JP2848403B2 - Epitaxial growth of diacetylene or polydiacetylene - Google Patents
Epitaxial growth of diacetylene or polydiacetyleneInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ジアセチレン又はポリジアセチレンのエピタキシャル
成長法に関し、 ミリオーダー以上の大面積にわたって、ジアセチレン
又はポリジアセチレンをエピタキシャル成長させること
を目的とし、 基板としてジアセチレン単結晶又はポリジアセチレン
単結晶を用いてジアセチレン又はポリジアセチレンをエ
ピタキシャル成長させるように構成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] The present invention relates to a method for epitaxially growing diacetylene or polydiacetylene, which aims at epitaxially growing diacetylene or polydiacetylene over a large area of a millimeter order or more. Diacetylene or polydiacetylene is epitaxially grown using an acetylene single crystal.
本発明は、ジアセチレン又はポリジアセチレンのエピ
タキシャル成長法に関する。本発明に従ってエピタキシ
ャル成長させたジアセチレン又はポリジアセチレンは、
例えば光回路素子などとして有用である。The present invention relates to a method for epitaxially growing diacetylene or polydiacetylene. Diacetylene or polydiacetylene epitaxially grown according to the present invention is:
For example, it is useful as an optical circuit element.
従来、有機分子線エピタキシー（MEB）法などを用い
てジアセチレンやポリジアセチレン薄膜の作製が行われ
ている。しかしながら、このようにして得られたジアセ
チレンやポリジアセチレンの薄膜はミクロンオーダーの
粒子からなる多結晶質であるため、例えば光導波時に散
乱して導波路として有効でなかった。また、基板のラビ
ング処理によって配向性の高い膜を得る試みもあるが、
この場合にも基板と水平方向の配向に限られ、また得ら
れた膜の平滑性も十分でないという問題があった。Conventionally, diacetylene or polydiacetylene thin films have been produced by using an organic molecular beam epitaxy (MEB) method or the like. However, since the thin film of diacetylene or polydiacetylene obtained in this manner is polycrystalline composed of particles on the order of microns, it is not effective as a waveguide, for example, due to scattering at the time of optical waveguide. There is also an attempt to obtain a highly oriented film by rubbing the substrate,
Also in this case, there is a problem that the orientation is limited to the horizontal direction with respect to the substrate, and the obtained film is not sufficiently smooth.
従って、本発明は、前記した従来技術の問題点を解決
し、ミリオーダー以上の大面積にわたって、ジアセチレ
ン（DA）又はポリジアセチレン（PDA）をエピタキシャ
ル成長させることを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to epitaxially grow diacetylene (DA) or polydiacetylene (PDA) over a large area on the order of millimeters or more.
本発明に従えば、基板上にジアセチレン又はポリジア
セチレンをエピタキシャル成長させるにあたり、基板と
してジアセチレン単結晶又はポリジアセチレン単結晶を
用いてジアセチレン又はポリジアセチレンをエピタキシ
ャル成長させる。According to the present invention, when diacetylene or polydiacetylene is epitaxially grown on a substrate, diacetylene or polydiacetylene is epitaxially grown using a diacetylene single crystal or a polydiacetylene single crystal as a substrate.
本発明に従えば、ジアセチレン又はポリジアセチレン
をエピタキシャル成長させる際に、基板としてジアセチ
レン又はポリジアセチレンの単結晶を用いることによっ
て基板上にミリオーダー以上の大面積のジアセチレン又
はポリジアセチレンの薄膜を効果的に成長させることが
できる。According to the present invention, when diacetylene or polydiacetylene is epitaxially grown, a thin film of diacetylene or polydiacetylene having a large area of a millimeter order or more is effectively formed on the substrate by using a single crystal of diacetylene or polydiacetylene as the substrate. It can be made to grow.
第１図は、基板としてDA又はPDAの薄膜単結晶を用い
た例である。基板のDA又はPDA薄膜単結晶は、例えば溶
媒蒸発法、シェアー法などで形成する。FIG. 1 shows an example in which a DA or PDA thin film single crystal is used as a substrate. The DA or PDA thin film single crystal of the substrate is formed by, for example, a solvent evaporation method or a shear method.
即ち、第１図において、有機薄膜装置は、例えば基板
ホルダー２、Ｋ−セル３及び光照射用窓４を備えた容器
又は真空ベルジャー１より成り、本発明に従って、基板
上に所望のDA又はPDAの膜をエピタキシャル成長させる
に際しては基板ホルダー２上に、例えば石英基板５を支
承し、これにDA又はPDAの単結晶薄膜５′を基板として
適当な方法で石英基板５上に成長させる。ついで、Ｋ−
セル３内にDAモノマー６を収容し、その際、光照射用窓
４より光を基板５に照射してエピタキシャル成長させて
もよい。That is, in FIG. 1, the organic thin film device comprises, for example, a container or a vacuum bell jar 1 having a substrate holder 2, a K-cell 3, and a light irradiation window 4, and according to the present invention, a desired DA or PDA is placed on a substrate. For example, a quartz substrate 5 is supported on the substrate holder 2 and the DA or PDA single crystal thin film 5 'is used as a substrate to grow the film on the quartz substrate 5 by an appropriate method. Then, K-
The DA monomer 6 may be accommodated in the cell 3 and, at this time, the substrate 5 may be irradiated with light from the light irradiation window 4 to cause epitaxial growth.
例えば、下記式（Ｉ）で表わされるDA Ｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ （Ｉ） の中で、例えば結晶成長が容易な などで形成すると1mm×1mmより大面積の薄膜単結晶が得
られる。For example, in DARC-CCCC-CR (I) represented by the following formula (I), for example, crystal growth is easy. For example, a thin film single crystal having an area larger than 1 mm × 1 mm can be obtained.
これによって本発明により有機MBE法により1mm×1mm
より大面積のDA又はPDAの薄膜をエピタキシャル成長さ
せることができる。このエピタキシャル成長は、例えば
10-8Torrの真空度において１〜10Å／分の成長速度で行
うことができる。この際基板５は、ポリマー化してもし
なくてもよいが、基板５を予めポリマー化すると、基板
の機械的及び化学的安定性が向上し、エピタキシャル成
長が良好に行えるようになる。エピタキシャル成長させ
る材料としては、基板５の材料と同一であっても、異な
っていてもよい。例えば単独では良質結晶ができにくい
ジアセチレンである式： のエピタキシャル成長や、その他各種ジアセチレンやポ
リジアセチレンをエピタキシャル成長させることができ
る。また、更に複数のＫ−セルから異なるモノマーを導
入するなどして、複数種類の材料からなる液晶エピタキ
シャル成長を成長させたり、ポリマー超格子を形成する
こともできる。Thereby, according to the present invention, the organic MBE method is 1 mm × 1 mm.
A larger area DA or PDA thin film can be epitaxially grown. This epitaxial growth, for example,
It can be performed at a growth rate of 1 to 10 ° / min at a vacuum degree of 10 -8 Torr. At this time, the substrate 5 may or may not be polymerized. However, if the substrate 5 is polymerized in advance, the mechanical and chemical stability of the substrate is improved, and the epitaxial growth can be performed well. The material to be epitaxially grown may be the same as or different from the material of the substrate 5. For example, a formula that is a diacetylene that is difficult to produce good quality crystals by itself: And various other diacetylenes and polydiacetylenes can be epitaxially grown. Further, by introducing a different monomer from a plurality of K-cells, liquid crystal epitaxial growth of a plurality of types of materials can be grown, or a polymer superlattice can be formed.
また基板結晶５の配向性をコントロールすることによ
り、エピタキシャル成長膜７の配向性をコントロールす
ることができる。Further, by controlling the orientation of the substrate crystal 5, the orientation of the epitaxial growth film 7 can be controlled.
第２図は、基板５にバルク単結晶を用いた場合であ
り、第１図の場合と同様にエピタキシャル成長させるこ
とができる。FIG. 2 shows a case in which a bulk single crystal is used for the substrate 5, and epitaxial growth can be performed as in the case of FIG.
有機MBE法を用いるに際し、第１図及び第２図の態様
では光を照射しているが、更に電場によりモノマーを配
向させて行なうこともできる。When the organic MBE method is used, light is irradiated in the embodiments shown in FIGS. 1 and 2, but it is also possible to further align the monomers by an electric field.
また、有機MBE法のみならず、溶液中デポジション法
などの他の公知方法によることもできる。Further, not only the organic MBE method but also other known methods such as a solution deposition method can be used.
本発明に従えば、以上のような方法により、大面積の
エピタキシャル膜の成長がジアセチレン又はポリジアセ
チレンを用いて可能となる。According to the present invention, a large-area epitaxial film can be grown using diacetylene or polydiacetylene by the above method.
第１図は本発明に従ってDA又はPDAをエピタキシャル成
長させるのに使用する装置の一例を示す図面であり、第
２図は本発明に従ってDA又はPDAをエピタキシャル成長
させるのに使用する装置の他の例を示す図面である。 １……容器又は真空ベルジャー ２……基板ホルダー ３……Ｋ−セル ４……光照射用窓 ５……基板 ６……モノマー ７……DA又はPDAのエピタキシャル成長膜FIG. 1 shows an example of an apparatus used for epitaxially growing DA or PDA according to the present invention, and FIG. 2 shows another example of an apparatus used for epitaxially growing DA or PDA according to the present invention. It is a drawing. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Container or vacuum bell jar 2 ... Substrate holder 3 ... K-cell 4 ... Window for light irradiation 5 ... Substrate 6 ... Monomer 7 ... Epitaxially grown film of DA or PDA
Claims (1)
ンをエピタキシャル成長させるにあたり、基板としてジ
アセチレン又はポリジアセチレンの単結晶を用いること
を特徴とするジアセチレン又はポリジアセチレンのエピ
タキシャル成長法。1. A method for epitaxially growing diacetylene or polydiacetylene, wherein a single crystal of diacetylene or polydiacetylene is used as a substrate for epitaxially growing diacetylene or polydiacetylene on a substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19436189A JP2848403B2 (en) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | Epitaxial growth of diacetylene or polydiacetylene |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19436189A JP2848403B2 (en) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | Epitaxial growth of diacetylene or polydiacetylene |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0359014A JPH0359014A (en) | 1991-03-14 |
| JP2848403B2 true JP2848403B2 (en) | 1999-01-20 |
Family
ID=16323302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19436189A Expired - Lifetime JP2848403B2 (en) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | Epitaxial growth of diacetylene or polydiacetylene |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2848403B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105778142B (en) * | 2016-02-22 | 2018-11-13 | 中国科学技术大学 | The preparation method of the polydiacetylene micron tube of purpurine modification and fiber waveguide device and preparation method thereof |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP19436189A patent/JP2848403B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0359014A (en) | 1991-03-14 |
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