JP2813377B2 - Manufacturing method of cathode electrode - Google Patents
Manufacturing method of cathode electrodeInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はカソード電極の製造方法に関するものであ
る。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a cathode electrode.
（従来の技術） 従来の真空成膜装置は第３図および第４図に示されて
おり、これらの図において、真空槽１内には基板２とカ
ソード電極３とが対向して配設され、そして、そのカソ
ード電極３の基板２と対向していない部分の外周には数
mmの間隔をあけて絶縁碍子４が配設され、更に、その絶
縁碍子４の外周には数mmの間隔をあけてアースシールド
５が配設され、そのアースシールド５はアース電位とな
っている。なお、図において、６はAr等のガス導入口、
７は真空排気口である。(Prior Art) A conventional vacuum film forming apparatus is shown in FIGS. 3 and 4, in which a substrate 2 and a cathode electrode 3 are arranged in a vacuum chamber 1 so as to face each other. And the outer periphery of the portion of the cathode electrode 3 not facing the substrate 2
Insulators 4 are arranged at intervals of mm, and earth shields 5 are arranged around the outer periphery of the insulator 4 at intervals of several mm, and the earth shield 5 is at the earth potential. . In the figure, 6 is a gas inlet such as Ar,
7 is a vacuum exhaust port.
したがって、上記装置において、ガス導入口６より、
Ar等のガスを真空槽１内に導入し、そして、カソード電
極３に直流又は交流の電圧を印加すると、真空槽１内で
Ar等のガスが電離又は励起され、プラズマが発生し、そ
のプラズマ中のイオンがカソード電極３をスパッタリン
グし、それによってたたき出されたカソード電極３の粒
子が基板２に付着して、そこに薄膜が形成されうように
なる。Therefore, in the above device, from the gas inlet 6
When a gas such as Ar is introduced into the vacuum chamber 1, and a DC or AC voltage is applied to the cathode electrode 3,
A gas such as Ar is ionized or excited to generate a plasma, and ions in the plasma sputter the cathode electrode 3, and the particles of the cathode electrode 3 thus ejected adhere to the substrate 2, and a thin film is formed thereon. Is formed.
（発明が解決しようとする課題） 従来の真空成膜装置は、上記のようにカソード電極３
の基板２と対向していない部分の外周には数mmの間隔を
あけて絶縁碍子４が配設され、更に、その絶縁碍子４の
外周に同じく数mmの間隔をあけてアースシールド５が配
設される構成をしているので、絶縁碍子４やアースシー
ルド５を個別に制作してから組み立てなければならず、
制作コストが高くなる問題が起きた。また、複雑な形状
の絶縁碍子４を制作することが困難になる等の問題も起
きた。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, the conventional vacuum film forming apparatus has the cathode 3
Insulators 4 are arranged at intervals of several millimeters on the outer periphery of the portion not facing the substrate 2, and an earth shield 5 is also arranged at intervals of several millimeters on the outer periphery of the insulator 4. Since it is configured to be installed, the insulator 4 and the earth shield 5 must be individually manufactured and then assembled.
The problem that production cost became high occurred. In addition, there have been problems such as difficulty in producing the insulator 4 having a complicated shape.
この発明の目的は、従来の問題を解決して、絶縁層や
アースシールド層の制作コストを安くすることが可能に
なると共に、複雑な形状の絶縁層でも制作することが可
能となるカソード電極の製造方法を提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the conventional problems, to reduce the production cost of an insulating layer and an earth shield layer, and to make it possible to produce a complex shape of an insulating layer. It is to provide a manufacturing method.
（課題を達成するための手段） 上記目的を達成するために、この発明は、真空室内の
基板に、プラズマによって薄膜を形成する真空成膜装置
用のカソード電極の製造方法において、上記カソード電
極の上記基板と対向していない外周部分に、ポリイミド
等の耐電圧材料をコーティングして絶縁層を形成し、更
に、その絶縁層の上に、メッキ加工や蒸着等により導電
性材料からなるアースシールド層を形成することから成
ることを特徴とするものである。(Means for Achieving the Object) In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a cathode electrode for a vacuum film forming apparatus for forming a thin film on a substrate in a vacuum chamber by plasma. An insulating layer is formed by coating a withstand voltage material such as polyimide on an outer peripheral portion not facing the substrate, and an earth shield layer made of a conductive material is formed on the insulating layer by plating or vapor deposition. Is formed.
（作用） この発明においては、カソード電極の基板と対向して
いない外周部分に、ポリイミド等の耐電圧材料をコーテ
ィングして絶縁層を形成し、更に、その絶縁層の上に、
メッキ加工や蒸着等により導電性材料からなるアースシ
ールド層を形成する構成にしているので、絶縁層やアー
スシールド層を制作する際には、その制作コストが安く
なる。また、複雑な形状の絶縁層やアースシールド層を
制作することも出来る。(Operation) In the present invention, an insulating layer is formed by coating a withstand voltage material such as polyimide on an outer peripheral portion of the cathode electrode which is not opposed to the substrate, and further, an insulating layer is formed on the insulating layer.
Since the earth shield layer made of a conductive material is formed by plating, vapor deposition, or the like, the production cost is reduced when an insulating layer or an earth shield layer is manufactured. In addition, an insulating layer or an earth shield layer having a complicated shape can be produced.
（実施例） 以下、この発明の実施例について図面を参照しながら
説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図はこの発明の実施例の全体の構成を示してお
り、同図において、真空槽１内には基板２とカソード電
極３とが対向して配設されている。そして、第２図にお
いて詳細に示すように、カソード電極３は、基板２と対
向していない外周部分に耐電圧材料であるポリイミドを
コーティングして絶縁層８を形成し、更に、その絶縁層
８の上に、メッキ加工によって、導電性材料からなるア
ースシールド層９を形成し、アースシールド層９をアー
ス電位にしている。FIG. 1 shows the overall configuration of an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a substrate 2 and a cathode electrode 3 are arranged in a vacuum chamber 1 so as to face each other. Then, as shown in detail in FIG. 2, the cathode electrode 3 forms an insulating layer 8 by coating polyimide which is a withstand voltage material on an outer peripheral portion not facing the substrate 2, and further forms the insulating layer 8. An earth shield layer 9 made of a conductive material is formed thereon by plating, and the earth shield layer 9 is set to an earth potential.
上記実施例において、ガス導入口６より、Ar等のガス
を真空槽１内に挿入し、そして、カソード電極３に直流
又は交流の電圧を印加すると、真空槽１内でAr等のガス
電離又は励起され、プラズマが発生し、そのプラズマ中
のイオンがカソード電極３をスパッタリングし、それに
よってたたき出されたカソード電極３の粒子が基板２に
付着して、そこに薄膜が形成されるようになる。In the above embodiment, when a gas such as Ar is inserted into the vacuum chamber 1 from the gas inlet 6 and a DC or AC voltage is applied to the cathode electrode 3, gas ionization of Ar or the like occurs in the vacuum chamber 1. When excited, plasma is generated, and ions in the plasma sputter the cathode electrode 3, whereby the particles of the cathode electrode 3 that are struck out adhere to the substrate 2 to form a thin film thereon. .
なお、上記実施例では、絶縁層８やアースシールド層
９を制作する場合、コーティングによって絶縁層８を形
成したり、あるいはメッキ加工によってアースシールド
層９を形成するものであるから、その制作コストが安く
なると共に、複雑な形状の絶縁層やアースシールド層を
制作することが可能となる。In the above embodiment, when the insulating layer 8 and the earth shield layer 9 are manufactured, the insulating layer 8 is formed by coating or the earth shield layer 9 is formed by plating. At the same time, it becomes possible to produce an insulating layer or an earth shield layer having a complicated shape at a low cost.
ところで、上記実施例では、絶縁層８の形成にポリイ
ミドを用いていたが、このポリイミドの代りに、セラミ
ックスのコーティング材料やポリアミド系樹脂等を用い
ても良い。また、アースシールド層９の形成はメッキ加
工によっているが、メッキ加工の代りに、金属の蒸着等
によってもよい。By the way, in the above embodiment, polyimide is used for forming the insulating layer 8, but instead of this polyimide, a ceramic coating material, a polyamide resin or the like may be used. Further, although the formation of the earth shield layer 9 is performed by plating, metal plating or the like may be used instead of the plating.
（発明の効果） この発明は、上記のようにカソード電極の基板と対向
していない外周部分に、ポリイミド等の耐電圧材料をコ
ーティングして絶縁層を形成し、更に、その絶縁層の上
に、メッキ加工や蒸着等により導電性材料からなるアー
スシールド層を形成する構成にしているので、絶縁層や
アースシールド層を制作する際には、その制作コストが
安くなると共に、複雑な形状の絶縁層やアースシールド
層を制作することが可能となる。(Effect of the Invention) According to the present invention, an insulating layer is formed by coating a withstand voltage material such as polyimide on an outer peripheral portion of the cathode electrode which is not opposed to the substrate as described above. Since the earth shield layer made of a conductive material is formed by plating, vapor deposition, etc., when manufacturing the insulating layer and the earth shield layer, the production cost is reduced and the insulation of the complex shape is reduced. Layer and earth shield layer can be produced.
第１図はこの発明の実施例の全体構成図、第２図はこの
発明の実施例の要部であるカソード電極の外周部分に絶
縁層とアースシールド層とを形成した詳細図である。第
３図は従来の装置の全体構成図、第４図は従来の装置の
カソード電極の回りに絶縁碍子やアースシールドを配設
した詳細図である。 図中、 １……真空槽 ２……基板 ３……カソード電極 ８……絶縁層 ９……アースシールド層FIG. 1 is an overall configuration diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a detailed view of an essential part of the embodiment of the present invention in which an insulating layer and an earth shield layer are formed on an outer peripheral portion of a cathode electrode. FIG. 3 is an overall configuration diagram of the conventional device, and FIG. 4 is a detailed view of the conventional device in which an insulator and an earth shield are arranged around a cathode electrode. In the figure, 1 ... vacuum chamber 2 ... substrate 3 ... cathode electrode 8 ... insulating layer 9 ... earth shield layer
Claims (1)
を形成する真空成膜装置用のカソード電極の製造方法に
おいて、上記カソード電極の上記基板と対向していない
外周部分に、ポリイミド等の耐電圧材料をコーティング
して絶縁層を形成し、更に、その絶縁層の上に、メッキ
加工や蒸着等により導電性材料からなるアースシールド
層を形成することから成ることを特徴とするカソード電
極の製造方法。In a method of manufacturing a cathode electrode for a vacuum film forming apparatus for forming a thin film on a substrate in a vacuum chamber by plasma, a withstand voltage of polyimide or the like is applied to an outer peripheral portion of the cathode electrode not facing the substrate. A method for manufacturing a cathode electrode, comprising forming an insulating layer by coating a material, and further forming an earth shield layer made of a conductive material on the insulating layer by plating or vapor deposition. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1211948A JP2813377B2 (en) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | Manufacturing method of cathode electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1211948A JP2813377B2 (en) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | Manufacturing method of cathode electrode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375356A JPH0375356A (en) | 1991-03-29 |
| JP2813377B2 true JP2813377B2 (en) | 1998-10-22 |
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ID=16614351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1211948A Expired - Fee Related JP2813377B2 (en) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | Manufacturing method of cathode electrode |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2813377B2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5429324U (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-26 |
-
1989
- 1989-08-17 JP JP1211948A patent/JP2813377B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375356A (en) | 1991-03-29 |
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