JP2833549B2 - Polishing cloth surface adjustment method and mechanism - Google Patents
Polishing cloth surface adjustment method and mechanismInfo
- Publication number
- JP2833549B2 JP2833549B2 JP28840295A JP28840295A JP2833549B2 JP 2833549 B2 JP2833549 B2 JP 2833549B2 JP 28840295 A JP28840295 A JP 28840295A JP 28840295 A JP28840295 A JP 28840295A JP 2833549 B2 JP2833549 B2 JP 2833549B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing cloth
- cloth
- adjusting
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は研磨布の表面調整方
法および機構に関し、特に、半導体表面の凹凸を研磨平
坦化するのに用いる研磨布の表面調整方法および機構に
関する。The present invention relates to a method and a mechanism for adjusting the surface of a polishing cloth, and more particularly to a method and a mechanism for adjusting the surface of a polishing cloth used for polishing and flattening irregularities on a semiconductor surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】研磨により基板表面を平滑化する技術
は、半導体基板の作製工程をはじめとし、あらゆる分野
で用いられてきた。一方、近年、半導体基板上のデバイ
ス作製工程においても、作製の過程で形成される表面の
凹凸、例えば層間絶縁膜表面の凹凸を研磨により平坦化
する化学機械研磨法が採用されつつある。この方法で
は、半導体基板等の基板表面を研磨する場合に用いられ
る不織布を材料とする比較的柔らかめの研磨布と異な
り、絶縁膜の平坦化を行うために、発泡ポリウレタン等
の材料からなる硬めの研磨布が用いられる。2. Description of the Related Art Techniques for smoothing the surface of a substrate by polishing have been used in various fields including the step of manufacturing a semiconductor substrate. On the other hand, in recent years, also in a device manufacturing process on a semiconductor substrate, a chemical mechanical polishing method for polishing and flattening unevenness of a surface formed in the manufacturing process, for example, unevenness of a surface of an interlayer insulating film has been adopted. In this method, unlike a relatively soft polishing cloth made of a non-woven fabric used for polishing the surface of a substrate such as a semiconductor substrate, a hard material made of a material such as foamed polyurethane is used to flatten an insulating film. Polishing cloth is used.
【０００３】発泡ポリウレタンを材料とする研磨布を用
いる場合には、研磨を進めていくうちに研磨布表面の凹
凸が研磨剤や研磨屑により埋め込まれ、研磨布自体も表
面の凹凸が平滑化されて、研磨レートが徐々に下がると
いう減少が生じる。この現象を避けるために、通常、ダ
イヤモンドプレートを用いた研磨布表面調整（以下、コ
ンディショニングという）が行われる。図１０はこうし
た研磨に用いられる研磨装置の構成を示す図である。In the case of using a polishing cloth made of foamed polyurethane, as the polishing proceeds, irregularities on the surface of the polishing cloth are filled with abrasives or polishing debris, and the irregularities on the surface of the polishing cloth itself are also smoothed. As a result, the polishing rate gradually decreases. In order to avoid this phenomenon, usually, a polishing cloth surface adjustment (hereinafter, referred to as conditioning) using a diamond plate is performed. FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a polishing apparatus used for such polishing.
【０００４】図１０に示した研磨装置は、基板を保持す
る基板保持部６と、上面に研磨布７が貼られた研磨テー
ブル３と、研磨剤供給口８と、コンディショニング機構
（以下、コンディショナーという）２とから構成されて
いる。基板保持部６，コンディショナー２には回転，揺
動，加圧機構が付帯しており、研磨テーブル３には回転
機構が付帯しているが、これらは図面上に省略してい
る。コンディショナー２は、金属板に１５０μｍ程度の
ダイヤモンドパーティクルを電着したダイヤモンドプレ
ート５を有している。The polishing apparatus shown in FIG. 10 includes a substrate holding section 6 for holding a substrate, a polishing table 3 having a polishing cloth 7 adhered to an upper surface thereof, an abrasive supply port 8, and a conditioning mechanism (hereinafter referred to as a conditioner). 2). The substrate holder 6 and the conditioner 2 are provided with a rotation, swinging and pressing mechanism, and the polishing table 3 is provided with a rotation mechanism, but these are omitted in the drawing. The conditioner 2 has a diamond plate 5 in which diamond particles of about 150 μm are electrodeposited on a metal plate.
【０００５】研磨の手順について説明すると、まず、研
磨剤供給口８から研磨剤を研磨布７上に流しながら研磨
布８を回転し、研磨剤を研磨布７の全面に行き渡らせ
る。次に基板保持部６を回転させながら、基板保持部に
保持された基板を研磨布７に押し付けることにより、基
板表面の研磨を行う。必要に応じて基板を研磨布７に対
して揺動させて研磨を行う。研磨条件としては、例えば
研磨布７の回転数＝２０ＲＰＭ，基板の回転数＝２０Ｒ
ＰＭ，基板を研磨布７に押し付ける荷重＝５００ｇ／ｃ
ｍ2に設定し、基板の研磨を行う。The polishing procedure will be described. First, the polishing pad 8 is rotated while flowing the polishing pad onto the polishing pad 7 from the polishing agent supply port 8 to spread the polishing pad over the entire surface of the polishing pad 7. Next, while rotating the substrate holding unit 6, the substrate held by the substrate holding unit is pressed against the polishing pad 7 to polish the substrate surface. The polishing is performed by swinging the substrate with respect to the polishing cloth 7 as necessary. As the polishing conditions, for example, the rotation speed of the polishing pad 7 = 20 RPM, the rotation speed of the substrate = 20R
Load for pressing PM and substrate against polishing cloth 7 = 500 g / c
It is set to m 2 and the substrate is polished.
【０００６】研磨終了後、基板保持部６により基板を研
磨布７から引き上げて、処理の終わった基板を次に処理
する基板と交換している間にコンディショナー２により
ダイヤモンドプレート５を回転させながら研磨布７に押
し付けることにより、研磨布７表面のコンディショニン
グを行う。すなわちダイヤモンドプレート５により研磨
布７の表面を目立てして研磨用の凹凸を再生する。After the polishing, the substrate is lifted from the polishing cloth 7 by the substrate holder 6, and while the processed substrate is replaced with a substrate to be processed next, the diamond plate 5 is rotated by the conditioner 2 while being polished. The surface of the polishing pad 7 is conditioned by pressing it against the pad 7. That is, the surface of the polishing cloth 7 is sharpened by the diamond plate 5 to regenerate polishing irregularities.
【０００７】コンディショニング条件としては、例えば
研磨布７の回転数＝２０ＲＰＭ，ダイヤモンドプレート
５の回転数＝２０ＲＰＭ，ダイヤモンドプレート５を研
磨布７に押し付ける荷重＝１００ｇ／ｃｍ2に設定し、
コンディショニングを行う。As the conditioning conditions, for example, the rotation speed of the polishing pad 7 is set to 20 RPM, the rotation speed of the diamond plate 5 is set to 20 RPM, and the load for pressing the diamond plate 5 against the polishing pad 7 is set to 100 g / cm 2 .
Perform conditioning.
【０００８】コンディショニング終了後、次の基板の研
磨を行い、以後研磨とコンディショニングを交互に繰り
返す。After the completion of the conditioning, the next substrate is polished, and thereafter the polishing and the conditioning are alternately repeated.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来の研磨布表面調整方法では、コンディショニングの際
にダイヤモンドがダイヤモンドプレート５から欠落し、
研磨中に研磨布と基板の間にダイヤモンドが入り込むこ
とによって、基板表面に傷を付ける場合がある。またプ
レート５からダイヤモンドの欠落がなくとも、ダイヤモ
ンドの表面が平滑化され、研磨布をコンディショニング
する能力が低下し、研磨布の研磨レートが安定しないと
いう問題点があった。However, in the above-described conventional method for adjusting the surface of the polishing pad, the diamond is missing from the diamond plate 5 during the conditioning.
In some cases, diamond enters between the polishing pad and the substrate during polishing, thereby damaging the substrate surface. Even if the diamond is not missing from the plate 5, the diamond surface is smoothed, the ability to condition the polishing cloth is reduced, and the polishing rate of the polishing cloth is not stable.
【００１０】このようにプレート５からダイヤモンドが
欠落したり或いは摩耗する原因は、コンディショニング
条件、特にコンデイショナー荷重が高すぎることにあ
る。コンディショニングによる研磨レート回復のメカニ
ズムは、前述したように、研磨布表面の凹凸に詰まった
研磨屑を取り除く効果と、平滑化された研磨布自体の表
面に凹凸を再生させる効果の二つが組み合わさったもの
である。[0010] The cause of the missing or worn diamond from the plate 5 is that the conditioning conditions, especially the load of the conditioner, is too high. As described above, the mechanism of the polishing rate recovery by conditioning combines the effect of removing the polishing debris clogged in the unevenness of the polishing cloth surface and the effect of reproducing the unevenness on the surface of the smoothed polishing cloth itself. Things.
【００１１】ところが、プレート５にダイヤモンドパー
ティクルを電着した構造のものは、表面に凹凸を再生す
るのに効果的であるが、研磨屑を取り除くには効率的で
なく、十分に研磨屑を取り除くには大きな荷重を必要と
し、その結果ダイヤモンドの欠落や摩耗を引き起こすこ
ととなる。However, a structure in which diamond particles are electrodeposited on the plate 5 is effective for regenerating irregularities on the surface, but is not efficient for removing polishing debris and sufficiently removes polishing debris. Requires a large load, which results in missing and worn diamonds.
【００１２】本発明の目的は、基板を保護し、かつコン
ディショニング能力の低下に伴う研磨レートの不安定化
を抑える研磨布の表面調整方法及び機構を提供すること
にある。An object of the present invention is to provide a method and a mechanism for adjusting the surface of a polishing pad which protects a substrate and suppresses instability of a polishing rate due to a decrease in conditioning ability.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る研磨布の表面調整方法は、基板表面の
平滑研磨用研磨布の表面を調整する研磨布の表面調整方
法であって、研磨布の目に詰まった削り屑を洗い流すと
ともに、凹凸が減った研磨布表面の目立てを行える液圧
の液体を噴射して表面を噴射して表面の凹凸を再生する
ものである。To achieve the above object, a method for adjusting the surface of a polishing pad according to the present invention is a method for adjusting the surface of a polishing pad for smooth polishing of a substrate surface. , Wash away the shavings clogged in the eyes of the polishing cloth
Hydraulic pressure for sharpening the polishing cloth surface with reduced irregularities
And the surface is sprayed to regenerate the surface irregularities .
【００１４】また、本発明に係る研磨布の表面調整方法
は、基板表面の平滑研磨用研磨布の表面を調整する研磨
布の表面調整方法であって、 研磨布表面に詰まった研磨
屑を加圧した液で取り除きながら、凹凸が減った研磨布
の目立てを、ダイヤモンドパーティクルが電着されたプ
レートで行うものである。Further, the method for adjusting the surface of a polishing cloth according to the present invention is a polishing method for adjusting the surface of a polishing cloth for smooth polishing of a substrate surface.
This is a method of adjusting the surface of the cloth, where the polishing
Polishing cloth with reduced irregularities while removing debris with pressurized liquid
Of the diamond electrodeposited electrode
It is done at a rate .
【００１５】[0015]
【００１６】また、本発明に係る研磨布の表面調整機構
は、表面調整部を有し、基板表面を平滑に研磨する研磨
布の表面を調整する研磨布の表面調整機構であって、表
面調整部は、ノズルと、表面に凹凸をもつプレートとか
らなり、ノズルは、加圧した液体を研磨布の表面に噴射
することにより、液圧をもって研磨布の表面を調整する
ものであり、プレートは、凹凸を研磨布の表面に擦付け
て研磨布の表面を調整するものである。The polishing cloth surface adjusting mechanism according to the present invention is a polishing cloth surface adjusting mechanism for adjusting the surface of the polishing cloth, which has a surface adjusting portion and polishes the surface of the substrate smoothly. The part is composed of a nozzle and a plate having an uneven surface, and the nozzle adjusts the surface of the polishing cloth with a liquid pressure by spraying a pressurized liquid onto the surface of the polishing cloth. The surface of the polishing pad is adjusted by rubbing the irregularities on the surface of the polishing pad.
【００１７】また、前記ノズルは、プレートの凹凸をも
つ面の周囲に配置したものである。Further, the nozzle is arranged around a surface having irregularities of the plate.
【００１８】基本的には高圧水噴出ノズルから加圧した
液体を研磨布の表面に噴射して、研磨布の表面から研磨
屑を取り除き、かつ研磨布の表面に凹凸を再生する。Basically, a pressurized liquid is jetted from a high-pressure water jet nozzle onto the surface of the polishing pad to remove polishing debris from the surface of the polishing pad and regenerate irregularities on the surface of the polishing pad.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図により説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２０】図において、本発明に係る研磨布の表面調
整機構は基本的構成として、複数の高圧水噴出ノズルを
有し、該ノズルから加圧した液体を研磨布の表面に噴射
して、その液圧をもって研磨布の表面を調整するように
したものであり、液圧を調整することにより、高圧水噴
出ノズル単独で研磨布表面からの研磨屑の除去と研磨布
表面の目立て（凹凸の再生）とを行って表面調整を行
う、或いは高圧水噴出ノズルと凹凸をもつプレートとの
併用により表面調整を行うようになっている。次に本発
明を実施形態により具体的に説明する。In the figure, the polishing cloth surface adjusting mechanism according to the present invention basically has a plurality of high-pressure water jet nozzles, and jets a pressurized liquid from the nozzles onto the surface of the polishing cloth to form a nozzle. The surface of the polishing pad is adjusted by the liquid pressure. By adjusting the liquid pressure, the high-pressure water jet nozzle alone can remove polishing debris from the polishing pad surface and sharpen the polishing pad surface (regeneration of unevenness). ) To adjust the surface, or to adjust the surface by using a high-pressure water jet nozzle and a plate having irregularities. Next, the present invention will be specifically described with reference to embodiments.
【００２１】図１は本発明の実施形態１を示す断面図、
図２は同底面図、図３は表面調整状態を示す図である。
尚、図３には、図１０に示した基板保持部６，研磨剤供
給口８は省略してある。FIG. 1 is a sectional view showing Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a bottom view, and FIG. 3 is a view showing a surface adjustment state.
In FIG. 3, the substrate holder 6 and the abrasive supply port 8 shown in FIG. 10 are omitted.
【００２２】図１において本発明の実施形態１に係る研
磨布の表面調整機構は、ノズル本体１ａと複数の高圧水
噴出ノズル１，１…とからなっている。In FIG. 1, the polishing cloth surface adjusting mechanism according to the first embodiment of the present invention comprises a nozzle body 1a and a plurality of high-pressure water jet nozzles 1, 1,.
【００２３】ノズル本体１ａは内部に流路１ｂを有し、
その流路１ｂには加圧液体を取入れる液体取入口１ｃが
接続されており、流路１ｂからは枝流路１ｄが分岐さ
れ、その枝流路１ｄは直線状に配列されている。ノズル
１，１…は、ノズル本体１ａの各枝流路１ｄにそれぞれ
接続されている。The nozzle body 1a has a flow path 1b inside,
A liquid inlet 1c for taking in a pressurized liquid is connected to the flow path 1b, and a branch flow path 1d is branched from the flow path 1b, and the branch flow paths 1d are linearly arranged. The nozzles 1, 1... Are connected to the respective branch flow paths 1d of the nozzle body 1a.
【００２４】ノズル本体１ａは、ノズル１を下方に向け
てコンディショナー２に取付けられ、研磨テーブル３の
上方に昇降可能に設置されている。またノズル本体１ａ
は、回転する研磨テーブル３の半径方向に揺動可能に設
置されている。ノズル本体１ａを昇降及び揺動させる機
構は、汎用のものが用いられる。また研磨テーブル３の
上面には研磨布７が張付けてある。The nozzle body 1a is attached to the conditioner 2 with the nozzle 1 facing downward, and is installed above the polishing table 3 so as to be able to move up and down. The nozzle body 1a
Is installed so as to be able to swing in the radial direction of the rotating polishing table 3. A general-purpose mechanism is used for raising and lowering and swinging the nozzle body 1a. A polishing cloth 7 is adhered to the upper surface of the polishing table 3.
【００２５】実施形態１において、研磨テーブル３の研
磨布７をもって基板表面の平滑化のための研磨を行う。
その研磨が終了した時点で、ノズル本体１ａを下降させ
てノズル１の高さ位置を調整し、高圧水噴出ノズル１か
ら加圧した液体を研磨テーブル３の研磨布７に向けて噴
射する。その際、研磨布７は回転させ、かつノズル本体
１ａを研磨布７に対して研磨テーブル３の半径方向に揺
動させる。In the first embodiment, polishing for smoothing the substrate surface is performed using the polishing cloth 7 on the polishing table 3.
When the polishing is completed, the nozzle body 1a is lowered to adjust the height position of the nozzle 1, and the liquid pressurized from the high-pressure water jet nozzle 1 is jetted toward the polishing cloth 7 of the polishing table 3. At that time, the polishing cloth 7 is rotated, and the nozzle body 1a is swung with respect to the polishing cloth 7 in the radial direction of the polishing table 3.
【００２６】高圧水噴出ノズル１から加圧した液体が研
磨布７に噴射されると、その液圧により、研磨布７の表
面に詰まった研磨屑が表面に浮き上げられ、水流により
研磨布７の表面から排除される。When the pressurized liquid is jetted from the high-pressure water jet nozzle 1 onto the polishing pad 7, the liquid pressure causes polishing debris clogging the surface of the polishing pad 7 to rise to the surface. Is excluded from the surface.
【００２７】同時に高圧水噴出ノズル１からの液体の圧
力により研磨布７の表面の起毛が促進されて目立てが行
われ、研磨布７の表面に凹凸が再生される。Simultaneously, raising of the surface of the polishing pad 7 is promoted by the pressure of the liquid from the high-pressure water jet nozzle 1, and dressing is performed, so that irregularities are reproduced on the surface of the polishing pad 7.
【００２８】以上のように基板を研磨する間の処理とし
てコンディショニングを行うが、コンディショニング条
件の一例は、研磨布７の回転数＝６０ＲＰＭ，ノズル１
から噴射する高圧水の噴出出力＝５００Ｋｇ／ｃｍ2，
ノズル１から高圧水を噴射する噴出径＝２ｍｍφ，ノズ
ル本体１ａの揺動速度＝１ｃｍ／秒，ノズル本体１ａの
揺動範囲＝研磨布７の中心〜外周，ノズル本体１ａの揺
動回数＝１回である。この条件は高圧水噴出ノズルの配
列，研磨布の材料，研磨布の目立ての条件等により最適
値が変化することはいうまでもない。Conditioning is performed as a process during polishing of the substrate as described above. One example of the conditioning conditions is as follows: the rotation speed of the polishing pad 7 = 60 RPM, the nozzle 1
Of high-pressure water sprayed from the water = 500 kg / cm 2 ,
Injection diameter of high-pressure water injected from nozzle 1 = 2 mmφ, swing speed of nozzle body 1 a = 1 cm / sec, swing range of nozzle body 1 a = center to outer circumference of polishing pad 7, number of swings of nozzle body 1 a = 1 Times. It goes without saying that the optimum value varies depending on the arrangement of the high-pressure water jet nozzles, the material of the polishing cloth, the conditions for dressing the polishing cloth, and the like.
【００２９】図４は本発明の実施形態２を示す断面図、
図５は同底面図、図６はコンデイショニング状態を説明
する図である。FIG. 4 is a sectional view showing Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 5 is a bottom view, and FIG. 6 is a view for explaining a conditioning state.
【００３０】本発明の実施形態２では、ノズル本体１ａ
を円盤状に形成し、ノズル本体１ａに高圧水噴射ノズル
１を複数装備し、しかもノズル１の向きをノズル本体１
ａの中心軸に対して一定方向に傾斜させている。In the second embodiment of the present invention, the nozzle body 1a
Is formed in a disk shape, a plurality of high-pressure water injection nozzles 1 are provided in the nozzle body 1a, and the direction of the nozzle 1 is changed to the nozzle body 1
It is inclined in a certain direction with respect to the central axis of a.
【００３１】本実施形態では、ノズル本体１ａを回転さ
せて、図６のようにノズル１から噴射される液体が高圧
水の軌跡４のように、その向きが３６０°変化させるよ
うにすることにより、ノズル１からの液体が広い面積で
研磨布７に噴射されるようにしている。In the present embodiment, by rotating the nozzle body 1a, the direction of the liquid ejected from the nozzle 1 is changed by 360 ° as shown in a locus 4 of high-pressure water as shown in FIG. The liquid from the nozzle 1 is sprayed onto the polishing pad 7 over a wide area.
【００３２】以上の実施形態は、ノズル単独で研磨布表
面からの研磨屑の除去と研磨布表面の目立て（凹凸の再
生）とを行って研磨布の表面調整を行う場合について説
明したが、これに限られるものではない。In the above embodiment, the case where the surface of the polishing pad is adjusted by removing the polishing debris from the polishing pad surface and sharpening the polishing pad surface (reproducing unevenness) by the nozzle alone has been described. It is not limited to.
【００３３】図２に示すように高圧水噴射ノズル１を備
えたコンデイショナー２と、凹凸をもつプレート、例え
ば図７のようにダイヤモンドパーテイクルを電着したプ
レート５を備えたコンディショナー２ａとの併用により
研磨布７の表面調整を行うようにしてもよい。この場
合、ノズル１からの高圧水の噴射に基づいて研磨布表面
の凹凸に詰まった研磨屑を除去し、ダイヤモンドパーテ
ィクルを電着したプレート５により研磨布表面に凹凸を
再生する。このときの高圧水噴出ノズル１によるコンデ
ィショニング条件は、研磨布７の回転数＝６０ＲＰＭ，
ノズル１からの高圧水噴出圧力＝１００Ｋｇ／ｃｍ2，
高圧水噴出径＝２ｍｍφ，揺動速度１ｃｍ／秒，揺動範
囲＝テーブル中心〜テーブル外周，揺動回数＝１回に設
定し、またダイヤモンドパーティクルを電着したプレー
ト５によるコンディショニング条件は、定盤回転数＝２
０ＲＰＭ，基板回転数＝２０ＲＰＭ，荷重３０ｇ／ｃｍ
2に設定してある。As shown in FIG. 2, a conditioner 2 provided with a high-pressure water injection nozzle 1 and a conditioner 2a provided with a plate having irregularities, for example, a plate 5 electrodeposited with diamond particles as shown in FIG. The surface of the polishing pad 7 may be adjusted by the combined use. In this case, based on the injection of high-pressure water from the nozzle 1, the polishing debris clogging the irregularities on the polishing cloth surface are removed, and the irregularities are regenerated on the polishing cloth surface by the plate 5 on which diamond particles are electrodeposited. The conditioning conditions of the high-pressure water jet nozzle 1 at this time are as follows: the rotation speed of the polishing pad 7 = 60 RPM,
High-pressure water jet pressure from nozzle 1 = 100 kg / cm 2 ,
The high-pressure water jet diameter = 2 mmφ, swing speed 1 cm / sec, swing range = table center to table outer circumference, swing frequency = 1 time, and the conditioning condition by the plate 5 on which diamond particles are electrodeposited is a surface plate. Number of rotations = 2
0 RPM, substrate rotation speed = 20 RPM, load 30 g / cm
Set to 2 .
【００３４】コンディショニングに求められる二つの効
果を、それぞれ効果的な二つの方法に分担させているた
め、どちらの条件も単独でコンディショニングを行う場
合よりも弱くなっている。そのため、プレーヤ５からの
ダイヤモンド脱落の危険性は大幅に小さくなり、また、
プレート５のダイヤモンド摩耗によるコンディショニン
グ効果の劣化も小さい。Since the two effects required for conditioning are divided into two effective methods, both conditions are weaker than when conditioning is performed alone. As a result, the risk of the diamond falling out of the player 5 is greatly reduced.
The deterioration of the conditioning effect due to the diamond wear of the plate 5 is also small.
【００３５】図７は処理基板枚数２００枚毎に研磨布を
交換し、研磨布毎の研磨レートの低下量をコンディショ
ナーの処理枚数に対してプロットしたものである。従来
法ではコンディショニング処理枚数８０００枚を越える
とコンディショニング効果が著しく低下するが、本発明
によるノズルを用いて調整方法を単独で用いた場合には
コンディショニング効果の低下は全くない。また、本発
明によるノズルとプレートとを併用した場合もコンディ
ショニング効果の低下は著しく小さい。本発明によるノ
ズルとプレートとを併用の場合にはそれぞれの条件を軽
いものとすることができるため、ダイヤモンドコンディ
ショナーの駆動能力や、高圧水のポンプ能力を小さくす
ることができるため、結果的に高圧水単独の場合よりも
装置コストを下げることも可能となる。FIG. 7 is a graph in which the polishing cloth is replaced every 200 processed substrates, and the amount of reduction in the polishing rate for each polishing cloth is plotted against the number of processed conditioners. In the conventional method, the conditioning effect is remarkably reduced when the number of the conditioned sheets exceeds 8000. However, when the adjusting method is independently used using the nozzle according to the present invention, the conditioning effect is not reduced at all. Also, when the nozzle and the plate according to the present invention are used in combination, the deterioration of the conditioning effect is extremely small. When the nozzle and the plate according to the present invention are used in combination, the respective conditions can be made lighter, so that the driving capability of the diamond conditioner and the pumping capability of the high-pressure water can be reduced. The apparatus cost can be reduced as compared with the case of using water alone.
【００３６】また、本発明によるノズルとプレートとを
併用する例としては、ダイヤモンドプレート５によるコ
ンディショニングと高圧水噴出ノズル１によるコンディ
ショニングを別々に行い、いずれか一方を行った後に連
続して他方を行う方法を用いてもよい。As an example in which the nozzle and the plate according to the present invention are used in combination, the conditioning by the diamond plate 5 and the conditioning by the high-pressure water jet nozzle 1 are separately performed, and after performing one of them, the other is continuously performed. A method may be used.
【００３７】図８，９に示すように二つの方式を一体化
させたコンディショナーにより、同時に行っても構わな
い。図８，９に示したコンディショナーの例は、ダイヤ
モンドパーティクルが電着されたプレート５の周囲に高
圧水噴出ノズル１が配されており、回転しながら研磨布
上を揺動することによりコンディショニングを行う。も
ちろん、このコンディショナーを用いてダイヤモンドに
よるコンディショニングと高圧水によるコンディショニ
ングを別々に行っても何ら問題はない。As shown in FIGS. 8 and 9, the two methods may be simultaneously performed by a conditioner in which the two methods are integrated. In the example of the conditioner shown in FIGS. 8 and 9, a high-pressure water jet nozzle 1 is arranged around a plate 5 on which diamond particles are electrodeposited, and conditioning is performed by oscillating on a polishing cloth while rotating. . Of course, there is no problem if conditioning with diamond and conditioning with high-pressure water are separately performed using this conditioner.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、液
体を高圧で研磨布に噴射することにより、研磨布表面の
目立てと、研磨布表面の凹凸に詰まった研磨屑の除去を
同時に行うことができ、研磨レートを一定に保つことが
できる。このとき、ダイヤモンド等の固体を研磨布に擦
り付ける従来の方法とは異なり、固体の脱落の心配がな
いため、研磨基板に傷を生じさせる恐れがなく、また、
固体の表面劣化による表面調整効果の変動もない。As described above, according to the present invention, sharpening of the polishing cloth surface and removal of polishing debris clogged with irregularities on the polishing cloth surface are simultaneously performed by spraying a liquid onto the polishing cloth at a high pressure. The polishing rate can be kept constant. At this time, unlike the conventional method of rubbing a solid such as diamond against a polishing cloth, there is no fear of the solid falling off, and there is no possibility of causing a scratch on the polishing substrate, and
There is no change in the surface conditioning effect due to the solid surface degradation.
【００３９】また高圧水噴出ノズルによるコンディショ
ニングと、ダイヤモンドパーティクルを電着したプレー
トによるコンディショニングとを併用することができ、
この場合、研磨屑の除去は高圧流体の噴射により行うこ
とができ、ダイヤモンド等による表面調整の条件は従来
法に比べ軽いものとなり、脱落の危険性や、摩耗による
表面調整効果の劣化を大きく軽減することができる。Further, conditioning by a high pressure water jet nozzle and conditioning by a plate on which diamond particles are electrodeposited can be used in combination.
In this case, removal of polishing debris can be performed by spraying a high-pressure fluid, and the conditions for surface adjustment using diamond etc. are lighter than those of the conventional method, greatly reducing the risk of falling off and deterioration of the surface adjustment effect due to wear. can do.
【図１】本発明の実施形態１を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing Embodiment 1 of the present invention.
【図２】同底面図である。FIG. 2 is a bottom view of the same.
【図３】コンディショニングの状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a state of conditioning.
【図４】本発明の実施形態２を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing Embodiment 2 of the present invention.
【図５】同底面図である。FIG. 5 is a bottom view of the same.
【図６】コンディショニングの状態を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a state of conditioning.
【図７】本発明の効果を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the effect of the present invention.
【図８】本発明の実施形態３を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention.
【図９】同底面図である。FIG. 9 is a bottom view of the same.
【図１０】従来例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a conventional example.
１ 高圧水噴出ノズル ２ コンディショナー ３ 研磨テーブル ４ 高圧水の軌跡 ５ ダイヤモンドプレート ６ 基板保持部 ７ 研磨布 ８ 研磨剤供給口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 High-pressure water jet nozzle 2 Conditioner 3 Polishing table 4 Trace of high-pressure water 5 Diamond plate 6 Substrate holder 7 Polishing cloth 8 Abrasive supply port
Claims (4)
整する研磨布の表面調整方法であって、研磨布の目に詰まった削り屑を洗い流すとともに、凹凸
が減った研磨布表面の目立てを行える液圧の液体を噴射
して表面を噴射して表面の凹凸を再生する ことを特徴と
する研磨布の表面調整方法。1. A surface conditioning method of the polishing pad to adjust the smooth surface of the polishing abrasive cloth of the substrate surface, with wash jammed shavings eyes of the polishing pad, uneven
Jets hydraulic fluid that can sharpen the polishing cloth surface
A method for adjusting the surface of a polishing cloth, characterized by regenerating surface irregularities by spraying the surface .
整する研磨布の表面調整方法であって、 研磨布表面に詰まった研磨屑を加圧した液で取り除きな
がら、凹凸が減った研磨布の目立てを、ダイヤモンドパ
ーティクルが電着されたプレートで行う ことを特徴とす
る研磨布の表面調整方法。2. A polishing pad for smooth polishing of a substrate surface.
A surface conditioning method of the polishing cloth to be integer, Do remove polishing debris jammed in the polishing cloth surface pressurized liquid
Use a diamond pad to sharpen the abrasive cloth with reduced roughness.
A method for adjusting the surface of a polishing cloth, wherein the method is performed on a plate on which the particles are electrodeposited .
磨する研磨布の表面を調整する研磨布の表面調整機構で
あって、 表面調整部は、ノズルと、表面に凹凸をもつプレートと
からなり、 ノズルは、加圧した液体を研磨布の表面に噴射すること
により、液圧をもって研磨布の表面を調整するものであ
り、 プレートは、凹凸を研磨布の表面に擦付けて研磨布の表
面を調整するものであることを特徴とする研磨布の表面
調整機構。3. A polishing cloth surface adjusting mechanism for adjusting the surface of a polishing cloth, which has a surface adjusting part and polishes a substrate surface smoothly, wherein the surface adjusting part comprises a nozzle and a plate having irregularities on the surface. The nozzle adjusts the surface of the polishing cloth with liquid pressure by spraying a pressurized liquid onto the surface of the polishing cloth, and the plate polishes the unevenness against the surface of the polishing cloth. A polishing cloth surface adjusting mechanism for adjusting the surface of the cloth.
の周囲に配置したものであることを特徴とする請求項３
に記載の研磨布の表面調整機構。Wherein said nozzle claim 3, characterized in that arranged around the surface having the unevenness of the plate
3. The surface adjustment mechanism for a polishing cloth according to 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28840295A JP2833549B2 (en) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | Polishing cloth surface adjustment method and mechanism |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28840295A JP2833549B2 (en) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | Polishing cloth surface adjustment method and mechanism |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09131659A JPH09131659A (en) | 1997-05-20 |
| JP2833549B2 true JP2833549B2 (en) | 1998-12-09 |
Family
ID=17729749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28840295A Expired - Lifetime JP2833549B2 (en) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | Polishing cloth surface adjustment method and mechanism |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833549B2 (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6301009B1 (en) * | 1997-12-01 | 2001-10-09 | Zygo Corporation | In-situ metrology system and method |
| JP2001212750A (en) * | 1999-11-25 | 2001-08-07 | Fujikoshi Mach Corp | Washing device for polishing machine and polishing machine |
| DE10195157B4 (en) * | 2000-11-29 | 2010-08-26 | Qimonda Ag | Cleaning device for cleaning polishing cloths used for polishing semiconductor wafers |
| JP2003211355A (en) | 2002-01-15 | 2003-07-29 | Ebara Corp | Polishing device and dressing method |
| JP5242903B2 (en) * | 2006-09-29 | 2013-07-24 | 帝人コードレ株式会社 | Manufacturing method of polishing cloth |
| CN103878678A (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Wafer grinding and polishing method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2628915B2 (en) * | 1989-06-05 | 1997-07-09 | 三菱マテリアル株式会社 | Dressing equipment for polishing cloth |
-
1995
- 1995-11-07 JP JP28840295A patent/JP2833549B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09131659A (en) | 1997-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3778594B2 (en) | Dressing method | |
| JP5405887B2 (en) | Polishing apparatus and polishing method | |
| US5611943A (en) | Method and apparatus for conditioning of chemical-mechanical polishing pads | |
| JP3111892B2 (en) | Polishing equipment | |
| US6093088A (en) | Surface polishing machine | |
| US6669538B2 (en) | Pad cleaning for a CMP system | |
| US6022266A (en) | In-situ pad conditioning process for CMP | |
| EP0064136A2 (en) | Magnetic disk substrate polishing method and polishing pad therefor | |
| JPH07237120A (en) | Wafer grinding device | |
| US20040259486A1 (en) | Polishing apparatus | |
| JPH08281551A (en) | Polishing method and device for the same | |
| US8579679B2 (en) | Conditioning method and conditioning apparatus for polishing pad for use in double side polishing device | |
| JP3615931B2 (en) | Polishing apparatus and conditioning method in the polishing apparatus | |
| KR100474365B1 (en) | Apparatus for polishing wafer and method of doing the same | |
| CN203245721U (en) | Grinding adjusting device and chemical-mechanical grinding device | |
| JP2003211355A (en) | Polishing device and dressing method | |
| US6302770B1 (en) | In-situ pad conditioning for CMP polisher | |
| JP2833549B2 (en) | Polishing cloth surface adjustment method and mechanism | |
| JPH1170459A (en) | Surface polishing machine | |
| JP3109558B2 (en) | Wafer holder | |
| TW202207299A (en) | Dressing apparatus and polishing apparatus | |
| JP2004167605A (en) | Polishing pad and polishing device | |
| JP3058274B1 (en) | Flat polishing machine | |
| WO2001043178A1 (en) | Polishing-product discharging device and polishing device | |
| JPH0957608A (en) | Polishing pad and polishing method for work to be surface-treated using it |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081002 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091002 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091002 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101002 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101002 Year of fee payment: 12 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101002 Year of fee payment: 12 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111002 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 14 |