JP2832385B2 - シリコン系薄膜の形成方法 - Google Patents
シリコン系薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JP2832385B2 JP2832385B2 JP6896590A JP6896590A JP2832385B2 JP 2832385 B2 JP2832385 B2 JP 2832385B2 JP 6896590 A JP6896590 A JP 6896590A JP 6896590 A JP6896590 A JP 6896590A JP 2832385 B2 JP2832385 B2 JP 2832385B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- based thin
- forming
- substrate
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、基板上にSi、SiO2、SiCあるいはSi3N4等の
シリコン系薄膜を形成する方法に関する。
シリコン系薄膜を形成する方法に関する。
（従来の技術） LSIの製造において、基板上にSi、SiO2、SiCあるいは
Si3N4等のシリコン系薄膜を形成する技術は極めて重要
な技術である。
Si3N4等のシリコン系薄膜を形成する技術は極めて重要
な技術である。
従来から基板上にシリコン系薄膜を形成する技術とし
て、Siターゲットを用いるスパッタリング蒸着法があ
る。この方法ではSiターゲットをアルゴンでスパッター
してSi薄膜を、Siのスパッター中にO2、N2、CH4等のガ
スを蒸着室に流し込む、いわゆる、反応性スパッターに
よって、SiO2、Si3N4あるいはSiC等のシリコン系薄膜を
形成することができる。
て、Siターゲットを用いるスパッタリング蒸着法があ
る。この方法ではSiターゲットをアルゴンでスパッター
してSi薄膜を、Siのスパッター中にO2、N2、CH4等のガ
スを蒸着室に流し込む、いわゆる、反応性スパッターに
よって、SiO2、Si3N4あるいはSiC等のシリコン系薄膜を
形成することができる。
しかし、この方法はスパッター効率が極めて悪いた
め、薄膜生成の時間が長くかかり、製造コストが高くな
欠点がある。
め、薄膜生成の時間が長くかかり、製造コストが高くな
欠点がある。
また、他の技術としては、Siに電子ビームを当てて蒸
発させ、基板上にSi薄膜を形成する電子ビーム蒸着法が
ある。
発させ、基板上にSi薄膜を形成する電子ビーム蒸着法が
ある。
しかし、この方法はSi原料中に含まれる不純物の方が
先に蒸気化し、蒸着したSi薄膜中に不純物が濃縮され、
このため生成した膜の膜質が劣る欠点がある。
先に蒸気化し、蒸着したSi薄膜中に不純物が濃縮され、
このため生成した膜の膜質が劣る欠点がある。
さらに、他の技術としては、SiH4を原料として基板上
にシリコン系薄膜を形成するCVD法がある。
にシリコン系薄膜を形成するCVD法がある。
しかし、SiH4は自己発火性であり、製造工程上極めて
危険である欠点がある。
危険である欠点がある。
（解決しようとする問題点） 本発明は、上記の欠点を克服し、極めて薄膜生成速度
が速く、かつ、膜質が優れ、製造コストの安価なシリコ
ン系薄膜の形成方法を提供しようとするものである。
が速く、かつ、膜質が優れ、製造コストの安価なシリコ
ン系薄膜の形成方法を提供しようとするものである。
（問題を解決するための手段） 本発明は、真空系において、一定の間隔を保持して相
対した二本のSi棒間にアーク放電あるいはスパーク放電
を発生させ、生成したSi蒸気を基板上に蒸着せしめるも
のである。
対した二本のSi棒間にアーク放電あるいはスパーク放電
を発生させ、生成したSi蒸気を基板上に蒸着せしめるも
のである。
さらに、設置した基板の反対方向からガスを導入す
る。
る。
このガスの導入は、アーク放電あるいはスパーク放電
で生成したSi粒子が全方向に飛散することを防止し、一
定方向の流れとするためである。
で生成したSi粒子が全方向に飛散することを防止し、一
定方向の流れとするためである。
これによって蒸着方向が一定方向となり、蒸着時間の
効率化をはかることができると同時に、放電を長時間に
わたって持続させることができる効果がある。
効率化をはかることができると同時に、放電を長時間に
わたって持続させることができる効果がある。
上記のように、基板の反対方向から導入するガスの種
類は、Si薄膜を形成する場合はAr、SiO2薄膜を形成する
場合はO2、Si3N4薄膜を形成する場合はN2、SiC薄膜を形
成する場合はCH4等のガスが使用される。
類は、Si薄膜を形成する場合はAr、SiO2薄膜を形成する
場合はO2、Si3N4薄膜を形成する場合はN2、SiC薄膜を形
成する場合はCH4等のガスが使用される。
また、シリコン系薄膜中にＢ系、Ｐ系等の元素を入れ
る場合は、B2H6、PH3等のガスを混合するか、Si棒中に
Ｂ、Ｐ等の元素を含有せしめることによって目的を達成
することができる。
る場合は、B2H6、PH3等のガスを混合するか、Si棒中に
Ｂ、Ｐ等の元素を含有せしめることによって目的を達成
することができる。
アーク放電あるいはスパーク放電の発生は直流、交流
あるいは高周波等いずれを用いてもよい。
あるいは高周波等いずれを用いてもよい。
放電の輝点を測定し、左右のSi棒の位置を調整するこ
とが可能である。
とが可能である。
また、放電の電流値によりSi棒の間隔を調整すること
ができる。
ができる。
第１図は本発明になる薄膜形成方法を実施するための
一実施例の断面図である。
一実施例の断面図である。
本発明を第１図にしたがって説明する。
1Torr以下の真空中で、対向するSi棒１と２の間にア
ーク放電あるいはスパーク放電を発生させると、生成し
たSi蒸気は四方八方に飛散する。そこでガス導入管３か
らアスを導入すると、Si粒子の運動はガス流の方向に揃
い、対向して設置してある基板４の上に堆積する。
ーク放電あるいはスパーク放電を発生させると、生成し
たSi蒸気は四方八方に飛散する。そこでガス導入管３か
らアスを導入すると、Si粒子の運動はガス流の方向に揃
い、対向して設置してある基板４の上に堆積する。
ガス導入管３と基板４の位置は上下逆にしてもよい。
また、基板は回転させる方が好ましい。
また、基板は回転させる方が好ましい。
（発明の効果） 本発明によれば、シリコン系薄膜の成膜速度が極めて
速い特徴がある。
速い特徴がある。
また、Si薄膜中に不純物が濃縮されるようなことがな
く、良質の薄膜が得られる特徴がある。
く、良質の薄膜が得られる特徴がある。
さらに、本法によれば、製造工程上、S1H4を使用する
ような危険性がなく、安全である特徴がある。
ような危険性がなく、安全である特徴がある。
また、成膜コストが安価である利点がある。
第１図は本発明になる薄膜形成方法を実施するための一
実施例の断面図である。 図において、１および２はSi棒、３はガス導入管、４は
基板である。
実施例の断面図である。 図において、１および２はSi棒、３はガス導入管、４は
基板である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ３０Ｂ 29/18 Ｃ３０Ｂ 29/18 29/36 29/36 29/38 29/38 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】真空系において、一定の間隔を保持して相
対した二本のSi棒間にアーク放電あるいはスパーク放電
を発生させ、さらに、設置した基板の反対方向からガス
を導入させることによって基板上に薄膜を形成すること
を特徴とするシリコン系薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6896590A JP2832385B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | シリコン系薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6896590A JP2832385B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | シリコン系薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03271197A JPH03271197A (ja) | 1991-12-03 |
| JP2832385B2 true JP2832385B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=13388898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6896590A Expired - Fee Related JP2832385B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | シリコン系薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2832385B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103038387B (zh) | 2011-08-02 | 2015-05-27 | 新柯隆株式会社 | 碳化硅薄膜的成膜方法 |
| CN107573104B (zh) * | 2017-10-20 | 2020-09-15 | Oppo广东移动通信有限公司 | 陶瓷零件制备方法、陶瓷零件、指纹识别模组及电子设备 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6896590A patent/JP2832385B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03271197A (ja) | 1991-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4471003A (en) | Magnetoplasmadynamic apparatus and process for the separation and deposition of materials | |
| US5384021A (en) | Sputtering apparatus | |
| JPS5767938A (en) | Production of photoconductive member | |
| JPH0424284B2 (ja) | ||
| JP2832385B2 (ja) | シリコン系薄膜の形成方法 | |
| JP2002543293A5 (ja) | ||
| Hoareau et al. | Generation of silver cluster using the inert-gas condensation technique-observation of doubly charged clusters | |
| Strauss et al. | Mechanical stress in thin SiO2 and Ta2O5 films produced by reactive-low-voltage-ion-plating (RLVIP) | |
| JPS6350463A (ja) | イオンプレ−テイング方法とその装置 | |
| JPS6260876A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
| JPH01234396A (ja) | ダイヤモンド状薄膜の製造方法及び装置 | |
| JPH08146201A (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| Degout et al. | High current density triode magnetron sputtering | |
| JPS59200763A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS63203760A (ja) | ガラス基板面への無機質膜の形成方法及びその装置 | |
| JP3542378B2 (ja) | 酸化物超電導線材の製造方法 | |
| JPS6347362A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| JPS5927214B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH04116155A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| Lauzarita et al. | Process for obtaining carbon and metal-carbon coatings | |
| JPH0254758A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS6164877A (ja) | 薄膜成膜装置 | |
| JPH03271367A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS63157863A (ja) | Ｅｃｒスパツタリング法 | |
| JPS5816839B2 (ja) | 音響装置用振動板の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |