JP2781975B2 - Drive circuit for EL display device - Google Patents

Drive circuit for EL display device

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JP2781975B2
JP2781975B2 JP30759488A JP30759488A JP2781975B2 JP 2781975 B2 JP2781975 B2 JP 2781975B2 JP 30759488 A JP30759488 A JP 30759488A JP 30759488 A JP30759488 A JP 30759488A JP 2781975 B2 JP2781975 B2 JP 2781975B2
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capacitor
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Abstract

PURPOSE:To prevent an afterimage from being formed on the EL display device by applying a specific binary signal to a capacitor and turning on and off a switching element, and applying a dummy pulse to the capacitor right before the binary signal is applied. CONSTITUTION:The EL display device 20 is interposed between row-side and column-side electrodes arrayed in a matrix direction and driven by setting the potentials of the respective row-side electrode and respective column-side electrodes. A composite row driving circuit is supplied with control signals A, B, and C based upon a vertical synchronous rise detection, an odd-row and even-row detection, and a clocking and vertical synchronous polarity detection signal and the capacitor 523 of an output circuit 522 is charged electrostatically with the dummy pulse contained in the signal A right before the device 201 is scanned. Consequently, the FET 525 of the output circuit 522 is securely turned on as the signal A rises and the rounding of the output waveform of a composite driving output PROW is eliminated to prevent the afterimage from appearing on the device 201.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はEL表示装置の駆動回路に関する。The present invention relates to a driving circuit for an EL display device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図はEL表示装置の構成を示している。同図におい
て、ガラス基板101上にIn23よりなる帯状の透明電極1
02を平行に設け、この上に例えばY23、Si24、Ta2
5、Al23等の誘電物質層103、Mn等の活性剤をドープ
したZnSよりなるEL層104、上記と同じくY23、Si
24、Ta25、Al23等の誘電物質層103′を蒸着法、
スパッタリング法などにより積層した3層構造の薄膜EL
素子を設け、その上に上記透明電極102と直交する方向
にAlよりなる帯状の背面電極105を平行に設けている。
FIG. 3 shows the configuration of the EL display device. In the figure, a strip-shaped transparent electrode 1 made of In 2 O 3 is formed on a glass substrate 101.
02 are provided in parallel, and for example, Y 2 O 3 , Si 2 N 4 , Ta 2
A dielectric material layer 103 such as O 5 and Al 2 O 3 , an EL layer 104 made of ZnS doped with an activator such as Mn, and Y 2 O 3 and Si
2 N 4, Ta 2 O 5 , Al 2 O vapor deposition dielectric material layer 103 ', such as 3,
Three-layer thin film EL laminated by sputtering method
An element is provided, and a strip-shaped back electrode 105 made of Al is provided on the element in parallel with a direction perpendicular to the transparent electrode 102.

上記薄膜EL素子は両電極間に、誘電物質103、103′で
挾持されたEL層104を介在させたものなので、等価的に
は容量性素子とみなすことができる。また、該薄膜EL素
子は第4図に示す電圧−輝度特性から明らかな如く、20
0V程度の比較的高電圧を印加して駆動される。
Since the above-mentioned thin-film EL element has the EL layer 104 interposed between the two electrodes between the dielectric materials 103 and 103 ', it can be regarded as a capacitive element equivalently. In addition, as is apparent from the voltage-luminance characteristics shown in FIG.
It is driven by applying a relatively high voltage of about 0V.

このようにして薄膜EL素子は200V程度の比較的高い駆
動電圧を必要とするので高耐圧MOS電界効果トランジス
タを用いて駆動される。このため薄膜EL素子専用の駆動
回路として、高耐圧MOS電界効果トランジスタおよびこ
のトランジスタをスイッチングする論理回路を同一チッ
プに集積化した高耐圧MOS集積回路が提供されている。
In this way, the thin-film EL element requires a relatively high driving voltage of about 200 V, and is driven using a high-breakdown-voltage MOS field-effect transistor. For this reason, a high voltage MOS integrated circuit in which a high voltage MOS field effect transistor and a logic circuit for switching this transistor are integrated on the same chip is provided as a drive circuit dedicated to the thin film EL element.

第5図はEL表示装置を駆動するための回路構成を例示
しており、ここではEL表示装置201をパーソナルコンピ
ュータ301の端末として使用している。
FIG. 5 illustrates a circuit configuration for driving the EL display device. Here, the EL display device 201 is used as a terminal of the personal computer 301.

まず、EL表示装置201にはX方向に配列される列側の
コラム電極X1〜X640と、Y方向に配列された行側のロ
ウ電極Y1〜Y200とが設けられている。したがって、こ
のEL表示装置201は640×200ドットの画素行列を有す
る。ロウ側IC210および220は奇数番目および偶数番目の
ロウ電極にそれぞれ接続された電界効果トランジスタ
(以下FETと称す)211および221を出力段としてそれぞ
れ備えており、これらのFETを選択的にオンおよびオフ
にする。一方、コラム側IC230は奇数番目のコラム電極
毎にFET231と232を出力段として備え、これらのFETを選
択的にオンおよびオフにする。また、コラム側IC240は
偶数番目のコラム電極毎にFET241と242を出力段として
備え、これらのFETを選択的にオンおよびオフにする。
First, the EL display device 201 and the column electrode X 1 to X 640 column side is arranged in the X direction, and the row electrodes Y 1 to Y 200 in arranged in the Y-direction line side. Therefore, the EL display device 201 has a pixel matrix of 640 × 200 dots. The row-side ICs 210 and 220 include, as output stages, field-effect transistors (hereinafter referred to as FETs) 211 and 221 connected to odd-numbered and even-numbered row electrodes, respectively, and selectively turn on and off these FETs. To On the other hand, the column-side IC 230 includes FETs 231 and 232 as output stages for each odd-numbered column electrode, and selectively turns these FETs on and off. The column-side IC 240 includes FETs 241 and 242 as output stages for each even-numbered column electrode, and selectively turns these FETs on and off.

さて、パーソナルコンピュータ301からは画像を示す
テレビジョン信号が出力され、該テレビジョン信号は画
像変換部302に加えられる。このテレビジョン信号は水
平同期信号、垂直同期信号、データ信号およびクロック
信号からなる。画像変換部302はテレビジョン信号を入
力すると、テレビジョン信号に含まれる帰線期間を除去
するとともに、テレビジョン信号をEL表紙装置201に対
応しうるように変換し、EL用に変換された水平同期信号
HS、垂直同期信号VS、データ信号DINおよびクロック信
号CKDをコントロール回路303に送出する。コントロー
ル回路303はこれらの信号をEL表示装置303はこれらの信
号をEL表示装置201のコラム側およびロウ側についてそ
れぞれ処理する。
Now, a television signal indicating an image is output from the personal computer 301, and the television signal is applied to the image conversion unit 302. The television signal includes a horizontal synchronization signal, a vertical synchronization signal, a data signal, and a clock signal. When the television signal is input, the image conversion unit 302 removes a blanking period included in the television signal, converts the television signal to be compatible with the EL cover device 201, and converts the horizontal signal converted for EL. Sync signal
HS, the vertical synchronizing signal VS, the data signal DIN and the clock signal CKD are sent to the control circuit 303. The control circuit 303 processes these signals, and the EL display device 303 processes these signals on the column side and the row side of the EL display device 201, respectively.

まず、EL表示装置201のコラム側についての処理を行
う場合、コントロール回路303は水平同期信号HSが(第
6図に示す)がハイレベルの期間で1行640列の画素毎
にデータ信号DIN(第6図に示す)およびクロック信号
CKD(第6図に示す)を入力し、640列の画素毎のデー
タ信号DINを奇数番目と偶数番目に振り分ける。すなわ
ち、クッロク信号CKDを2分周した2分周クロック信号
CLKを形成するとともに、反転2分周クロック信号▲
▼Kを形成し、2分周クロック信号CLKの立上がりで
データ信号DINをラッチすることにより奇数番目の奇数
データ信号Doddを求め、またデータ信号DINを偶数デ
ータ信号Devenとする。そして、コントロール回路303
は反転2分周クロック信号▲▼Kおよび奇数データ
信号Doddをコラム側IC230に送出するとともに、反転2
分周クロック信号▲▼Kおよび偶数データ信号Deve
nをコラム側IC240に送出する。
First, when performing the processing on the column side of the EL display device 201, the control circuit 303 outputs the data signal DIN (PIN) for each pixel in one row and 640 columns while the horizontal synchronization signal HS (shown in FIG. 6) is at a high level. 6) and a clock signal CKD (shown in FIG. 6) are input, and the data signal DIN for each pixel of 640 columns is distributed to odd and even numbers. That is, the clock signal CKD is divided by 2 to form a divide-by-2 clock signal CLK, and the inverted divide-by-2 clock signal ▲
KK is formed, and the odd-numbered odd data signal Dodd is obtained by latching the data signal DIN at the rise of the divided-by-2 clock signal CLK, and the data signal DIN is set as the even data signal Deven. And the control circuit 303
Sends the inverted-divided-two clock signal ▲ K and the odd-numbered data signal Dodd to the column-side IC 230,
Divided clock signal ▲ ▼ K and even data signal Dev
n is sent to the column side IC 240.

コラム側IC230では反転2分周クロック信号▲▼K
および奇数データ信号Doddをシフトレジスタ233に入力
する。シフトレジスタ233は反転2分周クロック信号▲
▼Kの立上りで奇数データ信号Doddを順次ストアす
る。また、コラム側IC240では反転2分周クロック信号
▲▼Kおよび偶数データ信号Devenをシフトレジス
タ243に入力する。シフトレジスタ243は反転2分周クロ
ック信号▲▼Kの立上がりで偶数データ信号Deven
を順次ストアするので、偶数データ信号Devenのうちの
奇数番目を除くデータ信号つまり前記データ信号DINの
うちの偶数番目のデータ信号のみをストアすることにな
る。この結果、コラム側IC230のシフトレジスタ233には
1行640列の画素のうち奇数番目の画素の明暗を示す奇
数データがストアされ、またコラム側IC240のシフトレ
ジスタ243には1行640列の画素のうち偶数番目の画素の
明暗を示す偶数データがストアされる。
Inverted divided-by-2 clock signal ▲ ▼ K in column side IC230
And the odd data signal Dodd is input to the shift register 233. The shift register 233 outputs the inverted divided-by-2 clock signal.
At the rising edge of K, odd-numbered data signals Dodd are sequentially stored. Further, the column side IC 240 inputs the inverted divided-by-2 clock signal ▼ K and the even-numbered data signal Deven to the shift register 243. The shift register 243 outputs the even-numbered data signal Deven at the rise of the inverted divided-by-2 clock signal ▲ ▼ K.
Are sequentially stored, so that only the data signals except the odd-numbered data signals of the even-numbered data signals Deven, that is, only the even-numbered data signals of the data signal DIN are stored. As a result, the shift register 233 of the column-side IC 230 stores odd-numbered data indicating the brightness of the odd-numbered pixel among the pixels of one row and 640 columns, and the shift register 243 of the column-side IC 240 stores the pixel of one row and 640 columns. Among them, the even data indicating the brightness of the even-numbered pixel is stored.

次に、コントロール回路303は1行640行のデータ信号
DINの送出を終了した後つまり水平同期信号HSが立下っ
てからコラムラッチ信号L ACOL(第6図に示す)をハイ
レベルにする。このコラムラッチ信号L ACOLは各コラム
側IC230,240のラッチ回路234,244にそれぞれ入力され
る。
Next, the control circuit 303 sets the column latch signal LACOL (shown in FIG. 6) to a high level after the transmission of the data signal DIN of one row and 640 rows is completed, that is, after the horizontal synchronizing signal HS falls. The column latch signal LACOL is input to the latch circuits 234 and 244 of the column-side ICs 230 and 240, respectively.

コラム側IC230のラッチ回路234はコラムラッチ信号L
ACOLが立上ると、シフトレジスタ233から奇数データを
ラッチし、この奇数データに基づいて奇数番目のコラム
電極に対応する各アンド回路235にハイレベルまたはロ
ーレベルの信号をそれぞれ加える。例えば、ラッチ回路
234は1行1列目の画素が「明」であれば1列目のコラ
ム電極に対応するアンド回路235にハイレベルの信号を
加え、また1行3列目の画素が「暗」であれば3列目の
コラム電極X3に対応するアンド回路235にローレベルの
信号を加える。
The latch circuit 234 of the column-side IC 230 outputs the column latch signal L
When ACOL rises, odd data is latched from the shift register 233, and a high-level or low-level signal is applied to each AND circuit 235 corresponding to the odd-numbered column electrode based on the odd-numbered data. For example, a latch circuit
234 applies a high-level signal to the AND circuit 235 corresponding to the column electrode in the first column if the pixel in the first row and first column is “bright”, and if the pixel in the first row and third column is “dark”. For example, a low-level signal is applied to an AND circuit 235 corresponding to the third column electrode X3.

一方、コラム側IC240のラッチ回路244はコラムラッチ
信号L ACOLが立上ると、シフトレジスタ243から偶数デ
ータをラッチし、この偶数データに基づいて偶数番目の
コラム電極に対応する各アンド回路245にハイレベルま
たはローレベルの信号をそれぞれ加える。例えば、ラッ
チ回路244は1行2列目の画素が「明」であれば2列目
のコラム電極X2に対応するアンド回路245にハイレベル
の信号を加え、また1行4列目の画素が「暗」であれば
4列目のコラム電極X4に対応するアンド回路245にロー
レベルの信号を加える。
On the other hand, when the column latch signal LACOL rises, the latch circuit 244 of the column side IC 240 latches even data from the shift register 243, and based on the even data, the AND circuit 245 corresponding to the even-numbered column electrode is driven high. Apply a level or low level signal, respectively. For example, the latch circuit 244 applies a high-level signal to the AND circuit 245 corresponding to the column electrode X2 in the second column if the pixel in the first row and second column is “bright”, and the pixel in the first row and fourth column is If "dark", a low-level signal is applied to the AND circuit 245 corresponding to the fourth column electrode X4.

次に、コントロール回路303は後述する奇数ロウイネ
ーブル信号ENoddおよび偶数ロウイネーブル信号ENeven
の論理和でありかつ走査時には水平同期信号HSに同期す
るコラムアウトプットイネーブル信号COLOE(第6図に
示す)を各コラム側IC230,240に送出する。このコラム
アウトプットイネーブル信号COLOEは各コラム側IC230,
240のアンド回路235,245にそれぞれ加えられる。
Next, the control circuit 303 supplies an odd row enable signal ENodd and an even row enable signal ENeven described later.
And outputs a column output enable signal COLOE (shown in FIG. 6) synchronized with the horizontal synchronizing signal HS to the column-side ICs 230 and 240 during scanning. This column output enable signal COLOE is applied to each column side IC230,
Added to 240 AND circuits 235,245 respectively.

コラム側IC230のアンド回路235はコラムアウトプット
イネーブル信号COLOEが立上ってハイレベルになると、
シフトレジスタ233からの奇数データに基づくハイレベ
ルまたはローレベルの信号をFET231と、ノット回路236
を介してFET232に加える。例えば、1列目のコラム電極
1に対応するアンド回路235は1行1列目の画素が
「明」であればハイレベルの信号を1列目のコラム電極
1に対応するFET231に加える。これにより該FET231が
オンとなり、1列目のコラム電極X1にはコラム電圧供
給部601からの+80Vの電圧が印加される。また、3列目
のコラム電極X3に対応するアンド回路235は1行3列目
の画素が「暗」であればローレベルの信号を3列目のコ
ラム電極X3に対応するノット回路236に加える。これに
応答して該ノット回路236からはハイレベルの信号がFET
232に加えられ、該FETがオンとなり、3列目のコラム電
極X3が接地される。
When the column output enable signal COLOE rises to a high level, the AND circuit 235 of the column side IC 230
A high-level or low-level signal based on the odd-numbered data from the shift register 233 is supplied to the FET 231 and the knot circuit 236.
To the FET 232 via. For example, the AND circuits 235 corresponding to the column electrodes X 1 of the first column is added to the first row and the first column of pixels corresponds to the first column a high level signal if the "bright" column electrodes X 1 FET231 . As a result, the FET 231 is turned on, and a voltage of +80 V from the column voltage supply unit 601 is applied to the first column electrode X1. The AND circuit 235 corresponding to the third column electrode X 3 outputs a low level signal to the knot circuit 236 corresponding to the third column electrode X 3 if the pixel in the first row and third column is “dark”. Add to In response, a high-level signal is output from the knot circuit 236 to the FET.
Was added to 232, the FET is turned on, the third column the column electrode X 3 is grounded.

一方、コラム側IC240のアンド回路245はコラムアウト
プットイネーブル信号COLOEが立上ってハイレベルにな
ると、シフトレジスタ243からの偶数データに基づくハ
イレベルまたはローレベルの信号をFET241と、ノット回
路246を介してFET242に加える。例えば、2列目のコラ
ム電極X2に対応するアンド回路245は1行2列目の画素
が「明」であればハイレベルの信号を出力し、これによ
り2列目のコラム電極X2に対応するFET241がオンとな
り、2列目のコラム電極X2にはコラム電圧供給部601か
らの+80Vの電圧が印加される。また、4列目のコラム
電極X4に対応するアンド回路245は1行4列目の画素が
「暗」であればローレベルの信号を出力し、これにより
4列目のコラム電極X4に対応するFET242がオンとな
り、4列目のコラム電極X4が接地される。
On the other hand, when the column output enable signal COLOE rises to a high level, the AND circuit 245 of the column side IC 240 outputs a high level or low level signal based on the even data from the shift register 243 to the FET 241 and the knot circuit 246. Via FET242. For example, an AND circuit 245 which corresponds to the second row in the column electrode X 2 is (1, 2) th pixel outputs a high level signal if the "bright", thereby the second column to the column electrode X 2 The corresponding FET 241 is turned on, and a voltage of +80 V from the column voltage supply unit 601 is applied to the second column electrode X2. Further, the AND circuit 245 which corresponds to the column electrode X 4 of the fourth column first row 4 column of pixels outputs a low level signal if the "dark", thereby the fourth column to the column electrode X 4 corresponding FET242 is turned on, the fourth column the column electrode X 4 is grounded.

したがって、各コラム電極X1〜X640は1行640列の
画素にそれぞれ対応して画素が「明」であれば+80Vを
印加され、また画素が「暗」であれば接地される。この
ような1行640列の画素に対応する各コラム電極X1〜X
640の電位設定はコラムアウトプットイネーブル信号CO
LOEが立下るまで、つまりほぼ水平同期信号HSがハイレ
ベルである期間保持される。そして、この期間に2行64
0列の画素に対応するデータ信号DINが奇数番目および
偶数番目に振り分けられてコントロール回路303から各
シフトレジスタ233および243にロードされる。さらに、
各シフトレジスタ233および243からは奇数データおよび
偶数データがコラムラッチ信号LACOLの立上りで各ラッ
チ回路234および244にラッチされ、この後コラムアウト
プットイネーブル信号COLOEの立上りで各コラム電極X
1〜X640の電位が2行640列の画素の明暗に応じてそれ
ぞれ設定される。
Therefore, each of the column electrodes X 1 to X 640 is applied with +80 V when the pixel is “bright” and grounded when the pixel is “dark”, corresponding to the pixels in one row and 640 columns. Each of the column electrodes X 1 to X corresponding to such a pixel in one row and 640 columns
The 640 potential is set by the column output enable signal CO.
It is held until the LOE falls, that is, while the horizontal synchronization signal HS is almost at a high level. And during this period, 2 rows 64
Data signals DIN corresponding to pixels in column 0 are distributed to odd-numbered and even-numbered data, and are loaded from the control circuit 303 into the shift registers 233 and 243. further,
Odd data and even data are latched by the latch circuits 234 and 244 from the shift registers 233 and 243 at the rise of the column latch signal LACOL, and thereafter, the column electrodes X are raised at the rise of the column output enable signal COLOE.
Potential of 1 to X 640 are respectively set in accordance with the brightness of pixels in two rows and 640 columns.

このように1行〜200行までの行毎に640列の画素の明
暗に応じて各コラム電極X1〜X640の電位がそれぞれ設
定される。
In this manner, the potential of each of the column electrodes X 1 to X 640 is set in accordance with the brightness of the pixels of 640 columns for each of the rows 1 to 200.

次に、EL表示装置201のロウ側の処理について説明す
る。まず、コントロール回路303は、画像処理部302から
垂直同期信号VS(第6図に示す)を入力するとともに、
この垂直同期信号VSの1周期で200行の走査毎に水平同
期信号HSを入力する。そして、コントロール回路303は
垂直同期信号VSの立上りで200行分のロウデータ信号Dro
wを形成し、このロウデータ信号Drowを各ロウ側IC210お
よび220に送出する。各ロウ側IC210および220はロウデ
ータ信号Drowを各シフトレジスタ212および222にそれぞ
れ入力し、これらのシフトレジスタ212および222にロウ
データをストアする。
Next, processing on the row side of the EL display device 201 will be described. First, the control circuit 303 inputs the vertical synchronization signal VS (shown in FIG. 6) from the image processing unit 302,
The horizontal synchronizing signal HS is input every 200 rows of scanning in one cycle of the vertical synchronizing signal VS. Then, the control circuit 303 supplies the row data signal Dro for 200 rows at the rise of the vertical synchronization signal VS.
w, and sends this row data signal Drow to each row-side IC 210 and 220. Each of the row-side ICs 210 and 220 inputs the row data signal Drow to each of the shift registers 212 and 222, respectively, and stores row data in these shift registers 212 and 222.

また、コントロール回路303は水平同期信号HSを1/2分
周したロウクロック信号Crow(第6図に示す)を形成
し、このロウクロック信号Crowを各ロウ側IC210,220に
送出する。ロウ側IC210ではロウクロック信号Crowをシ
フトレジスタ212に入力する。シフトレジスタ212はロウ
クロック信号Crowを入力すると、前記ロウデータに基
づいてハイレベルの信号Q1(第6図に示す)をロウ電
極Y1に対応するアンド回路213にロウクロック信号Cro
wの1周期の間加える。一方、ロウ側IC220ではロウクロ
ック信号Crowをシフトレジスタ222に入力する。シフト
レジスタ222はロウクロック信号Crowに応答し、前記ロ
ウデータに基づいてハイレベルの信号Q1をロウ電極Y2
に対応するアンド回路223にロウクロック信号Crowの1
周期の間加える。したがって、各ロウ電極Y1,Y2に対応
する各アンド回路213,223にハイレベルの信号Q1がロウ
クロック信号Crowの同じ1周期の間つまり水平同期信
号HSの2周期の間加えられることになる。
Further, the control circuit 303 forms a row clock signal Crow (shown in FIG. 6) obtained by dividing the horizontal synchronization signal HS by 1/2, and sends this row clock signal Crow to each row-side IC 210, 220. The row side IC 210 inputs the row clock signal Crow to the shift register 212. When the shift register 212 receives the row clock signal Crow, it outputs a high-level signal Q 1 (shown in FIG. 6) to the AND circuit 213 corresponding to the row electrode Y 1 based on the row data.
Add for one cycle of w. On the other hand, the row-side IC 220 inputs the row clock signal Crow to the shift register 222. Shift register 222 is the row clock signal in response to Crow, the high level on the basis of the raw data signal Q 1 row electrodes Y 2
And the row clock signal Crow 1
Add during the cycle. Therefore, the high level signal Q1 to the AND circuits 213 and 223 corresponding to each row electrodes Y 1, Y 2 is applied between the two cycles between clogging horizontal synchronizing signal HS of the same one period of the row clock signal Crow.

さらに、コントロール回路303は水平同期信号HSに同
期する奇数ロウイネーブル信号E Noddおよび偶数ロウイ
ネーブル信号E Nevenを各ロウ側IC210および220にそれ
ぞれ送出する。ロウ側IC210では奇数ロウイネーブル信
号E Noddを奇数番目のロウ電極に対応する全てのアンド
回路213に入力する。このとき、ロウ電極Y1に対応する
アンド回路213はシフトレジスタ212からのハイレベル信
号Q1を入力しているので、ハイレベルの信号をオア回
路214を介してFET211に加える。そして、ロウ電極Y1
除く奇数番目のロウ電極に対応するアンド回路213はシ
フトレジスタ212からロウデータに基づくローレベルの
信号を入力し、このためローレベルの信号をオア回路21
4に加える。また、コントロール回路303は垂直同期信号
VSがハイレベルの期間に少なくともハイレベルであるロ
ウストローブ信号S Trow(第6図に示す)を出力してお
り、このロウストローブ信号S Trowがロウ側IC210のノ
ット回路215を介し反転されて全てのオア回路214に加え
られる。したがって、ロウ電極Y1に対応するオア回路2
14からはハイレベルの信号がFET211に加えられ、ロウ電
極Y1に対応するFET211がオンとなる。また、ロウ電極
1を除く奇数番目のロウ電極に対応するオア回路214か
らはローレベルの信号がFET211に加えられ、ロウ電極Y
1を除く奇数番目のFET211がオフとなる。
Further, the control circuit 303 sends an odd-numbered row enable signal E Nodd and an even-numbered row enable signal E Neven synchronized with the horizontal synchronization signal HS to the respective row-side ICs 210 and 220. The row-side IC 210 inputs the odd-numbered row enable signal E Nodd to all the AND circuits 213 corresponding to the odd-numbered row electrodes. At this time, since the AND circuit 213 corresponding to the row electrode Y 1 receives the high-level signal Q 1 from the shift register 212, it applies a high-level signal to the FET 211 via the OR circuit 214. Then, the odd-numbered AND circuit 213 corresponding to the row electrodes enter a low-level signal based from the shift register 212 to the raw data, the OR circuit 21 a signal Therefore low level except the row electrodes Y 1
Add to 4. The control circuit 303 is a vertical synchronization signal
The row strobe signal S Trow (shown in FIG. 6) which is at least high level during the period when VS is high level is output, and this row strobe signal S Trow is inverted through the knot circuit 215 of the low side IC 210 and all To the OR circuit 214. Therefore, OR circuit 2 corresponding to the row electrodes Y 1
High-level signal from 14 is applied to the FET 211, FET 211 corresponding to the row electrodes Y 1 is turned on. Further, the low level signal from the OR circuit 214 corresponding to the odd-numbered row electrodes except for the row electrodes Y 1 is added to the FET 211, the row electrode Y
The odd-numbered FETs 211 except 1 are turned off.

一方、ロウ側IC220では偶数ロウイネーブル信号E Nev
enを偶数番目のロウ電極に対応する全てのアンド回路22
3に入力する。このとき、ロウ電極Y2に対応するアンド
回路223はシフトレジスタ222からのハイレベルの信号Q
1を入力しているので、ハイレベルの信号をオア回路224
を介してFET221に加える。そして、ロウ電極Y2を除く
偶数番目のロウ電極に対応するアンド回路223はシフト
レジスタ222からローデータに基づくローレベルの信号
を入力し、このためローレベルの信号をオア回路224に
加える。また、全てのオア回路224はロウストローブ信
号S Trowを入力しているノット回路225の反転出力を入
力している。したがって、ロウ電極Y2に対応するオア
回路224からは、ハイレベルの信号がFET221に加えら
れ、ロウ電極Y2に対応するFET221がオンとなる。ま
た、ロウ電極Y2を除く偶数番目のロウ電極に対応する
オア回路224からはローレベルの信号がFET221に加えら
れ、ロウ電極Y2を除く偶数番目のロウ電極のFET221が
オフとなる。
On the other hand, in the low-side IC 220, the even-number row enable signal E Nev
en and all AND circuits 22 corresponding to even-numbered row electrodes
Enter 3 At this time, the AND circuit 223 corresponding to the row electrode Y 2 outputs the high-level signal Q from the shift register 222.
Since 1 is input, the high level signal is
To the FET 221 via. Then, the AND circuit corresponding to the even-numbered row electrodes except for the row electrode Y 2 223 inputs the low level of the signal based on the raw data from the shift register 222, added to the signal of this for a low level to the OR circuit 224. In addition, all the OR circuits 224 input the inverted output of the knot circuit 225 to which the row strobe signal S Trow is input. Thus, from the OR circuit 224 corresponding to the row electrodes Y 2, a high level signal is applied to the FET 221, FET 221 corresponding to the row electrodes Y 2 is turned on. Further, the low level signal from the OR circuit 224 corresponding to the even-numbered row electrodes except for the row electrode Y 2 is applied to FET 221, FET 221 of the even-numbered row electrodes except for the row electrode Y 2 is turned off.

すなわち、コントロール回路303からロウクロック信
号Crowがハイレベルの期間に各シフトレジスタ212およ
び222からハイレベルの信号Q1が各ロウ電極Y1および
2に対応する各アンド回路213および223に加えられ、
このとき各アンド回路213および223には奇数ロウイネー
ブル信号E Noddおよび偶数ロウイネーブル信号E Neven
が順次加えられる。したがって、各ロウ電極Y1および
2に接続されている各FET211および221が順次オンにさ
れる。
That is, added to the AND circuits 213 and 223 the row clock signal Crow from the control circuit 303 signals to Q 1 a high level from the shift registers 212 and 222 during the high level corresponding to each row electrodes Y 1 and Y 2 ,
At this time, the odd row enable signal E Nodd and the even row enable signal E Neven are supplied to the AND circuits 213 and 223.
Are sequentially added. Accordingly, the FETs 211 and 221 connected to the row electrodes Y 1 and Y 2 are sequentially turned on.

そして、コントロール回路303から出力されているロ
ウクロック信号Crowが次に立上ると、各シフトレジス
タ212および222からはハイレベルの信号Q2が各コラム
電極Y3およびY4に対応する各アンド回路213および223
に出力される。そして、これらのアンド回路213および2
23にはコントロール回路303からの奇数イネーブル信号E
Noddおよび偶数イネーブル信号E Nevenが順次加えられ
るので、該各アンド回路213および223からはハイレベル
の信号がそれぞれのオア回路214および224を介してそれ
ぞれのFET211および221に順次加えられる。この結果、
各ロウ電極Y3およびY4に接続されている各FET211およ
び221が順次オンにされる。
When the row clock signal Crow being output from the control circuit 303 then rises, the AND circuit signal Q 2 of the high level from the shift register 212 and 222 corresponding to each column electrode Y 3 and Y 4 213 and 223
Is output to And these AND circuits 213 and 2
23 has an odd enable signal E from the control circuit 303.
Since Nodd and the even enable signal ENeven are sequentially applied, a high-level signal is sequentially applied from the AND circuits 213 and 223 to the respective FETs 211 and 221 via the respective OR circuits 214 and 224. As a result,
Each FET211 and 221 are sequentially turned on is connected to the respective row electrodes Y 3 and Y 4.

以降同様に各ロウ電極Y1〜Y200に接続されている各
FET211および各FET221は各ロウ電極Y1〜Y200の各行毎
に順次オンにされる。
Similarly, each of the row electrodes Y 1 to Y 200
The FET 211 and each FET 221 are sequentially turned on for each row of the row electrodes Y 1 to Y 200 .

さて、コンポジットロウドライブ回路401はコントロ
ール回路303の制御に応答して走査時に水平同期信号HS
に同期してコンポジットロウドライブ出力Prow(第6図
に示す)を各ロウ側IC210,220の各FET211,221に出力し
ている。このコンポジットロウドライブ出力信号Prow
は水平同期信号HSがハイレベルのとき−120Vを示してい
る。一方、各FET211および各FET221は水平同期信号HSに
同期して各ロウ電極Y1〜Y200の各行毎にオンにされ
る。このため、各ロウ電極Y1〜Y200には各FET211およ
び各FET221を介して−120Vが順次印加されることにな
る。
Now, the composite row drive circuit 401 responds to the control of the control circuit 303 so that the horizontal synchronizing signal HS
6, the composite row drive output Prow (shown in FIG. 6) is output to the FETs 211 and 221 of the row-side ICs 210 and 220. This composite row drive output signal Prow
Indicates −120 V when the horizontal synchronization signal HS is at a high level. On the other hand, each FET 211 and each FET 221 are turned on for each row of each row electrode Y 1 to Y 200 in synchronization with the horizontal synchronization signal HS. Therefore, −120 V is sequentially applied to each of the row electrodes Y 1 to Y 200 via each of the FETs 211 and 221.

ここで、例えばロウ電極Y1に−120Vが印加されてい
る際、各コラム電極X1〜X640は1行目のデータ信号D
INに基づく明暗に応じて+80Vを印加されるかまたは接
地される。このとき、コラム電極X1が「明」に対応す
る+80Vを印加されているとすると、コラム電極Y1が−
120Vであることからコラム電極X1とロウ電極Y1の交差
点上の電位差が+80V−(−120V)=200Vとなり、該交
差点に対応する薄膜EL素子の画素が発光する。また、コ
ラム電極X3が「暗」に対応して接地されているとする
と、ロウ電極Y1が−120Vであることからコラム電極X3
とロウ電極Y1の交差点上の電位差が0V−(−120V)=1
20Vとなり、該交差点に対応する薄膜E素子の画素が発
光しない。同様に、ロウ電極Y1と各コラム電極X2,X4
〜X640の各交差点上の電位差が1行目のデータ信号DI
Nに基づいて200Vまたは120Vにそれぞれ設定され、これ
により該各交差点に対応するそれぞれの画素が発光した
り、発光しなかったりする。さらに、各ロウ電極Y2
200に−120Vが順次印加される毎に、2行目〜200行目
までの各データ信号DINに基づいて各コラム電極X1
640は+80Vを印加されるかまたは接地される。これに
より、EL表示装置201における640×200ドットの画素が
選択的に発光し、もってEL表示装置201に1画素が映し
出される。以降同様に、パーソナルコンピュータ301か
ら引き続き出力されるテレビジョン信号に応答して、EL
表示装置201には画素が順次映し出されることになる。
Here, for example, when the -120V is applied to the row electrodes Y 1, the data signal D of each column electrode X 1 to X 640 is the first row
+80 V is applied or grounded depending on the brightness based on IN. At this time, if the column electrodes X 1 is assumed to be applied to the corresponding + 80V to "bright", the column electrodes Y 1 is -
Since the voltage is 120 V, the potential difference at the intersection between the column electrode X 1 and the row electrode Y 1 is +80 V − (− 120 V) = 200 V, and the pixel of the thin-film EL element corresponding to the intersection emits light. Further, when the column electrode X 3 is assumed to be grounded corresponding to "dark", the column electrode X 3 since the row electrodes Y 1 is -120V
Potential difference on the intersection of the row electrodes Y 1 is 0V - (- 120V) = 1
20V, and the pixel of the thin film E element corresponding to the intersection does not emit light. Likewise, the row electrode Y 1 and each of the column electrodes X 2, X 4
Data signal DI potential difference first line on each intersection to X 640
Each pixel is set to 200 V or 120 V based on N, whereby each pixel corresponding to each intersection emits light or does not emit light. Further, each of the row electrodes Y 2 to
Each time −120 V is sequentially applied to Y 200 , each of column electrodes X 1 to X 1 to Y 2 based on each data signal DIN of the second to the 200 th rows.
X 640 is or ground is applied to the + 80V. As a result, pixels of 640 × 200 dots in the EL display device 201 selectively emit light, and one pixel is projected on the EL display device 201. Thereafter, similarly, in response to the television signal continuously output from the personal computer 301, the EL
Pixels are sequentially projected on the display device 201.

ところで、コンポジットロウドライブ回路401は第7
図に示すように構成されており、コントロール回路303
からの第8図に示す信号A、信号Bおよび信号Cを入力
する。
By the way, the composite row drive circuit 401
The control circuit 303 is configured as shown in the figure.
, The signals A, B and C shown in FIG.

このコンポジットロウドライブ回路401では端子501か
ら第8図に示す信号Cが入力され、この信号Cはバッフ
ァ502を介して波形回路503に加えられる。波形回路503
では信号Cがハイレベルになると、コンデンサ504に直
列接続された半固定抵抗505のタップ位置の電圧がN−c
hFET506のゲートに加えられる。このとき、ゲートバイ
アス電圧はツェナダイオード507の逆バイアス電圧を半
固定抵抗505のタップにより分圧したものであり、この
タップ位置によりN−chFET506のバイアスを浅く設定し
ている。このため、N−chFET506は一定の出力電流I
506が流れる。
In the composite row drive circuit 401, a signal C shown in FIG. 8 is input from a terminal 501, and the signal C is applied to a waveform circuit 503 via a buffer 502. Waveform circuit 503
When the signal C goes high, the voltage at the tap position of the semi-fixed resistor 505 connected in series with the capacitor 504 becomes N-c
Added to the gate of hFET506. At this time, the gate bias voltage is obtained by dividing the reverse bias voltage of the Zener diode 507 by the tap of the semi-fixed resistor 505, and the bias of the N-ch FET 506 is set to be shallow by the tap position. Therefore, the N-ch FET 506 has a constant output current I
506 flows.

出力回路510ではこの出力電流I506によりコンデンサ
511が徐々に蓄電され、コンデンサ511の端子電圧V511
がN−chFET506に印加されている−120Vまで徐々に下降
する。コンデンサ511の端子電圧V511はP−chFET512の
ゲートに加えられる。このP−chFET512はドレインを抵
抗513を介してアースに接続されているので、ソースフ
ォロワ回路として用いられている。
In the output circuit 510, the output current I506
511 is gradually charged, and the terminal voltage V 511 of the capacitor 511 is stored.
Gradually falls to -120 V applied to the N-ch FET 506. The terminal voltage V 511 of the capacitor 511 is applied to the gate of the P-chFET 512 . Since the P-chFET 512 has the drain connected to the ground via the resistor 513, it is used as a source follower circuit.

次に、信号Cがローレベルになると、N−chFET506の
ゲートバイアス電圧は該N−chFET506がオフになるまで
降下する。このとき、端子520から入力されている信号
Aはハイレベルとなり、反転バッファ521を介して波形
回路522に加えられる。波形回路522では信号Aがハイレ
ベルになると、コンデンサ523に直列接続された半固定
抵抗524のタップ位置の電圧が降下し、この電圧がP−c
hFET525のゲートに加えられるので該P−chFET525がオ
ンになる。このP−chFET525のゲートバイアス電圧はツ
ェナダイオード526の逆バイアス電圧を半固定抵抗524の
タップにより分圧したものであり、このタップ位置によ
りP−chFET525のバイアスを浅く設定している。したが
って、P−chFET525からは一定の出力電流I525がダイ
オード527を介して出力回路510のコンデンサ511に流れ
る。
Next, when the signal C becomes low level, the gate bias voltage of the N-chFET 506 drops until the N-chFET 506 is turned off. At this time, the signal A input from the terminal 520 becomes high level and is applied to the waveform circuit 522 via the inversion buffer 521. In the waveform circuit 522, when the signal A goes high, the voltage at the tap position of the semi-fixed resistor 524 connected in series with the capacitor 523 drops, and this voltage becomes P-c
The P-chFET 525 is turned on because it is added to the gate of the hFET 525. The gate bias voltage of the P-chFET 525 is obtained by dividing the reverse bias voltage of the Zener diode 526 by the tap of the semi-fixed resistor 524, and the bias of the P-chFET 525 is set to be shallow by the tap position. Therefore, a constant output current I 525 flows from the P-chFET 525 to the capacitor 511 of the output circuit 510 via the diode 527.

このため、既に充電されているコンデンサ511は徐々
に放電され、該コンデンサ511の端子電圧V511が−120V
から0Vまで徐々に上昇する。これに伴いソースフォロワ
回路のP−chFET512のゲート電圧は徐々に上昇する。
Therefore, the already charged capacitor 511 is gradually discharged, and the terminal voltage V 511 of the capacitor 511 becomes −120 V
To 0V gradually. Accordingly, the gate voltage of the P-ch FET 512 of the source follower circuit gradually increases.

このようにコンデンサ511は信号Cが立上るとN−chF
ET506に流れる一定の出力電流I506により充電され、こ
れに伴い端子電圧V511が−120Vまで徐々に降下する。
また、コンデンサ511は信号Aが立上るとP−chFET525
に流れる一定の出力電流I525により放電され、これに
伴い端子電圧V511がOVまで徐々に上昇する。この結
果、コンデンサ511の端子電圧V511は信号Cおよび信号
Aに応答する台形波となり、この台形波の電圧信号がP
−chFET512のゲートに加えられる。
Thus, when the signal C rises, the capacitor 511 becomes N-chF
The terminal voltage V 511 is charged by a constant output current I 506 flowing through the ET 506 , and accordingly, the terminal voltage V 511 gradually decreases to −120 V.
Also, when the signal A rises, the capacitor 511 becomes a P-ch FET 525.
Is discharged by a constant output current I 525 flowing therethrough, and accordingly, the terminal voltage V 511 gradually increases to OV. As a result, the terminal voltage V 511 of the capacitor 511 becomes a trapezoidal wave in response to the signals C and A, and the voltage signal of this trapezoidal wave becomes P
-Added to the gate of chFET512.

P−chFET512は先に述べたようにソースフォロワ回路
として用いられており、ゲートに台形波の端子電圧V
511に加えられるので、これにより抵抗513の端子には第
8図に示す台形波Pの電圧V513が発生する。このよう
な台形波Pの電圧V513は自動スイッチング回路530に加
えられる。自動スイッチング回路530ではダイオード53
1、コンデンサ532および抵抗533からなる並列回路とツ
ェナダイオード534間に台形波Pの電圧V513に基づく電
位を生じ、これによりN−chFET535がオンになる。した
がって、出力回路510から出力される台形波Pの電圧V
513は自動スイッチング回路530を介してロウ側ICのFET2
11および221に加えられる。
The P-ch FET 512 is used as a source follower circuit as described above, and has a trapezoidal terminal voltage V
Since it added to 511, thereby the voltage V 513 of the trapezoidal wave P shown in FIG. 8 is generated at the terminal of the resistor 513. The voltage V 513 of the trapezoidal wave P is applied to the automatic switching circuit 530. Diode 53 in automatic switching circuit 530
1. A potential based on the voltage V 513 of the trapezoidal wave P is generated between the parallel circuit composed of the capacitor 532 and the resistor 533 and the Zener diode 534, and the N-ch FET 535 is turned on. Therefore, the voltage V of the trapezoidal wave P output from the output circuit 510
513 is the FET2 of the low side IC via the automatic switching circuit 530.
Added to 11 and 221.

ここで、信号Cがハイレベルの期間、つまり台形波P
の電圧V513が立下って略−120Vを維持している期間に
は、ロウ側ICのFET211,221のうちのいずれか1つがオン
となっている。したがって、0Vからは立下りって略−12
0Vを維持している電圧V513は、出力回路510から自動ス
イッチング回路530、ロウ側ICのオンとなっているFETを
介して一行のロウ電極に加えられる。このとき、各コラ
ム電極X1〜X640はコラム側ICのFET231またはFET241を
介して+80V電圧を加えられるか、コラム側ICのFET232
またはFET242を介して接地されている。このため、略−
120Vを印加されているロウ電極と各コラム電極X1〜X
640との各交差点上は順方向に200Vまたは120Vの電位差
に設定され、該各交差点上の画素が発光するかまたは発
光しない。
Here, the period when the signal C is at the high level, that is, the trapezoidal wave P
During the period in which the voltage V 513 falls and maintains approximately −120 V, one of the FETs 211 and 221 of the low-side IC is on. Therefore, it falls from 0V and falls approximately -12.
The voltage V 513 maintaining 0 V is applied from the output circuit 510 to the row electrode of one row via the automatic switching circuit 530 and the FET whose row side IC is turned on. At this time, a voltage of +80 V can be applied to each of the column electrodes X 1 to X 640 through the FET 231 or FET 241 of the column side IC, or the column electrode X
Or it is grounded via FET242. For this reason,
The row electrode to which 120 V is applied and the column electrodes X 1 to X
On each intersection with 640 , a potential difference of 200 V or 120 V is set in the forward direction, and pixels on each intersection emit or do not emit light.

次に、信号Aがハイレベルになって台形波Pの電圧V
513が略−120Vから略0Vまで立下る期間には、各コラム
電極X1〜X640がコラム側ICのFET232,242を介して接地
されている。このとき、波形回路522のP−chFET525→
ダイオード527→出力回路510のダイオード515→N−chF
ET535の寄生ダイオードD2→ロウ側ICのFETの寄生ダイオ
ードD1→ロウ電極→薄膜EL素子→コラム電極→コラム側
ICのFET232,242の経路で電流が流れ、ロウ電極に略−12
0Vを印加され充電されたEL表示装置201の電荷が放電さ
れる。これに伴い、略−120Vが印加されたロウ電極の電
圧は台形波Pの電圧V513と同様に略−120Vから略0Vま
で立上る。なお、抵抗513の端子電圧V513が0Vになる
と、自動スイッチング回路530におけるコンデンサ532の
電荷はダイオード531を介して放電される。これによ
り、N−chFET535のゲート側は接地電位となり、N−ch
FET535がオフとなる。
Next, the signal A becomes high level and the voltage V of the trapezoidal wave P becomes
During the period when 513 falls from approximately −120 V to approximately 0 V, each of the column electrodes X 1 to X 640 is grounded via the FETs 232 and 242 of the column side IC. At this time, the P-ch FET 525 of the waveform circuit 522 →
Diode 527 → Diode 515 of output circuit 510 → N-chF
Parasitic diode D2 of ET535 → Parasitic diode D1 of low-side IC FET → Row electrode → Thin film EL element → Column electrode → Column side
A current flows through the paths of the FETs 232 and 242 of the IC, and approximately -12
The charge of the EL display device 201 charged by applying 0 V is discharged. Accordingly, the voltage of the row electrodes substantially -120V is applied rises like the voltage V 513 of the trapezoidal wave P from approximately -120V to approximately 0V. The terminal voltage V 513 of the resistor 513 becomes to 0V, and the charge of the capacitor 532 in the automatic switching circuit 530 is discharged through the diode 531. As a result, the gate side of the N-ch FET 535 becomes the ground potential,
FET535 turns off.

次に、EL表示装置201における200行全ての走査を終了
し垂直同期信号VSが立下ると、信号Bが立上ってハイレ
ベルとなる。この信号Bは端子541から反転バッファ542
を介して出力回路543に加えられる。出力回路543では信
号Bがハイレベルになると、コンデンサ544に直列接続
された半固定抵抗545のタップ位置の電圧が降下し、こ
の電圧がP−chFET546のゲートに加えられるので該P−
chFET546がオンとなる。このP−chFET546のゲートバイ
アス電圧はツェナダイオード547の逆バイアス電圧を半
固定抵抗545のタップにより分圧したものであり、この
タップ位置によりP−chFET546のバイアスを浅く設定し
ている。したがって、P−chFET546からは一定の出力電
圧I546が出力される。
Next, when the scanning of all 200 rows in the EL display device 201 is completed and the vertical synchronizing signal VS falls, the signal B rises and goes high. This signal B is supplied from the terminal 541 to the inversion buffer 542.
To the output circuit 543. In the output circuit 543, when the signal B goes high, the voltage at the tap position of the semi-fixed resistor 545 connected in series with the capacitor 544 drops, and this voltage is applied to the gate of the P-ch FET 546.
chFET546 turns on. The gate bias voltage of the P-chFET 546 is obtained by dividing the reverse bias voltage of the zener diode 547 by the tap of the semi-fixed resistor 545, and the bias of the P-chFET 546 is set to be shallow by the position of the tap. Therefore, a constant output voltage I 546 is output from the P-chFET 546 .

このとき、コラムアウトプットイネーブル信号COLOE
はローレベルであり、このためコラム側IC230,240のFET
232,242がオンとなり、コラム電極が全て接地されてい
る。したがって、P−chFET546からの一定の出力電流I
546はロウ側ICのFET211,221における寄生ダイオードD1
→ロウ電極→薄膜EL素子→コラム電極→コラム側ICのFE
T232,242の経路で流れる。これに伴い、EL表示装置201
のロウ電極はP−chFET546のドレイン側に印加されてい
る+200Vの電圧Vposまで徐々に上昇する。したがって、
EL表示装置201には第8図に示す台形波Mの逆方向の電
圧200Vが印加されることになる。
At this time, the column output enable signal COLOE
Is low level, so the column side IC 230, 240 FET
232 and 242 are turned on, and all the column electrodes are grounded. Therefore, the constant output current I from the P-chFET 546
546 is a parasitic diode D1 in the low-side IC FETs 211 and 221.
→ Row electrode → Thin film EL element → Column electrode → Column side IC FE
It flows on the route of T232,242. Accordingly, the EL display device 201
Row electrode gradually rises to a voltage Vpos of +200 V applied to the drain side of the P-chFET 546. Therefore,
A voltage of 200 V in the reverse direction of the trapezoidal wave M shown in FIG. 8 is applied to the EL display device 201.

さらに、信号Bの立下りで信号Aが立上り、この信号
Aは接地回路551に加えられる。接地回路551ではこの信
号Aを半固定抵抗552に加えており、この半固定抵抗552
のタップ位置の電圧がN−chFET553のゲートに印加さ
れ、該N−chFET553がオンとなる。このとき、ロウスト
ローブ信号STrowがローレベルであるため、ロウ側ICのF
ET211,221がオンとなっている。この場合、コラム側IC
のFET232,242における寄生ダイオードD2→コラム電極→
薄膜EL素子→ロウ電極→ロウ該ICのFET211,221→接地回
路551のダイオード554→N−chFET553の経路で電流が流
れ、ロウ電極側を+200Vまで充電されていたEL表示装置
201の電荷が放電される。ここで、接地回路551における
半固定抵抗552のタップ位置を調節することにより、N
−chFET553のバイアスを浅く設定し、該N−chFET553に
一定の出力電流I553が流れるようにしている。したが
って、EL表示装置201はN−chFET553の出力電流I553
伴い放電され、ロウ電極の電圧が第8図に示す台形波M
のように200Vから0Vまで徐々に降下する。
Further, the signal A rises at the fall of the signal B, and the signal A is applied to the ground circuit 551. In the grounding circuit 551, the signal A is added to the semi-fixed resistor 552.
Is applied to the gate of the N-ch FET 553, and the N-ch FET 553 is turned on. At this time, since the row strobe signal STrow is at low level, the F
ET211,221 is on. In this case, the column side IC
Diode D2 in FET232 and 242 → column electrode →
An EL display device in which a current flows through the thin film EL element → row electrode → row FET 211,221 of the IC → diode 554 of the ground circuit 551 → N-chFET 553, and the row electrode is charged to + 200V.
The charge of 201 is discharged. Here, by adjusting the tap position of the semi-fixed resistor 552 in the ground circuit 551, N
The bias of the -ch FET 553 is set shallow so that a constant output current I 553 flows through the N-ch FET 553 . Therefore, the EL display device 201 is discharged with the output current I 553 of the N-ch FET 553, and the voltage of the row electrode becomes trapezoidal wave M shown in FIG.
Gradually drops from 200V to 0V as shown.

このように信号Bの立上りでP−chFET546からの出力
電流I546によりEL表示装置201が充電されてロウ電極の
電圧は徐々に+200Vまで立上り、この後信号Aのハイレ
ベルでN−chFET553の出力電流I553によりEL表示装置2
01が放電されてロウ電極の電圧は徐々に+200Vから0Vま
で立下る。すなわち、EL表示装置201は最高値200Vの逆
方向電圧を示す台形波Mによりリフレッシュされたこと
となる。
As described above, at the rise of the signal B, the EL display device 201 is charged by the output current I 546 from the P-ch FET 546 , and the voltage of the low electrode gradually rises to +200 V. After that, the output of the N-ch FET 553 becomes high at the high level of the signal A. EL display device 2 with current I 553
01 is discharged, and the voltage of the row electrode gradually falls from + 200V to 0V. That is, the EL display device 201 is refreshed by the trapezoidal wave M indicating the reverse voltage of the maximum value of 200V.

次に、コラム電圧供給部601は第9図に示すように構
成されており、コントロール回路303からの第8図に示
す信号Dを入力する。
Next, the column voltage supply section 601 is configured as shown in FIG. 9, and receives the signal D shown in FIG. 8 from the control circuit 303.

このコラム電圧供給部601では端子611から信号Dが入
力され、この信号Dは反転バッファ612を介して波形回
路613に加えられる。波形回路613では信号Dがハイレベ
ルになると、コンデンサ614に直列接続された半固定抵
抗615のタップ位置の電圧が降下し、この電圧がP−chF
ET616のゲートに加えられるので該P−chFET616がオン
となる。このP−chFET616のゲートバイアス電圧はツェ
ナダイオード617の逆バイアス電圧を半固定抵抗615のタ
ップにより分圧したものであり、このタップ位置により
P−chFET616のバイアスを浅く設定している。したがっ
て、P−chFET616からは一定の出力電流I616が出力さ
れる。
In the column voltage supply unit 601, a signal D is input from a terminal 611, and the signal D is applied to a waveform circuit 613 via an inversion buffer 612. In the waveform circuit 613, when the signal D becomes high level, the voltage at the tap position of the semi-fixed resistor 615 connected in series to the capacitor 614 drops, and this voltage becomes P-chF
The P-chFET 616 is turned on because it is applied to the gate of the ET 616. The gate bias voltage of the P-chFET 616 is obtained by dividing the reverse bias voltage of the Zener diode 617 by the tap of the semi-fixed resistor 615, and the bias of the P-chFET 616 is set to be shallow by the tap position. Therefore, a constant output current I 616 is output from the P-chFET 616 .

出力回路620ではこの出力電流I616によりコンデンサ
621が徐々に蓄積され、コンデンサ621の端子電圧V621
がP−chFET616に印加されている80Vまで徐々に上昇す
る。コンデンサ621の端子電圧V621はN−chFET622のゲ
ートに加えられる。このN−chFET622はドレインを抵抗
623を介してアースに接続されているので、ソースフォ
ロワ回路として用いられている。
In the output circuit 620, the output current I616
621 is gradually accumulated, and the terminal voltage V 621 of the capacitor 621 is
Gradually rises to 80 V applied to the P-chFET 616. The terminal voltage V 621 of the capacitor 621 is applied to the gate of the N-ch FET 622. This N-chFET622 has a drain resistor
Since it is connected to the ground via 623, it is used as a source follower circuit.

この後、信号Dがローレベルになると、P−chFET616
のゲートバイアス電圧は該P−chFET616がオフになるま
で上昇する。
Thereafter, when the signal D goes low, the P-chFET 616
Gate bias voltage rises until the P-chFET 616 is turned off.

一方、接地回路631では信号Dを反転バッファ624を介
して入力しており、信号Dがローレベルになると、半固
定抵抗633のタップ位置の電圧が上昇し、これに伴いN
−chFET634がオンとなり、一定の出力電流I634が流れ
る。このため、既に充電されているコンデンサ621は徐
々に放電され、該コンデンサ621の端子電圧V621が80V
から0Vまで徐々に降下し、よってソースフォロワ回路の
N−chFET622のゲート電圧が徐々に降下する。
On the other hand, the signal D is input to the grounding circuit 631 via the inverting buffer 624. When the signal D becomes low level, the voltage at the tap position of the semi-fixed resistor 633 rises,
-ChFET 634 is turned on, and a constant output current I 634 flows. Therefore, the already charged capacitor 621 is gradually discharged, and the terminal voltage V 621 of the capacitor 621 becomes 80 V
From 0 V to 0 V, so that the gate voltage of the N-ch FET 622 of the source follower circuit gradually decreases.

このようにコンデンサ621は信号Dが立上がると出力
電流I616により充電されて端子電圧V621が徐々に上昇
し、また信号Dが立下がると出力電流I634により放電
されて端子電圧V621が徐々に降下する。この結果、コ
ンデンサ621の端子電圧V621は台形波となり、この台形
波の電圧信号がN−chFET622のゲートに加えられる。
As described above, when the signal D rises, the capacitor 621 is charged by the output current I 616 and the terminal voltage V 621 gradually increases. When the signal D falls, the capacitor 621 is discharged by the output current I 634 and the terminal voltage V 621 is increased. Descend gradually. As a result, the terminal voltage V 621 of the capacitor 621 becomes a trapezoidal wave voltage signal of the trapezoidal wave is applied to the gate of the N-chFET622.

N−chFET622は先に述べたようにソースフォロワ回路
として用いられおり、ゲートに台形波の端子電圧V621
を加えられるので、これにより抵抗623の端子には第8
図に示す台形波Sが発生する。この台形波Sはコラム側
ICのFET231および241に加えられる。
The N-ch FET 622 is used as a source follower circuit as described above, and has a trapezoidal terminal voltage V 621 at its gate.
Is added to the terminal of the resistor 623,
A trapezoidal wave S shown in FIG. This trapezoidal wave S is on the column side
Added to IC FETs 231 and 241.

ここで、信号Dがハイレベルの期間、つまり台形波S
が立上って80Vを維持している期間には、コラム側ICのF
ET231,241が選択的にオンになっている。したがって、0
Vから立上って80Vを維持している電圧は出力回路620か
らコラム側ICのオンとなっているFET231,241を介してそ
れぞれのコラム電極に加えられる。このとき、ロウ電極
1〜Y200のうちのいずれかはロウ側ICのFETを介して
−120Vの電圧を加えられているため、−120Vを印加され
ているロウ電極と80Vを印加されている各コラム電極と
のそれぞれの交差点上が順方向に200Vの電位差に設定さ
れ、該各交差点上の画素が発光する。
Here, the period when the signal D is at the high level, that is, the trapezoidal wave S
Is rising and maintaining 80V, the F of the column side IC
ET231 and 241 are selectively turned on. Therefore, 0
The voltage rising from V and maintaining 80 V is applied from the output circuit 620 to the respective column electrodes via the FETs 231 and 241 in which the column-side IC is turned on. At this time, since any of the row electrodes Y 1 to Y 200 is applied with a voltage of −120 V through the FET of the row side IC, the row electrode to which −120 V is applied and the row electrode to which 80 V is applied are applied. A potential difference of 200 V is set in the forward direction on each intersection with each column electrode, and a pixel on each intersection emits light.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

ところで、第7図に示したコンポジットロウドライブ
回路401においては、信号Aがローレベル(接地電位)
のときに反転バッファ521の出力がハイレベル(+12V)
となり、この出力電圧12Vによりコンデンサ523を充電
し、この後信号Aがハイレベルになったときに反転バッ
ファ521の出力がローレベル(接地電位)となり、先に
充電されたコンデンサ523を放電する。そして、コンデ
ンサ523の放電に伴い、コンデンサ523の半固定抵抗524
側の電圧V523は−12Vまで降下し、これによりP−chFE
T525がオンとなる。
Incidentally, in the composite row drive circuit 401 shown in FIG. 7, the signal A is at a low level (ground potential).
Output of the inversion buffer 521 is high level (+ 12V)
Then, the capacitor 523 is charged with the output voltage of 12 V. When the signal A subsequently becomes high level, the output of the inversion buffer 521 becomes low level (ground potential), and the previously charged capacitor 523 is discharged. Then, as the capacitor 523 discharges, the semi-fixed resistor 524
Side voltage V 523 drops to -12 V, which causes P-chFE
T525 turns on.

しかしながら、反転バッファ521の出力が長時間に亙
って接地電位になっていると、コンデンサ523の電荷が
全て放電されるので、電圧V523は−12Vから接地電位ま
で上昇してしまう。この状態で、信号Aに応答して反転
バッファ521の出力が12Vとなっても、この出力電圧12V
の保持時間が短いとコンデンサ523を十分に充電しきれ
ない。このため、直後に反転バッファ521の出力が接地
電位となり、十分に充電されなかったコンデンサ523を
放電しても、電圧V523は接地電位から−12Vまで降下し
ない。したがって、P−chFET525のゲート電圧が十分に
降下せず、P−chFET525はオンになりきらなかった。
However, if the output of the inverting buffer 521 has been at the ground potential for a long time, all the charges of the capacitor 523 are discharged, and the voltage V 523 rises from −12 V to the ground potential. In this state, even if the output of the inversion buffer 521 becomes 12 V in response to the signal A, this output voltage 12 V
Is short, the capacitor 523 cannot be charged sufficiently. For this reason, immediately after the output of the inversion buffer 521 becomes the ground potential, even if the capacitor 523 that has not been sufficiently charged is discharged, the voltage V 523 does not drop from the ground potential to −12V. Therefore, the gate voltage of the P-chFET 525 did not drop sufficiently, and the P-chFET 525 could not be turned on.

このようにP−chFET525がオンになりきらない場合、
出力回路510におけるコンデンサ511は信号Cに応答して
−120Vまで充電された後に信号Aに応答してP−chFET5
25を通じて放電される際に、十分に放電されず、このた
めに電圧V511が−120Vから接地電位まで上昇しきらな
かった。この結果、電圧V511をゲート電圧とするとP
−chFET512は正常に動作せず、このため出力電圧V513
つまりコンポジットロウドライブ出力Prowの波形が鈍る
という現象を生じた。
If the P-chFET 525 cannot be turned on in this way,
After the capacitor 511 in the output circuit 510 is charged to -120 V in response to the signal C, the P-ch FET 5 responds to the signal A.
When it is discharged through 25, are not sufficiently discharged, the voltage V 511 because this was not fit raised to the ground potential from -120 V. As a result, if voltage V 511 is a gate voltage, P
-Ch FET 512 does not operate normally, and therefore the output voltage V 513
In other words, a phenomenon occurs in which the waveform of the composite row drive output Prow becomes dull.

例えば、第8図に示す台形波Mの逆方向電圧200VをEL
表示装置201に加えてリフレッシュした後、信号Aをハ
イレベル(12V)にして接地回路551のN−chFET553をオ
ンとし、もってEL表示装置201の電荷を全て放電してい
る。この際、信号Aをハイレベルにしている時間は長
く、これに伴い反転バッファ521の出力が接地電位とな
る。このため、波形回路522におけるコンデンサ523は放
電しきってしまう。この後、EL表示装置201の走査開始
で信号Aがローレベルとなって反転バッファ521の出力
がハイレベルとなっても、コンデンサ523は十分に充電
されない。さらに、信号Aがハイレベルとなって反転バ
ッファ521の出力がローレベルとなり、十分に充電され
なかったコンデンサ523を放電しても、電圧V523は−12
Vまで降下しきらない。この結果、P−chFET525がオン
になりきらずよってコンデンサ511の電圧V511が上昇し
きらず、このためP−chFET512の出力電圧V513つまり
第8図に示す台形波Pは十分に立上らなくなった。この
ような現象を生じて台形波Pが接地電位まで十分に立上
らない場合、EL表示装置201に台形波Pの−120Vが加え
られた後に、EL表示装置201の電荷を十分に放電しきれ
ないこととなり、このために残像を生じるという問題点
があった。
For example, the reverse voltage 200V of the trapezoidal wave M shown in FIG.
After refreshing in addition to the display device 201, the signal A is set to a high level (12 V) to turn on the N-ch FET 553 of the ground circuit 551, thereby discharging all the charges of the EL display device 201. At this time, the time during which the signal A is at the high level is long, and accordingly, the output of the inversion buffer 521 becomes the ground potential. Therefore, the capacitor 523 in the waveform circuit 522 is completely discharged. Thereafter, even when the signal A goes low at the start of scanning of the EL display device 201 and the output of the inversion buffer 521 goes high, the capacitor 523 is not sufficiently charged. Further, even if the signal A becomes high level and the output of the inversion buffer 521 becomes low level and the insufficiently charged capacitor 523 is discharged, the voltage V523 becomes −12.
It does not descend to V. As a result, the voltage V 511 of the capacitor 511 did not completely rise because the P-ch FET 525 was not completely turned on, so that the output voltage V 513 of the P-ch FET 512, that is, the trapezoidal wave P shown in FIG. 8, did not rise sufficiently. . When the trapezoidal wave P does not rise sufficiently to the ground potential due to such a phenomenon, the charge of the EL display device 201 is sufficiently discharged after -120 V of the trapezoidal wave P is applied to the EL display device 201. Therefore, there is a problem that an afterimage is generated.

そこで、本発明はEL表示装置の電極に加えられる電圧
波形が鈍ることがないEL表示装置の駆動回路を提供する
ことを目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide a driving circuit of an EL display device in which a voltage waveform applied to an electrode of the EL display device does not become dull.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明は、行列方向に配列された行側の電極と列側の
電極間に薄膜EL素子を介設し、前記行側の各電極と前記
列側の各電極についてのそれぞれの電位を選択的に設定
することにより前記薄膜EL素子を駆動するEL表示装置の
駆動回路において、オンになったときに前記電極を接地
するスイッチング素子と、一方の端子が接地された抵抗
素子およびコンデンサを直列接続し、前記抵抗素子と前
記コンデンサ間の電位が前記スイッチング素子に加えら
れる直列回路と、所定の正電位および接地電位からなる
2値信号を前記コンデンサに加えることにより前記抵抗
素子と前記コンデンサ間に接地電位および負電位を発生
させ、これにより前記スイッチング素子をオフおびオン
にするとともに、前記2値信号を加える直前に前記コン
デンサにダミーパルスを加える制御手段とを備えたこと
を特徴とする。
According to the present invention, a thin-film EL element is interposed between a row-side electrode and a column-side electrode arranged in a matrix direction, and a potential of each of the row-side electrode and the column-side electrode is selectively set. In the drive circuit of the EL display device that drives the thin-film EL element by setting to, a switching element that grounds the electrode when turned on, a resistor element and a capacitor that have one terminal grounded are connected in series. A series circuit in which a potential between the resistance element and the capacitor is applied to the switching element; and a ground potential between the resistance element and the capacitor by applying a binary signal consisting of a predetermined positive potential and a ground potential to the capacitor. And a negative potential, whereby the switching element is turned off and on, and a dummy pulse is applied to the capacitor immediately before applying the binary signal. Characterized in that a control means for applying.

〔作用〕[Action]

本発明によれば、コンデンサに2値信号を加える直
前、つまりコンデンサの電荷が全て放電されている状態
でコンデンサに2値信号を加える際には、コンデンサに
ダミーパルスを加えている。そして、この直後、つまり
ダミーパルスによるコンデンサの電荷が放電しきる以前
に、コンデンサに2値信号を加えることにより抵抗素子
とコンデンサ間に接地電位および負電位を発生させる。
このため、抵抗素子とコンデンサ間に発生した負電位
は、コンデンサに2値信号を加える当初より適宜な値と
なる。
According to the present invention, the dummy pulse is applied to the capacitor immediately before the binary signal is applied to the capacitor, that is, when the binary signal is applied to the capacitor in a state where the charge of the capacitor is completely discharged. Immediately thereafter, that is, before the electric charge of the capacitor is completely discharged by the dummy pulse, a ground potential and a negative potential are generated between the resistance element and the capacitor by applying a binary signal to the capacitor.
For this reason, the negative potential generated between the resistance element and the capacitor has an appropriate value from the beginning when a binary signal is applied to the capacitor.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明の一実施例を適用したコントロール回
路を示すブロック図であり、この実施例のコントロール
回路を第5図に示したコントロール回路303として用い
る。なお、第1図はロウ電極側に関して動作する部分を
特に示しており、コラム電極側に関して動作する部分を
省略している。
FIG. 1 is a block diagram showing a control circuit to which an embodiment of the present invention is applied. The control circuit of this embodiment is used as the control circuit 303 shown in FIG. FIG. 1 particularly shows a portion that operates on the row electrode side, and omits a portion that operates on the column electrode side.

第1図において、垂直同期立上り検出保持回路1は垂
直同期信号VS(第6図に示す)を入力しており、この垂
直同期信号VSの立上り時に立上ってハイレベルとなる検
出信号Gを出力する。この検出信号Gは奇数行偶数行検
出回路2およびエッジ検出回路3に加えられる。また、
垂直同期立上り検出保持回路1からは検出信号Gを反転
した反転検出信号がパターンジェネレータ4に加えら
れる。
In FIG. 1, a vertical synchronizing rising detection and holding circuit 1 receives a vertical synchronizing signal VS (shown in FIG. 6) and outputs a detection signal G which rises to a high level when the vertical synchronizing signal VS rises. Output. This detection signal G is applied to the odd-row even-row detection circuit 2 and the edge detection circuit 3. Also,
An inverted detection signal obtained by inverting the detection signal G is applied to the pattern generator 4 from the vertical synchronization rising detection and holding circuit 1.

奇数行偶数行検出回路3は検出信号Gが立上るとリセ
ットされ、この後垂直同期信号VSの立上り以降にある水
平同期信号HS(第6図に示す)の立下りを順次検出し、
この水平同期信号HSの立下り毎に画像における水平走査
の奇数行および偶数行を交互に検出し、検出された奇数
行および偶数行のうちのいずれかを示す検出信号Iをパ
ターンジェネレータ4に加える。すなわち、この検出信
号Iは水平同期信号HSの立下り毎にハイレベルおよびロ
ーレベルを交互に繰り返し、これによりEL表示装置201
の各ロウ電極Y1〜Y200の奇数行および偶数行を第1行
目から交互に示す。
The odd-row / even-row detection circuit 3 is reset when the detection signal G rises, and thereafter sequentially detects the fall of the horizontal synchronization signal HS (shown in FIG. 6) after the rise of the vertical synchronization signal VS,
Every time the horizontal synchronizing signal HS falls, odd and even rows of horizontal scanning in the image are alternately detected, and a detection signal I indicating one of the detected odd and even rows is applied to the pattern generator 4. . That is, the detection signal I alternates between a high level and a low level every time the horizontal synchronizing signal HS falls, whereby the EL display 201
The odd rows and the even rows of the row electrodes Y 1 to Y 200 are shown alternately from the first row.

一方、カウンタセットクリア回路5は水平同期信号HS
を入力しており、垂直同期信号VSの立上り以降より水平
同期信号HSの立下り毎にカウンタ6をリセットする。カ
ウンタ6はリセットされる毎に、発振器7からのクロッ
ク信号Coscに基づいてリセット時点より64μsecを計時
する。そして、カウンタ6はリセット時点から64μsec
の計時終了時点までの期間を示す計時信号kをパタージ
ェネレータ4に加える。ここで、カウンタ6のリセット
時点から計時終了時点までの期間つまり64μsecは、水
平同期信号HSの1周期に略等しい。
On the other hand, the counter set clear circuit 5 outputs the horizontal synchronization signal HS
And resets the counter 6 every time the horizontal synchronizing signal HS falls after the rising of the vertical synchronizing signal VS. Each time the counter 6 is reset, it counts 64 μsec from the reset time based on the clock signal Cosc from the oscillator 7. Then, the counter 6 is 64 μsec from the reset time.
Is added to the putter generator 4 indicating the period up to the end of the time measurement. Here, a period from the reset time of the counter 6 to the end time of the clock, that is, 64 μsec, is substantially equal to one cycle of the horizontal synchronization signal HS.

さらに、垂直同期極性検出回路8は水平同期信号HSお
よび垂直同期信号VSを入力しており、水平同期信号HSが
立下る毎に該立下り時点で垂直同期信号VSがハイレベル
であるかローレベルであるかを検出し、垂直同期信号VS
のハイレベルおよびローレベルを示す検出信号Pをパタ
ーンジェネレータ4に加える。
Further, the vertical synchronizing polarity detecting circuit 8 receives the horizontal synchronizing signal HS and the vertical synchronizing signal VS. Each time the horizontal synchronizing signal HS falls, the vertical synchronizing signal VS is at a high level or a low level at the falling point. Is detected, and the vertical synchronization signal VS
Is applied to the pattern generator 4.

パターンジェネレータ4は垂直同期立上り検出保持回
路1からの反転検出信号、奇数行偶数行検出回路2か
らの検出信号I、カウンタ6からの計時信号K、および
垂直同期極性検出回路8からの検出信号Pを入力し、こ
れらの入力信号に基づいて各種の制御信号並びにコンポ
ジットロウドライブ回路401への各信号A,B,Cをラッチ回
路9を介して送出する。
The pattern generator 4 includes an inversion detection signal from the vertical synchronization rising detection and holding circuit 1, a detection signal I from the odd row and even row detection circuit 2, a clock signal K from the counter 6, and a detection signal P from the vertical synchronization polarity detection circuit 8. And sends out various control signals and signals A, B, and C to the composite row drive circuit 401 via the latch circuit 9 based on these input signals.

すなわち、パターンジェネレータ4にはおいては、垂
直同期信号VSが立上り、これにより垂直同期立上り検出
保持回路1からの反転検出信号がハイレベルからロー
レベルになると、これに応答してロウデータ信号Drow
(第6図に示す)を制御信号として送出する。そして、
奇数行偶数行検出回路2からの検出信号Iがハイレベル
であれば、つまり検出信号IによってEL表示装置201に
おける奇数行のロウ電極が示されているときには、カウ
ンタ6からの計時信号Kによって示される64μsecの周
期に同期する奇数ロウイネーブル信号E Nodd(第6図に
示す)を制御信号として送出する。また、奇数行偶数行
検出回路2からの検出信号Iがローレベルであれば、つ
まり検出信号IによってEL表示装置201における偶数行
のロウ電極が示されているときには、カウンタ6からの
計時信号Kによって示される64μsecの周期に同期する
偶数ロウイネーブル信号E Neven(第6図に示す)を制
御信号として送出する。さらに、これらの奇数ロウイネ
ーブル信号E Noddおよび偶数ロウイネーブル信号E Neve
nに準ずるロウクロック信号Crowとコラムアウトプット
イネーブル信号COLOEを制御信号として出力する。
That is, in the pattern generator 4, when the vertical synchronizing signal VS rises, whereby the inversion detection signal from the vertical synchronizing rising detection and holding circuit 1 changes from high level to low level, the row data signal Drow responds to this.
(Shown in FIG. 6) as a control signal. And
When the detection signal I from the odd-row / even-row detection circuit 2 is at a high level, that is, when the detection signal I indicates the low-row electrode in the EL display device 201, the timing signal K from the counter 6 indicates An odd row enable signal E Nodd (shown in FIG. 6) synchronized with the cycle of 64 μsec is transmitted as a control signal. When the detection signal I from the odd-row / even-row detection circuit 2 is at a low level, that is, when the detection signal I indicates the row electrode of the even-row in the EL display device 201, the clock signal K from the counter 6 is output. The even row enable signal E Neven (shown in FIG. 6) synchronized with the cycle of 64 μsec indicated by (1) is transmitted as a control signal. Further, the odd row enable signal E Nodd and the even row enable signal E Neve
A row clock signal Crow and a column output enable signal COLOE corresponding to n are output as control signals.

一方、パターンジネレータ4においては、垂直同期信
号VSがハイレベルである期間、よって垂直同期立上り検
出保持回路1からの反転検出信号がローレベルである
期間には奇数ロウイネーブル信号E Noddと偶数ロウイネ
ーブル信号E Nevenの論理和に略同期する信号C(第2
図に示す)を送出するとともに、垂直同期信号VSがハイ
レベルである期間には信号Cの反転信号である信号A
(第2図に示す)を送出する。この信号Cはコンポジッ
トロウドライブ回路401の端子501(第7図に示す)に加
えられ、また信号Aはオア回路10を介してコンポジット
ロウドライブ回路401の端子520(第7図に示す)に加え
られる。
On the other hand, in the pattern generator 4, during the period when the vertical synchronizing signal VS is at a high level, and thus when the inversion detection signal from the vertical synchronizing rising detection and holding circuit 1 is at a low level, the odd row enable signal E Nodd and the even row A signal C (second signal) substantially synchronized with the logical sum of the enable signal E Neven
(Shown in the figure), and during the period when the vertical synchronizing signal VS is at the high level, the signal A which is an inverted signal of the signal C is transmitted.
(Shown in FIG. 2). The signal C is applied to a terminal 501 (shown in FIG. 7) of the composite row drive circuit 401, and the signal A is applied via an OR circuit 10 to a terminal 520 (shown in FIG. 7) of the composite row drive circuit 401. Can be

このようにパターンジェネレータ4からは各種の制御
信号として、ロウデータ信号Drow、奇数ロウイネーブ
ル信号E Nodd、偶数ロウイネーブル信号E Neven、ロウ
クロック信号Crowおよびコラムアウトプットイネーブル
信号COLOE等が送出され、コラムアウトプットイネーブ
ル信号COLOEを除く他の各制御信号は第5図に示したロ
ウ側ICに加えられる。また、パターンジェネレータ4か
ら送出された信号Cおよび信号Aはコンポジットロウド
ライブ回路401に加えられる。
As described above, from the pattern generator 4, as various control signals, a row data signal Drow, an odd row enable signal E Nodd, an even row enable signal E Neven, a row clock signal Crow, a column output enable signal COLOE, and the like are transmitted. Control signals other than the output enable signal COLOE are applied to the low-side IC shown in FIG. The signal C and the signal A sent from the pattern generator 4 are applied to the composite row drive circuit 401.

この結果、先に述べた様にロウ側IC210,220におけるF
ET211,221が順次オンになるとともに、コンポジットロ
ウドライブ回路401からは信号Cのハイレベルで−120V
から信号Aのハイレベルで接地電位のコンポジットロウ
ドライブ出力信号Prow(第2図に示す台形波P)が前
記FET211,221に送出され、これによりEL表示装置201に
おける各ロウ電極Y1〜Y200には−120Vの電圧が順次印
加される。
As a result, as described above, the F
The ETs 211 and 221 are sequentially turned on, and the composite low drive circuit 401 outputs the signal C at a high level of -120 V
, A composite row drive output signal Prow (trapezoidal wave P shown in FIG. 2) at the high level of the signal A and the ground potential is sent to the FETs 211 and 221, whereby the row electrodes Y 1 to Y 200 in the EL display device 201 are output. , A voltage of -120 V is sequentially applied.

なお、第6図に示すように奇数ロウイネーブル信号E
Noddおよび偶数ロウイネーブル信号E Nevenのそれぞれ
の立上り時点から僅に遅れてコラムアウトプットイネー
ブル信号COLOEが順次立上っている。この場合、奇数ロ
ウイネーブル信号E Noddおよび偶数ロウイネーブル信号
E Nevenのうちのいずれかに同期してロウ電極に−120V
が加えられるとともに、コラムアウトプットイネーブル
信号COLOEに同期してコラム電極に+80Vが加えられる
ので、これらのロウ電極とコラム電極の交差上にはロウ
電極側から−120Vが加えられた後僅かに遅れてコラム電
極側から+80Vが加えられることとなる。したがって、
該交差上の電位差は段階的に大きくなり、これによりEL
表示装置201に過大な突入電流が流れないようにしてい
る。
Note that, as shown in FIG.
The column output enable signal COLOE rises in sequence slightly after the rise of each of the Nodd and even-number row enable signals ENeven. In this case, the odd row enable signal E Nodd and the even row enable signal
-120V to the row electrode in synchronization with one of E Neven
And +80 V is applied to the column electrode in synchronization with the column output enable signal COLOE, so that a slight delay occurs after the -120 V is applied from the row electrode side at the intersection of these row and column electrodes. Thus, +80 V is applied from the column electrode side. Therefore,
The potential difference on the intersection gradually increases, which results in EL
An excessive rush current is prevented from flowing through the display device 201.

次に、第1図において垂直同期信号VSが立下ると、こ
の後に垂直同期極性検出回路8は水平同期信号HSの立下
りで垂直同期信号VSがローレベルであることを検出し、
垂直同期信号VSのローレベルを示す検出信号Pがパター
ンジェネレータ4に加える。パターンジェネレータ4は
垂直同期信号VSのローレベルを示す検出信号Pを入力す
ると、待機リセット信号Uをローレベルからハイレベル
にする。この待機リセット信号Uは垂直同期立上り検出
保持回路1およびカウンタセットクリア回路5に加えら
れる。
Next, in FIG. 1, when the vertical synchronization signal VS falls, the vertical synchronization polarity detection circuit 8 thereafter detects that the vertical synchronization signal VS is at the low level at the falling of the horizontal synchronization signal HS,
The detection signal P indicating the low level of the vertical synchronization signal VS is applied to the pattern generator 4. When the pattern generator 4 receives the detection signal P indicating the low level of the vertical synchronization signal VS, it changes the standby reset signal U from the low level to the high level. This standby reset signal U is applied to the vertical synchronization rising detection and holding circuit 1 and the counter set clear circuit 5.

垂直同期立上り検出保持回路1は待機リセット信号U
がハイレベルになると待機状態となり、検出信号Gをハ
イレベルからローレベルにするとともに反転検出信号
をローレベルからハイレベルにする。このとき、奇数行
偶数行検出回路2は検出信号Gがローレベルになると水
平同期信号HSの立下りの検出を停止、これ伴い検出信号
Iをローレベルの状態に維持する。
The vertical synchronization rising detection and holding circuit 1 outputs a standby reset signal U
Becomes high level, the detection signal G is changed from high level to low level, and the inversion detection signal is changed from low level to high level. At this time, when the detection signal G becomes low level, the odd-row even-number row detection circuit 2 stops detecting the falling of the horizontal synchronizing signal HS, and keeps the detection signal I at low level.

また、カウンタセットクリア回路5は待機リセット信
号Uがハイレベルになると、水平同期信号HSの立下り毎
にカウンタ6をリセットする動作を停止し、このままカ
ウンタ6をフリーランさせる。これによりカウンタ6は
発振器7からのクロック信号Coscに基づいて計時を64μ
secよりも長く、つまり水平同期信号HSの1周期を越え
て続けることとなる。
When the standby reset signal U becomes high level, the counter set clear circuit 5 stops the operation of resetting the counter 6 every time the horizontal synchronizing signal HS falls, and free-runs the counter 6 as it is. Thus, the counter 6 counts the time by 64 μm based on the clock signal Cosc from the oscillator 7.
This is longer than sec, that is, continues beyond one cycle of the horizontal synchronization signal HS.

ここで、パターンジェネレータ4は垂直同期極性検出
回路8からの垂直同期信号VSがローレベルになったこと
を示す検出信号Pを入力した後、垂直同期立上り検出保
持回路1からのハイレベルとなった反転検出信号を入
力するとともに、奇数行偶数行検出回路2からのローレ
ベルに維持され続けている検出信号Iを入力することと
なる。この結果、パターンジェネレータ4はコラムアウ
トプットイネーブル信号COLOEが最後に立下ってから、
各種の制御信号としてのロウクロック信号Crow、奇数ロ
ウイネーブル信号E Nodd、偶数ロウイネーブル信号E Ne
venおよびコラムアウトプットイネーブル信号COLOEを
それぞれローレベルに維持し続けるとともに、信号Cお
よび信号Aをローレベルに維持し続ける。
Here, after the pattern generator 4 inputs the detection signal P indicating that the vertical synchronization signal VS from the vertical synchronization polarity detection circuit 8 has become low level, the pattern generator 4 becomes high level from the vertical synchronization rising detection holding circuit 1. In addition to the input of the inversion detection signal, the detection signal I, which is kept at the low level from the odd-numbered-even-numbered row detection circuit 2, is input. As a result, since the column output enable signal COLOE last falls, the pattern generator 4
Row clock signal Crow as various control signals, odd row enable signal E Nodd, even row enable signal E Ne
While keeping the ven and column output enable signals COLOE at a low level, the signals C and A are kept at a low level.

すなわち、垂直同期信号VSがハイレベルである期間に
はEL表示装置201における各ロウ電極Y1〜Y200に−120
Vの電圧が順次印加され、これにより走査を全て終了し
てEL表示装置201に一画素が映し出され、この後垂直同
期信号VSがローレベルになると走査を一旦停止すること
となる。
That is, the period vertical synchronizing signal VS is at the high level for each row electrodes Y 1 to Y 200 in the EL display device 201 -120
A voltage of V is sequentially applied, thereby completing the scanning and displaying one pixel on the EL display device 201. Thereafter, when the vertical synchronization signal VS becomes low level, the scanning is temporarily stopped.

このとき、パターンジェネレータ4はフリーランを続
けているカウンタ6によって計時されている時間を示す
計時信号Kfを入力している。この計時信号Kfによって示
される時間は、垂直同期信号VSが立下った後の最初の水
平同期信号HSの立下り時点からの経過時間である。
At this time, the pattern generator 4 is inputting a clock signal Kf indicating the time that is being measured by the counter 6 that continues to run free. The time indicated by the clock signal Kf is an elapsed time from the first falling edge of the horizontal synchronization signal HS after the falling of the vertical synchronization signal VS.

ここで、パターンジェネレータ4は該計時信号Kfによ
って示される時間に基づいて、EL表示装置201の水平走
査を停止してから後の略200μsecの間、出力信号Bをハ
イレベルに維持する。この信号Bはコンポジットロウド
ライブ回路401の端子541(第7図に示す)に加えられ
る。コンポジットロウドライブ回路401は信号Bがハイ
レベルになると、+200Vのコンポジットロウドライブ出
力信号Prow(第2図に示す台形波M)を第5図に示し
たロウ側IC210,220におけるFET211,221に加える。この
電圧200Vは該各FET211,221の寄生ダイオードを介して各
ロウ電極Y1〜Y200に加えられる。したがって、EL表示
装置201には逆方向の電圧200Vが略200μsecの間印加さ
れることとなり、これによりEL表示装置201がリフレッ
シュされる。
Here, based on the time indicated by the clock signal Kf, the pattern generator 4 maintains the output signal B at a high level for about 200 μsec after the horizontal scanning of the EL display device 201 is stopped. This signal B is applied to a terminal 541 (shown in FIG. 7) of the composite row drive circuit 401. When the signal B goes high, the composite row drive circuit 401 applies a +200 V composite row drive output signal Prow (trapezoidal waveform M shown in FIG. 2) to the FETs 211 and 221 in the row-side ICs 210 and 220 shown in FIG. . This voltage 200V is applied to each row electrodes Y 1 to Y 200 through the parasitic diode of the respective FET211,221. Therefore, a reverse voltage of 200 V is applied to the EL display device 201 for approximately 200 μsec, thereby refreshing the EL display device 201.

次に、パターンジェネレータ4はカウンタ6からの計
時信号Kfに基づく信号Bをハイレベルにしている時間略
200μsecを経過すると、信号Bをローレベルにして信号
Aをハイレベルにする。この信号Aはコンポジットロウ
ドライブ回路401の端子520(第7図に示す)に加えられ
る。これにより、コンポジットロウドライブ出力信号P
rowの出力ラインはコンポジットロウドライブ回路401を
通じて接地される。
Next, the pattern generator 4 sets the signal B based on the clock signal Kf from the counter 6 to a high level for a short time.
After elapse of 200 μsec, the signal B is changed to the low level, and the signal A is changed to the high level. This signal A is applied to a terminal 520 (shown in FIG. 7) of the composite row drive circuit 401. As a result, the composite row drive output signal P
The row output line is grounded through a composite row drive circuit 401.

また、このときパターンジェネレータ4は制御信号と
してのロウストローブ信号STrowをハイレベルからロー
レベルにしている。このため、ロウ側IC210,220のFET21
1,221はオンとなり、もって各ロウ電極Y1〜Y200がFET
211,221およびコンポジットロウドライブ回路401を介し
て接地される。この結果、先のリフレッシュ時に充電さ
れたEL表示装置201の電荷が放電されることとなる。
At this time, the pattern generator 4 changes the row strobe signal STrow as a control signal from a high level to a low level. For this reason, FET21 of low side IC210,220
1,221 is turned on, so that each row electrode Y 1 to Y 200
Grounded via 211, 221 and composite row drive circuit 401. As a result, the charge of the EL display device 201 that was charged at the time of the previous refresh is discharged.

こうして垂直同期信号VSがハイレベルの際にEL表示装
置201の走査を行って一画像を写す出し、垂直同期信号V
SがローレベルになるとEL表示装置201をリフレッシュす
る。
Thus, when the vertical synchronizing signal VS is at the high level, the EL display device 201 is scanned and an image is taken out.
When S goes low, the EL display device 201 is refreshed.

この後、垂直同期信号VSは立上って再びハイレベルと
なる。このとき、垂直同期立上り検出保持回路1はハイ
レベルの待機リセット信号USに応答して待機状態になっ
ており、垂直同期信号VSが立上ってハイレベルになると
反転検出信号を立下げてローレベルにするとともに、
検出信号Gを立上げてハイレベルにする。奇数行偶数行
検出回路2は検出信号Gがハイレベルになると、水平同
期信号HSの立下りの検出を再開して、水平走査の奇数行
および偶数行を示すハイレベルおよびローレベルの検出
信号を再び送出する。また、パターンジェネレータ4は
反転検出信号がローレベルになると、信号Aがローレ
ベルにするとともに待機リセット信号Uをローレベルに
する。カウンタセットクリア回路5は待機リセット信号
Uがローレベルになると、水平同期信号HSの立下り毎に
カウンタ6のリセットを再び行うようになる。カンウタ
6はリセットされる毎に水平同期信号HSの一周期つまり
64μsecを示す計時信号Kをパターンジェネレータ4に
再び加える。
Thereafter, the vertical synchronizing signal VS rises and goes high again. At this time, the vertical synchronization rising detection and holding circuit 1 is in a standby state in response to the high-level standby reset signal US, and when the vertical synchronization signal VS rises to a high level, the inversion detection signal falls to low. Level and
The detection signal G rises to a high level. When the detection signal G becomes high level, the odd-numbered-even-numbered row detection circuit 2 restarts detecting the falling of the horizontal synchronizing signal HS, and outputs high-level and low-level detection signals indicating odd-numbered rows and even-numbered rows of horizontal scanning. Send again. When the inversion detection signal goes low, the pattern generator 4 turns the signal A low and sets the standby reset signal U low. When the standby reset signal U goes low, the counter set clear circuit 5 resets the counter 6 every time the horizontal synchronizing signal HS falls. Each time the counter 6 is reset, one cycle of the horizontal synchronizing signal HS,
The timing signal K indicating 64 μsec is applied to the pattern generator 4 again.

したがって、パターンジェネレータ4は垂直同期信号
VSが立上ると、この後の水平同期信号HSの立下りから走
査時に必要な各種の制御信号を再び送出することにな
る。この結果、EL表示装置201の走査が再び行われ、EL
表示装置201に次の画像が映し出される。
Therefore, the pattern generator 4 outputs the vertical synchronizing signal
When VS rises, various control signals necessary for scanning are transmitted again from the subsequent fall of the horizontal synchronizing signal HS. As a result, scanning of the EL display device 201 is performed again, and EL
The next image is displayed on the display device 201.

ところで、垂直同期信号VSが立上り、これに伴い垂直
同期立上り検出保持回路1から出力されている検出信号
Gが立ち上ると、エッジ検出回路3は検出信号Gの立上
りを検出して、例えば2つのパルスを送出する。これら
のパルスはオア回路10を介するので、該各パルスとパタ
ーンジェネレータ4からの信号との論理和が形成され、
この論理和を示す信号が信号Aとしてコンポジットロウ
ドライブ回路401に送出される。このため、この信号A
は第2図に示すように前記各パルスに対応する2つのダ
ミーパルスdpを含むこととなる。そして、これらのダ
ミーパルスdpは垂直同期信号VSが立上ってから次に水
平同期信号HSが立下るまでの期間、つまりEL表示装置20
1の走査が開始される以前に発生している。このため、
該各ダミーパルスdpがEL表示装置201の走査に影響を与
えるようなことはない。なお、これらのダミーパルスd
pのパルス幅は例えば10μsec〜30μsec程度に設定して
おく。
By the way, when the vertical synchronization signal VS rises and the detection signal G output from the vertical synchronization rising detection and holding circuit 1 rises accordingly, the edge detection circuit 3 detects the rise of the detection signal G and outputs two pulses, for example. Is sent. Since these pulses pass through the OR circuit 10, the logical sum of each pulse and the signal from the pattern generator 4 is formed,
A signal indicating this logical sum is sent to the composite row drive circuit 401 as a signal A. Therefore, this signal A
Contains two dummy pulses dp corresponding to the respective pulses as shown in FIG. These dummy pulses dp are in a period from the rise of the vertical synchronization signal VS to the fall of the next horizontal synchronization signal HS, that is, the EL display device 20.
Occurs before the start of one scan. For this reason,
The respective dummy pulses dp do not affect the scanning of the EL display device 201. Note that these dummy pulses d
The pulse width of p is set to, for example, about 10 μsec to 30 μsec.

さて、信号Aは第7図に示したコンポジットロウドラ
イブ回路401の端子520に加えられており、先に述べた様
に信号Bが立下ってから垂直同期信号VSが立上るまでの
期間ハイレベルに維持されている。これにより、接地回
路551におけるN−chFET553がオンとなり、リフレッシ
ュにより充電されたEL表示装置201の電荷が放電され
る。
Now, the signal A is applied to the terminal 520 of the composite row drive circuit 401 shown in FIG. 7, and as described above, the signal A is at the high level during the period from the fall of the signal B to the rise of the vertical synchronization signal VS. Has been maintained. As a result, the N-ch FET 553 in the ground circuit 551 is turned on, and the charge of the EL display device 201 charged by the refresh is discharged.

一方、前記期間には信号Aがハイレベルであるので、
反転バッファ521の出力が接地電位となり、このために
波形回路522におけるコンデンサ523の電荷は全て放電さ
れてしまう。ところが、該期間の直後には信号Aの2つ
のダミーパルスdpが反転バッファ521に加えられるの
で、反転バッファ521は該各ダミーパルスdpに対応する
2つのパルスを出力する。これによりコンデンサ523は
充放電を2回繰り返し、電荷を蓄積することとなる。
On the other hand, since the signal A is at the high level during the period,
The output of the inverting buffer 521 becomes the ground potential, so that all the charges of the capacitor 523 in the waveform circuit 522 are discharged. However, immediately after the period, two dummy pulses dp of the signal A are applied to the inversion buffer 521, and the inversion buffer 521 outputs two pulses corresponding to each of the dummy pulses dp. As a result, the capacitor 523 repeats charging and discharging twice, and accumulates electric charge.

すなわち、最初のダミーパルスdpの直前に信号Aが
接地電位である際、反転バッファ521の出力はハイレベ
ル(+12V)となり、このときにコンデンサ523が充電さ
れる。そして、反転バッファ521の出力が最初のダミー
パルスdpに応答してローレベル(接地電位)になる
と、コンデンサ523の電荷は若干放電され、これに伴い
コンデンサ523の半固定抵抗524側の電圧V523が降下す
る。次に、2番目のダミーパルスdpの直前に信号Aが
接地電位となると、反転バッファ521の出力電圧+12Vに
よってコンデンサ523がさらに充電される。そして、反
転バッファ521の出力が2番目のダミーパルスdpに応答
して接地電位になると、コンデンサ523電荷は若干放電
され、これに伴い電圧V523が再び降下する。
That is, when the signal A is at the ground potential immediately before the first dummy pulse dp, the output of the inversion buffer 521 becomes high level (+12 V), and at this time, the capacitor 523 is charged. When the output of the inversion buffer 521 becomes low level (ground potential) in response to the first dummy pulse dp, the charge of the capacitor 523 is slightly discharged, and accordingly, the voltage V 523 on the semi-fixed resistor 524 side of the capacitor 523 is discharged. Descends. Next, when the signal A becomes the ground potential immediately before the second dummy pulse dp, the capacitor 523 is further charged by the output voltage of the inversion buffer 521 + 12V. Then, when the output of the inversion buffer 521 becomes the ground potential in response to the second dummy pulse dp, the charge of the capacitor 523 is slightly discharged, and the voltage V 523 drops again accordingly.

こうして反転バッファ521から出力された2つのパル
スをコンデンサ523に加えた場合、コンデンサ523は速や
かに電荷を蓄積することができる。この直後、信号Bの
立上りに伴い信号Aが立下ると、反転バッファ521の出
力電圧は+12Vとなる。このとき、コンデンサ523は既に
ある程度の電荷を蓄積しているので、さらに充電されて
十分に充電されることとなる。この結果、信号Aの次ぎ
の立上りで反転バッファ521の出力が接地電位となる
と、十分に充電されたコンデンサ523の放電に伴い電圧
V525が−12Vまで降下し、P−chFET525が確実にオンと
なる。
When the two pulses output from the inversion buffer 521 are applied to the capacitor 523, the capacitor 523 can quickly accumulate electric charges. Immediately after this, when the signal A falls with the rise of the signal B, the output voltage of the inversion buffer 521 becomes + 12V. At this time, since the capacitor 523 has already accumulated a certain amount of charge, it is further charged and sufficiently charged. As a result, when the output of the inverting buffer 521 becomes the ground potential at the next rise of the signal A, the voltage V525 drops to -12 V with the discharge of the fully charged capacitor 523, and the P-ch FET 525 is reliably turned on. .

したがって、信号Cのハイレベル時にEL表示装置201
の第1番目のロウ電極Y1に−120Vが印加され、このと
きに充電されたEL表示装置201の電荷は信号Aのハイレ
ベル時に確実にオンとなったP−chFET525を通じて全て
放電される。
Therefore, when the signal C is at a high level, the EL display 201
-120 V is applied to the first row electrode Y1, and the charged electric charge of the EL display device 201 at this time is completely discharged through the P-chFET 525 which is surely turned on when the signal A is at the high level.

すなわち、第2図に示すようにコンポジットロウドラ
イブ出力Prowは、走査開始当初より信号Aの立上りに
伴い接地電位まで確実に上昇する。このため、EL表示装
置201には残像が発生するようなことはない。
That is, as shown in FIG. 2, the composite row drive output Prow reliably rises to the ground potential with the rise of the signal A from the beginning of scanning. Therefore, an afterimage does not occur in the EL display device 201.

このように本実施例ではEL表示装置201の走査を行う
直前に信号Aに含まれるダミーパルスによって出力回路
522のコンデンサ523に電荷を予め蓄積するようにしてい
るので、EL表示装置210の走査に際しては信号Aの立上
りに伴い出力回路522のP−chFET525が確実にオンとな
り、このためにコンポジットロウドライブ出力信号Prow
の出力波形が鈍るようなことはなく、よってEL表示装置
201に残像を生じることがない。なお、信号Aに2つの
ダミーパルスを含ませた場合を例示したが、これに限ら
ず、1つのダミーパルスまたは3つ以上のダミーパルス
を信号Aに適宜に含ませるようにしてもかまわない。ま
た、コンポジットロウドライブ回路401における出力回
路522を例示したが、この出力回路522と同様にコンデン
サの充放電に伴い電圧降下によりスイッチング素子をオ
ンにし、もってEL表示装置201に印加される電圧波形を
形成しようとする場合には、本発明を有効に適用しう
る。
As described above, in this embodiment, the output circuit is driven by the dummy pulse included in the signal A immediately before scanning of the EL display device 201 is performed.
Since the electric charge is previously stored in the capacitor 523 of the 522, the P-chFET 525 of the output circuit 522 is reliably turned on with the rise of the signal A during the scanning of the EL display device 210, so that the composite low drive output Signal Prow
Output waveform does not become dull, so the EL display device
There is no afterimage in 201. Although the case where two dummy pulses are included in the signal A has been described as an example, the present invention is not limited to this, and one dummy pulse or three or more dummy pulses may be appropriately included in the signal A. Although the output circuit 522 in the composite row drive circuit 401 has been illustrated, the switching element is turned on by a voltage drop due to the charging and discharging of the capacitor similarly to the output circuit 522, and thus the voltage waveform applied to the EL display device 201 is changed. If it is to be formed, the present invention can be applied effectively.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明によれば、コンデンサの電
荷が全て放電されている状態でコンデンサに2値信号を
加える際には、コンデンサにダミーパルスを加えてから
2値信号を加えるようにしているので、2値信号を加え
られたコンデンサの充放電に伴い発生する負電位を当初
より適宜なレベルにすることができる。このため、この
負電位によりスイッチング素子が確実にオンとなり、こ
のスイッチング素子を介してEL表示装置の電極に加えら
れる電圧波形は鈍るようなことがない。
As described above, according to the present invention, when a binary signal is applied to a capacitor in a state where all the charges of the capacitor have been discharged, a binary signal is applied after a dummy pulse is applied to the capacitor. Therefore, the negative potential generated due to the charging and discharging of the capacitor to which the binary signal is added can be set to an appropriate level from the beginning. Therefore, the switching element is reliably turned on by the negative potential, and the voltage waveform applied to the electrode of the EL display device through the switching element does not become dull.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例を適用したコントロール回路
を示すブロック図、第2図は第1図に示した実施例にお
ける各信号を示すタイミングチャート、第3図はEL表示
装置の構成を示す一部断面図、第4図はEL表示装置の電
圧−輝度特性を示すグラフ、第5図はEL表示装置をパー
ソナルコンピュータの端末として用いた装置を示すブロ
ック回路図、第6図は第5図に示した装置における各信
号を示すタイミングチャート、第7図は第5図に示した
装置におけるコンポジットロウドライブ回路を示す回路
図、第8図は第7図に示したコンポジットロウドライブ
回路における従来の各入出力信号等を示すタイミングチ
ャート、第9図は第5図に示した装置におけるコラム電
圧供給部を示す回路図である。 1……垂直同期立上り検出保持回路、2……奇数行偶数
行検出回路、3……エッジ検出回路、4……パターンジ
ェネレータ、5……カウンタセットクリア回路、6……
カウンタ、7……発振器、8……垂直同期極性検出回
路、9……ラッチ回路、10……オア回路、210,220……
ロウ側IC、230,240……コラム側IC、301……パーソナル
コンピュータ、302……画像変換部、303……コントロー
ル回路、401……コンポジットロウドライブ回路、601…
…コラム電圧供給部。
FIG. 1 is a block diagram showing a control circuit to which one embodiment of the present invention is applied, FIG. 2 is a timing chart showing signals in the embodiment shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a graph showing a voltage-luminance characteristic of the EL display device, FIG. 5 is a block circuit diagram showing a device using the EL display device as a terminal of a personal computer, and FIG. 7 is a timing chart showing each signal in the device shown in FIG. 7, FIG. 7 is a circuit diagram showing a composite row drive circuit in the device shown in FIG. 5, and FIG. 8 is a conventional circuit diagram in the composite row drive circuit shown in FIG. FIG. 9 is a circuit diagram showing a column voltage supply unit in the device shown in FIG. 1 ... vertical synchronous rising detection and holding circuit, 2 ... odd and even row detection circuit, 3 ... edge detection circuit, 4 ... pattern generator, 5 ... counter set clear circuit, 6 ...
Counter 7 Oscillator 8 Vertical sync polarity detection circuit 9 Latch circuit 10 OR circuit 210 and 220
Row side IC, 230, 240 ... Column side IC, 301 ... Personal computer, 302 ... Image conversion unit, 303 ... Control circuit, 401 ... Composite row drive circuit, 601 ...
... Column voltage supply section.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】行方向に順次配列され列方向に延びたコラ
ム電極と列方向に順次配列され行方向に延びたロー電極
との間に薄膜EL素子を介設し、入力された水平同期信
号、垂直同期信号、データ信号及びクロック信号をもと
に該垂直同期信号が示す同期期間でコラム電極及びロー
電極の各電極についてのそれぞれの電位を前記データ信
号をもとに選択的に設定して前記薄膜EL素子を駆動させ
る駆動期間と前記垂直同期信号が示す同期期間外で前記
コラム電極及びロー電極をリフレッシュさせるリフレッ
シュ処理を行うリフレッシュ期間とを有し、 電荷の充放電を行う第1のコンデンサ(511)の電圧を
スイッチング電圧として第1のスイッチング素子(51
2)をオン、オフし、オン時に前記ロー電極に前記電位
を与える出力回路(510)と、 前記水平同期信号の前縁に同期して前記第1のコンデン
サ(511)に電圧を印加して充電することにより前記出
力回路をオンにする第1の回路(503)と、 前記リフレッシュを行わせるパルスのパルス後縁及び前
記水平同期信号のパルス後縁に同期してパルス前縁を形
成し、該水平同期信号のパルス後縁に同期してパルス前
縁を形成する第1のパルス信号(図8の信号A)を形成
する第1のパルス発生回路と、 前記第1のパルス信号をもとに第2のコンデンサ(52
3)への電荷の充放電を行い、この充電時に生じる負電
位をもとに第2のスイッチング素子(525)をオンし
て、前記第1のコンデンサ(511)を放電させて前記出
力回路の第1のスイッチング素子(512)をオフさせる
とともに、前記ロー電極に与えられた電位による該ロー
電極の電荷を放電させる閉回路を形成して該ロー電極の
電位を基準初期電位に戻す第2の回路(522)と を有したEL表示装置の駆動回路において、 前記垂直同期信号のパルス前縁から前記水平同期信号の
最初の前縁までの間に1以上のパルスからなる第2のパ
ルス信号を発生する第2のパルス発生回路と、 前記第1のパルス信号と前記第2のパルス信号との論理
和をとった論理和信号(第2図の信号A)を生成する論
理和回路(10)と を具備し、 前記第2の回路(522)は、 前記論理和信号(第2図の信号A)を前記第1のパルス
信号として用い、前記垂直同期信号の前縁から前記水平
同期信号の最初の前縁までの間における前記第2のパル
ス信号に対応した前記論理和信号内のダミーパルスによ
って前記第2のコンデンサ(523)への電荷の充放電を
繰り返し、前記第2のスイッチング素子(525)の動作
を確実に行わせることを特徴とするEL表示装置の駆動回
路。
A thin film EL element is interposed between a column electrode sequentially arranged in a row direction and extending in a column direction and a row electrode sequentially arranged in a column direction and extending in a row direction. A vertical synchronization signal, a data signal and a clock signal, and selectively setting respective potentials of the column electrode and the row electrode in the synchronization period indicated by the vertical synchronization signal based on the data signal. A first capacitor that has a driving period for driving the thin-film EL element and a refresh period for performing a refresh process for refreshing the column electrode and the row electrode outside the synchronization period indicated by the vertical synchronization signal, and performs charge and discharge of electric charge; The first switching element (51) uses the voltage of (511) as a switching voltage.
2) turning on and off, and applying an electric voltage to the first capacitor (511) in synchronization with a leading edge of the horizontal synchronizing signal, and an output circuit (510) for applying the electric potential to the low electrode when on. A first circuit (503) for turning on the output circuit by charging, forming a pulse leading edge in synchronization with a pulse trailing edge of the pulse for performing the refresh and a pulse trailing edge of the horizontal synchronization signal; A first pulse generating circuit that forms a first pulse signal (signal A in FIG. 8) that forms a leading pulse in synchronization with a trailing edge of the horizontal synchronizing signal; The second capacitor (52
3) charging / discharging the charge, turning on the second switching element (525) based on the negative potential generated at the time of charging, discharging the first capacitor (511), and discharging the output circuit of the output circuit. A second circuit for turning off the first switching element (512) and forming a closed circuit for discharging the electric charge of the low electrode by the electric potential applied to the low electrode to return the electric potential of the low electrode to the reference initial electric potential. A driving circuit for an EL display device, comprising: a second pulse signal comprising one or more pulses from a leading edge of the vertical synchronizing signal to a first leading edge of the horizontal synchronizing signal. A second pulse generation circuit that generates a logical sum circuit (10) that generates a logical sum signal (signal A in FIG. 2) of a logical sum of the first pulse signal and the second pulse signal And the second circuit (522) comprises: The logical OR signal (signal A in FIG. 2) is used as the first pulse signal, and the second pulse signal between the leading edge of the vertical synchronizing signal and the first leading edge of the horizontal synchronizing signal is used as the first pulse signal. EL that charges and discharges the second capacitor (523) repeatedly by a corresponding dummy pulse in the logical sum signal to reliably operate the second switching element (525). A driving circuit of a display device.
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