JP2788880B2 - プログラム可能タグ - Google Patents

プログラム可能タグ

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、物品に添付される
タグ（例えば、マーカ、識別子など）、特に、遠隔読取
り可能で、タグの読取り方向を指定する必要がない、プ
ログラム可能なタグに一般的に関係している。
【０００２】
【関連出願】本発明は、１９９４年１１月２３日付けの
米国特許出願第３４４８０５号、同第３４４２９６号、
同第３４４１９６号、及び同第３４４７７１号にて開示
された発明に関係している。
【０００３】
【従来の技術】小売業の正札付け、陸／空貨物輸送業で
使われる荷札付け、製造工程で付けられるパレット・タ
グについて、（認識票やマーカとしても知られる）タグ
は、製品や品物の詳細を確認するのに有用である。十分
なビット数をタグに与え、当該タグを調査することによ
り、タグはその製品がどんなもので、製造年月日、値
段、製品がきちんとレジ、またはキオスク（売店）を通
過したものであるか等の情報を提供することができる。
タグは、また、種々の他の生物（例えば人物）や、枚挙
にいとまのない無生物を識別するのにも使用される。
【０００４】このようにして、タグは小売り、運輸、製
造、その他多くの事業に使用されている。実際問題とし
て、タグの原価はタグを付される品目の原価の僅かの部
分であるべきである。多くの異なる品目を識別すること
を可能ならしめるためには、タグは６４ビット程度の情
報を持つことができる必要がある。更に、タグ読取りを
自動化するために、タグは、遠隔読取りが可能で、読取
り信号はタグの方向に依存しないのが望ましい。ここ
で、「遠隔読取り」は、タグが、それ自体から予め決め
られた距離から読取れることを意味する。
【０００５】核磁気共鳴（ＮＭＲ）、電子スピン共鳴
（ＥＳＲ）、強磁性共鳴、及びフェリ磁性共鳴を発生さ
せる材料から形成されているマーカやタグは知られてい
る。従来のシステムでは、マイクロ波検査フィールド及
びマイクロ波受信器と共に、磁界を使って共鳴のあらゆ
る形態をカバーしている。一般的に、タグが単一ビット
のデータを与えるのに単一周波数を使用する。タグが２
以上のビットを持てるように、バイアスとして機能する
磁気ストリップを活動共鳴材の領域の近くに設けること
ができる。しかしながら、この構造は、多数のビットを
獲得する手段を提供するほどの柔軟性はない。
【０００６】磁気ストリップは、不均一な磁界を提供す
る。共鳴材は、異なる磁界領域に置くことは可能である
が、磁界は均質でないため、共鳴材の個々の部分が僅か
に異なる磁界にさらされることになる。したがって、共
鳴は、外部バイアス磁界の範囲を超えて発生する。これ
は、周知のように、共鳴ピークを不均一に広げる。本来
の線幅は例えば２×１０-5Ｔであるが不均一な広がり
は、有効線幅を１桁ないし２桁拡大する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多数
のビットを柔軟に提供するバイアス磁界を有する電子ス
ピン共鳴吸収を用いて、コード化可能（プログラム可
能）タグを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面で
は、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）吸収特性を有する材料の
第１層と、方形ループ磁性体の第２層と、軟質透磁性体
の第３層を含むプログラム可能なラジオ周波数タグが、
本発明に基づき提供される。第２層、及び第３層は第１
層に極めて近接（例えば、接触）し、第１層にバイアス
磁界をかける。タグから発せられる読取り信号は、タグ
の向きに関係ない。
【０００９】本発明の第２の側面では、コード化可能タ
グ構造を構成する方法が、本発明に従って提供される。
同方法は、以下のステップを具備する。 （ａ） １，１ジフェニル−２−ピクリルヒドラジル水
化物（ＤＰＰＨ）を極性溶媒に溶かし、（ｂ） 非磁性
基板をＤＰＰＨ溶液でコーティングし、（ｃ） その上
に方形ループ特性を有する硬質バイアス磁性層を付着
し、（ｄ） 硬質バイアス磁性層上に非磁性層を付着
し、（ｅ） 非磁性層に軟質磁性体をコーティングして
コード化可能タグ構造を形成する。
【００１０】本発明を用いて、コード化（プログラム）
可能タグは、多数のビットを柔軟に提供するバイアス磁
界を有する電子スピン共鳴吸収特性を提供することがで
きる。本発明のタグは、遠隔読取りが可能で、読取りの
ためにタグを所定の向きに保っておく必要はない。
【００１１】
【発明の実施の形態】図面について、特に図１は、共鳴
材（例えば、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）材が望ましい）
の層１と、磁性体（例えば、硬質磁性体が望ましい）の
層２と、第２の磁性体（例えば、軟質磁性体が望まし
い）の層３を含むタグ構造の断面図を示している。この
構造では、層１及び層３は層２に近接している。
【００１２】無定形ゲルマニウム；ポリイミド、ポリエ
チレン若しくはポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）の
ような重合体；又はポリエステルで形成されるのが好ま
しい熱障壁層４が、ＥＳＲ材層１と硬質磁性体層２の
間、及び硬質磁性体層２と軟質磁性体層３の間に置かれ
る。図１の矢印５は、磁界の方向を例示している。図１
で示されているように、構造体は熱障壁層４として示さ
れている層を含む。これらの層は、以下に更に詳述され
るが、タグが熱処理によって個別化（コード化）される
際、層１、２、及び３を保護するために含まれる。層
１、２、及び３は、上から下までどの順序で並べても良
いので、層４は、２層の強磁性体（例えば層２及び３）
が隣接して積層されているとき、磁気交換結合を切るの
にも有用である。層４は、層２又は３の材料の酸化物の
層から成っていてもよい。
【００１３】本発明に従うタグの構造に注目すると、発
明されたタグは、磁気バイアス構造及び共鳴材（なるべ
くなら電子スピン共鳴（ＥＳＲ）材）を含む。ＥＳＲ材
の実例は、一般にはＤＰＰＨとして知られている、安定
した固形有機遊離基である１，１ジフェニル−２−ピク
リルヒドラジル水化物である。この材料は、ＥＳＲスペ
クトル分析で基準材料として広く使用されている。磁気
バイアス構造は，Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔａ，Ｆｅ−Ｚｒ−ＲＥ
（ＲＥはＴｂ，Ｄｙ，Ｈｏ、又はＥｒのような非Ｓ状態
の希土類元素である。非Ｓ状態とは、元素の合成電子軌
道モーメントが非零の状態のことである。）又は六方コ
バルトのような硬質磁性体でできた薄膜（なるべくなら
２００Ｏｅ以上の飽和保磁力を有するもの）及び磁気分
路、又は磁束ガイドとして使われるＮｉ−Ｃｏ−Ｂ−Ｓ
ｉ、又はＮｉ80Ｆｅ20のような軟質透磁性磁気フィルム
を含む。
【００１４】バイアス磁石は磁化され、デバイスの動作
のために残留磁気状態にある。図１の矢印５で示されて
いるように、磁力線は軟質磁気分路及びＥＳＲ材を通っ
て硬質磁性層の両側で閉じている。磁界の関数として、
ラジオ周波数（ＲＦ）吸収をモニタすることによりタグ
は読取られる。ＲＦ周波数は固定値ｆを有する（例え
ば、良好な実施例では、２〜８ＭＨｚの周波数が使用さ
れたが，ＲＦ周波数の値はこれらに限定されない）。共
鳴の条件は、磁界条件ｆ＝（２．８×１０10）Ｂで与え
られる。Ｂは磁界をテスラで表わしたもので、ｆは周波
数をヘルツで表わしたものである。共鳴を決定する磁界
Ｂは、印加磁界（ＢA）及びバイアス磁界（ＢB）の合計
である。
【００１５】情報はＥＳＲ材であるＤＰＰＨのパッチ上
に一連の異なるバイアス磁界を与えることにより、タグ
上にコード化（プログラム化）される。印加磁界（例え
ばＤＣ磁界）が時間により異なった大きさで掃引される
と、個々のパッチは、異なった印加磁界で共鳴して吸収
する。ＤＰＰＨ及び同種の材料の共鳴線幅は非常に狭
く、一般的には２×１０-5Ｔ以下であるので、タグ上に
コード化された情報の検出は非常に信頼性が高い。周知
のように、ＲＦコイルは適切に設計されたブリッヂ回路
と共に、励磁と検波の両目的に使用できる。励磁・検波
コイルは、地球の磁場を計測するのに使われる３０ＭＨ
ｚで作動するＥＳＲ磁力計に使用されてきた。
【００１６】図２は、材料１のＤＰＰＨパッチの読取り
システムを例示している。タグ・リーダには、吸収の励
磁及び検波のためのＲＦコイル２０と、タグ１０に磁界
を印加するための、ヘルムホルツ・コイル対２５が備え
られている。磁界ＢAは、図３に示されているように時
間に応じて掃引され、そのときの吸収が図４に示されて
いるように監視される。データ・ストリーム及びそのミ
ラー・イメージは、印加磁界の上向きおよび下向きの掃
引で得られる。
【００１７】本発明の主要な特徴は、バイアス磁界をＥ
ＳＲ共鳴器の各々のパッチで個別化させることができ
る、変更可能な磁気分路である。バイアス磁石及び分路
磁石を備えた個々のＥＳＲ共鳴器を例示している図１に
戻って、ＥＳＲ共鳴器上のバイアス磁界は透磁性分路層
がないところで最高となる。分路層の厚さが増すと、よ
り多くの磁界がその方向に分路し，ＥＳＲ共鳴器のバイ
アス磁界が減少する。分路層の厚みが所定の大きさに固
定されている場合、その透磁率は、その中に非磁性ブレ
イクを導入することで選択的に変更できる。それらの非
磁性領域は、当該分野でよく知られているように、レー
ザ・アブレーションか、酸化反応のような熱反応によっ
て作られる。いづれの場合でも、非磁性領域のパターン
は、希望するデータ・パターンを決定するために、コン
ピュータ制御のもとで作ることができる。
【００１８】本発明の別の特徴は、本発明に基づくタグ
を、読取るために一定の方向に保持する必要がないこと
である。この特徴は、相対フィールド分離を生ずる基準
ビットを使用することで実現されている。
【００１９】本発明のタグ構造に使われている材料及び
代表的な方法を更に詳細に見ると，ＤＰＰＨ（材料１と
して好ましい）は、摂氏１５０度で溶融する固体であっ
て、極性溶媒に溶解し、ポリマー・マトリックスへの混
入に向いている。そのようなポリマー・ブレンドは１０
から２０％のＤＰＰＨ（好ましくは１５％のＤＰＰＨ）
を加えられる。適当な溶剤中のポリマーＤＰＰＨ混合物
は、数ミルの厚さの基板材料のシート上に２μｍの範囲
の膜厚で連続的にコーティングできる。同材料は、ＥＳ
Ｒ活性材１と磁気バイアス層２の間の熱障壁（例えば材
料４）として働く。溶剤が蒸発したあとで、基板シート
は物理蒸着（ＰＶＤ）法によってコーティングされる。
最初に（硬質）磁気バイアス層が付着される。それは、
できれば、十分な方形ループ特性、即ち、８０％を越え
る残留磁気と２００Ｏｅより大きな飽和保磁力を有して
いることが望ましい。
【００２０】薄膜磁気記録媒体として使用されているＣ
ｏ−Ｐｔ−Ｔａのような合金の使用が望ましい。他の好
ましい合金は，Ｆｅ−Ｚｒ−ＲＥ（ＲＥはＴｂ、Ｄｙ、
Ｈｏ、又はＥｒのような非Ｓ状態の希土類元素の１つを
表す）である。これらの元素は、磁気バイアス層の方形
ループ特性を高める、大きい結晶磁気異方性を誘引する
傾向がある。硬質磁気バイアス層２の付着のあとに、熱
障壁４（例えば、非磁性層）が付着される。熱障壁に適
した材料は、スパッタリングによって準備された約１０
００オングストロームの膜厚の無定形ゲルマニウムであ
る。使用に適する他の材料には、前述の材料の他にとア
ルミナ、無定形珪素等が含まれる。
【００２１】最後に、層４はＮｉ−Ｃｏ−Ｂ−Ｓｉ又は
Ｃｏ−Ｚｒのような軟質磁性材で、５０００オングスト
ローム膜厚でコーティングされる。使用に耐える他の軟
質磁性材には、Ｎｉ80Ｆｅ20、パーマロイ等を含む。こ
れらの合金が選ばれた理由は、磁気歪みが低く、磁気異
方性も低く、その結果、高透磁率を有するからである。
代わりに、層４は、軟質合金層及びゲルマニウム層を交
互に（例えば、３回）積層することによって作ることが
できる。この構造の有利な点は、レーザ又は他の加熱方
法（例えば、ジュール加熱）により、ゲルマニウム及び
軟質磁性体を相互拡散させて軟質磁性体の透磁率を減ら
すことにより、有効バイアス磁界を変える手段を提供す
る点である。加熱することによって、このような構造を
形成する工程は、５月１日付けの米国特許出願第８７
７，９３７号に開示されている。
【００２２】各々のタグは、磁気抵抗を変更するため
に、透磁性層３に非磁性領域のパターンを書くことによ
り好みの個別の識別コードを作ることで個別化できる。
軟質磁性層３がゲルマニウム及び軟質磁性体から構成さ
れている場合には、これは、約１００マイクロ秒の間摂
氏約２００度に加熱して、選択された領域でゲルマニウ
ムを軟質磁性合金と反応させることにより達成できる。
この操作は、レーザ（ＣＯ2 レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザ、エキシマ・レーザなど）、又は他の適当な熱源を使
って行うのが望ましい。タグは、図５の水平線によって
描かれた通り、レーザ・アブレーションにより、層３の
選択された領域を取除くことで個別化することができ
る。
【００２３】図５に示されているように、マルチビット
・タグを作ることができる。この実施例では、横に並べ
てスタックされたタグ１０の配列が示されている。この
ような配列の各々のタグ１０は、マルチビット・タグを
作るために、前述のように個別化（プログラム化）する
ことができる。代わりに、各々のタグ１０はスタックす
る前にコード化され得る。タグ１０間の磁気遮蔽につい
て適切な検討を加えることで、タグを垂直方向にスタッ
クして（即ち、各タグ上に別のタグを積み重ねて）マル
チビット・タグを形成することもできる。更に、大きな
矩形タグ３０を、図５に示された小さな矩形タグ領域１
０で選択的にコード化できる。タグ間の境界３５は、個
々のタグ１０を前述のように物理的に横に並べてスタッ
クすることにより、ダイヤモンド・スタイラスを使っ
て、軟質磁性層３に物理的にスクライビングを行うこと
により、レーザ・アブレーションにより、又は選択的熱
処理により形成される。更に、大きな矩形タグ３０は、
未変更の材料３において個別にプログラムされたタグ領
域１０を持つことができる。
【００２４】ギャップ有りの磁気分路の磁気抵抗Ｒｇ
と、ギャップ無しの分路の磁気抵抗Ｒｎｇとの比は以下
の式で求められる。
【数１】Ｒｇ／Ｒｎｇ＝１＋（ｌg／ｌ）（μ−１） μは分路材料の透磁率，ｌは磁気分路の長さ，ｌgは磁
気回路のギャップの総全長である。例えば、一定の長さ
のギャップを導入するのにレーザが使われると、磁気抵
抗はギャップの数に応じて直線的に変化する。したがっ
て，ＤＰＰＨ層１のバイアス磁界はギャップの数に応じ
て直線的に変化する。
【００２５】マルチビット・タグを作る他の手段は、異
なるバイアス磁界を有する一連の単一タグ１０を作り、
それらを図６に示すように配置することである。このよ
うな異なるバイアス磁界は、例えば、異なる膜厚の分路
層、又は異なる磁化若しくは、膜厚の硬質層でタグを作
ることによって実現することができる。それらの共鳴磁
界をテストしたあとで、各々のコーテングの工程が、Ｅ
ＳＲ材料１のバイアス磁界に基づいて分類される。その
後、希望するバイアス磁界をもつパッチを選択すること
によりタグが機械的に組立てられる。タグ１０は、簡単
に組立てられるように、ゴムのり等の接着剤をコーテン
グすることができる。図６は、組み立てられたタグの実
例を、印加磁界ＢAに対するＲＦ吸収特性と共に示して
いる。隣接するタグの磁性層間に非磁性層が設けられる
のであれば、垂直方向のスタッキングも可能である。
【００２６】本発明で、遠隔読取り可能で、読取る際一
定の方向性を保持する必要がないプログラム可能タグ
（例えば、マーカ、識別子等）が提供される。更に、コ
ード化可能（プログラム可能）タグは、大量のビットを
柔軟に与えるためのバイアス磁界を有する電子スピン共
鳴吸収特性を備える。個々のタグ構成要素によるラジオ
周波数（ＲＦ）エネルギの共鳴的吸収は、例えば、（図
２では詳細は示されていないが）ＲＦ励磁コイル回路の
ある部分に電圧変化を伴う幾つかのデバイス（例えば、
電圧検出器など）で容易に検出できる。これらの電圧変
化は、一般的に印加磁界の関数として、共鳴カーブをプ
ロットするのに使用される。タグ共鳴時に、異なる磁場
の強さで発生するこれらの電圧は、磁場の強さを共鳴と
相関させて、タグが付けられているアイテムを識別する
ために、参照テーブルを組込んだメモリを有するコンピ
ュータ（又は、同様の処理装置）に入力することができ
る。このような入力は、この分野では周知である。適切
なプログラムを作ることにより、コードをディジタル化
すること、即ち、所与の印加磁界におけるＲＦエネルギ
吸収の有無を１または０に対応させることができる。
【００２７】まとめとして、本発明の構成に関して、以
下の事項を開示する。
【００２８】（１） 磁性体の第一層と、磁性体の第二
層と、電子スピン共鳴吸収特性を有する共鳴体層とを含
み、前記第一層および前記第二層は前記共鳴体層に近接
して配置され、前記共鳴体層にバイアス磁界をかけるこ
とを特徴とする、プログラム可能タグ。 （２） 前記第一層又は前記第二層が硬質磁性体で、他
方が軟質磁性体である、（１）に記載のプログラム可能
タグ。 （３） 前記軟質磁性体の層と該層に隣接する層との間
に形成された熱障壁層を更に含む、（２）に記載のプロ
グラム可能タグ。 （４） 前記熱障壁層が、ゲルマニウム、ポリマー材
料、ポリエステル、アルミナ、又は無定型珪素から形成
される、（３）に記載のプログラム可能タグ。 （５） 前記共鳴体層は、１，１ジフェニル−２−ピク
リルヒドラジル水化物を含む、（１）に記載のプログラ
ム可能タグ。 （６） 前記硬質磁性体層がＣｏ−Ｐｔ−Ｔａ又はＦｅ
−Ｚｒ−ＲＥ（ＲＥはＴｂ，Ｄｙ，Ｈｏ、又はＥｒを含
む非Ｓ状態の希土類元素）を含む、（１）に記載のプロ
グラム可能タグ。 （７） 前記軟質磁性体層が、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｂ−Ｓｉ又
はＣｏ−Ｚｒの合金を含む、（１）に記載のプログラム
可能タグ。 （８） 前記軟質磁性体層が、その個々の部分で、印加
されるバイアス磁界の個別化を可能ならしめる、変更可
能な磁気分路を含む、（１）に記載のプログラム可能タ
グ。 （９） 前記軟質磁性体層が、予め決められた固定の厚
さを有し、且つ該層の透磁率を選択的に変更するための
複数の非磁性ブレイクをその中に有する、（１）に記載
のプログラム可能タグ。 （１０） 前記第１層、前記第２層及び前記共鳴体層を
含むタグを複数設けた、（１）、（２）、又は（３）に
記載のプログラム可能タグ。 （１１） 各前記タグが、選択されたバイアス磁界を有
する、（１０）に記載のプログラム可能タグ。 （１２） ２以上の領域に分割され、それらの領域間に
は境界を有し、各領域が選択されたバイアス磁界を有す
る、（１）、（２）、又は（３）に記載のプログラム可
能タグ。 （１３） 前記境界が、前記タグの未変更の材料を含
む、（１２）に記載のプログラム可能タグ。 （１４） 前記境界が、前記タグの変更された材料を含
む、（１２）に記載のプログラム可能タグ。 （１５） 各前記タグが横に並べてスタックされてい
る、（１０）に記載のプログラム可能タグ。 （１６） 前記タグの周囲にラジオ周波数（ＲＦ）磁界
を与え、前記タグを時間と共に変化する磁界にさらしな
がら、前記ＲＦ磁界の吸収を計測することによって読取
られる、（１）、（２）、又は（３）に記載のプログラ
ム可能タグ。 （１７） １，１ジフェニル−２−ピクリルヒドラジル
水化物（ＤＰＰＨ）を溶剤に溶かし、非磁性基板を前記
ＤＰＰＨでコーティングし、前記ＤＰＰＨでコーティン
グされた前記非磁性基板に硬質磁性バイアス層を付着
し、前記硬質磁性バイアス層に非磁性層を付着し、前記
非磁性層を軟質磁性体でコーティングする、プログラム
可能タグの製造方法。 （１８） 前記硬質磁性層は、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔａ又はＦ
ｅ−Ｚｒ−ＲＥ（ＲＥは非Ｓ状態の希土類元素を含む）
で構成される、（１７）に記載の方法。 （１９） 前記軟質磁性体は、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｂ−Ｓｉ又
はＣｏ−Ｚｒで構成される、（１７）に記載の方法。 （２０） 前記非磁性基板は、ゲルマニウム、ポリマー
材料、ポリエステル、アルミナ、又は無定型珪素を含
む、（１７）に記載の方法。 （２１） （１）、（２）、又は（３）に記載の、プロ
グラム可能タグを読取るために、前記プログラム可能タ
グの周辺に磁界を発生する手段と、前記プログラム可能
タグを時間と共に変化する磁界にさらしながら、前記周
辺の磁界の吸収を計測する手段と、を含む読取りシステ
ム。 （２２） 前記計測手段から出力を受取って、該出力を
印加磁界に応じた電圧変化の形で検知することにより、
タグ情報をデコードする手段を含み、前記磁界を発生す
る手段がラジオ周波数（ＲＦ）励磁コイル及び直流磁石
の少なくとも１つを含む、（２１）に記載のシステム。 （２３） 各前記タグが独特なコードを有し垂直方向に
スタックされている、（１０）に記載のプログラム可能
タグ。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のタグ構造の断面図である。
【図２】ヘルムホルツ・コイルとラジオ周波数コイルの
間に位置するタグを例示している。
【図３】時間と共に変化する印加磁界を例示したグラフ
である。
【図４】ある時間にわたるＲＦ吸収を例示したグラフで
ある。
【図５】磁気分路のレーザで書かれたギャップの典型的
なパターンを例示している。
【図６】異なるバイアス磁界を有するストリップの機械
的組立てを例示している。
【符号の説明】
１ ＥＳＲ層 ２ 硬質磁性層 ３ 軟質磁性層 ４ 熱障壁層 １０ プログラム可能タグ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 プラビーン チョウダリ アメリカ合衆国10509、ニューヨーク州 ブライアクリフ・マナー、ロングヒル・ ロード・イースト、416 (72)発明者 リチャード・ジョセフ・ガンビーノ アメリカ合衆国11790、ニューヨーク州 ストーニィ・ブルック、シカモア・サー クル、148 (72)発明者 ハーレイ・ケント・ハインリッヒ アメリカ合衆国10509、ニューヨーク州 ブルースタ、オールド・パットナム・レ イク・ロード、３ (72)発明者 ポール・アンドリュウ・モスコヴィッツ アメリカ合衆国10598、ニューヨーク州 ヨークタウン、ハンターブルック・ロー ド、2015 (72)発明者 ロバート・ジェイコブ・フォン・グット フェルト アメリカ合衆国10025、ニューヨーク州 西115番通り、600 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G06K 7/08 B42D 15/10 501 G06K 19/06 H04Q 9/00 311

Claims (23)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁性体の第一層と、 磁性体の第二層と、 電子スピン共鳴吸収特性を有する共鳴体層とを含み、 前記第一層および前記第二層は前記共鳴体層に近接して
    配置され、 前記共鳴体層にバイアス磁界をかけることを特徴とす
    る、 プログラム可能タグ。
  2. 【請求項２】前記第一層又は前記第二層が硬質磁性体
    で、他方が軟質磁性体である、請求項１に記載のプログ
    ラム可能タグ。
  3. 【請求項３】前記軟質磁性体の層と該層に隣接する層と
    の間に形成された熱障壁層を更に含む、請求項２に記載
    のプログラム可能タグ。
  4. 【請求項４】前記熱障壁層が、ゲルマニウム、ポリマー
    材料、ポリエステル、アルミナ、又は無定型珪素から形
    成される、請求項３に記載のプログラム可能タグ。
  5. 【請求項５】前記共鳴体層は、１，１ジフェニル−２−
    ピクリルヒドラジル水化物を含む、請求項１に記載のプ
    ログラム可能タグ。
  6. 【請求項６】前記硬質磁性体層がＣｏ−Ｐｔ−Ｔａ又は
    Ｆｅ−Ｚｒ−ＲＥ（ＲＥはＴｂ，Ｄｙ，Ｈｏ、又はＥｒ
    を含む非Ｓ状態の希土類元素）を含む、請求項１に記載
    のプログラム可能タグ。
  7. 【請求項７】前記軟質磁性体層が、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｂ−Ｓ
    ｉ又はＣｏ−Ｚｒの合金を含む、請求項１に記載のプロ
    グラム可能タグ。
  8. 【請求項８】前記軟質磁性体層が、その個々の部分で、
    印加されるバイアス磁界の個別化を可能ならしめる、変
    更可能な磁気分路を含む、請求項１に記載のプログラム
    可能タグ。
  9. 【請求項９】前記軟質磁性体層が、予め決められた固定
    の厚さを有し、且つ該層の透磁率を選択的に変更するた
    めの複数の非磁性ブレイクをその中に有する、請求項１
    に記載のプログラム可能タグ。
  10. 【請求項１０】前記第１層、前記第２層及び前記共鳴体
    層を含むタグを複数設けた、請求項１、２、又は３に記
    載のプログラム可能タグ。
  11. 【請求項１１】各前記タグが、選択されたバイアス磁界
    を有する、請求項１０に記載のプログラム可能タグ。
  12. 【請求項１２】２以上の領域に分割され、それらの領域
    間には境界を有し、各領域が選択されたバイアス磁界を
    有する、請求項１、２、又は３に記載のプログラム可能
    タグ。
  13. 【請求項１３】前記境界が、前記タグの未変更の材料を
    含む、請求項１２に記載のプログラム可能タグ。
  14. 【請求項１４】前記境界が、前記タグの変更された材料
    を含む、請求項１２に記載のプログラム可能タグ。
  15. 【請求項１５】各前記タグが横に並べてスタックされて
    いる、請求項１０に記載のプログラム可能タグ。
  16. 【請求項１６】前記タグの周囲にラジオ周波数（ＲＦ）
    磁界を与え、前記タグを時間と共に変化する磁界にさら
    しながら、前記ＲＦ磁界の吸収を計測することによって
    読取られる、請求項１、２、又は３に記載のプログラム
    可能タグ。
  17. 【請求項１７】１，１ジフェニル−２−ピクリルヒドラ
    ジル水化物（ＤＰＰＨ）を溶剤に溶かし、非磁性基板を
    前記ＤＰＰＨでコーティングし、前記ＤＰＰＨでコーテ
    ィングされた前記非磁性基板に硬質磁性バイアス層を付
    着し、前記硬質磁性バイアス層に非磁性層を付着し、前
    記非磁性層を軟質磁性体でコーティングする、プログラ
    ム可能タグの製造方法。
  18. 【請求項１８】前記硬質磁性層は、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔａ又
    はＦｅ−Ｚｒ−ＲＥ（ＲＥは非Ｓ状態の希土類元素を含
    む）で構成される、請求項１７に記載の方法。
  19. 【請求項１９】前記軟質磁性体は、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｂ−Ｓ
    ｉ又はＣｏ−Ｚｒで構成される、請求項１７に記載の方
    法。
  20. 【請求項２０】前記非磁性基板は、ゲルマニウム、ポリ
    マー材料、ポリエステル、アルミナ、又は無定型珪素を
    含む、請求項１７に記載の方法。
  21. 【請求項２１】請求項１、２、又は３に記載の、プログ
    ラム可能タグを読取るために、 前記プログラム可能タグの周辺に磁界を発生する手段
    と、 前記プログラム可能タグを時間と共に変化する磁界にさ
    らしながら、前記周辺の磁界の吸収を計測する手段と、 を含む読取りシステム。
  22. 【請求項２２】前記計測手段から出力を受取って、該出
    力を印加磁界に応じた電圧変化の形で検知することによ
    り、タグ情報をデコードする手段を含み、前記磁界を発
    生する手段がラジオ周波数（ＲＦ）励磁コイル及び直流
    磁石の少なくとも１つを含む、請求項２１に記載のシス
    テム。
  23. 【請求項２３】各前記タグが独特なコードを有し垂直方
    向にスタックされている、請求項１０に記載のプログラ
    ム可能タグ。
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