfer gate pulse φT is supplied to the transfer gate 3, and the charge integrated in the photodiode array 2 during the integration time Tint = n · TM is shifted by the CCD. After being transferred to the register 4 and subtracting the dark output by the dark output compensating circuit 9, the variable gain amplifier 1
The signal is amplified by 0, and the signal is sent to the arithmetic circuit 8 to perform the calculation of the focus detection (the focus detection calculation may be analog or digital), and the result is displayed on a display device (not shown) via the CPU 7. Drive the taking lens. In order to drive the CCD image line sensor 1, some other drive clock pulses are required, but are omitted here. In this embodiment, a CCD image line sensor having a structure in which the charge of the photodiode is cleared before the operation of integrating the charge is assumed. In addition, as a monitor,
In the above, an example in which an element adjacent to the photodiode array 2 is used has been described. However, in the present invention, a method in which a floating gate is provided over a photodiode and electric charge of the photodiode is read out in a non-destructive manner is used. In FIG. 1, a light-shielded (exposure control) element 11 is provided, and the difference between this output and the output of the monitor 5 is due to the fact that a dark output proportional to the integration time is generated in the monitor 5 as well. This is because the intended purpose cannot be achieved unless the dark output is canceled. Next, the time (photometric information) T M until the output of the comparator 6 is inverted, the integration time T int of the photodiode array 2 and the setting of the gain of the variable gain amplifier 10 will be described. FIG. 3 shows an example. In this example, the maximum integration time Tint.MAX is set to 300 [ms], and Tint = 3TM in the range of TM < 100 [ms]. The gain of the amplifier 10 is G0 in the range of TM < 100 [ms]. In the range of TM> 100 [ms], the integration time Tint is 300 [ms], and the gain G of the amplifier 10 is Is automatically set to With this configuration, even when the subject is dark and a long integration time is required, the integration time is shorter than the arbitrarily set maximum integration time, and the dynamic range due to the dark current component is reduced. A drop is avoided. Also,
FIG. 4 shows the configuration of the variable gain amplifier 10 in this case.
(For details of the configuration and operation of the variable gain amplifier 10, refer to the Television Engineering Handbook, Vol. 6, Television Electronic Circuit P6-71.) That is, the output from the dark output compensation circuit 9 is applied to the RF input terminal, Input is AGC
The voltage is applied to the input terminal, and the output terminal is connected to the input terminal of the arithmetic circuit 8. The AGC input and the RF input are interchangeable. The gain setting of the variable gain amplifier 10 is not limited to that shown in FIG. 3, but may be set stepwise as shown in FIG. FIG. 6 shows a configuration example of the variable gain amplifier 10 in this case. The output of the dark output compensation circuit 9 is connected to the non-inverting input terminal Vin of the operational amplifier, and the output from the CPU 7 is DATA BUS and CO.
The output terminal Vout of the operational amplifier is connected to the input terminal of the arithmetic circuit 8. In another embodiment, the value G of the gain obtained from the CPU 7 is D
A / A conversion may be performed and the output of the differential amplifier 12 may be multiplied. The above is an example in which the output of the CCD image line sensor 1 is controlled by the gain of the variable gain amplifier 10 by the monitor output, and the reduction in the dynamic range when the subject is dark is recovered. This case is shown on the right side of FIG. 7, and in this case, both focus aid and autofocus can be handled. When only the focus aid is used, the gain of the amplifier is not controlled by the monitor output, but the threshold value for in-focus display is controlled so that the in-focus display width becomes the same as when the subject is bright. Control. When the evaluation value is S and the threshold value for focusing display is S0, the focusing display is performed when | S | <S0. This threshold value S0 is controlled by the monitor output. In other words, as shown in the right side of FIG. 7, when the image is dark, the inclination with respect to the defocus becomes small, but the threshold value of the in-focus display may be reduced accordingly. FIG. 8 shows an example at this time. Similar to the case shown in FIG. 3, a case where Tint = 3TM, Tint.MAX = 300 [ms] is shown. The threshold value when the subject is bright is S00. Obviously, G / G0 = (S0 / S00) -1 . As described above, according to the present invention, the stored charges are read out nondestructively from the nondestructive readable image sensor array, and the image sensor is read based on the read information. Before the amount of light received by the array reaches the appropriate amount, the charge accumulation time is determined in advance, and the charge accumulation is terminated when this time has elapsed.Therefore, there is no need for a special monitor sensor, and it is complicated. A simple configuration that does not require a circuit can be provided.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の第1実施の形態を示した光電変換装置
の構成ブロック図、 【図2】上記図1の光電変換装置の作動タイミングチヤ
ート、 【図3】最大積分時間と測光情報TM との関係、および
利得可変増幅器の利得を示した線図、 【図4】利得可変増幅器の構成の一例を示す回路図、 【図5】上記図4と異なる構成の利得可変増幅器を使用
した場合の最大積分時間と測光情報TM との関係、およ
び利得可変増幅器の利得を示した線図、 【図6】利得可変増幅器の構成の他の例を示す回路図、 【図7】被写体が明るい場合と暗い場合におけるCCD
出力、暗出力補償後の出力および評価値をそれぞれ示す
線図、 【図8】フォーカスエイドに使用される上記図3,図5
と同様の最大積分時間と測光情報TM との関係、および
評価値の閾値を示した線図、 【図9】従来の光電変換装置の構成を示すブロック図、 【図10】上記図9の光電変換装置の作動タイミングチ
ヤート。 【符号の説明】 1…………CCDイメージラインセンサ 2…………フォトダイオードアレイ 5…………モニター 7…………CPU 8…………演算回路 9…………暗出力補償回路 10…………利得可変増幅器 11…………露光制御用測光素子 12…………差動増幅器 13…………カウンタ
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a configuration block diagram of a photoelectric conversion device showing a first embodiment of the present invention; FIG. 2 is an operation timing chart of the photoelectric conversion device of FIG. 1; FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the maximum integration time and the photometric information TM and the gain of the variable gain amplifier; FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the variable gain amplifier; FIG. FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the maximum integration time and photometric information TM when a variable gain amplifier is used, and the gain of the variable gain amplifier; FIG. 6 is a circuit diagram showing another example of the configuration of the variable gain amplifier; FIG. 7: CCDs for bright and dark subjects
And FIG. 8 is a diagram showing an output, an output after dark output compensation, and an evaluation value, respectively.
FIG. 9 is a diagram showing a relationship between a maximum integration time and photometric information TM and a threshold value of an evaluation value similar to FIG. 9, FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a conventional photoelectric conversion device, and FIG. Operation device timing chart. [Explanation of Signs] 1 CCD image line sensor 2 Photodiode array 5 Monitor 7 CPU 8 Operation circuit 9 Dark output compensation circuit Reference numeral 10: Variable gain amplifier 11: Exposure control photometric element 12: Differential amplifier 13: Counter

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−101612(JP,A) 特開 昭58−119279(JP,A) 特開 昭58−127370(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02B 7/28Continuation of the front page (56) References JP-A-59-101612 (JP, A) JP-A-58-119279 (JP, A) JP-A-58-127370 (JP, A) (58) Fields investigated (Int) .Cl. 6 , DB name) G02B 7/28

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.被写体光を受光し、光電変換された電荷をリセット
パルスに同期して蓄積を開始すると共に、この蓄積され
た電荷を非破壊で読み出し可能なイメージセンサアレイ
と、 上記リセットパルスに同期して蓄積された電荷を、蓄積
動作の初期段階において非破壊で読み出し、電荷蓄積レ
ベルを検出する検出手段と、 上記イメージセンサアレイの電荷蓄積の開始後、上記検
出手段による検出結果に基づいて、上記イメージセンサ
アレイの電荷蓄積の終了時間を初期段階で予測し、この
予測結果に基づいて上記イメージセンサアレイの電荷蓄
積時間の制御を行なう制御手段と、 を具備したことを特徴とする光電変換装置。 2.上記制御手段は、上記イメージセンサアレイの電荷
蓄積の開始後、上記検出手段の検出結果に基づいて、上
記センサアレイの電荷蓄積終了時間を電荷蓄積中に演算
し、演算された電荷蓄積終了時間に基づいて計時動作を
行い、上記演算された電荷蓄積時間が経過したときに、
上記イメージセンサアレイの電荷蓄積を終了させること
を特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 3.上記制御手段は、上記イメージセンサアレイの電荷
蓄積時間が所定の積分最大時間を超えないように、上記
検出手段の検出結果に基づいて、上記イメージセンサア
レイの電荷蓄積を終了させるようにしたことを特徴とす
る請求項1または請求項2に記載の光電変換装置
(57) [Claims] An image sensor array that receives the subject light and starts the photoelectrically converted charges in synchronization with the reset pulse, and non-destructively reads the stored charges, and stores the charges in synchronization with the reset pulse. the charge, read non-destructively in the early stages of the accumulation operation, and detecting means for detecting the charge storage levels, after initiation of the charge accumulation of the image sensor array, the test
The image sensor based on the detection result by the output means.
Predict the end time of the charge storage of the array at an early stage.
Based on the prediction result, the charge storage of the image sensor array is performed.
A photoelectric conversion device, comprising: control means for controlling a product time . 2. The control means controls the charge of the image sensor array.
After the start of the accumulation, based on the detection result of the detection means,
Calculate the charge accumulation end time of the sensor array during charge accumulation
The timekeeping operation is performed based on the calculated charge accumulation end time.
When the calculated charge accumulation time elapses,
Terminating the charge accumulation of the image sensor array
The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein: 3. The control means controls the charge of the image sensor array.
Make sure that the accumulation time does not exceed the specified maximum integration time.
Based on the detection result of the detection means, the image sensor
The charge accumulation of the ray is terminated.
The photoelectric conversion device according to claim 1 or 2, wherein:
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