JP2751696B2 - Method for manufacturing thin-film magnetic head - Google Patents

Method for manufacturing thin-film magnetic head

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JP2751696B2 JP3319315A JP31931591A JP2751696B2 JP 2751696 B2 JP2751696 B2 JP 2751696B2 JP 3319315 A JP3319315 A JP 3319315A JP 31931591 A JP31931591 A JP 31931591A JP 2751696 B2 JP2751696 B2 JP 2751696B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、磁気
テープ装置等に使用される誘導型薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関わり、特に通常磁気ギャップと呼ばれる磁気間
隙を成す材料に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the manufacture of an inductive thin-film magnetic head used for a magnetic disk drive, a magnetic tape drive and the like.
The present invention relates to a method , and particularly to a material forming a magnetic gap usually called a magnetic gap.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の磁気記録分野においては、高記録
密度化が益々進み記録媒体と共に磁気記録技術を支える
磁気ヘッドにおいても、従来のフェライトヘッドに替わ
り、集積化薄膜技術を用いた薄膜磁気ヘッドが実用化さ
れてきている。この薄膜磁気ヘッドは周波数特性が優れ
ており、しかも半導体テクノロジーに基づく製造プロセ
スが適用されるので高精度の高記録密度用磁気ヘッドを
低価格に製造することが可能となり、今や磁気ヘッドの
主流と成りつつある。
2. Description of the Related Art In the field of magnetic recording in recent years, as the recording density has increased and the magnetic head supporting the magnetic recording technology together with the recording medium has been increased, a thin film magnetic head using an integrated thin film technology has replaced the conventional ferrite head. Has been put to practical use. This thin-film magnetic head has excellent frequency characteristics, and a manufacturing process based on semiconductor technology is applied, making it possible to manufacture a high-precision magnetic head for high recording density at a low price. It is becoming.

【0003】図3は上述した薄膜磁気ヘッドの構造を示
す概略断面図である。図3において、アルミナー炭化チ
タニウム等からなる基板10上に絶縁層12が公知の薄
膜成膜法(例えばスパッタリング法)を用いて成膜され
ている。ついで、軟磁性材料からなる下部磁性体層13
が集積化薄膜技術を用いて形成される。その後、所定の
ギャップ長に等しい膜厚を持つ磁気間隙層14が形成さ
れる。ついで、前記下部磁性体層13の段差解消層15
が形成され、導電性材料よりなるコイル16が形成され
る。その後、コイル16の段差解消層17が形成され
る。次に、上部磁性体層18が下部磁性体層13と同様
にして形成され、保護層(図示せず)が成膜されて薄膜
磁気ヘッドのトランスデューサーが完成される。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing the structure of the above-mentioned thin film magnetic head. In FIG. 3, an insulating layer 12 is formed on a substrate 10 made of alumina-titanium carbide or the like by using a known thin film forming method (for example, a sputtering method). Next, the lower magnetic layer 13 made of a soft magnetic material is used.
Are formed using integrated thin film technology. Thereafter, a magnetic gap layer 14 having a thickness equal to a predetermined gap length is formed. Then, the step eliminating layer 15 of the lower magnetic layer 13 is formed.
Is formed, and the coil 16 made of a conductive material is formed. After that, the step eliminating layer 17 of the coil 16 is formed. Next, the upper magnetic layer 18 is formed in the same manner as the lower magnetic layer 13, and a protective layer (not shown) is formed to complete the transducer of the thin-film magnetic head.

【0004】ところで、上部あるいは下部磁性体層それ
ぞれ18、13の加工方法、特に鉄系高飽和磁化材料を
用いた上部あるいは下部磁性体層18、13の加工法と
して、第14回日本応用磁気学会学術講演概要集165
頁(以下、文献1と呼ぶ)に塩素系ガスを用いた反応性
イオンエッチング法が開示されている。この方法は上部
磁性体層18あるいは下部磁性体層13の加工法として
従来より一般的に用いられている不活性ガス(例えばA
rガス)を用いたイオンミーリング法に比較して、矩形
断面パターンを高いエッチング速度で実現できる加工法
であり、今後鉄系高飽和磁化材料が上部あるいは下部磁
性体層18、13を成す材料として用いられるにつれ
て、上部あるいは下部磁性体層の新たな加工法として採
用されていくものと期待される。
By the way, as a method of processing the upper and lower magnetic layers 18 and 13 respectively, and in particular, a method of processing the upper and lower magnetic layers 18 and 13 using an iron-based high saturation magnetization material, the 14th Japan Society of Applied Magnetic Science. Summary of Academic Lectures 165
A page (hereinafter referred to as Reference 1) discloses a reactive ion etching method using a chlorine-based gas. This method uses an inert gas (for example, A) which has been generally used as a method of processing the upper magnetic layer 18 or the lower magnetic layer 13.
This is a processing method capable of realizing a rectangular cross-section pattern at a higher etching rate than the ion milling method using r gas). In the future, an iron-based high saturation magnetization material will be used as a material for forming the upper or lower magnetic layers 18 and 13. It is expected that it will be adopted as a new processing method for the upper or lower magnetic layer as it is used.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら前述した
塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチング法を薄膜磁
気ヘッドの磁極加工工程に採用し、下部磁性体層13と
上部磁性体層18を一括して加工して所定のトラック幅
を持つ薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、以下に述べ
る如き問題点があった。
However, the above-described reactive ion etching method using a chlorine-based gas is employed in the pole machining step of the thin-film magnetic head, and the lower magnetic layer 13 and the upper magnetic layer 18 are collectively formed. In the case where a thin film magnetic head having a predetermined track width is manufactured by processing, there are problems as described below.

【0006】すなわち、下部磁性体層13と上部磁性体
層18の間には、磁気ギャップとなる磁気間隙層14が
挿入されている。通常磁気間隙層14の材料としては、
膜厚0.2〜0.3μm程度のアルミナ膜が用いられる
が、文献1で開示された磁性体層の加工法を用いて、磁
性体層の加工と連続して磁気間隙層の加工を行った場
合、磁気間隙層14を成すアルミナ膜のエッチング速度
がきわめて遅く、磁極加工時間が異常にかかり、ヘッド
作製時のスループットが悪いという問題点があった。例
えば、磁性体層を成す材料をFeSiAl合金とした場
合、既に文献1に指摘されているように、FeSiAl
膜に対するアルミナ膜の選択比は約20と大きな値であ
る。従って、磁気間隙層14の膜厚を0.3μmとした
場合、僅か0.3μmのアルミナ膜を加工するのに要す
る時間は、上下両磁性体層13、18の膜厚の和にほぼ
等しい約6μmのFeSiAl膜を加工する時間と等価
と見積ることが出来、薄膜磁気ヘッドの磁極加工時間の
半分を磁気間隙層14の加工に費やす計算となる。
That is, a magnetic gap layer 14 serving as a magnetic gap is inserted between the lower magnetic layer 13 and the upper magnetic layer 18. Usually, the material of the magnetic gap layer 14 is
Although an alumina film having a thickness of about 0.2 to 0.3 μm is used, the magnetic gap layer is processed continuously with the magnetic layer using the magnetic layer processing method disclosed in Reference 1. In this case, there is a problem that the etching rate of the alumina film forming the magnetic gap layer 14 is extremely slow, the magnetic pole processing time is abnormally long, and the throughput in manufacturing the head is poor. For example, when the material forming the magnetic layer is an FeSiAl alloy, as already described in Reference 1,
The selectivity of the alumina film to the film is as large as about 20. Therefore, when the thickness of the magnetic gap layer 14 is 0.3 μm, the time required to process the alumina film of only 0.3 μm is approximately equal to the sum of the thicknesses of the upper and lower magnetic layers 13 and 18. It can be estimated to be equivalent to the time required to process a 6 μm FeSiAl film, and the calculation is such that half of the magnetic pole processing time of the thin-film magnetic head is spent processing the magnetic gap layer 14.

【0007】本発明の目的は、以上述べてきた薄膜磁気
ヘッドの磁極加工工程での問題点を解決した新規な薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
An object of the present invention is to provide a novel thin-film magnetic head manufacturing method which solves the above-mentioned problems in the magnetic pole machining step of the thin-film magnetic head .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁性体
層より成る磁気回路と、前記磁気回路中に形成された非
磁性材料より成る磁気間隙層(磁気ギャップ)と、及び
前記磁気回路に叉交するように形成された導体薄膜より
成るコイルと、を有する誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、前記磁性体層の加工は塩素系ガス中での反
応性イオンエッチング法で行い、磁気間隙層は酸素を主
成分としたガス中での反応性イオンエッチング法を用い
て加工する。特に前記磁気間隙層はカーボン膜である場
合有効である。
According to the present invention, there is provided a magnetic circuit comprising a magnetic layer, a magnetic gap layer (magnetic gap) comprising a nonmagnetic material formed in the magnetic circuit, and the magnetic circuit. production side of the inductive thin-film magnetic head having a coil made of a conductor film formed to Mata交in
In the method, processing of the magnetic layer is performed in a chlorine-based gas.
The magnetic gap layer mainly contains oxygen
Using reactive ion etching in gas
Process. In particular, when the magnetic gap layer is a carbon film,
Is valid.

【0009】[0009]

【0010】[0010]

【作用】磁気間隙材料として一般的なアルミナは、既に
文献1でも指摘されているように、塩素系ガスというき
わめて活性な物質に対しても、極めて僅かしかエッチン
グされず非常に安定である。種々検討したが、本発明者
の検討した範囲では、アルミナを高速に加工することは
きわめて困難であり、磁気間隙を成す材料をアルミナと
する限り、スループットのこれ以上の改善は望めないと
判断された。そこで、本発明者は高速加工可能な磁気間
隙層の材料、及び加工法について再度検討した。その結
果、磁気間隙層をなす材料をカーボン膜とし、しかもこ
のカーボン膜の加工を酸素ガスを主成分とするガス中で
の反応性イオンエッチング法を用いて行うことで、磁極
加工工程に要する時間を大幅に短縮でき、スループット
の良い薄膜磁気ヘッドの製造方法が実現できることを見
いだした。以下、幾つかの加工法でエッチングした時の
カーボン膜の加工速度について説明を加える。
As has been pointed out in Reference 1, alumina, which is generally used as a magnetic gap material, is extremely stable even with a very active substance such as a chlorine-based gas, and is etched very little. Although various studies were conducted, it was extremely difficult to process alumina at high speed within the range studied by the present inventors, and it was judged that further improvement in throughput could not be expected as long as the material forming the magnetic gap was alumina. Was. Therefore, the inventor once again examined the material of the magnetic gap layer capable of high-speed processing and the processing method. As a result, the material forming the magnetic gap layer is made of a carbon film, and the processing of this carbon film is performed using a reactive ion etching method in a gas containing oxygen gas as a main component. And a method for manufacturing a thin-film magnetic head with good throughput can be realized. Hereinafter, the processing speed of the carbon film when etched by several processing methods will be described.

【0011】加工方法の検討には、市販の平行平板型の
イオンエッチング装置を用い、次の3つの方法を検討し
た。 方法1:文献1で開示された塩素系ガス中での反応性イ
オンエッチング法。
For the study of the processing method, the following three methods were examined using a commercially available parallel plate type ion etching apparatus. Method 1: Reactive ion etching in a chlorine-based gas disclosed in Document 1.

【0012】ガス種類:四塩化炭素、ガス圧:3.5P
a、投入電力:150W 方法2:Arガス中でのイオンエッチング法。
Gas type: carbon tetrachloride, gas pressure: 3.5P
a, input power: 150 W Method 2: Ion etching method in Ar gas.

【0013】ガス種類:Ar、ガス圧:3.5Pa、投
入電力:150W 方法3:酸素ガス中での反応性イオンエッチング法。
Gas type: Ar, gas pressure: 3.5 Pa, input power: 150 W Method 3: Reactive ion etching in oxygen gas.

【0014】ガス種類:酸素、ガス圧:3.5Pa、投
入電力:150W 尚、加工速度の測定は膜厚1μmのカーボン膜をエッチ
グ除去するのに要した時間を計測し、膜厚をこのエッチ
ング時間で割り、単位時間当りの加工速度を求めた。
Gas type: oxygen, gas pressure: 3.5 Pa, input power: 150 W The processing speed was measured by measuring the time required to remove a 1 μm-thick carbon film by etching, and the film thickness was measured by this etching. The processing speed per unit time was determined by dividing by time.

【0015】上記3種類の方法で得られたカーボン膜の
加工速度は、方法1では15nm/分、方法2では14
nm/分、方法3では150nm/分であった。従っ
て、磁気間隙層の厚みを例えば0.3μmとした場合、
磁気間隙層を加工するのに要する時間は、方法1、2で
は約20分間も要するのに対して、方法3を用いれば、
僅か2分間で磁気間隙層を加工できることが明かとなっ
た。従って、磁気間隙層をカーボン膜とし、その加工法
として方法3を用いることで、従来のアルミナを磁気間
隙層として用いた場合に較べ、磁極加工工程のスループ
ットをはるかに向上させることができる。
The processing speed of the carbon film obtained by the above three methods is 15 nm / min in method 1 and 14 nm in method 2
nm / min, and 150 nm / min in Method 3. Therefore, when the thickness of the magnetic gap layer is, for example, 0.3 μm,
The time required to process the magnetic gap layer is about 20 minutes in the methods 1 and 2, while the method 3 allows
It became clear that the magnetic gap layer could be processed in only 2 minutes. Therefore, by using the magnetic gap layer as a carbon film and using method 3 as a processing method thereof, the throughput of the magnetic pole processing step can be much improved as compared with the case where conventional alumina is used as the magnetic gap layer.

【0016】[0016]

【実施例】以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明
する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1は本発明に用いる薄膜磁気ヘッドの概
略断面図である。図1において、Al23―TiC等の
基板10上にアルミナ等からなる絶縁層12を成膜し
た。ついで下部磁性体層13を公知の集積化薄膜技術を
用いて形成した。下部磁性体層13の材料はFeSiA
l(Si:9.6wt%、Al:5.4wt%)であ
り、膜厚は3μmである。尚、下部磁性体層13の形成
に当たっては、そのトラック幅が所定のトラック幅より
片側約5μmづつ大きくなる様に形成した。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a thin-film magnetic head used in the present invention. In FIG. 1, an insulating layer 12 made of alumina or the like is formed on a substrate 10 of Al 2 O 3 —TiC or the like. Next, the lower magnetic layer 13 was formed by using a known integrated thin film technique. The material of the lower magnetic layer 13 is FeSiA
1 (Si: 9.6 wt%, Al: 5.4 wt%), and the film thickness is 3 μm. The lower magnetic layer 13 was formed such that its track width was larger than a predetermined track width by about 5 μm on each side.

【0018】ついで、磁気ギャップ(磁気間隙層)とな
るカーボン膜19(膜厚:0.3μm)をスパッタ法で
成膜した。成膜条件は、Arガス圧:5mTorr、投
入電力:400Wである。その後段差解消層15および
17、コイル16を形成した。コイルには導体薄膜とし
て銅めっき膜を用い、めっき厚は3μmとした。又、段
差解消層15、17には酸化硅素膜を用いた。成膜には
バイアススパッタ法を用い、コイル16を完全に埋め込
み平坦化した。尚、段差解消層15と17は各々成膜
後、図1中矢印で示したように、フロントギャップ部と
リアギャップ部がテーパー状になるように、弗酸を含む
溶液中で化学エッチングした。
Next, a carbon film 19 (thickness: 0.3 μm) to be a magnetic gap (magnetic gap layer) was formed by sputtering. The film forming conditions are as follows: Ar gas pressure: 5 mTorr, input power: 400 W. Thereafter, the step eliminating layers 15 and 17 and the coil 16 were formed. A copper plating film was used for the coil as a conductor thin film, and the plating thickness was 3 μm. In addition, a silicon oxide film was used for the step eliminating layers 15 and 17. The coil 16 was completely embedded and flattened by using a bias sputtering method for film formation. After forming the step difference eliminating layers 15 and 17, each was chemically etched in a solution containing hydrofluoric acid so that the front gap portion and the rear gap portion were tapered as indicated by arrows in FIG.

【0019】ついで、下部磁性体層13と同様にして、
上部磁性体層18となるFeSiAl膜を成膜した。そ
の後、所定のトラック幅Wを得るため、磁極加工工程を
実施した。この工程を図2を用いて説明する。尚、図2
は図1のA−A断面に相当している。
Then, similarly to the lower magnetic layer 13,
An FeSiAl film to be the upper magnetic layer 18 was formed. Thereafter, a magnetic pole processing step was performed to obtain a predetermined track width W. This step will be described with reference to FIG. FIG.
Corresponds to the AA cross section in FIG.

【0020】図2(a)に示した如く、上部磁性体層1
8上に、所定トラック幅Wに略等しい幅を持つマスクパ
ターンを形成した。マスクパターンの材料は酸化硅素
で、膜厚は1.5μmとした。
As shown in FIG. 2A, the upper magnetic layer 1
8, a mask pattern having a width substantially equal to the predetermined track width W was formed. The material of the mask pattern was silicon oxide, and the film thickness was 1.5 μm.

【0021】ついで、図2(b)の様に、塩素系ガス中
の反応性イオンエッチング法を用いて上部磁性体層18
をパターン化した。エッチング条件は、ガス種:四塩化
炭素、ガス圧:3.5Pa、投入電力:150Wであ
る。
Then, as shown in FIG. 2B, the upper magnetic layer 18 is formed by a reactive ion etching method in a chlorine-based gas.
Was patterned. The etching conditions are as follows: gas type: carbon tetrachloride, gas pressure: 3.5 Pa, and input power: 150 W.

【0022】引続き、図2(c)に示すようにガス種を
酸素に替えてカーボン膜19をエッチングした。エッチ
ング条件は、ガス圧:3.5Pa、投入電力:150W
である。
Subsequently, as shown in FIG. 2C, the gas type was changed to oxygen, and the carbon film 19 was etched. The etching conditions were as follows: gas pressure: 3.5 Pa, input power: 150 W
It is.

【0023】その後、図2(d)の如く、再びエッチン
グガスを四塩化炭素に替え、上部磁性体層18の加工の
場合と全く同様にして下部磁性体層15を加工した。次
にマスクパターンを除去して(図示せず)、所定のトラ
ック幅Wを有する薄膜磁気ヘッドを完成した。
Thereafter, as shown in FIG. 2D, the etching gas was changed again to carbon tetrachloride, and the lower magnetic layer 15 was processed in exactly the same manner as the processing of the upper magnetic layer 18. Next, the mask pattern was removed (not shown) to complete a thin-film magnetic head having a predetermined track width W.

【0024】以上述べてきた薄膜磁気ヘッドでは、磁極
加工工程において磁気間隙となるカーボン膜の加工に僅
か2分しか必要とせず、これは従来のアルミナ膜を用い
た薄膜磁気ヘッドに比較して約1/10の加工時間であ
った。
In the above-described thin-film magnetic head, it takes only two minutes to process the carbon film serving as a magnetic gap in the magnetic pole processing step, which is about a minute compared to a conventional thin-film magnetic head using an alumina film. The processing time was 1/10.

【0025】尚、以上の実施例では純粋な酸素ガスを用
いた場合のみを示したが、カーボン膜の加工速度を著し
く小さくしない範囲で、他のガスを添加しても本発明の
持つ意図が損なわれないことは勿論である。
In the above embodiment, only the case where pure oxygen gas is used is shown. However, the present invention is intended to be applied to other gases as long as the processing speed of the carbon film is not significantly reduced. Of course, it is not damaged.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上述べてきた様に、本発明による薄膜
磁気ヘッドの製造方法では、カーボン膜を磁気間隙層の
材料とし、しかもカーボン膜の加工を酸素を主成分とす
るガス中の反応性イオンエッチング法で行うことによ
り、磁極加工工程でのスループットを飛躍的に高めるこ
とが出来、工業的に大きな意義を持っているといえる。
又、カーボン膜は潤滑作用があり、トライボロジーの観
点からヘッド媒体間の信頼性に寄与するという利点もあ
り、ヘッドの信頼性の向上が図れるという効果もある。
As described above, in the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention, the carbon film is used as the material of the magnetic gap layer, and the carbon film is processed in a gas containing oxygen as a main component. By performing the ion etching method, the throughput in the magnetic pole processing step can be drastically increased, and it can be said that it has great industrial significance.
Further, the carbon film has a lubricating effect, has an advantage that it contributes to the reliability between head media from the viewpoint of tribology, and has an effect that the reliability of the head can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に用いる薄膜磁気ヘッドを説明するため
の図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a thin-film magnetic head used in the present invention.

【図2】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention.

【図3】従来の薄膜磁気ヘッドを説明するための図であ
る。
FIG. 3 is a view for explaining a conventional thin-film magnetic head.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板 12 絶縁層 13 下部磁性体層 14 磁気間隙層 15、17 段差解消層 16 コイル 18 上部磁性体層 19 カーボン膜(磁気間隙層) DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 12 Insulating layer 13 Lower magnetic layer 14 Magnetic gap layer 15, 17 Step cancellation layer 16 Coil 18 Upper magnetic layer 19 Carbon film (magnetic gap layer)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁
極加工工程が、塩素系ガス中での反応性イオンエッチン
グ法を用いて磁性体層を加工する工程と、酸素を主成分
とするガス中での反応性イオンエッチング法で磁気間隙
層を加工する工程とを備えることを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
In a method of manufacturing a thin film magnetic head, a magnetic pole processing step includes a step of processing a magnetic layer using a reactive ion etching method in a chlorine-based gas, and a step of processing a magnetic layer in a gas containing oxygen as a main component. Processing the magnetic gap layer by the reactive ion etching method of (1).
【請求項2】 前記磁気間隙層がカーボン膜から成ること
を特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
2. The method according to claim 1, wherein said magnetic gap layer comprises a carbon film.
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