JP2759830B2 - X-ray analysis method and apparatus - Google Patents

X-ray analysis method and apparatus

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JP2759830B2
JP2759830B2 JP1272402A JP27240289A JP2759830B2 JP 2759830 B2 JP2759830 B2 JP 2759830B2 JP 1272402 A JP1272402 A JP 1272402A JP 27240289 A JP27240289 A JP 27240289A JP 2759830 B2 JP2759830 B2 JP 2759830B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、X線を用いて試料の構造を解析するX線構
造解析装置に関する。特に、いわゆるエキザフス(EXAF
S)あるいはザーネス(XANES)に基づいて試料の微細構
造等の解析を行うX線構造解析装置に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray structure analyzer that analyzes the structure of a sample using X-rays. In particular, the so-called EXAFUS (EXAF
The present invention relates to an X-ray structure analyzer that analyzes the fine structure of a sample based on S) or XANES.

[従来の技術] X線を用いて試料の構造解析を行う装置として、いわ
ゆるX線回折装置は良く知られている。このX線回折装
置では、試料にX線を照射し、その試料によって回折し
たX線に基づいてその試料の構造解析が行われる。
[Prior Art] A so-called X-ray diffractometer is well known as an apparatus for analyzing the structure of a sample using X-rays. In this X-ray diffractometer, a sample is irradiated with X-rays, and the structure of the sample is analyzed based on the X-ray diffracted by the sample.

このX線回折装置とは異なった原理に基づいて試料の
構造解析を行う装置として、いわゆるエキザフス測定装
置があることも既に知られている。
It is already known that there is a so-called Exafus measuring device as a device for analyzing the structure of a sample based on a principle different from the X-ray diffraction device.

一般に、試料に照射するX線のエネルギを徐々に変え
てゆき、その各々のエネルギについて、試料に入射する
X線強度(I0)と試料を透過するX線強度(I)との比
(I0/I)をとってグラフ上にプロットすると、第6図に
示すようなX線吸収スペクトルが得られる。このX線吸
収スペクトルにおいて、吸収端Aより高エネルギ側50ev
程度の狭い領域に現れる吸収端微細構造は、通常、ザー
ネス(XANES:X−RAY Absorption Near Edge Structur
e)と呼ばれている。また、ザーネスよりも高エネルギ
側へ1000ev程度の広い領域に現れる強度比(すなわち、
吸収係数)の振動構造は、エキザフス(EXAFS:Extended
X−RAY Absorption Fine Structure)と呼ばれてい
る。
In general, the energy of X-rays applied to a sample is gradually changed, and for each of the energies, the ratio (I) of the X-ray intensity (I 0 ) incident on the sample and the X-ray intensity (I) transmitted through the sample is obtained. 0 / I) and plotting on a graph, an X-ray absorption spectrum as shown in FIG. 6 is obtained. In this X-ray absorption spectrum, 50 ev
The absorption edge fine structure that appears in a narrow area is usually XANES (X-RAY Absorption Near Edge Structur).
e) is called. In addition, the intensity ratio that appears in a wide area of about 1000 ev toward the higher energy side than
The vibration structure of absorption coefficient (EXAFS: Extended)
X-RAY Absorption Fine Structure).

これらザーネス及びエキザフスには、吸収原子とその
まわりの原子との間の化学結合、分子の立体構造、原子
間距離、あるいは配位等に関する情報が含まれている。
よって、未知試料について第6図のようなX線吸収スペ
クトルを求めれば、それに基づいてその未知試料の構造
解析を行うことができる。
These Zaness and Exafus contain information on chemical bonds between the absorbing atom and the surrounding atoms, the three-dimensional structure of the molecule, the interatomic distance, the coordination, and the like.
Therefore, if an X-ray absorption spectrum as shown in FIG. 6 is obtained for an unknown sample, the structure of the unknown sample can be analyzed based on the X-ray absorption spectrum.

上記のエキザフス測定装置は、特にそのようなエキザ
フスに基づいて試料の構造解析を行うものである。この
エキザフス測定装置では、信頼性のある結果を得るため
に、エキザフスのみならずザーネスの測定も併せて行う
のが一般的である。
The above-mentioned exahus measuring apparatus performs a structural analysis of a sample based on such an exahus. In order to obtain a reliable result, it is common to measure not only the exahus but also the senes in this exahus measuring apparatus.

ところで上述したように、第6図のX線吸収スペクト
ルを求めるにあたっては、X線を所定の結晶固定時間毎
に所定のステップ幅づつエネルギ量を変えながら順次試
料に照射しなければならない。エキザフス領域では、例
えば、2〜10秒の結晶固定時間毎にステップ幅2〜10ev
づつエネルギ量を変えながらX線を試料に照射して測定
を行う。一方ザーネス領域では、例えば、80秒の結晶固
定時間毎にステップ幅0.5〜1evづつエネルギ量を変えな
がらX線を照射する。このように、エキザフス領域とザ
ーネス領域との間で、X線エネルギの走査態様を大幅に
変更しなければならない。
By the way, as described above, in obtaining the X-ray absorption spectrum of FIG. 6, it is necessary to sequentially irradiate the sample with X-rays while changing the energy amount by a predetermined step width every predetermined crystal fixing time. In the Exafus region, for example, a step width of 2 to 10 ev is taken every crystal fixation time of 2 to 10 seconds.
Each sample is irradiated with X-rays while changing the amount of energy for measurement. On the other hand, in the sorness region, for example, X-rays are irradiated while changing the amount of energy by a step width of 0.5 to 1 ev every crystal fixing time of 80 seconds. As described above, the scanning manner of the X-ray energy must be changed significantly between the Exhaust region and the Zerness region.

さらに、同じく第6図のX線吸収スペクトルを求める
にあたって、いわゆるエネルギ分解能をエキザフス領域
とザーネス領域との間で変更する必要もある。このエネ
ルギ分解能とは、照射されるX線のエネルギ量が一定で
あるとすると、概ねX線の焦点、すなわち線幅によって
決まる値であり、ザーネス領域では1〜2ev、エキザフ
ス領域では5〜10ev程度の分解能が、それぞれ必要とさ
れる。このように、エキザフス領域とザーネス領域との
間で、エネルギ分解能をも大幅に変更しなければならな
い。
Further, in obtaining the X-ray absorption spectrum of FIG. 6, it is necessary to change the so-called energy resolution between the Xavihs region and the Zerness region. The energy resolution is a value determined substantially by the focal point of the X-rays, that is, the line width, when the energy amount of the irradiated X-rays is constant. Are required respectively. As described above, the energy resolution between the Exhaust region and the Zerness region must be significantly changed.

以上のように、X線吸収スペクトルを求めるに際して
は、エキザフス領域とザーネス領域との間で、X線エネ
ルギの走査ステップ幅及び固定保持時間並びにエネルギ
分解能を大幅に変更しなければならず、そのため、従来
のエキザフス測定装置においては、エキザフスの測定と
ザーネスの測定とをそれぞれ別個独立に行なっていた。
このため、作業能率が非常に悪かった。
As described above, when the X-ray absorption spectrum is obtained, the scanning step width and the fixed holding time of the X-ray energy and the energy resolution must be significantly changed between the Xavis region and the Zerness region. In the conventional Exahus measurement apparatus, the measurement of the Exahus and the measurement of the senes are performed separately and independently.
For this reason, work efficiency was very bad.

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、
1つの装置で連続してエキザフスおよびザーネスの両方
の測定を行うことを可能として、試料の構造解析の作業
能率を向上させることのできるX線構造解析方法及びそ
の装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points,
It is an object of the present invention to provide an X-ray structure analysis method and an X-ray structure analysis method capable of continuously measuring both the Xavis and the Zerness by one device and improving the work efficiency of the sample structure analysis. .

[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するため、請求項1記載のX線解析
方法は、X線発生装置から発生するX線を分光結晶へ
入射させ、その分光結晶の入射X線に対する角度を、
所定の結晶固定保持時間毎に所定のステップ角度だけ段
階的に変化させながら、その分光結晶によってX線を
回折して試料へ照射し、試料へ入射するX線の強度と
試料を透過したX線の強度とを測定して試料の解析を行
うX線解析方法において、分光結晶から出て試料へ入
射するX線の線幅、上記の結晶固定保持時間及び上記の
ステップ角度を、分光結晶の入射X線に対する角度に
応じて変更することを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the X-ray analysis method according to claim 1 causes X-rays generated from an X-ray generator to enter a spectral crystal, and the incident X-ray of the spectral crystal The angle to the line
X-rays are diffracted by the spectroscopic crystal and irradiated onto the sample while changing stepwise by a predetermined step angle for each predetermined crystal fixed holding time, and the intensity of the X-rays incident on the sample and the X-rays transmitted through the sample In the X-ray analysis method for analyzing the sample by measuring the intensity of the X-ray, the line width of the X-rays coming out of the spectral crystal and entering the sample, the above-mentioned crystal fixed holding time and the above-mentioned step angle are determined by the incidence of the spectral crystal. It is characterized in that it is changed according to the angle with respect to the X-ray.

また、請求項2記載のX線解析方法は、請求項1記載
のX線解析方法において、試料へ入射するX線の線幅を
変更することに代えて、X線発生装置を出て分光結晶へ
入射するX線の線幅を、分光結晶の入射X線に対する角
度に応じて変更する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an X-ray analysis method according to the first aspect, in which the X-ray analysis apparatus exits the X-ray generation device instead of changing the line width of the X-ray incident on the sample. The line width of the X-ray incident on the crystal is changed according to the angle of the spectral crystal with respect to the incident X-ray.

また、請求項3記載のX線解析装置は、X線を発生
するX線発生装置と、X線発生装置から出たX線を回
折して試料に入射させる分光結晶と、試料に入射する
X線の強度を測定する入射X線強度検出手段と、試料
を透過したX線の強度を測定する透過X線強度検出手段
と、X線の入射角度が変わるように分光結晶を角度可
変に支持し、さらに分光結晶の角度が変わってもその
分光結晶で回折されたX線が常に試料へ入射するように
その試料を支持する結晶・試料支持手段と、分光結晶
の入射X線に対する角度を、所定の結晶固定保持時間毎
に所定のステップ角度だけ段階的に変化させる結晶駆動
制御手段とを有するX線解析装置において、分光結晶
から試料に至るX線光路上に配置されていて幅が調節可
能である受光スリットと、受光スリットの幅、結晶駆
動制御手段における結晶固定保持時間及びステップ角度
を、分光結晶の入射X線に対する角度に応じて変更す
る第1測定条件変更手段とを設けたことを特徴とする。
The X-ray analyzer according to claim 3 is an X-ray generator that generates X-rays, a spectral crystal that diffracts X-rays emitted from the X-ray generator and impinges the X-rays on the sample, and an X-ray that impinges on the sample. Incident X-ray intensity detecting means for measuring the intensity of X-rays, transmitted X-ray intensity detecting means for measuring the intensity of X-rays transmitted through the sample, and a spectroscopic crystal variably supported so that the X-ray incident angle changes. The crystal / sample supporting means for supporting the sample so that the X-ray diffracted by the spectral crystal always enters the sample even when the angle of the spectral crystal changes, and the angle of the spectral crystal with respect to the incident X-ray is set to a predetermined value. An X-ray analysis apparatus having a crystal drive control means for changing the crystal stepwise by a predetermined step angle for each crystal fixation holding time, wherein the crystal drive control means is arranged on the X-ray optical path from the spectral crystal to the sample, and the width is adjustable. One receiving slit and one receiving slit Width, the crystal fixed hold time and step angle in crystal drive control means, characterized by providing a first measurement condition changing means for changing in accordance with the angle with respect to the incident X-ray analyzing crystal.

このX線解析装置は、請求項1記載のX線解析方法を
実施するのに好適なX線解析装置であって、上記構成要
件、、のように「分光結晶から試料に至るX線光
路上に配置されていて幅が調節可能である受光スリット
の幅を調節」することにより、請求項1の構成要件、
のように「分光結晶から出て試料へ入射するX線の線
幅を変更する」。
This X-ray analysis apparatus is an X-ray analysis apparatus suitable for carrying out the X-ray analysis method according to claim 1. By adjusting the width of the light-receiving slit, which is arranged at a width and which can be adjusted, the configuration requirements of claim 1,
"Change the line width of the X-rays coming out of the spectral crystal and entering the sample."

また、請求項4記載のX線解析装置は、請求項3記載
のX線解析装置が有する構成要件と同じ構成要件〜
を有するX線解析装置であって、さらに、X線発生装
置の分光結晶に対する角度を変更可能にそのX線発生装
置を支持するX線発生装置支持手段と、X線発生装置
の分光結晶に対する角度、結晶駆動制御手段における結
晶固定保持時間及びステップ角度を、分光結晶の入射
X線に対する角度に応じて変更する第2測定条件変更手
段とを設けたことを特徴とする。
The X-ray analyzer according to the fourth aspect has the same configuration requirements as those of the X-ray analysis apparatus according to the third aspect.
An X-ray analyzing apparatus having an X-ray generator supporting means for supporting the X-ray generating apparatus so that the angle of the X-ray generating apparatus with respect to the spectral crystal can be changed, and an angle of the X-ray generating apparatus with respect to the spectral crystal. And a second measurement condition changing means for changing the crystal fixed holding time and the step angle in the crystal driving control means in accordance with the angle of the spectral crystal with respect to the incident X-ray.

このX線解析装置は、請求項2記載のX線解析方法を
実施するのに好適なX線解析装置であって、具体的に
は、上記構成要件のX線発生装置支持手段の働きによ
ってX線発生装置の分光結晶に対する角度を変化させる
ことにより、X線発生装置に関するX線の取り出し角度
を変化させて見かけ上のX線焦点幅を変化させる。こう
して見かけ上のX線焦点幅を変化させることにより、
「X線発生装置を出て分光結晶へ入射するX線の線幅
を、分光結晶の入射X線に対する角度に応じて変更す
る」という、請求項2のX線解析方法の主たる構成要件
を実現する。
This X-ray analysis apparatus is an X-ray analysis apparatus suitable for implementing the X-ray analysis method according to the second aspect. By changing the angle of the X-ray generator with respect to the spectral crystal, the apparent X-ray focal width is changed by changing the X-ray extraction angle with respect to the X-ray generator. By changing the apparent X-ray focal width in this way,
A main component of the X-ray analysis method according to claim 2, which is "changes the line width of the X-rays exiting the X-ray generator and entering the spectral crystal according to the angle of the spectral crystal with respect to the incident X-rays", is realized. I do.

さらに、請求項5記載のX線解析装置は、請求項3記
載のX線解析装置が有する構成要件と同じ構成要件〜
を有するX線解析装置であって、さらに、X線発生装
置が次の構成要件、すなわち電子を放出するフィラメ
ントと、その電子が衝突するターゲットと、フィラ
メントからターゲットへ向かう電子路に沿って配置され
る電極とを有しており、そしてさらに、その電極に印
可するバイアス電圧、結晶駆動制御手段における結晶固
定保持時間及びステップ角度を、分光結晶の入射X線
に対する角度に応じて変更する第3測定条件変更手段を
設けたことを特徴とする。
Furthermore, the X-ray analyzer according to claim 5 has the same configuration requirements as those of the X-ray analyzer according to claim 3.
An X-ray analysis apparatus having an X-ray generator, wherein the X-ray generator is disposed along a filament that emits electrons, a target with which the electrons collide, and an electron path from the filament to the target. And a third measurement in which a bias voltage applied to the electrode, a crystal fixed holding time in the crystal driving control means, and a step angle are changed according to an angle of the spectral crystal with respect to the incident X-ray. A condition changing means is provided.

このX線解析装置は、請求項2記載のX線解析方法を
実施するのに好適なX線解析装置であって、具体的に
は、上記構成要件の電極に印可する電圧を変化させる
ことによってフィラメントからターゲットへ向かう電子
の幅を調節してターゲット上におけるX線焦点の幅を変
化させる。こうしてX線焦点の幅を変化させることによ
り、「X線発生装置を出て分光結晶へ入射するX線の線
幅を、分光結晶の入射X線に対する角度に応じて変更
す」という、請求項2のX線解析方法の主たる構成要件
を実現する。
This X-ray analysis apparatus is an X-ray analysis apparatus suitable for carrying out the X-ray analysis method according to claim 2, and specifically, by changing a voltage applied to the electrode having the above-mentioned configuration requirements. The width of the X-ray focus on the target is changed by adjusting the width of the electrons from the filament to the target. By changing the width of the X-ray focal point in this way, "changing the line width of the X-ray exiting the X-ray generator and entering the spectral crystal according to the angle of the spectral crystal with respect to the incident X-ray" is claimed. The main constituent requirements of the X-ray analysis method 2 are realized.

[作用] 請求項1の発明では、分光結晶(9)の入射X線
(A)に対する角度(θ)に応じて、分光結晶(9)で
回折して試料(11)へ入射する回折X線(B)の線幅を
変更させる。これによって、エキザフス及びザーネスの
それぞれに適合したエネルギ分解能を選択できる。
[Function] According to the first aspect of the invention, the diffracted X-ray diffracted by the dispersive crystal (9) and incident on the sample (11) according to the angle (θ) of the dispersive crystal (9) with respect to the incident X-ray (A). The line width of (B) is changed. As a result, an energy resolution suitable for each of the Xavihs and the Zerness can be selected.

また、それと同時に、分光結晶(9)を1つの角度
(θ)に保持しておくための時間である結晶固定保持時
間及び分光結晶(9)の角度の変更幅であるステップ幅
をそれぞれ変更する。これにより、エキザフスおよびザ
ーネスのそれぞれに適合したエネルギ走査態様を選択で
きる。なお、分光結晶(9)の角度(θ)を変えるの
は、回折X線の波長を変えることによって、試料(11)
へ入射するX線のエネルギ量を変えるためである。
At the same time, the crystal fixed holding time, which is the time for keeping the dispersive crystal (9) at one angle (θ), and the step width, which is the change width of the angle of the dispersive crystal (9), are changed. . As a result, an energy scanning mode suitable for each of the Xavis and the Zurness can be selected. The angle (θ) of the dispersive crystal (9) is changed by changing the wavelength of the diffracted X-rays.
This is to change the amount of energy of X-rays incident on.

請求項2の発明では、回折X線(B)の線幅を変える
のではなくて、分光結晶(9)へ入射するX線(A)の
線幅を、分光結晶(9)の角度(θ)に応じて変更し、
これによってザーネス及びエキザフスのそれぞれに適合
するエネルギ分解能を選択している。
According to the second aspect of the present invention, instead of changing the line width of the diffracted X-ray (B), the line width of the X-ray (A) incident on the spectral crystal (9) is changed by the angle (θ) of the spectral crystal (9). ),
Thereby, the energy resolution suitable for each of the Zaness and the Exafus is selected.

請求項3の発明では、X線発生装置(5)から出たX
線が分光結晶(9)で回折して試料(11)へ入射する。
試料に入射するX線の強度(I0)及び試料を透過するX
線の強度(I)は、X線強度検出手段(入射X線強度検
出手段13a,透過X線強度検出手段13b)によって検出さ
れる。これらの検出された強度に基づいて、目的とする
X線吸収スペクトルが求められる。
According to the invention of claim 3, X-rays emitted from the X-ray generator (5)
The line is diffracted by the dispersive crystal (9) and is incident on the sample (11).
X-ray intensity (I 0 ) incident on the sample and X-ray transmitted through the sample
The line intensity (I) is detected by X-ray intensity detecting means (incident X-ray intensity detecting means 13a, transmitted X-ray intensity detecting means 13b). Based on the detected intensities, a target X-ray absorption spectrum is obtained.

結晶・試料支持手段は、通常、ゴニオメータと呼ばれ
ているものであって、分光結晶(9)の入射X線に対す
る角度(θ)と試料(11)のその入射X線に対する角度
(2θ)との関係を常に一定に保持した状態でそれらを
少しづつ移動させるものである。結晶駆動制御手段と
は、上記の結晶・試料支持手段を駆動して分光結晶
(9)の角度(θ)を少しづつ変えて行くものである。
これら結晶・試料支持手段及び結晶駆動制御手段の働き
によって、試料(11)へ入射されるX線のエネルギ量が
少しづつ変えられる。つまり、第6図のグラフにおける
横軸の座標位置が決定される。
The crystal / sample supporting means is usually called a goniometer, and includes an angle (θ) of the dispersive crystal (9) with respect to the incident X-ray and an angle (2θ) of the sample (11) with respect to the incident X-ray. Are moved little by little while keeping the relationship constant. The crystal drive control means drives the above-mentioned crystal / sample support means and gradually changes the angle (θ) of the spectral crystal (9).
By the action of the crystal / sample support means and the crystal drive control means, the energy amount of the X-ray incident on the sample (11) is gradually changed. That is, the coordinate position of the horizontal axis in the graph of FIG. 6 is determined.

第1測定条件変更手段(制御装置24,操作装置25)
は、受光スリット(12)のスリット幅(18)、結晶固定
保持時間及び分光結晶の角度ステップ幅(すなわち、エ
ネルギステップ幅)といった少なくとも3つの測定条件
項目を、分光結晶の角度(θ:すなわち試料11へ入射す
るX線のエネルギ量)に対応して適宜の値に変更して設
定する。これにより、測定条件をザーネス領域及びエキ
ザフス領域のそれぞれに自動的に適合させることができ
る。
First measurement condition changing means (control device 24, operating device 25)
Describes at least three measurement condition items such as the slit width (18) of the light receiving slit (12), the crystal fixed holding time, and the angular step width of the spectral crystal (that is, the energy step width). (The amount of energy of X-rays incident on the laser beam 11). This makes it possible to automatically adapt the measurement conditions to each of the Zaness area and the Exahus area.

請求項4の発明では、第2測定条件変更手段(制御装
置24,操作装置25)によって、X線発生装置(5)の分
光結晶(9)に対する角度、結晶固定保持時間及び分光
結晶の角度ステップ幅の少なくとも3つの測定条件項目
が、分光結晶の角度(θ)に対応して変更設定される。
X線発生装置(5)の角度を変えることにより、X線発
生装置から分光結晶(9)へ向かうX線(A)の取り出
し角度を変えて見掛け上の焦点幅を変更し、その結果、
X線吸収スペクトル(第6図)を求めるにあたってのエ
ネルギ分解能をエキザフス領域あるいはザーネス領域に
適合させる。
According to the fourth aspect of the present invention, the angle of the X-ray generator (5) with respect to the spectral crystal (9), the crystal fixed holding time, and the angular step of the spectral crystal are controlled by the second measurement condition changing means (control device 24, operating device 25). At least three measurement condition items of the width are changed and set in accordance with the angle (θ) of the spectral crystal.
By changing the angle of the X-ray generator (5), the angle of extraction of X-rays (A) from the X-ray generator toward the dispersive crystal (9) is changed to change the apparent focal width.
The energy resolution for obtaining the X-ray absorption spectrum (FIG. 6) is adapted to the Exahus region or the Zaness region.

請求項5の発明では、第3測定条件変更手段(制御装
置24,操作装置25)によって、ターゲット(7)上に照
射される電子束の焦点幅、結晶固定保持時間及び分光結
晶の角度ステップ幅の少なくとも3つの測定条件項目
が、分光結晶の角度(θ)に対応して変更設定される。
電子束の焦点幅を変更することにより、分光結晶(9)
へ向かうX線(A)の焦点幅を変えて、X線吸収スペク
トルを求めるにあたってのエネルギ分解能をエキザフス
領域あるいはザーネス領域に適合させる。
According to the fifth aspect of the present invention, the focal length of the electron beam irradiated onto the target (7), the crystal fixed holding time, and the angular step width of the spectral crystal are measured by the third measurement condition changing means (control device 24, operating device 25). Are changed and set in accordance with the angle (θ) of the spectral crystal.
By changing the focal width of the electron flux, the spectral crystal (9)
The energy resolution for obtaining the X-ray absorption spectrum is adjusted to the Xavihs region or the Zaness region by changing the focal width of the X-ray (A) toward the X-ray.

[実施例] 第1図は、本発明に係るX線構造解析装置の一実施例
の全体の概略を示している。
Embodiment FIG. 1 schematically shows an entire embodiment of an X-ray structure analyzing apparatus according to the present invention.

同図において、試料リンク2、結晶リンク3そしてX
線リンク4の3本のリンクが回転中心1に接続されてい
る。X線リンク4は固定されていて動かないが、結晶リ
ンク3及び試料リンク2は、回転中心を中心として回動
する。
In the figure, sample link 2, crystal link 3 and X
Three links of the line link 4 are connected to the rotation center 1. The X-ray link 4 is fixed and does not move, but the crystal link 3 and the sample link 2 rotate around the rotation center.

X線リンク4の先端には、X線発生装置5が固定され
ており、そのX線発生装置の中に、フィラメント6及び
適宜の速度で回転するターゲット7が設けられている。
フィラメント6には適宜の電圧が印可されるようになっ
ており、この電圧印可によってフィラメント6から電子
が放出される。放出された電子はターゲット7に当た
り、そして適宜の取り出し角度、例えば12°で破線Aの
ようにX線が取り出される。
An X-ray generator 5 is fixed to the tip of the X-ray link 4, and a filament 6 and a target 7 that rotates at an appropriate speed are provided in the X-ray generator.
An appropriate voltage is applied to the filament 6, and electrons are emitted from the filament 6 by this voltage application. The emitted electrons impinge on the target 7 and X-rays are extracted as shown by a broken line A at an appropriate extraction angle, for example, 12 °.

結晶リンク3の先端には、基台8が固定されており、
その基台上に分光結晶、例えばゲルマニウム(440)9
が固定されている。ターゲット7から取り出されたX線
は、分光結晶9に照射され、そして、その分光結晶にお
いて破線Bのように回折する。
At the tip of the crystal link 3, a base 8 is fixed.
On the base, a spectral crystal, for example, germanium (440) 9
Has been fixed. The X-rays extracted from the target 7 are radiated to the spectral crystal 9, and are diffracted by the spectral crystal as indicated by a broken line B.

試料リンク2の先端には、基台10が固定されており、
その基台上に、X線照射方向Bの順に受光スリット12、
入射X線強度検出手段13a、測定される試料11、そして
透過X線強度検出手段13bが配設されている。両X線強
度検出手段13a及び13bは、例えば半導体検出器(SSD)1
3によって構成されている。
A base 10 is fixed to the tip of the sample link 2,
On the base, receiving slit 12, in the order of X-ray irradiation direction B,
An incident X-ray intensity detecting means 13a, a sample 11 to be measured, and a transmitted X-ray intensity detecting means 13b are provided. Both X-ray intensity detecting means 13a and 13b are, for example, a semiconductor detector (SSD) 1
Consists of three.

受光スリット12は、第2図に示すように、長方形状の
穴14が開けられたベース部材15と、そのベース部材の両
側に設けられていて矢印Eのように移動できる2枚の遮
蔽板16とを有している。これらの遮蔽板16はソレノイ
ド、パルスモータ等といった駆動手段17によって駆動さ
れて、実線位置と鎖線位置との間で移動する。実線位置
のときはスリット間隙18が広く(W)、鎖線位置のとき
はスリット間隙18が狭い(N)。
As shown in FIG. 2, the light receiving slit 12 includes a base member 15 having a rectangular hole 14 formed therein and two shielding plates 16 provided on both sides of the base member and movable as indicated by an arrow E. And These shielding plates 16 are driven by driving means 17 such as a solenoid and a pulse motor, and move between a solid line position and a chain line position. At the position of the solid line, the slit gap 18 is wide (W), and at the position of the chain line, the slit gap 18 is narrow (N).

第1図において、分光結晶9で回折して試料11へ入射
するX線の強度(I0)は、入射X線強度検出手段13aに
よって検出され、一方、試料11を通過したX線の強度
(I)は、透過X線強度検出手段13bによって検出され
る。これらの各検出手段13a及び13bの検出出力は計測器
26に入力され、この計測器によって強度比(I0/I)が算
出される。
In FIG. 1, the intensity (I 0 ) of the X-ray diffracted by the spectral crystal 9 and incident on the sample 11 is detected by the incident X-ray intensity detecting means 13a. I) is detected by the transmitted X-ray intensity detecting means 13b. The detection output of each of these detection means 13a and 13b is
26, the intensity ratio (I 0 / I) is calculated by this measuring instrument.

X線発生装置5と分光結晶基台8との間には、送りネ
ジ19が取り付けられており、その送りネジ19の右端にX
軸パルスモータ20が接続されている。また、分光結晶基
台8と試料基台10との間にも、送りネジ21が取り付けら
れており、その送りネジ21の上端にY軸パルスモータ22
が接続されている。X軸パルスモータ20の回転により、
基台8は仮想円23に沿って移動し、このとき分光結晶9
の入射X線に対する角度θが変化する。角度θが変われ
ば、分光結晶9で回折するX線の波長が変わり、これに
よって試料11へ入射するX線のエネルギ量を変えること
ができる。
A feed screw 19 is attached between the X-ray generator 5 and the spectral crystal base 8, and an X-ray is attached to the right end of the feed screw 19.
The axis pulse motor 20 is connected. A feed screw 21 is also provided between the spectral crystal base 8 and the sample base 10, and a Y-axis pulse motor 22 is mounted on the upper end of the feed screw 21.
Is connected. By the rotation of the X-axis pulse motor 20,
The base 8 moves along the virtual circle 23, and at this time,
Changes with respect to the incident X-ray. If the angle θ changes, the wavelength of the X-ray diffracted by the dispersive crystal 9 changes, whereby the energy amount of the X-ray incident on the sample 11 can be changed.

X線パルスモータ20の回転に応じてY軸パルスモータ
22も適宜の角度だけ回転し、分光結晶9に対する試料11
の角度が常に2θに維持される。これにより、分光結晶
9の角度θが変化しても常にX線を試料11まで導くこと
ができる。
Y-axis pulse motor according to rotation of X-ray pulse motor 20
22 also rotates by an appropriate angle, and the sample 11 with respect to the
Is always maintained at 2θ. Thus, the X-ray can be always guided to the sample 11 even when the angle θ of the spectral crystal 9 changes.

本発明に係るX線構造解析装置の機械的な構成は、概
略、以上の通りである。以下に、制御装置24によって実
行される測定手順について説明する。制御装置24は、マ
イクロコンピュータを内蔵しており、以下に説明する動
作制御は所定のプログラムに従って自動的に実行され
る。
The mechanical configuration of the X-ray structural analysis apparatus according to the present invention is roughly as described above. Hereinafter, a measurement procedure performed by the control device 24 will be described. The control device 24 incorporates a microcomputer, and the operation control described below is automatically executed according to a predetermined program.

まず、キーボード等の操作装置25を介して測定条件を
制御装置24に指示する。指示すべき測定条件としては、
添付の第1表に示すように、測定区間、エネルギーステ
ップ幅、そして受光スリット幅がある。表中の結晶固定
保持時間については、上記の各要素と同時に、予め指示
することもできるが、本実施例では後述するように、受
光スリット幅との関連で、制御装置24によってその長さ
を自動的に変更設定するようにしている。
First, measurement conditions are instructed to the control device 24 via the operation device 25 such as a keyboard. As the measurement conditions to be indicated,
As shown in the attached Table 1, there are a measurement section, an energy step width, and a light receiving slit width. The crystal fixed holding time in the table can be instructed in advance at the same time as each of the above elements, but in the present embodiment, as described later, the length of the length is controlled by the control device 24 in relation to the light receiving slit width. The settings are changed automatically.

今求めようとしているのは、第6図に示すX線吸収ス
ペクトルである。測定者は、このX線吸収スペクトルの
だいたいの見当をつけて、予めいくつかの測定区間を設
定する。実施例では、ザーネス前の領域であるa区間
と、ザーネスを含む領域であるb区間と、エキザフスの
初期領域を含むc区間と、そしてエキザフスの後期領域
を含むd区間の4つの測定区間を設定してある。
What is being obtained now is the X-ray absorption spectrum shown in FIG. The measurer sets some approximate measurement intervals in advance with a rough idea of the X-ray absorption spectrum. In the embodiment, four measurement sections are set: a section which is an area before the Zerness, a b section which is an area including the Zerness, a c section which includes an initial area of Exahus, and a d section which includes a late area of the Exahus. I have.

測定区間が設定されると、次に、各測定区間内におけ
るエネルギーステップ幅を決定する。本実施例に係る装
置では、第1図において、分光結晶9の角度θをある角
度(θ1)に所定の短時間だけ固定しておいて、その間
の試料11への入射X線強度(I0)及び透過X線強度
(I)を検出して、計測器26によって強度比(I0/I)を
算出する。そして、その結果が第6図上にプロットされ
る。1つのプロットが終わると、分光結晶9の角度θを
次の角度位置(θ2)まで回動させ、その位置での強度
比(I0/I)を求めて図上にプロットする。このような作
業が多数回繰り返されて第6図のようなX線吸収スペク
トルが得られる。上記のエネルギーステップ幅とは、分
光結晶9の角度θの変更幅(θ2−θ1)のことであ
る。なお、結晶固定保持時間とは、1つのプロット点を
得る間、分光結晶9を1つの角度(θ1あるいはθ2)
に固定しておく時間のことである。
After the measurement sections are set, the energy step width in each measurement section is determined. In the apparatus according to this embodiment, in FIG. 1, the angle θ of the dispersive crystal 9 is fixed at a certain angle (θ1) for a predetermined short time, and the incident X-ray intensity (I 0 ) And the transmitted X-ray intensity (I) are detected, and the intensity ratio (I 0 / I) is calculated by the measuring instrument 26. Then, the result is plotted on FIG. When one plot is completed, the angle θ of the spectral crystal 9 is rotated to the next angular position (θ2), and the intensity ratio (I 0 / I) at that position is obtained and plotted on the drawing. Such an operation is repeated many times to obtain an X-ray absorption spectrum as shown in FIG. The energy step width is a change width (θ2−θ1) of the angle θ of the dispersive crystal 9. Note that the crystal fixed holding time means that the spectral crystal 9 is rotated by one angle (θ1 or θ2) while one plot point is obtained.
It is the time to keep it fixed.

実施例では、X線吸収スペクトルが急激に立ち上がる
ザーネス領域が含まれると予測されるb区間において、
エネルギーステップ幅を非常に短く、例えば0.5ev程度
に設定してある。つまり、この区間では分光結晶9を非
常に細かく角度変化させている。
In the embodiment, in the section b in which it is predicted that the X-ray absorption spectrum suddenly rises and the surge region is included,
The energy step width is very short, for example, set to about 0.5ev. In other words, in this section, the angle of the spectral crystal 9 is very finely changed.

上記の受光スリット幅とは、第2図に関連して説明し
たように、スリット間隙18の幅のことである。本実施例
では、b区間におけるスリット幅を狭く、例えば0.1mm
程度に設定してある。これは、既述したように、エキザ
フス領域とザーネス領域とで必要とされる分解能が異な
っており、測定条件をそれに適合させるためである。
The light receiving slit width is the width of the slit gap 18 as described with reference to FIG. In this embodiment, the slit width in section b is narrow, for example, 0.1 mm
It is set to the degree. This is because, as described above, the required resolution differs between the Exhaust region and the Zerness region, and the measurement conditions are adapted to it.

以上で、制御装置24への測定条件の指示が終わる。こ
の後、操作装置25に設けられているスタートボタン(図
示せず)を押すと、設定した第1表の測定条件に従っ
て、装置が作動する。この場合、測定区間a,b,c,dに応
じて、すなわち分光結晶9の入射X線に対する角度θに
応じてエネルギーステップ幅等を自動的に変更するの
で、第6図に示したようなX線吸収スペクトルが連続し
て自動的に求められる。
With the above, the instruction of the measurement condition to the control device 24 is completed. Thereafter, when a start button (not shown) provided on the operating device 25 is pressed, the device operates according to the set measurement conditions in Table 1. In this case, the energy step width and the like are automatically changed according to the measurement sections a, b, c, and d, that is, according to the angle θ of the spectral crystal 9 with respect to the incident X-ray. X-ray absorption spectra are continuously and automatically determined.

その場合、b区間においてスリット幅を狭くしたこと
により、この区間では入射X線強度(I0)が減少する傾
向となる。このX線強度の減少は、入射X線強度検出手
段13aによって検出される。そして、そのX線強度の減
少に応じて制御装置24は、入射X線強度(I0)が一定と
なるように、b区間における結晶固定保持時間を自動的
に、例えば80秒に延長する。これにより、受光スリット
幅を変更した場合にも常に一定強度の入射X線を得るこ
とができ、正確な測定結果を得ることが可能となる。
In this case, since the slit width is reduced in the section b, the incident X-ray intensity (I 0 ) tends to decrease in this section. This decrease in X-ray intensity is detected by the incident X-ray intensity detection means 13a. Then, in response to the decrease in the X-ray intensity, the control device 24 automatically extends the crystal fixed holding time in the section b, for example, to 80 seconds so that the incident X-ray intensity (I 0 ) becomes constant. Thus, even when the width of the light receiving slit is changed, it is possible to always obtain incident X-rays having a constant intensity, and to obtain accurate measurement results.

従来であれば、第1図のa〜b区間とc〜d区間とを
それぞれ別々に測定して、後でそれらを見比べて比較し
なければならなかったが、本実施例ではそのような面倒
な作業をする必要がなくなった。
In the related art, the sections a to b and the sections c to d in FIG. 1 must be measured separately and compared with each other later. You don't have to do extra work.

第3図は、第2の実施例を示している。 FIG. 3 shows a second embodiment.

この実施例が、第1図に示した先の実施例と異なる点
は、X線発生装置5が第4図に示すようにX線リンク4
に対して回動可能になっていることである。X線発生装
置5を回動させることにより、ターゲット7からのX線
の取り出し角度を6°と12°との間で変換できるように
なっている。X線発生装置5の回動、すなわちX線取り
出し角度の変更は、例えば第2表に示すように、測定区
間a,b,c,dに応じて変更される。a〜b区間で取り出し
角度を小さくしてあるのは、これによって分光結晶9へ
入射されるX線の見掛け上の焦点、すなわちX線幅を狭
くして、ザーネス領域に見合ったエネルギー分解能を得
るためである。
This embodiment is different from the previous embodiment shown in FIG. 1 in that the X-ray generator 5 has an X-ray link 4 as shown in FIG.
Is rotatable with respect to. By rotating the X-ray generator 5, the angle at which the X-ray is extracted from the target 7 can be converted between 6 ° and 12 °. The rotation of the X-ray generator 5, that is, the change of the X-ray take-out angle is changed according to the measurement sections a, b, c, and d, for example, as shown in Table 2. The reason why the take-out angle is reduced in the sections a and b is that the apparent focus of the X-rays incident on the spectral crystal 9, that is, the X-ray width is narrowed to obtain an energy resolution suitable for the Zaness region. That's why.

この第2実施例によっても、第6図に示すようなX線
吸収スペクトルが連続して自動的に求められる。
Also in the second embodiment, an X-ray absorption spectrum as shown in FIG. 6 is continuously and automatically obtained.

なお、この実施例において受光スリット12は、第2図
に示したようなスリット間隙可変型のものではなくて、
スリット間隙が一定値に固定されているものを用いるこ
とができる。
In this embodiment, the light receiving slit 12 is not a slit slit variable type as shown in FIG.
A slit having a fixed gap can be used.

第5図は第3実施例の要部を示している。 FIG. 5 shows a main part of the third embodiment.

この実施例の機械的な構成は第1図及び第3図に示し
たものと同じものを使うことができる。異なっているの
は、X線発生装置5の内部構造である。第5図は、X線
発生装置5の内部の要部を示している。ターゲット7は
直線的に示してあるが、実際は第2図等に示すように円
筒状になっている。
The mechanical configuration of this embodiment can be the same as that shown in FIG. 1 and FIG. What is different is the internal structure of the X-ray generator 5. FIG. 5 shows a main part inside the X-ray generator 5. Although the target 7 is shown linearly, it is actually cylindrical as shown in FIG.

ターゲット7に向けて電子を飛ばすためにフィラメン
ト6が配設されていることは、先の2つの実施例と同じ
である。異なっているのは、フィラメント6からターゲ
ット7へ至る電子路の回りに電極27が設けられている点
である。この電極27には、電圧印可回路28から2種類の
異なった電圧が印可されるようになっている。電極27に
異なった電圧が印可されると、フィラメント6からター
ゲット7へ移動する電子の、電極27による吸引の程度が
異なることになるので、ターゲット7上における電子の
焦点幅が変化する。
The fact that the filament 6 is provided to fly electrons toward the target 7 is the same as in the previous two embodiments. The difference is that an electrode 27 is provided around the electron path from the filament 6 to the target 7. Two different voltages are applied to the electrode 27 from a voltage application circuit 28. When a different voltage is applied to the electrode 27, the degree of attraction of the electrons moving from the filament 6 to the target 7 by the electrode 27 is different, so that the focal width of the electrons on the target 7 changes.

実施例では、第3表にも示してあるように、ザーネス
領域を含むb区間に対応して焦点幅を0.1mmと狭くする
ようにしてあり、これ以外の区間では0.5mmと広くする
ようにしてある。
In the embodiment, as shown in Table 3, the focal width is narrowed to 0.1 mm corresponding to the section b including the zerness region, and is increased to 0.5 mm in other sections. It is.

このように、ターゲット7上における電子焦点幅を変
化させれば、発生するX線Aの線幅も変化するので、エ
ネルギー分解能を適宜に切り換えて、ザーネスあるいは
エキザフスのそれぞれに適合させることができる。
As described above, if the electron focal width on the target 7 is changed, the line width of the generated X-rays A also changes, so that the energy resolution can be appropriately switched to suit the respective values of Xerness and Exahus.

第2表及び第3表に示す場合も、結晶固定保持時間
は、入射X線強度(I0)の変動に応じて、制御装置24に
よって自動的に変更設定される。
Also in the cases shown in Tables 2 and 3, the crystal fixed holding time is automatically changed and set by the control device 24 according to the fluctuation of the incident X-ray intensity (I 0 ).

以上3つの実施例をあげて本発明を説明したが、本発
明はこれらの実施例に限定されることなく、種々に改変
することができる。
Although the present invention has been described with reference to the three embodiments, the present invention is not limited to these embodiments and can be variously modified.

例えば、測定区間a,b,c,dに対応して変更する測定条
件として、第1表〜第3表の各組合せ以外に、エネルギ
ーステップ幅、結晶固定保持時間、受光スリット幅及び
X線取り出し角の4つの項目を変更させることもでき
る。また、エネルギーステップ幅、結晶固定保持時間、
受光スリット幅及びX線焦点の4つの項目を変更するよ
うに設定することもできる。
For example, as the measurement conditions to be changed corresponding to the measurement sections a, b, c, and d, in addition to the combinations in Tables 1 to 3, an energy step width, a crystal fixed holding time, a light receiving slit width, and X-ray extraction The four corner items can be changed. In addition, energy step width, crystal fixed holding time,
It is also possible to set so as to change four items of the light receiving slit width and the X-ray focus.

第2図では、受光スリット12のスリット間隙を実線位
置と鎖線位置との2つの位置の間で変更することとした
が、これに限らず、スリット間隙を測定区間a〜dに応
じて無段階に調節可能とすることもできる。こうしてお
けば、より正確な測定結果を得ることができる。
In FIG. 2, the slit gap of the light receiving slit 12 is changed between two positions of a solid line position and a chain line position. However, the present invention is not limited to this, and the slit gap is steplessly changed according to the measurement sections a to d. It can also be adjustable. By doing so, more accurate measurement results can be obtained.

測定区間は、a〜bの4区間に限らず、より細かく区
分することもできる。また、区分する位置も測定する試
料の性質に応じて任意に設定することができる。
The measurement section is not limited to the four sections a and b, and can be further finely divided. In addition, the position to be divided can be arbitrarily set according to the property of the sample to be measured.

第1図及び第3図に示したリンク2,3,4、送りネジ19,
21及びパルスモータ20,22等から成る結晶・試料支持手
段は、一般にゴニオメータと呼ばれているものであり、
その目的とする作用は、分光結晶9の角度(θ)と試料
11の角度(2θ)とを常に一定に保持した状態で、それ
らを少しづつ変化させるというものである。この作用が
達成される限り、本発明において、第1図及び第3図に
示したゴニオメータ以外の他の構成から成るゴニオメー
タを使用することができるのはもちろんである。
The links 2, 3, and 4 shown in FIG. 1 and FIG.
The crystal / sample supporting means including the 21 and the pulse motors 20 and 22 is generally called a goniometer,
The intended effect is that the angle (θ) of the dispersive crystal 9 and the sample
With the eleven angles (2θ) being kept constant at all times, they are changed little by little. As long as this action is achieved, it goes without saying that a goniometer having a configuration other than the goniometer shown in FIGS. 1 and 3 can be used in the present invention.

第1表〜第3表に掲げた各測定項目の数値は、単なる
一例であり、実際の解析作業においては、測定される試
料、分光結晶の種類、解析装置の具体的構成などに応じ
て、より適当な数値が選ばれる。
The numerical values of the respective measurement items listed in Tables 1 to 3 are merely examples, and in actual analysis work, depending on the sample to be measured, the type of spectral crystal, the specific configuration of the analyzer, and the like, A more appropriate numerical value is selected.

[発明の効果] 請求項1〜5の発明によれば、X線吸収スペクトルを
求めるにあたってのエネルギ分解能、結晶固定保持時間
及びエネルギステップ幅を、分光結晶の角度に応じて、
すなわち試料に入射されるX線のエネルギ量に応じて変
更できるので、エキザフス及びザーネスの測定を1つの
装置で連続して行うことができ、解析作業が非常に楽に
なった。
[Effects of the Invention] According to the invention of claims 1 to 5, the energy resolution, the crystal fixed holding time, and the energy step width for obtaining the X-ray absorption spectrum are changed according to the angle of the spectral crystal.
That is, since it can be changed in accordance with the amount of energy of the X-rays incident on the sample, the measurement of the Xavis and the Xerness can be continuously performed by one device, and the analysis work becomes very easy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明に係るX線解析装置の一実施例を示す概
略図、第2図はその実施例において用いる受光スリット
の一例を示す概略図、第3図は本発明に係るX線解析装
置の他の実施例を示す概略図、第4図はその実施例にお
いて用いるX線発生装置の一例を示す平面図、第5図は
X線発生装置の内部構造の一例を示す図式図、第6図は
試料のX線吸収スペクトルの一例を示すグラフである。 5……X線発生装置、9……分光結晶、13……X線強度
検出手段、2,3,4……リンク、24……制御装置、20,22…
…パルスモータ、12……受光スリット、25……操作装
置、6……フィラメント、7……ターゲット、27……電
FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of an X-ray analysis apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a light receiving slit used in the embodiment, and FIG. 3 is an X-ray analysis according to the present invention. FIG. 4 is a schematic view showing another embodiment of the apparatus, FIG. 4 is a plan view showing an example of an X-ray generator used in the embodiment, FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of the internal structure of the X-ray generator, FIG. FIG. 6 is a graph showing an example of the X-ray absorption spectrum of the sample. 5 X-ray generator, 9 Spectral crystal, 13 X-ray intensity detecting means, 2, 3, 4 Link, 24 Control device 20, 22
... Pulse motor, 12 ... Slit, 25 ... Operation device, 6 ... Filament, 7 ... Target, 27 ... Electrode

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】X線発生装置から発生するX線を分光結晶
へ入射させ、その分光結晶の入射X線に対する角度を、
所定の結晶固定保持時間毎に所定のステップ角度だけ段
階的に変化させながら、その分光結晶によってX線を回
折して試料へ照射し、試料へ入射するX線の強度と試料
を透過したX線の強度とを測定して試料の解析を行うX
線解析方法において、 分光結晶から出て試料へ入射するX線の線幅、上記の結
晶固定保持時間及び上記のステップ角度を、分光結晶の
入射X線に対する角度に応じて変更することを特徴とす
るX線解析方法。
An X-ray generated from an X-ray generator is made incident on a spectral crystal, and the angle of the spectral crystal with respect to the incident X-ray is determined by:
X-rays are diffracted by the spectroscopic crystal and irradiated onto the sample while changing stepwise by a predetermined step angle for each predetermined crystal fixed holding time, and the intensity of the X-rays incident on the sample and the X-rays transmitted through the sample To analyze the sample by measuring the strength of X
In the X-ray analysis method, the line width of the X-ray coming out of the spectral crystal and entering the sample, the crystal fixed holding time and the step angle are changed according to the angle of the spectral crystal with respect to the incident X-ray. X-ray analysis method.
【請求項2】分光結晶から出て試料へ入射するX線の線
幅に代えて、X線発生装置を出て分光結晶へ入射するX
線の線幅を、分光結晶の入射X線に対する角度に応じて
変更することを特徴とする請求項1記載のX線解析方
法。
2. The X-rays exiting the X-ray generator and entering the spectral crystal instead of the line width of the X-rays exiting the spectral crystal and entering the sample.
2. The X-ray analysis method according to claim 1, wherein the line width of the line is changed according to an angle of the spectral crystal with respect to the incident X-ray.
【請求項3】X線を発生するX線発生装置と、 X線発生装置から出たX線を回折して試料に入射させる
分光結晶と、 試料に入射するX線の強度を測定する入射X線強度検出
手段と、 試料を透過したX線の強度を測定する透過x線強度検出
手段と、 X線の入射角度が変わるように分光結晶を角度可変に支
持し、さらに分光結晶の角度が変わってもその分光結晶
で回折されたX線が常に試料へ入射するようにその試料
を支持する結晶・試料支持手段と、 分光結晶の入射X線に対する角度を、所定の結晶固定保
持時間毎に所定のステップ角度だけ段階的に変化させる
結晶駆動制御手段と を有するX線解析装置において、 分光結晶から試料に至るX線路上に配置されていて幅が
調節可能である受光スリットと、 受光スリットの幅、結晶駆動制御手段における結晶固定
保持時間及びステップ角度を、分光結晶の入射X線に対
する角度に応じて変更する第1測定条件変更手段と を設けたことを特徴とするX線解析装置。
3. An X-ray generator for generating X-rays, a spectral crystal for diffracting X-rays emitted from the X-ray generator and causing the X-ray to enter a sample, and an incident X-ray for measuring the intensity of the X-rays incident on the sample. X-ray intensity detection means, X-ray transmission intensity detection means for measuring the intensity of X-rays transmitted through the sample, and a spectroscopic crystal variably supported so that the X-ray incident angle changes, and the angle of the spectroscopic crystal changes The crystal / sample supporting means for supporting the sample so that the X-ray diffracted by the spectral crystal always enters the sample, and the angle of the spectral crystal with respect to the incident X-ray is set at a predetermined time for each fixed crystal holding time. An X-ray analysis apparatus having a crystal drive control means for changing the step angle stepwise by a step angle, a light receiving slit arranged on an X line from the spectral crystal to the sample and having an adjustable width, and a width of the light receiving slit. , Crystal drive control X-ray analysis apparatus, characterized in that the crystal fixed hold time and step angle in stages, provided with a first measurement condition changing means for changing in accordance with the angle with respect to the incident X-ray analyzing crystal.
【請求項4】X線を発生するX線発生装置と、 X線発生装置から出たX線を回折して試料に入射させる
分光結晶と、 試料に入射するX線の強度を測定する入射X線強度検出
手段と、 試料を透過したX線の強度を測定する透過X線強度検出
手段と、 X線の入射角度が変わるように分光結晶を角度可変に支
持し、さらに分光結晶の角度が変わってもその分光結晶
で回折されたX線が常に試料へ入射するようにその試料
を支持する結晶・試料支持手段と、 分光結晶の入射X線に対する角度を、所定の結晶固定保
持時間毎に所定のステップ角度だけ段階的に変化させる
結晶駆動制御手段と を有するX線解析装置において、 上記のX線発生装置の分光結晶に対する角度を変更可能
にそのX線発生装置を支持するX線発生装置支持手段
と、 X線発生装置の分光結晶に対する角度、結晶駆動制御手
段における結晶固定保持時間及びステップ角度を、分光
結晶の入射X線に対する角度に応じて変更する第2測定
条件変更手段とを設けたことを特徴とするX線解析装
置。
4. An X-ray generator for generating X-rays, a spectral crystal for diffracting X-rays emitted from the X-ray generator and causing the X-rays to enter a sample, and an incident X-ray for measuring the intensity of the X-rays incident on the sample. X-ray intensity detection means, transmitted X-ray intensity detection means for measuring the intensity of X-rays transmitted through the sample, and a variable angle support for the spectral crystal so that the incident angle of X-rays changes, and the angle of the spectral crystal changes The crystal / sample supporting means for supporting the sample so that the X-ray diffracted by the spectral crystal always enters the sample, and the angle of the spectral crystal with respect to the incident X-ray is set at a predetermined time for each fixed crystal holding time. An X-ray analysis device having crystal drive control means for changing the step angle of the X-ray generation device stepwise, wherein the X-ray generation device supports the X-ray generation device so that the angle of the X-ray generation device with respect to the spectral crystal can be changed. Means and X-ray generation A second measuring condition changing means for changing the angle of the crystal with respect to the dispersive crystal, the crystal fixed holding time in the crystal driving control means, and the step angle in accordance with the angle of the dispersive crystal with respect to the incident X-ray. Line analyzer.
【請求項5】X線を発生するX線発生装置と、 X線発生装置から出たX線を回折して試料に入射させる
分光結晶と、 試料に入射するX線の強度を測定する入射X線強度検出
手段と、 試料を透過したX線の強度を測定する透過X線強度検出
手段と、 X線の入射角度が変わるように分光結晶を角度可変に支
持し、さらに分光結晶の角度が変わってもその分光結晶
で回折されたX線が常に試料へ入射するようにその試料
を支持する結晶・試料支持手段と、 分光結晶の入射X線に対する角度を、所定の結晶固定保
持時間毎に所定のステップ角度だけ段階的に変化させる
結晶駆動制御手段と を有するX線解析装置において、 上記のX線発生装置は、電子を放出するフィラメント
と、その電子が衝突するターゲットと、フィラメントか
らターゲットへ向かう電子路に沿って配置される電極と
を有しており、 その電極に印可するバイアス電圧、結晶駆動制御手段に
おける結晶固定保持時間及びステップ角度を、分光結晶
の入射X線に対する角度に応じて変更する第3測定条件
変更手段と を設けたことを特徴とするX線解析装置。
5. An X-ray generator for generating X-rays, a spectral crystal for diffracting X-rays emitted from the X-ray generator and causing the X-rays to enter a sample, and an incident X-ray for measuring the intensity of the X-rays incident on the sample. X-ray intensity detection means, transmitted X-ray intensity detection means for measuring the intensity of X-rays transmitted through the sample, and a variable angle support for the spectral crystal so that the incident angle of X-rays changes, and the angle of the spectral crystal changes The crystal / sample supporting means for supporting the sample so that the X-ray diffracted by the spectral crystal always enters the sample, and the angle of the spectral crystal with respect to the incident X-ray is set at a predetermined time for each fixed crystal holding time. An X-ray analysis apparatus comprising: a crystal drive control unit that changes the step angle by a step angle of: a filament that emits electrons, a target that the electrons collide with, and a filament to a target. And a bias voltage applied to the electrode, a crystal fixed holding time and a step angle in the crystal drive control means according to an angle of the spectral crystal with respect to an incident X-ray. An X-ray analyzer, comprising: a third measurement condition changing means for changing.
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