JP2850129B2 - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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JP2850129B2
JP2850129B2 JP1019170A JP1917089A JP2850129B2 JP 2850129 B2 JP2850129 B2 JP 2850129B2 JP 1019170 A JP1019170 A JP 1019170A JP 1917089 A JP1917089 A JP 1917089A JP 2850129 B2 JP2850129 B2 JP 2850129B2
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、光磁気記録ディスク、相変化型の光記録デ
ィスク等の光記録媒体に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical recording medium such as a magneto-optical recording disk and a phase-change optical recording disk.

<従来の技術> 光記録媒体は、剛性あるいは可とう性の基板上に、記
録層が設層されて構成される。
<Prior Art> An optical recording medium is configured such that a recording layer is provided on a rigid or flexible substrate.

このような光記録媒体のうち、光磁気記録媒体は、通
常、希土類元素−遷移金属の非晶質磁性薄膜を記録層と
して用い、レーザー光等の光によって記録層をキュリー
温度付近まで加熱し、必要に応じて外部から磁界を印加
して加熱部分の磁化を反転させることにより情報の記録
を行なう。
Among such optical recording media, a magneto-optical recording medium usually uses an amorphous magnetic thin film of a rare earth element-transition metal as a recording layer, and heats the recording layer to near the Curie temperature by light such as laser light, Information is recorded by applying a magnetic field from the outside as necessary to invert the magnetization of the heated portion.

また、記録された情報の読み出しは、レーザー光等の
読み出し光を記録層表面に照射し、記録層表面で反射す
る読み出し光のカー回転角を検出することにより行な
う。
The recorded information is read by irradiating the surface of the recording layer with reading light such as a laser beam and detecting the Kerr rotation angle of the reading light reflected on the surface of the recording layer.

このような光磁気記録媒体では、記録感度の向上、C/
N比の向上等のいわゆるエンハンス効果を得るために、
記録層と基板との間に、通常、誘電体などから構成され
る中間層が設けられている。
In such a magneto-optical recording medium, improvement in recording sensitivity, C /
In order to obtain a so-called enhance effect such as improvement of N ratio,
Usually, an intermediate layer made of a dielectric or the like is provided between the recording layer and the substrate.

中間層は、層界面で記録光を多重反射するため、記録
感度を向上させることができる。また、読み出し光も多
重反射するため、C/N比が向上する。さらに、読み出し
光の多重反射によりカー回転角を増幅することができる
ため、この作用によってもC/N比が向上する。
The intermediate layer multiple-reflects the recording light at the layer interface, so that the recording sensitivity can be improved. Further, since the readout light is also multiple-reflected, the C / N ratio is improved. Further, since the Kerr rotation angle can be amplified by multiple reflection of the reading light, the C / N ratio is also improved by this effect.

記録層に用いられる希土類元素としては、Gd、Tb、Dy
等、遷移金属としては、Fe、Co等が好ましく用いられ、
特に、C/N比が高いことから、Tb−Fe−Co、Dy−Tb−Fe
−Co、Nd−Dy−Fe−Coからなる記録層が注目されてい
る。
The rare earth elements used for the recording layer include Gd, Tb, and Dy.
As transition metals, Fe, Co, etc. are preferably used,
In particular, since the C / N ratio is high, Tb-Fe-Co, Dy-Tb-Fe
-Co and Nd-Dy-Fe-Co recording layers have attracted attention.

しかし、これら希土類元素−遷移金属の非晶質磁性薄
膜は耐食性等の耐候性が低いため、耐食性の保護層を設
ける必要がある。
However, these rare-earth-transition metal amorphous magnetic thin films have low weather resistance such as corrosion resistance, so that it is necessary to provide a corrosion-resistant protective layer.

エンハンス効果を有する中間層あるいは耐食性保護層
に関して、下記のような種々の提案がなされている。
The following various proposals have been made for an intermediate layer or a corrosion-resistant protective layer having an enhancing effect.

例えば、特開昭61−22458号公報には、窒化珪素(Si3
N4)を主成分とし、屈折率を2.1以上とするような添加
成分を含有させた誘電体を中間層として有する光磁気記
録媒体が開示されており、これにより耐食性、C/N比お
よび記録層との密着性の向上を図っている。
For example, Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 61-22458 discloses silicon nitride (Si 3
A magneto-optical recording medium has been disclosed which has, as an intermediate layer, a dielectric containing N 4 ) as a main component and an additive component having a refractive index of 2.1 or more, thereby providing corrosion resistance, C / N ratio and recording. The adhesion with the layer is improved.

また、このような単層膜の他、 特開昭60−145525号公報 酸化物と窒化物の混合層 特開昭61−243977号公報 ZnS層+Ge層 特開昭62−245541号公報 酸化ケイ素層+窒化ケイ素主成分層 特開昭62−298037号公報 酸化物層+酸化物・窒化物混合層+窒化物層 特開昭63−71958号公報 屈折率n<1.6の誘電体層+n>2.0の誘電体層 特開昭63−168857号公報 Al、Y、Ybから選ばれた元素の酸化物層 +窒化物、ケイ化物、炭化物、あるいは酸化物
層 等の各種多層膜も提案されている。
Further, in addition to such a single-layer film, a mixed layer of an oxide and a nitride disclosed in JP-A-60-145525, a ZnS layer + Ge layer, and a silicon oxide layer disclosed in JP-A-62-245541 + Silicon nitride main component layer JP-A-62-298037 JP Oxide layer + oxide / nitride mixed layer + nitride layer JP-A-63-71958 JP JP 63-71958 A Dielectric layer having a refractive index of n <1.6 + n> 2.0 Dielectric layer JP-A-63-168857 Various types of multilayer films such as an oxide layer of an element selected from Al, Y, and Yb + a nitride, a silicide, a carbide, and an oxide layer have been proposed.

さらに、 特開昭61−122956号公報 金属酸化物の酸化状態に勾配をつける 特開昭62−234253号公報 nを膜厚方向に変化させる 等に開示されているように、厚さ方向に一定の組成傾斜
を有し、屈折率を厚さ方向で変化させる等して、耐候性
・光電変換特性を向上させた中間層も提案されている。
Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 61-122,56, the oxidation state of the metal oxide is made to have a gradient, and in the case of Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-234253, n is varied in the film thickness direction. There is also proposed an intermediate layer having a compositional gradient of and having improved weather resistance and photoelectric conversion characteristics by changing the refractive index in the thickness direction.

また、光記録媒体には、上記のような光磁気記録媒体
の他、いわゆる相変化型の光記録媒体、すなわち、レー
ザー光等の熱により記録層を相変化させて情報の記録を
行ない、結果として生じる記録層の反射率の変化を検出
することにより情報の読み出しを行なう光記録体もあ
る。
In addition, in addition to the above-described magneto-optical recording medium, a so-called phase-change type optical recording medium, that is, information recording is performed by changing the phase of a recording layer by heat of a laser beam or the like. There is also an optical recording medium that reads information by detecting a change in the reflectance of a recording layer that occurs as a result.

このような相変化型の光記録媒体においても、光の多
重反射を利用する中間層を設け、記録感度およびC/N比
の向上を図ることが行なわれている。
Even in such a phase-change type optical recording medium, an intermediate layer utilizing multiple reflection of light is provided to improve recording sensitivity and C / N ratio.

<発明が解決しようとする課題> しかし、光磁気記録媒体等の光記録媒体のC/N比およ
び記録感度の向上に対する要求は厳しく、上記のような
中間層を設けても、十分とはいえない。
<Problems to be Solved by the Invention> However, there is a severe demand for improving the C / N ratio and the recording sensitivity of an optical recording medium such as a magneto-optical recording medium. Absent.

本発明は、上記したような事情からなされたものであ
り、C/N比および記録感度が極めて高い光記録媒体を提
供することを目的とする。
The present invention has been made under the circumstances described above, and has as its object to provide an optical recording medium having an extremely high C / N ratio and recording sensitivity.

<課題を解決するための手段> このような目的は、下記(1)、(2)の本発明によ
り達成される。
<Means for Solving the Problems> Such an object is achieved by the present invention of the following (1) and (2).

(1)基板上に記録層を有し、この記録層と基板との間
に中間層を有し、 厚さ方向に周期的な組成変動を有し、 この中間層の組成変動の周期が、2〜50Åである光記
録媒体。
(1) A recording layer is provided on a substrate, and an intermediate layer is provided between the recording layer and the substrate. The intermediate layer has a periodic composition variation in a thickness direction. An optical recording medium of 2 to 50 °.

(2)前記中間層が、Al、Sc、Y、ランタノイド元素お
よびアクチノイド元素から選択された少なくとも1種の
元素Xと、Siと、Nとを含有し、 100X/(X+Si)の原子比が1〜50%であり、 Nの含有量が原子比で10〜50%である上記(1)の光
記録媒体。
(2) The intermediate layer contains at least one element X selected from Al, Sc, Y, a lanthanoid element and an actinoid element, Si and N, and has an atomic ratio of 100X / (X + Si) of 1 The optical recording medium according to (1), wherein the content of N is 10 to 50% in atomic ratio.

<作用> 光磁気記録媒体は、レーザー光等の照射により、所定
の組成を有する記録層の温度をキュリー点付近まで上昇
させ、記録層内の反磁界、あるいはこれに加え、必要に
応じ外部から印加される磁界により情報の記録を行な
う。
<Effect> The magneto-optical recording medium raises the temperature of the recording layer having a predetermined composition to near the Curie point by irradiation with a laser beam or the like, and generates a demagnetizing field in the recording layer or, in addition to this, from the outside if necessary. Information is recorded by the applied magnetic field.

また、記録情報の読み出しは、レーザー光等を記録層
に照射し、記録層から反射される光のカー回転角を検出
することにより行なう。
The reading of the recorded information is performed by irradiating the recording layer with laser light or the like and detecting the Kerr rotation angle of the light reflected from the recording layer.

このような記録・読み出しにおいて、記録層に接して
設けられる中間層は、記録光および読み出し光をその界
面で多重反射し、記録感度およびC/N比を向上させる。
In such recording / reading, the intermediate layer provided in contact with the recording layer reflects recording light and reading light at the interface thereof multiple times, thereby improving recording sensitivity and C / N ratio.

本発明の光記録媒体は、このような中間層として、厚
さ方向に周期的な組成変動を有する中間層を有するた
め、記録感度およびC/N比の向上効果が高い。
The optical recording medium of the present invention has an intermediate layer having a periodic composition change in the thickness direction as such an intermediate layer, so that the effect of improving the recording sensitivity and the C / N ratio is high.

<具体的構成> 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。<Specific Configuration> Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be described in detail.

第1図に、本発明の光記録媒体の好適実施例として、
光磁気記録媒体の1例を示す。
FIG. 1 shows a preferred embodiment of the optical recording medium of the present invention.
1 shows an example of a magneto-optical recording medium.

第1図に示される光磁気記録媒体1は、基板2上に保
護層3、中間層4、記録層5、保護層6、保護コート7
を順次有する。
The magneto-optical recording medium 1 shown in FIG. 1 has a protective layer 3, an intermediate layer 4, a recording layer 5, a protective layer 6, and a protective coat 7 on a substrate 2.
Are sequentially provided.

本発明において、中間層4は、厚さ方向に周期的な組
成変動を有する。
In the present invention, the intermediate layer 4 has a periodic composition change in the thickness direction.

本発明において、組成変動の周期は、2〜50Å、特
に、3〜40Åである。
In the present invention, the cycle of the composition change is 2 to 50 °, particularly 3 to 40 °.

この値が上記範囲未満であると、実質的に組成が変動
していることにならず、本発明の効果が実現しない。
When this value is less than the above range, the composition does not substantially fluctuate, and the effect of the present invention is not realized.

また、上記範囲を超えた場合、本発明の効果が十分に
実現しない。
In addition, when it exceeds the above range, the effect of the present invention is not sufficiently realized.

中間層4は、2種以上の元素から構成され、かつ、こ
れらの元素が層の厚さ方向に組成変動を有していればよ
く、その組成に特に制限はないが、特に下記組成の中間
層において上記のような組成変動を有する場合、顕著な
エンハンス効果が実現する。
The intermediate layer 4 is composed of two or more elements, and it is only necessary that these elements have a composition variation in the thickness direction of the layer, and the composition is not particularly limited. If the layer has such a composition variation, a significant enhancement effect is realized.

本発明において、中間層4は、Al、Sc、Y、ランタノ
イド元素およびアクチノイド元素から選択された少なく
とも1種の元素(以下、Xと略称する)と、Siと、Nと
を含有することが好ましい。
In the present invention, the intermediate layer 4 preferably contains at least one element (hereinafter, abbreviated as X) selected from Al, Sc, Y, a lanthanoid element and an actinoid element, Si, and N. .

Xに特に制限はないが、好ましくは、Al、Y、La、C
e、より好ましくはAl、Laを選択することがよい。
X is not particularly limited, but is preferably Al, Y, La, C
e, and more preferably, Al and La may be selected.

Xは、中間層4中において通常、窒化物として含有さ
れるが、平衡論的な化学量論組成から偏奇したものであ
ってもよい。
X is usually contained in the intermediate layer 4 as a nitride, but may be one deviated from an equilibrium stoichiometric composition.

Xが2種以上の元素から構成される場合、その量比は
任意である。
When X is composed of two or more elements, the quantitative ratio is arbitrary.

中間層4中には、Fe、Mg、Ca、Sr、Ba等が含有されて
いてもよい。
The intermediate layer 4 may contain Fe, Mg, Ca, Sr, Ba and the like.

これらの元素のうち、Feは、10at%以下、また、その
他の元素は合計で10at%以下含有されてもよい。
Of these elements, Fe may be contained at 10 at% or less, and other elements may be contained at 10 at% or less in total.

中間層4には、Xに加え、SiおよびNが含有される。 The intermediate layer 4 contains Si and N in addition to X.

SiおよびNは、通常、Si3N4の形で含有されるが、こ
のような化学量論組成から偏奇していてもよい。
Si and N are usually contained in the form of Si 3 N 4 , but may be deviated from such a stoichiometric composition.

なお、中間層4は、通常、非晶質状態にある。 Note that the intermediate layer 4 is usually in an amorphous state.

このような中間層4の800nm付近における屈折率は、
好ましくは2.0〜3.0、より好ましくは2.1〜2.8である。
The refractive index of such an intermediate layer 4 near 800 nm is:
Preferably it is 2.0-3.0, more preferably 2.1-2.8.

屈折率が上記範囲未満であると、カー回転角増幅等、
エンハンス効果が小さく、出力が低下する。
If the refractive index is less than the above range, Kerr rotation angle amplification, etc.
The enhancement effect is small, and the output decreases.

また、上記範囲を超えると、出力が低下し、またノイ
ズが増加する。
In addition, when it exceeds the above range, the output decreases and the noise increases.

このような中間層4中において、XとSiとの合計に対
するXの含有量比、すなわち、100X/(X+Si)は、原
子比で、1〜50%、特に、5〜30%であることが好まし
い。
In such an intermediate layer 4, the content ratio of X to the total of X and Si, that is, 100X / (X + Si) may be 1 to 50%, particularly 5 to 30% in atomic ratio. preferable.

この値が上記範囲未満となるとC/N比、記録感度の向
上が不十分であり、また、上記範囲を超えると耐候性に
問題が生じる。
When the value is less than the above range, the improvement of the C / N ratio and the recording sensitivity is insufficient, and when the value exceeds the above range, a problem occurs in the weather resistance.

また、中間層4中のNの含有量は、原子比で10〜50%
であることが好ましい。
The content of N in the intermediate layer 4 is 10 to 50% in atomic ratio.
It is preferred that

Nの含有量が上記範囲未満であると中間層が吸収を持
つようになり、光学特性に支障を生じる。
If the content of N is less than the above range, the intermediate layer will have absorption, which causes a problem in optical characteristics.

また、上記範囲を超えるとC/N比、記録感度の向上が
不十分となる。
If the ratio exceeds the above range, the improvement of the C / N ratio and the recording sensitivity becomes insufficient.

これら原子比の測定は、オージェ電子分光、ESCA、EP
MA、SIMS等により行なえばよい。
These atomic ratios are measured by Auger electron spectroscopy, ESCA, EP
What is necessary is just to perform by MA, SIMS, etc.

なお、このような中間層材質を後述する記録層の上
(基板反対側)に保護層6として設けて、前記中間層4
と併用することもできる。併用する場合には、これら中
間層と保護層の組成はそれぞれ同一であっても、また本
発明の所定の範囲内でそれぞれ異なった組成としてもよ
い。
In addition, such an intermediate layer material is provided as a protective layer 6 on the recording layer described later (on the side opposite to the substrate) to form the intermediate layer 4.
Can also be used in combination. When used in combination, the compositions of the intermediate layer and the protective layer may be the same, or may be different from each other within a predetermined range of the present invention.

このような中間層4を設層するには、スパッタ法が好
ましく、特に反応性スパッタ法を用いることが好まし
い。
In order to form such an intermediate layer 4, a sputtering method is preferable, and a reactive sputtering method is particularly preferable.

具体的には、XターゲットおよびSiターゲットの2つ
のターゲットを用い、また、反応ガスとして窒素を用
い、Ar−N2雰囲気にて反応性2元スパッタにより設層す
ることが好ましい。
Specifically, using two targets of X target and Si target, also using nitrogen as a reaction gas, it is preferable that double-layered structure by reactive dual sputtering at Ar-N 2 atmosphere.

このような反応性2元スパッタ法では、各ターゲット
への投入パワーおよび反応ガス圧力を調整することによ
り、所望の組成の中間層4を得ることができる。
In such a reactive binary sputtering method, the intermediate layer 4 having a desired composition can be obtained by adjusting the input power to each target and the reaction gas pressure.

そして、中間層の厚さ方向に周期的な組成変動を設け
るためには、例えば、一方または他方の投入パワーを周
期的に変化させたり、あるいは、基板2と各ターゲット
とのそれぞれの距離を周期的に変動させればよい。
In order to provide a periodic composition variation in the thickness direction of the intermediate layer, for example, one or the other input power is periodically changed, or the distance between the substrate 2 and each target is periodically changed. What is necessary is just to fluctuate.

なお、スパッタ法の他、その他の気相成膜法、例えば
CVD法、蒸着法、イオンプレーティング法等を適宜用い
ることも可能である。
In addition to the sputtering method, other vapor phase film forming methods, for example,
A CVD method, a vapor deposition method, an ion plating method, or the like can be used as appropriate.

このような中間層4の厚さは、30〜300nm、特に50〜2
00nmとすることが好ましい。
The thickness of such an intermediate layer 4 is 30 to 300 nm, especially 50 to 2 nm.
It is preferably set to 00 nm.

この値が30nm未満であると出力が小さく、また、耐候
性に乏しい。
If this value is less than 30 nm, the output is small and the weather resistance is poor.

また、300nmを超えると、感度が低下しかつ生産効率
も低下する。
If it exceeds 300 nm, the sensitivity is lowered and the production efficiency is lowered.

なお、中間層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在
するAr等が入ってもよい。
Note that Ar or the like existing in the film formation atmosphere may be included as an impurity in the intermediate layer.

その他、Fe、Ni、Cr、Cu、Mn、Mg、Ca、Na、K等の元
素が不純物として入りうる。
In addition, elements such as Fe, Ni, Cr, Cu, Mn, Mg, Ca, Na, and K can enter as impurities.

保護層3および保護層6は、記録層5の耐食性向上の
ために設けられるものであり、これらは少なくとも一
方、好ましくは両方が設けられることが好ましい。これ
ら保護層は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物ある
いはこれらの混合物からなる無機薄膜から構成されるこ
とが好ましい。また、前述したように、上記の中間層材
質で形成してもよい。保護層の層厚は30〜300nm程度で
あることが耐食性向上の点から好ましい。
The protective layer 3 and the protective layer 6 are provided for improving the corrosion resistance of the recording layer 5, and it is preferable that at least one of them, and preferably both of them are provided. These protective layers are preferably composed of an inorganic thin film made of various oxides, carbides, nitrides, sulfides or mixtures thereof. Further, as described above, it may be formed of the above-mentioned intermediate layer material. The thickness of the protective layer is preferably about 30 to 300 nm from the viewpoint of improving corrosion resistance.

このような保護層は、スパッタ法等の各種気相成膜法
等によって形成されることが好ましい。
Such a protective layer is preferably formed by various vapor deposition methods such as a sputtering method.

記録層5は、変調された熱ビームあるいは変調された
磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記
録情報は磁気−光変換して再生されるものである。
In the recording layer 5, information is magnetically recorded by a modulated heat beam or a modulated magnetic field, and the recorded information is reproduced by magneto-optical conversion.

記録層5は、光磁気記録が行なえるものであればその
材質に特に制限はないが、希土類金属と遷移金属との合
金を、スパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成
したものであることが好ましい。
The material of the recording layer 5 is not particularly limited as long as it can perform magneto-optical recording, but is formed by forming an alloy of a rare earth metal and a transition metal as an amorphous film by sputtering, vapor deposition, or the like. Preferably, there is.

希土類金属としては、Tb、Dy、Nd、Gd、Smのうちの1
種以上を用いることが好ましい。
As the rare earth metal, one of Tb, Dy, Nd, Gd, and Sm is used.
It is preferred to use more than one species.

遷移金属としては、FeおよびCoが好ましい。 Fe and Co are preferable as the transition metal.

この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at%であるこ
とが好ましい。
In this case, the total content of Fe and Co is preferably 65 to 85 at%.

そして、残部は実質的に希土類金属である。 The balance is substantially a rare earth metal.

好適に用いられる記録層の組成としては、TbFeCo、Dy
TbFeCo、NdDyFeCo等がある。
Preferred recording layer compositions include TbFeCo, Dy
There are TbFeCo, NdDyFeCo and the like.

なお、記録層中には、10at%以下の範囲でCr、Al、T
i、Pt、Si、Mo、Mn、V、Ni、Cu、Zn、Ge、Au等が含有
されてもよい。
In the recording layer, Cr, Al, T
i, Pt, Si, Mo, Mn, V, Ni, Cu, Zn, Ge, Au and the like may be contained.

また、10at%以下の範囲で、Sc、Y、La、Ce、Pr、P
m、Sm、Eu、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等の他の希土類金属元
素を含有してもよい。
In addition, Sc, Y, La, Ce, Pr, P
Other rare earth metal elements such as m, Sm, Eu, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu may be contained.

このような記録層5の層厚は、通常、10〜1000nm程度
である。
The layer thickness of such a recording layer 5 is usually about 10 to 1000 nm.

この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプ
のものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、Te−Ge、Te−In、Te−Sn、Te−
Ge−Sb−S、Te−Ge−As−Si、Te−Si、Te−Ge−Si−S
b、Te−Ge−Bi、Te−Ge−In−Ga、Te−Si−Bi−Tl、Te
−Ge−Bi−In−S、Te−As−Ge−Sb、Te−Ge−Se−S、
Te−Ge−Se、Te−As−Ge−Ga、Te−Ge−S−In、Se−Ge
−Tl、Se−Te−As、Se−Ge−Tl−Sb、Se−Ge−Bi、Se−
S(以上、特公昭54−41902号、特許第1004835号など) TeOx(特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe
酸化物中に分散されたTe)、 TeOx+PbOx(特許第974258号)、 TeOx+VOx(特許第974257号)、その他、Te−Tl、Te
−Tl−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeNx等のTe、Seを
主体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によっ
て色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生
じる合金などがある。
In addition, as a material of the recording layer, a so-called phase transition type material such as Te-Se, Te-Se-Sn, Te-Ge, Te-In, Te-Sn, Te-
Ge-Sb-S, Te-Ge-As-Si, Te-Si, Te-Ge-Si-S
b, Te-Ge-Bi, Te-Ge-In-Ga, Te-Si-Bi-Tl, Te
-Ge-Bi-In-S, Te-As-Ge-Sb, Te-Ge-Se-S,
Te-Ge-Se, Te-As-Ge-Ga, Te-Ge-S-In, Se-Ge
-Tl, Se-Te-As, Se-Ge-Tl-Sb, Se-Ge-Bi, Se-
S (above, Japanese Patent Publication No. 54-41902, Japanese Patent No. 100004835, etc.) TeO x (Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-54338, Patent No. 974257)
Te dispersed in oxides), TeO x + PbO x (Patent No. 974258), TeO x + VO x (Patent No. 974257), other, Te-Tl, Te
-Tl-Si, Se-Zn- Sb, Te-Se-Ga, Te such TeN x, chalcogen Ge-Sn mainly composed of Se, Si-Sn and the like of the amorphous - alloy Ag resulting crystalline transition Alloys such as -Zn, Ag-Al-Cu, and Cu-Al that cause a color change due to a change in crystal structure, and alloys that cause a change in crystal grain size such as In-Sb, and the like.

このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等のドライコーティング方式等を用いて
設置すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜1000nm程
度とされる。
Such a recording layer may be provided by a dry coating method such as an evaporation method, a sputtering method, or an ion plating method. The thickness of the layer is set to about 20 nm to 1000 nm.

基板2は、ガラスあるいは樹脂製、特にアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂等から構成されることが好ましく、記録光およ
び再生光に対して透明なものである。また、その厚さは
通常0.5〜3mm程度とされ、外形形状は、ディスク状ある
いはその他目的に応じて選定される。
The substrate 2 is preferably made of glass or resin, particularly, acrylic resin, polycarbonate resin, epoxy resin, polyolefin resin or the like, and is transparent to recording light and reproduction light. The thickness is usually about 0.5 to 3 mm, and the outer shape is selected according to a disc shape or other purposes.

保護コート7は耐食性、耐擦傷性の向上のために設け
られるものであり、種々の有機系の物質から構成される
ことが好ましいが、特に、電子線、紫外線等の放射線に
より硬化可能なアクリル系二重結合を有する放射線硬化
型化合物を、放射線硬化させた物質から構成されること
が好ましい。また、保護コート7の厚さは、通常、1〜
100μm程度とすることが好ましい。
The protective coat 7 is provided for improving corrosion resistance and abrasion resistance, and is preferably made of various organic substances. In particular, acrylic coats which can be cured by radiation such as electron beams and ultraviolet rays. The radiation-curable compound having a double bond is preferably composed of a radiation-cured substance. The thickness of the protective coat 7 is usually 1 to
It is preferred to be about 100 μm.

これらの各層から構成される光磁気記録媒体1は、記
録層5を内側にして2組の光磁気記録媒体1が接着され
て両面記録型の媒体とすることができ、また、保護コー
ト7上に保護板を接着して片面記録型の媒体とすること
ができる。
The magneto-optical recording medium 1 composed of these layers can be used as a double-sided recording medium by bonding two sets of magneto-optical recording media 1 with the recording layer 5 inside. A single-sided recording medium can be obtained by bonding a protective plate to the recording medium.

なお、保護板を設ける場合、保護板としては、通常、
基板2と同質のものを用いればよいが、透明である必要
はなく、その他の材質も用いることができる。また、接
着は、公知のいずれの接着剤を用いてもよく、例えばホ
ットメルト系接着剤、熱硬化性接着剤、嫌気性接着剤、
放射線硬化性接着剤等である。
When a protective plate is provided, the protective plate is usually
The same material as that of the substrate 2 may be used, but it is not necessary to be transparent, and other materials can be used. In addition, any known adhesive may be used for bonding, for example, a hot melt adhesive, a thermosetting adhesive, an anaerobic adhesive,
Radiation-curable adhesives and the like.

<実施例> 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに
詳細に説明する。
<Example> Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples of the present invention.

[実施例1] 直径130nm、厚さ1.2mmのビスフェノールA系の光ディ
スクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板2上
に、ガラス製の保護層3を高周波マグネトロンスパッタ
により40nmの層厚に設層した。
Example 1 A glass protective layer 3 having a thickness of 40 nm was formed on a substrate 2 made of bisphenol A-based optical disk grade polycarbonate resin having a diameter of 130 nm and a thickness of 1.2 mm by high frequency magnetron sputtering.

この保護層3上に、中間層4を反応性2元スパッタ法
により設層した。なお、反応ガスにはアルゴン−窒素の
混合ガスを用い、ターゲットはSiとXの金属の2つのタ
ーゲットを用いた。また、中間層の組成は、各ターゲッ
トへの投入パワーを、それぞれ周期的に変化させること
により調整した。そして、中間層の面内での均一性を確
保するため、基板2を中心軸の回りに一定の速度で自転
させた。また、各ターゲットは固定し、基板2をその中
心軸と異なる軸のまわりに公転させ、各ターゲットとの
距離を周期的に変動させることによっても所望の中間層
を得ることができた。
An intermediate layer 4 was formed on the protective layer 3 by a reactive binary sputtering method. Note that a mixed gas of argon and nitrogen was used as a reaction gas, and two targets of Si and X were used as targets. The composition of the intermediate layer was adjusted by periodically changing the power applied to each target. Then, in order to ensure uniformity in the plane of the intermediate layer, the substrate 2 was rotated around the central axis at a constant speed. Also, a desired intermediate layer could be obtained by fixing each target, orbiting the substrate 2 around an axis different from its central axis, and periodically varying the distance from each target.

中間層4の組成はオージェ分光分析により測定し、エ
ッチングしながら測定することにより、厚さ方向の組成
変動の周期を求めた。
The composition of the intermediate layer 4 was measured by Auger spectroscopy, and was measured while etching to determine the period of the composition change in the thickness direction.

中間層4の組成変動の周期および組成を、表1に示
す。なお、表1に示す組成は、中間層の平均組成であ
る。
Table 1 shows the composition change cycle and composition of the intermediate layer 4. The composition shown in Table 1 is the average composition of the intermediate layer.

次に、中間層4上に、表1に示される組成の記録層5
を、スパッタにより層厚80nmに設層した。
Next, the recording layer 5 having the composition shown in Table 1 was formed on the intermediate layer 4.
Was formed to a thickness of 80 nm by sputtering.

さらに、記録層5上に、保護層3と同組成の保護層6
を高周波マグネトロンスパッタにより層厚100nmに設層
し、この保護層6上に、保護コート7を設層した。な
お、保護コート7は、多官能オリゴエステルアクリレー
トと光増感剤とを含む塗布組成物をスピンナーコートに
より保護層6上に塗布し、その後、紫外線を15秒間照射
して架橋硬化させることにより設層した。保護コート7
の厚さは5μmとした。
Further, a protective layer 6 having the same composition as the protective layer 3 is formed on the recording layer 5.
Was formed to a thickness of 100 nm by high-frequency magnetron sputtering, and a protective coat 7 was formed on the protective layer 6. The protective coat 7 is formed by applying a coating composition containing a polyfunctional oligoester acrylate and a photosensitizer onto the protective layer 6 by a spinner coat, and then irradiating ultraviolet rays for 15 seconds to cure by crosslinking. Layered. Protective coat 7
Was 5 μm in thickness.

このようにして、各種組成の中間層および記録層を有
する光磁気記録媒体サンプルを得た。
Thus, magneto-optical recording medium samples having intermediate layers and recording layers of various compositions were obtained.

上記サンプルに対し、下記の測定を行なった。 The following measurement was performed on the sample.

(1)記録感度 下記の条件で記録再生を行い、2次高調波が最小とな
るパワーを記録感度として表1に示す。
(1) Recording sensitivity Recording and reproduction are performed under the following conditions, and the power at which the second harmonic is minimized is shown in Table 1 as recording sensitivity.

線速 4.0m/sec 記録信号 2MHzのパルス (デューティ50%) 印加磁界 250Oe レーザー波長 830nm 再生パワー 1.0mW RBW 30kHz VBW 100Hz (2)C/N比 線速 4.0m/sec 記録信号 2MHzのパルス 記録パワー 上記(1)で記録感度とした値 印加磁界 250Oe レーザー波長 830nm 再生パワー 1.0mW RBW 30kHz VBW 100Hz にて測定した。Linear velocity 4.0m / sec Recording signal 2MHz pulse (duty 50%) Applied magnetic field 250Oe Laser wavelength 830nm Reproduction power 1.0mW RBW 30kHz VBW 100Hz (2) C / N ratio Linear velocity 4.0m / sec Recording signal 2MHz pulse Recording power The value used as the recording sensitivity in (1) above Applied magnetic field 250 Oe Laser wavelength 830 nm Reproduction power 1.0 mW RBW 30 kHz VBW Measured at 100 Hz.

結果を表1に示す。 Table 1 shows the results.

[比較例1] スパッタターゲットとしてSi−Al合金、Si−Y合金お
よびSiを用いた他は実施例1と同様にして中間層を設層
し、光磁気記録媒体サンプルを作製した(サンプルNo.1
01、102、103)。
[Comparative Example 1] An intermediate layer was provided in the same manner as in Example 1 except that a Si-Al alloy, a Si-Y alloy and Si were used as sputter targets, thereby producing a magneto-optical recording medium sample (Sample No. 1
01, 102, 103).

これらのサンプルに対し、実施例1と同様な測定を行
なった。
The same measurement as in Example 1 was performed on these samples.

結果を表1に示す。 Table 1 shows the results.

なお、表1に示す各サンプルについて、80℃85%RH雰
囲気下で2000時間保存テストを実施したところ、サンプ
ルNo.12は500時間から、サンプルNo.103は1000時間から
劣化がみられ、他は2000時間まで劣化がみられなかっ
た。
The samples shown in Table 1 were subjected to a storage test for 2000 hours in an atmosphere of 80 ° C. and 85% RH. Did not deteriorate until 2000 hours.

表1に示される結果から、本発明の効果が明らかであ
る。
From the results shown in Table 1, the effect of the present invention is clear.

すなわち、中間層の厚さ方向に周期的な組成変動を有
する本発明のサンプルは、記録感度およびC/N比が共に
高い。これに対し、中間層が均一な組成である比較サン
プルでは、これらの特性のすべてを向上させることはで
きない。
That is, the sample of the present invention having a periodic composition change in the thickness direction of the intermediate layer has high recording sensitivity and high C / N ratio. In contrast, a comparative sample in which the intermediate layer has a uniform composition cannot improve all of these characteristics.

[実施例2] 下記の記録層および中間層を有する相変化型の光記録
媒体を作製した。
Example 2 A phase-change type optical recording medium having the following recording layer and intermediate layer was produced.

記録層 In49Sb49Sn2スパッタ成膜 中間層 2元スパッタにより周期10Åの組成変動を設
けた。平均組成は、 Al/(Si+Al)=10% N=20at% であった。
Recording layer In 49 Sb 49 Sn 2 Sputtered film Intermediate layer A composition fluctuation of 10 ° was provided by binary sputtering. The average composition was Al / (Si + Al) = 10% N = 20 at%.

この光記録媒体に対し、下記の条件で記録パワーおよ
びC/N比の測定を行なった。
The recording power and C / N ratio of this optical recording medium were measured under the following conditions.

(測定条件) 回転数 1800rpm レーザー波長 830nm レンズNA 0.5 記録信号 3.7Mhz (デューティ50%) 測定の結果、記録パワーは8mWであり、C/N比は50dBで
あった。
(Measurement conditions) Rotation speed 1800rpm Laser wavelength 830nm Lens NA 0.5 Recording signal 3.7Mhz (Duty 50%) As a result of measurement, recording power was 8mW and C / N ratio was 50dB.

[比較例2] スパッタターゲットをSi−Al合金とし、組成変動をも
たない中間層とした他は実施例2と同様にして、相変化
型の光記録媒体を作製した。
Comparative Example 2 A phase-change optical recording medium was manufactured in the same manner as in Example 2, except that the sputter target was an Si-Al alloy and the intermediate layer had no composition fluctuation.

このものに対し、実施例2と同様な測定を行った。 For this, the same measurement as in Example 2 was performed.

この結果、記録パワーは10mWであり、C/N比は47dBで
あった。
As a result, the recording power was 10 mW, and the C / N ratio was 47 dB.

これらを結果から、本発明の効果が明らかである。 From these results, the effect of the present invention is clear.

<発明の効果> 本発明の光記録媒体は、中間層が周期的な組成変動を
有するため、記録感度およびC/N比が高い。
<Effect of the Invention> The optical recording medium of the present invention has a high recording sensitivity and a high C / N ratio because the intermediate layer has a periodic composition change.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、本発明の光記録媒体の好適実施例である光磁
気記録媒体の1例を示す断面図である。 符号の説明 1……光磁気記録媒体、 2……基板、 3……保護層、 4……中間層、 5……記録層、 6……保護層、 7……保護コート
FIG. 1 is a sectional view showing an example of a magneto-optical recording medium which is a preferred embodiment of the optical recording medium of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Magneto-optical recording medium 2 ... Substrate 3 ... Protective layer 4 ... Intermediate layer 5 ... Recording layer 6 ... Protective layer 7 ... Protective coat

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高山 勝 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−237242(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 11/10 521 G11B 7/24 533──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Masaru Takayama 1-1-13 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDK Corporation (56) References JP-A-61-237242 (JP, A) (58) Survey Field (Int.Cl. 6 , DB name) G11B 11/10 521 G11B 7/24 533

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板上に記録層を有し、この記録層と基板
との間に中間層を有し、 厚さ方向に周期的な組成変動を有し、 この中間層の組成変動の周期が、2〜50Åである光記録
媒体。
A recording layer on the substrate, an intermediate layer between the recording layer and the substrate, a periodic composition variation in a thickness direction, and a period of the composition variation of the intermediate layer. Is 2 to 50 °.
【請求項2】前記中間層が、Al、Sc、Y、ランタノイド
元素およびアクチノイド元素から選択された少なくとも
1種の元素Xと、Siと、Nとを含有し、 100X/(X+Si)の原子比が1〜50%であり、 Nの含有量が原子比で10〜50%である請求項1の光記録
媒体。
2. The intermediate layer contains at least one element X selected from Al, Sc, Y, a lanthanoid element and an actinoid element, Si and N, and has an atomic ratio of 100X / (X + Si). The optical recording medium according to claim 1, wherein the content of N is 1 to 50%, and the content of N is 10 to 50% in atomic ratio.
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