JP2770277B2 - Film capacitor - Google Patents
Film capacitorInfo
- Publication number
- JP2770277B2 JP2770277B2 JP3354926A JP35492691A JP2770277B2 JP 2770277 B2 JP2770277 B2 JP 2770277B2 JP 3354926 A JP3354926 A JP 3354926A JP 35492691 A JP35492691 A JP 35492691A JP 2770277 B2 JP2770277 B2 JP 2770277B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode foil
- hard carbon
- film capacitor
- foil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は基材の表面に硬質炭素皮
膜を形成した電極箔を使用したフィルムコンデンサに関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film capacitor using an electrode foil having a hard carbon film formed on the surface of a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、フィルムコンデンサにおいては、
有機プラスチックフィルムや紙などが誘電体材料として
用いられている。そして、フィルムコンデンサは、例え
ばアルミニウム箔からなる一対の電極箔と、２枚の誘電
体フィルムとを交互に重ねて巻回し、その各々の電極箔
からリード端子を引き出し、樹脂モールド外装すること
によって構成される。2. Description of the Related Art Conventionally, in a film capacitor,
Organic plastic films and paper are used as dielectric materials. The film capacitor is configured by alternately stacking and winding a pair of electrode foils made of, for example, aluminum foil and two dielectric films, pulling out lead terminals from each of the electrode foils, and coating with a resin mold. Is done.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】フィルムコンデンサは
そのインピーダンスが小さいことから低周波用コンデン
サとして使用されるほか、音響用コンデンサとしても使
用される。音響用に使用されるフィルムコンデンサはア
ンプ間のカップリング用コンデンサ、負帰還回路の時定
数用コンデンサ、あるいはスピーカネットワーク用コン
デンサとして使用されるが、特に優れた再生音質が得ら
れることが要求される。しかし、従来の音響用として使
用されているフィルムコンデンサは、必ずしも優れた再
生音質が得られているとは言えなかった。The film capacitor is used not only as a low-frequency capacitor because of its low impedance, but also as an acoustic capacitor. Film capacitors used for sound are used as coupling capacitors between amplifiers, capacitors for the time constant of a negative feedback circuit, or capacitors for a speaker network. . However, the film capacitors used for conventional sound cannot always be said to have excellent reproduction sound quality.
【０００４】本発明は優れた音質特性を有した音響用の
フィルムコンデンサを提供することを目的としている。An object of the present invention is to provide an acoustic film capacitor having excellent sound quality characteristics.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明者らは種々の実験および検討を行なっ
た結果、電極箔として硬質炭素皮膜を形成した電極箔を
使用すると、優れた再生音を得ることができるフィルム
コンデンサを提供することができることが判明した。Means for Solving the Problems In order to solve such a problem, the present inventors conducted various experiments and studies. As a result, it was found that the use of an electrode foil having a hard carbon film as the electrode foil was excellent. It has been found that a film capacitor capable of producing reproduced sound can be provided.
【０００６】本発明に係る硬質炭素皮膜とは基材表面に
化学気相法（ＣＶＤ法）や物理蒸着法（ＰＶＤ法）によ
り得られる機械的に硬い炭素皮膜を言い、非晶質構造、
硬質炭素皮膜中にダイヤモンド粒子が存在するもの、多
結晶質のダイヤモンド膜状のものなどを含む。[0006] The hard carbon film according to the present invention is a mechanically hard carbon film obtained on a substrate surface by a chemical vapor deposition method (CVD method) or a physical vapor deposition method (PVD method).
Examples include those in which diamond particles are present in the hard carbon film and those in the form of a polycrystalline diamond film.
【０００７】硬質炭素皮膜の合成法には熱的な原料ガス
の分解と放電プラズマを利用したＣＶＤ法と、スパッタ
リング、イオンプレ−ティング、真空蒸着などのＰＶＤ
法とがあるが、テ−プ（フィルム基材）に熱衝撃を与え
ないという点では放電プラズマＣＶＤ法が最も好まし
い。The method of synthesizing a hard carbon film includes a CVD method using decomposition of a thermal raw material gas and discharge plasma, and a PVD method such as sputtering, ion plating, and vacuum deposition.
However, the discharge plasma CVD method is most preferable from the viewpoint that thermal shock is not applied to the tape (film substrate) .
【０００８】プラズマＣＶＤ法による場合は、電源に直
流電源を使用するＤＣプラズマＣＶＤ法と、電源に高周
波電源を使用するＲＦプラズマＣＶＤ法とがある。原料
ガスにはメタン、エタンなどの炭化水素ガスと、アルコ
−ル、アセトンなどの有機化合物が好適に使用される。
これらのガスは単独に、またはＨ2 、Ｎ2 、Ｈｅ、Ｎ
ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどのガスと混合して使用され
る。ガス圧力は１０-4Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲が
好ましい。The plasma CVD method includes a DC plasma CVD method using a DC power supply as a power supply and an RF plasma CVD method using a high-frequency power supply as a power supply. As the raw material gas, a hydrocarbon gas such as methane and ethane and an organic compound such as alcohol and acetone are preferably used.
These gases can be used alone or in H 2 , N 2 , He, N
e, Ar, Kr, Xe and the like are used as a mixture. The gas pressure is preferably in the range of 10 -4 Torr to 10 Torr.
【０００９】スパッタリング法は、プラズマ中のイオン
種の衝撃によって蒸発した炭素原子が基材に物理的に付
着して膜が形成される方法である。原料には炭素板が用
いられる。ガスとしてはＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒなどの
ガスを単独に、またはＨ2 、Ｎ2 、炭化水素ガスなどと
混合して用いられる。ガス圧力は１０-4Ｔｏｒｒ〜１０
Ｔｏｒｒの範囲が好ましい。[0009] The sputtering method is a method in which carbon atoms evaporated by the impact of ion species in plasma are physically attached to a substrate to form a film. A carbon plate is used as a raw material. As the gas, a gas such as Ar, He, Ne, or Kr is used alone or as a mixture with H 2 , N 2 , a hydrocarbon gas, or the like. Gas pressure is 10 -4 Torr to 10
The range of Torr is preferred.
【００１０】イオンプレ−ティング法の場合は、炭化水
素ガス、有機化合物あるいは炭素の蒸気を高周波コイル
で放電させてプラズマを作り、そのうちのイオン種を直
流電界で引き付けて基材上に膜を形成する。この場合、
上述の二法と同様にＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｈ2 、Ｎ
2 などのガスと混合させるのが好ましい。ガス圧力は１
０-4Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲が好ましい。In the case of the ion plating method, a plasma is formed by discharging a hydrocarbon gas, an organic compound or carbon vapor with a high-frequency coil, and the ion species of the plasma are attracted by a DC electric field to form a film on the substrate. . in this case,
Ar, He, Ne, Kr, H 2 , N
Mixing with a gas such as 2 is preferred. Gas pressure is 1
A range of 0 -4 Torr to 10 Torr is preferable.
【００１１】真空蒸着法の場合は、炭素を熱的に蒸着さ
せて基材上に膜を形成する。１０-4Ｔｏｒｒ〜１０-7Ｔ
ｏｒｒの範囲の高真空領域で蒸着するが、Ｈ2 ガスを導
入するのが好ましい。In the case of the vacuum deposition method, carbon is thermally deposited to form a film on a substrate. 10 -4 Torr to 10 -7 T
Although the deposition is performed in a high vacuum region in the range of orr, it is preferable to introduce H 2 gas.
【００１２】このような硬質炭素皮膜はＣＶＤ法または
ＰＶＤ法により、特にはＣＶＤ法により基材である電極
箔に付着形成するのが好ましい。この硬質炭素皮膜は電
極箔の表面上に１０オングストローム〜１００μｍの範
囲で付着形成するのが好ましい。より好ましくは５０オ
ングストロ−ム〜５０００オングストロ−ムの範囲で付
着形成するのがよい。硬質炭素皮膜は電極箔の一方の面
のみに形成してもよいが、両面に形成してもよい。電極
箔は金、銀、銅、アルミニウムなど金属箔やその合金箔
が好ましい。金属の加工性や経済性を考えると、アルミ
ニウム箔やその合金箔が好ましい。電極箔の厚さは５μ
ｍ〜２０μｍの範囲のものを適宜使用することができ
る。It is preferable that such a hard carbon film is adhered to the electrode foil as a base material by a CVD method or a PVD method, particularly by a CVD method. The hard carbon film is preferably formed on the surface of the electrode foil in a range of 10 Å to 100 μm. It is more preferable to form the deposit in a range of 50 Å to 5000 Å. The hard carbon film may be formed on only one surface of the electrode foil, or may be formed on both surfaces. The electrode foil is preferably a metal foil such as gold, silver, copper, or aluminum or an alloy foil thereof. Considering the workability and economy of metal, aluminum foil and its alloy foil are preferable. Electrode foil thickness is 5μ
Those having a range of m to 20 μm can be appropriately used.
【００１３】有機誘電体フィルムとしては、公知のフィ
ルムが用いられる。例えば、紙、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリフェ
ニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテル
ケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ弗化ビニリデン（ＰＶＤＦ）
あるいはスチレンのグロー放電重合フィルムなどが使用
される。フィルムの厚さは２μｍ〜５０μｍの範囲、好
ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ〜１μｍ
が用いられる。A known film is used as the organic dielectric film. For example, paper, polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polyphenylene sulfide (PPS), polyetheretherketone (PEEK), polyvinylidene fluoride (PV D F)
Alternatively, a styrene glow discharge polymerization film or the like is used. The thickness of the film is in the range of 2 μm to 50 μm, preferably 10 μm or less, more preferably 7 μm to 1 μm
Is used.
【００１４】[0014]
【００１５】＜実施例１＞厚さが５μｍのアルミニウム
電極箔（純度９９．３％）の両面にＣＶＤ法により膜厚
が８０オングストロームの硬質炭素皮膜を形成した。一
方、厚さが４μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルムを用意した。硬質炭素皮膜を形成した一対
の電極箔と、２枚のフィルムとを交互に重ねて巻回し、
フェノール系樹脂にて樹脂モールド外装を施して定格５
０Ｖ０．２２μＦのフィルムコンデンサを製作した。Example 1 A hard carbon film having a thickness of 80 Å was formed on both surfaces of an aluminum electrode foil (purity: 99.3%) having a thickness of 5 μm by a CVD method. On the other hand, polyethylene terephthalate (PE) having a thickness of 4 μm
T) A film was prepared. A pair of electrode foils formed with a hard carbon film and two films are alternately stacked and wound,
Rated 5 with a resin mold exterior made of phenolic resin
A 0V 0.22 μF film capacitor was manufactured.
【００１６】＜比較例＞厚さが４μｍのポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）フィルムと厚さが５μｍのアル
ミニウム電極箔（純度９９．３％）を用意した。一対の
電極箔と、２枚のフィルムとを交互に重ねて巻回し、フ
ェノール系樹脂にて樹脂モールド外装を施して定格５０
Ｖ０．２２μＦのフィルムコンデンサを製作した。Comparative Example A polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 4 μm and an aluminum electrode foil (purity: 99.3%) having a thickness of 5 μm were prepared. A pair of electrode foils and two films are alternately layered and wound, and a phenolic resin-molded outer casing is applied.
A film capacitor having a V of 0.22 μF was manufactured.
【００１７】次に、実施例１および比較例のフィルムコ
ンデンサをアンプ間のカップリングコンデンサとして使
用し、これらのコンデンサを取り替えて、ＣＤ（コンパ
クトディスク）を試聴した。Next, the film capacitors of Example 1 and Comparative Example were used as coupling capacitors between amplifiers, these capacitors were replaced, and a CD (compact disc) was listened to.
【００１８】実施例１の試聴結果では、音の全体のバラ
ンスが改善し、楽器の分離が良くなった。In the test results of Example 1, the overall balance of the sound was improved, and the separation of musical instruments was improved.
【００１９】比較例の試聴結果では、中高域が甲高く、
音像が薄くなり、ノイズ感があった。In the results of the comparative example, the mid-high range is high,
The sound image was thin, and there was a sense of noise.
【００２０】[0020]
【発明の効果】上述したように本発明ではフィルムコン
デンサにおいて、アルミニウム箔またはその合金箔から
なる電極箔に厚さが１０オングストローム〜１００μｍ
の硬質炭素皮膜を形成したことにより良好なる再生音を
得ることができる。As described above, in the present invention, the film capacitor is made of aluminum foil or its alloy foil.
The thickness of the electrode foil is 10 angstroms to 100 μm
A good reproduced sound can be obtained by forming the hard carbon film of the above.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特表 昭59−502005（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/40──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References Special Table 59-502005 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01G 4/00-4/40
Claims (2)
巻回したフィルムコンデンサにおいて、電極箔はアルミ
ニウム箔またはその合金箔であって、同電極箔の少なく
とも一方の面に硬質炭素皮膜を厚さが１０オングストロ
ーム〜１００μｍの範囲で形成したことを特徴とするフ
ィルムコンデンサ。An electrode foil and a dielectric film are alternately stacked.
In a wound film capacitor, the electrode foil is aluminum
A hard carbon film having a thickness of 10 Å on at least one surface of the electrode foil.
A film capacitor formed in a range of from about 100 μm to about 100 μm .
より電極箔の表面に形成されていることを特徴とする請
求項１に記載のフィルムコンデンサ。2. The film capacitor according to claim 1, wherein the hard carbon film is formed on the surface of the electrode foil by a CVD method or a PVD method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3354926A JP2770277B2 (en) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | Film capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3354926A JP2770277B2 (en) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | Film capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175076A JPH05175076A (en) | 1993-07-13 |
| JP2770277B2 true JP2770277B2 (en) | 1998-06-25 |
Family
ID=18440837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3354926A Expired - Fee Related JP2770277B2 (en) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | Film capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770277B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100014298A (en) * | 2007-01-12 | 2010-02-10 | 클리포드 더블유. 랫쇼 | Electronic bass register musical instrument tube preamplifier |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59502005A (en) * | 1982-11-08 | 1984-11-29 | ユニバ−サル マヌユフアクチヤリング コ−ポレ−シヨン | Capacitor with integrated discharge resistor and its manufacturing method |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP3354926A patent/JP2770277B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05175076A (en) | 1993-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1134800C (en) | Electronic component | |
| US4772513A (en) | Method for forming a hard carbon thin film on article and applications thereof | |
| US4101402A (en) | Adherence of metal films to polymeric materials | |
| US5431963A (en) | Method for adhering diamondlike carbon to a substrate | |
| JP2770277B2 (en) | Film capacitor | |
| JPH05175075A (en) | Film capacitor | |
| KR20050100852A (en) | A vibration plate of micro-speaker | |
| JP2736480B2 (en) | Electrolytic capacitor | |
| CN1031740C (en) | Method for producing diamond composite vibrating membrane | |
| JP2770276B2 (en) | Electrolytic capacitor | |
| JPH0434873B2 (en) | ||
| JP3767436B2 (en) | Metallized film capacitors | |
| JPS5836413B2 (en) | Magnetic recording medium manufacturing method and its manufacturing device | |
| JP2736481B2 (en) | Electrolytic capacitor | |
| JPH0314396B2 (en) | ||
| JP2550564Y2 (en) | Network circuit for speaker | |
| JPS59143499A (en) | Speaker diaphragm | |
| JPH0314397B2 (en) | ||
| JPH05159989A (en) | Electrolytic capacitor | |
| JP2938913B2 (en) | Aluminum vapor-deposited film and method for producing the same | |
| JPS5884411A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPH0462163B2 (en) | ||
| JPH025003B2 (en) | ||
| JPH0145280B2 (en) | ||
| JPH02288209A (en) | Multilayer magnetic thin-film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |