JP2798898B2 - 基板実装における分布キャパシタの形成構造および直列共振回路 - Google Patents
基板実装における分布キャパシタの形成構造および直列共振回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサとして分布
定数により形成した分布キャパシタを用いるようにした
直列共振回路などの電子回路に関するものであり、特に
１ＧＨｚ以上の超高周波領域におけるフィルタなどに適
用して好適なものである。
定数により形成した分布キャパシタを用いるようにした
直列共振回路などの電子回路に関するものであり、特に
１ＧＨｚ以上の超高周波領域におけるフィルタなどに適
用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コイルとコンデンサからなる直列
共振回路などの電子回路を構成する場合には、図６に示
すように、集中定数部品のコイルＬとコンデンサＣとを
用いて構成するのが普通であった。図６において、
（ａ）はハイパスフィルタの回路図であり、コイルＬと
コンデンサＣとで直列共振回路が構成されている。
（ｂ）は該直列共振回路の基板への実装状態を示す図で
ある。ところで、直列共振回路を使用してシャープな減
衰特性を有するフィルタを製作するときには、該直列共
振回路のＱを高くすることが必要である。一般に、直列
共振回路のＱは、Ｑ＝ωＬ／ｒ＝１／ωＣｒ で決定さ
れ、コイルＬのインダクタンスを大きく、コンデンサＣ
のキャパシタンスを小さくすることにより、回路のＱを
高くすることができる。また、共振回路の共振周波数が
１ＧＨｚ以上の超高周波帯域にある場合、コンデンサＣ
のキャパシタンスを小さくするために、コンデンサＣを
微小容量とすることの困難なディスクリート部品に替え
て、当該共振回路が実装されるプリント基板の両面の銅
箔をグランドプレーンとして利用した分布定数により形
成された分布キャパシタとすることが提案されている。
このように、分布キャパシタを利用することによりキャ
パシタンスを集中定数部品を使用する場合よりも小さく
できるので、より高いＱの直列共振回路を得ることがで
きるようになる。
共振回路などの電子回路を構成する場合には、図６に示
すように、集中定数部品のコイルＬとコンデンサＣとを
用いて構成するのが普通であった。図６において、
（ａ）はハイパスフィルタの回路図であり、コイルＬと
コンデンサＣとで直列共振回路が構成されている。
（ｂ）は該直列共振回路の基板への実装状態を示す図で
ある。ところで、直列共振回路を使用してシャープな減
衰特性を有するフィルタを製作するときには、該直列共
振回路のＱを高くすることが必要である。一般に、直列
共振回路のＱは、Ｑ＝ωＬ／ｒ＝１／ωＣｒ で決定さ
れ、コイルＬのインダクタンスを大きく、コンデンサＣ
のキャパシタンスを小さくすることにより、回路のＱを
高くすることができる。また、共振回路の共振周波数が
１ＧＨｚ以上の超高周波帯域にある場合、コンデンサＣ
のキャパシタンスを小さくするために、コンデンサＣを
微小容量とすることの困難なディスクリート部品に替え
て、当該共振回路が実装されるプリント基板の両面の銅
箔をグランドプレーンとして利用した分布定数により形
成された分布キャパシタとすることが提案されている。
このように、分布キャパシタを利用することによりキャ
パシタンスを集中定数部品を使用する場合よりも小さく
できるので、より高いＱの直列共振回路を得ることがで
きるようになる。
【０００３】このような分布キャパシタによりコンデン
サＣを形成した直列共振回路を図７により説明する。図
７において、（ａ）は、図６の（ａ）と同じくコイルＬ
およびコンデンサＣ１からなる直列共振回路を有するハ
イパスフィルタの回路図であるが、コンデンサＣ１は分
布定数により形成された分布キャパシタであり、破線で
表わされている。（ｂ）は該直列共振回路の基板への実
装状態を示すものであり、コンデンサＣ１は、コイルＬ
と基板の上面または下面に設けられた銅箔との間の分布
容量が用いられているため、集中定数部品として実装さ
れてはいない。そして、図７のように構成することによ
って、集中定数部品を使用する場合よりもコンデンサＣ
１のキャパシタンスを小さくすることができるので、コ
イルＬのインダクタンスを大きくして、図６のように構
成したときよりも共振回路のＱを大きくすることがで
き、良好な特性のフィルタを構成することができる。
サＣを形成した直列共振回路を図７により説明する。図
７において、（ａ）は、図６の（ａ）と同じくコイルＬ
およびコンデンサＣ１からなる直列共振回路を有するハ
イパスフィルタの回路図であるが、コンデンサＣ１は分
布定数により形成された分布キャパシタであり、破線で
表わされている。（ｂ）は該直列共振回路の基板への実
装状態を示すものであり、コンデンサＣ１は、コイルＬ
と基板の上面または下面に設けられた銅箔との間の分布
容量が用いられているため、集中定数部品として実装さ
れてはいない。そして、図７のように構成することによ
って、集中定数部品を使用する場合よりもコンデンサＣ
１のキャパシタンスを小さくすることができるので、コ
イルＬのインダクタンスを大きくして、図６のように構
成したときよりも共振回路のＱを大きくすることがで
き、良好な特性のフィルタを構成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術は、
集中定数によるコンデンサを分布定数により形成した分
布キャパシタに置き換えているため、キャパシタンスを
微小にすることができ、コイルのインダクタンスを大き
くとることができるため、Ｑを大きくすることができる
という効果を有するものである。しかしながら、分布定
数により形成される分布キャパシタは、プリント基板の
片面あるいは両面の銅箔を利用して形成されているの
で、プリント基板の材質、半田が乗らないようにするた
めに塗付されているレジスト材の材質およびその厚みに
応じて基板の有する誘電率がばらつきを持つために、そ
の容量にばらつきが生じ、再現性が乏しいという問題が
あった。また、このような直列共振回路においては、一
般に共振周波数の調整作業を行うことが必要であり、上
記従来技術においては、コイルＬの疎密を調整すること
により所要性能を得ていたが、この作業は非常にクリテ
ィカルなものとなり、調整作業に多大な時間と手間を必
要とするという問題があった。
集中定数によるコンデンサを分布定数により形成した分
布キャパシタに置き換えているため、キャパシタンスを
微小にすることができ、コイルのインダクタンスを大き
くとることができるため、Ｑを大きくすることができる
という効果を有するものである。しかしながら、分布定
数により形成される分布キャパシタは、プリント基板の
片面あるいは両面の銅箔を利用して形成されているの
で、プリント基板の材質、半田が乗らないようにするた
めに塗付されているレジスト材の材質およびその厚みに
応じて基板の有する誘電率がばらつきを持つために、そ
の容量にばらつきが生じ、再現性が乏しいという問題が
あった。また、このような直列共振回路においては、一
般に共振周波数の調整作業を行うことが必要であり、上
記従来技術においては、コイルＬの疎密を調整すること
により所要性能を得ていたが、この作業は非常にクリテ
ィカルなものとなり、調整作業に多大な時間と手間を必
要とするという問題があった。
【０００５】そこで、本発明は、このような問題点を解
決し、分布定数により形成する分布キャパシタの容量の
ばらつきを少なくして再現性を高くするとともに、直列
共振回路における調整作業を容易に行うことができるよ
うにすることを目的としている。
決し、分布定数により形成する分布キャパシタの容量の
ばらつきを少なくして再現性を高くするとともに、直列
共振回路における調整作業を容易に行うことができるよ
うにすることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の基板実装における分布キャパシタの形成構
造は、基板に電子部品を実装したときに該電子部品と基
板上に形成されたグランドプレーンとの間で形成される
分布キャパシタを当該電子回路におけるコンデンサとし
て使用する場合における該分布キャパシタを形成するた
めの構造であって、前記電子部品の前記分布キャパシタ
が形成される側の近傍の前記基板に、前記グランドプレ
ーンに接続された導体が前記電子部品に対向するように
前記基板から突出して設けられており、かつ、前記導体
は前記電子部品との間の距離を変更することができるよ
うに可動自在に構成されているものである。また、前記
電子部品の前記分布キャパシタが形成される側の近傍の
前記基板に穴が設けられており、前記導体は前記穴を介
して前記電子部品に対向するように設けられているもの
である。さらに、本発明の直列共振回路は、直列に接続
されたコイルとコンデンサとからなる直列共振回路であ
って、該直列共振回路は基板上に実装されており、前記
コンデンサは前記コイルの一端と前記基板上に形成され
たグランドプレーンとの間で形成される分布キャパシタ
とされており、前記分布キャパシタが形成される前記コ
イルの一端の近傍の前記基板に穴が設けられており、前
記分布キャパシタが形成される前記コイルの一端の近傍
に、前記コイルとの間の距離を変更することができるよ
うに可動自在に構成されている導体が、前記穴を介して
前記コイルに対向するよう前記グランドプレーンに接続
されて設けられているものである。さらにまた、前記穴
は、略Ｕ字状、略Ｃ字状あるいは略コの字状のいずれか
の形状を有するものである。さらにまた、前記穴は、前
記コイルの下部に及ぶように形成されているものであ
る。
に、本発明の基板実装における分布キャパシタの形成構
造は、基板に電子部品を実装したときに該電子部品と基
板上に形成されたグランドプレーンとの間で形成される
分布キャパシタを当該電子回路におけるコンデンサとし
て使用する場合における該分布キャパシタを形成するた
めの構造であって、前記電子部品の前記分布キャパシタ
が形成される側の近傍の前記基板に、前記グランドプレ
ーンに接続された導体が前記電子部品に対向するように
前記基板から突出して設けられており、かつ、前記導体
は前記電子部品との間の距離を変更することができるよ
うに可動自在に構成されているものである。また、前記
電子部品の前記分布キャパシタが形成される側の近傍の
前記基板に穴が設けられており、前記導体は前記穴を介
して前記電子部品に対向するように設けられているもの
である。さらに、本発明の直列共振回路は、直列に接続
されたコイルとコンデンサとからなる直列共振回路であ
って、該直列共振回路は基板上に実装されており、前記
コンデンサは前記コイルの一端と前記基板上に形成され
たグランドプレーンとの間で形成される分布キャパシタ
とされており、前記分布キャパシタが形成される前記コ
イルの一端の近傍の前記基板に穴が設けられており、前
記分布キャパシタが形成される前記コイルの一端の近傍
に、前記コイルとの間の距離を変更することができるよ
うに可動自在に構成されている導体が、前記穴を介して
前記コイルに対向するよう前記グランドプレーンに接続
されて設けられているものである。さらにまた、前記穴
は、略Ｕ字状、略Ｃ字状あるいは略コの字状のいずれか
の形状を有するものである。さらにまた、前記穴は、前
記コイルの下部に及ぶように形成されているものであ
る。
【０００７】
【作用】本発明によれば、コイルなどの電子部品の分布
キャパシタが形成される側の近傍の基板に穴を設けるこ
とにより、基板とともに穴の部分のレジスト材が除去さ
れるので、分布キャパシタの容量のばらつきを少なくす
ることができ再現性を高めることができる。同時に、基
板の持つ等価的な誘電率を低下させることができ、分布
定数により形成される容量を少なくすることができる。
また、電子部品の近傍に前記穴を介して接地された導体
を基板から突出して設け、該導体と電子部品との距離あ
るいは対向面積を変化できるようにすることにより、容
易に分布キャパシタの容量を可変にすることができるの
で、調整作業が容易になる。
キャパシタが形成される側の近傍の基板に穴を設けるこ
とにより、基板とともに穴の部分のレジスト材が除去さ
れるので、分布キャパシタの容量のばらつきを少なくす
ることができ再現性を高めることができる。同時に、基
板の持つ等価的な誘電率を低下させることができ、分布
定数により形成される容量を少なくすることができる。
また、電子部品の近傍に前記穴を介して接地された導体
を基板から突出して設け、該導体と電子部品との距離あ
るいは対向面積を変化できるようにすることにより、容
易に分布キャパシタの容量を可変にすることができるの
で、調整作業が容易になる。
【０００８】
【実施例】本発明を直列共振回路に適用した第１の実施
例を図１に示す。図１において、（ａ）は直列共振回路
を有するハイパスフィルタの回路図であり、分布定数に
より形成される分布キャパシタＣ２は破線で示されてい
る。（ｂ）は直列共振回路の実装状態を示す断面図であ
り、（ｃ）は同じく実装状態を示す上面図である。図１
（ｂ）および（ｃ）に記載されているように、本発明に
おいては、コイルＬの一端の近傍の基板に該コイルＬの
一端を囲むように穴が形成されている。基板は空気より
も大きな誘電率を有しているので、穴を形成して、コイ
ルＬと基板の下面に設けられ接地された銅箔との間に存
在する基板を除去することにより、コイルＬとグランド
プレーンを形成する接地された銅箔間に存在する分布キ
ャパシタの容量を少なくすることができる。さらに、分
布キャパシタの容量にばらつきを生じる原因となってい
た、基板やレジスト材が除去されるので、分布キャパシ
タの容量のばらつきを軽減し再現性を高めることができ
る。なお、図１においては、穴は略Ｕ字型に形成されて
いるが、これに限られることはなく、略Ｃ字型あるいは
コの字型などでもよい。さらに、コイルＬの下にも穴が
及ぶように形成されているときには、基板の影響をより
少なくすることができる。
例を図１に示す。図１において、（ａ）は直列共振回路
を有するハイパスフィルタの回路図であり、分布定数に
より形成される分布キャパシタＣ２は破線で示されてい
る。（ｂ）は直列共振回路の実装状態を示す断面図であ
り、（ｃ）は同じく実装状態を示す上面図である。図１
（ｂ）および（ｃ）に記載されているように、本発明に
おいては、コイルＬの一端の近傍の基板に該コイルＬの
一端を囲むように穴が形成されている。基板は空気より
も大きな誘電率を有しているので、穴を形成して、コイ
ルＬと基板の下面に設けられ接地された銅箔との間に存
在する基板を除去することにより、コイルＬとグランド
プレーンを形成する接地された銅箔間に存在する分布キ
ャパシタの容量を少なくすることができる。さらに、分
布キャパシタの容量にばらつきを生じる原因となってい
た、基板やレジスト材が除去されるので、分布キャパシ
タの容量のばらつきを軽減し再現性を高めることができ
る。なお、図１においては、穴は略Ｕ字型に形成されて
いるが、これに限られることはなく、略Ｃ字型あるいは
コの字型などでもよい。さらに、コイルＬの下にも穴が
及ぶように形成されているときには、基板の影響をより
少なくすることができる。
【０００９】図２は、本発明を直列共振回路に適用した
第２の実施例を示すものである。図２において、（ａ）
は直列共振回路を有するハイパスフィルタの回路図であ
り、分布定数により形成される可変容量型分布キャパシ
タＣ３が破線で示されている。（ｂ）は該直列共振回路
の実装状態を示す断面図、（ｃ）は同じく上面図、
（ｄ）は同じく斜視図である。図２に記載されたもの
は、図１に示されたものにさらに導体１が設けられてい
るものであり、この導体１は、両端が基板の下面の銅箔
に接続され、接地されている。そして、この導体は、図
２の（ｂ）〜（ｃ）の矢印に示すように基板に対して傾
けることによって、コイルＬとの距離を変更することが
できるようになされている。この場合、分布定数によっ
て形成される可変容量型分布キャパシタＣ３の容量は、
コイルＬと導体１間およびコイルＬと基板上のグランド
プレーンを形成している銅箔間の分布容量の和となり、
導体１を基板に対して傾けることによってコイルＬと導
体１間の距離が変更されるようになり、可変容量型分布
キャパシタＣ３の容量を変化させることが可能となる。
したがって、共振周波数の調整をクリティカルなＬによ
り行う代わりにＣ３により行うことが可能となる。な
お、この実施例においては、導体１として略Ｕ字状に形
成された１本の線状導体を採用しているが、導体の数は
１つに限られることはなく、複数設けてもよい。さら
に、導体の形状についても、これに限られることはな
く、１または複数本の棒状導体としたり、または導体板
を用いるなど、種々の変更が可能である。
第２の実施例を示すものである。図２において、（ａ）
は直列共振回路を有するハイパスフィルタの回路図であ
り、分布定数により形成される可変容量型分布キャパシ
タＣ３が破線で示されている。（ｂ）は該直列共振回路
の実装状態を示す断面図、（ｃ）は同じく上面図、
（ｄ）は同じく斜視図である。図２に記載されたもの
は、図１に示されたものにさらに導体１が設けられてい
るものであり、この導体１は、両端が基板の下面の銅箔
に接続され、接地されている。そして、この導体は、図
２の（ｂ）〜（ｃ）の矢印に示すように基板に対して傾
けることによって、コイルＬとの距離を変更することが
できるようになされている。この場合、分布定数によっ
て形成される可変容量型分布キャパシタＣ３の容量は、
コイルＬと導体１間およびコイルＬと基板上のグランド
プレーンを形成している銅箔間の分布容量の和となり、
導体１を基板に対して傾けることによってコイルＬと導
体１間の距離が変更されるようになり、可変容量型分布
キャパシタＣ３の容量を変化させることが可能となる。
したがって、共振周波数の調整をクリティカルなＬによ
り行う代わりにＣ３により行うことが可能となる。な
お、この実施例においては、導体１として略Ｕ字状に形
成された１本の線状導体を採用しているが、導体の数は
１つに限られることはなく、複数設けてもよい。さら
に、導体の形状についても、これに限られることはな
く、１または複数本の棒状導体としたり、または導体板
を用いるなど、種々の変更が可能である。
【００１０】次に、図３〜図５により、本発明の直列共
振回路を混合器および分波器に適用した実施例について
説明する。１ＧＨｚ以上の超高周波領域の中間周波数を
有するＢＳ放送とＣＳ放送を一条の同軸ケーブルにより
伝送可能とする共同受信システムに採用される混合器ま
たは分波器のように、極めて近接した広い周波数領域を
有する信号同士を混合する混合器や極めて近接した広い
周波数帯域を有する信号に分波する分波器においては、
フィルタに急峻な遮断特性が要求され、Ｑの高い共振回
路を用いることが必要である。本発明は、このような用
途に適用されたときに最もその効果を発揮するものであ
る。
振回路を混合器および分波器に適用した実施例について
説明する。１ＧＨｚ以上の超高周波領域の中間周波数を
有するＢＳ放送とＣＳ放送を一条の同軸ケーブルにより
伝送可能とする共同受信システムに採用される混合器ま
たは分波器のように、極めて近接した広い周波数領域を
有する信号同士を混合する混合器や極めて近接した広い
周波数帯域を有する信号に分波する分波器においては、
フィルタに急峻な遮断特性が要求され、Ｑの高い共振回
路を用いることが必要である。本発明は、このような用
途に適用されたときに最もその効果を発揮するものであ
る。
【００１１】図３は、このような混合器および分波器の
回路図であり、本出願人により提案されたものである
（特願平６−２６３２９２号）。図３において、１０は
第一端子であり、低い方の周波数帯域（ＢＳ放送の中間
周波数とＵＨＦチャンネルおよびＶＨＦチャンネルの１
０〜１３３２ＭＨｚ）の第１の信号が入力される。２は
ローパスフィルタ（ＬＰＦ）であり、直列に接続された
４個のコイルＬ１〜Ｌ４およびこれらコイル同士の接続
部とアース間に各々接続された１個のコイルＬ５〜Ｌ７
と１個のコンデンサＣ１〜Ｃ３の直列共振回路により構
成されている。２０は第二端子であり、高い方の周波数
帯域（ＣＳ放送の中間周波数の１３５５〜１８８０ＭＨ
ｚ）の第２の信号が入力される。６はハイパスフィルタ
（ＨＰＦ）であり、直列に接続された４個のコンデンサ
Ｃ４〜Ｃ７およびこれらコンデンサ同士の接続部とアー
ス間に各々接続された１個のコイルＬ８〜Ｌ１０と１個
のコンデンサＣ８〜Ｃ１０の直列共振回路により構成さ
れている。
回路図であり、本出願人により提案されたものである
（特願平６−２６３２９２号）。図３において、１０は
第一端子であり、低い方の周波数帯域（ＢＳ放送の中間
周波数とＵＨＦチャンネルおよびＶＨＦチャンネルの１
０〜１３３２ＭＨｚ）の第１の信号が入力される。２は
ローパスフィルタ（ＬＰＦ）であり、直列に接続された
４個のコイルＬ１〜Ｌ４およびこれらコイル同士の接続
部とアース間に各々接続された１個のコイルＬ５〜Ｌ７
と１個のコンデンサＣ１〜Ｃ３の直列共振回路により構
成されている。２０は第二端子であり、高い方の周波数
帯域（ＣＳ放送の中間周波数の１３５５〜１８８０ＭＨ
ｚ）の第２の信号が入力される。６はハイパスフィルタ
（ＨＰＦ）であり、直列に接続された４個のコンデンサ
Ｃ４〜Ｃ７およびこれらコンデンサ同士の接続部とアー
ス間に各々接続された１個のコイルＬ８〜Ｌ１０と１個
のコンデンサＣ８〜Ｃ１０の直列共振回路により構成さ
れている。
【００１２】７はバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）であ
り、コンデンサＣ１１、コイルＬ１１、コイルＬ１２お
よびコンデンサＣ１２が直列に接続されており、コイル
Ｌ１１とコイルＬ１２との接続部はコンデンサＣ１３を
介してアースされている。８はインピーダンス補償回路
であり、２個のコンデンサＣ１４とＣ１５が直列に接続
されており、コンデンサＣ１４とＢＰＦ７のコンデンサ
Ｃ１２との接続部はコイルＬ１３を介してアースされ、
コンデンサＣ１４とコンデンサＣ１５との接続部はコイ
ルＬ１４を介してアースされている。３０は第１の信号
と第２の信号が混合された信号が出力される第三端子で
あり、ＬＰＦ２とインピーダンス補償回路８とが接続さ
れる結線部９に接続されている。以上は混合器として説
明したが、この回路は可逆性を有しており、第三端子３
０から第１の信号と第２の信号に分波される信号が入力
されると、第一端子１０から低い方の周波数帯域の第１
の信号が出力され、第二端子２０からは高い方の周波数
帯域の第２の信号が出力される分波器としても動作す
る。
り、コンデンサＣ１１、コイルＬ１１、コイルＬ１２お
よびコンデンサＣ１２が直列に接続されており、コイル
Ｌ１１とコイルＬ１２との接続部はコンデンサＣ１３を
介してアースされている。８はインピーダンス補償回路
であり、２個のコンデンサＣ１４とＣ１５が直列に接続
されており、コンデンサＣ１４とＢＰＦ７のコンデンサ
Ｃ１２との接続部はコイルＬ１３を介してアースされ、
コンデンサＣ１４とコンデンサＣ１５との接続部はコイ
ルＬ１４を介してアースされている。３０は第１の信号
と第２の信号が混合された信号が出力される第三端子で
あり、ＬＰＦ２とインピーダンス補償回路８とが接続さ
れる結線部９に接続されている。以上は混合器として説
明したが、この回路は可逆性を有しており、第三端子３
０から第１の信号と第２の信号に分波される信号が入力
されると、第一端子１０から低い方の周波数帯域の第１
の信号が出力され、第二端子２０からは高い方の周波数
帯域の第２の信号が出力される分波器としても動作す
る。
【００１３】このように構成された混合器（分波器）に
おいて、第一端子１０から入力された低い方の周波数帯
域の第１の信号はＬＰＦ２を介して結線部９に伝達され
る。また、第二端子２０から入力された高い方の周波数
帯域の第２の信号はＨＰＦ６、ＢＰＦ７およびインピー
ダンス補償回路８を介して結線部９に伝達され、第１の
信号と第２の信号とが混合されて第三端子３０から出力
される。ＬＰＦ２とＨＰＦ６との間に直列に接続されて
介在されたＢＰＦ７およびインピーダンス補償回路８
は、ＬＰＦ２とＨＰＦ６との相互のインピーダンス干渉
をインピーダンス補償回路８により防止して良好なフィ
ルタ特性を得るためであり、また、一種のバッファとし
て機能するブロードな特性のＢＰＦにより、フィルタ相
互間の影響を防止して、調整作業を容易にするために挿
入されている。なお、このＢＰＦ７とインピーダンス補
償回路８の直列回路は、上記したように第１の信号の帯
域幅が第２の信号の帯域幅よりも広い場合には、ＨＰＦ
６と結線部９との間に挿入されるが、第２の信号の帯域
幅が第１の信号の帯域幅よりも狭いときにはＬＰＦ２と
結線部９との間に挿入されるものである。このように構
成することにより、約２３ＭＨｚという非常に狭い阻止
帯域を実現することができ、低域とされた周波数帯域と
高域とされた周波数帯域とが相互に近接していても、両
周波数帯域の信号を互いに影響することなく混合または
分波することが可能となる。
おいて、第一端子１０から入力された低い方の周波数帯
域の第１の信号はＬＰＦ２を介して結線部９に伝達され
る。また、第二端子２０から入力された高い方の周波数
帯域の第２の信号はＨＰＦ６、ＢＰＦ７およびインピー
ダンス補償回路８を介して結線部９に伝達され、第１の
信号と第２の信号とが混合されて第三端子３０から出力
される。ＬＰＦ２とＨＰＦ６との間に直列に接続されて
介在されたＢＰＦ７およびインピーダンス補償回路８
は、ＬＰＦ２とＨＰＦ６との相互のインピーダンス干渉
をインピーダンス補償回路８により防止して良好なフィ
ルタ特性を得るためであり、また、一種のバッファとし
て機能するブロードな特性のＢＰＦにより、フィルタ相
互間の影響を防止して、調整作業を容易にするために挿
入されている。なお、このＢＰＦ７とインピーダンス補
償回路８の直列回路は、上記したように第１の信号の帯
域幅が第２の信号の帯域幅よりも広い場合には、ＨＰＦ
６と結線部９との間に挿入されるが、第２の信号の帯域
幅が第１の信号の帯域幅よりも狭いときにはＬＰＦ２と
結線部９との間に挿入されるものである。このように構
成することにより、約２３ＭＨｚという非常に狭い阻止
帯域を実現することができ、低域とされた周波数帯域と
高域とされた周波数帯域とが相互に近接していても、両
周波数帯域の信号を互いに影響することなく混合または
分波することが可能となる。
【００１４】このように構成された混合器（分波器）に
おいて、図３において破線で示されているＬＰＦ２中の
コンデンサＣ１、Ｃ２、およびＨＰＦ６中のコンデンサ
Ｃ９は、分布容量を利用して形成されている。図４にこ
れらのコンデンサを従来の分布容量により形成した場合
における周波数特性を示し、図５にこれらのコンデンサ
を本発明の第２実施例の手法により形成した場合の周波
数特性を示す。図４および図５において、（ａ）はＬＰ
Ｆ２の通過帯域損失特性を、（b ）はＨＰＦ６の通過帯
域損失特性を示している。図４および図５のいずれの場
合も、分布容量によりコンデンサを形成して高いＱを得
ているため、非常に狭い阻止帯域幅を有する良好な特性
が得られている。そして、１３００ＭＨｚ〜１５００Ｍ
Ｈｚの帯域において、本発明によりコンデンサを形成し
た図５の場合のほうが図４の場合よりも良好なものとな
っている。
おいて、図３において破線で示されているＬＰＦ２中の
コンデンサＣ１、Ｃ２、およびＨＰＦ６中のコンデンサ
Ｃ９は、分布容量を利用して形成されている。図４にこ
れらのコンデンサを従来の分布容量により形成した場合
における周波数特性を示し、図５にこれらのコンデンサ
を本発明の第２実施例の手法により形成した場合の周波
数特性を示す。図４および図５において、（ａ）はＬＰ
Ｆ２の通過帯域損失特性を、（b ）はＨＰＦ６の通過帯
域損失特性を示している。図４および図５のいずれの場
合も、分布容量によりコンデンサを形成して高いＱを得
ているため、非常に狭い阻止帯域幅を有する良好な特性
が得られている。そして、１３００ＭＨｚ〜１５００Ｍ
Ｈｚの帯域において、本発明によりコンデンサを形成し
た図５の場合のほうが図４の場合よりも良好なものとな
っている。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、直列共振回路などの電
子回路におけるコンデンサを分布定数により形成した分
布キャパシタとし、コイルなどの電子部品の分布キャパ
シタが形成される側の近傍の基板に穴を設けたので、前
記分布容量により形成された分布キャパシタの容量のば
らつきを少なくすることができ、再現性を高めることが
できる。それと同時に、前記分布容量により形成された
分布キャパシタの容量をさらに微小なものとすることが
でき、直列共振回路においてはＱをより高くすることが
できる。また、コイルなどの電子部品の近傍に接地され
た導体を基板から突出して設け、該導体と該コイルなど
の電子部品との距離を調整することにより分布キャパシ
タの容量を調整することができるようにしているので、
共振周波数の調整などの製造工程における調整作業を容
易に行うことができる。
子回路におけるコンデンサを分布定数により形成した分
布キャパシタとし、コイルなどの電子部品の分布キャパ
シタが形成される側の近傍の基板に穴を設けたので、前
記分布容量により形成された分布キャパシタの容量のば
らつきを少なくすることができ、再現性を高めることが
できる。それと同時に、前記分布容量により形成された
分布キャパシタの容量をさらに微小なものとすることが
でき、直列共振回路においてはＱをより高くすることが
できる。また、コイルなどの電子部品の近傍に接地され
た導体を基板から突出して設け、該導体と該コイルなど
の電子部品との距離を調整することにより分布キャパシ
タの容量を調整することができるようにしているので、
共振周波数の調整などの製造工程における調整作業を容
易に行うことができる。
【図１】本発明の分布キャパシタを使用した直列共振回
路の一実施例を示す図である。
路の一実施例を示す図である。
【図２】本発明の分布キャパシタを使用した直列共振回
路の他の実施例を示す図である。
路の他の実施例を示す図である。
【図３】本発明を適用する混合器（分波器）の回路図で
ある。
ある。
【図４】従来の分布キャパシタを用いた場合における、
図３の混合器（分波器）の通過帯域損失特性図である。
図３の混合器（分波器）の通過帯域損失特性図である。
【図５】本発明による分布キャパシタを用いた場合にお
ける、図３の混合器（分波器）の通過帯域損失特性図で
ある。
ける、図３の混合器（分波器）の通過帯域損失特性図で
ある。
【図６】従来の集中定数部品のコンデンサを使用した直
列共振回路を示す図である。
列共振回路を示す図である。
【図７】従来の分布キャパシタを使用した直列共振回路
を示す図である。
を示す図である。
１ 導体 ２ ローパスフィルタ ６ ハイパスフィルタ ７ バンドパスフィルタ ８ インピーダンス補償回路 ９ 結線部 １０ 第一端子 ２０ 第二端子 ３０ 第三端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03H 7/00 - 7/075 H01P 7/00,1/20 H03H 5/00 - 5/02 H01G 4/225 H01G 4/34
Claims (7)
- 【請求項１】 基板に電子部品を実装したときに該電子
部品と基板上に形成されたグランドプレーンとの間で形
成される分布キャパシタを当該電子回路におけるコンデ
ンサとして使用する場合における該分布キャパシタを形
成するための構造であって、 前記電子部品の前記分布キャパシタが形成される側の近
傍の前記基板に、前記グランドプレーンに接続された導
体が前記電子部品に対向するように前記基板から突出し
て設けられており、かつ、前記導体は前記電子部品との
間の距離を変更することができるように可動自在に構成
されていることを特徴とする前記分布キャパシタを形成
するための構造。 - 【請求項２】 前記電子部品の前記分布キャパシタが形
成される側の近傍の前記基板に穴が設けられており、前
記導体は前記穴を介して前記電子部品に対向するように
設けられていることを特徴とする請求項１記載の分布キ
ャパシタを形成するための構造。 - 【請求項３】 前記穴は、略Ｕ字状、略Ｃ字状あるいは
略コの字状のいずれかの形状を有するものであることを
特徴とする請求項２記載の分布キャパシタを形成するた
めの構造。 - 【請求項４】 前記穴は、前記電子部品の下部に及ぶよ
うに形成されていることを特徴とする請求項２記載の分
布キャパシタを形成するための構造。 - 【請求項５】 直列に接続されたコイルとコンデンサと
からなる直列共振回路であって、 該直列共振回路は基板上に実装されており、 前記コンデンサは前記コイルの一端と前記基板上に形成
されたグランドプレーンとの間で形成される分布キャパ
シタとされており、 前記分布キャパシタが形成される前記コイルの一端の近
傍の前記基板に穴が設けられており、 前記分布キャパシタが形成される前記コイルの一端の近
傍に、前記コイルとの間の距離を変更することができる
ように可動自在に構成されている導体が、前記穴を介し
て前記コイルに対向するよう前記グランドプレーンに接
続されて 設けられていることを特徴とする直列共振回
路。 - 【請求項６】 前記穴は、略Ｕ字状、略Ｃ字状あるいは
略コの字状のいずれかの形状を有するものであることを
特徴とする請求項５記載の直列共振回路。 - 【請求項７】 前記穴は、前記コイルの下部に及ぶよう
に形成されていることを特徴とする請求項５記載の直列
共振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7045118A JP2798898B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 基板実装における分布キャパシタの形成構造および直列共振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7045118A JP2798898B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 基板実装における分布キャパシタの形成構造および直列共振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222985A JPH08222985A (ja) | 1996-08-30 |
| JP2798898B2 true JP2798898B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=12710365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7045118A Expired - Fee Related JP2798898B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 基板実装における分布キャパシタの形成構造および直列共振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798898B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101482954B1 (ko) | 2013-05-07 | 2015-01-15 | 주식회사 컴텍코리아 | 엘씨 다이플렉서 및 이를 포함한 무선 공유 장치 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193014U (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-21 | 株式会社村田製作所 | ロ−パスフイルタ |
| JPS614420U (ja) * | 1984-06-12 | 1986-01-11 | 株式会社村田製作所 | 複合貫通コンデンサ |
| JPS6163873U (ja) * | 1984-09-30 | 1986-04-30 | ||
| JPH0526817Y2 (ja) * | 1987-06-16 | 1993-07-07 | ||
| JPH0555776A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子機器 |
| JP3264037B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2002-03-11 | 株式会社村田製作所 | コンデンサアレイ |
-
1995
- 1995-02-10 JP JP7045118A patent/JP2798898B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101482954B1 (ko) | 2013-05-07 | 2015-01-15 | 주식회사 컴텍코리아 | 엘씨 다이플렉서 및 이를 포함한 무선 공유 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08222985A (ja) | 1996-08-30 |
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