JP2797368B2 - Ion implanter - Google Patents

Ion implanter

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JP2797368B2
JP2797368B2 JP1019239A JP1923989A JP2797368B2 JP 2797368 B2 JP2797368 B2 JP 2797368B2 JP 1019239 A JP1019239 A JP 1019239A JP 1923989 A JP1923989 A JP 1923989A JP 2797368 B2 JP2797368 B2 JP 2797368B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、イオンビームを電気的に走査して平行ビ
ーム化すると共に、それと実質的に直交する方向にウェ
ーハを機械的に走査するいわゆるハイブリッドスキャン
方式のイオン注入装置に関する。
The present invention relates to a so-called hybrid that electrically scans an ion beam to form a parallel beam and mechanically scans a wafer in a direction substantially perpendicular thereto. The present invention relates to a scan type ion implantation apparatus.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

この種のイオン注入装置の従来例を第8図に示す。 FIG. 8 shows a conventional example of this type of ion implantation apparatus.

即ち、図示しない走査手段によってイオンビーム2を
X方向(例えば水平方向。以下同じ)に電気的に走査し
て平行ビーム化して注入室(図示省略)内に導くと共
に、ウェーハ4を保持するホルダ130を注入室内に設
け、これをホルダ駆動装置136によって注入室内でX方
向に直交するY方向(例えば垂直方向。以下同じ)に機
械的に走査するようにしている。
That is, the ion beam 2 is electrically scanned in the X direction (for example, in the horizontal direction; the same applies hereinafter) by a scanning means (not shown), converted into a parallel beam, guided into an implantation chamber (not shown), and a holder 130 for holding the wafer 4. Is provided in the injection chamber, and this is mechanically scanned by the holder driving device 136 in the Y direction (for example, the vertical direction; hereinafter the same) perpendicular to the X direction in the injection chamber.

ホルダ駆動装置136は、簡単に言えば、ホルダ130をウ
ェーハ4に対するイオン注入のための垂直状態とウェー
ハ4のハンドリングのための水平状態との間で回転させ
るホルダ起立装置132およびホルダ130をこのホルダ起立
装置132と共にY方向に昇降させて機械的に走査するホ
ルダ昇降装置134を備えている。
Briefly, the holder driving device 136 includes a holder erecting device 132 and a holder 130 that rotate the holder 130 between a vertical state for ion implantation with respect to the wafer 4 and a horizontal state for handling the wafer 4. A holder elevating device 134 that moves up and down in the Y direction and mechanically scans together with the erecting device 132 is provided.

このようなイオン注入装置には、イオンビームを電気
的に走査手段によって単にXY両方向に走査する場合と違
って、ウェーハ4に対するイオンビーム2の入射角がウ
ェーハ4内の各場所で同一になるという特徴がある。
In such an ion implantation apparatus, the angle of incidence of the ion beam 2 with respect to the wafer 4 is the same at each location in the wafer 4, unlike the case where the ion beam is electrically scanned simply in both the XY directions by the scanning means. There are features.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上記のようなイオン注入装置で、スループット(単位
時間当たりの処理能力)を向上させるには、ホルダ130
およびその駆動装置を二組設けて二つのホルダ130上の
ウェーハ4を交互に処理する、いわゆるデュアルタイプ
にすることが考えられる。
In the ion implantation apparatus as described above, in order to improve the throughput (processing capacity per unit time), the holder 130
A so-called dual type, in which two sets of driving devices are provided and the wafers 4 on the two holders 130 are alternately processed, may be considered.

そのようにする場合、イオンビーム2のビームライン
(換言すればイオンビーム2の電気的な走査系等)を一
つにしておく方が構造が簡単で小型かつ経済的となる。
In such a case, it is simpler, more compact, and more economical to provide a single beam line for the ion beam 2 (in other words, an electrical scanning system for the ion beam 2).

ところが、上記のような従来のイオン注入装置では、
もう一組のホルダ130およびホルダ駆動装置136をイオン
ビーム2に対して図示のものとは対称に配置(即ち図示
のものの上側に下向きに配置)しようとしても、ホルダ
昇降装置134によってホルダ130をY方向に直線的に昇降
させるだけであるから、上下のホルダ130が互いにぶつ
かることになり、これを避けようとすると上下のホルダ
130およびホルダ駆動装置136を互いに大きく離さなけれ
ばならず、装置が巨大化する。
However, in the conventional ion implantation apparatus as described above,
Even if another holder 130 and holder driving device 136 are to be arranged symmetrically with respect to the ion beam 2 with respect to the one shown in the drawing (that is, arranged downward on the upper side of the one shown), the holder 130 is moved by the holder elevating device 134 to Y Since it only moves up and down linearly in the direction, the upper and lower holders 130 collide with each other.
130 and the holder driving device 136 must be largely separated from each other, and the device becomes large.

しかも、ホルダ130に対するウェーハ4のハンドリン
グ(着脱)位置が上下のホルダ130で大きく異なるた
め、ウェーハ4の搬送ラインが上下2段になり、また上
側のホルダ130に対してウェーハ4を下向きにハンドリ
ングしなければならない等、ウェーハ4のハンドリング
が非常に困難になる。
In addition, since the handling (mounting / demounting) position of the wafer 4 with respect to the holder 130 is greatly different between the upper and lower holders 130, the transfer line of the wafer 4 becomes two stages up and down, and the wafer 4 is handled downward with respect to the upper holder 130. For example, handling of the wafer 4 becomes very difficult.

従って、そのようなイオン注入装置は、仮に製作でき
るとしても実際的ではない。
Therefore, such an ion implanter is impractical, if at all possible.

そこでこの発明は、上記のようなハイブリッドスキャ
ン方式かつビームラインが一つのデュアルタイプのもの
であって、小型化が可能であり、しかもウェーハのハン
ドリングが容易なイオン注入装置を提供することを主た
る目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is a main object of the present invention to provide an ion implantation apparatus which is of a hybrid type and has a single beam line as described above, and which can be miniaturized and which can easily handle a wafer. And

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

この発明に係るイオン注入装置の一つは、イオンビー
ムをX方向に電気的に走査して平行ビーム化して注入室
内に導くと共に、ウェーハを注入室内でX方向と実質的
に直交するY方向に機械的に走査する構造のイオン注入
装置であって、注入室内にあってウェーハをそれぞれ保
持する二つのホルダと、各ホルダを注入室内でY方向に
それぞれ走査する二つのホルダ駆動装置とを備えてお
り、かつ各ホルダ駆動装置は、注入室内においてイオン
ビームの進行方向にほぼ平行な姿勢を取ることができる
ように軸支された中空のアーム軸と、アーム軸にほぼ直
角に取り付けられたアームと、アームの先端部にあって
アーム軸にほぼ平行になるように軸支されたホルダ軸
と、アーム軸を正逆両方向に回転駆動する駆動手段と、
アーム軸内に回転自在に通されていてアーム軸が回転し
てもそれと一緒に回転しないようにされた中間軸と、中
間軸とホルダ軸との間を同一の回転比で連結する連結手
段とをそれぞれ備えており、そして各ホルダ駆動装置の
ホルダ軸の先端部に、かつ当該ホルダ軸にほぼ直交する
ように、前記各ホルダがそれぞれ取り付けられているこ
とを特徴としている。
One of the ion implantation apparatuses according to the present invention electrically scans an ion beam in the X direction to form a parallel beam and guides the ion beam into the implantation chamber, and moves the wafer in the Y direction substantially orthogonal to the X direction in the implantation chamber. An ion implantation apparatus having a structure for mechanically scanning, comprising two holders in an implantation chamber for respectively holding wafers, and two holder driving devices for scanning each holder in the implantation chamber in the Y direction. And each holder driving device has a hollow arm shaft that is supported so as to be able to take a posture substantially parallel to the traveling direction of the ion beam in the implantation chamber, and an arm that is mounted substantially at right angles to the arm shaft. A holder shaft at the distal end of the arm and supported so as to be substantially parallel to the arm axis, and driving means for rotating the arm axis in both forward and reverse directions;
An intermediate shaft rotatably passed through the arm shaft so that it does not rotate together with the arm shaft even when the arm shaft rotates, and a connecting means for connecting the intermediate shaft and the holder shaft at the same rotation ratio. And each of the holders is attached to the end of the holder shaft of each holder driving device and substantially perpendicular to the holder shaft.

〔作用〕[Action]

ホルダ駆動装置の駆動手段によってアーム軸を回転さ
せると、アームの先端部に取り付けられたホルダは、そ
こに保持したウェーハをイオンビームに向けた状態で、
円弧を描くような形でY方向に機械的に走査される。
When the arm axis is rotated by the driving means of the holder driving device, the holder attached to the tip of the arm turns the wafer held there toward the ion beam,
Scanning is mechanically performed in the Y direction so as to draw an arc.

その場合、中間軸はアーム軸が回転しても回転せず、
またこの中間軸とホルダ軸とが連結手段によって同一の
回転比で連結されているため、ホルダが円弧を描くよう
な形で走査されても、当該ホルダの姿勢は不変である。
In that case, the intermediate shaft does not rotate even if the arm shaft rotates,
In addition, since the intermediate shaft and the holder shaft are connected at the same rotation ratio by the connecting means, the posture of the holder does not change even if the holder is scanned in a circular arc.

しかもアームおよびホルダが円弧状に動くため、それ
らが互いに機械的に干渉するのを避けながら二つのホル
ダ駆動装置を互いに近づけて配置することができ、従っ
て装置の小型化を図ることができる。
Moreover, since the arm and the holder move in an arc shape, the two holder driving devices can be arranged close to each other while avoiding mechanical interference with each other, and therefore, the size of the device can be reduced.

また、両ホルダに対するウェーハのハンドリングが互
いに同一条件で可能になるため、ウェーハのハンドリン
グが容易になる。
Further, since wafer handling for both holders can be performed under the same conditions, wafer handling becomes easy.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置
の要部を示す水平断面図である。この例では、イオンビ
ーム2のビームラインの左右に同じ機構がほぼ左右対称
に設けられているので、以下においては主に右側(図の
右側)を例に説明する。
FIG. 1 is a horizontal sectional view showing a main part of an ion implantation apparatus according to one embodiment of the present invention. In this example, the same mechanism is provided substantially symmetrically on the left and right of the beam line of the ion beam 2, so that the following description will be made mainly on the right side (the right side in the drawing).

図示しない真空ポンプによって真空排気される注入室
6内に、その導入口6aから、X方向に電気的に走査して
平行ビーム化されたイオンビーム2が導入される。
An ion beam 2 which has been electrically scanned in the X direction and converted into a parallel beam is introduced from an introduction port 6a into an injection chamber 6 which is evacuated by a vacuum pump (not shown).

イオンビーム2のそのような走査手段の一例を第2図
に示す。即ち、イオン源110から引き出され、かつ必要
に応じて質量分析、加速等が行われたイオンビーム2
を、同一の走査電源116から互いに逆極性の走査電圧
(三角波電圧)が印加される二組の走査電極112および1
14の協働によってX方向に走査して、走査電極114から
出射した時に平行ビームになるようにしている。もっと
も、この例と違って、イオンビーム2を磁場を利用して
上記と同様に走査するようにしても良い。
An example of such a scanning means of the ion beam 2 is shown in FIG. That is, the ion beam 2 extracted from the ion source 110 and subjected to mass analysis, acceleration, and the like as necessary.
And two sets of scan electrodes 112 and 1 to which scan voltages (triangular wave voltages) of opposite polarities are applied from the same scan power supply 116.
The scanning in the X direction is performed by the cooperation of 14 so that a parallel beam is emitted when emitted from the scanning electrode 114. However, unlike this example, the ion beam 2 may be scanned in the same manner as described above using a magnetic field.

第1図に戻って、上記のような処理室6の左右に、二
つの互いに同一構造のホルダ駆動装置10が設けられてい
る。
Returning to FIG. 1, two holder driving devices 10 having the same structure are provided on the left and right of the processing chamber 6 as described above.

各ホルダ駆動装置は、注入室6の側壁に真空シール軸
受12を取り付け、それに支持軸14を貫通させ、その大気
側(注入室6外側)に歯車16を取り付け、注入角可変用
のモータ20および歯車18によって、支持軸14を矢印Aの
ように回転させて、その先にアーム46を介して取り付け
られたホルダ8を設定された注入角位置と、ウェーハ4
のハンドリングのための水平位置とに駆動するようにし
ている。
In each holder driving device, a vacuum seal bearing 12 is mounted on a side wall of the injection chamber 6, a support shaft 14 is penetrated therethrough, and a gear 16 is mounted on the atmosphere side (outside of the injection chamber 6). The support shaft 14 is rotated by the gear 18 as shown by an arrow A, and the holder 8 attached to the tip of the support shaft 14 via the arm 46 is set at the set injection angle position and the wafer 4.
It is designed to be driven to a horizontal position for handling.

支持軸14の真空側(注入室6内側)には、真空シール
軸受386よって中空のアーム軸40およびアーム46を回転
自在に支えている。このアーム軸40は、支持軸14を図示
のような状態に回転させることによって、イオンビーム
2の進行方向にほぼ平行な姿勢を取ることができる。
On the vacuum side (inside the injection chamber 6) of the support shaft 14, the hollow arm shafts 40 and 46 are rotatably supported by vacuum seal bearings 386. The arm shaft 40 can take a posture substantially parallel to the traveling direction of the ion beam 2 by rotating the support shaft 14 to the state shown in the drawing.

アーム軸40の一端には、その駆動手段を構成するもの
として、プーリー36を取り付けると共に、タイミングベ
ルト32によって、支持軸14の大気側に取り付けたスキャ
ン用のモータ24およびプーリー28と連結しており、この
モータ24によってアーム軸40を正逆両方向に回転駆動し
てアーム46を矢印Bのように回転させてホルダ8をX方
向と実質的に直交するY方向(この例では紙面表裏方
向)に機械的に走査するようにしている。
At one end of the arm shaft 40, a pulley 36 is attached as a driving means, and the timing belt 32 connects the pulley 36 to the scanning motor 24 and the pulley 28 attached to the atmosphere side of the support shaft 14. The motor 24 rotates the arm shaft 40 in both the forward and reverse directions to rotate the arm 46 as shown by the arrow B, thereby moving the holder 8 in the Y direction substantially perpendicular to the X direction (in this example, the front and back sides of the paper). It scans mechanically.

アーム46の先端部には真空シール軸受52を取り付け、
ホルダ軸54およびホルダ8を回転自在に支えている。こ
のホルダ軸54は、支持軸14を図示のように回転させるこ
とによって、イオンビーム2の進行方向にほぼ平行な姿
勢を取ることができる。そしてその先端部に、ウェーハ
4を保持するホルダ8がほぼ直角に取り付けられてい
る。ホルダ8は、この例ではベース8aと、それとの間に
ウェーハ4を挟持するウェーハ押え8bと、ウェーハ4を
昇降させるウェーハ受け8cとを備えている。
A vacuum seal bearing 52 is attached to the tip of the arm 46,
The holder shaft 54 and the holder 8 are rotatably supported. The holder shaft 54 can take a posture substantially parallel to the traveling direction of the ion beam 2 by rotating the support shaft 14 as illustrated. A holder 8 for holding the wafer 4 is attached at a substantially right angle to the tip. In this example, the holder 8 includes a base 8a, a wafer retainer 8b for holding the wafer 4 therebetween, and a wafer receiver 8c for moving the wafer 4 up and down.

ホルダ軸54にはプーリー50が取り付けられている。ま
た、アーム軸40の中心部には中間軸42が回転自在に通さ
れており、その両端にはプーリー34および44が取り付け
られている。このプーリー44と50とは互いに同一直径で
あり、それらと共に連結手段を構成するタイミングベル
ト48で互いに連結されている。従って、ホルダ軸54と中
間軸42とは同一の回転比で連結されている。
A pulley 50 is attached to the holder shaft 54. An intermediate shaft 42 is rotatably passed through the center of the arm shaft 40, and pulleys 34 and 44 are attached to both ends thereof. The pulleys 44 and 50 have the same diameter as each other, and are connected to each other by a timing belt 48 constituting a connecting means together with the pulleys. Therefore, the holder shaft 54 and the intermediate shaft 42 are connected at the same rotation ratio.

また、支持軸14の大気側に取り付けたステップ回転用
のモータ22およびプーリー26とプーリー34とをタイミン
グベルト30で連結しており、このモータ22によってホル
ダ8を例えば矢印Cのように段階的に回転させることが
できるようにしている。但し注入時の回転は行わないよ
うにしており、その場合はアーム軸40が矢印Bのように
回転しても中間軸42はアーム軸40と一緒には回転しな
い。
Further, the stepping motor 22 and the pulley 26 and the pulley 34 attached to the atmosphere side of the support shaft 14 are connected to each other by the timing belt 30. It can be rotated. However, rotation during injection is not performed. In this case, even when the arm shaft 40 rotates as shown by the arrow B, the intermediate shaft 42 does not rotate together with the arm shaft 40.

尚、上記タイミングベルト30、32および48の代わりに
チェーンを用いても良く、その時はそれに関連するプー
リーをチェーン歯車にすれば良い。
Note that a chain may be used instead of the timing belts 30, 32, and 48. In that case, a pulley associated therewith may be a chain gear.

走査時のホルダ8の姿勢を第3図をも参照して説明す
ると、上述したようにその時はモータ22は停止してお
り、従って中間軸42およびプーリー44は停止状態にあ
る。この状態でモータ24によって、プーリー28、タイミ
ングベルト32およびプーリー36を介してアーム46を例え
ば第3図に示すように時計方向にθ゜回転させた場合、
アーム46側から見るとプーリー44は反時計方向にθ゜回
転したことになり、タイミングベルト48で接続してある
プーリー44と同一直径のプーリー50は、アーム46側から
見ると反時計方向にθ゜回転する。従って、ホルダ8お
よびそれに保持されたウェーハ4は、アーム46の長さを
半径にY方向に円弧を描くように走査されるが、絶対回
転角は0゜であってその姿勢は不変である。従って例え
ば、ホルダ8にウェーハ4をそのオリエンテーションフ
ラット4aを下側にして装着した場合、ホルダ8の走査位
置に拘わらず常にオリエンテーションフラット4aは下側
になる。しかも前述したようにイオンビーム2がX方向
に平行ビーム化されているため、例えばイオンビーム2
のビーム電流に比例してアーム46の角速度を制御すれ
ば、ウェーハ4の面内においてドーズ量の均一なイオン
注入が可能になる。
The posture of the holder 8 during scanning will be described with reference to FIG. 3 as well. At that time, the motor 22 is stopped at this time, and the intermediate shaft 42 and the pulley 44 are stopped. In this state, when the arm 24 is rotated by the motor 24 via the pulley 28, the timing belt 32, and the pulley 36 in the clockwise direction, for example, as shown in FIG.
When viewed from the arm 46 side, the pulley 44 has rotated counterclockwise by θ ゜, and the pulley 50 having the same diameter as the pulley 44 connected by the timing belt 48 has a counterclockwise rotation θ when viewed from the arm 46 side.゜ Rotate. Accordingly, the holder 8 and the wafer 4 held thereon are scanned so as to draw an arc in the Y direction with the radius of the arm 46 as the radius, but the absolute rotation angle is 0 ° and the attitude is unchanged. Therefore, for example, when the wafer 4 is mounted on the holder 8 with the orientation flat 4a on the lower side, the orientation flat 4a is always on the lower side regardless of the scanning position of the holder 8. Moreover, since the ion beam 2 is converted into a parallel beam in the X direction as described above, for example, the ion beam 2
If the angular velocity of the arm 46 is controlled in proportion to the beam current, ion implantation with a uniform dose in the plane of the wafer 4 becomes possible.

ホルダ8を第1図中に2点鎖線で示すウェーハ4のハ
ンドリング位置に移動させるには、モータ20によってホ
ルダ8を水平状態にすると共に、モータ24によってホル
ダ8を壁側に移動させれば良く、そのようにすればホル
ダ8は結果的に矢印Dのように移動したことになる。
In order to move the holder 8 to the handling position of the wafer 4 indicated by the two-dot chain line in FIG. 1, the holder 8 may be moved horizontally by the motor 20 and the holder 8 may be moved toward the wall by the motor 24. By doing so, the holder 8 eventually moves as shown by the arrow D.

注入室6の後方部左右の底部には、ウェーハ4を注入
室6内と大気側との間で1枚ずつ出し入れ(アンロード
およびロード)するための真空予備室80がそれぞれ隣接
されている。
Vacuum preparatory chambers 80 for loading and unloading (unloading and loading) the wafers 4 one by one between the inside of the injection chamber 6 and the atmosphere side are respectively adjacent to the left and right bottom portions of the rear of the injection chamber 6.

この真空予備室80の部分の断面図を第4図および第5
図に示す。第4図は真空予備室80の真空側弁88が閉じか
つ大気側弁90が開いた状態を、第5図は真空側弁88が開
きかつ大気側弁90が閉じた状態を示す。但し、第5図に
は、後述するウェーハ搬送装置60の一部分をも便宜上示
している。
FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views of the vacuum preliminary chamber 80.
Shown in the figure. FIG. 4 shows a state in which the vacuum side valve 88 of the pre-vacuum chamber 80 is closed and the atmosphere side valve 90 is open, and FIG. 5 shows a state in which the vacuum side valve 88 is open and the atmosphere side valve 90 is closed. However, FIG. 5 also shows a part of a wafer transfer device 60 described later for convenience.

詳述すると、注入室6の底部に、真空ポンプ92によっ
て真空排気される真空予備室80が設けられており、その
上部には注入室6との間を仕切る真空側弁88が、下部に
は大気側との間を仕切る大気側弁90が、それぞれ設けら
れている。
More specifically, a vacuum preparatory chamber 80 that is evacuated by a vacuum pump 92 is provided at the bottom of the injection chamber 6. Atmosphere side valves 90 for partitioning from the atmosphere side are provided respectively.

真空側弁88は注入室6上に設けたエアシリンダ86によ
って、大気側弁90は下側のエアシリンダ102によってガ
イド軸98を介して、それぞれ昇降され開閉される。尚、
エアシリンダ86の上部に設けたレバー88およびエアシリ
ンダ82は、エアシリンダ86をロックするためのものであ
る。
The vacuum side valve 88 is moved up and down by an air cylinder 86 provided on the injection chamber 6, and the atmosphere side valve 90 is opened and closed by a lower air cylinder 102 via a guide shaft 98. still,
A lever 88 and an air cylinder 82 provided above the air cylinder 86 are for locking the air cylinder 86.

大気側弁90の上部には、ウェーハ4を載せる回転台94
が設けられており、この回転台94は、モータ96によって
ウェーハ4のオリエンテーションフラット合わせ等のた
めに回転させられると共に、デュアルストロークシリン
ダ100によってウェーハ4のハンドリング等のために2
段階に昇降させられる。
On the upper part of the atmosphere side valve 90, a turntable 94 on which the wafer 4 is mounted is provided.
The rotary table 94 is rotated by a motor 96 for orientation flat alignment of the wafer 4 and the like, and is rotated by a dual stroke cylinder 100 for handling the wafer 4.
It is raised and lowered to the stage.

再び第1図に戻って、上記のような各真空予備室80か
ら水平状態にある各ホルダ8にかけての部分に、次のよ
うな構造のウェーハ搬送装置60がそれぞれ設けられてい
る。
Returning to FIG. 1 again, a wafer transfer device 60 having the following structure is provided in a portion from each of the vacuum preparatory chambers 80 to each of the holders 8 in a horizontal state as described above.

即ち、第6図も参照して、真空予備室80と水平状態に
あるホルダ8との間のウェーハ4の搬送経路に沿って、
二つの溝付きのプーリー70および72間にタイミングベル
ト68がループ状に懸け渡されている。一方のプーリー70
には、正転および逆転回転なモータ74が連結されてい
る。そして、このタイミングベルト68の上側および下側
の部分には、それぞれ連結金具66を介して、それぞれウ
ェーハ4を載置可能なロード側の搬送アーム61aおよび
アンロード側の搬送アーム装置61bがそれぞれ取り付け
られている。
That is, referring also to FIG. 6, along the transfer path of the wafer 4 between the pre-vacuum chamber 80 and the holder 8 in a horizontal state,
A timing belt 68 is looped between two grooved pulleys 70 and 72. One pulley 70
Is connected to a motor 74 that rotates forward and reverse. On the upper and lower portions of the timing belt 68, a load-side transfer arm 61a and an unload-side transfer arm device 61b capable of mounting the wafer 4, respectively, are attached via connection fittings 66, respectively. Have been.

また、各搬送アーム61a、61bが回転せずにタイミング
ベルト68に沿って移動するのをガイドするガイド手段と
して、この実施例ではボールスプラインを採用してい
る。即ち、各搬送アーム61a、61bの根元部にスプライン
軸受64aおよび64bを取り付けると共に、それらをそれぞ
れ貫通する上下2本のスプライン軸62aおよび62bをタイ
ミングベルト68に平行に配置している。
Further, in this embodiment, a ball spline is employed as guide means for guiding each of the transfer arms 61a and 61b to move along the timing belt 68 without rotating. That is, spline bearings 64a and 64b are attached to the roots of the transfer arms 61a and 61b, and two upper and lower spline shafts 62a and 62b penetrating therethrough are arranged in parallel with the timing belt 68.

このようなボールスプラインの代わりに、通常のガイ
ド軸を2本ずつ用いても良いが、ボールスプラインを用
いれば、1本のスプライン軸で、搬送アームが回転せず
に水平に安定して走行するのをガイドすることができ
る。
Instead of such a ball spline, two normal guide shafts may be used. However, if a ball spline is used, the transport arm runs horizontally and stably with one spline shaft without rotating. Can guide you.

尚、各スプライン軸62a、62bは、簡略化のために丸棒
で図示しているが、実際は、複数のボールの転動溝を有
する丸棒状あるいは異形状のものである。
Although the spline shafts 62a and 62b are shown as round bars for simplification, they are actually round bars having a plurality of rolling grooves for balls or have different shapes.

次に、上記のようなイオン注入装置の全体的な動作例
を第1図の右側の機構を中心に説明する。
Next, an overall operation example of the above-described ion implantation apparatus will be described focusing on the mechanism on the right side of FIG.

ホルダ駆動装置10によってホルダ8を第1図中に2点
鎖線で示す水平位置に移動させ、ウェーハ受け8cおよび
ウェーハ押え8bを図示しない駆動装置によって駆動し
て、先に装着していたウェーハ4を下段のアンロード用
の搬送アーム61bに受け渡しする位置まで上昇させる。
The holder 8 is moved to a horizontal position indicated by a two-dot chain line in FIG. 1 by the holder driving device 10, and the wafer receiver 8c and the wafer retainer 8b are driven by a driving device (not shown) to remove the previously mounted wafer 4. It is raised to a position where it is delivered to the lower unloading transfer arm 61b.

一方、真空予備室80側では、第5図を参照して、デュ
アルストロークシリンダ100の上下両方のシリンダを動
作させて回転台94を大きく上昇させて2点鎖線で示すよ
うに上段のロード側の搬送アーム61aの位置まで未注入
のウェーハ4を持ち上げ、その状態でウェーハ搬送装置
60のモータ74によってタイミングベルト68を駆動して、
搬送アーム61aを真空予備室80上の位置に、かつ搬送ア
ーム61bをホルダ8上の位置に同時に移動させ、そして
ホルダ8のウェーハ受け8cを降下させて先に注入済のウ
ェーハ4を搬送アーム61bに載せ、一方真空予備室80側
でも回転台94を降下させて未注入のウェーハ4を搬送ア
ーム61aに載せる。
On the other hand, on the vacuum preparatory chamber 80 side, referring to FIG. 5, both upper and lower cylinders of the dual stroke cylinder 100 are operated to raise the turntable 94 significantly, and as shown by the two-dot chain line, the upper load side. Lift the uninjected wafer 4 to the position of the transfer arm 61a, and in that state
The timing belt 68 is driven by the motor 74 of 60,
The transfer arm 61a is simultaneously moved to the position on the vacuum preparatory chamber 80, and the transfer arm 61b is simultaneously moved to the position on the holder 8, and the wafer receiver 8c of the holder 8 is lowered to transfer the previously injected wafer 4 to the transfer arm 61b. On the other hand, the turntable 94 is also lowered on the vacuum preparatory chamber 80 side to place the uninjected wafer 4 on the transfer arm 61a.

次に、ウェーハ搬送装置60のモータ74を先とは逆転さ
せ、注入済のウェーハ4を載せた搬送アーム61bを真空
予備室80上へ、未注入のウェーハ4を載せた搬送アーム
61aをホルダ8上へ移動させ、そして真空予備室80側で
はデュアルストロークシリンダ100の上側のシリンダの
みを動作させて回転台64によって搬送アーム61bよりウ
ェーハ4を受け取り(第5図中の実線の状態)、ホルダ
8側ではウェーハ受け8cによって搬送アーム61aよりウ
ェーハ4を受け取る。
Next, the motor 74 of the wafer transfer device 60 is rotated in the reverse direction, and the transfer arm 61b on which the implanted wafer 4 is mounted is moved onto the vacuum preliminary chamber 80, and the transfer arm on which the uninjected wafer 4 is mounted.
The wafer 61 is moved onto the holder 8, and only the upper cylinder of the dual stroke cylinder 100 is operated on the vacuum preparatory chamber 80 side to receive the wafer 4 from the transfer arm 61b by the turntable 64 (the state shown by the solid line in FIG. 5). ), The wafer 8 is received from the transfer arm 61a by the wafer receiver 8c on the holder 8 side.

次いで、ウェーハ搬送装置60のモータ74を再び逆転さ
せて両搬送アーム61aおよび61bを中間の待機位置まで移
動させ(第1図の状態)、ホルダ8側ではウェーハ受け
8cおよびウェーハ押え8bを降下させてウェーハ4を保持
し、ホルダ駆動装置10によってホルダ8を第1図中に実
線で示すような注入状態まで移動させて注入準備は完了
する。
Next, the motor 74 of the wafer transfer device 60 is again rotated in the reverse direction to move both transfer arms 61a and 61b to an intermediate standby position (the state shown in FIG. 1).
The wafer 8 is held down by lowering the wafer holder 8c and the wafer holder 8b, and the holder driving device 10 moves the holder 8 to an injection state shown by a solid line in FIG.

一方、真空予備室80側では、回転台94を降下させ、か
つ真空側弁88を閉じた後、当該真空予備室80内を大気圧
状態に戻して大気側弁90を開き(第4図の状態)、図示
しない大気側の搬送アーム装置によって注入済のウェー
ハ4の搬出および次の未注入のウェーハ4の搬入を行
う。このとき並行して、注入室6内では、ホルダ駆動装
置10によってホルダ8を前述したようにY方向に機械的
に走査しながら、当該ホルダ8上のウェーハ4にイオン
ビーム2を照射してイオン注入が行われる。
On the other hand, on the vacuum preparatory chamber 80 side, after the turntable 94 is lowered and the vacuum side valve 88 is closed, the inside of the vacuum preparatory chamber 80 is returned to the atmospheric pressure state and the atmospheric side valve 90 is opened (FIG. 4). State), the unloaded wafer 4 is carried out and the next unimplanted wafer 4 is carried in by the transfer arm device on the atmospheric side (not shown). At the same time, the wafer 4 on the holder 8 is irradiated with the ion beam 2 while mechanically scanning the holder 8 in the Y direction by the holder driving device 10 in the implantation chamber 6 as described above. An injection is performed.

以降は、必要に応じて上記と同様の動作が繰り返され
る。
Thereafter, the same operation as described above is repeated as necessary.

また、右側の機構と左側との機構との関係を説明する
と、一方の(例えば第1図中の右側の)ホルダ8を上記
のように走査しながらそこに装着したウェーハ4にイオ
ン注入を行うことと並行して、他方のホルダ8を水平状
態にしてウェーハ4のハンドリング(即ち注入済のウェ
ーハ4の取出しおよび未注入のウェーハ4の装着)を行
うことができる。即ち、二つのホルダ8において交互に
イオン注入およびウェーハ4のハンドリングを行うこと
ができ、イオン注入およびハンドリングのロス時間が殆
どなくなるのでスループットが向上する。
The relationship between the mechanism on the right side and the mechanism on the left side will be described. While scanning one holder (for example, the right side in FIG. 1) as described above, ion implantation is performed on the wafer 4 mounted thereon. In parallel with this, the other holder 8 can be kept horizontal to handle the wafer 4 (that is, take out the implanted wafer 4 and mount the uninjected wafer 4). That is, the ion implantation and the handling of the wafer 4 can be performed alternately in the two holders 8, and the loss time of the ion implantation and the handling is almost eliminated, so that the throughput is improved.

しかも、上記のようなホルダ駆動装置10によれば、従
来のイオン注入装置におけるホルダ駆動装置136の場合
と違って、各アーム46およびホルダ8が円弧状に動くた
め、それらが互いに機械的に干渉するのを避けながら二
つのホルダ駆動装置10を互いに近づけて配置することが
でき、従って当該イオン注入装置の小型化を図ることが
できる。
Moreover, according to the holder driving device 10 described above, unlike the holder driving device 136 in the conventional ion implantation device, each arm 46 and the holder 8 move in an arc shape, so that they mechanically interfere with each other. Therefore, the two holder driving devices 10 can be arranged close to each other while avoiding the problem, and thus the ion implanter can be downsized.

また、両ホルダ8に対するウェーハ4のハンドリング
が互いに同一条件で、即ちこの例では互いに同一高さで
しかもどちらもウェーハ4の表面を上にして可能になる
ため、ウェーハ4のハンドリングが容易になる。
Further, the handling of the wafer 4 with respect to both holders 8 can be performed under the same condition as each other, that is, in this example, at the same height as each other and both of them can be performed with the surface of the wafer 4 facing upward.

第7図は、この発明の他の実施例に係るイオン注入装
置の要部を示す垂直断面図である。
FIG. 7 is a vertical sectional view showing a main part of an ion implantation apparatus according to another embodiment of the present invention.

この実施例においても、第1図の実施例の場合と同様
に、電気的にX方向に走査して平行ビーム化されたイオ
ンビーム2が導入される注入室6の左右に、二つの前述
したようなホルダ駆動装置10を設け、それによってウェ
ーハ4を装着した各ホルダ8をそれぞれX方向と実質的
に直交するY方向に機械的に走査するようにしている。
In this embodiment as well, similarly to the embodiment of FIG. 1, the two above-mentioned implantation chambers 6 are introduced into the left and right of the implantation chamber 6 into which the ion beam 2 which has been electrically scanned in the X direction and converted into a parallel beam is introduced. Such a holder driving device 10 is provided so that each of the holders 8 on which the wafers 4 are mounted is mechanically scanned in the Y direction substantially orthogonal to the X direction.

但しこの実施例では、各ホルダ8に対するウェーハ4
のハンドリングの仕方が異なる。即ち、注入室6内にお
ける各ホルダ駆動装置10の下部に、カセット120を1ピ
ッチずつ紙面の表裏方向に移動させるカセット駆動機構
122がそれぞれ設けられており、各カセット駆動機構122
上には、複数枚のウェーハ4を収納したカセット120
が、図示しない真空予備室を介して、それぞれ装着され
る。
However, in this embodiment, the wafer 4
Is different in handling. That is, a cassette driving mechanism for moving the cassette 120 by one pitch in the direction of the front and back of the paper below the holder driving device 10 in the injection chamber 6.
Each cassette drive mechanism 122 is provided.
On the top, a cassette 120 containing a plurality of wafers 4
Are respectively mounted via a vacuum spare chamber (not shown).

また、各カセット駆動機構122の下部は、ウェーハ垂
直搬送装置124がそれぞれ設けられている。各ウェーハ
垂直搬送装置124は、先端部にウェーハ4の端部が入る
溝128を有していて矢印のように昇降させられる押上げ
板126をそれぞれ有しており、これによってウェーハ4
を1枚ずつカセット120とホルダ8との間で搬送するこ
とができる。従ってこの実施例においても、左右のホル
ダ8に対するウェーハ4のハンドリングは互いに同一条
件で可能である。
Further, a wafer vertical transfer device 124 is provided below each cassette drive mechanism 122, respectively. Each wafer vertical transfer device 124 has a push-up plate 126 which has a groove 128 at the tip end into which the end of the wafer 4 enters and which can be raised and lowered as shown by an arrow.
Can be transported one by one between the cassette 120 and the holder 8. Therefore, also in this embodiment, the handling of the wafer 4 with respect to the right and left holders 8 is possible under the same conditions.

この実施例の動作例を説明すると、図の右側のホルダ
8をホルダ駆動装置10によって実線で示す矢印Eのよう
にY方向に走査してそこのウェーハ4にイオン注入して
いる間に、左側のホルダ駆動装置10ではアーム46を下方
に回転させて、ウェーハ垂直搬送装置124によってホル
ダ8に先に装着されていた注入済のウェーハ4をカセッ
ト120内に搬送すると共に、カセット駆動機構122によっ
てカセット120を1ピッチ駆動してカセット120内の未注
入のウェーハ4をホルダ8に装着して待機する。
An operation example of this embodiment will be described. The holder 8 on the right side of the figure is scanned in the Y direction by the holder driving device 10 as shown by the arrow E shown by the solid line, and the ion is implanted into the wafer 4 there. In the holder driving device 10, the arm 46 is rotated downward, and the wafer 4 already loaded in the holder 8 is transferred into the cassette 120 by the wafer vertical transfer device 124, and the cassette driving mechanism 122 The wafer 120 is driven by one pitch to mount the uninjected wafer 4 in the cassette 120 on the holder 8 and waits.

そして右側のホルダ8上のウェーハ4対するイオン注
入が完了すると、右側のアーム46を下方に回転させて上
記と同様にしてそのホルダ8に対するウェーハ4の交換
を行う。その間に、左側のホルダ駆動装置10ではホルダ
8を待機位置(ウェーハ交換位置)から注入位置に移動
させてスキャン動作を行わせてそこのウェーハ4に対す
るイオン注入が行われる。
When the ion implantation for the wafer 4 on the right holder 8 is completed, the right arm 46 is rotated downward to exchange the wafer 4 for the holder 8 in the same manner as described above. Meanwhile, in the holder driving device 10 on the left side, the holder 8 is moved from the standby position (wafer replacement position) to the implantation position to perform a scanning operation and perform ion implantation on the wafer 4 there.

尚、第7図の実施例では、第1図の実施例と違って、
ホルダ8をウェーハ4のハンドリングのために水平状態
にする状態が無いので、注入角を可変にしないのであれ
ば、そのホルダ駆動装置10には、第1図で説明した支持
軸14を矢印Aのように回転させる機構を必ずしも設ける
必要は無い。
In the embodiment of FIG. 7, unlike the embodiment of FIG.
If the injection angle is not variable because there is no state in which the holder 8 is in a horizontal state for handling the wafer 4, the support shaft 14 described in FIG. It is not always necessary to provide a mechanism for rotating as described above.

また、第1図、第7図いずれの実施例においても、ホ
ルダ8をステップ回転させる必要が無い場合は、ホルダ
駆動装置10にはそのための機構を必ずしも設ける必要は
無い。
In any of the embodiments shown in FIGS. 1 and 7, when it is not necessary to rotate the holder 8 stepwise, the holder driving device 10 does not necessarily need to be provided with a mechanism for that.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のようにこの発明によれば、各アームおよびホル
ダが円弧状に動くため、それらが互いに機械的に干渉す
るのを避けながら二つのホルダ駆動装置を互いに近づけ
て配置することができ、従って当該イオン注入装置の小
型化を図ることができる。
As described above, according to the present invention, since each arm and the holder move in an arc shape, the two holder driving devices can be arranged close to each other while avoiding mechanical interference with each other. The size of the ion implantation apparatus can be reduced.

また、二つのホルダに対するウェーハのハンドリング
が互いに同一条件で可能なため、ウェーハのハンドリン
グが容易になる。
Further, the handling of the wafer with respect to the two holders can be performed under the same conditions, so that the handling of the wafer becomes easy.

その結果、ハイブリッドスキャン方式でしかもビーム
ラインが一つのデュアルタイプのイオン注入装置であっ
て実際的なものを製作することが可能になる。
As a result, it is possible to manufacture a practical type of a dual-type ion implantation apparatus that uses a hybrid scan method and one beam line.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置の
要部を示す水平断面図である。第2図は、イオンビーム
の電気的な走査手段の一例を示す概略平面図である。第
3図は、第1図のホルダ駆動装置による走査時のホルダ
の姿勢を説明するための図である。第4図および第5図
は、共に、第1図の線I−Iに沿う断面図であるが、互
いに動作状態を異にしている。第6図は、第1図中のウ
ェーハ搬送装置を示す斜視図である。第7図は、この発
明の他の実施例に係るイオン注入装置の要部を示す垂直
断面図である。第8図は、従来のイオン注入装置の要部
を示す斜視図である。 2……イオンビーム、4……ウェーハ、6……注入室、
8……ホルダ、10……ホルダ駆動装置、24……モータ、
40……アーム軸、42……中間軸、46……アーム、48……
タイミングベルト、52……ホルダ軸。
FIG. 1 is a horizontal sectional view showing a main part of an ion implantation apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of an electrical scanning means of the ion beam. FIG. 3 is a view for explaining the attitude of the holder at the time of scanning by the holder driving device of FIG. 4 and 5 are cross-sectional views along the line II of FIG. 1, but in different operating states. FIG. 6 is a perspective view showing the wafer transfer device in FIG. FIG. 7 is a vertical sectional view showing a main part of an ion implantation apparatus according to another embodiment of the present invention. FIG. 8 is a perspective view showing a main part of a conventional ion implantation apparatus. 2 ... Ion beam, 4 ... Wafer, 6 ... Implantation chamber,
8 Holder, 10 Holder drive, 24 Motor
40 ... arm shaft, 42 ... intermediate shaft, 46 ... arm, 48 ...
Timing belt, 52 ... Holder shaft.

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】イオンビームをX方向に電気的に走査して
平行ビーム化して注入室内に導くと共に、ウェーハを注
入室内でX方向と実質的に直交するY方向に機械的に走
査する構造のイオン注入装置であって、注入室内にあっ
てウェーハをそれぞれ保持する二つのホルダと、各ホル
ダを注入室内でY方向にそれぞれ走査する二つのホルダ
駆動装置とを備えており、 かつ各ホルダ駆動装置は、注入室内においてイオンビー
ムの進行方向にほぼ平行な姿勢を取ることができるよう
に軸支された中空のアーム軸と、アーム軸にほぼ直角に
取り付けられたアームと、アームの先端部にあってアー
ム軸にほぼ平行になるように軸支されたホルダ軸と、ア
ーム軸を正逆両方向に回転駆動する駆動手段と、アーム
軸内に回転自在に通されていてアーム軸が回転してもそ
れと一緒に回転しないようにされた中間軸と、中間軸と
ホルダ軸との間を同一の回転比で連結する連結手段とを
それぞれ備えており、 そして各ホルダ駆動装置のホルダ軸の先端部に、かつ当
該ホルダ軸にほぼ直交するように、前記各ホルダがそれ
ぞれ取り付けられている、ことを特徴とするイオン注入
装置。
An ion beam is electrically scanned in an X direction to be converted into a parallel beam and guided into an implantation chamber, and a wafer is mechanically scanned in a Y direction substantially orthogonal to the X direction in the implantation chamber. An ion implantation apparatus, comprising: two holders in the implantation chamber for holding wafers respectively; and two holder driving devices for scanning each holder in the implantation chamber in the Y direction, respectively. Are a hollow arm axis supported so as to be able to take a posture substantially parallel to the traveling direction of the ion beam in the implantation chamber, an arm mounted substantially at right angles to the arm axis, and a tip end of the arm. A holder shaft supported so as to be substantially parallel to the arm shaft, a driving means for rotating the arm shaft in both forward and reverse directions, and an arm shaft rotatably passed through the arm shaft. An intermediate shaft that is prevented from rotating together with the intermediate shaft, and coupling means for coupling the intermediate shaft and the holder shaft at the same rotation ratio. The ion implantation apparatus, wherein each of the holders is attached to a tip portion and substantially perpendicular to the holder axis.
【請求項2】イオンビームをX方向に電気的に走査して
平行ビーム化して注入室内に導くと共に、ウェーハを注
入室内でX方向と実質的に直交するY方向に機械的に走
査する構造のイオン注入装置であって、注入室内にあっ
てウェーハをそれぞれ保持する二つのホルダと、各ホル
ダを注入室内でY方向にそれぞれ走査する二つのホルダ
駆動装置とを備えており、 かつ各ホルダ駆動装置は、注入室内においてイオンビー
ムの進行方向にほぼ平行に軸支された中空のアーム軸
と、アーム軸にほぼ直角に取り付けられたアームと、ア
ームの先端部にあってアーム軸にほぼ平行になるように
軸支されたホルダ軸と、アーム軸を正逆両方向に回転駆
動する駆動手段と、アーム軸内に回転自在に通されてい
てアーム軸が回転してもそれと一緒に回転しないように
された中間軸と、中間軸とホルダ軸との間を同一の回転
比で連結する連結手段とをそれぞれ備えており、 そして各ホルダ駆動装置のホルダ軸の先端部に、かつ当
該ホルダ軸にほぼ直交するように、前記各ホルダがそれ
ぞれ取り付けられている、ことを特徴とするイオン注入
装置。
2. A structure in which an ion beam is electrically scanned in an X direction to be converted into a parallel beam and guided into an implantation chamber, and a wafer is mechanically scanned in the implantation chamber in a Y direction substantially orthogonal to the X direction. An ion implantation apparatus, comprising: two holders in the implantation chamber for holding wafers respectively; and two holder driving devices for scanning each holder in the implantation chamber in the Y direction, respectively. Is a hollow arm axis supported substantially parallel to the traveling direction of the ion beam in the implantation chamber, an arm mounted substantially at right angles to the arm axis, and substantially parallel to the arm axis at the tip of the arm. And a driving means for rotating the arm shaft in both forward and reverse directions, and rotatably passed through the arm shaft so that even if the arm shaft rotates, it does not rotate with it. And a connecting means for connecting the intermediate shaft and the holder shaft at the same rotational ratio, respectively, and at a tip end of the holder shaft of each holder driving device, and the holder shaft The ion implantation apparatus, wherein each of the holders is mounted so as to be substantially orthogonal to the holder.
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