JP2790137B2 - Matrix type liquid crystal display - Google Patents

Matrix type liquid crystal display

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JP2790137B2
JP2790137B2 JP16029497A JP16029497A JP2790137B2 JP 2790137 B2 JP2790137 B2 JP 2790137B2 JP 16029497 A JP16029497 A JP 16029497A JP 16029497 A JP16029497 A JP 16029497A JP 2790137 B2 JP2790137 B2 JP 2790137B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、強誘電性液晶を利用してなるマトリックス型
液晶表示装置に関する。 【0002】 【従来の技術】従来、この種のマトリックス型液晶表示
装置においては、強誘電性液晶のネマチック液晶にない
高速応答性及び記憶特性を有効に活用して、一表示画面
におけるON表示画素及びOFF表示画素をダイナミッ
ク駆動してマトリックス表示するようにしたものがあ
る。なお、上述したON表示画素とは、これに対応した
強誘電性液晶部分を含む表示領域であって光を透過させ
る表示領域をいう。一方、上述したOFF表示画素と
は、これに対応した強誘電性液晶部分を含む表示領域で
あって光を通過させない表示領域をいう。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
構成において、ダイナミック駆動を行う上で強誘電性液
晶の重要な特性とされる閾値特性においては、強誘電性
液晶の分子(以下、液晶分子という)が自発分極と印加
電界との直接相互作用で働くために、明確な閾値が介在
しないという現象が観察される。 【0004】このような明確な閾値を有しない場合に
は、マトリックス駆動における非選択期間で印加される
保持電圧で液晶が応答してしまい、コントラストが低下
するという問題がある。これに対しては、ダイナミック
駆動上必要とされる閾値を確保するために、駆動パルス
幅の制御、強誘電性液晶の応答速度の電圧依存性、負の
誘電異方性をもつ強誘電性液晶のスイッチング異常現象
等を利用して駆動パルスのパルス波形に工夫を凝らし、
かつ次の線順次走査までの時間の間、高周波重畳による
安定化効果により非選択時における液晶の高速応答を防
止して、マトリックス表示を行うものがある。 【0005】また、特開昭62−173436号公報に
は、非選択期間で印加される保持電圧により液晶が応答
しないように、走査信号、データ信号を4パルスにして
駆動する4パルス駆動法が提案されている。しかしなが
ら、上記したいずれの駆動法においても強誘電性液晶に
明確な閾値特性がないため、駆動回路を複雑な構成にせ
ざるを得ないという問題がある。 【0006】そこで、本発明者等は、鋭意検討を行い、
強誘電性液晶の配向処理に工夫を凝らすことによって、
強誘電性液晶に明確な閾値が現れることを見い出した。
この点については後述する実施例の中で詳細に説明す
る。従って、本発明は、強誘電性液晶の明確な閾値特性
を利用して、高コントラストのマトリックス表示を行う
ことを目的とする。 【0007】また、強誘電性液晶の明確な閾値特性に適
した、駆動回路を用いることを目的とする。 【0008】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては、n条の行電極とm条の列電極と
を互いに格子状に対向させるように並設した第1、第2
の電極基板(11、12)間に強誘電性液晶を封入して
mn個の表示画素を形成する液晶セル(10)と、前記
n条の行電極に選択信号と非選択信号とからなる走査信
号を順次印加する行駆動回路(40)と、前記m条の列
電極にデータ信号を印加する列駆動回路(50)とを備
え、前記走査信号と前記データ信号との合成信号を前記
mn個の表示画素に印加して、前記mn個の表示画素に
よりマトリックス表示を行うようにしたマトリックス型
液晶表示装置において、前記強誘電性液晶の液晶分子に
は、前記第1、第2の電極基板の相対向する面に対して
プレティルト角が与えられ、前記第1の電極基板に与え
られたプレティルト角と前記第2の電極基板に与えられ
たプレティルト角とが逆傾斜の関係を有しており、前記
液晶セルは、前記第1、第2の電極基板間の印加電圧に
対し一方極性側、他方極性側において、絶対値が所定の
電圧以上で光透過率が変化し始める閾値を有する印加電
圧−光透過率特性を有しており、前記選択信号と前記デ
ータ信号との合成信号は、前記表示画素を消去する消去
信号(E1 、E2 )と、この消去信号に続き前記表示画
素の光透過状態を決定する書込信号(W1 、W2 )を有
し、前記非選択信号と前記データ信号との合成信号は、
前記書込信号により決定された表示画素の光透過状態を
維持する保持信号(H)であり、前記データ信号は、基
準電圧を基準とした交流パルス電圧(D2、D3)を有
し、連続する各交流パルス電圧の間に前記基準電圧が介
在するように構成されており、前記交流パルス電圧は、
前記基準電圧の印加時間(to)より長いパルス幅(2
to)で前記表示画素の光透過状態を決定するためのパ
ルス電圧を含んで構成されていることを特徴としてい
る。 【0009】上記構成において、強誘電性液晶の液晶分
子に、第1、第2の電極基板の相対向する面に対してプ
レティルト角を与え、第1の電極基板に与えられたプレ
ティルト角と第2の電極基板に与えられたプレティルト
角とが逆傾斜の関係を有することによって、強誘電性液
晶に明確な閾値特性が現れる。その結果、液晶セルは、
電極基板間の印加電圧に対し一方極性側、他方極性側に
おいて、絶対値が所定の電圧以上で光透過率が変化し始
める閾値を有する印加電圧−光透過率特性を有すること
になる。 【0010】このような印加電圧−光透過率特性を利用
して、表示画素に、消去信号、書込信号、保持信号を印
加していくことにより、マトリックス表示を行うことが
できる。この場合、強誘電性液晶が明確な閾値特性を有
しているため、保持信号の印加時に、書込信号により決
定された表示画素の光透過状態を容易に維持することが
でき、高コントラストの表示を行うことができる。 【0011】また、データ信号を、基準電圧を基準とし
た交流パルス電圧(D2、D3)を有し、連続する各交
流パルス電圧の間に基準電圧が介在するように構成する
とともに、交流パルス電圧を、基準電圧の印加時間(t
o)より長いパルス幅(2to)で表示画素の光透過状
態を決定するためのパルス電圧を含んで構成するように
している。 【0012】この種のマトリックス型液晶表示装置にお
いて大画面化を目指した場合、行電極数が増えるため1
走査期間を短くせざるを得ないが、このような場合で
も、上記したように、表示画素の光透過状態を決定する
ためのパルス電圧のパルス幅を基準電圧の印加時間より
長くすることによって、表示画素への書き込み時間を十
分確保することができる。 【0013】 【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。以下、本発明の一実施形態を図面に
より説明すると、図1は、本発明に係わるマトリックス
型液晶表示装置の全体構成を示している。この液晶表示
装置は、マトリックス型液晶セル10を備えており、こ
の液晶セル10は、図1及び図2に示すごとく、一対の
電極基板11、12を例えば、1〜4(μm)のギャッ
プを介し互いに平行に配設し、これら各電極基板11、
12間にフェニールピリミジン系強誘電性液晶13を密
封し、かつ各電極基板11、12に互いに偏光軸を直交
させてなる各偏光板14、15をそれぞれ外方から添着
して構成されている。 【0014】電極基板11は、図1及び図2に示すごと
く、透明状のガラス板11aにその内表面に沿い酸化イ
ンジウム或いは酸化スズからなる透明状の導電膜11b
を形成し、かつこの導電膜11bの内表面にn状の行電
極X1、X2、‥‥、Xnを図1にて図示上下方向に互
いに間隔を付与するとともに同図示左右方向に互いに平
行に突設形成して構成されている。 【0015】一方、電極基板12は、図1及び図2に示
すごとく、透明状のガラス板12aにその内表面に沿い
酸化インジウム或いは酸化スズからなる透明状の導電膜
12bを形成し、かつこの導電膜12bの内表面にm状
の列電極Y1、Y2‥‥、Ymを図1にて図示左右方向
に互いに間隔を付与するとともに各行電極X1、X2‥
‥、Xnに共に直交するように突設形成して構成されて
いる。 【0016】また、導電膜11bの内表面には、一酸化
けい素からなる蒸着膜16が、両導電膜11b、12b
に対する法線P(図2参照)と蒸着角度θa(=80
(度)〜85(度))をなすように斜方蒸着法により蒸
着されている。一方、導電膜12bの内表面には、一酸
化けい素からなる蒸着膜17が、法線Pと蒸着角度θb
をなすように斜方蒸着法により蒸着されている。これに
より、強誘電性液晶13の各液晶分子13aがプレテイ
ルト角θp=5(度)〜35(度)を与えられるように
強誘電性液晶13が配向処理されることとなる。 【0017】かかる場合、液晶セル10内への強誘電性
液晶13の密封にあたっては、まず、両蒸着膜16、1
7の各蒸着方位(即ち、各蒸着角度θa、θb)が両導
電膜11b、12bの各内表面間間隔の中心を通り両導
電膜11b、12bに平行(即ち、法線Pに垂直)とな
る中心線に対し線対称をなすように両電極基板11、1
2を平行に組合わせる。然る後、強誘電性液晶13を加
熱して等方性液体相とし、毛細管現象を利用して両電極
基板11、12間に注入し、かつ液晶セル10全体を毎
分1(度)程度にて徐冷することにより強誘電性液晶1
3をスメクチックC* 相になるまで冷却する。 【0018】このような冷却の結果、スメクチック層と
なった強誘電性液晶13の各液晶分子13aが、両蒸着
膜16、17の各蒸着方位及び凹凸に沿い前記中心線に
線対称をなすように配向することとなる。かかる場合、
各液晶分子13aのプレティルト角θpは、前記中心線
から各蒸着膜16、17に近ずくにつれて前記中心線に
線対称的に増大するようになっている。換言すれば、強
誘電性液晶13のスメクチック層が、図2に示すごと
く、前記中心線に対し、線対称的に各蒸着膜16、17
により断面湾曲状に曲げ変形を与えられることとなる。 【0019】しかして、このように構成した液晶セル1
0において、両電極基板11、12間に印加する電圧が
低い場合には液晶分子は回転しないが、所定の高電圧を
印加すると、強誘電性液晶13の前記中心線の一側に位
置する各液晶分子13a(以下、一側液晶分子という)
の回転方向が、強誘電性液晶13の前記13の前記中心
線の他側に位置する各液晶分子13a(以下他側液晶分
子という)の回転方向と逆になる。 【0020】このため、前記一側液晶分子が前記中心線
上近傍にて前記他側液晶分子とぶつかり合うこととな
り、その結果、強誘電性液晶13のエネルギー損失が、
前記一側液晶分子が前記他側液晶分子と同一に回転する
場合に比べ、大幅に増大する。換言すれば、強誘電性液
晶13の各液晶分子13aは、両電極基板11、12間
への印加電圧が低い場合には回転せず、所定の高印加電
圧でもって初めて回転し始めることとなる。このこと
は、強誘電性液晶13が明確な閾値をもつに至ったこと
を意味する。 【0021】因みに、上述のような配向処理した強誘電
性液晶13における印加電圧と光透過率との関係を実験
により確認したところ、図3に示すように曲線Xとして
得られた。なお、印加電圧は、強誘電性液晶13が応答
する応答時間以上の十分な時間、印加した電圧であり、
光透過率は、相対的な光透過率である。また、上述のよ
うな配向処理を伴わない従来の配向処理方法による強誘
電性液晶における印加電圧と光透過率との関係を実験に
より確認したところ、図3に示すように曲線Yとして得
られた。 【0022】これら両曲線X、Yを比較すれば容易に理
解されるとおり、曲線Xによれば、強誘電性液晶13の
光透過率が、印加電圧10(V)以下で零(%)を維持
し、印加電圧10(V)〜20(V)にて急増し、かつ
印加電圧約20(V)以上にて100(%)を維持する
一方、曲線Yによれば、強誘電性液晶の光透過率が、印
加電圧(V)から約7(V)にかけて40(%)から1
00(%)に増大し、かつ印加約7(V)以上にて10
0(%)を維持する。その結果、曲線Xによる特性をも
つ強誘電性液晶13が、曲線Yによる特性をもつ従来の
強誘電性液晶に比べて、非常に明確な閾値特性を有する
ことが認識できる。 【0023】なお、図3に示す印加電圧と光透過率の特
性は、印加電圧の正極性側について所定電圧以上のとき
光透過率が増大し始めるものを示しているが、強誘電性
液晶13はメモリー性を有するので、正極性側の電圧印
加から負極性側に所定電圧以上の電圧を印加したときに
光透過率が低下し始めることになる。また、各行電極X
1〜Xnと各列電極Y1〜Ymとの各交叉部は、これら
各交叉部に存在する各強誘電性液晶部分と共にそれぞれ
各表示画素(1、1)、‥‥、(1、m)、(2、1)
‥‥、(n、m)を構成する(図1参照)。行電極と列
電極との間に一極性の適正な電圧が印加されたとき強誘
電性液晶がとり得る分子配列状態にて表示画素が光を透
過させる状態(即ち、ON表示状態)となり、一方、行
電極と列電極との間に逆極性の適正な電圧が印加された
とき強誘電性液晶がとり得る分子配列状態にて表示画素
が光を透過させない状態(即ち、OFF表示状態)とな
るように、各偏光板14、15の偏光軸が強誘電性液晶
の分子配向軸との関係で定められている。なお、偏光板
14の背後には、同偏光板14に投光する光源が配置さ
れている。また、前記強誘電性液晶はその電圧印加解除
前の状態を同解除後も保持する。 【0024】また、液晶表示装置は、図1に示すごと
く、線順次走査回路20と、この線順次走査回路20に
接続した基準信号発生回路30と、線順次走査回路20
及び基準信号発生回路30に接続した行駆動回路40及
び列駆動回路50とを備えており、線順次走査回路20
は、ROM21と、このROM21に接続したコントロ
ーラ22により構成されている。ROM21は、液晶セ
ル10に表示されるための所定の表示内容を表す表示デ
ータを予め記憶しており、この表示データは、液晶セル
10の各行電極のいずれかに入力する行電極表示データ
と、液晶セル10の各列電極に入力する列電極表示デー
タとにより構成されている。 【0025】コントローラ22は基準クロックパルスa
(図7参照)を順次発生し、同期パルスb(図7参照)
を順次発生し、シフトクロックパルスqを順次発生し、
ROM21からの行電極表示データをデータパルスPx
として順次発生し、かつROM21からの列電極表示デ
ータをデータパルスPyとして順次発生する。基準信号
発生回路30は、図1及び図4に示すごとく、コントロ
ーラ22に接続したインバータ31とこのインバータ3
1に接続したインバータ32と、コントローラ22及び
インバータ32に接続したバイナリカウンタ33を備え
ており、インバータ31はコントローラ22からの各同
期パルスbを順次反転させて反転パルスとして発生す
る。インバータ32はインバータ31からの各反転パル
スを順次反転させて反転パルス(即ち、同期パルスb)
として発生する。バイナリカウンタ33は、インバータ
32からの各同期パルスbにより繰返しリセットされ
て、各リセット後にコントローラ22からの各基準クロ
ックパルスaを反転させながら計数しその各計数結果を
出力端子Q2からの二進パルスe(図7参照)として順
次発生する。 【0026】また、基準信号発生回路30は、インバー
タ32及びバイナリカウンタ33に接続したORゲート
34とバイナリカウンタ33に接続したインバータ35
を備えており、ORゲート34は、インバータ32から
の同期パルスbの立上がりに応答してハイレベルにてゲ
ートパルスC1(図7参照)を発生した後、バイナリカ
ウンタ33からの各二進パルスe及びインバータ32か
らの各同期パルスbに順次応答して各二進パルスeの立
上がり毎にゲートパルスC2(図7参照)をハイレベル
にて発生する。また、ORゲート34からの各ゲートパ
ルスC1、C2はインバータ32からの各同期パルスb
の立下りに応答してローレベルになる。インバータ35
は、バイナリカウンタ33からの各二進パルスeを順次
反転させて反転パルスe(バー)として発生する。 【0027】行駆動回路40は、コントローラ22に接
続したシフトレジスタ40Aと、基準信号発生回路30
及びシフトレジスタ40Aに接続した各論理回路40B
1、40B2、‥‥、40Bnを有しており、シフトレ
ジスタ40Aは、コントローラ22からの各同期パルス
bを順次シフトパルスとして受け、これら各シフトパル
スに同期して、コントローラ22からの各データパルス
Pxを、各論理回路40B1〜40Bnのいずれかに論
理回路40B1から論理回路40Bnにかけて順次シフ
トさせてデータパルスh(図7参照)として付与する。 【0028】論理回路40B1は、図1及び図4及び図
5に示すごとく、基準信号発生回路30のインバータ3
2及びシフトレジスタ40Aに接続したANDゲート4
1と、基準信号回路30のインバータ35及びシフトレ
ジスタ40Aに接続したNANDゲート42を備えてお
り、ANDゲート41は、シフトレジスタ40Aからの
データパルスhのハイレベル中にインバータ32からの
同期パルスbに応答してハイレベルにてゲートパルスj
(図7参照)を発生する。また、ANDゲート41から
のゲートパルスjはインバータ32からの同期パルスb
の立下りに応答してローレベルになる。NANDゲート
42は、シフトレジスタ40Aからのデータパルスh及
びインバータ35からの反転パルスe(バー)に応答し
て、データパルスh及び反転パルスe(バー)の両ハイ
レベル時にローレベルにてゲートパルスi(図7参照)
を発生し、またこのゲートパルスiを反転パルスe(バ
ー)或いはデータパルスhのローレベル時にハイレベル
にする。 【0029】また、論理回路40B1は、ANDゲート
41及びNANDゲート42に接続したNORゲート4
3を備えており、NORゲート43は、ANDゲート4
1及びNANDゲート42からの各ゲートパルスj、i
のローレベル時にのみハイレベルにてゲートパルスk
(図7参照)を発生する。トランスミッションゲート4
4は、ANDゲート41からのハイレベルのゲートパル
スjに応答して、このゲートパルスjを、定電圧回路4
4aからの負の電圧(−2Vo)に基き、(−2Vo)
のレベルを有する走査信号S1(図8参照)として各ト
ランスミッションゲート45、46との共通の出力端子
47から発生し液晶セル10の行電圧X1に付与する、
なお、各トランスミッションゲート44、45、46し
ては、例えば、(株)東芝製TC4066型集積回路が
採用される。 【0030】また、トランスミッションゲート46は、
NORゲート43からのゲートパルスkに応答して、こ
のゲートパルスkを、ゲートパルスjの立下り以後デー
タパルスhのハイレベル下にて定電圧回路46aからの
正の定電圧(+Vo)までシフトし、このシフト結果を
走査信号S2(図8参照)として出力端子+47から発
生し行電極X1に付与する。かかる場合、両走査信号S
1、S2が行電極X1を選択するための選択信号(図8
参照)としてT/nの間機能する。但し、符号Tは一画
面表示時間を表す(図9参照)。 【0031】また、トランスミッションゲート45は、
NANDゲート42からのハイレベルのゲートパルスi
を、データパルスhの立下り以後において零レベル(即
ち接地レベル)までシフトし、このシフト結果を走査信
号S3(図8参照)として出力端子47から発生し行電
極X1に付与する。かかる場合、走査信号S3が、行電
極X1を非選択とするための非選択信号(図8参照)と
してT/nの間機能する。 【0032】残余の論理回路40B2〜40Bnは、共
に、論理回路40B1と同様に構成されており、これら
各論理回路40B2〜40Bnは、シフトレジスタ40
Aからの各データパルスh並びに基準信号回路30から
の同期パルスb及びゲートパルスeに応答して、論理回
路40B1と同様に、各走査信号S1、S2及びS3を
それぞれ生じる。しかして、論理回路40B2からの両
走査信号S1、S2及び走査信号S3は、選択信号及び
非選択信号としてそれぞれ液晶セル10の行電極X2に
付与され、論理回路40B3からの両走査信号S1、S
2及び走査信号S3は、選択信号及び非選択信号として
それぞれ液晶セル10の行電極X3に付与され、‥‥、
また論理回路40Bnからの両走査信号S1、S2及び
走査信号S3は、選択信号及び非選択信号としてそれぞ
れ液晶セル10の行電極に付与される。 【0033】列駆動回路50は、コントローラ22に接
続したシフトレジスタ50A及びラッチ50Bと、基準
信号発生回路30及びラッチ50Bに接続した各論理回
路50C1、50C2、‥‥、50Cmを有しており、
シフトレジスタ50Aは、コントローラ22からの各デ
ータパルスPyを、同コントローラ22からのシフトク
ロックパルスqに応答して順次入力されて、パラレルな
m個のデータパルスに繰返し変換しラッチ50Bに付与
する。ラッチ50Bは、シフトレジスタ50Aからの各
m個のデータパルスをコントローラ22からの各同期パ
ルスbに順次応答し繰返しラッチしてデータパルスd
(図7参照)として各論理回路50C1、50C2、‥
‥、50Cmにそれぞれ付与する。 【0034】論理回路50C1は、図1、図4及び図6
に示すごとく、ラッチ50Bに接続したインバータ51
と、ラッチ50B及び基準信号発生回路30のORゲー
ト34に接続したANDゲート52と、インバータ51
及び基準信号発生回路30のインバータ35に接続した
ANDゲート53と、両ANDゲート52、53に接続
したNORゲート54を備えており、インバータ51は
ラッチ50Bからのラッチデータパルスを反転させて反
転データパルスを生じる。ANDゲート52は、ラッチ
50Bからのラッチデータパルスdのハイレベル中にO
Rゲート34からの各ゲートパルスc1、c2に順次応
答してハイレベルにて各ゲートパルスを発生し、またラ
ッチデータパルスdのローレベル時にローレベルにてゲ
ートパルスを発生する。 【0035】ANDゲート53は、インバータ51から
の反転データパルスのローレベル時にローレベルにてゲ
ートパルスを発生し、また同反転データパルスのハイレ
ベル中にインバータ35からの各反転パルスe(バー)
に順次応答してハイレベルにて各ゲートパルスを発生す
る。NORゲート54は、両ANDゲート52、53か
らの各ゲートパルスに応答して、ラッチデータパルスd
のハイレベル中に各ゲートパルスf1(図7参照)を発
生し、またラッチデータパルスdのローレベル中に各ゲ
ートパルスf2(図7参照)を順次発生する。NORゲ
ート55は基準信号発生回路30インバータ32からの
各同期パルスb及びNORゲート54からの各ゲートパ
ルスf1、f2に応答してハイレベルにて各ゲートパル
スg1、g2(図7参照)を順次発生する。 【0036】トランスミッションゲート56はインバー
タ32からの各同期パルスbに応答して各同期パルスb
を零レベル(即ち、接地レベル)にシフトし各トランス
ミッションゲート57、58との共通の出力端子59か
ら各データ信号D1(図8参照)として生じ液晶セル1
0の列電極Y1に付与する。また、トランスミッション
ゲート57がNORゲート54からゲートパルスf1を
受けとるとともに、トランスミッションゲート58がN
ORゲート55からゲートパルスg1を受けると、トラ
ンスミッションゲート57がゲートパルスf1を定電圧
回路57aからの負の定電圧のレベル(−V1)までシ
フトするとともに、トランスミッションゲート58がゲ
ートパルスg1を定電圧回路58aからの正の定電圧の
レベル(+V1)までシフトする。 【0037】このため、このような両トランスミッショ
ンゲート57、58のシフト結果が合成されて出力端子
59から各交流的データ信号D2(図8参照)が零レベ
ルを基準として発生し列電極Y1に付与される。かかる
場合、各データ信号D1、D2が、列電極Y1に対する
各ONデータ信号としてそれぞれT/nの間機能する
(図8参照)。なお、各トランスミッションゲート5
6、57、58としては、例えば、(株)東芝製TC4
066型集積回路が採用される。 【0038】また、トランスミッションゲート57がN
ORゲート54から各ゲートパルスf2を受けるととも
に、トランスミッションゲート58がNORゲート55
から各ゲートパルスg2を受けると、トランスミッショ
ンゲート57が各ゲートパルスf2を定電圧回路57a
からの負の定電圧のレベル(−V1)までシフトすると
ともに、トランスミッションゲート58が各ゲートパル
スg2を定電圧回路58aからの正の定電圧のレベル
(+V1)までシフトする。 【0039】このため、このような両トランスミッショ
ンゲート57、58のシフト結果が合成されて出力端子
59から各交流的データ信号D3(図8参照)が零レベ
ルを基準として発生し列電極Y1に付与される。かかる
場合、各両データ信号D1、D3が列電極Y1に対する
各OFFデータ信号としてT/nの間それぞれ機能する
(図8参照)。 【0040】残余の論理回路50C2〜50Cmは、共
に、論理回路50C1と同様に構成されており、これら
各論理回路50C2〜50Cmは、ラッチ50Bからの
各ラッチデータパルスd、並びに基準信号発生回路30
からの同期パルスb及び各ゲートパルスc1、c2、e
(バー)に応答して、論理回路50C1と同様に、各デ
ータ信号D1、D2、D3を生じる。 【0041】しかして、論理回路50C2からの両デー
タ信号D1、D2及び両データ信号D1、D3は、ON
データ信号及びOFFデータ信号としてそれぞれ液晶セ
ル10の列電極Y2に付与され、論理回路50C3から
の両データ信号D1、D2及び両データ信号D1、D3
は、ONデータ信号及びOFFデータ信号としてそれぞ
れ液晶セル10の列電極Y3に付与され、‥‥、また、
論理回路50Cmからの両データ信号D1、D2及び両
データ信号D1、D3は、ONデータ信号及びOFFデ
ータ信号としてそれぞれ液晶セル10の列電極板Ymに
付与される。 【0042】ここにおいて、各定電圧回路44aからの
定電圧(−2Vo)、定電圧回路46aからの定電圧
(+Vo)、定電圧回路57aからの定電圧(−V
1)、及び定電圧回路58aからの定電圧(+V1)の
決定方法について説明する。OFF表示状態にある表示
画素(n、m)に電圧を印加してON表示状態に変化さ
せるとき表示画素(n、m)の光透過率が電圧印加後9
0%に達する時間を強誘電性液晶13の応答時間とし、
データ信号D1又は走査信号S1の信号幅に対応する前
記応答時間を設定応答時間toとし、データ信号D2又
は走査信号S2の信号幅に対応する前記応答時間を4t
oとするとき、曲線X(図3参照)との関連にて、VO
=15(V)とし、かつV1=7.5(V)とすれば、
O +V1=22.5(v)、VO −V1=7.5
(V)となり、VO +V1の電圧を印加したときに光透
過率が100%となり、VO −V1の電圧を印加したと
きに光透過率が0%になるため、強誘電性液晶の閾値電
圧を明確にできる。但し、設定応答時間to は、VO
V1=22.5(V)の電圧の印加時における前記応答
時間をいう。 【0043】以上のように構成した本実施形態におい
て、線順次走査回路20が、基準クロックパルスa、同
期パルスb、シフトクロックパルスq、データパルスP
x及びデータパルスPyをそれぞれ順次発生し、基準発
生回路30が各基準クロックパルスa及び各同期パルス
bに順次応答して、各同期パルスb、各ゲートパルスc
1、c2、e(バー)をそれぞれ図7に示すタイミング
にて順次発生すると、行駆動回路40が、線順次走査回
路20からの各同期パルスb及びデータパルスPx並び
に基準発生信号回路30からの同期パルスb、各ゲート
パルスe(バー)に応答して、選択信号(両走査信号S
1、S2)又は非選択信号(走査信号S3)を、液晶セ
ル10の各行電極X1〜Xmのいずれかに行電極X1 か
ら行電極XnにかけてT/n毎にシフトさせながら付与
し、一方、列駆動回路50が、線順次走査回路20から
の各同期パルスb、各シフトクロックパルスq及び各デ
ータパルスPy並びに基準信号発生回路30からの各同
期パルスb、各ゲートパルスc1、c2、e(バー)に
応答して、各ONデータ信号(データ信号D1、D2)
又は各OFFデータ信号(データ信号D1、D3)を、
液晶セル10の各列電極Y1〜Ymにそれぞれ繰返し付
与する(図9参照)。 【0044】このような状態において、液晶セル10が
行駆動回路40及び列駆動回路50によりどのようにマ
トリックス駆動されるのかにつき、各表示画素(1、
1)及び(1、2)を例にとって説明する。例えば、行
駆動回路40が行電極X1に選択信号(両走査信号S1
及びS2)を付与するとともに列駆動回路50が列電極
Y1にONデータ信号(両データ信号D1及びD2)を
付与すると、表示画素(1、1)がON表示画素(図1
0参照)として機能する。かかる場合、行電極X1と列
電極Y1との間には、走査信号S1とデータ信号D1と
の合成による消去信号E1(図11(A)参照)がto
の間付与されるとともに、走査信号S2とデータ信号D
2との合成による書込信号W1(図11(A)参照)が
4toの間付与されることになる。但し、消去信号E1
は(−2Vo)のレベルを有し、一方、書込信号W1
は、(Vo+V1)のレベル及び(−V1)のレベルを
有する交流信号である。 【0045】しかして、表示画素(1、1)は消去信号
E1のレベル(−2Vo)及び設定応答時間toに対応
する信号幅に基き一度OFF表示状態となり、然る後、
書込信号W1に対する強誘電性液晶13の応答に応じ図
11(B)に示すごとく光透過率を上昇させてON表示
状態となる。T/nの後は、行駆動回路40からの非選
択信号及び列駆動回路50からのONデータ信号(或い
は、OFFデータ信号)の合成による交流的保持信号H
(図11(A)参照)が表示画素(1、1)に付与され
てON表示状態を保持する。かかる場合、保持信号Hの
±V1のレベル変化及び信号幅のため、強誘電性液晶1
3は殆ど応答せず表示画素(1、1)のON表示状態が
確保される。 【0046】また、行駆動回路40が行電極X1に選択
信号(両走査信号S1及びS2)を付与するとともに列
駆動回路50が列電極Y2にOFFデータ信号(両デー
タ信号D1及びD3)を付与すると、表示画素(1、
2)がOFF表示画素(図10にて図示斜線部分参照)
として機能する。かかる場合、行電極X1と列電極Y2
との間には、走査信号S1とデータ信号D1との合成に
よる消去信号E2(図11(C)参照)がtoとの間付
与されるとともに、走査信号S2とデータ信号D3との
合成による書込信号W2(図11(C)参照)が4to
の間付与されることとなる。但し、消去信号E2は(−
2Vo)のレベルを有し、一方、書込信号W2は(V1
−Vo)のレベル及び(+V1)のレベルを有する。 【0047】しかして、表示画素(1、2)は、消去信
号E2のレベル(−2Vo)及びtoに対応する信号幅
に基き一度OFF表示状態となり、然る後、書込信号W
2の階段的変動に対する強誘電性液晶13の非動作下に
て、図11(D)に示すごとく光透過率をほぼ零に維持
しOFF表示状態を実現する。なお、その後のOFF表
示状態の保持は、上述と同様に保持信号Hによりなされ
る。(図1(A)(C)参照)。また、他の表示画素も
同様にして駆動され、その結果、液晶セル10がマトリ
ックス駆動されることとなる。 【0048】以上説明したように、強誘電性液晶13が
図3の曲線Xで特定される光透過率−電圧特性をもつよ
うに、両導電膜11b、12bの各内表面を各蒸着膜1
6、17の形成により配向処理することによって、液晶
セル10の各表示画素のON表示状態及びOFF表示状
態を明確にすべくダイナミック駆動するにあたり、各行
電極X1〜Xnに付与すべき走査信号、及び各列電極Y
1〜Ynに付与すべきデータ信号に、前記光透過率一電
圧特性との関連にて簡単な波形変化をもたせるのみでよ
い。 【0049】従って、強誘電性液晶13の明確な閾値特
性を前提として、表示装置の列駆動回路及び駆動回路の
回路構成を大幅に簡単にしつつ表示コントラストの向上
を図り得る。また、液晶セル10への印加電圧が一画面
表示時間Tですべて相殺されて零となるので、強誘電性
液晶の直流分による劣化をも未然に防止できる。なお、
本発明の実施にあたっては、両導電膜11b、12bに
それぞれ蒸着膜16、17を形成するようにしたが、こ
れに代えて、両導電膜11b、12bの一方にのみ蒸着
膜16或いは17を形成するようにして実施してもよ
い。 【0050】また、本発明の実施にあたり、強誘電性液
晶13のスメクチック層に曲げ変形を与えるに必要な配
向処理方法としては、斜方蒸着法に限ることなく、例え
ば、SBE液晶の配向に用いられるハイプレティルト用
ポリイミド配向膜LQ−1800(日立化成株式会社
製)を各導電膜11b、12bに塗布した後各蒸着膜1
6、17の蒸着方向にラビング方向を合わせてラビング
するようにして実施してもよい。 【0051】また、本発明の実施にあたっては、液晶セ
ル10を透過型に限ることなく反射型としてもよい。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device.
In particular, matrix type using ferroelectric liquid crystal
The present invention relates to a liquid crystal display device. [0002] 2. Description of the Related Art Conventionally, this type of matrix type liquid crystal display
In the device, the ferroelectric liquid crystal is not in the nematic liquid crystal
Efficient use of high-speed response and memory characteristics, one display screen
Of ON display pixels and OFF display pixels
There is one that drives a matrix to display a matrix.
You. The above-described ON display pixel corresponds to the ON display pixel.
A display area that contains a ferroelectric liquid crystal
Display area. On the other hand, the OFF display pixel described above
Is the display area containing the corresponding ferroelectric liquid crystal
A display area that does not allow light to pass through. [0003] By the way, such a problem is solved.
In the configuration, the ferroelectric liquid
In the threshold characteristics, which are important characteristics of crystals, ferroelectricity
Liquid crystal molecules (hereinafter referred to as liquid crystal molecules) are spontaneously polarized and applied
Clear thresholds intervene to work in direct interaction with the electric field
A phenomenon of not being observed is observed. When there is no such a clear threshold,
Is applied during the non-selection period in matrix driving
The liquid crystal responds at the holding voltage, and the contrast decreases.
There is a problem of doing. In contrast, dynamic
To secure the threshold required for driving, drive pulse
Width control, voltage dependence of response speed of ferroelectric liquid crystal, negative
Switching anomaly in ferroelectric liquid crystal with dielectric anisotropy
By devising the pulse waveform of the drive pulse using
In addition, during the time until the next line sequential scanning, high-frequency superposition
Stabilizing effect prevents high-speed response of liquid crystal when not selected
In some cases, the display is stopped and a matrix display is performed. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-173436 discloses
Means that the liquid crystal responds due to the holding voltage applied during the non-selection period.
So that the scanning signal and data signal are 4 pulses
A four-pulse driving method for driving has been proposed. But
In any of the driving methods described above, the ferroelectric liquid crystal
Because there is no clear threshold characteristic, the drive circuit can be complicated.
There is a problem that must be done. Accordingly, the present inventors have conducted intensive studies,
By devising the alignment treatment of ferroelectric liquid crystal,
It has been found that a clear threshold appears in the ferroelectric liquid crystal.
This point will be described in detail in an embodiment described later.
You. Therefore, the present invention provides a clear threshold characteristic of a ferroelectric liquid crystal.
To display a high-contrast matrix using
The purpose is to: Further, it is suitable for the clear threshold characteristic of ferroelectric liquid crystal.
It is another object of the present invention to use a driving circuit. [0008] Means for Solving the Problems To achieve the above object,
Therefore, in the present invention, n row electrodes and m column electrodes
Are arranged side by side so as to face each other in a grid pattern.
The ferroelectric liquid crystal between the electrode substrates (11, 12)
a liquid crystal cell (10) forming mn display pixels;
A scanning signal composed of a selection signal and a non-selection signal is applied to n row electrodes.
Row driving circuit (40) for sequentially applying signals, and the m rows
A column drive circuit (50) for applying a data signal to the electrodes;
The synthesized signal of the scanning signal and the data signal is
applied to the mn display pixels, and applied to the mn display pixels.
Matrix type for more matrix display
In a liquid crystal display device, the liquid crystal molecules of the ferroelectric liquid crystal
With respect to opposing surfaces of the first and second electrode substrates
A pretilt angle is provided and applied to the first electrode substrate.
Given the pretilt angle and the second electrode substrate
And the pretilt angle has a relationship of reverse inclination,
The liquid crystal cell is adapted to apply a voltage between the first and second electrode substrates.
On the other hand, on one polarity side and the other
An applied voltage having a threshold value at which the light transmittance starts to change above the voltage
Having a pressure-light transmittance characteristic, the selection signal and the data
The combined signal with the data signal is erased to erase the display pixel.
Signal (E1, ETwo) And the display image following the erase signal.
The write signal (W1, WTwo)
And a composite signal of the non-selection signal and the data signal is
The light transmission state of the display pixel determined by the write signal is
A holding signal (H) to be maintained, wherein the data signal is
With AC pulse voltage (D2, D3) based on quasi-voltage
The reference voltage is interposed between successive AC pulse voltages.
And the AC pulse voltage is
A pulse width (2) longer than the application time (to) of the reference voltage
to) to determine the light transmission state of the display pixel.
Characterized in that it contains
You. In the above structure, the liquid crystal component of the ferroelectric liquid crystal is
To the opposing surfaces of the first and second electrode substrates.
The tilt angle is given to the pre-tilt applied to the first electrode substrate.
Tilt angle and pretilt given to the second electrode substrate
Since the angle has an inversely inclined relationship, the ferroelectric liquid
A clear threshold characteristic appears in the crystal. As a result, the liquid crystal cell
One polarity side and the other polarity side with respect to the applied voltage between the electrode substrates
When the absolute value exceeds a predetermined voltage, the light transmittance starts to change.
Having an applied voltage-light transmittance characteristic having a threshold value
become. Utilizing such an applied voltage-light transmittance characteristic
Then, erase, write, and hold signals are applied to the display pixels.
The matrix display can be performed by adding
it can. In this case, the ferroelectric liquid crystal has a clear threshold characteristic.
Is determined by the write signal when the hold signal is applied.
It is easy to maintain the light transmission state of the specified display pixel.
And high-contrast display can be performed. [0011] Further, the data signal is defined with reference to a reference voltage.
Continuous AC pulse voltage (D2, D3)
So that the reference voltage is interposed between the current pulse voltages
At the same time, the AC pulse voltage is changed to the application time (t
o) Light transmission state of display pixel with longer pulse width (2 to)
To include the pulse voltage for determining the state
doing. This kind of matrix type liquid crystal display device
And aiming for a large screen, the number of row electrodes will increase.
The scanning period must be shortened.
Also determines the light transmission state of the display pixel as described above
The pulse width of the pulse voltage from the reference voltage application time
By increasing the length, the writing time to the display pixels can be reduced.
Minutes can be secured. [0013] BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
Will be described. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
More specifically, FIG. 1 shows a matrix according to the present invention.
1 shows an overall configuration of a liquid crystal display device. This liquid crystal display
The device includes a matrix type liquid crystal cell 10.
As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal cell 10 of FIG.
The electrode substrates 11 and 12 are, for example, 1 to 4 (μm) gaps.
Are disposed in parallel with each other via a
Phenylpyrimidine-based ferroelectric liquid crystal 13
Sealed and the polarization axes of the electrode substrates 11 and 12 are orthogonal to each other
Attach each of the polarizing plates 14 and 15 formed from outside
It is configured. The electrode substrate 11 is as shown in FIGS.
In addition, a transparent glass plate 11a is oxidized along its inner surface.
Transparent conductive film 11b made of indium or tin oxide
And an n-shaped line current is formed on the inner surface of the conductive film 11b.
The poles X1, X2,..., Xn are
The left and right sides of the same figure
It is configured to protrude from the row. On the other hand, the electrode substrate 12 is shown in FIGS.
Along the inner surface of the transparent glass plate 12a
Transparent conductive film made of indium oxide or tin oxide
12b and an m-shaped film is formed on the inner surface of the conductive film 12b.
Column electrodes Y1, Y2 ‥‥, Ym shown in FIG.
To each other and each row electrode X1, X2 ‥
‥, and Xn are formed so as to project perpendicularly to each other.
I have. The inner surface of the conductive film 11b has
The deposited film 16 made of silicon is used as the conductive films 11b and 12b.
And the deposition angle θa (= 80)
(Degree) to 85 (degree)).
Is being worn. On the other hand, the inner surface of the conductive film 12b has
The vapor deposition film 17 made of silicon nitride has a normal line P and a vapor deposition angle θb.
Is deposited by oblique deposition. to this
Thus, each liquid crystal molecule 13a of the ferroelectric liquid crystal 13
So that the tilt angle θp = 5 (degrees) to 35 (degrees) can be given.
The ferroelectric liquid crystal 13 is subjected to an alignment treatment. In such a case, ferroelectricity in the liquid crystal cell 10
In sealing the liquid crystal 13, first, the two deposited films 16, 1
7 (that is, each deposition angle θa, θb)
Conducting through the center of the interval between the inner surfaces of the electrofilms 11b and 12b
Being parallel to the electrolytic films 11b and 12b (that is, perpendicular to the normal line P)
Electrode substrates 11 and 1 so as to be symmetrical with respect to the center line.
Combine 2 in parallel. After that, the ferroelectric liquid crystal 13 is added.
Heat to an isotropic liquid phase, and use the capillary phenomenon to make both electrodes
The liquid crystal cell 10 is injected between the substrates 11 and 12, and
The ferroelectric liquid crystal 1 is gradually cooled by about one minute (degree).
3 is smectic C*Cool down to phase. As a result of such cooling, the smectic layer and
The liquid crystal molecules 13a of the changed ferroelectric liquid crystal 13 are both vapor-deposited.
The center line along each deposition direction and unevenness of the films 16 and 17
It will be oriented so as to be line symmetric. In such cases,
The pretilt angle θp of each liquid crystal molecule 13a is equal to the center line
From the center line as approaching each of the deposited films 16 and 17
It is designed to increase in line symmetry. In other words, strong
The smectic layer of the dielectric liquid crystal 13 is as shown in FIG.
In addition, each of the deposited films 16, 17 is symmetrical with respect to the center line.
Thereby, bending deformation can be given to the cross-sectional curved shape. The liquid crystal cell 1 constructed as described above
0, the voltage applied between both electrode substrates 11 and 12 is
When the voltage is low, the liquid crystal molecules do not rotate, but a predetermined high voltage is applied.
When applied, the ferroelectric liquid crystal 13 is positioned on one side of the center line.
Liquid crystal molecules 13a to be placed (hereinafter, referred to as one-sided liquid crystal molecules)
Is the center of the ferroelectric liquid crystal 13
Each liquid crystal molecule 13a located on the other side of the line (hereinafter referred to as the other side liquid crystal component)
The direction of rotation of the child). For this reason, the one side liquid crystal molecules are aligned with the center line.
In the vicinity of the upper side, it will collide with the other liquid crystal molecules.
As a result, the energy loss of the ferroelectric liquid crystal 13 becomes
The one side liquid crystal molecules rotate in the same manner as the other side liquid crystal molecules
Compared to the case, it is greatly increased. In other words, ferroelectric liquid
Each liquid crystal molecule 13a of the crystal 13 is placed between the two electrode substrates 11 and 12.
When the applied voltage to the
It only starts rotating with pressure. this thing
Means that ferroelectric liquid crystal 13 has reached a definite threshold
Means Incidentally, the ferroelectric material subjected to the orientation treatment as described above
Experiments on the relationship between applied voltage and light transmittance in crystalline liquid crystal 13
As a result, as shown in FIG.
Obtained. In addition, the applied voltage is a response of the ferroelectric liquid crystal 13.
The applied voltage for a sufficient time longer than the response time
Light transmittance is a relative light transmittance. Also, as mentioned above
Force by conventional alignment method without such alignment processing
Experiment on the relationship between applied voltage and light transmittance in electro-optical liquid crystal
As a further confirmation, as shown in FIG.
Was done. By comparing these curves X and Y, it is easy to understand.
As can be seen, according to curve X, the ferroelectric liquid crystal 13
Light transmittance maintains zero (%) when applied voltage is 10 (V) or less
And rapidly increases at an applied voltage of 10 (V) to 20 (V), and
Maintain 100 (%) at an applied voltage of about 20 (V) or more
On the other hand, according to the curve Y, the light transmittance of the ferroelectric liquid crystal is
From applied voltage (V) to about 7 (V), 40 (%) to 1
00 (%), and 10 (V)
Maintain 0 (%). As a result, the characteristic by the curve X
The conventional ferroelectric liquid crystal 13 has a characteristic represented by a curve Y.
Very clear threshold characteristics compared to ferroelectric liquid crystal
I can recognize that. The characteristics of the applied voltage and light transmittance shown in FIG.
The characteristic is when the positive side of the applied voltage is equal to or higher than a predetermined voltage.
It shows that the light transmittance starts to increase, but the ferroelectric
Since the liquid crystal 13 has a memory property, the voltage mark on the positive polarity side
When a voltage higher than a predetermined voltage is applied to the negative polarity side
The light transmittance will begin to decrease. In addition, each row electrode X
1 to Xn and the intersections of the column electrodes Y1 to Ym
With each ferroelectric liquid crystal part present at each intersection
Each display pixel (1, 1), ‥‥, (1, m), (2, 1)
‥‥, (n, m) (see FIG. 1). Row electrodes and columns
When a proper unipolar voltage is applied between the electrodes
The display pixels transmit light in the molecular alignment state that the conductive liquid crystal can take.
State (that is, the ON display state).
Appropriate voltage of opposite polarity was applied between electrode and column electrode
Display pixel in the state of molecular alignment that ferroelectric liquid crystal can take
Becomes a state in which no light is transmitted (that is, an OFF display state).
So that the polarization axes of the polarizing plates 14 and 15 are ferroelectric liquid crystal.
Is determined in relation to the molecular orientation axis. In addition, the polarizing plate
Behind the light source 14, a light source for projecting light to the polarizing plate 14 is arranged.
Have been. Also, the ferroelectric liquid crystal is released from its voltage application.
The previous state is maintained after the cancellation. Further, the liquid crystal display device is as shown in FIG.
And the line-sequential scanning circuit 20
The connected reference signal generation circuit 30 and the line-sequential scanning circuit 20
A row driving circuit 40 connected to the reference signal generating circuit 30;
And a column driving circuit 50.
Is a ROM 21 and a controller connected to the ROM 21.
, And is constituted by a roller 22. The ROM 21 has a liquid crystal cell.
Display data representing predetermined display contents to be displayed on the
Data is stored in advance, and this display data is stored in the liquid crystal cell.
Row electrode display data input to any of the 10 row electrodes
And column electrode display data input to each column electrode of the liquid crystal cell 10.
And the The controller 22 receives a reference clock pulse a
(See FIG. 7) are sequentially generated, and a synchronization pulse b (see FIG. 7)
Are sequentially generated, and shift clock pulses q are sequentially generated,
The row electrode display data from the ROM 21 is converted into a data pulse Px
And the column electrode display data from the ROM 21
Are sequentially generated as data pulses Py. Reference signal
As shown in FIG. 1 and FIG.
And the inverter 3 connected to the
1, the controller 32,
Equipped with a binary counter 33 connected to the inverter 32
Inverter 31 is connected to each
Inversion pulse b is sequentially inverted and generated as an inversion pulse
You. The inverter 32 is provided with each inverted pulse from the inverter 31.
Inversion pulse (ie, synchronization pulse b)
Occurs as The binary counter 33 is an inverter
Is repeatedly reset by each sync pulse b from
After each reset, each reference clock from the controller 22
Counting while inverting the clock pulse a, and counting each result
As a binary pulse e from the output terminal Q2 (see FIG. 7),
What happens next. Further, the reference signal generating circuit 30
OR gate connected to the counter 32 and the binary counter 33
And an inverter 35 connected to the binary counter 33
And the OR gate 34 is connected to the inverter 32
At the high level in response to the rise of the synchronization pulse b.
After generating the auto pulse C1 (see FIG. 7),
Each binary pulse e from the counter 33 and the inverter 32
In response to each of the synchronizing pulses b.
Gate pulse C2 (see FIG. 7) goes high every time
Occurs at Each gate path from the OR gate 34
Lus C1 and C2 are the synchronous pulses b from inverter 32.
Goes low in response to the falling edge of. Inverter 35
Sequentially outputs each binary pulse e from the binary counter 33.
It is inverted and generated as an inverted pulse e (bar). The row drive circuit 40 is connected to the controller 22.
Shift register 40A and reference signal generation circuit 30
And each logic circuit 40B connected to the shift register 40A
1, 40B2,..., 40Bn.
The register 40A receives each synchronization pulse from the controller 22.
b are sequentially received as shift pulses, and each of these shift pulses
Data pulses from the controller 22 in synchronization with the
Px is discussed in any of the logic circuits 40B1 to 40Bn.
The shift is sequentially performed from the logical circuit 40B1 to the logical circuit 40Bn.
To give a data pulse h (see FIG. 7). The logic circuit 40B1 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 5, the inverter 3 of the reference signal generation circuit 30
2 and AND gate 4 connected to shift register 40A
1, the inverter 35 of the reference signal circuit 30 and the shift register.
Having a NAND gate 42 connected to the transistor 40A.
The AND gate 41 receives the signal from the shift register 40A.
During the high level of the data pulse h, the
Gate pulse j at high level in response to sync pulse b
(See FIG. 7). Also, from the AND gate 41
Is the synchronization pulse b from the inverter 32
Goes low in response to the falling edge of. NAND gate
42 is the data pulse h from the shift register 40A.
In response to the inversion pulse e (bar) from the inverter 35
And both the data pulse h and the inverted pulse e (bar) are high.
Gate pulse i at low level at level (see FIG. 7)
And the gate pulse i is inverted into an inversion pulse e (bar).
-) Or high level when data pulse h is low level
To The logic circuit 40B1 includes an AND gate
NOR gate 4 connected to a NAND gate 41 and a NAND gate 42
3 and the NOR gate 43 is provided with an AND gate 4
1 and each gate pulse j, i from the NAND gate 42
Gate pulse k at high level only at low level of
(See FIG. 7). Transmission gate 4
4 is a high level gate pulse from the AND gate 41.
In response to the pulse j, the gate pulse j is supplied to the constant voltage circuit 4
Based on the negative voltage (-2Vo) from 4a, (-2Vo)
Each signal as a scanning signal S1 having a level of
Output terminal common to transmission gates 45 and 46
47, which is generated from 47 and applied to the row voltage X1 of the liquid crystal cell 10.
Each transmission gate 44, 45, 46
For example, Toshiba Corporation's TC4066 type integrated circuit
Adopted. The transmission gate 46 is
In response to the gate pulse k from the NOR gate 43,
Of the gate pulse k after falling of the gate pulse j.
Under the high level of the tap pulse h, the
Shift to the positive constant voltage (+ Vo)
Emitted from output terminal +47 as scanning signal S2 (see FIG. 8)
It is applied to the row electrode X1. In such a case, both scanning signals S
1, S2 is a selection signal for selecting the row electrode X1 (FIG. 8).
(See T) for T / n. However, the symbol T is one stroke
This represents the surface display time (see FIG. 9). The transmission gate 45
High level gate pulse i from NAND gate 42
At the zero level (immediately after the falling of the data pulse h).
To the ground level), and the result of this shift is
The signal generated from the output terminal 47 as signal S3 (see FIG. 8)
Applied to pole X1. In such a case, the scanning signal S3 is
A non-selection signal (see FIG. 8) for deselecting the pole X1;
And functions during T / n. The remaining logic circuits 40B2 to 40Bn share
And the logic circuit 40B1.
Each of the logic circuits 40B2 to 40Bn includes a shift register 40
A from each data pulse h from A and reference signal circuit 30
In response to the synchronization pulse b and the gate pulse e of
Similarly to the path 40B1, each scanning signal S1, S2 and S3 is
Each occurs. Thus, both signals from the logic circuit 40B2
The scanning signals S1, S2 and the scanning signal S3 are a selection signal and
A non-selection signal is applied to the row electrode X2 of the liquid crystal cell 10, respectively.
And both scanning signals S1 and S2 from the logic circuit 40B3.
2 and the scanning signal S3 are used as a selection signal and a non-selection signal.
Each is applied to the row electrode X3 of the liquid crystal cell 10, and
Further, both scanning signals S1, S2 from the logic circuit 40Bn and
The scanning signal S3 is a selection signal and a non-selection signal, respectively.
And applied to the row electrodes of the liquid crystal cell 10. The column drive circuit 50 is connected to the controller 22.
The shift register 50A and the latch 50B connected to each other and the reference
Each logic circuit connected to the signal generation circuit 30 and the latch 50B
Roads 50C1, 50C2, ‥‥, 50Cm,
The shift register 50A stores each data from the controller 22.
Data pulse Py from the controller 22
It is sequentially input in response to the lock pulse q,
Repeatedly convert to m data pulses and apply to latch 50B
I do. The latch 50B is connected to each of the shift registers 50A.
m data pulses from each controller
And successively latches the data pulse d
Each of the logic circuits 50C1, 50C2,.
50, 50 Cm. The logic circuit 50C1 is shown in FIGS.
As shown in the figure, the inverter 51 connected to the latch 50B
OR gate of the latch 50B and the reference signal generation circuit 30
And an AND gate 52 connected to the
And connected to the inverter 35 of the reference signal generation circuit 30.
Connected to AND gate 53 and both AND gates 52 and 53
The inverter 51 includes a NOR gate 54
The latch data pulse from the latch 50B is inverted to
Inverts the data pulse. AND gate 52 has a latch
O during the high level of the latch data pulse d from 50B.
In response to each of the gate pulses c1 and c2 from the R gate 34,
In response, each gate pulse is generated at high level, and
When the switch data pulse d is low,
Generate a pulse. The AND gate 53 receives the signal from the inverter 51
Low level when the inverted data pulse of
Generate a high-speed pulse, and a high level of the inverted data pulse.
Each inverted pulse e (bar) from the inverter 35 during the bell
Generates each gate pulse at high level in response to
You. The NOR gate 54 is connected to both AND gates 52 and 53.
In response to each of these gate pulses, the latch data pulse d
Of each gate pulse f1 (see FIG. 7) during the high level of
During the low level of the latch data pulse d.
A heat pulse f2 (see FIG. 7) is sequentially generated. NORGE
Port 55 is supplied from reference signal generating circuit 30 and inverter 32.
Each synchronization pulse b and each gate pulse from the NOR gate 54
Each gate pulse at high level in response to
G1 and g2 (see FIG. 7) are sequentially generated. The transmission gate 56 is an invar
Each synchronous pulse b in response to each synchronous pulse b from the
To the zero level (that is, the ground level)
Is output terminal 59 common to transmission gates 57 and 58
Liquid crystal cell 1 generated as each data signal D1 (see FIG. 8).
0 is applied to the column electrode Y1. Also transmission
The gate 57 receives the gate pulse f1 from the NOR gate 54.
And the transmission gate 58
When the gate pulse g1 is received from the OR gate 55,
The transmission gate 57 supplies the gate pulse f1 with a constant voltage.
Up to the level of the negative constant voltage (-V1) from the circuit 57a.
Transmission gate 58
The gate pulse g1 is a positive constant voltage from the constant voltage circuit 58a.
Shift to level (+ V1). For this reason, such transmissions
The shift results of the gates 57 and 58 are combined and output.
59, each AC data signal D2 (see FIG. 8) is at zero level.
And is applied to the column electrode Y1. Take
In this case, each data signal D1, D2 is applied to the column electrode Y1.
Each ON data signal functions for T / n.
(See FIG. 8). Each transmission gate 5
For example, TC4 manufactured by Toshiba Corp.
A 066 type integrated circuit is employed. When the transmission gate 57 is N
Upon receiving each gate pulse f2 from the OR gate 54
The transmission gate 58 is the NOR gate 55
When each gate pulse g2 is received from the
The gate 57 outputs each gate pulse f2 to the constant voltage circuit 57a.
Shift to the negative constant voltage level (-V1) from
In both cases, the transmission gate 58 is
G2 is the level of the positive constant voltage from the constant voltage circuit 58a.
(+ V1). For this reason, such transmissions
The shift results of the gates 57 and 58 are combined and output.
59, each AC data signal D3 (see FIG. 8) is at zero level.
And is applied to the column electrode Y1. Take
In this case, both data signals D1 and D3 are applied to the column electrode Y1.
Function as each OFF data signal during T / n
(See FIG. 8). The remaining logic circuits 50C2 to 50Cm share
And the logic circuit 50C1.
Each of the logic circuits 50C2 to 50Cm receives a signal from the latch 50B.
Each latch data pulse d and the reference signal generation circuit 30
Pulse b and gate pulses c1, c2, e
(Bar), as in the logic circuit 50C1, each data
Data signals D1, D2 and D3. Thus, both data from the logic circuit 50C2 are
Data signals D1, D2 and both data signals D1, D3 are ON.
The liquid crystal cell is used as the data signal and the OFF data signal, respectively.
Applied to the column electrode Y2 of the logic circuit 10 and from the logic circuit 50C3.
Data signals D1, D2 and both data signals D1, D3
Are the ON data signal and the OFF data signal, respectively.
Is applied to the column electrode Y3 of the liquid crystal cell 10;
Both data signals D1, D2 from the logic circuit 50Cm and both
Data signals D1 and D3 are an ON data signal and an OFF data signal.
Data signal to the column electrode plate Ym of the liquid crystal cell 10 respectively.
Granted. Here, each constant voltage circuit 44a outputs
Constant voltage (-2 Vo), constant voltage from constant voltage circuit 46a
(+ Vo), the constant voltage (−V) from the constant voltage circuit 57a.
1) and the constant voltage (+ V1) from the constant voltage circuit 58a.
The determination method will be described. Display in OFF display state
A voltage is applied to the pixel (n, m) to change to the ON display state.
The light transmittance of the display pixel (n, m) is 9
The time to reach 0% is defined as the response time of the ferroelectric liquid crystal 13,
Before corresponding to the signal width of the data signal D1 or the scanning signal S1
The response time is set as the response time to and the data signal D2 or
Represents the response time corresponding to the signal width of the scanning signal S2 by 4t.
Let o be V in relation to curve X (see FIG. 3).O
= 15 (V) and V1 = 7.5 (V),
VO+ V1 = 22.5 (v), VO−V1 = 7.5
(V) and VO+ V1
The excess rate becomes 100% and VOWhen a voltage of -V1 is applied
The light transmittance becomes 0% when the threshold voltage of the ferroelectric liquid crystal is reduced.
The pressure can be clarified. However, the set response time toIs VO+
The response when a voltage of V1 = 22.5 (V) is applied.
Time. In the present embodiment configured as described above,
The line-sequential scanning circuit 20 outputs the reference clock pulse a,
Period pulse b, shift clock pulse q, data pulse P
x and data pulse Py are sequentially generated, respectively,
The raw circuit 30 generates each reference clock pulse a and each synchronization pulse.
b, each synchronization pulse b, each gate pulse c
1, c2, and e (bar) are the timings shown in FIG.
, The row drive circuit 40 causes the line-sequential scanning
Sequence of each synchronization pulse b and data pulse Px from the path 20
, The synchronization pulse b from the reference generation signal circuit 30 and each gate
In response to the pulse e (bar), a selection signal (both scanning signals S
1, S2) or a non-selection signal (scanning signal S3).
Row electrode X1 or row electrode X1
From the row electrode Xn to the row electrode Xn while shifting by T / n
On the other hand, the column driving circuit 50
Each synchronization pulse b, each shift clock pulse q and each data
Data pulse Py and the same signal from the reference signal generation circuit 30.
Period pulse b, each gate pulse c1, c2, e (bar)
In response, each ON data signal (data signal D1, D2)
Alternatively, each OFF data signal (data signal D1, D3)
Repeatedly applied to each column electrode Y1 to Ym of the liquid crystal cell 10, respectively.
(See FIG. 9). In such a state, the liquid crystal cell 10
The row driving circuit 40 and the column driving circuit 50
Each display pixel (1,
This will be described by taking 1) and (1, 2) as examples. For example, the line
The drive circuit 40 supplies a selection signal (both scanning signals S1) to the row electrode X1.
And S2), and the column driving circuit 50
An ON data signal (both data signals D1 and D2) is applied to Y1.
When given, the display pixel (1, 1) turns on the display pixel (FIG. 1).
0). In such a case, the row electrode X1 and the column
The scanning signal S1 and the data signal D1
Of the erase signal E1 (see FIG. 11A) by combining
And the scanning signal S2 and the data signal D
2 is combined with the write signal W1 (see FIG. 11A).
It will be granted for 4 to. However, the erase signal E1
Has a level of (-2 Vo), while write signal W1
Changes the level of (Vo + V1) and the level of (-V1)
Signal. Thus, the display pixel (1, 1) outputs the erase signal
Supports E1 level (-2Vo) and set response time to
OFF display state based on the signal width
A diagram according to a response of the ferroelectric liquid crystal 13 to the write signal W1.
ON display by increasing light transmittance as shown in 11 (B)
State. After T / n, non-selection from the row drive circuit 40 is performed.
Select signal and the ON data signal from the column drive circuit 50 (or
Is an AC holding signal H obtained by synthesizing an OFF data signal.
(See FIG. 11A) is applied to the display pixel (1, 1).
To maintain the ON display state. In such a case, the holding signal H
Due to the level change and signal width of ± V1, the ferroelectric liquid crystal 1
3 is almost unresponsive and the display state of the display pixel (1, 1) is ON.
Secured. The row drive circuit 40 selects the row electrode X1.
Signals (both scanning signals S1 and S2) and columns
The drive circuit 50 supplies an OFF data signal (both data) to the column electrode Y2.
Data signals D1 and D3), the display pixels (1,
2) is the OFF display pixel (see the hatched portion in FIG. 10)
Function as In such a case, the row electrode X1 and the column electrode Y2
Between the scanning signal S1 and the data signal D1.
Signal E2 (see FIG. 11 (C)) is interleaved with to
Of the scanning signal S2 and the data signal D3.
The write signal W2 (see FIG. 11C) resulting from the combination is 4 to
Will be granted. However, the erase signal E2 is (−
2Vo) while the write signal W2 is at (V1
−Vo) and (+ V1). Thus, the display pixels (1, 2) receive the erase signal.
Signal width corresponding to level (-2Vo) and to of signal E2
Is turned off once based on the write signal W
Under the non-operation of the ferroelectric liquid crystal 13 with respect to the step change of 2
As a result, the light transmittance is maintained at almost zero as shown in FIG.
Then, an OFF display state is realized. In addition, OFF table after that
The holding of the indicated state is performed by the holding signal H as described above.
You. (See FIGS. 1A and 1C). Also, other display pixels
The liquid crystal cell 10 is driven in a similar manner,
Drive. As described above, the ferroelectric liquid crystal 13
It has a light transmittance-voltage characteristic specified by a curve X in FIG.
Thus, the inner surfaces of both conductive films 11b and 12b are
By performing the alignment treatment by forming 6, 17
ON display state and OFF display state of each display pixel of cell 10
When driving dynamically to clarify the state,
Scanning signals to be applied to the electrodes X1 to Xn, and each column electrode Y
1 to Yn, the light signal
It only requires a simple waveform change in relation to the pressure characteristics.
No. Therefore, the clear threshold characteristic of the ferroelectric liquid crystal 13 is
Of the column drive circuit and the drive circuit of the display device.
Improved display contrast while greatly simplifying circuit configuration
Can be achieved. In addition, the voltage applied to the liquid crystal cell 10 is one screen.
In the display time T, all are canceled and become zero, so that the ferroelectric
Deterioration of the liquid crystal due to DC components can also be prevented. In addition,
In practicing the present invention, both conductive films 11b and 12b
The deposition films 16 and 17 were formed, respectively.
Instead, evaporation is performed only on one of the conductive films 11b and 12b.
It may be performed so that the film 16 or 17 is formed.
No. In the practice of the present invention, a ferroelectric liquid
The arrangement necessary to give bending deformation to the smectic layer of crystal 13
The direction treatment method is not limited to the oblique deposition method.
For high pretilt used for alignment of SBE liquid crystal
Polyimide alignment film LQ-1800 (Hitachi Chemical Co., Ltd.)
Is applied to each of the conductive films 11b and 12b, and then each deposited film 1
Rubbing by aligning the rubbing direction with the deposition direction of 6, 17
It may be carried out as follows. In practicing the present invention, the liquid crystal cell
The reflector 10 may be of a reflection type without being limited to the transmission type.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施形態を示す全体構成図である。 【図2】図1における液晶セルの拡大概略断面図であ
る。 【図3】強誘電性液晶の光透過率と印加電圧との関係を
示すグラフである。 【図4】図1における基準信号発生回路の詳細回路図で
ある。 【図5】図1における行駆動回路の論理回路の詳細回路
図である。 【図6】図1における列駆動回路の論理回路の詳細回路
図である。 【図7】図1及び図4〜図6における主要な回路素子の
出力波形図である。 【図8】データ信号と走査信号の波形を示す図である。 【図9】図1における液晶セルに付与される信号の説明
図である。 【図10】行電極と列電極の部分拡大図である。 【図11】液晶セルに対する印加信号の説明図である。 【符号の説明】 10…液晶セル、20…線順次走査回路、30…基準信
号発生回路、40…行駆動回路、50…列駆動回路。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an overall configuration diagram showing one embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged schematic sectional view of the liquid crystal cell in FIG. FIG. 3 is a graph showing a relationship between a light transmittance of a ferroelectric liquid crystal and an applied voltage. FIG. 4 is a detailed circuit diagram of a reference signal generation circuit in FIG. 1; FIG. 5 is a detailed circuit diagram of a logic circuit of the row drive circuit in FIG. FIG. 6 is a detailed circuit diagram of a logic circuit of the column drive circuit in FIG. FIG. 7 is an output waveform diagram of main circuit elements in FIGS. 1 and 4 to 6; FIG. 8 is a diagram showing waveforms of a data signal and a scanning signal. 9 is an explanatory diagram of signals applied to the liquid crystal cell in FIG. FIG. 10 is a partially enlarged view of a row electrode and a column electrode. FIG. 11 is an explanatory diagram of an applied signal to a liquid crystal cell. [Description of References] 10: liquid crystal cell, 20: line sequential scanning circuit, 30: reference signal generation circuit, 40: row drive circuit, 50: column drive circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/133 G09G 3/36──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G02F 1/133 G09G 3/36

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 (1)n条の行電極とm条の列電極とを互いに格子状に
対向させるように並設した第1、第2の電極基板(1
1、12)間に強誘電性液晶を封入してmn個の表示画
素を形成する液晶セル(10)と、 前記n条の行電極に選択信号と非選択信号とからなる走
査信号を順次印加する行駆動回路(40)と、 前記m条の列電極にデータ信号を印加する列駆動回路
(50)とを備え、前記走査信号と前記データ信号との
合成信号を前記mn個の表示画素に印加して、前記mn
個の表示画素によりマトリックス表示を行うようにした
マトリックス型液晶表示装置において、 前記強誘電性液晶の液晶分子には、前記第1、第2の電
極基板の相対向する面に対してプレティルト角が与えら
れ、前記第1の電極基板に与えられたプレティルト角と
前記第2の電極基板に与えられたプレティルト角とが逆
傾斜の関係を有しており、 前記液晶セルは、前記第1、第2の電極基板間の印加電
圧に対し一方極性側、他方極性側において、絶対値が所
定の電圧以上で光透過率が変化し始める閾値を有する印
加電圧−光透過率特性を有しており、 前記選択信号と前記データ信号との合成信号は、前記表
示画素を消去する消去信号(E1 、E2 )と、この消去
信号に続き前記表示画素の光透過状態を決定する書込信
号(W1 、W2 )を有し、 前記非選択信号と前記データ信号との合成信号は、前記
書込信号により決定された表示画素の光透過状態を維持
する保持信号(H)であり、 前記データ信号は、基準電圧を基準とした交流パルス電
圧(D2、D3)を有し、連続する各交流パルス電圧の
間に前記基準電圧が介在するように構成されており、前
記交流パルス電圧は、前記基準電圧の印加時間(to)
より長いパルス幅(2to)で前記表示画素の光透過状
態を決定するためのパルス電圧を含んで構成されている
ことを特徴とするマトリックス型液晶表示装置。 (2)前記交流パルス電圧の印加時間(4to)は、前
記基準電圧の印加時間の4倍になっていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載のマトリックス型液晶
表示装置。 (3)前記パルス電圧のパルス幅は、前記基準電圧の印
加時間の2倍の時間(2to)になっていることことを
特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項に記載のマ
トリックス型液晶表示装置。
(57) [Claims] (1) First and second electrode substrates (1) in which n row electrodes and m row electrodes are arranged side by side so as to face each other in a grid pattern.
A liquid crystal cell (10) for forming mn display pixels by enclosing a ferroelectric liquid crystal between (1) and (12), and a scanning signal comprising a selection signal and a non-selection signal is sequentially applied to the n row electrodes. And a column drive circuit (50) for applying a data signal to the m column electrodes, and a combined signal of the scan signal and the data signal is applied to the mn display pixels. Apply the above mn
In a matrix type liquid crystal display device in which a matrix display is performed by a plurality of display pixels, a liquid crystal molecule of the ferroelectric liquid crystal has a pretilt angle with respect to an opposing surface of the first and second electrode substrates. And a pretilt angle given to the first electrode substrate and a pretilt angle given to the second electrode substrate have a relationship of reverse inclination, and the liquid crystal cell has the first and second liquid crystal cells. On the one polarity side, the other polarity side with respect to the applied voltage between the two electrode substrates, has an applied voltage-light transmittance characteristic having a threshold value at which the light transmittance starts to change at an absolute value of a predetermined voltage or more, The combined signal of the selection signal and the data signal includes an erasing signal (E 1 , E 2 ) for erasing the display pixel and a write signal (W) for determining the light transmission state of the display pixel following the erasing signal. 1, W 2) Yu A composite signal of the non-selection signal and the data signal is a holding signal (H) for maintaining a light transmission state of a display pixel determined by the write signal, and the data signal is based on a reference voltage. The AC pulse voltage (D2, D3) is configured such that the reference voltage is interposed between each successive AC pulse voltage, and the AC pulse voltage is applied to the reference voltage for an application time (to).
A matrix-type liquid crystal display device comprising a pulse voltage for determining a light transmission state of the display pixel with a longer pulse width (2 to). (2) The matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the application time (4 to) of the AC pulse voltage is four times as long as the application time of the reference voltage. (3) The matrix according to claim 1 or 2, wherein the pulse width of the pulse voltage is twice as long as the application time of the reference voltage (2 to). Liquid crystal display device.
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