JP2842234B2 - Lead pin manufacturing method - Google Patents

Lead pin manufacturing method

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JP2842234B2
JP2842234B2 JP6180995A JP18099594A JP2842234B2 JP 2842234 B2 JP2842234 B2 JP 2842234B2 JP 6180995 A JP6180995 A JP 6180995A JP 18099594 A JP18099594 A JP 18099594A JP 2842234 B2 JP2842234 B2 JP 2842234B2
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lead
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pin
manufacturing
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和宏 橘高
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/306Lead-in-hole components, e.g. affixing or retention before soldering, spacing means
    • H05K3/308Adaptations of leads

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電気または電子製品等
に用いられる半導体装置パッケージに使用されるリード
ピンおよびその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead pin used for a semiconductor device package used for electric or electronic products and the like, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から電子製品の製造分野において、
高い信頼性や高機能が要求される製品に使用される半導
体装置パッケージとして、PGA(Pin Grid Array)パ
ッケージが汎く用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the field of manufacturing electronic products,
A PGA (Pin Grid Array) package is widely used as a semiconductor device package used for a product requiring high reliability and high functionality.

【0003】図4は、PGAパッケージの構造を説明す
る図であるが、同図に示すように、表面層14、配線層1
5、マウント層16および裏面層17を積層して組み立てら
れたPGAパッケージ12の構造は、パッケージの下側と
なる面に、半導体集積回路が必要とするデーターや信号
を入出力するためのリードピン11が多列に配置される構
造になる。この構造を利用すれば、QFP(Quad Flat P
ackage) などリードを側面に一列配置する表面実装パッ
ケージに比べ、パッケージ自体を小型にすることができ
る。そのため、15mm角以上の大サイズで、かつ1000個を
超える多数の電極を有する半導体集積回路をパッケージ
化する場合などに、PGAパッケージを用いれば半導体
装置を高密度に実装することが可能になる。
FIG. 4 is a view for explaining the structure of a PGA package. As shown in FIG.
5. The structure of the PGA package 12 assembled by laminating the mount layer 16 and the back surface layer 17 has a lead pin 11 for inputting and outputting data and signals required by the semiconductor integrated circuit on the lower surface of the package. Are arranged in multiple rows. If this structure is used, QFP (Quad Flat P
The package itself can be made smaller compared to a surface mount package in which leads are arranged in a row on the side, such as an ackage). Therefore, when a semiconductor integrated circuit having a large size of 15 mm square or more and having a large number of electrodes exceeding 1000 is packaged, the use of a PGA package enables a high-density mounting of a semiconductor device.

【0004】しかしながら、PGAパッケージの下側に
半導体集積回路を搭載する構造を採用する場合には、必
然的に、上記の多列配置の構造を採用することができな
い。
However, when a structure in which a semiconductor integrated circuit is mounted below the PGA package is employed, the structure having the multi-row arrangement cannot necessarily be employed.

【0005】そのため、リードピンは半導体集積回路の
外側面に配置しなければならず、半導体装置を高密度に
実装するという利点が発揮できない。一方、図4に示す
ように、半導体集積回路を上側に搭載する場合には、マ
ウント層の下層にさらに別の配線層を設けて配線層を2
層以上の構造にすれば、パッケージ面の直下にもリード
ピンを配置することが可能となるが、配線層の層数が増
加して各層間のコンタクト不良が発生し易く(特に、セ
ラミック製PGAパッケージの場合に発生)、PGAパ
ッケージの製作歩留りを著しく低下させたり、パッケー
ジ自体が高くなるため半導体装置の実装密度を低下させ
るという問題がある。
For this reason, the lead pins must be arranged on the outer surface of the semiconductor integrated circuit, and the advantage of mounting the semiconductor device at a high density cannot be exhibited. On the other hand, as shown in FIG. 4, when the semiconductor integrated circuit is mounted on the upper side, another wiring layer is further provided under the mount layer to reduce the number of wiring layers to two.
With a structure having more than one layer, it is possible to arrange lead pins directly below the package surface. However, the number of wiring layers is increased and contact failure between layers is likely to occur (particularly, a ceramic PGA package). ), The production yield of the PGA package is remarkably reduced, and the package itself is increased, thereby lowering the mounting density of the semiconductor device.

【0006】上記の不具合を回避するため、通常、配線
層は一層で、マウント層を設ける構造としているが、マ
ウントエリア部分には平坦さが要求されるので、配線す
ることが不可能であり、リードピンを半導体集積回路の
直下の面に多列に配置することができず、半導体集積回
路の外側面に配置している。したがって、大サイズで、
多数の電極を有する半導体集積回路をPGAパッケージ
化する場合、マウントエリア部分が大きいのに加え、半
導体集積回路の外側面に配置されリードピンによって相
当の面積を割かれることになり、パッケージ自体が大き
くなって、QFPなどの実装パッケージに比べ、半導体
集積回路の実装密度が低くなる場合がある。
In order to avoid the above-mentioned disadvantages, the wiring layer is generally provided with a single layer and a mount layer is provided. However, since the mount area is required to be flat, it is impossible to perform wiring. The lead pins cannot be arranged in multiple rows on the surface directly below the semiconductor integrated circuit, but are arranged on the outer surface of the semiconductor integrated circuit. Therefore, in large size,
When a semiconductor integrated circuit having a large number of electrodes is formed into a PGA package, in addition to a large mounting area, a considerable area is divided by lead pins arranged on the outer surface of the semiconductor integrated circuit, and the package itself becomes large. Therefore, the mounting density of the semiconductor integrated circuit may be lower than that of a mounting package such as a QFP.

【0007】PGAパッケージにおける実装密度を向上
させる対策として、あくまでも一つのチップをパッケー
ジしている従来の構造に対し、特開平3−198367号公報
に示されているように、バンプ配置の同じ2種のバンプ
付ICチップのパターン面を対面させ、両チップのバン
プパッドの間にリード線を挟み込み、サンドイッチ状態
でリード線のボンディングを行って両チップをパッケー
ジに封止することによって、PGAパッケージ1個に対
し半導体集積回路を2個搭載する構造の半導体集積回路
装置の提案がある。
As a countermeasure for improving the mounting density of the PGA package, as shown in Japanese Patent Laid-Open No. 3-198367, two types of bumps having the same structure are used as compared with the conventional structure in which one chip is packaged. One PGA package by facing the pattern surface of the IC chip with bumps, sandwiching the lead wires between the bump pads of both chips, bonding the lead wires in a sandwich state, and sealing both chips into a package On the other hand, there has been proposed a semiconductor integrated circuit device having a structure in which two semiconductor integrated circuits are mounted.

【0008】しかしながら、この提案の装置では、IC
チップの電極数が多くなると、それに比例してPGAパ
ッケージの電極、リードピンも多数になるためPGAパ
ッケージ自体が大型になる。したがって、電極数が極端
に多いICの場合には、実装密度が逆に低下するという
問題がある。
However, in the proposed device, the IC
When the number of electrodes of the chip increases, the number of electrodes and lead pins of the PGA package also increases in proportion to the increase, so that the PGA package itself becomes large. Therefore, in the case of an IC having an extremely large number of electrodes, there is a problem that the mounting density is reduced.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】汎用されているPGA
パッケージのリードピンは、半導体集積回路の下面に多
列に配置することができず、その外側面に配置されるの
で、リードピンの配列に多くのスペースを割かれ、必要
以上にパッケージが大きくなるという問題があった。
SUMMARY OF THE INVENTION General-purpose PGA
The package lead pins cannot be arranged in multiple rows on the lower surface of the semiconductor integrated circuit, but are arranged on the outer surface thereof, so that a lot of space is allocated to the arrangement of the lead pins and the package becomes larger than necessary. was there.

【0010】本発明は、このような従来技術の問題点を
克服して、PGAパッケージを小型にし、半導体集積回
路の実装密度を向上させるのに有効なリードピンの製造
方法を確立することを課題としてなされたものである。
An object of the present invention is to overcome the problems of the prior art and to establish a method for manufacturing lead pins which is effective for reducing the size of a PGA package and improving the mounting density of a semiconductor integrated circuit. It was done.

【0011】本発明は、図1および図2に示すように、
下記(1)および(2)のリードピンの製造方法を要旨として
いる。
The present invention, as shown in FIGS.
The gist is the following (1) and (2) lead pin manufacturing methods.

【0012】(1) 半導体装置パッケージに用いられるリ
ードピン11の製造方法であって、それぞれのリードピン
11の側面に複数の溝4を形成し、これらの溝4に導電性
材料を圧着することを特徴とするリードピンの製造方法
(図2参照)。
(1) A method of manufacturing lead pins 11 used in a semiconductor device package, the method comprising:
A method for manufacturing a lead pin, comprising forming a plurality of grooves 4 on the side surface of an eleventh surface and crimping a conductive material into these grooves 4 (see FIG. 2).

【0013】(2) 表面層と配線層とマウント層と裏面層
とを積層した半導体装置パッケージに用いられるリード
ピン11の製造方法であって、それぞれのリードピン11の
側面に複数の溝4を形成し、これらの溝4に導電性材料
を圧着することを特徴とするリードピンの製造方法(図
2参照)。
(2) A method of manufacturing lead pins 11 used in a semiconductor device package in which a front surface layer, a wiring layer, a mount layer, and a back surface layer are stacked, wherein a plurality of grooves 4 are formed on a side surface of each lead pin 11. A method of manufacturing a lead pin, comprising pressing a conductive material into these grooves 4 (see FIG. 2).

【0014】[0014]

【作用】本発明のリードピンでは、PGAパッケージに
用いられる際にリードピン一本に対し、複数の電極が配
線される構造となっている。このような構造にすること
によって、PGAパッケージ一個当たりに使用されるリ
ードピンの本数を減少させることができ、リードピンの
配列、配置に割かれるスペースを小さくして、汎用され
ているPGAパッケージに比べ小型にすることができ
る。小型になったPGAパッケージを利用することによ
って、半導体集積回路の実装密度を向上させることが可
能になる。
The lead pin of the present invention has a structure in which a plurality of electrodes are wired for one lead pin when used in a PGA package. With such a structure, the number of lead pins used per PGA package can be reduced, and the space allocated to the arrangement and arrangement of the lead pins is reduced. Can be By utilizing the miniaturized PGA package, the packaging density of the semiconductor integrated circuit can be improved.

【0015】図1は、本発明のリードピンを示す図であ
り、図1(a)はその全体斜視図を、図1(b)は
(a)図中のA−A矢視における水平断面図を示してい
る。同図から明らかなように、このリードピン11は、相
対する側面に溝4を設けたピン材5と、後述するよう
に、その溝4に導電性材料(例えば、Au線)からなる電
極を圧着させた構造となっている。
FIG. 1 is a view showing a lead pin of the present invention. FIG. 1 (a) is an overall perspective view thereof, and FIG. 1 (b) is a horizontal sectional view taken along the line AA in FIG. 1 (a). Is shown. As is apparent from FIG. 1, the lead pin 11 is formed by pressing a pin member 5 having a groove 4 on the opposite side surface and an electrode made of a conductive material (for example, Au wire) into the groove 4 as described later. It has a structure that was made.

【0016】本発明のリードピンを使用して半導体装置
パッケージを組み立てる場合、例えばリードピン (寸
法: 200μm角、長さ3mm程度) とパッケージ本体(図
4における裏面層17)との接続は、パッケージ上のリー
ドピンの配置位置に設けた電極端子穴 (寸法: 210±5
μm角、深さ約 500μm) にリードピンを差し込んで、
パッケージ本体に設けた電極端子材とリードピン側に設
けた電極とをハンダ (Pb/Sn=95/5合金、融点約 330
℃) で接合する方式によって行われる。
When assembling a semiconductor device package using the lead pins of the present invention, for example, the connection between the lead pins (dimensions: 200 μm square, about 3 mm in length) and the package body (the back layer 17 in FIG. 4) is made on the package. Electrode terminal holes provided at lead pin positions (dimensions: 210 ± 5
μm square, depth of about 500μm)
Solder the electrode terminal material provided on the package body and the electrode provided on the lead pin side (Pb / Sn = 95/5 alloy, melting point approx.
(° C).

【0017】図1(b)には、電極の表面に凸部9を設
けた断面図を示すが、この凸部9は、リードピンをパッ
ケージ本体に差し込んだ時の接合力を高めるのに望まし
いものであり、本発明において必須のものではない。
FIG. 1B is a cross-sectional view in which a convex portion 9 is provided on the surface of the electrode. The convex portion 9 is desirable for increasing the bonding force when the lead pin is inserted into the package body. Is not essential in the present invention.

【0018】組み立てが接合方式によっているため、リ
ードピンとパッケージ本体との接合力は、パッケージ本
体の電極端子材 (例えば、Mo−Mn材等) とリードピン側
の電極部とに使用される材料の材質に影響されるので、
リードピン、その電極と電極端子材に用いられる材料の
選定が重要になる。
Since the assembling is performed by the joining method, the joining force between the lead pin and the package body depends on the material of the material used for the electrode terminal material (eg, Mo-Mn material) of the package body and the electrode portion on the lead pin side. Is affected by
It is important to select the materials used for the lead pins, their electrodes, and electrode terminal materials.

【0019】リードピンの材料としては、エポキシ樹脂
が適している。エポキシ樹脂は、従来からLSIの封止
材に使用されているように、耐熱性 (約 300℃程度、少
なくとも 180℃以上) や絶縁性に優れているとともに、
モールド法によって形成することができて、加工性も良
好であるからである。一方、エポキシ樹脂の強度は、通
常のリードピン材に比べ、低い値となる (例えば、材質
42Ni−Feのリードピン材の強度60kgf/mm2 に対し、エポ
キシ樹脂の強度は34kgf/mm2 となる)。しかし、本発明
のリードピン構造では、リードピンの側面に金属製の電
極が圧着されるので、強度として問題を生ずることがな
く、エポキシ樹脂を用いることによって、リードピン材
として柔軟性を期待することができる。
Epoxy resin is suitable as a material for the lead pin. Epoxy resin has excellent heat resistance (about 300 ° C, at least 180 ° C or more) and insulation, as is conventionally used for LSI encapsulants.
This is because it can be formed by a molding method and has good workability. On the other hand, the strength of epoxy resin is lower than that of ordinary lead pin material (for example, material
To strength 60 kgf / mm 2 of the lead pin material 42Ni-Fe, the strength of the epoxy resin becomes 34kgf / mm 2). However, in the lead pin structure of the present invention, since a metal electrode is crimped to the side surface of the lead pin, there is no problem in strength, and by using epoxy resin, flexibility can be expected as a lead pin material. .

【0020】電極の材料としては、導電性が良好なもの
を使用すれば良い。しかし、電極はリードピンの側面に
圧着されるのであるから、圧着後の剥離が起こり難い材
料を選択する必要がある。この点を考慮すれば、Auまた
はCuが適しており、特にAuが望ましい。
As the material of the electrode, a material having good conductivity may be used. However, since the electrode is pressure-bonded to the side surface of the lead pin, it is necessary to select a material that does not easily peel off after the pressure bonding. Considering this point, Au or Cu is suitable, and Au is particularly desirable.

【0021】Au電極をリードピンの側面に設ける方法と
して、スパッタ法や蒸着法によるAu薄膜を形成する方法
もあるが、薄膜では剥離が懸念される。そこで、本発明
においては、Au線(例えば、直径60μm程度)等をリー
ドピンの側面に圧着する方法を採ることとした。圧着方
法の採用を前提とすると、Auは実際の圧着材としても多
用されており、柔軟性に富んでいるので圧着加工が容易
である。さらにAuはハンダ濡れ性が優れているので、リ
ードピンをパッケージ本体に接合する場合に、リードピ
ンの電極とパッケージ本体の電極端子材との間の電気的
接続での信頼性が高くなるとともに、機械的な接合強度
も十分に確保することができる。
As a method of providing the Au electrode on the side surface of the lead pin, there is a method of forming an Au thin film by a sputtering method or a vapor deposition method. Therefore, in the present invention, a method of crimping an Au wire (for example, a diameter of about 60 μm) or the like to the side surface of the lead pin is adopted. Assuming that the crimping method is adopted, Au is often used as an actual crimping material, and has high flexibility, so that crimping is easy. Furthermore, since Au has excellent solder wettability, the reliability of the electrical connection between the electrode of the lead pin and the electrode terminal material of the package body increases when joining the lead pin to the package body, and the mechanical property is improved. A sufficient bonding strength can also be ensured.

【0022】リードピンの形状は、基本的に多角柱状の
ものが用いられるが、製造上の理由から四角柱 (例え
ば、 200μm角で長さが3mm程度のもの) とするのが望
ましい。後述の具体的な製造方法で説明するように、リ
ードピンをパッケージ本体にハンダ接合するときに、接
合方向を間違えず、電気的短絡または開放等の発生を防
止できて、電極接合用の溝加工が容易になるからであ
る。しかし、本発明の実施に当たって、リードピンの形
状は、ハンダ接合が確実に行われる限りにおいて円柱で
あっても支障は生じない。
Although the shape of the lead pin is basically a polygonal pillar, it is preferably a square pillar (for example, a 200 μm square and about 3 mm long) for manufacturing reasons. As will be described in a specific manufacturing method described later, when soldering lead pins to the package body, it is possible to prevent the occurrence of an electrical short circuit or opening without making a mistake in the joining direction. This is because it becomes easy. However, in the practice of the present invention, there is no problem even if the shape of the lead pin is a column as long as the soldering is reliably performed.

【0023】本発明の特徴である、リードピン一本に対
して圧着して配線される電極の数は、2〜4個とするの
が望ましい。汎用されているPGAパッケージの配線層
(図4における配線層15) においては、使用される配線
の線幅は約 150μmであって、リードピンのピッチ間隔
は約1000μmであるから、ピッチ間に配線を6本通すの
が限度となり、リードピン一本に対し電極5個以上を配
線するのは不可能となる。また、前述の通り、リードピ
ンの形状は四角柱が望ましいが、この場合に加工される
電極接合用の溝は各側面に設けて4個が限界となり、そ
れ以上設けるとしてもリードピン自体の強度が問題とな
る。さらに本発明のリードピンを使用する場合であって
も、汎用されるPGAパッケージとの整合を考慮して、
リードピンの直径やピッチは標準規格に準拠させる必要
があり、そのためにも上記のような制約から、電極の数
はリードピン一本に付き2個以上で4個以下とするのが
望ましい。ただし、PGAパッケージの設計にあたっ
て、リードピンの寸法を大きくして (例えば、断面寸法
200μm角以上)、五角柱以上の多角柱の形状を採用
し、さらにリードピンのピッチを広げても (例えば、12
00μm以上) 支障を生じないのであれば、リードピン一
本当たりに配線する電極を5個以上にすることができ
る。
It is desirable that the number of electrodes, which are a feature of the present invention and are wired by pressing against one lead pin, is 2 to 4. Wiring layer of general-purpose PGA package
In the wiring layer 15 in FIG. 4, the line width of the wiring used is about 150 μm, and the pitch interval between the lead pins is about 1000 μm. Therefore, it is limited to pass six wirings between the pitches. It becomes impossible to wire five or more electrodes to one. As described above, the shape of the lead pin is desirably a quadratic prism, but in this case, the number of grooves for electrode bonding to be processed is limited to four on each side surface. Becomes Furthermore, even when using the lead pin of the present invention, in consideration of the matching with the commonly used PGA package,
The diameter and pitch of the lead pins need to conform to the standard. For this reason, it is desirable that the number of electrodes be two or more and four or less per lead pin because of the above-mentioned restrictions. However, when designing the PGA package, increase the lead pin size (for example,
Even if a pentagonal or more polygonal prism shape is adopted and the lead pin pitch is further increased (for example,
(00 μm or more) If no problem occurs, the number of electrodes to be wired per lead pin can be five or more.

【0024】以上のように、本発明のリードピンでは、
ピン一本が複数の電極を有するため、リードピンを配置
するためのスペースを縮小できるので、このリードピン
を使用することによって、パッケージ自体の小型化が図
れ、その実装密度を向上することができる。
As described above, in the lead pin of the present invention,
Since one pin has a plurality of electrodes, the space for arranging the lead pins can be reduced. Therefore, by using the lead pins, the size of the package itself can be reduced, and the packaging density can be improved.

【0025】次に、本発明のリードピンおよびその製造
方法を図面に基づいて、具体的に説明する。
Next, the lead pin of the present invention and a method for manufacturing the same will be specifically described with reference to the drawings.

【0026】図2は、本発明のリードピンの製造方法一
実施例を説明する図である。実施例で製造されるリード
ピンは、図1に示すように、四角柱の形状のもので、そ
の側面に2個の電極が圧着されている。
FIG. 2 is a view for explaining one embodiment of a method for manufacturing a lead pin according to the present invention. As shown in FIG. 1, the lead pin manufactured in the embodiment has a rectangular column shape, and two electrodes are crimped to the side surface thereof.

【0027】図2(a)は、リードピンの母材として用
いられるモールド法で成形されたエポキシ樹脂製の四角
柱1を示しており、その寸法は 200μm角で長さ4cmで
ある。同(b)、(c)は、エポキシ樹脂製の四角柱1
からピン材5を加工する方法を示している。四角柱1を
固定治具2で固定したのち、ダイシングソー3で四角柱
1の一側面とその対面に溝4 (寸法:溝幅 100μm×溝
深さ30μm程度) を切削加工して、ピン材5を成形す
る。加工された溝4は、リードピンと電極との接合強度
を確保するための圧着接合用の溝として利用される。
FIG. 2A shows a quadrangular prism 1 made of an epoxy resin, which is formed by a molding method and used as a base material of a lead pin, and has a size of 200 μm square and a length of 4 cm. (B) and (c) are square pillars 1 made of epoxy resin.
2 shows a method of processing the pin material 5 from the above. After fixing the square pole 1 with the fixing jig 2, the dicing saw 3 cuts a groove 4 (dimensions: about 100 μm in groove width × 30 μm in groove depth) on one side surface and the opposite side of the square pillar 1, and the pin material is cut. 5 is molded. The processed groove 4 is used as a groove for pressure bonding for securing the bonding strength between the lead pin and the electrode.

【0028】次に、同(d)、(e)では、ピン材と電
極材との圧着方法を示している。電極として直径60μm
のAu線6を使用し、圧着の予備処理でAu線6を二つ折り
にして、ピン材5の片端から溝4に装着する。その後、
凹部7を有するローラー8でAu線6をピン材5に圧着さ
せるが、その際にAu電極の表面に凸部9が設けられる。
この凸部9によって、前述の効果が発揮される。さら
に、凸部9を形成した後、ヤスリローラー10でAu線6が
ピン材5の溝のエッジからはみ出さないように余分なAu
を削り落とし、成形して、図1(b)の水平断面図に示
すような形状に仕上げ加工する。
Next, (d) and (e) show a method of crimping a pin material and an electrode material. 60μm diameter as electrode
Then, the Au wire 6 is folded in two by a preliminary process of crimping, and is attached to the groove 4 from one end of the pin material 5. afterwards,
The Au wire 6 is pressed against the pin material 5 by the roller 8 having the concave portion 7, and at this time, the convex portion 9 is provided on the surface of the Au electrode.
The above effects are exhibited by the convex portions 9. Further, after forming the convex portion 9, an extra Au wire 6 is used by a file roller 10 so that the Au wire 6 does not protrude from the edge of the groove of the pin material 5.
Is shaved off, molded, and finished to a shape as shown in the horizontal sectional view of FIG.

【0029】同(f)で、ピン材5を所定の長さに切断
したのち、ピン材5の一端をリードピンの先端にするた
め、図示しないがピン材5の片端を角錐型に加工する。
さらに、圧着したままではピン材と電極との両端部で電
気的な短絡が発生する恐れがあるため、電極の溶解液
(例えば、王水)でピン材5に圧着された両端のAu線6
を溶解、除去して、図1に示す本発明のリードピン11を
作製する。
In the same manner (f), after cutting the pin material 5 to a predetermined length, one end of the pin material 5 is processed into a pyramid shape (not shown) in order to make one end of the pin material 5 a tip of a lead pin.
Furthermore, since there is a risk that an electrical short circuit may occur at both ends of the pin material and the electrode when the pin material is kept pressed, the Au wires 6 at both ends crimped to the pin material 5 with a solution of the electrode (for example, aqua regia).
Is dissolved and removed to produce the lead pin 11 of the present invention shown in FIG.

【0030】図3は、本発明のリードピンを使用して半
導体装置パッケージを製造する場合のリードピンの接合
方法を説明する図であり、図3(a)および(b)は接
合状態を、さらに参考として、図3(c)はPGAパッ
ケージにおけるリードピンの接合箇所を示している。す
なわち、セラミックパッケージ12の裏面層17に設けられ
た材質Mo−Mnの電極端子材13にリードピン11が差し込ま
れてのち、ハンダ (Pb/Sn=95/5合金) にて接合さ
れ、配線18とも結線される。
FIGS. 3A and 3B are views for explaining a method of joining lead pins when a semiconductor device package is manufactured using the lead pins of the present invention. FIGS. 3A and 3B further show the joining state. FIG. 3 (c) shows the joining points of the lead pins in the PGA package. That is, after the lead pin 11 is inserted into the electrode terminal material 13 made of the material Mo-Mn provided on the back surface layer 17 of the ceramic package 12, it is joined with solder (Pb / Sn = 95/5 alloy), and Connected.

【0031】従来のPGAパッケージでは、 528本のリ
ードピンが必要となり、その配列面積の合計が48mm角
(23.04cm2)となっていたが、本発明のリードピンを使
用することにより、 248本のリードピンで配列面積の合
計が42mm角(17.64cm2)となった。実装面積を比較する
と、本発明のリードピンの使用によって約75%に削減で
きて、実装密度を大幅に向上できることが分かる。
In the conventional PGA package, 528 lead pins are required, and the total arrangement area is 48 mm square (23.04 cm 2 ). However, by using the lead pins of the present invention, 248 lead pins are used. As a result, the total array area became 42 mm square (17.64 cm 2 ). Comparing the mounting areas, it can be seen that the use of the lead pin of the present invention can reduce the mounting area to about 75%, and can greatly improve the mounting density.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明によれば、リードピンの配置面積
を縮小できるため、従来より小型の半導体装置パッケー
ジが作製でき、半導体集積回路の実装密度を向上させる
ことができる。
According to the present invention, since the arrangement area of the lead pins can be reduced, a semiconductor device package smaller than the conventional one can be manufactured, and the mounting density of the semiconductor integrated circuit can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のリードピンを示す図であり、図1
(a)はその全体斜視図を、図1(b)は(a)図中の
A−A矢視における水平断面図を示している。
FIG. 1 is a view showing a lead pin of the present invention, and FIG.
1A is an overall perspective view thereof, and FIG. 1B is a horizontal sectional view taken along the line AA in FIG.

【図2】本発明のリードピンの製造方法の一実施例を説
明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating one embodiment of a method for manufacturing a lead pin according to the present invention.

【図3】本発明のリードピンを使用して半導体装置パッ
ケージを製造する場合のリードピンの接合方法を説明す
る図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a method of joining lead pins when a semiconductor device package is manufactured using the lead pins of the present invention.

【図4】PGAパッケージの構造を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating the structure of a PGA package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…四角柱、 2…固定治具、 3…ダイシングソー、
4…溝 5…ピン材、 6…電極(Au線)、 7…凹部、 8…
ローラー 9…凸部、 10…ヤスリローラー、 11…リードピン 12…PGAパッケージ(セラミックパッケージ)、 13
…電極端子材 14…表面層、 15…配線層、 16…マウント層、 17…
裏面層 18…配線
1 ... square pillar, 2 ... fixing jig, 3 ... dicing saw,
4 ... groove 5 ... pin material 6 ... electrode (Au wire) 7 ... concave part 8 ...
Roller 9: Convex part, 10: File roller, 11: Lead pin 12: PGA package (ceramic package), 13
… Electrode terminal material 14… Surface layer, 15… Wiring layer, 16… Mount layer, 17…
Back layer 18 ... Wiring

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体装置パッケージに用いられるリード
ピンの製造方法であって、それぞれのリードピンの側面
に複数の溝を形成し、これらの溝に導電性材料を圧着す
ることを特徴とするリードピンの製造方法。
1. A lead used in a semiconductor device package.
A method of manufacturing a pin, the side of each lead pin
Multiple grooves and press the conductive material into these grooves.
A method for manufacturing a lead pin, comprising:
【請求項2】表面層と配線層とマウント層と裏面層とを
積層した半導体装置パッケージに用いられるリードピン
の製造方法であって、それぞれのリードピンの側面に複
数の溝を形成し、これらの溝に導電性材料を圧着するこ
とを特徴とするリードピンの製造方法。
2. A method of manufacturing a lead pin used for a semiconductor device package having a surface layer, a wiring layer, a mount layer, and a back surface layer laminated, wherein a plurality of grooves are formed on a side surface of each lead pin, and these grooves are formed. A method of manufacturing a lead pin, comprising: crimping a conductive material onto a lead pin.
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