JP2761893B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JP2761893B2 JP2761893B2 JP63201376A JP20137688A JP2761893B2 JP 2761893 B2 JP2761893 B2 JP 2761893B2 JP 63201376 A JP63201376 A JP 63201376A JP 20137688 A JP20137688 A JP 20137688A JP 2761893 B2 JP2761893 B2 JP 2761893B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- target
- sputtering apparatus
- magnetic field
- microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、半導体素子製造に用いられるスパッタリン
グ装置、特に配線用Al膜を低ダメージで高速に形成する
スパッタリング装置に関する。
グ装置、特に配線用Al膜を低ダメージで高速に形成する
スパッタリング装置に関する。
従来配線用AL膜の形成にはスパッタリング装置が用い
られてきた。
られてきた。
第３図に、代表的なスパッタリング法である平行平板
型スパッタリング法を示す。301は真空室、302はSiなど
の基板、303は基板302の支持体、304はArなどの雰囲気
ガスの導入管、305は排気口、306は高周波電源、307は
高周波電源306に接続された電極、308は電極307に載置
されたターゲットである。電極307に載置されたターゲ
ット308の対向位置にある基板支持体303上に基板302を
置いて、電極307に高周波電力を印加し、プラズマ反応
で生成した雰囲気ガスのイオンによりターゲット308を
スパッタリングして基板302上に薄膜を形成するもので
ある。しかし、従来のスパッタリング装置は、堆積速度
が不充分であることや、高速に成膜する為にターゲット
印加電圧を増加させるとイオンエネルギーが高い為基板
へのイオンの入射によるダメージが発生し、素子の電気
的特性が劣化するという欠点がある。
型スパッタリング法を示す。301は真空室、302はSiなど
の基板、303は基板302の支持体、304はArなどの雰囲気
ガスの導入管、305は排気口、306は高周波電源、307は
高周波電源306に接続された電極、308は電極307に載置
されたターゲットである。電極307に載置されたターゲ
ット308の対向位置にある基板支持体303上に基板302を
置いて、電極307に高周波電力を印加し、プラズマ反応
で生成した雰囲気ガスのイオンによりターゲット308を
スパッタリングして基板302上に薄膜を形成するもので
ある。しかし、従来のスパッタリング装置は、堆積速度
が不充分であることや、高速に成膜する為にターゲット
印加電圧を増加させるとイオンエネルギーが高い為基板
へのイオンの入射によるダメージが発生し、素子の電気
的特性が劣化するという欠点がある。
これに対して、高速化や低ダメージ化の為にマグネト
ロンスパッタリング装置、対向ターゲットスパッタリン
グ装置、ECRスパッタリング装置などが検討されてい
る。
ロンスパッタリング装置、対向ターゲットスパッタリン
グ装置、ECRスパッタリング装置などが検討されてい
る。
第４図にマグネトロンスパッタリング装置を示し、40
1は真空室、402はSiなどの基板、403は基板402の支持
体、404はArなどの雰囲気ガスの導入管、405は排気口、
406は高周波電源、407は高周波電源に接続された電極、
408は電極に載置されたターゲット、409は閉ループ磁界
を発生する磁石である。電極407に載置されたターゲッ
ト408の対向位置にある基板支持体403上に基板402を置
いて、電極407に高周波電力を印加し、発生したプラズ
マを磁石409により発生した閉ループ磁界でターゲット4
08付近に閉じ込め、プラズマ密度を上げることにより、
有効にターゲット408をスパッタリングし、実際に10-4T
orr台での低いガス圧でも高い堆積速度を実現してい
る。
1は真空室、402はSiなどの基板、403は基板402の支持
体、404はArなどの雰囲気ガスの導入管、405は排気口、
406は高周波電源、407は高周波電源に接続された電極、
408は電極に載置されたターゲット、409は閉ループ磁界
を発生する磁石である。電極407に載置されたターゲッ
ト408の対向位置にある基板支持体403上に基板402を置
いて、電極407に高周波電力を印加し、発生したプラズ
マを磁石409により発生した閉ループ磁界でターゲット4
08付近に閉じ込め、プラズマ密度を上げることにより、
有効にターゲット408をスパッタリングし、実際に10-4T
orr台での低いガス圧でも高い堆積速度を実現してい
る。
しかしながら、このようなスパッタリング装置では、
やはり高速イオンによる基板のダメージが発生しやす
い。加えて、ターゲットの侵食部が局在している為、タ
ーゲットの利用効率が極めて低いという欠点がある。
やはり高速イオンによる基板のダメージが発生しやす
い。加えて、ターゲットの侵食部が局在している為、タ
ーゲットの利用効率が極めて低いという欠点がある。
第５図に対向ターゲットスパッタリング装置を示し、
501は真空室、502はSiなどの基板、503は基板502の支持
体、504はArなどの雰囲気ガスの導入口、505は排気口、
506は電源、507は電源506に接続された電極、508は電極
507に載置されたターゲット、509は対向磁界を発生する
磁石である。基板支持体503上に基板502を置いて導入口
504よりArなどの雰囲気ガスを導入した後、電極507に電
圧を印加し、発生したプラズマを磁石509により発生し
た対向磁界によりターゲット508間に閉じ込め、プラズ
マ密度を上げることにより、有効にターゲット508をス
パッタリングし、高い堆積速度を実現している。
501は真空室、502はSiなどの基板、503は基板502の支持
体、504はArなどの雰囲気ガスの導入口、505は排気口、
506は電源、507は電源506に接続された電極、508は電極
507に載置されたターゲット、509は対向磁界を発生する
磁石である。基板支持体503上に基板502を置いて導入口
504よりArなどの雰囲気ガスを導入した後、電極507に電
圧を印加し、発生したプラズマを磁石509により発生し
た対向磁界によりターゲット508間に閉じ込め、プラズ
マ密度を上げることにより、有効にターゲット508をス
パッタリングし、高い堆積速度を実現している。
しかしながら、このようなスパッタリング装置では、
やはり高速イオンによる基板のダメージが発生しやすい
という欠点がある。
やはり高速イオンによる基板のダメージが発生しやすい
という欠点がある。
また、以上のスパッタリング装置では、投入された電
力のほとんどが熱エネルギーとして消費されてしまう為
に投入電力に占めるプラズマ形成に用いられる電力の割
合が低い為、電力効率が低いという欠点もあった。
力のほとんどが熱エネルギーとして消費されてしまう為
に投入電力に占めるプラズマ形成に用いられる電力の割
合が低い為、電力効率が低いという欠点もあった。
すなわちスパッタリング装置には以下の事項が望まれ
る。
る。
（１）基板ダメージがなく高速で堆積できること（低イ
オンエネルギー、高密度プラズマ）。
オンエネルギー、高密度プラズマ）。
（２）プラズマのイオン化率が高く活性であること。
（３）イオンエネルギーの分散が狭いこと。
（４）イオンエネルギーが制御可能であること。
一方、電子サイクロトロン共鳴（ECR）と発散磁界と
を組み合せたスパッタリング装置が、例えば特開昭56−
155535号公報で提案されている。
を組み合せたスパッタリング装置が、例えば特開昭56−
155535号公報で提案されている。
第６図にECRスパッタリング装置を示し、601は真空
室、602はSiなどの基板、603は基板602の支持体、606は
高周波電源、607は高周波電源606に接続された電極、60
8は電極607に載置されたターゲット、612はマイクロ
波、613は発散磁界を発生するコイルである。基板支持
体603上に基板602を置いてArなどの雰囲気ガスを導入し
た後、マイクロ波612を導入し、コイル613により発生し
た875ガウス以上の磁束密度をもつ磁界によりECR状態に
し、低エネルギーで高密度のプラズマを発生し、有効に
ターゲット608をスパッタリングし、低ダメージで高い
堆積速度を実現している。
室、602はSiなどの基板、603は基板602の支持体、606は
高周波電源、607は高周波電源606に接続された電極、60
8は電極607に載置されたターゲット、612はマイクロ
波、613は発散磁界を発生するコイルである。基板支持
体603上に基板602を置いてArなどの雰囲気ガスを導入し
た後、マイクロ波612を導入し、コイル613により発生し
た875ガウス以上の磁束密度をもつ磁界によりECR状態に
し、低エネルギーで高密度のプラズマを発生し、有効に
ターゲット608をスパッタリングし、低ダメージで高い
堆積速度を実現している。
しかしながら、上記従来のスパッタリング装置では、
プラズマ発生室の大きさが、マイクロ波の波長によって
決定されてしまい、それだけ装置構成の自由度が少いと
いう欠点があった。加えて、形成される膜がAlなどの場
合には、マイクロ波導入窓に膜が付着すると、マイクロ
波を反射し、放電が安定に維持できないという欠点をも
っている。
プラズマ発生室の大きさが、マイクロ波の波長によって
決定されてしまい、それだけ装置構成の自由度が少いと
いう欠点があった。加えて、形成される膜がAlなどの場
合には、マイクロ波導入窓に膜が付着すると、マイクロ
波を反射し、放電が安定に維持できないという欠点をも
っている。
又、堆積速度も充分すぎるというわけではなく、更な
る高速化が必要である。
る高速化が必要である。
本発明は、従来のスパッタリング装置における上述の
問題点を解決して、装置構成の自由度が高く大面積化可
能で、安定性に優れ、低ダメージで高速な薄膜形成を可
能にするスパッタリング装置を提供することを目的とす
る。
問題点を解決して、装置構成の自由度が高く大面積化可
能で、安定性に優れ、低ダメージで高速な薄膜形成を可
能にするスパッタリング装置を提供することを目的とす
る。
従来のECRスパッタリング装置における前述の問題点
は、マイクロ波を窓を介して電磁波として直接導入した
ことと、プラズマを閉じ込める手段を用いていないこと
に起因する。
は、マイクロ波を窓を介して電磁波として直接導入した
ことと、プラズマを閉じ込める手段を用いていないこと
に起因する。
本発明者らは、窓を介さずにマイクロ波を導入する手
段として各種アンテナを検討した。その結果、スリット
の長さをマイクロ波の波長の半分の整数倍にしなければ
ならないこと以外寸法に対する制約がなく、大面積化可
能なスリット付円筒型アンテナが最適と判断した。第２
図にスリット付円筒型アンテナ211を示す。212はスリッ
トで、長さはマイクロ波の波長の半分（2.45GHzの円周
数を持つマイクロ波の場合約60mm）の整数倍にしなけれ
ばならない。213はマイクロ波を伝播する同軸管であ
る。スリット付円筒型アンテナ211をマイクロ波導入手
段として用い、スパッタリング成膜に用いたところ、放
電が安定し、アンテナ211などに膜が付着しても安定し
た成膜ができた。
段として各種アンテナを検討した。その結果、スリット
の長さをマイクロ波の波長の半分の整数倍にしなければ
ならないこと以外寸法に対する制約がなく、大面積化可
能なスリット付円筒型アンテナが最適と判断した。第２
図にスリット付円筒型アンテナ211を示す。212はスリッ
トで、長さはマイクロ波の波長の半分（2.45GHzの円周
数を持つマイクロ波の場合約60mm）の整数倍にしなけれ
ばならない。213はマイクロ波を伝播する同軸管であ
る。スリット付円筒型アンテナ211をマイクロ波導入手
段として用い、スパッタリング成膜に用いたところ、放
電が安定し、アンテナ211などに膜が付着しても安定し
た成膜ができた。
次に、磁界によって、ECRプラズマを閉じ込めること
を検討した。まず最も多く用いられているマグネトロン
スパッタリング装置の閉ループ磁界によってECRプラズ
マを閉じ込めようとしたが、ECRプラズマを発生させる
発散磁界と閉ループ磁界がうまく結合せず、有効に閉じ
込めることはできなかった。さらに対向磁界によるECR
プラズマの閉じ込めを検討し、対向磁界を取り囲むよう
にスリット円筒型アンテナを配置することによって、EC
Rプラズマを発生する磁界と対向磁界が有効に結合し、
高密度プラズマが実現した。
を検討した。まず最も多く用いられているマグネトロン
スパッタリング装置の閉ループ磁界によってECRプラズ
マを閉じ込めようとしたが、ECRプラズマを発生させる
発散磁界と閉ループ磁界がうまく結合せず、有効に閉じ
込めることはできなかった。さらに対向磁界によるECR
プラズマの閉じ込めを検討し、対向磁界を取り囲むよう
にスリット円筒型アンテナを配置することによって、EC
Rプラズマを発生する磁界と対向磁界が有効に結合し、
高密度プラズマが実現した。
本発明は、以上の知見に基づいて発明されたものであ
り、従来のスパッタリング装置の問題点を解決し、前述
目的を達成するものである。
り、従来のスパッタリング装置の問題点を解決し、前述
目的を達成するものである。
即ち、本発明によれば、スパッタリング面が対向する
ように設けられ、負のバイアスを印加できるターゲット
の背面にスパッタリング面に垂直な方向に磁界を発生す
る手段を有する対向ターゲット装置に、ターゲット間の
空間内に位置し且つ該空間を囲むようにマイクロ波導入
手段としてのスリット付円筒型アンテナを配置し、磁界
の磁束密度を875ガウスもしくはそれ以上にすることに
よって、比較的イオンエネルギーの低いECRプラズマを
対向磁界で閉じ込め、低ダメージで高速な薄膜形成を可
能にしたものである。又、スリットの長さ以外寸法に対
する制限がなく、膜が付着してもマイクロ波を反射しな
いスリット付円筒型アンテナを用いているので、従来の
ECRスパッタ装置の問題が生じない。
ように設けられ、負のバイアスを印加できるターゲット
の背面にスパッタリング面に垂直な方向に磁界を発生す
る手段を有する対向ターゲット装置に、ターゲット間の
空間内に位置し且つ該空間を囲むようにマイクロ波導入
手段としてのスリット付円筒型アンテナを配置し、磁界
の磁束密度を875ガウスもしくはそれ以上にすることに
よって、比較的イオンエネルギーの低いECRプラズマを
対向磁界で閉じ込め、低ダメージで高速な薄膜形成を可
能にしたものである。又、スリットの長さ以外寸法に対
する制限がなく、膜が付着してもマイクロ波を反射しな
いスリット付円筒型アンテナを用いているので、従来の
ECRスパッタ装置の問題が生じない。
第１図は、本発明の特徴を最もよく表わす装置の断面
図であり、101は真空に保持された反応室、102はSiなど
の基板、103は基板102の支持体、104はArなどの雰囲気
ガスの導入管、105はターボ分子ポンプなどの排気手段
に接続された排気口、110はマイクロ波電源、111はマイ
クロ波導入手段としてのスリット付円筒型アンテナ、10
8はAlなどのターゲット、107はターゲット108を載置し
た電極、109はターゲット108の表面に垂直な磁界を発生
する磁石、106は電極107に負のバイアスを印加する電源
である。
図であり、101は真空に保持された反応室、102はSiなど
の基板、103は基板102の支持体、104はArなどの雰囲気
ガスの導入管、105はターボ分子ポンプなどの排気手段
に接続された排気口、110はマイクロ波電源、111はマイ
クロ波導入手段としてのスリット付円筒型アンテナ、10
8はAlなどのターゲット、107はターゲット108を載置し
た電極、109はターゲット108の表面に垂直な磁界を発生
する磁石、106は電極107に負のバイアスを印加する電源
である。
まず、導入管104よりArなどの雰囲気ガスを導入し、
排気口105と排気手段との間に設けられたコンダクタン
スバルブ（不図示）を調節し、圧を１×10-4〜５×10-3
Torr、望ましくは２×10-4〜２×10-3Torrに保つ。マイ
クロ波電源110で発生した通常2.45GHzの周波数をもつマ
イクロ波をスリット付円筒型アンテナ111に伝え、反応
室101に導入する。磁石109によって発生する磁界の磁束
密度をターゲット108間の空気で875ガウスもしくはそれ
以上に選択しておくことにより、電子サイクロトロン共
鳴（ECR）状態になり、電子が磁力線を中心に回転し、
イオン化効率が向上する。加えて、対向磁界により電子
が閉じ込められる為プラズマ密度が非常に高くなる。こ
の状態で、電極107に−10v以上、望ましくは−100〜1kv
のバイアスを電源106を用いて印加することにより、プ
ラズマ中のイオンがターゲット108から粒子をスパッタ
リングし、基板102上に薄膜が形成される。ECR状態でか
つ対向磁場により電子を閉じ込めているのでプラズマ密
度が高く、高速な薄膜形成が可能になる。又、一般にマ
イクロ波プラズマは従来用いられている高周波プラズマ
よりもイオンエネルギーが低く、基板のダメージが発生
し難い。
排気口105と排気手段との間に設けられたコンダクタン
スバルブ（不図示）を調節し、圧を１×10-4〜５×10-3
Torr、望ましくは２×10-4〜２×10-3Torrに保つ。マイ
クロ波電源110で発生した通常2.45GHzの周波数をもつマ
イクロ波をスリット付円筒型アンテナ111に伝え、反応
室101に導入する。磁石109によって発生する磁界の磁束
密度をターゲット108間の空気で875ガウスもしくはそれ
以上に選択しておくことにより、電子サイクロトロン共
鳴（ECR）状態になり、電子が磁力線を中心に回転し、
イオン化効率が向上する。加えて、対向磁界により電子
が閉じ込められる為プラズマ密度が非常に高くなる。こ
の状態で、電極107に−10v以上、望ましくは−100〜1kv
のバイアスを電源106を用いて印加することにより、プ
ラズマ中のイオンがターゲット108から粒子をスパッタ
リングし、基板102上に薄膜が形成される。ECR状態でか
つ対向磁場により電子を閉じ込めているのでプラズマ密
度が高く、高速な薄膜形成が可能になる。又、一般にマ
イクロ波プラズマは従来用いられている高周波プラズマ
よりもイオンエネルギーが低く、基板のダメージが発生
し難い。
（膜堆積例） ターゲットとしてAlを用い、表１に示される条件で成
膜したところ、良質のAl膜が堆積速度1.4μm/minと高速
で形成された。
膜したところ、良質のAl膜が堆積速度1.4μm/minと高速
で形成された。
又、下地基板としてMOS構造の上にPSGをコートしたも
のを用い、同一条件でAl膜を形成し、成膜前後のフラッ
トバンド電圧のシフトをＣ−Ｖ測定により求めたとこ
ろ、0.5v以下と良好だった。第７図に使用した基板と測
定法を示す。714はn+−Si基板、715はゲート酸化膜（20
nm厚）、716はpoly−Siゲート電極（300nm厚）、717はP
SG膜（１μｍ厚）、719はＣ−Ｖ測定系、718は堆積した
Al膜で、Al膜718の堆積前後にＣ−Ｖ特性を測定し、堆
積中のイオン衝撃によって生成する電荷捕獲準位密度を
反映するフラットバンド電圧のシフトでダメージを評価
した。
のを用い、同一条件でAl膜を形成し、成膜前後のフラッ
トバンド電圧のシフトをＣ−Ｖ測定により求めたとこ
ろ、0.5v以下と良好だった。第７図に使用した基板と測
定法を示す。714はn+−Si基板、715はゲート酸化膜（20
nm厚）、716はpoly−Siゲート電極（300nm厚）、717はP
SG膜（１μｍ厚）、719はＣ−Ｖ測定系、718は堆積した
Al膜で、Al膜718の堆積前後にＣ−Ｖ特性を測定し、堆
積中のイオン衝撃によって生成する電荷捕獲準位密度を
反映するフラットバンド電圧のシフトでダメージを評価
した。
（比較例） 従来の対向ターゲットスパッタリング装置を用いてAl
膜の成膜を行ったところ堆積速度は高々0.5μm/min、フ
ラットバンド電圧のシフトも3v以上で、本発明の方が明
らかに優れている。
膜の成膜を行ったところ堆積速度は高々0.5μm/min、フ
ラットバンド電圧のシフトも3v以上で、本発明の方が明
らかに優れている。
又、従来のECRスパッタリング装置を用いてAl膜の成
膜を行ったところ、堆積初期においては１μm/min以上
の堆積速度を示したが、堆積が進むにつれ、マイクロ波
の導入窓がAl膜の付着により曇り始め、マイクロ波の反
射が多くなり、堆積速度が低下し、結局放電が維持でき
なくなり、堆積が止ってしまった。
膜を行ったところ、堆積初期においては１μm/min以上
の堆積速度を示したが、堆積が進むにつれ、マイクロ波
の導入窓がAl膜の付着により曇り始め、マイクロ波の反
射が多くなり、堆積速度が低下し、結局放電が維持でき
なくなり、堆積が止ってしまった。
上述の本発明の装置においては、マイクロ波導入手段
としてスリット付円筒型アンテナを用いるようにした
が、対向磁界に垂直な電界をもつマイクロ波の導入手段
なら適用可能である。
としてスリット付円筒型アンテナを用いるようにした
が、対向磁界に垂直な電界をもつマイクロ波の導入手段
なら適用可能である。
又、基板の電位はグランドに落した例を示したが、基
板入射イオンエネルギーを制御する為、バイアスを印加
しても良い。
板入射イオンエネルギーを制御する為、バイアスを印加
しても良い。
以上説明したように、対向ターゲットスパッタリング
装置にターゲット間の空間を囲むようにスリット付円筒
型アンテナを配置し、磁界の磁束密度を875ガウスもし
くはそれ以上にすることにより、イオンエネルギーの低
いECRプラズマを対向磁界で閉じ込め、低ダメージで高
速な薄膜形成が可能になる効果がある。
装置にターゲット間の空間を囲むようにスリット付円筒
型アンテナを配置し、磁界の磁束密度を875ガウスもし
くはそれ以上にすることにより、イオンエネルギーの低
いECRプラズマを対向磁界で閉じ込め、低ダメージで高
速な薄膜形成が可能になる効果がある。
又、従来のECRのスパッタリング装置とは異なり、構
造の自由度が大きく、膜が付着してもマイクロ波が導入
しにくくなることはない。
造の自由度が大きく、膜が付着してもマイクロ波が導入
しにくくなることはない。
第１図は、本発明を実施したスパッタリング装置の断面
図、第２図は、第１図のスパッタリング装置に用いられ
たスリット付円筒型マイクロ波アンテナの概観図、第３
図は、従来の平行平板型スパッタリング装置の断面図、
第４図は、従来のマグネトロンスパッタリング装置の断
面図、第５図は、従来の対向ターゲットスパッタリング
装置の断面図、第６図は従来のECRスパッタリング装置
の断面図、第７図はダメージ評価に用いた基板の断面図
である。 図において、 101,301,401,501,601は真空室、102,302,402,502,602は
基板、103,303,403,503,603は支持体、104,304,404,504
は雰囲気ガスの導入管、105,305,405,505は排気口、10
6,306,406,506,606はターゲット電源、107,307,407,50
7,607はターゲット電極、108,308,408,508,608はターゲ
ット、109,409,509は磁石、110はマイクロ波電源、111,
211はスリット付円筒型アンテナ、212はスリット、213
は円軸管、612はマイクロ波、613はコイル、714はn+−S
i基板、715はゲート酸化膜、716はゲート電極、717はPS
G膜、718は堆積したAl膜、719はＣ−Ｖ測定系。
図、第２図は、第１図のスパッタリング装置に用いられ
たスリット付円筒型マイクロ波アンテナの概観図、第３
図は、従来の平行平板型スパッタリング装置の断面図、
第４図は、従来のマグネトロンスパッタリング装置の断
面図、第５図は、従来の対向ターゲットスパッタリング
装置の断面図、第６図は従来のECRスパッタリング装置
の断面図、第７図はダメージ評価に用いた基板の断面図
である。 図において、 101,301,401,501,601は真空室、102,302,402,502,602は
基板、103,303,403,503,603は支持体、104,304,404,504
は雰囲気ガスの導入管、105,305,405,505は排気口、10
6,306,406,506,606はターゲット電源、107,307,407,50
7,607はターゲット電極、108,308,408,508,608はターゲ
ット、109,409,509は磁石、110はマイクロ波電源、111,
211はスリット付円筒型アンテナ、212はスリット、213
は円軸管、612はマイクロ波、613はコイル、714はn+−S
i基板、715はゲート酸化膜、716はゲート電極、717はPS
G膜、718は堆積したAl膜、719はＣ−Ｖ測定系。
Claims (2)
- 【請求項１】スパッタリング面が対向するように設けら
れた負のバイアスを印加できるターゲットの背面に該ス
パッタリング面に垂直な方向に磁界を発生する手段を設
け、該ターゲット間の空間の側方に基板を配置したスパ
ッタリング装置であって、前記ターゲット間の空間内に
位置し且つ該空間を囲むようにマイクロ波導入手段とし
てのスリット付円筒型アンテナを配置したことを特徴と
するスパッタリング装置。 - 【請求項２】前記マイクロ波の周波数が2.45GHzであ
り、前記磁界の磁束密度がターゲット間の空間で875ガ
ウスもしくはそれ以上である請求項（１）に記載のスパ
ッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201376A JP2761893B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201376A JP2761893B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250960A JPH0250960A (ja) | 1990-02-20 |
| JP2761893B2 true JP2761893B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=16440048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63201376A Expired - Fee Related JP2761893B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2761893B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02217467A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Pioneer Electron Corp | 対向ターゲット型スパッタリング装置 |
| FR2689143B1 (fr) * | 1992-03-31 | 1994-05-13 | Commissariat A Energie Atomique | Dispositif de pulverisation cathodique utilisant un plasma engendre par des micro-ondes. |
| US7993733B2 (en) | 2008-02-20 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Index modified coating on polymer substrate |
| US8057649B2 (en) * | 2008-05-06 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Microwave rotatable sputtering deposition |
| US8349156B2 (en) | 2008-05-14 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Microwave-assisted rotatable PVD |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380523A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JP2587924B2 (ja) * | 1986-10-11 | 1997-03-05 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜形成装置 |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63201376A patent/JP2761893B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0250960A (ja) | 1990-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5830330A (en) | Method and apparatus for low pressure sputtering | |
| US5178739A (en) | Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes | |
| JPS6396267A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0816266B2 (ja) | 高アスペクト比の穴に材料を付着させる装置 | |
| JPH0521347A (ja) | スパツタリング装置 | |
| US5531877A (en) | Microwave-enhanced sputtering configuration | |
| JP2761893B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| US6812164B2 (en) | Method and apparatus for ionization film formation | |
| JP3944946B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0878333A (ja) | 膜形成用プラズマ装置 | |
| JPH0645093A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPH066786B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2781165B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| Musil | Basic properties of low-pressure plasma | |
| JP2552698B2 (ja) | 薄膜形成装置およびマイクロ波導入方法 | |
| JP2818895B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2720906B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS61127862A (ja) | 薄膜形成方法及びその形成装置 | |
| JP2002012970A (ja) | スパッタ装置及びスパッタ方法 | |
| JPH0428867A (ja) | バイアススパッタリング方法および装置 | |
| JPH08302465A (ja) | プラズマによるスパッターを利用した成膜装置 | |
| Rue et al. | A two-inch dc/rf circular magnetron sputtering gun for a miniature chamber for an in situ experiment | |
| JPH02290966A (ja) | スパッタリング装置およびその制御方法 | |
| JPH0281409A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2000212737A (ja) | スパッタ装置及び成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |