JP2814453B2 - 完全密着型イメージセンサー - Google Patents
完全密着型イメージセンサーInfo
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- JP2814453B2 JP2814453B2 JP1112471A JP11247189A JP2814453B2 JP 2814453 B2 JP2814453 B2 JP 2814453B2 JP 1112471 A JP1112471 A JP 1112471A JP 11247189 A JP11247189 A JP 11247189A JP 2814453 B2 JP2814453 B2 JP 2814453B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、完全密着型イメージセンサーに関する。
これまでの薄膜トランジスター（以下、TFTと略記す
る）駆動の完全密着型イメージセンサーにおいては、耐
摩耗のために設けられた薄板ガラス（50μ〜100μ）上
を原稿紙が通過（ゴムローラ送り出し）することにより
摩擦帯電がおこり画像信号にノイズが重畳し、画像歪み
が発生する。
る）駆動の完全密着型イメージセンサーにおいては、耐
摩耗のために設けられた薄板ガラス（50μ〜100μ）上
を原稿紙が通過（ゴムローラ送り出し）することにより
摩擦帯電がおこり画像信号にノイズが重畳し、画像歪み
が発生する。
これを防止するため、完全密着型イメージセンサーの
前記薄板ガラス下にITO（In2O3・SnO2）を膜付けしてシ
ールドしている。これを第２図を参照して説明すると、
１はガラス基板、２は保護膜、３はパッシベーション
膜、４は接着剤層、５は薄板ガラス、６は原稿、７はIT
O膜よりなるシールド用透明電極膜、８はローラー、９
は採光窓、10は光電変換素子、11は導電性ペースト層、
12は下部電極、13は上部電極である。このようなセンサ
ーは構造が複雑であることにともない工程数が増加する
こと、電極取り出しのため銀ペースト11のような部品を
必要とすること。入射時および受光時の２回にわたって
ITO膜を光が通過することにより20〜30％透過率が低下
することなどの欠点がある。
前記薄板ガラス下にITO（In2O3・SnO2）を膜付けしてシ
ールドしている。これを第２図を参照して説明すると、
１はガラス基板、２は保護膜、３はパッシベーション
膜、４は接着剤層、５は薄板ガラス、６は原稿、７はIT
O膜よりなるシールド用透明電極膜、８はローラー、９
は採光窓、10は光電変換素子、11は導電性ペースト層、
12は下部電極、13は上部電極である。このようなセンサ
ーは構造が複雑であることにともない工程数が増加する
こと、電極取り出しのため銀ペースト11のような部品を
必要とすること。入射時および受光時の２回にわたって
ITO膜を光が通過することにより20〜30％透過率が低下
することなどの欠点がある。
又、特開昭63−310261号によれば、光源のシェーディ
ング補正（露光分布の均一化）のため光源を保持あるい
は機械的に保護している部材に導電性材料を用いてシー
ルドを行う技術、さらに光センサーと光源との間に具備
した調光部材にシールド機能をもたせる技術が開示され
ている。
ング補正（露光分布の均一化）のため光源を保持あるい
は機械的に保護している部材に導電性材料を用いてシー
ルドを行う技術、さらに光センサーと光源との間に具備
した調光部材にシールド機能をもたせる技術が開示され
ている。
これを第３図を参照して説明する。14が導電性材料を
用いて形成したシールド電極である。しかしながら、こ
の技術は本発明と解決すべき課題を異にしているのみな
らず、材料増しと実装上の困難性を増加させ、かつスキ
ャナーの堆積が増加するという欠点がある。
用いて形成したシールド電極である。しかしながら、こ
の技術は本発明と解決すべき課題を異にしているのみな
らず、材料増しと実装上の困難性を増加させ、かつスキ
ャナーの堆積が増加するという欠点がある。
本発明の目的は、TFT駆動完全密着型イメージセンサ
ーにおいて、摩擦帯電がおこり画像信号にノイズが重畳
し、画像歪みが発生するのを紡糸する点にある。
ーにおいて、摩擦帯電がおこり画像信号にノイズが重畳
し、画像歪みが発生するのを紡糸する点にある。
また、本発明の目的は、この紡糸手段により材料がた
くさん必要になったり実装上の困難が生ずることがなく
従来と同一の工程で、かつ、高歩留りで製造することの
できる新規な密着型イメージセンサーを提供する点にあ
る。
くさん必要になったり実装上の困難が生ずることがなく
従来と同一の工程で、かつ、高歩留りで製造することの
できる新規な密着型イメージセンサーを提供する点にあ
る。
本発明の完全密着型イメージセンサーは、光電変換素
子と前記素子の駆動回路としてのTFTよりなる完全密着
型イメージセンサーの上部に102〜106Ωcmの低抵抗性を
示す導電性接着剤層を介して薄板ガラス層を設けたこと
を特徴とするものである。
子と前記素子の駆動回路としてのTFTよりなる完全密着
型イメージセンサーの上部に102〜106Ωcmの低抵抗性を
示す導電性接着剤層を介して薄板ガラス層を設けたこと
を特徴とするものである。
前記導電性接着剤層は102〜106Ωcmの低抵抗とするこ
とが好ましい。これにより通常のエポキシ系接着剤が10
11〜1013Ωcmという高抵抗であったのに較べて102〜106
Ωcmと導電性が大巾に改善され、原稿と薄板ガラスの摩
擦により帯電した電荷は導電性接着剤層を経てシールド
電極に流れ込み放電することができる。接着剤層の膜厚
は通常５〜10μである。
とが好ましい。これにより通常のエポキシ系接着剤が10
11〜1013Ωcmという高抵抗であったのに較べて102〜106
Ωcmと導電性が大巾に改善され、原稿と薄板ガラスの摩
擦により帯電した電荷は導電性接着剤層を経てシールド
電極に流れ込み放電することができる。接着剤層の膜厚
は通常５〜10μである。
導電性接着剤は、通常の接着剤に有機および／または
無機の導電材料を配合したものである。
無機の導電材料を配合したものである。
これらの導電材料は接着剤と同じ屈折率のものを選択
して使用すると光エネルギーのロスを最小にすることが
できる。
して使用すると光エネルギーのロスを最小にすることが
できる。
また導電性接着剤はディバイス上のアース電極パッド
に直接接触することができ、これによりシールド効果を
示すので、工程増は無い。
に直接接触することができ、これによりシールド効果を
示すので、工程増は無い。
導電性接着層は、大面積であるため、浮遊電荷のパス
が長くなり、見かけ上、高抵抗となる時があるがディバ
イスのアースラインの適所に幾つか接触のための電極パ
ッドを形成することで、どの様な面積、場所（ディバイ
ス内の）においても満足されるシールド効果を挙げるこ
とができる。
が長くなり、見かけ上、高抵抗となる時があるがディバ
イスのアースラインの適所に幾つか接触のための電極パ
ッドを形成することで、どの様な面積、場所（ディバイ
ス内の）においても満足されるシールド効果を挙げるこ
とができる。
有機導電材料は従来公知の材料がすべて使用できる
が、その例としては、 （イ）共役二重結合をもつ重合体に公知のドーパントを
ドーピングして導電性としたもの、 （ロ）ポリエチレンオキサイド（PEO）やポリプロピレ
ンオキサイド（PPO）などのポリオールをドーパントで
処理したもの、 （ハ）ポリチオ−2,8−ジベンゾチオフェン、ポリアニ
リン〔Macromolecules.VoL21.No.5（1988）〕などを挙
げることができるが、これに限定されるものではない。
が、その例としては、 （イ）共役二重結合をもつ重合体に公知のドーパントを
ドーピングして導電性としたもの、 （ロ）ポリエチレンオキサイド（PEO）やポリプロピレ
ンオキサイド（PPO）などのポリオールをドーパントで
処理したもの、 （ハ）ポリチオ−2,8−ジベンゾチオフェン、ポリアニ
リン〔Macromolecules.VoL21.No.5（1988）〕などを挙
げることができるが、これに限定されるものではない。
（イ）の具体例を第１表〜第３表に示す。
また、ポリピロールにFe2+,Cu2+,Ce4+（C6H5）3C+な
どを作用させて導電性を与えたもの（特開昭63−101415
号）、式 で示されるジエチルベンゼン誘導体（特開昭63−179836
号）をドーパントで処理したもの等も使用できる。
どを作用させて導電性を与えたもの（特開昭63−101415
号）、式 で示されるジエチルベンゼン誘導体（特開昭63−179836
号）をドーパントで処理したもの等も使用できる。
（ロ）の例としては、ポリマージャーナル（Polymer
J.）第20巻第７号第577〜602頁に記載されているような
PEO−LiX（ＸはBr,Cl,Iである）PEO−LiCF3・SO3等が挙
げられる。LiX以外のドーパントとしてはLiAlCl4,LiP
F6,LiBF4なども使用できる。
J.）第20巻第７号第577〜602頁に記載されているような
PEO−LiX（ＸはBr,Cl,Iである）PEO−LiCF3・SO3等が挙
げられる。LiX以外のドーパントとしてはLiAlCl4,LiP
F6,LiBF4なども使用できる。
（ハ）でいうポリチオ−2,8−ジベンゾチオフェン
は、ポリフェノールサルフェイトにAsF5をドーピングし
て合成した導電性材料である。
は、ポリフェノールサルフェイトにAsF5をドーピングし
て合成した導電性材料である。
〔R,L,El senbaumer et al;Mol,Cryst,liq.Cryst.83,22
9（1982）〕 なお、これら有機導電材料は有機系接着剤との混合が
容易である。その上、導電材料のドーパントは接着剤と
くにエポキシ樹脂のカチオン触媒としても機能するの
で、UV照射時の触媒作用も同時に果すことができる。
9（1982）〕 なお、これら有機導電材料は有機系接着剤との混合が
容易である。その上、導電材料のドーパントは接着剤と
くにエポキシ樹脂のカチオン触媒としても機能するの
で、UV照射時の触媒作用も同時に果すことができる。
無機導電材料は、従来公知のものがすべて使用できる
が、In2O3・SnO2,ZnOAl2O3,ZnO・Ce2O3のような透明無
機導電材料を使用すれば、光エネルギーロスを最小にお
さえることができる。有機導電材料は分子内で錯体形成
がおこるので着色することがあるが、この点、透明無機
材料はそのようなことがなく、又安定性が高いのですぐ
れている。
が、In2O3・SnO2,ZnOAl2O3,ZnO・Ce2O3のような透明無
機導電材料を使用すれば、光エネルギーロスを最小にお
さえることができる。有機導電材料は分子内で錯体形成
がおこるので着色することがあるが、この点、透明無機
材料はそのようなことがなく、又安定性が高いのですぐ
れている。
本発明の完全密着型イメージセンサーの構成例を第１
図に示す。Ｂ部分はセンサー部、Ｃ部分はシールドパッ
ド部である。
図に示す。Ｂ部分はセンサー部、Ｃ部分はシールドパッ
ド部である。
第１図において、１はガラス基板のような透明絶縁基
板、２はSiO2のような保護膜、３はパッシベーション
膜、４′は導電性接着剤層、４″はアースパッド、５は
薄板ガラス、６は原稿、８はローラー、９は採光窓、10
は光電変換素子、12は下部電極、13は上部電極である。
板、２はSiO2のような保護膜、３はパッシベーション
膜、４′は導電性接着剤層、４″はアースパッド、５は
薄板ガラス、６は原稿、８はローラー、９は採光窓、10
は光電変換素子、12は下部電極、13は上部電極である。
（１）本発明により画像信号にノイズの重量するのを防
止でき、且つ工程を増やすことなくシールド効果が発揮
できる。
止でき、且つ工程を増やすことなくシールド効果が発揮
できる。
（２）電極パッドのパターン形成にシールドパッドを形
成する方式を用いればシールド層も、接着層も同時形成
される。
成する方式を用いればシールド層も、接着層も同時形成
される。
第１図は本発明の具体例を示す断面図である。第２図、
第３図は従来型完全密着イメージセンサーの断面図であ
る。 １……ガラス基板、２……保護膜 ３……パッシベーション膜、４……接着剤層 ４′……導電性接着剤層 ４″……アースパッド、５……薄板ガラス ６……原稿 ７……シールド用透明電極膜 ８……ローラー、９……採光窓 10……光電変換素子 11……導電性ペースト層、12……下部電極 13……上部電極、14……Al配線
第３図は従来型完全密着イメージセンサーの断面図であ
る。 １……ガラス基板、２……保護膜 ３……パッシベーション膜、４……接着剤層 ４′……導電性接着剤層 ４″……アースパッド、５……薄板ガラス ６……原稿 ７……シールド用透明電極膜 ８……ローラー、９……採光窓 10……光電変換素子 11……導電性ペースト層、12……下部電極 13……上部電極、14……Al配線
Claims (1)
- 【請求項１】光電変換素子と前記素子の駆動回路として
の薄膜トランジスターよりなる完全密着型イメージセン
サーの上部に102〜106Ωcmの低抵抗性を示す導電性接着
剤層を介して薄板ガラス層を設けたことを特徴とする完
全密着型イメージセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1112471A JP2814453B2 (ja) | 1989-05-01 | 1989-05-01 | 完全密着型イメージセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1112471A JP2814453B2 (ja) | 1989-05-01 | 1989-05-01 | 完全密着型イメージセンサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02291169A JPH02291169A (ja) | 1990-11-30 |
| JP2814453B2 true JP2814453B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=14587470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1112471A Expired - Fee Related JP2814453B2 (ja) | 1989-05-01 | 1989-05-01 | 完全密着型イメージセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814453B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7608047B2 (en) | 2005-07-18 | 2009-10-27 | Dymedix Corporation | Reusable snore/air flow sensor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2702131B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1998-01-21 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置及び該装置を有する画像情報読取装置 |
-
1989
- 1989-05-01 JP JP1112471A patent/JP2814453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02291169A (ja) | 1990-11-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |