JP2834798B2 - Reflection type projection device - Google Patents
Reflection type projection deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はアクティブマトリクス基板を一方の基板とす
る液晶パネル（以下LCD）によって構成された反射型投
影装置に関し、特に小型で高輝度な画面を実現しうる反
射型投影装置に関する。The present invention relates to a reflection type projection device constituted by a liquid crystal panel (hereinafter, LCD) having an active matrix substrate as one substrate, and particularly to a small and high-luminance screen. The present invention relates to a reflection type projection device that can realize the above.
（ロ）従来の技術 従来、自然光を利用した直視型LCDとして、シリコン
基板上のスイッチングトランジスタの周辺に凹部を設け
て、スイッチングトランジスタの誤動作を防止した方式
（特公昭61−38472号公報）や、スイッチングトランジ
スタを他面に形成したシリコン基板の一方の面に機械的
強度補強のため、保護板を密着させた構造があった。(B) Conventional technology Conventionally, as a direct-view LCD using natural light, a method in which a concave portion is provided around a switching transistor on a silicon substrate to prevent a malfunction of the switching transistor (Japanese Patent Publication No. 61-38472), There has been a structure in which a protection plate is closely attached to one surface of a silicon substrate having a switching transistor formed on the other surface for mechanical strength reinforcement.
しかし、シリコン基板では結晶成長できる単結晶の大
きさなどに制限があるため、直視型LCDにかわって拡大
画像が表示できる反射型投影装置が考え出された。However, since there is a limit to the size of a single crystal on which a crystal can be grown on a silicon substrate, a reflection type projection device capable of displaying an enlarged image instead of a direct-view type LCD has been devised.
例えば、輝度の高い内部光源からの光を偏光ビームス
プリッタやダイクロイックミラーで３原色に分けて３枚
以上のLCDに入射及び反射させ、接射レンズで画像を表
示する反射型投影装置（特開昭61−13885号公報）が提
案されている。For example, a reflection-type projection device that separates light from an internal light source having high brightness into three primary colors by a polarizing beam splitter or a dichroic mirror and makes it incident on and reflected by three or more LCDs, and displays an image with a projection lens (Japanese Patent Laid-Open No. No. 61-13885) has been proposed.
第７図に従来の反射型投影装置を示す。 FIG. 7 shows a conventional reflection type projection apparatus.
第７図において、（1R）、（1G）、（1B）は透明なガ
ラス基板（２）と、不透明なｃ−Siよりなる半導体基板
（３）と、ガラス製の補強板（４）からなっており、そ
れぞれ赤、緑及び青原色信号に基ずき、各画素部分毎に
偏光面の回転を行うLCDである。In FIG. 7, (1R), (1G) and (1B) consist of a transparent glass substrate (2), a semiconductor substrate (3) made of opaque c-Si, and a glass reinforcing plate (4). This is an LCD that rotates the plane of polarization for each pixel portion based on red, green, and blue primary color signals, respectively.
光源（34）は高輝度のキセノンランプまたはメタルハ
ライドランプから構成されている。The light source (34) is composed of a high-brightness xenon lamp or a metal halide lamp.
光源（34）からの光をだ円面鏡（35）は集光する。 The light from the light source (34) is collected by the elliptical mirror (35).
集光された光は赤外線吸収型の凹レンズ（36）によっ
て平行光に変換される。The condensed light is converted into parallel light by an infrared absorbing concave lens (36).
平行光は遮光板（37）の開口（37a）によって、一定
断面積に制限された後、可視光だけを通すをバンドパス
フィルター（38）で発熱源となる赤外線などを除去され
て分光系に入射する。The parallel light is limited to a certain cross-sectional area by the aperture (37a) of the light-shielding plate (37), and then passes only visible light. Incident.
分光系は、偏光ビームスプリッタ（30）と、青反射ダ
イクロイックミラー（31）と、赤反射ダイクロイックミ
ラー（32）と、光路マッチングガラス（33）とからなっ
ている。The spectral system includes a polarization beam splitter (30), a blue reflection dichroic mirror (31), a red reflection dichroic mirror (32), and an optical path matching glass (33).
光学系により青色光はそれぞれLCD（1B）、赤色光はL
CD（1R）、緑色光はLCD（1G）に入射し、特定のパター
ンを持つ画像として反射される。Depending on the optical system, blue light is LCD (1B), red light is L
The CD (1R) and green light enter the LCD (1G) and are reflected as an image having a specific pattern.
LCD（1R、1G、1B）からの３色の反射光はズーム投射
レンズ（39）に集光された後、スクリーン（40）に投影
されて、直視型LCDに比べて格段に大きな画像として知
覚される。The three colors of reflected light from the LCDs (1R, 1G, 1B) are collected by the zoom projection lens (39) and then projected on the screen (40), which is perceived as a much larger image than a direct-view LCD. Is done.
画面の高精細化と投射画面の高輝度化のために発熱の
要因となる光量がシリコン基板上の半導体素子１個に対
して増大する傾向がある。In order to increase the definition of the screen and increase the brightness of the projection screen, the amount of light that causes heat tends to increase with respect to one semiconductor element on the silicon substrate.
発熱を伴う反射型投影装置においては投影装置の冷却
が必要である。In a reflective projection device that generates heat, it is necessary to cool the projection device.
半導体が正常に動作するトランジスタの接合温度は12
0〜150℃までであり、第１にはこの温度以下に冷却す
る。The junction temperature of a transistor where the semiconductor operates normally is 12
0 to 150 ° C., firstly cooling below this temperature.
シリコン半導体は温度が10℃上昇するごとに故障の頻
度が約２倍になるといわれている。It is said that the frequency of failure of a silicon semiconductor increases about twice every time the temperature rises by 10 ° C.
FETは温度が高くなると、ON、OFF電流が共に大きくな
るが、この内、OFF電流が増大するとLCDにおいてリーク
電流の増加につながり、スクリーン上の投射画像のコン
トラストが減少する。When the temperature of the FET increases, both the ON and OFF currents increase. When the OFF current increases, the leakage current in the LCD increases, and the contrast of the projected image on the screen decreases.
アクティブマトリクス型LCDは温度が高くなると、集
積したFET間のしきい値電圧Vthの差が大きくなり、スク
リーン上の投射画像の均一性が失われることがあった。As the temperature of the active matrix LCD increases, the difference in threshold voltage Vth between the integrated FETs increases, and the uniformity of the projected image on the screen may be lost.
また、LCDの冷却手段として、液体による放熱構造を
用いた投影装置は投影装置が大きく重くなる傾向があっ
た。Further, a projection device using a heat dissipation structure using a liquid as a cooling means of the LCD tends to be large and heavy.
（ハ）発明が解決しようとする課題 このように投影装置の高精細化をはかるためにLCDの
冷却に注意を払う必要がでてきた。(C) Problems to be Solved by the Invention As described above, it is necessary to pay attention to the cooling of the LCD in order to increase the definition of the projection device.
そこで、本発明は投影装置を小型軽量に形成し、より
高品位で均一な投射画像を得ることを目的とするもので
ある。Therefore, an object of the present invention is to form a projection device to be small and lightweight, and to obtain a higher quality and uniform projection image.
（ニ）課題を解決するための手段 本発明は、液晶スイッチング用トランジスタアレイが
形成されたアクティブマトリクス基板を備えた液晶パネ
ルを用いた投影装置において、前記アクティブマトリク
ス基板の裏面に粘着または圧着されたアクティブマトリ
クス基板より熱伝導率が高い板状部材と、該板状部材を
気体の強制気流により冷却する機構とを具えたものであ
る。(D) Means for Solving the Problems The present invention is directed to a projection apparatus using a liquid crystal panel including an active matrix substrate on which a transistor array for liquid crystal switching is formed, wherein the projection device is adhered or crimped to the back surface of the active matrix substrate. It has a plate-like member having a higher thermal conductivity than the active matrix substrate, and a mechanism for cooling the plate-like member by a forced gas flow.
（ホ）作用 放熱のしくみは３種類のモード（伝導、対流、輻射）
がある。(E) Function The heat dissipation mechanism has three modes (conduction, convection, and radiation).
There is.
投射型表示装置において輻射はあまり期待できないの
で、主に伝導と対流によりLCDは冷却される。Since radiation is not so expected in a projection display device, the LCD is cooled mainly by conduction and convection.
伝導部の熱抵抗Rcdは（１）式により求められる。 The thermal resistance Rcd of the conduction part is obtained by the equation (1).
Rcd＝l/（λ・Ｓ） （１） Rcd:液晶−板状部材の熱抵抗［K/W］ l:熱流路の長さ［ｍ］ λ：熱流路の部材の熱伝導率［W/（Ｋ・ｍ）］ S:熱流路の面積［m2］ LCDを用いた反射型投影装置おいてLCDの全面を熱伝導
率の良い不透明な金属で覆うことは不可能なので板状部
材として薄くて熱伝導率λの大きな材料を選択して熱抵
抗を小さくする必要がある。Rcd = 1 / (λ · S) (1) Rcd: Thermal resistance of liquid crystal-plate member [K / W] l: Length of heat channel [m] λ: Thermal conductivity of member of heat channel [W / (K · m)] S: Area of heat flow path [m 2 ] In a reflective projection device using an LCD, it is impossible to cover the entire surface of the LCD with an opaque metal having good thermal conductivity, so it is thin as a plate-like member. Therefore, it is necessary to select a material having a large thermal conductivity λ to reduce the thermal resistance.
次に対流部の熱抵抗Rcvは（２）式により求められ
る。Next, the thermal resistance Rcv of the convection section is obtained by equation (2).
Rcv＝1/（α・Ｓ） （２） Rcv:板状部材−気体の熱抵抗［K/W］ α：熱伝達率［W/（Ｋ・m2）］ S:気体が板状部材と接する面積［m2］ 熱伝達率αは自然対流の空気において６〜30W/（Ｋ・
m2）、流速３〜15m/sの強制対流の空気において10〜200
W/（Ｋ・m2）である。Rcv = 1 / (α · S) (2) Rcv: plate-shaped member-thermal resistance of gas [K / W] α: heat transfer coefficient [W / (K · m 2 )] S: gas and plate-shaped member Contact area [m 2 ] Heat transfer coefficient α is 6 to 30 W / (K ·
m 2 ), 10 to 200 in forced convection air at a flow rate of 3 to 15 m / s
W / (K · m 2 ).
遠心ファンや軸流ファンを用いた強制対流の方が自然
対流の方より熱抵抗が小さく優れている。Forced convection using a centrifugal fan or axial fan has a smaller thermal resistance than natural convection and is superior.
一方面積は一般にヒートシンクと呼ばれる放熱器にて
大きくすることができる。On the other hand, the area can be increased by a radiator generally called a heat sink.
したがって本発明は板状部材に従来の基板の補強の他
に伝導放熱器として働かせると共に強制対流を接触させ
て対流放熱器としても作用させたものである。Therefore, in the present invention, the plate-shaped member functions as a conduction radiator in addition to the conventional reinforcement of the substrate, and also acts as a convection radiator by contacting forced convection.
（ヘ）実施例 第１図は本発明の実施例における反射型投影装置の放
熱系を示す概略図である。(F) Embodiment FIG. 1 is a schematic view showing a heat radiation system of a reflection type projection apparatus according to an embodiment of the present invention.
（１）はLCDであり、熱伝導率の低いガラス基板
（２）と熱伝導率の比較的高い半導体基板（３）からな
っている。(1) is an LCD, which comprises a glass substrate (2) having a low thermal conductivity and a semiconductor substrate (3) having a relatively high thermal conductivity.
半導体基板（３）側に半導体基板より熱伝導率の高い
板状部材（５）が付着している。A plate-like member (5) having higher thermal conductivity than the semiconductor substrate is attached to the semiconductor substrate (3).
板状部材（５）の側面にヒートシンク（６）が設けら
れ、軸流ファン（７）からの強制気流にさらされてい
る。A heat sink (6) is provided on a side surface of the plate member (5), and is exposed to a forced airflow from an axial fan (7).
分光系を含む本発明の反射型投影装置の部分断面図を
第２図に示す。FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the reflection type projection apparatus of the present invention including a spectral system.
半導体基板（３）を一方の基板として持つLCD（１）
に半導体基板（３）より熱伝導率が高い板状部材（５）
が圧着されている。LCD (1) with semiconductor substrate (3) as one substrate
A plate-like member (5) having a higher thermal conductivity than the semiconductor substrate (3)
Is crimped.
板状部材（５）はベリリア（BeO）、炭化ケイ素（Si
C）、銅（Cu）、銅−タングステン（Cu−Ｗ）、アルミ
ニウム（Al）、モリブデン（Mo）などの厚膜板の側面に
ヒートシンクを形成した後、LCD（１）が圧着される部
分をフライス盤などで薄く切削加工したものである。The plate member (5) is made of beryllia (BeO), silicon carbide (Si)
C) After forming a heat sink on the side of a thick plate made of copper (Cu), copper-tungsten (Cu-W), aluminum (Al), molybdenum (Mo), etc. It is thinly cut with a milling machine or the like.
他の材料として表面を酸化した窒化アルミニウムAlN
（特開平１−220462号公報）や窒化アルミニウム表面に
積層体としてチタン（Ti）、ニッケル（Ni）、金属（A
u）からなる層を形成したAlN（特開平51−223737号公
報）などを板状部材として用いても良い。Aluminum nitride AlN with oxidized surface as another material
(Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 1-220462) and titanium (Ti), nickel (Ni), metal (A)
AlN (JP-A-51-223737) having a layer made of u) may be used as the plate-like member.
表１に代表的な材料の熱伝導率（λ）を示す。 Table 1 shows the thermal conductivity (λ) of typical materials.
軸流ファン（７）からの強制気流（８）は伝導部の熱
抵抗削減のため薄く形成された板状部材（５）から熱を
奪った後、ヒートシンク部で大きな面積と流速によりさ
らに多くの熱量を吸収する。 The forced airflow (8) from the axial fan (7) removes heat from the thinly formed plate-like member (5) to reduce the thermal resistance of the conduction part, and then increases the heat sink part due to the large area and flow velocity. Absorbs heat.
LCD（１）のガラス基板から離れて赤反射ダイクロイ
ックミラー（32）が配置されている。A red reflecting dichroic mirror (32) is arranged away from the glass substrate of the LCD (1).
赤反射ダイクロイックミラー（32）からの赤色の入射
光（９）はLCD（１）により特定形状の反射光（10）と
して変換される。The red incident light (9) from the red reflecting dichroic mirror (32) is converted by the LCD (1) as reflected light (10) of a specific shape.
また、第３図に示すように板状部材（５）はヒートシ
ンク（６）と分離して形成しても良い。Further, as shown in FIG. 3, the plate member (5) may be formed separately from the heat sink (6).
HIPなどの焼結方法における簡単な形状への限定や焼
結体の切削加工の制限を考えれば、セラミック系の板状
部材（５）を単純な直方体に成形することは有用であ
る。It is useful to form the ceramic plate member (5) into a simple rectangular parallelepiped in view of the limitation to a simple shape in the sintering method such as HIP and the limitation of the cutting of the sintered body.
セラミック系の板状部材（５）の材料として、ベリリ
ア（BeO）、炭化ケイ素（SiC）、窒化アルミニウム（Al
N）などがあげられる。As materials for the ceramic plate member (5), beryllia (BeO), silicon carbide (SiC), aluminum nitride (Al)
N).
第３図で板状部材（５）の端部には２個または４個の
金属製のヒートシンク（６）が嵌合されている。In FIG. 3, two or four metal heat sinks (6) are fitted to the ends of the plate member (5).
第４図に遠心ファン（11）を利用し、複数の板状部材
（５）と半導体基板（３）を接着させた構造の断面図を
示す。FIG. 4 shows a cross-sectional view of a structure in which a plurality of plate members (5) and a semiconductor substrate (3) are bonded using a centrifugal fan (11).
複数の板状部材（５）は金属製の容器（12）にロウ材
（13）でロウ付けされており、一方、半導体基板（３）
にシリコーン樹脂製の接着材（14）で接着されている。The plurality of plate members (5) are brazed to a metal container (12) with a brazing material (13), while the semiconductor substrate (3) is brazed.
Is bonded with an adhesive (14) made of silicone resin.
金属製の容器の側面にはヒートシンク（６）が同様に
２個または４個嵌合されている。Two or four heat sinks (6) are similarly fitted on the side surfaces of the metal container.
複数の板状部材（５）で半導体基板（３）と接着する
ことにより、温度変化による板状部材（５）と半導体基
板（３）との剥離を抑制することができる。By adhering to the semiconductor substrate (3) with the plurality of plate members (5), separation of the plate member (5) and the semiconductor substrate (3) due to a temperature change can be suppressed.
第５図に本発明のｃ−Siを用いたLCDの平面図を示
す。FIG. 5 is a plan view of an LCD using c-Si of the present invention.
１画素に対応する表示電極の横及び縦の外形線の長さ
と、１画素に対応するゲートライン（15）及びドレイン
ライン（16）の中心線（17）の長さとそれぞれの商が0.
9以上なら、有効画素の百分率は81％以上になる。The quotient of each of the lengths of the horizontal and vertical outlines of the display electrode corresponding to one pixel and the lengths of the center line (17) of the gate line (15) and the drain line (16) corresponding to one pixel is 0.
Above 9, the percentage of effective pixels will be over 81%.
ｃ−Si中にドレイン（18）、ソース（19）及び補助容
量（20）は拡散層として設けられている。A drain (18), a source (19) and an auxiliary capacitance (20) are provided as diffusion layers in c-Si.
ゲートライン（15）及びゲート（21）は不純物をドー
プした多結晶シリコンで形成され、ソース（19）と表示
電極（22）はコンタクトホール（23）で接続されてい
る。The gate line (15) and the gate (21) are made of polycrystalline silicon doped with impurities, and the source (19) and the display electrode (22) are connected by a contact hole (23).
LCDの断面図を第６図に示す。 FIG. 6 shows a cross-sectional view of the LCD.
板状部材（５）はロウ材（13）または接着材（14）に
よって半導体基板（３）と結合し、通常の半導体基板
（３）の機械強度の補強のためのみならず、放熱材とし
て働く。The plate-like member (5) is bonded to the semiconductor substrate (3) by the brazing material (13) or the adhesive (14), and serves not only to reinforce the mechanical strength of the normal semiconductor substrate (3) but also as a heat dissipating material. .
第６図において半導体基板（３）の表面に不純物が導
入され、ドレイン（18）、ソース（19）及び補助容量
（20）が形成されている。In FIG. 6, impurities are introduced into the surface of the semiconductor substrate (3) to form a drain (18), a source (19), and an auxiliary capacitance (20).
熱酸化SiO2（24）が半導体基板（３）上に形成されて
いる。A thermally oxidized SiO 2 (24) is formed on the semiconductor substrate (3).
熱酸化SiO2（24）はソース（19）上に穴、ドレイン
（18）とソース（19）間及び補助容量（20）上に凹みが
作成されている。In the thermally oxidized SiO 2 (24), a hole is formed on the source (19), and a recess is formed between the drain (18) and the source (19) and on the storage capacitor (20).
熱酸化SiO2（24）の凹みにはドープした多結晶シリコ
ンが充填され、ドレイン（18）とソース（19）間にゲー
ト（21）、補助容量（20）上に導電膜（25）が形成され
ている。The recesses of the thermally oxidized SiO 2 (24) are filled with doped polycrystalline silicon, and a gate (21) is formed between the drain (18) and the source (19), and a conductive film (25) is formed on the storage capacitor (20). Have been.
CVDSiO2（26）がゲート（21）及び導電膜（25）のあ
る熱酸化SiO2（24）上に積層されている。CVD SiO 2 (26) is laminated on thermally oxidized SiO 2 (24) with gate (21) and conductive film (25).
CVDSiO2（26）においてソース（19）及び導電膜（2
5）上にコンタクトホール（23）が形成されている。In CVDSiO 2 (26), the source (19) and the conductive film (2
5) A contact hole (23) is formed thereon.
CVDSiO2（26）上にAlからなる表示電極が島状に形成
され、コンタクトホール（23）によりソース（19）及び
導電膜（25）に接続されている。A display electrode made of Al is formed in an island shape on the CVDSiO 2 (26), and is connected to the source (19) and the conductive film (25) through the contact hole (23).
反射膜として働く表示電極上にポリイミドの配向膜
（27）が形成されている。A polyimide alignment film (27) is formed on a display electrode serving as a reflection film.
半導体基板（３）と対向するガラス基板（２）上には
一面にITOからなる透明電極（28）が被着され、さらに
その上にポリイミドの配向膜（27）が形成され、前記配
向膜（27）は液晶（29）に接している。On a glass substrate (2) facing the semiconductor substrate (3), a transparent electrode (28) made of ITO is deposited on one surface, and a polyimide alignment film (27) is further formed thereon. 27) is in contact with the liquid crystal (29).
表示電極（22）は複数のドレインライン（16）または
ゲートライン（15）間にまたがらない方が望ましい。It is desirable that the display electrode (22) does not extend between a plurality of drain lines (16) or gate lines (15).
なぜなら、隣接するラインの信号により表示のコント
ラストが低下することがあるからである。This is because display contrast may be reduced due to signals of adjacent lines.
第５図のようにAlの表示電極でトランジスタが形成さ
れた側のドレインライン及びゲートラインを覆い、有効
画素率を81％以上とすることでｃ−Si上のトランジスタ
のチャネルの遮光がなされる。As shown in FIG. 5, the drain electrode and the gate line on the side where the transistor is formed are covered with the Al display electrode, and the channel of the transistor on c-Si is shielded by setting the effective pixel rate to 81% or more. .
本実施例の構造によれば、電子の移動度μの大きなｃ
−Siを用いているのでアクティブマトリクス基板の周辺
部に高速のシフトレジスタ、ラッチ、ドライバからなる
駆動回路を形成できるばかりでなく、アクティブマトリ
クス基板内の画素の駆動用トランジスタの大きさを小さ
くすることが可能になるため、有効画素率の向上が容易
にできる。According to the structure of this embodiment, c having a large electron mobility μ
-Si that Si is used, it is possible not only to form a high-speed drive circuit including a shift register, a latch, and a driver in the periphery of the active matrix substrate, but also to reduce the size of the driving transistor of the pixel in the active matrix substrate. , The effective pixel ratio can be easily improved.
本発明の実施例においては、ｃ−Siについて述べた
が、LCDのアクティブマトリクス基板がガラスで形成さ
れたとしても本発明の構成を実現することができる。In the embodiments of the present invention, c-Si has been described. However, even if the active matrix substrate of the LCD is formed of glass, the configuration of the present invention can be realized.
（ト）発明の効果 LCDの裏面を板状部材により効率良く冷却できるの
で、発熱が問題となる投影装置において優れた効果があ
る。(G) Effect of the Invention Since the rear surface of the LCD can be efficiently cooled by the plate-like member, an excellent effect is obtained in the projection apparatus in which heat generation is a problem.
以上に述べたように本発明によれば、LCDの補強板に
高熱伝導率の材料を用い、強制気流により各LCDを冷却
したことにより、輝度及び品位の高い小型軽量の投影装
置を作成することができる。As described above, according to the present invention, a high-conductivity material is used for a reinforcing plate of an LCD, and each LCD is cooled by a forced airflow, thereby producing a small and lightweight projection device with high brightness and quality. Can be.
第１図は本発明による反射型投影装置のLCDの冷却機構
を示す分解見取図。 第２図は本発明の第１の実施例のLCDの冷却機構の断面
図。 第３図は本発明の第２の実施例のLCDの冷却機構の断面
図。 第４図は本発明の第３の実施例のLCDの冷却機構の断面
図。 第５図は本発明の反射型投影装置に用いられるLCDの平
面図。 第６図は本発明の反射型投影装置に用いられるLCDの断
面図。 第７図は従来例の反射型投影装置の概要図である。 （１）……LCD、（２）……ガラス基板、（３）……半
導体基板、（４）……補強板、（５）……板状部材、
（６）……ヒートシンク、（７）……軸流ファン、
（８）……強制気流、（９）……入射光、（10）……反
射光、（11）……遠心ファン、（12）……金属製の容
器、（13）……ロウ材、（14）……接着材、（15）……
ゲートライン、（16）……ドレインライン、（17）……
中心線、（18）……ドレイン、（19）……ソース、（2
0）……補助容量、（21）……ゲート、（22）……表示
電極、（23）……コンタクトホール、（24）……熱酸化
SiO2、（25）……導電膜、（26）……CVDSiO2、（27）
……配向膜、（28）……透明電極、（29）……液晶、
（30）……偏光ビームスプリッタ、（31）……青反射ダ
イクロイックミラー、（32）……赤反射ダイクロイック
ミラー、（33）……光路マッチングガラス、（34）……
光源、（35）……だ円面鏡、（36）……凹レンズ、（3
7）……遮光板、（37a）……開口、（38）……バンドパ
スフィルター、（39）……ズーム投射レンズ、（40）…
…スクリーン。FIG. 1 is an exploded view showing a cooling mechanism of an LCD of a reflection type projection apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a sectional view of an LCD cooling mechanism according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a sectional view of a cooling mechanism for an LCD according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a sectional view of an LCD cooling mechanism according to a third embodiment of the present invention. FIG. 5 is a plan view of an LCD used in the reflection type projection apparatus of the present invention. FIG. 6 is a sectional view of an LCD used in the reflection type projection apparatus of the present invention. FIG. 7 is a schematic diagram of a conventional reflection type projection apparatus. (1) LCD, (2) glass substrate, (3) semiconductor substrate, (4) reinforcing plate, (5) plate member,
(6)… heat sink, (7)… axial fan,
(8) ... forced air flow, (9) ... incident light, (10) ... reflected light, (11) ... centrifugal fan, (12) ... metal container, (13) ... brazing material, (14) ... adhesive, (15) ...
Gate line (16) Drain line (17)
Center line, (18) Drain, (19) Source, (2
0) Auxiliary capacitance, (21) Gate, (22) Display electrode, (23) Contact hole, (24) Thermal oxidation
SiO 2 , (25) ... conductive film, (26) ... CVD SiO 2 , (27)
… Alignment film, (28)… Transparent electrode, (29)… Liquid crystal,
(30) Polarizing beam splitter (31) Blue reflecting dichroic mirror (32) Red reflecting dichroic mirror (33) Optical path matching glass (34)
Light source, (35) ... elliptical mirror, (36) ... concave lens, (3
7) Shield plate, (37a)… aperture, (38)… bandpass filter, (39)… zoom projection lens, (40)…
…screen.
Claims (1)
形成されたアクティブマトリクス基板を備えた液晶パネ
ルを用いた投影装置において、 前記アクティブマトリクス基板の裏面に粘着または圧着
されたアクティブマトリクス基板より熱伝導率が高い板
状部材と、該板状部材を気体の強制気流により冷却する
機構とを具えたことを特徴とする投影装置。1. A projection apparatus using a liquid crystal panel having an active matrix substrate on which a transistor array for liquid crystal switching is formed, wherein the thermal conductivity is higher than that of the active matrix substrate which is adhered or bonded to the back surface of the active matrix substrate. A projection apparatus comprising: a plate-shaped member; and a mechanism for cooling the plate-shaped member by a forced gas flow.
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|---|---|---|---|
| JP28921889A JP2834798B2 (en) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | Reflection type projection device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP28921889A JP2834798B2 (en) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | Reflection type projection device |
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|---|---|
| JPH03149521A JPH03149521A (en) | 1991-06-26 |
| JP2834798B2 true JP2834798B2 (en) | 1998-12-14 |
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ID=17740312
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
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- 1989-11-07 JP JP28921889A patent/JP2834798B2/en not_active Expired - Fee Related
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