JP2680392B2 - Matrix type ferroelectric liquid crystal display device - Google Patents

Matrix type ferroelectric liquid crystal display device

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JP2680392B2
JP2680392B2 JP33130888A JP33130888A JP2680392B2 JP 2680392 B2 JP2680392 B2 JP 2680392B2 JP 33130888 A JP33130888 A JP 33130888A JP 33130888 A JP33130888 A JP 33130888A JP 2680392 B2 JP2680392 B2 JP 2680392B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は強誘電性液晶電気光学装置に係わり、詳しく
は文字,図形及びTV画像等の情報を表示するマトリクス
型強誘電性液晶表示装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a ferroelectric liquid crystal electro-optical device, and more particularly to a matrix type ferroelectric liquid crystal display device for displaying information such as characters, figures and TV images. .

〔従来の技術〕[Conventional technology]

現在、液晶表示装置としてはTN(Twisted Nematic)
型表示方式が最も広く用いられている。しかし、他の表
示装置(例えば、蛍光表示管,プラズマディスプレイ
等)と比較すると応答速度の点で劣っており、大巾な改
善が現在までのところ見られていない。
Currently, the liquid crystal display device is TN (Twisted Nematic)
The type display method is most widely used. However, compared to other display devices (for example, a fluorescent display tube, a plasma display, etc.), it is inferior in response speed, and no significant improvement has been seen so far.

最近、強誘電性液晶を利用した表示方式が発表(特開
昭56−107216号公報)され、その速い応答速度の他に、
高コントラスト,表示メモリー効果等の高マトリクス性
に有効な特性を示すことから非常に注目を集めている。
Recently, a display method using a ferroelectric liquid crystal was announced (Japanese Patent Laid-Open No. 56-107216), and in addition to its fast response speed,
It has attracted a great deal of attention because of its properties that are effective for high matrix properties such as high contrast and display memory effect.

強誘電性液晶とは、強誘電性を示す液晶のことを言
う。結晶の対称性の理論から1975年Meyerらによっては
じめて強誘電性液晶が合成され、現在までのところ強誘
電性液晶相としてはカイラルスメクチックC相,カイラ
ルスメクチックI相,カイラルスメクチックG相などが
発見されている。ここでは、一般に最も広く研究されて
いるカイラルスメクチックC相を用いてその性質を説明
する。強誘電性液晶は、スメクチック層と呼ばれる層構
造を有する液晶で、液晶分子はこの層法線方向に対して
角度θだけ傾いている。また、液晶分子は不斉原子と分
子長軸に垂直な方向に自発分極となる永久双極子モーメ
ントを有しており、強誘電性液晶系全体はラセミ体でな
い光学活性な構成となっている。強誘電性液晶分子が不
斉原子を有しているため通常らせん構造をとっている。
これを特開昭56−107216号公報で記述されている様にそ
のらせんピッチの3倍以下の間隔の基板間に挟んでセル
を構成すると、そのらせん構造が基板壁面の効果によっ
てほどけ、自発分極が基板に垂直な方向に一様に配列し
た2状態が安定に存在するようになる。これがいわゆる
メモリー効果と呼ばれる。この2状態は、自発分極の向
きが互いに逆方向を向いており、分子長軸の向きが、一
方は前述の層法線方向に対してθだけ傾いているとする
と、他方は−θだけ傾いていることにそれぞれ対応して
いる。このとき、直交ニコル間にセルを置き、偏光子を
前記一方の分子長軸と平行となるようにすれば、偏光之
を透過した直線偏光はそのまま液晶層を通り抜けるが、
検光子によって遮られ暗状態となる。この状態で他方
は、偏光子を透過した直線偏光が液晶分子の複屈折効果
により検光子を通り抜け明状態が得られる。ここで、前
記基板に垂直方向に直流電界を印加すると、自発分極が
電界方向を向く性質に従って分子長軸が層法線方向に対
して一様にθ(又は−θ)傾いた配列となる。これとは
逆方向の直流電界を印加すると分子は一様に−θ(又は
θ)の配列となる。このように電界の向きによって明暗
の状態をスイッチングすることができる。
Ferroelectric liquid crystal refers to liquid crystal exhibiting ferroelectricity. From the theory of crystal symmetry, a ferroelectric liquid crystal was first synthesized by Meyer et al. In 1975. So far, as the ferroelectric liquid crystal phase, a chiral smectic C phase, a chiral smectic I phase, a chiral smectic G phase, etc. have been discovered. ing. Here, the properties will be described using a chiral smectic C phase, which is generally most widely studied. Ferroelectric liquid crystal is a liquid crystal having a layer structure called a smectic layer, and liquid crystal molecules are inclined by an angle θ with respect to the layer normal direction. In addition, the liquid crystal molecules have a permanent dipole moment that causes spontaneous polarization in the direction perpendicular to the asymmetric atom and the molecular long axis, and the entire ferroelectric liquid crystal system has a non-racemic optically active configuration. Since the ferroelectric liquid crystal molecules have asymmetric atoms, they usually have a helical structure.
As described in JP-A-56-107216, when a cell is formed by sandwiching it between substrates having a pitch of three times or less of the spiral pitch, the spiral structure is unraveled by the effect of the wall surface of the substrate, and spontaneous polarization occurs. The two states in which are uniformly arrayed in the direction perpendicular to the substrate become stable. This is called the so-called memory effect. In these two states, the directions of spontaneous polarization are opposite to each other, and if one of the molecular long axes is inclined by θ with respect to the layer normal direction, the other is inclined by −θ. It corresponds to each. At this time, if a cell is placed between the crossed Nicols and the polarizer is made parallel to the one molecular long axis, the linearly polarized light transmitted through the polarized light passes through the liquid crystal layer as it is,
It is blocked by the analyzer and goes dark. In this state, on the other hand, the linearly polarized light transmitted through the polarizer passes through the analyzer due to the birefringence effect of the liquid crystal molecules, and a bright state is obtained. Here, when a direct current electric field is applied to the substrate in the vertical direction, the long axes of the molecules are uniformly inclined with respect to the layer normal direction by θ (or −θ) according to the property that the spontaneous polarization is oriented in the electric field direction. When a DC electric field in the opposite direction is applied, the molecules are uniformly arranged in -θ (or θ). As described above, the light / dark state can be switched according to the direction of the electric field.

さて、上記スイッチング原理を利用したマトリクス型
強誘電性液晶表示装置をマトリクス駆動する場合、通常
第1図に示す水平方向に行電極群X1…Xnを順次選択して
走査し、これに同期して垂直方向の列電極群Y1…Ymには
並列に、“明”又は“暗”の信号電圧を一斉に印加する
線順次走査方式が用いられる。この方式を用いた具体的
例としては、強誘電性液晶の光学応答時間の印加電圧に
対する強い依存性を利用し、電圧変調によって駆動する
“2フィールド法”と呼ばれる方法などがある。
When the matrix type ferroelectric liquid crystal display device utilizing the above switching principle is matrix-driven, the row electrode groups X 1 ... X n are normally sequentially selected and scanned in the horizontal direction shown in FIG. Then, a line sequential scanning method is used in which the "bright" or "dark" signal voltages are simultaneously applied in parallel to the vertical column electrode groups Y 1 ... Y m . As a specific example using this method, there is a method called a “two-field method” in which the optical response time of the ferroelectric liquid crystal is driven by voltage modulation by utilizing the strong dependence on the applied voltage.

この方法をもう少し詳しく説明する。前記行電極と列
電極の交点である画素の“明”と“暗”の組み合せによ
って文字,図形等を表示する場合、強誘電性液晶が前記
の如く印加電圧の極性に応答する特殊性から“明”表示
画素を駆動する走査と“暗”表示画素を駆動する走査の
2回の走査を行って表示を完成する。各々の走査におけ
る駆動電圧信号は一対の矩形パルスから成り、選択画素
には電圧が±Vのパルス,非選択画には±V/4のパルス
が印加されるよう構成されている。ここで、選択画素と
は選択された行電極上の画素であって、“明”表示画素
を駆動する走査では“明”表示画素,“暗”表示画素を
駆動する走査では“暗”表示画素をこの場合指してい
る。また、非選択画素とは、選択されていない行電極上
の全ての画素をいう。
This method will be explained in a little more detail. When a character, a figure, or the like is displayed by a combination of "bright" and "dark" of a pixel, which is an intersection of the row electrode and the column electrode, the ferroelectric liquid crystal has the special characteristic of responding to the polarity of the applied voltage as described above. The display is completed by performing two scans, one for driving the "bright" display pixels and the other for driving the "dark" display pixels. The drive voltage signal in each scan is composed of a pair of rectangular pulses, and a pulse of voltage ± V is applied to the selected pixel and a pulse of ± V / 4 is applied to the non-selected image. Here, the selected pixel is a pixel on the selected row electrode, and is a "bright" display pixel in the scan for driving the "bright" display pixel and a "dark" display pixel in the scan for driving the "dark" display pixel. Is pointing in this case. The non-selected pixels are all pixels on the row electrodes that are not selected.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

マトリクス型強誘電性液晶表示装置をマトリクス駆動
する場合、前記のように非選択画素にも±V/4の電圧が
印加されてしまう。そのためマトリクス型強誘電性液晶
表示装置が良好な表示品位を保つためには少なくとも±
V/4の電圧が印加されても明るさが変化しないことが必
要である。即ち、前記2フィールド法の場合では±V/4
で光量が変化せず、±Vになって変化することが必要と
なる。結局マトリクス駆動を行うためにはある電圧まで
光量が変化しない特性(以下、しきい値特性という)が
要求される。
When the matrix type ferroelectric liquid crystal display device is matrix-driven, a voltage of ± V / 4 is applied to the non-selected pixels as described above. Therefore, in order for the matrix type ferroelectric liquid crystal display device to maintain good display quality, at least ±
It is necessary that the brightness does not change even when a voltage of V / 4 is applied. That is, in the case of the two-field method, ± V / 4
Therefore, it is necessary that the light quantity does not change and becomes ± V. After all, in order to perform matrix driving, a characteristic that the light amount does not change up to a certain voltage (hereinafter referred to as threshold characteristic) is required.

従来のマトリクス型強誘電性液晶表示装置では、しき
い値特性に優れたものは見い出されておらず、表示品位
が良好でないという問題があった。
In the conventional matrix type ferroelectric liquid crystal display device, no one having excellent threshold characteristics has been found, and there is a problem that the display quality is not good.

そこで、本発明は、表示コントラストが良いマトリク
ス型強誘電性液晶の表示装置の提供を目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide a display device of a matrix type ferroelectric liquid crystal having a good display contrast.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記課題を解決するため、請求項1に記載の発明にお
いては、n条の行電極とm条の列電極とを互いに格子状
に対向させるように並設した両電極基板間に強誘電性液
晶(13)を介在させてnm個の表示画素を形成する液晶セ
ル(10)と、前記n条の行電極に順次走査信号を付与
し、前記m条の列電極に明または暗のデータ信号を付与
する線順次走査方式を行うごとく構成された駆動制御手
段(20〜50)とを備えたマトリクス型強誘電性液晶表示
装置において、 前記強誘電性液晶は、印加電圧の一極性所定電圧範囲
内において印加電圧の絶対値の増大(又は減少)に応じ
第1の安定状態から第2の安定状態(又は、第2の安定
状態から第1の安定状態)に変化し、かつそれに応じ前
記液晶セルの透過光量を増大(又は減少)する透過光量
一電圧特性にヒステリシスを生じさせ、前記印加電圧の
逆極性所定電圧範囲内において印加電圧の絶対値の増大
(又は、減少)に応じ前記第1の安定状態から第3の安
定状態(又は、第3の安定状態から第1の安定状態)に
変化し、かつそれに応じ前記液晶セルの透過光量を増大
(又は、減少)する透過光量一電圧特性にヒステリシス
を生じさせるものであり、 前記駆動制御手段は、線順次走査における第1の期間
(第1フレーム)では、前記走査信号と前記明のデータ
信号との合成信号を、前記強誘電性液晶を前記第1の安
定状態にする消去電圧レベル(0V)と前記強誘電性液晶
を第1の安定状態から第2の安定状態に移行させる第1
の閾値電圧(v1)より絶対値において大きい電圧レベル
とを有する波形(E1,W1)として形成し、前記走査信号
と前記暗のデータ信号との合成信号を、前記消去電圧レ
ベル(0V)と絶対値において前記第1の閾値電圧(v1
以下の電圧レベルとを有する波形(E2,W2)として形成
して付与すると共に、これらに後続する信号として、前
記合成信号による前記強誘電性液晶の状態を保持する信
号波形(H)を付与し、第2の期間(第2フレーム)で
は、前記走査信号と前記明のデータ信号の合成信号を、
前記消去電圧レベル(0V)と前記強誘電性液晶を第1の
安定状態から第3の安定状態に移行させる第2の閾値電
圧(v1′)より絶対値において大きい電圧レベルとを有
する波形(E1′,W1′)として形成し、前記走査信号と
前記暗のデータ信号の合成信号を、前記消去電圧レベル
と絶対値において前記第2の閾値電圧(v1′)以下の電
圧レベルとを有する波形(E2′,W2′)として形成して
付与すると共に、これらに後続する信号として、前記合
成信号による前記強誘電性液晶の状態を保持する信号波
形(H′)を付与するようにしたことを特徴としてい
る。
In order to solve the above problems, in the invention according to claim 1, a ferroelectric liquid crystal is provided between both electrode substrates arranged in parallel so that n row electrodes and m row column electrodes face each other in a grid pattern. A liquid crystal cell (10) forming nm display pixels with (13) interposed, and a scanning signal is sequentially given to the n row electrodes, and a bright or dark data signal is supplied to the m column electrodes. In a matrix type ferroelectric liquid crystal display device provided with a drive control means (20 to 50) configured to perform a line-sequential scanning method of applying, the ferroelectric liquid crystal is within a certain polarity predetermined voltage range of an applied voltage. In the liquid crystal cell, the first stable state changes to the second stable state (or the second stable state to the first stable state) in response to an increase (or decrease) in the absolute value of the applied voltage, and the liquid crystal cell accordingly. -Voltage-Voltage characteristics that increase (or decrease) the amount of transmitted light Hysteresis is generated, and the first stable state to the third stable state (or the third stable state) in accordance with the increase (or decrease) of the absolute value of the applied voltage within a predetermined voltage range of the reverse polarity of the applied voltage. From the first stable state) and correspondingly increases (or decreases) the transmitted light amount of the liquid crystal cell to cause a hysteresis in the transmitted light amount-voltage characteristic, wherein the drive control means is line sequential. In a first period (first frame) in scanning, a combined signal of the scan signal and the bright data signal is combined with an erase voltage level (0V) that brings the ferroelectric liquid crystal to the first stable state. A first liquid crystal transition from a first stable state to a second stable state;
Is formed as a waveform (E 1 , W 1 ) having a voltage level larger in absolute value than the threshold voltage (v 1 ) of the above, and the composite signal of the scanning signal and the dark data signal is converted into the erase voltage level (0 V ) And the first threshold voltage (v 1 ) in absolute value
The waveform (E 2 , W 2 ) having the following voltage levels is formed and given, and a signal waveform (H) for holding the state of the ferroelectric liquid crystal by the synthesized signal is given as a signal following these waveforms (E 2 , W 2 ). In the second period (second frame), the composite signal of the scanning signal and the bright data signal is given.
A waveform having an erase voltage level (0 V) and a voltage level larger in absolute value than a second threshold voltage (v 1 ′) for shifting the ferroelectric liquid crystal from the first stable state to the third stable state ( E 1 ′, W 1 ′), and the combined signal of the scan signal and the dark data signal is a voltage level equal to or lower than the second threshold voltage (v 1 ′) in absolute value and the erase voltage level. waveform having a (E 2 ', W 2' ) together to impart formed as, as a signal for subsequent thereto, imparts a signal waveform which holds a state of the ferroelectric liquid crystal by the synthesized signal (H ') It is characterized by doing so.

請求項2に記載の発明では、請求項1に記載のマトリ
クス型強誘電性液晶表示装置において、前記第1の期間
(第1フレーム)における前記後続する信号は、絶対値
において前記第1の閾値電圧(v1)以下でかつ前記強誘
電性液晶を第2の安定状態から第1の安定状態に移行さ
せる閾値電圧(v3)以上の電圧レベルを有する信号波形
であり、前記第2の期間(第2フレーム)における前記
後続する信号は、絶対値において前記第2の閾値電圧
(v1′)以下でかつ前記強誘電性液晶を第3の安定状態
から第1の安定状態に移行させる閾値電圧(v3′)以上
の電圧レベルを有する信号波形であることを特徴として
いる。
According to a second aspect of the present invention, in the matrix-type ferroelectric liquid crystal display device according to the first aspect, the subsequent signal in the first period (first frame) is the first threshold value in absolute value. A signal waveform having a voltage level equal to or lower than a voltage (v 1 ) and equal to or higher than a threshold voltage (v 3 ) for shifting the ferroelectric liquid crystal from the second stable state to the first stable state, the second period The subsequent signal in the (second frame) is equal to or lower than the second threshold voltage (v 1 ′) in absolute value, and is a threshold value that shifts the ferroelectric liquid crystal from the third stable state to the first stable state. It is characterized in that it is a signal waveform having a voltage level higher than the voltage (v 3 ′).

請求項3に記載の発明では、請求項1又は2に記載の
マトリクス型強誘電性液晶表示装置において、前記消去
電圧レベルは、0レベルであることを特徴としている。
According to a third aspect of the invention, in the matrix type ferroelectric liquid crystal display device according to the first or second aspect, the erase voltage level is 0 level.

請求項4に記載の発明では、請求項1乃至3のいずれ
か1つに記載のマトリクス型液晶表示装置において、前
記消去電圧レベルは、前記強誘電性液晶が前記第2、第
3のいずれの安定状態にあっても前記第1の安定状態に
変化するに必要な応答時間以上(t0)継続して付与され
ることを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the matrix type liquid crystal display device according to any one of the first to third aspects, the erase voltage level of the ferroelectric liquid crystal is one of the second and third erase voltages. It is characterized in that it is continuously applied for a response time (t 0 ) or more required to change to the first stable state even in the stable state.

請求項5に記載の発明においては、請求項1乃至4の
いずれか1つに記載のマトリクス型液晶表示装置におい
て、前記第1の閾値電圧より絶対値において大きい電圧
レベルは、前記液晶を前記第2の安定状態にする第1の
飽和電圧(v2)であり、前記第2の閾値電圧より絶対値
において大きい電圧レベルは、前記液晶を前記第3の安
定状態にする第2の飽和電圧(v2′)であることを特徴
とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the matrix type liquid crystal display device according to any one of the first to fourth aspects, a voltage level larger in absolute value than the first threshold voltage causes the liquid crystal to have the The first saturation voltage (v 2 ) that brings the liquid crystal to the second stable state, and the voltage level that is larger in absolute value than the second threshold voltage has the second saturation voltage (v 2 ) that brings the liquid crystal to the third stable state. v 2 ′).

なお、上記した括弧内の符号、記号は、後述する実施
例記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
Note that the reference numerals and symbols in the parentheses described above show the correspondence with the specific means described in the embodiments described later.

〔作用〕[Action]

この様に構成した本発明においては、前記強誘電性液
晶が、印加電圧レベルによって3つの安定状態を有し、
それらの状態間をスイッチングするに当っては印加電圧
−透過光量特性において前記の如きヒステリシス特性を
有するために、該強誘電性液晶の明確なヒステリシス特
性を前提として、この種の表示装置における表示コント
ラストの向上を図り得る。
In the present invention thus configured, the ferroelectric liquid crystal has three stable states depending on the applied voltage level,
In switching between those states, since the applied voltage-transmitted light amount characteristic has the hysteresis characteristic as described above, the display contrast in this type of display device is premised on the clear hysteresis characteristic of the ferroelectric liquid crystal. Can be improved.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を図面により詳細に説明す
る。第1図は、本発明に係るマトリクス型強誘電性液晶
表示装置の全体構成を示している。この種の表示装置
は、マトリクス型液晶セル10を備えており、この液晶セ
ル10は、第1図及び第2図に示すごとく一対の電極基板
11,12を、例えば1〜10μmのギャップを介して互いに
平行に配設し、これら各電極基板11,12間に次の構造式
の4−(1−トリフルオロメチルヘプチルオキシカルボ
ニル)フェニル−4′−オクチルオキシビフェニル−4
−カルボキシレート(以下、TFMHPOBCと略す)13を密封
し、 〔4−(1−riluoro ethyl eptyloxycarbony
l)henyl 4′−ctyloxy iphenyl−4−arboxyl
ate〕 かつ、各電極基板11、12に互いに偏光軸を直交させて
なる各偏光板14、15をそれぞれ外方から添着して構成さ
れている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the overall structure of a matrix type ferroelectric liquid crystal display device according to the present invention. This type of display device includes a matrix type liquid crystal cell 10. The liquid crystal cell 10 has a pair of electrode substrates as shown in FIGS.
11, 12 are arranged in parallel to each other with a gap of, for example, 1 to 10 μm, and 4- (1-trifluoromethylheptyloxycarbonyl) phenyl-4 having the following structural formula is provided between the electrode substrates 11 and 12. ′ -Octyloxybiphenyl-4
-Sealing the carboxylate (hereinafter abbreviated as TFMHPOBC) 13, [4- (1- t ri f luoro m ethyl h eptyloxycarbony
l) p henyl 4'- o ctyloxy b iphenyl-4- c arboxyl
ate] Further, polarizing plates 14 and 15 each having polarization axes orthogonal to each other are attached to the electrode substrates 11 and 12 from the outside.

電極基板11は、第1図及び第2図に示すごとく、透明
状のガラス板11のその内表面に沿い酸化インジウム或い
は酸化スズからなる透明状の導電膜11bをn状の行電極X
1,X2,…,Xnとして第1図にて図示上下方向に互いに間隔
を付与するとともに同図示左右方向に平行に突設形成し
て構成されている。一方電極基板12は第1図及び第2図
に示すごとく、透明状のガラス板12aにその内表面に沿
い酸化インジウム或いは酸化スズからなる透明状の導電
膜12bをm状の列電極Y1,Y2,…,Ymとして第1図にて図示
左右方向に互いに間隔を付与するとともに前記各行電極
X1,X2,…,Xnに互いに直交するように突設形成して構成
されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the electrode substrate 11 has a transparent conductive film 11b made of indium oxide or tin oxide along the inner surface of a transparent glass plate 11 and an n-shaped row electrode X.
1 , X 2 , ..., X n are formed by providing a space in the vertical direction in FIG. 1 and projecting parallel to the horizontal direction in the drawing in FIG. Meanwhile electrode substrate 12 as shown in FIGS. 1 and 2, a transparent-like conductive film 12b made of indium oxide or tin oxide along its inner surface a transparent shaped glass plate 12a m-shaped column electrodes Y 1, Y 2 , ..., Y m are spaced from each other in the lateral direction shown in FIG.
X 1, X 2, ..., it is constructed by projecting formed so as to be perpendicular to each other in X n.

また導電膜11b,12bの内表面にはポリイミド,ポリア
ミド等の高分子膜16,17が付設され、強誘電性液晶分子1
3aが電極基板11,12に平行に配向するように高分子膜16,
17の内表面にラビング処理を行っている。強誘電性液晶
分子を配向させる手段としては、前記高分子膜をラビン
グ処理する替わりに酸化珪素等の斜方蒸着処理法を用い
ても良い。かかる場合、液晶セル10内への強誘電性液晶
13の密封にあたっては、まず、高分子膜16,17のラビン
グ方位が両導電膜11b,12bの各内表面間間隔の中心を通
り両導電膜11b,12bに平行となる中心線に対して平行と
なるように両電極基板11,12を平行に組み合せる。然る
後、強誘電性液晶13を加熱して等方性液体相として毛細
管現象を利用して両電極基板11,12間に注入し、かつ液
晶セル10全体を毎分0.1〜1℃程度にて除冷することに
より強誘電性液晶13をスメクチックC相になるまで冷
却する。
Further, polymer films 16 and 17 made of polyimide, polyamide or the like are attached to the inner surfaces of the conductive films 11b and 12b, and the ferroelectric liquid crystal molecules 1
Polymer film 16 so that 3a is oriented parallel to electrode substrates 11 and 12.
The inner surface of 17 is rubbed. As a means for orienting the ferroelectric liquid crystal molecules, an oblique vapor deposition treatment method of silicon oxide or the like may be used instead of the rubbing treatment of the polymer film. In such a case, the ferroelectric liquid crystal in the liquid crystal cell 10
In sealing 13, the rubbing direction of the polymer films 16 and 17 is first parallel to the center line that passes through the center of the distance between the inner surfaces of the conductive films 11b and 12b and is parallel to the conductive films 11b and 12b. The two electrode substrates 11 and 12 are combined in parallel so that After that, the ferroelectric liquid crystal 13 is heated to be injected as an isotropic liquid phase between the electrode substrates 11 and 12 by utilizing the capillary phenomenon, and the entire liquid crystal cell 10 is heated to about 0.1 to 1 ° C. per minute. Then, the ferroelectric liquid crystal 13 is cooled until it becomes a smectic C * phase.

この様な冷却の結果、スメクチック層形体をとる強誘
電性液晶13は高分子膜16,17のラビング方向に沿い配向
することとなるが、第2図に示す様にスメクチック層13
cは“く”の字に折れ曲がっている。この時の強誘電性
液晶分子13の電界とその向きによって安定状態をとる分
子配列を第3図を用いて説明する。同図では、液晶セル
10の法線方向から見た図とその断面方向斜視図をそれぞ
れ対応させて示してある。まず、第3図(a)は無電界
の時に安定な液晶分子配列を示している。液晶分子13a
の分子長軸はラビング方向と略平行で断面図でみると、
液晶セル10の上半分では自発分極13bが右向き(又は左
向き)に下半分では自発分極13bが左向き(又は右向
き)に向く様に配向している。即に、液晶分子13aが電
界によって動く軌道13d(通常スメクチックコーンと呼
ばれる)上で表わせば、液晶セル10の上半分では液晶分
子13aが下方向、下半分では上方向に位置しスメクチッ
ク層13cが“く”の字に折れ曲がった部分で分割され
る。この状態は、直交ニコル間に置いて観察すれば消光
位が観測される。
As a result of such cooling, the ferroelectric liquid crystal 13 in the smectic layer form is oriented along the rubbing direction of the polymer films 16 and 17, but as shown in FIG.
c is bent in the shape of "ku". The molecular arrangement in which a stable state is established depending on the electric field of the ferroelectric liquid crystal molecules 13 and its direction at this time will be described with reference to FIG. In the figure, the liquid crystal cell
The view seen from the direction of 10 normal lines and the cross-sectional perspective view thereof are shown in correspondence with each other. First, FIG. 3 (a) shows a stable liquid crystal molecule alignment in the absence of an electric field. Liquid crystal molecule 13a
The molecular long axis of is almost parallel to the rubbing direction,
In the upper half of the liquid crystal cell 10, the spontaneous polarization 13b is oriented rightward (or leftward), and in the lower half the spontaneous polarization 13b is oriented leftward (or rightward). Immediately, if the liquid crystal molecules 13a are represented on an orbit 13d (usually called a smectic cone) moved by an electric field, the liquid crystal molecules 13a are located in the lower half of the upper half of the liquid crystal cell 10 and in the upper half of the lower half, and the smectic layer 13c is formed. It is divided by the bent part in the shape of "ku". If this state is observed between orthogonal Nicols, the extinction position is observed.

次に、液晶セル10の両電極基板11,12間に電界を印加
する(第3図(b)の断面図では紙面に沿って下から上
向きに印加する)と、液晶分子13aはその自発分極13bの
向きが電界方向に揃うため、分子長軸が前記第3図
(a)の配向方向から角度θだけずれた状態、即ち、自
発分極13bが上向きでスメクチックコーン13d上で言えば
右側に位置する状態が安定状態となる。さらに、これと
逆向きの電界を印加すると、第3図(c),前記と同様
の理由で分子長軸が同図(b)とは逆方向に角度−θだ
けずれた状態、即ち、自発分極13bが下向きで、スメク
チックコーン13d上で言えば左側に位置する状態が安定
状態となる。そして、この第3図(b),(c)の状態
も同図(a)と同様に直交ニコル間で観察すると消光性
が互いに角度2θずれた位置に観測される。
Next, when an electric field is applied between the electrode substrates 11 and 12 of the liquid crystal cell 10 (from the bottom to the top in the sectional view of FIG. 3B), the liquid crystal molecules 13a are spontaneously polarized. Since the direction of 13b is aligned with the direction of the electric field, the molecular long axis is deviated from the orientation direction of FIG. 3 (a) by an angle θ, that is, the spontaneous polarization 13b is upward and is located on the right side of the smectic cone 13d. The state in which it does becomes a stable state. Further, when an electric field in the opposite direction is applied, the molecular long axis is deviated by an angle −θ in the direction opposite to that in FIG. 3 (b) for the same reason as described above in FIG. The state in which the polarization 13b is facing downward and is located on the left side of the smectic cone 13d is the stable state. When the states of FIGS. 3 (b) and 3 (c) are also observed between the orthogonal Nicols as in the case of FIG. 3 (a), the extinction properties are observed at positions offset by an angle 2θ.

ここで、液晶セル10に添着する偏光板14,15の偏光軸
の次のように定める。偏光板15の偏光軸を第3図(a)
の分子長軸と平行(第3図(a)に図示した破線矢印
P)とし偏光板14の偏光軸はこれと直交(第3図(a)
に図示した実線矢印A)させる。
Here, the polarization axes of the polarizing plates 14 and 15 attached to the liquid crystal cell 10 are determined as follows. The polarization axis of the polarizing plate 15 is shown in FIG. 3 (a).
Is parallel to the long axis of the molecule (dotted line arrow P shown in FIG. 3 (a)), and the polarization axis of the polarizing plate 14 is orthogonal to this (FIG. 3 (a)).
The solid arrow A) shown in FIG.

かかる場合、前記3つの安定状態の光透過は次式で記
述される。
In such a case, the light transmission of the three stable states is described by the following equation.

ここで、Iは透過光強度、I0は偏光板の透過率で決ま
る定数、θは偏光板15の偏光軸と液晶分子長軸のなす
角(第3図では、(a)でθ=0,(b)でθ=θ,
(c)ではθ=−θとなる。TFMHPOBCの場合、温度に
よって変化するθ=11〜31゜である。)Δnは液晶の常
光、異常光に対する屈折率の差、dは液晶セルの基板間
隔、λの光は波長である。この式から判るように、第3
図(a)では光は透過せず、“暗”を示し、第3図
(b),(c)では光が透過し“明”を示すことが容易
に認められる。
Here, I is the intensity of transmitted light, I 0 is a constant determined by the transmittance of the polarizing plate, θ 0 is the angle between the polarization axis of the polarizing plate 15 and the long axis of the liquid crystal molecule (θ 0 in (a) of FIG. 3). = 0, in (b) θ 0 = θ,
In (c), θ 0 = −θ. In the case of TFMHPOBC, θ = 11 to 31 °, which changes with temperature. ) Δn is the difference in the refractive index of the liquid crystal between ordinary light and extraordinary light, d is the substrate gap of the liquid crystal cell, and λ is the wavelength. As you can see from this formula,
It is easily recognized that the light is not transmitted in the figure (a) and shows “dark”, and the light is transmitted and the “bright” is shown in FIGS. 3 (b) and 3 (c).

この透過光強度と液晶セル10への印加電圧の関係を実
験により測定した。この結果を第4図に示す。第4図の
横軸は印加電圧で第3図(b)で図示した電界の向きで
正、同図(c)で図示した向きで負としてある。縦軸は
相対透過光強度である。無電界の第3図(a)の状態に
正の印加電圧を増加していくと、電界Eと自発分極Ps
積に基づくトルと弾性トルクの競合により、しきい値v1
をもって第3図(a)の状態に配列していた液晶分子が
スメクチックコーン13dに沿って反転し始め、飽和電圧v
2を越えて第3図(b)の状態となる。これに伴って透
過光強度も変化し、結局“暗”から“明”へスイッチン
グする。ここで、しきい値電圧は透過光強度が初期値か
ら10%変化する電圧と定義し、飽和電圧は同90%変化す
る電圧と定義する。
The relationship between the transmitted light intensity and the voltage applied to the liquid crystal cell 10 was measured by an experiment. The result is shown in FIG. The horizontal axis in FIG. 4 indicates the applied voltage, which is positive in the direction of the electric field shown in FIG. 3 (b) and negative in the direction shown in FIG. 3 (c). The vertical axis is the relative transmitted light intensity. When the positive applied voltage is increased to the state of FIG. 3 (a) without electric field, the threshold value v 1 is increased due to the competition between the torque and the elastic torque based on the product of the electric field E and the spontaneous polarization P s.
Then, the liquid crystal molecules arranged in the state of FIG. 3 (a) start to invert along the smectic cone 13d, and the saturation voltage v
When it exceeds 2 , the state shown in FIG. As a result, the transmitted light intensity also changes, and eventually switches from “dark” to “bright”. Here, the threshold voltage is defined as a voltage at which the transmitted light intensity changes by 10% from the initial value, and the saturation voltage is defined as a voltage at which the transmitted light intensity changes by 90%.

逆に印加電圧をv2以上から減少させると電圧増加時と
同じ変化を示さずヒステリシスを示す。即ち、しいき値
v3をもって第3図(b)の状態から分子が反転し始め、
飽和電圧v4によって第3図(a)の状態に変化する。こ
れに伴って透過光強度も変化し、結局“明”から“暗”
へスイッチングする。逆極性の電圧を印加した時も同様
にヒステリシスを示して第3図(a)の状態と第3図
(c)の状態が変化し、“暗”から“明”及び“明”か
ら“暗”への変化でそれぞれしきい値v1′,v3′,飽和
電圧圧v2′,v4′をもつ。本発明ではこの特性を有効に
利用している。
On the contrary, when the applied voltage is decreased from v 2 or higher, the same change as when the voltage is increased does not occur, but shows hysteresis. That is, the threshold value
With v 3, the molecule starts to invert from the state of Fig. 3 (b),
The saturation voltage v 4 changes the state to that shown in FIG. Along with this, the transmitted light intensity also changes, and eventually "bright" to "dark"
Switching to Similarly, when a voltage of opposite polarity is applied, hysteresis is similarly exhibited, and the state of FIG. 3 (a) and the state of FIG. 3 (c) change, and “dark” changes to “bright” and “bright” changes to “dark”. Change to “” and have thresholds v 1 ′, v 3 ′ and saturation voltage v 2 ′, v 4 ′, respectively. The present invention makes effective use of this characteristic.

前記の各行電極X1,X2,…Xnと各列電極Y1,Y2,…Ymとの
交叉部は、これら各交叉部に存在する各強誘電性液晶部
分と共にそれぞれ各表示画素(1,1),…(1,m),(2,
1),…(n,m)を構成する(第1図参照)。行電極と列
電極との間に−極性の適正な電圧が印加されたとき強誘
電性液晶がとりうる分子配向状態にて表示画素が光を透
過させる状態(即ち、明表示状態)となり、一方、行電
極と列電極との間にしきい値以下の適正が印加されたと
き強誘電性液晶が取り得る分子配向状態にて表示画素が
光を透過させない状態(即ち、暗表示状態)となるよう
に各偏光板14,15の偏光軸が強誘電性液晶の分子長軸と
の関係で定められている。尚、偏光板15の背後には、偏
光板15に投光する光源が配置されている。
The intersection of each of the row electrodes X 1 , X 2 , ... X n and each of the column electrodes Y 1 , Y 2 , ... Y m is displayed in each display pixel together with each ferroelectric liquid crystal portion present in each of these intersections. (1,1),… (1, m), (2,
1), ... (n, m) are constructed (see FIG. 1). When a proper polarity voltage is applied between the row electrode and the column electrode, the display pixel is in a state of transmitting light (that is, a bright display state) in a molecular orientation state that the ferroelectric liquid crystal can assume, , When a proper value below the threshold value is applied between the row electrode and the column electrode, the display pixel does not transmit light (that is, the dark display state) in the molecular alignment state that the ferroelectric liquid crystal can assume. The polarization axes of the polarizing plates 14 and 15 are defined in relation to the molecular long axis of the ferroelectric liquid crystal. A light source that projects light onto the polarizing plate 15 is arranged behind the polarizing plate 15.

また、液晶表示装置は、第1図に示すごとく、線順次
走査回路20と、この線順走査回路20に接続した基準信号
発生回路30と、線順次走査回路20及び基準信号発生回路
30に接続した行駆動回路40及び列駆動回路50とを備えて
おり、線順次走査回路20は、ROM21と、このROM21に接続
したコントローラ22により構成されている。ROM21は、
液晶セル10に表示されるための所定の表示内容を表す表
示データを予め記憶している。コントローラ22は、基準
クロックパルスa(第8図a)を順次発生し、基準クロ
ックパルスaの3倍の周期を持つ同期パルスb(第8図
b)を順次発生し、フレーム毎に反転するフレームパル
スc(第8図c)を順次発生し、シフトクロックパルス
Skを順次発生し、ROM21からの列電極表示データをデー
タパルスPyとして順次発生し、かつ行電極データをデー
タパルスPxとして順次発生する。
As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device includes a line sequential scanning circuit 20, a reference signal generating circuit 30 connected to the line sequential scanning circuit 20, a line sequential scanning circuit 20, and a reference signal generating circuit.
A line driving circuit 40 and a column driving circuit 50 connected to 30 are provided, and the line-sequential scanning circuit 20 is composed of a ROM 21 and a controller 22 connected to the ROM 21. ROM21 is
Display data representing predetermined display contents to be displayed on the liquid crystal cell 10 is stored in advance. The controller 22 sequentially generates the reference clock pulse a (Fig. 8a), sequentially generates the synchronization pulse b (Fig. 8b) having a cycle three times as long as the reference clock pulse a, and inverts every frame. Pulse c (Fig. 8c) is generated in sequence and shift clock pulse
Sk is sequentially generated, the column electrode display data from the ROM 21 is sequentially generated as the data pulse Py, and the row electrode data is sequentially generated as the data pulse Px.

基準信号発生回路30は、第5図に示すごとく、コント
ローラ22に接続したインバータ31と、コントローラ22及
びインバータ31に接続したDタイプフリップフロップ3
2,33,34を有し、インバータ31は、コントローラ22から
の前記同期パルスbを順次反転させて反転ゲートパルス
を出力する。フリップフロップ32,33,34においては、フ
リップフロップ34の出力端子と32のデータ入力端子が、
32の出力端子と33のデータ入力端子が、33の出力端子と
34の入力端子がそれぞれ接続されており、インバータ31
からの反転ゲートパルスのローレベル時にプリセットあ
るいはクリアされて、それぞれハイ,ロー,ローレベル
を出力すると共に、コントローラ22からの基準クロック
パルスaの立ち上がりに同期してフリップフロップ32,3
3,34の順に出力をシフトさせ、フリップフロップ32より
基準信号(第8図d)を、33より基準信号(第8図e)
を、34より基準信号f(第8図f)を発生する。
As shown in FIG. 5, the reference signal generating circuit 30 includes an inverter 31 connected to the controller 22 and a D-type flip-flop 3 connected to the controller 22 and the inverter 31.
The inverter 31, which has 2, 33 and 34, sequentially inverts the synchronization pulse b from the controller 22 and outputs an inversion gate pulse. In the flip-flops 32, 33, 34, the output terminal of the flip-flop 34 and the data input terminal of 32 are
32 output terminals and 33 data input terminals
34 input terminals are connected to each
Is preset or cleared when the inversion gate pulse from the controller 22 is at a low level, outputs high, low, and low levels, respectively, and is synchronized with the rising edge of the reference clock pulse a from the controller 22.
The output is shifted in the order of 3,34, and the reference signal from the flip-flop 32 (Fig. 8d) and the reference signal from 33 (Fig. 8e).
A reference signal f (FIG. 8f) is generated from 34.

行駆動回路40は、コントローラ22と、コントローラ22
に接続したシフトレジスタ40Aと、基準信号発生かろ30
及びシフトレジスタ40Aに接続した各論理回路40B1,40B
2,…,40Bnを有しており、シフトレジスタ40Aは、コント
ローラ22からの同期パルスbを順次シフトパルスとして
受け、同シフトパルスに同期してコントローラ22からの
各データパルスPxを、各論理回路40B1〜40Bnのいずれか
に論理回路40B1から論理回路40Bnにかけて順次シフトさ
せてデータパルスg(第8図g)として付与する。
The row drive circuit 40 includes a controller 22 and a controller 22.
Shift register 40A connected to the
And logic circuits 40B1 and 40B connected to the shift register 40A
, ..., 40Bn, and the shift register 40A sequentially receives the synchronization pulse b from the controller 22 as a shift pulse, and synchronizes with the shift pulse, receives each data pulse Px from the controller 22 in each logic circuit. Data pulses g (FIG. 8g) are sequentially shifted to any of 40B1 to 40Bn from the logic circuit 40B1 to the logic circuit 40Bn.

論理回路40B1は、第6図に示すごとく、シフトレジス
タ40A及びコントローラ22に接続したDタイプラッチ41
c,シフトレジスタ40Aに接続したインバータ41a,ラッチ4
1cに接続したインバータ41b及びシフトレジスタ40A,コ
ントローラ22,インバータ41a,41bなどに接続したANDゲ
ート42a,43a,44a,45a,46a,47a,48aを備えている。
As shown in FIG. 6, the logic circuit 40B1 includes a D type latch 41 connected to the shift register 40A and the controller 22.
c, inverter 41a connected to shift register 40A, latch 4
It includes an inverter 41b and a shift register 40A connected to 1c, a controller 22, AND gates 42a, 43a, 44a, 45a, 46a, 47a and 48a connected to the inverters 41a and 41b.

Dタイプラッチ41cは、シフトレジスタ40Aからのデー
タパルスgをG端子に、コントローラ22からのフレーム
パルスcをD端子に入力し、G端子入力がハイレベルの
時フレームパルスcをそのままQ端子より出力し、G端
子入力がローレベルになると、G端子入力信号の立ち下
がり時のD端子入力信号レベルを保持し、Q端子より出
力し、ゲートパルスc′を発生する。インバータ41a
は、シフトレジスタ40Aからのデータパルスgを反転さ
せて、反転データパルスを発生する。インバータ41b
は、Dタイプラッチ41cからのゲートパルスc′を反転
させて、反転ゲートパルスを発生する。
The D type latch 41c inputs the data pulse g from the shift register 40A to the G terminal and the frame pulse c from the controller 22 to the D terminal, and outputs the frame pulse c as it is from the Q terminal when the G terminal input is at a high level. Then, when the G terminal input becomes low level, the D terminal input signal level at the fall of the G terminal input signal is held and output from the Q terminal to generate the gate pulse c '. Inverter 41a
Inverts the data pulse g from the shift register 40A to generate an inverted data pulse. Inverter 41b
Inverts the gate pulse c'from the D-type latch 41c to generate an inverted gate pulse.

ANDゲート42aは、シフトレジスタ40Aからのデータパ
ルスg及びDタイプラッチ41cからのゲートパルス
c′,基準信号fがすべてのハイレベルの時ハイレベル
にてゲートパルスh(第8図h)を発生する。ANDゲー
ト43aは、シフトレジスタ40Aからのデータパルスg及び
Dタイプラッチ41cからのゲートパルスc′,基準信号
eがすべてハイレベルの時ハイレベルにてゲートパルス
f(第8図f)を発生する。ANDゲート44aは、シフトレ
ジスタ40Aからのデータパルスg及び基準信号dが共に
ハイレベルの時ハイレベルにてゲートパルスj(第8図
j)を発生する。ANDゲート45aは、シフトレジスタ40A
からのデータパルスg及びインバータ41bからの反転ゲ
ートパルス,基準信号fがすべてハイレベルの時ハイレ
ベルにてゲートパルスk(第8図k)を発生する。AND
ゲート46aは、シフトレジスタ40Aからのデータパルスg
及びインバータ41bからの反転ゲートパルス,基準信号
eがすべてハイレベルの時ハイレベルにてゲートパルス
1(第8図1)を発生する。ANDゲート47aは、インバー
タ41aからの反転データパルス及びDタイプラッチ41cか
らのゲートパルスc′が共にハイレベルの時ハイレベル
にてゲートパルスm(第8図m)を発生する。ANDゲー
ト48aは、インバータ41aからの反転ゲートパルス及びイ
ンバータ41bからの反転ゲートパルスが共にハイレベル
の時ハイレベルにてゲートパルスn(第8図n)を発生
する。
The AND gate 42a generates a gate pulse h (FIG. 8h) at a high level when the data pulse g from the shift register 40A, the gate pulse c'from the D type latch 41c, and the reference signal f are all at a high level. To do. The AND gate 43a generates a gate pulse f (FIG. 8f) at a high level when the data pulse g from the shift register 40A, the gate pulse c'from the D type latch 41c, and the reference signal e are all at a high level. . The AND gate 44a generates the gate pulse j (j in FIG. 8) at the high level when the data pulse g from the shift register 40A and the reference signal d are both at the high level. The AND gate 45a is a shift register 40A.
, The inversion gate pulse from the inverter 41b and the reference signal f are all at the high level, the gate pulse k (FIG. 8k) is generated at the high level. AND
The gate 46a receives the data pulse g from the shift register 40A.
Also, when the inverted gate pulse from the inverter 41b and the reference signal e are all at the high level, the gate pulse 1 (FIG. 8) is generated at the high level. The AND gate 47a generates the gate pulse m (FIG. 8m) at the high level when both the inverted data pulse from the inverter 41a and the gate pulse c'from the D type latch 41c are at the high level. The AND gate 48a generates a gate pulse n (n in FIG. 8) at a high level when both the inversion gate pulse from the inverter 41a and the inversion gate pulse from the inverter 41b are at a high level.

トランスミッションゲート44bは、ANDゲート44aから
のゲートパルスjに応答して、このゲートパルスjを零
レベル(即ち、接地レベル)までシフトし、零レベルを
有する走査信号S1,S1′(第8図O及び第9図参照)と
して各トランスミッションゲートとの共通出力端子49か
ら発生し、液晶セル10の行電極X1に付与する。
The transmission gate 44b shifts the gate pulse j to a zero level (that is, the ground level) in response to the gate pulse j from the AND gate 44a, and the scan signals S 1 and S 1 ′ (the eighth level) having the zero level. As shown in FIG. O and FIG. 9), it is generated from a common output terminal 49 with each transmission gate and applied to the row electrode X 1 of the liquid crystal cell 10.

また、トランスミッションゲート43cは、ANDゲート43
aからのゲートパルス1に応答して、このゲートパルス
1を定電圧回路43bからの正の定電圧(V0−V1)に基づ
き、(V0−V1)のレベルまでシフトすると共に、トラン
スミッションゲート42cは、ANDゲート42からのゲートパ
ルスhに応答して、このゲートパルスhを定電圧回路42
bからの正の定電流(V0+V1)に基づき、(V0+V1)の
レベルまでシフトする。このため、このような両トラン
スミッションゲート43c,42cのシフト結果が合成され
て、走査信号S2(第8図O及び第9図参照)として各ト
ランスミッションゲートとの共通出力端子49から発生
し、液晶セル10の行電極X1に付与する。
Further, the transmission gate 43c is the AND gate 43
In response to the gate pulse 1 from a, the gate pulse 1 is shifted to the level of (V 0 −V 1 ) based on the positive constant voltage (V 0 −V 1 ) from the constant voltage circuit 43b, and The transmission gate 42c responds to the gate pulse h from the AND gate 42 by sending the gate pulse h to the constant voltage circuit 42.
Based on the positive constant current (V 0 + V 1 ) from b, shift to the level of (V 0 + V 1 ). Therefore, the shift results of both transmission gates 43c and 42c are combined and generated as a scanning signal S 2 (see FIGS. 8 and 9) from the common output terminal 49 of each transmission gate, It is applied to the row electrode X 1 of the cell 10.

以下同様にトランスミッションゲート47c,46c,45c,48
cは、それぞれANDゲート47a,46a,45a,48aからのゲート
パルスm,l,k,nに応答して、それぞれの定電圧回路47b
(V0),46b(−(V0−V1)),45b(−(V0+V1)),48b
(−V0)に基づき、それぞれの電圧レベルを有する走査
信号S3,S2′,S3′(第8図O及び第9図参照)として各
トランスミッションゲートとの共通出力端子49から発生
し、液晶セル10の行電極X1に付与する。かかる場合、第
1フレームにおいて、両走査信号S1,S2が行電極X1を選
択するための選択信号として機能し、行電極X1が選択さ
れるまでの間走査信号S3′が、選択後走査信号S3が非選
択信号として、それぞれT/nの間機能する(行電極X1
場合、フレームの最初に選択されるため、走査信号S3
みが非選択信号となる。)但し、Tは1フレーム表示時
間を表す。また、第2フレームにおいては、両走査信号
S1′,S2′が行電極X1を選択するための選択信号として
機能し、行電極X1が選択されるまでの間走査信号S3が、
選択後走査信号S3′が非選択信号としてそれぞれT/nの
間機能する(第1フレームと同様に行電極X1の場合、走
査信号S3′のみが非選択信号となる。) 残余の論理回路40B2〜20Bnは、共に論理回路40B1と同
様に構成されており、これら各論理回路40B2〜40Bnは、
シフトレジスタ40Aからの各データパルスg,コントロー
ラ22からのフレームハルスc並びに基準信号発生回路か
らの各ゲートパルスd,c,fに応答して、論理回路40B1と
同様に、各走査信号S1,S2,S3,S1′,S2′及びS3′をそれ
ぞれ生じる。しかして、論理回路40B2からの各走査信号
は、第1フレームにおいては両走査信号S1,S2は選択信
号として、また、走査信号S3′,S3は行電極X2選択前・
後の非選択信号としてそれぞれ液晶セル10の行電極X3
付与される。以下同様に、論理回路40Bnからの各走査信
号は、第1フレームにおいては両走査信号S1,S2は選択
信号として、また、S3′,S3は、行電極Xn選択前・後の
非選択信号として、また、第2フレームにおいて両走査
信号S1′,S2′は選択信号として、また、走査信号S3・S
3′は、行電極Xn選択前・後の非選択信号としてそれぞ
れ液晶セル10の行電極Xnに付与される。
Similarly, transmission gates 47c, 46c, 45c, 48
c responds to the gate pulses m, l, k, and n from the AND gates 47a, 46a, 45a, and 48a, respectively, in response to the respective constant voltage circuits 47b.
(V 0 ), 46b (− (V 0 −V 1 )), 45b (− (V 0 + V 1 )), 48b
Based on (-V 0 ), scanning signals S 3 , S 2 ′, S 3 ′ (see FIGS. 8 and 9) having the respective voltage levels are generated from the common output terminal 49 with each transmission gate. , To the row electrode X 1 of the liquid crystal cell 10. In such a case, in the first frame, both the scanning signals S 1, S 2 functions as a selection signal for selecting the row electrodes X 1, scanning signal S 3 'until the row electrodes X 1 is selected, The post-selection scanning signal S 3 functions as a non-selection signal for T / n, respectively (in the case of the row electrode X 1 , the scanning signal S 3 is the non-selection signal because it is selected at the beginning of the frame). However, T represents one frame display time. In the second frame, both scanning signals
S 1 ', S 2' functions as a selection signal for selecting the row electrodes X 1, it is between the scanning signal S 3 to the row electrodes X 1 is selected,
The post-selection scanning signal S 3 ′ functions as a non-selection signal for T / n, respectively (in the case of the row electrode X 1 as in the first frame, only the scanning signal S 3 ′ becomes a non-selection signal). The logic circuits 40B2 to 20Bn are both configured similarly to the logic circuit 40B1, and each of these logic circuits 40B2 to 40Bn is
In response to each data pulse g from the shift register 40A, frame pulse c from the controller 22 and each gate pulse d, c, f from the reference signal generating circuit, each scanning signal S 1 , S 2, S 3, S 1 ', S 2' results respectively, and S 3 '. Therefore, in the first frame, the scanning signals from the logic circuit 40B2 are both the scanning signals S 1 and S 2 as selection signals, and the scanning signals S 3 ′ and S 3 are before selection of the row electrode X 2.
The latter non-selection signal is applied to the row electrode X 3 of the liquid crystal cell 10, respectively. Similarly, in the first frame, the scanning signals from the logic circuit 40Bn are both scanning signals S 1 and S 2 as selection signals, and S 3 ′ and S 3 are before and after the row electrode X n selection. , And both scanning signals S 1 ′ and S 2 ′ are selection signals in the second frame, and scanning signals S 3 · S
3 ′ is applied to the row electrode X n of the liquid crystal cell 10 as a non-selection signal before and after the selection of the row electrode X n .

列駆動回路50は、コントローラ22と、コントローラ22
に接続したシフトレジスタ50A及びラッチ50Bと、基準信
号発生回路30及びラッチ50Bに接続した各論理回路50c1,
50c2,…,50cmを有しており、シフトレジスタ50Aは、コ
ントローラ22からのシリアルなデータパルスPyを、同コ
ントローラからのシフトクロックパルスSkに応答して順
次入力されて、パラレルなm個のデータパルスに繰り返
し変換し、ラッチ50Bに付与する。ラッチ50Bは、シフト
レジスタ50Aからの各m個のデータパルスをコントロー
ラ22からの同期パルスbに応答して繰り返しラッチして
データパルスp(第8図p)として各論理回路50c1,50c
2,…,50cmにそれぞれ付与する。
The column drive circuit 50 includes a controller 22 and a controller 22.
Shift register 50A and latch 50B connected to each, and each logic circuit 50c1, connected to the reference signal generation circuit 30 and latch 50B
.., 50 cm, the shift register 50A sequentially receives serial data pulses Py from the controller 22 in response to the shift clock pulse Sk from the controller 22, and outputs m parallel data. It is repeatedly converted into a pulse and applied to the latch 50B. The latch 50B repeatedly latches each of the m data pulses from the shift register 50A in response to the synchronization pulse b from the controller 22 to form a data pulse p (FIG. 8p) in each of the logic circuits 50c1 and 50c.
2, ..., 50cm respectively.

論理回路50c1は、第7図に示すごとく、ラッチ50B及
びコントローラ22に接続したEXCLUSIVE−ORゲート51
と、同EXCLUSIVE−ORゲート51に接続したインバータ52
と、同インバータ52及び基準信号発生回路30に接続した
ANDゲート53aと、EXCLUSIVE−OR51及び基準信号発生回
路30に接続したANDゲート53bと、両ANDゲート53a,53bに
接続したORゲート53cを備えている。
As shown in FIG. 7, the logic circuit 50c1 includes an EXCLUSIVE-OR gate 51 connected to the latch 50B and the controller 22.
And an inverter 52 connected to the EXCLUSIVE-OR gate 51
Connected to the inverter 52 and the reference signal generation circuit 30
An AND gate 53a, an AND gate 53b connected to the EXCLUSIVE-OR 51 and the reference signal generation circuit 30, and an OR gate 53c connected to both AND gates 53a and 53b are provided.

EXCLUSIVE−OR51は、ラッチ50Bからのラッチデータパ
ルスD及びコントローラ22からのフレームパルスcの排
他的論理和をとり、ゲートパルスq(第8q)を発生す
る。ANDゲート53aは、インバータ52からのqの反転ゲー
トパルスがハイレベル中に、基準信号発生回路30からの
基準信号eに応答してハイレベルにて、ゲートパルスを
発生し、またqの反転ゲートパルスがローレベル時にロ
ーレベルにてゲートパルスを発生する。ANDゲート53b
は、EXCLUSIVEOR51からのゲートパルスqがハイレベル
時に基準信号発生回路30からの基準信号fに応答してハ
イレベルにてゲートパルスを発生し、また、ゲートパル
スqがローレベル時にローレベルにてゲートパルスを発
生する。ORゲート53cは、両ANDゲート53a,53bのうち、
少なくとも一方がハイレベルの時ハイレベルにてゲート
パルスr(第8図r)を発生する。NORゲート54は、OR
ゲート53cからのゲートパルスr及び基準信号発生回路3
0からの基準信号dが共にローレベル時にハイレベルに
て応答し、ゲートパルスs(第8図s)を発生する。
The EXCLUSIVE-OR 51 takes the exclusive OR of the latch data pulse D from the latch 50B and the frame pulse c from the controller 22 to generate a gate pulse q (8th q). The AND gate 53a generates a gate pulse at a high level in response to the reference signal e from the reference signal generating circuit 30 while the q inversion gate pulse from the inverter 52 is at a high level, and also the q inversion gate. A gate pulse is generated at a low level when the pulse is at a low level. AND gate 53b
Generates a gate pulse at a high level in response to the reference signal f from the reference signal generating circuit 30 when the gate pulse q from the EXCLUSIVE OR51 is at a high level, and gates at a low level when the gate pulse q is at a low level. Generate a pulse. The OR gate 53c is one of the AND gates 53a and 53b.
When at least one of them is at the high level, the gate pulse r (FIG. 8r) is generated at the high level. NOR gate 54 is OR
Gate pulse r from gate 53c and reference signal generation circuit 3
When the reference signals d from 0 are both at the low level, they respond at the high level to generate the gate pulse s (FIG. 8s).

トランスミッションゲート56は、基準信号発生回路30
からの基準信号dに応答して両ゲートパルスを零レベル
(即ち、接地レベル)までシフトし、零レベルを有する
データ信号D1およびD1′(第8図O及び第9図参照)と
して各トランスミッションゲート55b,57bとの共通の出
力端子58から発生し、液晶セル10の列電極Y1に付与す
る。
The transmission gate 56 includes a reference signal generating circuit 30.
Both gate pulses are shifted to a zero level (that is, the ground level) in response to the reference signal d from the respective transmission gates as data signals D1 and D1 '(see FIGS. 8 and 9) having a zero level. It is generated from the output terminal 58 common to 55b and 57b, and is applied to the column electrode Y 1 of the liquid crystal cell 10.

また、トランスミッションゲート55bがNORゲート54か
らゲートパルスsを受けると共に、トランスミッション
ゲート57bがORゲート53cとからゲートパルスrを受ける
と、トランスミッションゲート55bがゲートパルスsを
定電圧回路55aからの正の定電圧のレベル(V2)までシ
フトすると共に、トランスミッションゲート57bがゲー
トパルスrを定電圧回路57aかさの負の定電圧のレベル
(−V2)までシフトする。このため、このような両トラ
ンスミッションゲート55b,57bのシフト結果が合成され
て、データ信号D2,D3及びD2′,D3′(第8図O及び第9
図参照)として共通出力端子58から発生し、液晶セル10
の列電極Y1に付与する。かかる場合、第1フレームにお
いて、両データ信号D1,D2が列電極Y1に対するONデータ
信号として、両データ信号D1,D3がOFFデータ信号とし
て、それぞれT/nの間機能する。また、第2フレームに
おいては、両データ信号D1′,D2′が列電極Y1に対するO
Nデータ信号として、両データ信号D1′,D3′がOFFデー
タ信号としてそれぞれT/nの間機能する。
Further, when the transmission gate 55b receives the gate pulse s from the NOR gate 54 and the transmission gate 57b receives the gate pulse r from the OR gate 53c, the transmission gate 55b sends the gate pulse s to the positive constant voltage from the constant voltage circuit 55a. with shifts to the level of the voltage (V 2), the transmission gate 57b shifts the gate pulse r to the level of the constant voltage circuit 57a umbrella negative constant voltage (-V 2). Therefore, such two transmission gates 55b, 57 b shifts the result of being synthesized, the data signal D 2, D 3 and D 2 ', D 3' (FIG. 8 O and ninth
Liquid crystal cell 10
To the column electrode Y 1 . In such a case, in the first frame, both data signals D 1 and D 2 function as ON data signals for the column electrode Y 1 , and both data signals D 1 and D 3 function as OFF data signals during T / n. In the second frame, both data signals D 1 ′ and D 2 ′ are O for the column electrode Y 1 .
As N data signals, both data signals D 1 ′ and D 3 ′ function as OFF data signals during T / n.

残余の論理回路40C2〜40Cmは、共に論理回路40C1と同
様に構成されており、これら各論理回路40C2〜40Cmは、
ラッチ50Bからの各データパルス,コントローラ22から
のフレームパルスc並びに基準信号発生回路からの各ゲ
ートパルスd,e,fに応答して、論理回路40C1と同様に、
各データ信号D1,D2,D3,D1′,D2′及びD3′をそれぞれ生
じる。しかして、論理回路40C2からの両データ信号D1,D
2及び両データ信号D1,D3は、第1フレームにおいてONデ
ータ信号及びOFFデータ信号として、また、両データ信
号D1′,D2′及び両データ信号D1′,D3′は、第2フレー
ムにおいてONデータ信号及びOFFデータ信号としてそれ
ぞれ液晶セル10の列電極Y2に付与される。論理回路40C3
からの両データ信号D1,D2及び両データ信号D1,D3は、第
1フレームにおいてONデータ信号及びOFFデータ信号と
して、また、両データ信号D1′,D2′及び両データ信号D
1′,D3′は、第2フレームにおいてONデータ信号及びOF
Fデータ信号としてそれぞれ液晶セル10の列電極Y2に付
与される。以下同様に、論理回路40Cmからの両データ信
号D1,D2及び両データ信号D1,D3は、第1フレームにおい
てONデータ信号及びOFFデータ信号として、また、両デ
ータ信号D1′,D2′及び両データ信号D1′,D3′は、第2
フレームにおいてONデータ信号及びOFFデータ信号とし
てそれぞれ液晶セル10の列電極Ymに付与される。
The remaining logic circuits 40C2-40Cm are both configured similarly to the logic circuit 40C1, and each of these logic circuits 40C2-40Cm is
In response to each data pulse from the latch 50B, the frame pulse c from the controller 22 and each gate pulse d, e, f from the reference signal generating circuit, like the logic circuit 40C1,
Produces respective data signals D 1 , D 2 , D 3 , D 1 ′, D 2 ′ and D 3 ′, respectively. Then, both data signals D 1 and D from the logic circuit 40C2 are
2 and both data signals D 1 and D 3 are ON data signals and OFF data signals in the first frame, and both data signals D 1 ′ and D 2 ′ and both data signals D 1 ′ and D 3 ′ are In the second frame, the ON data signal and the OFF data signal are applied to the column electrode Y 2 of the liquid crystal cell 10, respectively. Logic circuit 40C3
Both data signals D 1 and D 2 and both data signals D 1 and D 3 are ON data signals and OFF data signals in the first frame, and both data signals D 1 ′, D 2 ′ and both data signals D
1 ′, D 3 ′ are ON data signal and OF in the second frame.
The F data signal is applied to the column electrode Y 2 of the liquid crystal cell 10, respectively. Similarly, both data signals D 1 and D 2 and both data signals D 1 and D 3 from the logic circuit 40Cm are ON data signals and OFF data signals in the first frame, and both data signals D 1 ′, D 2 ′ and both data signals D 1 ′ and D 3 ′ are the second
In the frame, the ON data signal and the OFF data signal are applied to the column electrodes Y m of the liquid crystal cell 10, respectively.

ここにおいて、各定電圧回路42bからの定電圧(V0+V
1),定電圧回路43bからの定電圧(V0−V1),定電圧回
路45bからの定電圧−(V0+V1),定電圧回路46からの
定電圧−(V0−V1),定電圧回路47bからの定電圧V0
及び定電圧回路48bからの定電圧−V0、そして、第7図
の定電圧回路55aからの定電圧V2及び定電圧回路57aから
の定電圧−V2の決定方法について説明する。暗表示状態
にある表示画素(n,m)に適正な電圧印加をして明表示
状態に変化させるとき表示画素(n,m)の透過光量が電
圧印加後、全変化の90%以上まで変化する時間及び明表
示状態にある表示画素(n,m)に適正な電圧を印加して
暗表示状態に変化させるときのそれを、それぞれ強誘電
性液晶13の応答時間とし、それぞれの応答時間以上の時
間をt0として走査信号S1,S1′及びデータ信号D1,D1′の
設定信号幅とする。そして、走査S2,S2′及びデータ信
号D2,D2′,D3,D3′の信号幅を2t0とする。このとき、第
4図の印加電圧−透過光強度特性の曲線との関連にて良
好なるコントラストを得るために、次式(2)〜(4)
を満足するように前記各電圧レベルを定める。
Here, the constant voltage (V 0 + V
1 ), constant voltage from constant voltage circuit 43b (V 0 −V 1 ), constant voltage from constant voltage circuit 45 b − (V 0 + V 1 ), constant voltage from constant voltage circuit 46 − (V 0 −V 1). ), The constant voltage V 0 from the constant voltage circuit 47b,
A method for determining the constant voltage −V 0 from the constant voltage circuit 48b, and the constant voltage V 2 from the constant voltage circuit 55a and the constant voltage −V 2 from the constant voltage circuit 57a in FIG. 7 will be described. When a proper voltage is applied to the display pixel (n, m) in the dark display state to change it to the bright display state, the transmitted light amount of the display pixel (n, m) changes to 90% or more of the total change after the voltage is applied. And the response time of the ferroelectric liquid crystal 13 when an appropriate voltage is applied to the display pixel (n, m) in the bright display state to change it to the dark display state. Let t 0 be the time of and the set signal width of the scanning signals S 1 , S 1 ′ and the data signals D 1 , D 1 ′. Then, the signal widths of the scans S 2 , S 2 ′ and the data signals D 2 , D 2 ′, D 3 , D 3 ′ are set to 2t 0 . At this time, in order to obtain a good contrast in relation to the applied voltage-transmitted light intensity characteristic curve of FIG. 4, the following equations (2) to (4)
Are determined so as to satisfy the following.

|V0|={(|v1|+|V3|)/2 +(|v1′|+|V3′|)/2}/2 ……(2) |V2|≦(|v1|−|V3|)/2, (|v1′|−|V3′|)/2 ……(3) |V0|+|V1|+|V2|>|v2|,|v2′| ……(4) 尚、強誘電性液晶14の応用時間は、±(V0+V1+V2
の電圧印加時における応答時間をいう。
| V 0 | = {(| v 1 | + | V 3 |) / 2 + (| v 1 ′ | + | V 3 ′ |) / 2} / 2 (2) | V 2 | ≦ (| v 1 | − | V 3 |) / 2, (| v 1 ′ | − | V 3 ′ |) / 2 (3) | V 0 | + | V 1 | + | V 2 |> | v 2 |, | v 2 ′ | (4) The application time of the ferroelectric liquid crystal 14 is ± (V 0 + V 1 + V 2 ).
Is the response time when the voltage is applied.

以上のように構成した本実施例において、線順次走査
回路20が、基準クロックパルスa及び同期パルスb,フレ
ームパルスc,シフトクロックパルスSk,データパルスPx
及びデータパルスPyをそれぞれ順次発生し、基準信号発
生回路30が、基準クロックパルスa及び同期パルスbに
順次応答して、各基準信号d,e及びfをそれぞれ第8図
に示す各タイミングにて、順次発生すると、行駆動回路
40が、線順次走査回路20からの同期パルスb,フレームパ
ルスc及びデータパルスPx並びに基準信号発生回路30か
らの基準信号d,e及びfに応答して、第1フレームでは
選択信号(両走査信号S1,S2)または、非選択信号(走
査信号S3またはS3′)を、第2フレームでは選択信号
(両走査信号S1′,S2′)または、非選択信号(走査信
号S3′またはS3)を、液晶セル10の各行電極X1〜Xnのい
ずれかに行電極X1から行電極XnにかけてT/n毎にシフト
させながら付与する。一方、列駆動回路50が、線順次走
査回路20からの同期パルスb,フレームパルスc,シフトク
ロックパルスSk及びデータパルスPy並びに基準信号発生
回路30からの基準信号d,e及びfに応答して、第1フレ
ームではONデータ信号(両データ信号D1,D2)または、O
FFデータ信号(両データ信号D1,D3)を、第2フレーム
ではONデータ信号(両データ信号D1′,D2′)または、O
FFデータ信号(両データ信号D1′,D3′)を、液晶セル1
0の各列電極Y1〜Ymにそれぞれ繰り返し付与する。
In the present embodiment configured as described above, the line-sequential scanning circuit 20 uses the reference clock pulse a and the synchronization pulse b, the frame pulse c, the shift clock pulse Sk, and the data pulse Px.
And the data pulse Py are sequentially generated, and the reference signal generation circuit 30 sequentially responds to the reference clock pulse a and the synchronization pulse b to generate the reference signals d, e and f at the respective timings shown in FIG. , Row drive circuit
In response to the synchronizing pulse b, the frame pulse c and the data pulse Px from the line-sequential scanning circuit 20 and the reference signals d, e and f from the reference signal generating circuit 30, a selection signal (both scanning) Signals S 1 and S 2 ) or a non-selection signal (scanning signal S 3 or S 3 ′), and a selection signal (both scanning signals S 1 ′ and S 2 ′) or a non-selection signal (scanning signal) in the second frame. S 3 ′ or S 3 ) is applied to any of the row electrodes X 1 to X n of the liquid crystal cell 10 while being shifted by T / n from the row electrode X 1 to the row electrode X n . On the other hand, the column driving circuit 50 responds to the synchronizing pulse b, the frame pulse c, the shift clock pulse Sk and the data pulse Py from the line sequential scanning circuit 20 and the reference signals d, e and f from the reference signal generating circuit 30. , ON data signal (both data signals D 1 and D 2 ) or O in the first frame
The FF data signal (both data signals D 1 and D 3 ) is an ON data signal (both data signals D 1 ′ and D 2 ′) or O in the second frame.
The FF data signal (both data signals D 1 ′, D 3 ′) is transferred to the liquid crystal cell 1
The column electrodes Y 1 to Y m of 0 are repeatedly applied.

このような構成において、液晶セル10が行駆動回路40
及び列駆動回路50によりどのようにマトリクス駆動され
るかにつき各表示画素(1,1)及び(1,2)を例にとって
説明する。ここでは、簡単のために第1フレームと第2
フレームで同じ表示を行うものとして説明する。例え
ば、第1フレームで行駆動回路40が行電極X1に選択信号
(両走査信号S1及びS2)を付与すると共に、列駆動回路
50が列電極Y1にONデータ信号(両データ信号D1及びD2
を付与すると、表示画素(1,1)が明表示画素(第11図
参照)として機能する。かかる場合、行電極X1と列電極
Y1との間には走査信号S1とデータ信号D1との合成による
消去信号E1(第12図(a))がt0間付与されるととも
に、走査信号S2とデータ信号D2との合成による書込信号
W1(第12図(a))が2t0の間付与されることになる。
但し、消去信号E1は、0Vで一方書込信号W1は信号巾t0
(V0−V1−V2)のレベルと信号巾t0の(V0+V1+V2)の
レベルを有する。
In such a configuration, the liquid crystal cell 10 has the row drive circuit 40.
The display pixels (1,1) and (1,2) will be described as an example of how the matrix driving is performed by the column driving circuit 50. Here, for simplicity, the first frame and the second frame
It is assumed that the same display is performed in the frame. For example, in the first frame, the row driving circuit 40 applies a selection signal (both scanning signals S 1 and S 2 ) to the row electrode X 1 , and the column driving circuit 40
50 is an ON data signal to column electrode Y 1 (both data signals D 1 and D 2 )
Is added, the display pixel (1,1) functions as a bright display pixel (see FIG. 11). In this case, row electrode X 1 and column electrode
An erase signal E 1 (FIG. 12 (a)) obtained by synthesizing the scan signal S 1 and the data signal D 1 is applied to Y 1 for t 0 , and the scan signal S 2 and the data signal D 2 are added. Write signal by combining with
W 1 (Fig. 12 (a)) is added for 2t 0 .
However, the erase signal E 1 has one write signal W 1 is 0V, the signal width t 0 (V 0 -V 1 -V 2) level and the signal width t 0 of (V 0 + V 1 + V 2) Level Have.

しかして、表示画素(1,1)は。消去信号E1のレベル
(0V)及び信号巾t0に基づき一度暗表示状態(第3図
(a)の配列状態)となり、然る後書込信号W1の第3図
(b)の状態に変化する飽和電圧v2以上のレベル(V0
V1+V2)及び信号巾t0に基づき明表示状態(第3図
(b)の配列状態)となる。T/nの後は、行駆動回路40
からの非選択信号及び列駆動回路50からのONデータ信号
(或いは、OFFデータ信号)の合成による第3図(b)
の状態から同図(a)の状態への変化のしきい値電圧v3
以上のレベルを有する保持信号H(第12図(a))が表
示画素(1,1)に付与されて明表示状態を保持する。こ
れら一連の様子は、第12図(b)の透過光強度変化で示
されている。
Then, the display pixel (1,1). Based on the level (0V) of the erasing signal E 1 and the signal width t 0 , a dark display state (arranged state of FIG. 3 (a)) is once obtained, and then the state of the write signal W 1 of FIG. 3 (b). Changes to saturation voltage v 2 or higher level (V 0 +
Based on V 1 + V 2 ) and the signal width t 0 , a bright display state (arranged state of FIG. 3B) is obtained. After T / n, the row drive circuit 40
3 (b) by synthesizing the non-selection signal from the column driver and the ON data signal (or the OFF data signal) from the column driving circuit 50.
Threshold voltage v 3 of the change from the state of Fig.
The holding signal H (FIG. 12 (a)) having the above level is applied to the display pixel (1,1) to hold the bright display state. A series of these states is shown by the change in transmitted light intensity in FIG.

第2フレームでも同様に行駆動回路40が行電力X1に選
択信号(両走査信号S1′及びS2′)を付与するとともに
列駆動回路50が列電極Y1にONデータ信号(両データ信号
D1′およびD2′)を付与すると表示画素(1,1)が明表
示画素(第11図参照)として機能する。かかる場合も第
1フレームで説明したと同様の理屈で、今度は第3図
(a)と同図(c)との間の変化を利用して明表示状態
が実現される。即ち、走査信号S1′とデータ信号D1′と
の合成による消去信号E1′(第12図(a)参照)がt0
付与されると共に走査信号S2′とデータ信号D2′との合
成による書込み信号W1′(第12図(a)9が2t0の間付
与されることになる。但し、消去信号E1′は0Vで一方、
書込信号W1′は信号巾t0の−(V0−V1−V2)のレベルと
信号巾t2の−(V0+V1+V2)のレベルを有する。
Also in the second frame, similarly, the row drive circuit 40 applies a selection signal (both scanning signals S 1 ′ and S 2 ′) to the row power X 1 , and the column drive circuit 50 outputs an ON data signal (both data) to the column electrode Y 1. signal
When D 1 ′ and D 2 ′ are added, the display pixel (1,1) functions as a bright display pixel (see FIG. 11). In such a case, the same reason as described in the first frame is used, and this time, the bright display state is realized by utilizing the change between FIG. 3 (a) and FIG. 3 (c). That is, the erase signal E 1 ′ (see FIG. 12 (a)) obtained by synthesizing the scan signal S 1 ′ and the data signal D 1 ′ is applied for t 0 and the scan signal S 2 ′ and the data signal D 2 ′ are given. The write signal W 1 ′ (FIG. 12 (a) 9 is given for 2t 0 by the combination with and). However, the erase signal E 1 ′ is 0V, while
Write signal W 1 'is a signal width t 0 - has a level of (V 0 + V 1 + V 2) - (V 0 -V 1 -V 2) level and signal width t 2 of the.

しかして、表示画素(1,1)は、消去信号E1′のレベ
ル(0V)及び信号巾t0に基づき一度暗表示状態(第3図
(a)の配列状態)となり、然る後書込信号W1′の第3
図(c)の状態に変化する飽和電圧V2′以上のレベル−
(V0+V1+V2)及び信号巾t0に基づき明表示状態(第3
図(c)の配列状態)となる。T/nの後は、行駆動回路4
0からの非選択信号及び列駆動回路50からのONデータ信
号(或いはOFFデータ信号)の合成による第3図(c)
の状態から同図(a)の状態への変化のしきい値電圧
v3′以下のレベルを有する保持信号H′(第12図(a)
参照)が表示画素(1,1)に付与されて明表示状態を保
持する。ここで、各X電極に印加される非選択信号は、
選択信号が印加される毎に順次S3からS3′に変化する。
これら一連の様子は、第12図(b)の透過光強度変化で
示されている。
Then, the display pixel (1,1) once enters the dark display state (the arrangement state of FIG. 3 (a)) based on the level (0V) of the erase signal E 1 ′ and the signal width t 0 . Third of built-in signal W 1
Level above saturation voltage V 2 ′ that changes to the state of FIG.
(V 0 + V 1 + V 2 ) and signal width t 0 based on the bright display state (3rd
The arrangement state of FIG. Row drive circuit 4 after T / n
FIG. 3 (c) by combining the non-selection signal from 0 and the ON data signal (or OFF data signal) from the column driving circuit 50.
Threshold voltage of the change from the state of Fig.
Hold signal H'having a level below v 3 '(FIG. 12 (a)
Reference) is added to the display pixel (1, 1) to maintain the bright display state. Here, the non-selection signal applied to each X electrode is
From sequential S 3 each time the selection signal is applied changes to S 3 '.
A series of these states is shown by the change in transmitted light intensity in FIG.

また、暗表示状態を実現する場合について説明する。
第1フレームで行駆動回路40が行電極X1に選択信号(両
走査信号S1及びS2)を付与すると共に列駆動回路50が列
電極Y2にOFFデータ信号(両データ信号D1及びD3)を付
与すると表示画素(1,2)が暗表示画素(第11図にて斜
線部分参照)として機能する。
Further, a case where a dark display state is realized will be described.
OFF data signal (both data signals D 1 and column driver circuit 50 to the column electrode Y 2 together with the row drive circuit 40 in the first frame to impart a selection signal (both scanning signals S 1 and S 2) to the row electrodes X 1 When D 3 ) is added, the display pixel (1, 2) functions as a dark display pixel (see the shaded area in FIG. 11).

かかる場合、行電極X1と列電極Y2との間には走査信号
S1とデータ信号D1との合成による消去信号E2(第12図
(c)がt0間付与されるとともに、走査信号S2とデータ
信号D3との合成による書込信号W2が2t0間付与されるこ
ととなる。但し、消去信号E2は0Vで一方、書込信号W2
信号巾t0で(V0−V1+V2)のレベルと信号巾t0で(V0
V1−V2)のレベルを有する。
In such a case, the scanning signal is applied between the row electrode X 1 and the column electrode Y 2.
An erase signal E 2 (FIG. 12 (c)) obtained by combining S 1 and data signal D 1 is given for t 0 , and a write signal W 2 obtained by combining scan signal S 2 and data signal D 3 and thus applied between 2t 0. However, the erase signal E 2 is on the other hand a 0V, write signal W 2 in level and the signal width t 0 of the signal width t 0 (V 0 -V 1 + V 2) ( V 0 +
V 1 −V 2 ) level.

しかして、表示画素(1,2)は消去信号E2のレベル(O
V)及び信号巾t0に基づき暗表示状態(第3図(a)の
配列状態)となり、然る後、各書込信号W2と信号巾t0
レベル(V0−V1+V2)及び(V0+V1−V2)が第3図
(a)の配列から同図(b)の配列への変化のしきい値
電圧v1以下であるために第3図(a)の状態を維持し、
結局、暗表示状態が実現される。T/nの後は、前述と同
様に保持信号Hが印加されるが、この電圧レベルがいず
れもV1以下であるために暗表示状態が保持される。
Thus, the display pixel (1,2) of the erase signal E 2 levels (O
V) and the signal width t 0 , a dark display state (arranged state of FIG. 3 (a)) is reached, and thereafter, at each write signal W 2 and signal width t 0 , the level (V 0 −V 1 + V 2 ) And (V 0 + V 1 −V 2 ) are below the threshold voltage v 1 of the change from the arrangement of FIG. 3 (a) to the arrangement of FIG. 3 (b), Keep the state,
After all, the dark display state is realized. After T / n, the holding signal H is applied in the same manner as described above, but since the voltage levels are all V 1 or less, the dark display state is held.

第2フレームでも同様に行駆動回路40が行電極X1に選
択信号(両走査信号S1′及びS2′)を付与すると共に列
駆動回路50が列電極Y2にOFFデータ信号(両データ信号D
1′及びD3′)を付与すると表示画素(1,2)が暗表示画
素(第11図にて斜線部参照)として機能する。かかる場
合も第1フレームで説明したと同様の理屈で、暗表示状
態が実現される。即ち、走査信号S1′とデータ信号D1
との合成による消去信号E2′(第12図(c))がt0間付
与されると共に、走査信号S2′とデータ信号D3′との合
成による書込信号W2′(第12図(c))が2t0の間付与
されることになる。但し、消去信号E2′は0Vで一方、書
込信号W2′は信号巾t0の−(V0−V1+V2)のレベルと−
(V0+V1−V2)のレベルとを有する。
Similarly in the second frame, the row drive circuit 40 applies a selection signal (both scanning signals S 1 ′ and S 2 ′) to the row electrode X 1 and the column drive circuit 50 supplies an OFF data signal (both data) to the column electrode Y 2. Signal D
When 1 ′ and D 3 ′) are added, the display pixel (1, 2) functions as a dark display pixel (see the shaded area in FIG. 11). Even in such a case, the dark display state is realized by the same reason as described in the first frame. That is, the scan signal S 1 ′ and the data signal D 1
Erase signal E 2 by synthesis and 'together (Figure 12 (c)) is applied between t 0, the scanning signal S 2' 'write signal W 2 by synthesis and' (12 a data signal D 3 The figure (c)) is added during 2t 0 . However, while the erase signal E 2 ′ is 0 V, the write signal W 2 ′ is − (V 0 −V 1 + V 2 ) level and − of the signal width t 0.
And a level of (V 0 + V 1 −V 2 ).

しかして、表示画素(1,2)は消去信号E2′のレベル
(0V)及び信号巾t0に基づき暗表示状態(第3図(a)
の配列状態)となり然る後の書込信号W2′のレベルがい
ずれも第3図(a)から同図(c)への変化のしきい値
電圧v1′よりも小さいために暗表示状態が維持される。
T/nの後は、行駆動回路40からの非選択信号及び列駆動
回路50からのONデータ信号(或いは、OFFデータ信号)
の合成による保持信号H′が表示画素(1,2)に付与さ
れるが、いずれも第3図(a)の状態から同図(c)の
状態への変化のしきい値電圧v1′以下であるために暗表
示状態を保持する。ここで、各X電極に印加される非選
択信号は、選択信号が印加される毎に順次S3がS3′に変
化する。これら一連の様子は、第12図(d)の透過光強
度変化で示されている。
Therefore, the display pixel (1, 2) is in a dark display state (FIG. 3 (a)) based on the level (0V) of the erase signal E 2 'and the signal width t 0 .
Since the level of the write signal W 2 ′ after reaching the state of (1) is smaller than the threshold voltage v 1 ′ of the change from FIG. 3A to FIG. The state is maintained.
After T / n, the non-selection signal from the row drive circuit 40 and the ON data signal (or OFF data signal) from the column drive circuit 50
A holding signal H ′ is added to the display pixel (1, 2) by the combination of the above, but both of them have a threshold voltage v 1 ′ of the change from the state of FIG. 3A to the state of FIG. Since it is below, the dark display state is maintained. Here, in the non-selection signal applied to each X electrode, S 3 sequentially changes to S 3 ′ every time the selection signal is applied. A series of these states is shown by the change in transmitted light intensity in FIG.

また、他の表示画素も同様に駆動され、その結果、液
晶セル10がマトリクス駆動されることになる。
Further, other display pixels are similarly driven, and as a result, the liquid crystal cell 10 is matrix-driven.

なお、第10図は、行電極及び列電極に付与される電極
のタイミングを示している。
Note that FIG. 10 shows the timing of electrodes applied to the row electrodes and the column electrodes.

尚、本発明の実施例にあたっては、強誘電性液晶とし
てTFMHPOBCを用いたが、前記安定な3状態を示し、前記
ヒステリシスを有すれば何を用いてもよく、例えば、次
の構造式のもの(TFMNPOBC、MHPOBC、TFMHB2FDB)を用
いてもよい。
In the examples of the present invention, TFMHPOBC was used as the ferroelectric liquid crystal, but any compound may be used as long as it exhibits the above-mentioned three stable states and has the above-mentioned hysteresis. (TFMNPOBC, MHPOBC, TFMHB2FDB) may be used.

(1)TFMNPOBC 〔4−(1−riluoro ethyl onyloxycarbony
l)henyl 4′−ctyloxy iphenyl−4−arboxyl
ate〕 (2)MHPOBC 〔4−(1−ethyl eptyloxycarbonyl)henyl
4′−ctyloxy iphenyl−4−arboxylate〕 (3)TFMHB2FDB 〔4−(1−riluoro ethyl eptyloxycarbony
l)−4′−iphenyl 2−luoro−4−decyloxy en
zoate〕 さらに、複数の液晶を所定の比率で混合したものも同
様に用いることができる。
(1) TFMNPOBC [4- (1- t ri f luoro m ethyl n onyloxycarbony
l) p henyl 4'- o ctyloxy b iphenyl-4- c arboxyl
ate] (2) MHPOBC [4- (1- m ethyl h eptyloxycarbonyl) p henyl
4'- o ctyloxy b iphenyl-4- c arboxylate ] (3) TFMHB2FDB [4- (1- t ri f luoro m ethyl h eptyloxycarbony
l) -4'- b iphenyl 2- f luoro -4-decyloxy b en
zoate] Furthermore, a mixture of a plurality of liquid crystals at a predetermined ratio can be used as well.

また、本発明の実施に当たっては、フレーム毎に電圧
極性を逆転させたが、複数フレーム毎に逆転させても、
液晶セルに実質的直流成分が残らなければ自由に設定で
きる。
Further, in implementing the present invention, the voltage polarity is reversed for each frame, but even if it is reversed for every plural frames,
It can be set freely if no substantial DC component remains in the liquid crystal cell.

また、本発明の実施に当っては、液晶セル10を透過型
に限ることなく反射型としてもよい。
In implementing the present invention, the liquid crystal cell 10 is not limited to the transmissive type, but may be the reflective type.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、強誘電性液晶13を、印加電圧−
透過光強度特性で示されるヒステリシスを利用して、液
晶セル10の各画素の明表示状態及び暗表示状態を明確に
すべくマトリクス駆動するにあたり、各行電極X1,…Xn
に付与すべき走査信号及び各列電極Y1,…Ymに付与すべ
きデータ信号に前記印加電圧−透過光強度特性との関連
にて簡単な波形変化をもたせるのみで実現できる。従っ
て強誘電性液晶の印加電圧による安定な3状態の存在と
ヒステリシス特性を前提として、この種の表示装置のコ
ントラストの大巾な向上を図ることができる。
As described above, the ferroelectric liquid crystal 13 is applied with the applied voltage −
When matrix driving is performed to clarify the bright display state and the dark display state of each pixel of the liquid crystal cell 10 by using the hysteresis represented by the transmitted light intensity characteristic, each row electrode X 1 , ... X n
This can be realized by simply giving a simple waveform change in relation to the applied voltage-transmitted light intensity characteristic to the scanning signal to be applied to the column electrode and the data signal to be applied to each column electrode Y 1 , ... Y m . Therefore, it is possible to greatly improve the contrast of this type of display device on the assumption that there are three stable states due to the applied voltage of the ferroelectric liquid crystal and the hysteresis characteristic.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す全体構成図、第2図は
第1図における液晶セルの拡大断面図、第3図は第2図
における液晶分子の配向状態を示す図、第4図は強誘電
液晶の光透過率と印加電圧との関係を示す図、第5図は
第1図における基準信号発生回路の詳細構成図、第6図
は第1図における行駆動回路中の論理回路の詳細構成
図、第7図は第1図における列駆動回路中の論理回路の
詳細構成図、第8図,第9図及び第12図は第1図に示す
実施例の作動説明に供する信号波形図、第10図は液晶セ
ルに付与される信号のタイミングを示す図、第11図は行
電極と列電極の部分拡大図である。 10……液晶セル、11,12……電極基板、13……強誘電性
液晶、20……線順次走査回路、21……ROM,22……コント
ローラ、30……基準信号発生回路、40……行駆動回路、
50……列駆動回路。
1 is an overall configuration diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged sectional view of a liquid crystal cell in FIG. 1, FIG. 3 is a diagram showing an alignment state of liquid crystal molecules in FIG. 2, and FIG. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the light transmittance of the ferroelectric liquid crystal and the applied voltage, FIG. 5 is a detailed configuration diagram of the reference signal generation circuit in FIG. 1, and FIG. 6 is a logic in the row drive circuit in FIG. FIG. 7 is a detailed block diagram of the circuit, FIG. 7 is a detailed block diagram of the logic circuit in the column driving circuit in FIG. 1, and FIGS. 8, 9, and 12 are for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. FIG. 10 is a signal waveform diagram, FIG. 10 is a diagram showing timing of signals applied to the liquid crystal cell, and FIG. 11 is a partially enlarged view of row electrodes and column electrodes. 10 ... Liquid crystal cell, 11, 12 ... Electrode substrate, 13 ... Ferroelectric liquid crystal, 20 ... Line sequential scanning circuit, 21 ... ROM, 22 ... Controller, 30 ... Reference signal generation circuit, 40 ... … Row drive circuit,
50 …… Column drive circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 薫 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 山田 祐一郎 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 萩原 隆 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号 昭和シェル石油株式会社内 (72)発明者 鈴木 義一 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号 昭和シェル石油株式会社内 (72)発明者 河村 一朗 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号 昭和シェル石油株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kaoru Mori 1-1, Showa-cho, Kariya, Aichi Prefecture, Nippon Denso Co., Ltd. (72) Inventor, Yuichiro Yamada 1-1-chome, Showa-cho, Kariya, Aichi Nippon Denso (72) Inventor Takashi Hagiwara 2-7-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Showa Shell Sekiyu KK (72) Inventor Yoshikazu Suzuki 2-3-7 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Showa Shell Sekiyu KK ( 72) Inventor Ichiro Kawamura 2-7-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Within Showa Shell Sekiyu KK

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】n条の行電極とm条の列電極とを互いに格
子状に対向させるように並設した両電極基板間に強誘電
性液晶を介在させてnm個の表示画素を形成する液晶セル
と、前記n条の行電極に順次走査信号を付与し、前記m
条の列電極に明または暗のデータ信号を付与する線順次
走査方式を行うごとく構成された駆動制御手段とを備え
たマトリクス型強誘電性液晶表示装置において、 前記強誘電性液晶は、印加電圧の一極性所定電圧範囲内
において印加電圧の絶対値の増大(又は減少)に応じ第
1の安定状態から第2の安定状態(又は、第2の安定状
態から第1の安定状態)に変化し、かつそれに応じ前記
液晶セルの透過光量を増大(又は減少)する透過光量一
電圧特性にヒステリシスを生じさせ、前記印加電圧の逆
極性所定電圧範囲内において印加電圧の絶対値の増大
(又は、減少)に応じ前記第1の安定状態から第3の安
定状態(又は、第3の安定状態から第1の安定状態)に
変化し、かつそれに応じ前記液晶セルの透過光量を増大
(又は、減少)する透過光量一電圧特性にヒステリシス
を生じさせるものであり、 前記駆動制御手段は、線順次走査における第1の期間で
は、前記走査信号と前記明のデータ信号との合成信号
を、前記強誘電性液晶を前記第1の安定状態にする消去
電圧レベルと前記強誘電性液晶を第1の安定状態から第
2の安定状態に移行させる第1の閾値電圧より絶対値に
おいて大きい電圧レベルとを有する波形として形成し、
前記走査信号と前記暗のデータ信号との合成信号を、前
記消去電圧レベルと絶対値において前記第1の閾値電圧
以下の電圧レベルとを有する波形として形成して付与す
ると共に、これらに後続する信号として、前記合成信号
による前記強誘電性液晶の状態を保持する信号波形を付
与し、第2の期間では、前記走査信号と前記明のデータ
信号の合成信号を、前記消去電圧レベルと前記強誘電性
液晶を第1の安定状態から第3の安定状態に移行させる
第2の閾値電圧より絶対値において大きい電圧レベルと
を有する波形として形成し、前記走査信号と前記暗のデ
ータ信号の合成信号を、前記消去電圧レベルと絶対値に
おいて前記第2の閾値電圧以下の電圧レベルとを有する
波形として形成して付与すると共に、これらに後続する
信号として、前記合成信号による前記強誘電性液晶の状
態を保持する信号波形を付与するようにしたことを特徴
とするマトリクス型強誘電性液晶表示装置。
1. A display device of nm number is formed by interposing a ferroelectric liquid crystal between both electrode substrates arranged in parallel so that n row electrodes and m row column electrodes face each other in a grid pattern. Sequential scanning signals are applied to the liquid crystal cell and the n row electrodes,
In a matrix type ferroelectric liquid crystal display device including a drive control unit configured to perform a line-sequential scanning method for applying a bright or dark data signal to the row column electrodes, the ferroelectric liquid crystal is an applied voltage. Within a predetermined voltage range of one polarity, the first stable state changes to the second stable state (or the second stable state to the first stable state) in response to an increase (or decrease) in the absolute value of the applied voltage. And, in accordance therewith, a hysteresis is generated in the transmitted light amount-voltage characteristic that increases (or decreases) the transmitted light amount of the liquid crystal cell, and the absolute value of the applied voltage increases (or decreases) within the predetermined voltage range of the reverse polarity of the applied voltage. ) According to the first stable state to the third stable state (or from the third stable state to the first stable state), and correspondingly increase (or decrease) the amount of light transmitted through the liquid crystal cell. Transmitted light In the first period of the line-sequential scanning, the drive control unit outputs a composite signal of the scan signal and the bright data signal to the ferroelectric liquid crystal. Formed as a waveform having an erase voltage level that brings the first stable state and a voltage level that is larger in absolute value than a first threshold voltage that shifts the ferroelectric liquid crystal from the first stable state to the second stable state. Then
A composite signal of the scanning signal and the dark data signal is formed and applied as a waveform having the erase voltage level and a voltage level of the absolute value which is equal to or lower than the first threshold voltage, and a signal subsequent thereto. As a signal waveform for holding the state of the ferroelectric liquid crystal by the composite signal, a composite signal of the scanning signal and the bright data signal is added to the erase voltage level and the ferroelectric liquid crystal in the second period. A liquid crystal having a voltage level higher in absolute value than a second threshold voltage that shifts the liquid crystal from the first stable state to the third stable state, and generates a composite signal of the scanning signal and the dark data signal. , A waveform having an erase voltage level and a voltage level having an absolute value that is equal to or lower than the second threshold voltage, and is applied. Matrix type ferroelectric liquid crystal display device which is characterized in that so as to impart a signal waveform which holds a state of the ferroelectric liquid crystal by forming signal.
【請求項2】前記第1の期間における前記後続する信号
は、絶対値において前記第1の閾値電圧以下でかつ前記
強誘電性液晶を第2の安定状態から第1の安定状態に移
行させる閾値電圧以上の電圧レベルを有する信号波形で
あり、前記第2の期間における前記後続する信号は、絶
対値において前記第2の閾値電圧以下でかつ前記強誘電
性液晶を第3の安定状態から第1の安定状態に移行させ
る閾値電圧以上の電圧レベルを有する信号波形であるこ
とを特徴とする請求項1に記載のマトリクス型強誘電性
液晶表示装置。
2. The threshold value that is equal to or lower than the first threshold voltage in absolute value and that causes the ferroelectric liquid crystal to shift from the second stable state to the first stable state in the first period. A signal waveform having a voltage level equal to or higher than a voltage, wherein the following signal in the second period is equal to or less than the second threshold voltage in absolute value, and causes the ferroelectric liquid crystal to move from the third stable state to the first stable state. The matrix type ferroelectric liquid crystal display device according to claim 1, wherein the matrix type ferroelectric liquid crystal display device has a signal waveform having a voltage level equal to or higher than a threshold voltage for shifting to the stable state.
【請求項3】前記消去電圧レベルは、実質的に0レベル
であることを特徴とする請求項1又は2に記載のマトリ
クス型強誘電性液晶表示装置。
3. The matrix type ferroelectric liquid crystal display device according to claim 1, wherein the erase voltage level is substantially 0 level.
【請求項4】前記消去電圧レベルは、前記強誘電性液晶
が前記第2、第3のいずれの安定状態にあっても前記第
1の安定状態に変化するに必要な応答時間以上継続して
付与されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか
1つに記載のマトリクス型液晶表示装置。
4. The erasing voltage level continues for at least a response time required to change to the first stable state regardless of whether the ferroelectric liquid crystal is in the second stable state or the third stable state. The matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the matrix type liquid crystal display device is provided.
【請求項5】前記第1の閾値電圧より絶対値において大
きい電圧レベルは、前記液晶を前記第2の安定状態にす
る第1の飽和電圧であり、前記第2の閾値電圧より絶対
値において大きい電圧レベルは、前記液晶を前記第3の
安定状態にする第2の飽和電圧であることを特徴とする
請求項1乃至4のいずれか1つに記載のマトリクス型液
晶表示装置。
5. The voltage level greater in absolute value than the first threshold voltage is a first saturation voltage that brings the liquid crystal into the second stable state, and is greater in absolute value than the second threshold voltage. 5. The matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the voltage level is a second saturation voltage that brings the liquid crystal into the third stable state.
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