JP2751663B2 - 光導波路と光ファイバとの接続構造の加工方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光情報処理装
置等で使用される光デバイスの接続構造の加工方法に係
わり、特に基板上に設けた光導波路中に、光を閉じ込め
て制御を行う導波路型光デバイスと光ファイバとの接続
構造の加工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光通信技術の発展に伴って、より高度の
性能および機能をもった光デバイスの実現が求められて
いる。例えば、光伝送路網の交換機能、光データバスに
おける端末間高速切り換え機能等を実現するために、高
速、広帯域の光スイッチが必要であり、光信号の多重
化、端末への分配等を行うためには、多チャンネルの分
波器、スターカプラ等のデバイスが必要である。

【０００３】現在、実用化されている上述のような機能
を持つ光デバイスは、主として従来のプリズム、マイク
ロレンズ等を使ったバルク型のデバイスであり、スイッ
チ速度、多重度等の性能面で不十分であり、また集積化
に不向きであり形状が大きくなってしまうという等の問
題点がある。

【０００４】このような問題点を解消する手段として、
基板上に設置した光導波路を用いて光を制御する導波路
型の光デバイスの開発が進められている。導波路型の光
デバイスは、位相や変更を利用でき、また小型で集積化
に適したデバイスであり、このためマトリクス光スイッ
チ、高速光変換器が実現できる。光スイッチング機能や
光変調機能を有する能動導波路型光デバイスとしては、
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃ ）のもつ高効率な電気
光学効果を利用したＬｉＮｂＯ₃ 導波路型光デバイスの
研究・開発が活発に行われており、またスターカプラや
１６分岐等多分岐デバイスなどの受動導波路型光デバイ
スとしては、低損失化に有利な石英光導波路の研究・開
発が活発に行われている。

【０００５】こうした導波路型光デバイスを光通信シス
テムに適用する場合、光導波路と光ファイバを接続する
必要があるが、従来その接続には光ファイバを個々に光
導波路端面に対し、光軸に必要な２方向に光軸調整し、
光導波路端面に固着する方法がとられている。また、光
スイッチや光分岐のように、入出力端子が複数あって、
光導波路端面で複数の光ファイバとの光接続が必要な導
波路型光デバイスに対しては、従来、例えば図６に示す
ように、光導波路５１が形成された基板５２の両端に配
設されたシリコン基板５３に光導波路５１の配列間隔に
一致した間隔にエッチングによりＶ溝５４を刻設してい
る。そして、シリコン基板５３上のＶ溝５４に光ファイ
バ５５を配置し、シリコン基板５３と同様なＶ溝が形成
された押さえ部材５６とシリコン基板５３とで光ファイ
バ５５を挟持し、光軸調整した後、光導波路端面に固着
している。

【０００６】図６に示す構成では、光軸調整は光軸に対
して直交する２方向に対して行う必要があるが、「Edmo
nd J. Murphy and Trudie C. Rice;IEEE Journal of El
elctron.Vol.QE-22,NO.6」に記載されているようにシリ
コン基板６４のＶ溝６３のエッチング量をコントロール
することにより、光ファイバアレイを構成するシリコン
基板６４の表面から光ファイバ６５のコア６６の位置を
予め決めておき、光軸調整の際の上下方向の調整を排除
できるようにしている（図７参照）。

【０００７】図７（ａ）において、光導波路６１が形成
された基板６２の両端部６２ａは一段低くなっており、
段差の部分に光導波路６１のポートが露出するようにな
っている。そして、基板６２の両端部６２ａと光ファイ
バ６５を挟持するシリコン基板６４はＶ溝６３がエッチ
ングされた部分とＶ溝６３がエッチングされていない部
分とからなる。更に、シリコン基板６４のＶ溝６３がエ
ッチングされた部分と基板６２の両端部６２ａとで光フ
ァイバ６５を挟持・固定する。この際、シリコン基板６
４のＶ溝６３がエッチングされていない部分は基板６２
の表面上に位置している。

【０００８】なお、シリコン基板６４に刻設されたＶ溝
６３は、図７（ｂ）に示すように、光ファイバ６５のコ
ア６６がシリコン基板６４の表面から所定距離（Δ）と
なるように形成されている。所定距離（Δ）は、光ファ
イバ６５の半径をｒ、およびＶ溝６３の表面の幅をＷ₀
とすると、次式により求められる。なお、Ｖ溝６３の開
度（θ）は５４．７４°とする。

【０００９】

【数１】

【００１０】上述した図７に示す光導波路と光ファイバ
との接続方法は、端面どうしを接続する場合、光導波路
６１と光ファイバ６５とはその光フィールド分布の広が
りは、通常１０μｍ程度か、それ以下であるので非常に
高精度な調整を必要とし、多大な調整工程を必要として
いる。また、光導波路および光ファイバ両者を固着する
場合には、接着剤やＹＡＧレーザによるスポット溶接な
どの金属融着が使われるが、完全に固着されるまでに位
置ずれを生じやすく、僅かの位置ずれでも結合損失が増
大してしまうので、低損失で安定な光デバイスが実現し
にくいという欠点があった。

【００１１】特に、光導波路端面に複数の入出力部が近
接して存在する多チャンネル光導波路の場合、結合する
光ファイバアレイの配列ピッチを合致させるため、エッ
チングによって形成されたＶ溝に一端光ファイバを配置
した上で、光導波路にこの光ファイバアレイを結合させ
る。この場合、光導波路に対する位置だけでなく、光導
波路の基板表面と光ファイバアレイの光ファイバ配列方
向との角度調整も行わなければならず、これに要する調
整工数も更に増大し、また固着時の損失増加も大きくな
る。

【００１２】ここで、先に述べた文献の構造（図６参
照）を用いれば、原理的には調整の方向も１方向のみと
なるし、光ファイバアレイの調整においても光ファイバ
配列方向の角度調整も不要となる。しかしながら、実際
にはＶ溝をエッチングによって作成する場合に、Ｖ溝の
エッチング量のコントロールが極めて困難であり、作成
後のＶ溝の深さにばらつきが大きく最適な光学的結合は
できないのが実状である。

【００１３】更に、これらの問題点に加え、この光ファ
イバアレイの光ファイバの本数が大きくなった場合、光
ファイバアレイ自体が大きな寸法となり、光導波路と光
ファイバアレイを光軸調整した後に、固着される構造を
含めると、デバイス全体が大型化してしまうという問題
点もある。

【００１４】これらの問題点を解消する方法として、特
願昭６２−０８５７７７に記載されているような接続方
法が提案されている。図８は、特出願昭６２−０８５７
７７に記載されている接続方法の一例である２×２Ｅ０
光スイッチの斜視図である。第１の基板１は、ＬｉＮｂ
Ｏ₃ 基板からなっており、この第１の基板１の表面には
Ｔｉ拡散により光導波路２、３、４、５が形成されてい
る。光導波路２と３および４と５は、それぞれ６００マ
イクロｍの間隔を有している。

【００１５】光導波路２、３に結合する入出力部の光フ
ァイバ８、９は、第２の基板１１および１２にそれぞれ
固着されている。第２の基板１１、１２には、後述する
ダイシングソーにより光ファイバ固定用のＶ溝１３、１
４および１５、１６が形成されている。第３の基板１７
は、第１の基板１と第２の基板１１、１２をそれぞれ保
持する共通基板である。

【００１６】第１の基板１と接合する第２の基板１１、
１２の面の間隔は、予め第１基板１の光伝播方向の長さ
より５〜１０μｍ広くなるように、ゲージで間隔が保た
れている。第２の基板１１、１２は、第３の基板１７に
ろう付けで固定されている。

【００１７】一方、第２の基板１１、１２の表面に加工
された４本のＶ溝１３〜１６は、光ファイバ６〜９が、
光学的に最適に結合されるように、光ファイバ６〜９の
コア１８の中心が、第１の基板１の表面（上面）より
２．５μｍ下方になるように加工されている。

【００１８】図２は、上記の加工の状態を示している。
Ｖ溝１３の頂角は９０°、第１の基板１と同じ高さでの
溝開口幅は、１８３μｍであり、外径１２６μｍの光フ
ァイバ６をこのＶ溝１３に配置したときに、光ファイバ
６のコア１８の中心の高さは、第１の基板１の表面（上
面）より２．５μｍ低いところに位置している。このよ
うにすることにより、第１の基板１に形成された光導波
路２〜５と光ファイバ６〜９は、常に高さ方向が最適な
位置となる。

【００１９】光導波路２〜５の水平方向の調整は、第１
の基板１を第３の基板１７上で、Ｖ溝１３〜１６に対し
直角方向にスライドさせながら、第１の基板１と第２の
基板１１、１２にパターンニングされた細線（図示せ
ず）を顕微鏡で見合わせることによって行われ、調整後
の第１基板１は、第３の基板１７に接着固定される。

【００２０】図９は、以上説明した本従来例の光導波路
と光ファイバの結合構造の結合順序を示した図である。
図９（ａ）は、第１基板１を第３の基板１７上に置い
て、基板厚測定器の触針２１により、第３の基板１７の
表面を高さ原点にとり、第３の基板１７からの第１基板
１の高さを測定している状態を示している。図９（ｂ）
は、第１基板１の高さ測定後、周面がＶ形状の砥石の高
さを、Ｖ溝１４に光ファイバ７を配置したときに光ファ
イバのコア１８の中心が第１基板１の表面より２．５μ
ｍ下方になるように設定し、第１基板１を一旦第３の基
板１７から外し、ダイシングソー２２により、第２の基
板１１、１２の表面にＶ溝１３、１４を加工することを
示している。図９（ｃ）は、第２の基板１２にＶ溝１
５、１６を加工後、再び第１基板１を第３基板１７に載
せ、かつ光ファイバ６〜９をそれぞれＶ溝１３〜１６上
に配列すると共に矢印方向に進ませて第１基板１の端面
に付き当てる。それから、第１基板１を第３基板１７上
でＶ溝１３〜１６に対して直角方向にスライドさせて、
光導波路２〜５と光ファイバ６〜９をそれぞれ最適な位
置になるように調整していることを示している。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】従来の光導波路と光フ
ァイバとの接続方法は、以上のように構成されており、
前述した光導波路と光ファイバの接続端子が複数であ
り、光ファイバアレイを用いる場合でも角度調節は不要
で簡易に固定することが可能であり、光導波路が形成さ
れた基板と光ファイバが配置された基板は共にこれらを
共通に保持する第３の基板固着後も経時的に安定した高
信頼な接続構造が得られるが、光導波路が形成された基
板表面の高さを、これを保持する第３の基板表面を基準
に触針等で検出するため、十分な位置測定精度が得られ
ず、実際に検出された高さを元にブレードソーにより溝
加工し、光ファイバを配列した後に光導波路と突き合わ
せると、僅かな量であるが高さに違いが生じることがあ
り、最適な結合が実現できないという欠点があった。

【００２２】本発明は、上述課題を解消するためになさ
れたものであり、その目的は、位置測定精度を向上する
と共に測定工数を減少でき、生産性を向上することがで
きる信頼性の高い光導波路と光ファイバとの接続構造の
加工方法を提供することにある。

【００２３】請求項１記載の発明では、光導波路が形成
された第１の基板と、光ファイバを配置する第２の基板
と、第１の基板と第２の基板のそれぞれの下面を上面で
保持する第３の基板とを有し、移動および回転自在な切
削手段により第２の基板に光ファイバを配置する溝を切
削し、第１の基板の光導波路と第２の基板に配置された
光ファイバを光学的に接続する光導波路と光ファイバと
の接続構造の加工方法において、（イ）第１の基板の光
導波路に沿って直線状の導電性薄膜を配設し、（ロ）導
電性の切削手段を昇降して導電性薄膜との接触位置を電
気的に検知し、（ハ）この切削手段と導電性薄膜との接
触を電気的に検知した位置から第２の基板に配置される
光ファイバのコアの中心軸と第１の基板の光導波路の中
心軸とが一致する位置までの垂直距離を予め算出し、
（ニ）第２の基板の所定位置へ切削手段を移動し、
（ホ）第１の基板上において検知手段により切削手段と
導電性薄膜との接触を電気的に検知した垂直方向位置か
ら算出した垂直位置まで切削手段を第３の基板方向に移
動しながら第２の基板に光ファイバを配置する溝を切削
することを特徴としている。

【００２４】請求項２記載の発明では、光導波路が形成
された第１の基板と、光ファイバを配置する第２の基板
と、第１の基板と第２の基板のそれぞれの下面を上面で
保持する第３の基板とを有し、移動および回転自在な先
端がＶ字状の切削手段により第２の基板に光ファイバを
配置するＶ字溝を切削し、第１の基板の光導波路と第２
の基板に配置された光ファイバを光学的に接続する光導
波路と光ファイバとの接続構造の加工方法において、
（イ）第１の基板の光導波路に沿って直線状の導電性薄
膜を２本平行に配設し、（ロ）平行な２本の導電性薄膜
の間隔を導電性の切削手段のＶ字状の先端が同時に２本
の平行な導電性薄膜に接触した位置が第２の基板に配置
される光ファイバのコアの中心軸と第１の基板の光導波
路の中心軸とが一致する位置となるように切削手段と導
電性薄膜との接触を電気的に検知することによって位置
決めし、（ハ）第１の基板上において切削手段のＶ字状
の先端が２本の平行な導電性薄膜の中間位置になるよう
にしてこの切削手段が同時に２本の平行な導電性薄膜に
接触したことが検知されるまで垂直方向にこの切削手段
を切削させながら下降させ、（ニ）切削手段が同時に２
本の平行な導電性薄膜に接触したことが検知された垂直
位置を検知し、（ホ）第２の基板の所定位置へ切削手段
を移動し、（ヘ）この検知された垂直位置を基準に光フ
ァイバのコアが光導波路と垂直方向で位置決めされるよ
うに第２の基板の所定位置にＶ字溝を切削することを特
徴としている。

【００２５】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図を用いて説明
する。

【００２６】図１は、本発明に係わる光導波路と光ファ
イバとの接続構造の一実施例である２×２導波路型光ス
イッチの斜視図である。第１の基板１は、ＬｉＮｂＯ₃
基板からなっており、この第１の基板１の表面にはＴｉ
拡散により光導波路２、３、４、５が形成されている。
光導波路２と３および４と５は、それぞれ６００マイク
ロｍの間隔を有している。

【００２７】光導波路２、３に結合する入出力部の光フ
ァイバ８、９は、第２の基板１１および１２にそれぞれ
固着されている。第２の基板１１、１２には、後述する
ダイシングソーにより光ファイバ固定用のＶ溝１３、１
４および１５、１６が形成されている。第３の基板１７
は、第１の基板１と第２の基板１１、１２をそれぞれ保
持する共通基板である。

【００２８】第１の基板１と接合する第２の基板１１、
１２の面の間隔は、予め第１の基板１の光伝播方向の長
さより５〜１０μｍ広くなるように、ゲージで間隔が保
たれている。第２の基板１１、１２は、第３の基板１７
にろう付けで固定されている。そして、第１の基板１の
光導波路２に沿って直線状の極めて薄い導電性薄膜１９
が配設されている。

【００２９】図２および図３は、上記の加工の状態を示
している。光ファイバを配置する溝の断面形状は図２の
Ｖ溝形状であっても、図３に示すような矩形形状であっ
てもよい。なお、以下においてはＶ溝形状を例にとり説
明する。光導波路のコアの中心が、第１の基板１の表面
（上面）より２．５μｍの深さにある場合、Ｖ溝１３の
頂角を９０°とすると、第１の基板１と同じ高さでの溝
開口幅を１８３μｍとし、外径１２６μｍの光ファイバ
６をこのＶ溝１３に配置すると、光ファイバ６のコア１
８の中心の高さは、第１の基板１の表面（上面）より
２．５μｍ低いところに位置している。このようにする
ことにより、第１の基板１に形成された光導波路２〜５
と光ファイバ６〜９は、常に高さ方向が最適な位置にあ
ることになる。

【００３０】光導波路２〜５の水平方向の調整は、第１
の基板１を第３の基板１７上で、Ｖ溝１３〜１６に対し
直角方向にスライドさせながら、第１の基板１と第２の
基板１１、１２にパターンニングされた細線（図示せ
ず）を顕微鏡で見合わせることによって行われ、調整後
の第１の基板１は、第３の基板１７に接着固定される。

【００３１】図４は、以上説明した本実施例の光導波路
と光ファイバの結合構造の結合順序を示した図である。
図４（ａ）に示すように、共通の第３の基板１７の中央
に光導波路が形成された第１の基板１を、底面を密着し
て搭載する。この状態で、第１の基板１の光導波路３〜
６に沿って設けられた導電性薄膜１９の上方から、ブレ
ードソーのブレード２２をゆっくり降下させる。そし
て、導電性薄膜１９とブレードソーのブレード２２が接
触するまでブレード２２を降下させ、導電性薄膜１９と
ブレードソーのブレード２２が接触したブレード２２の
高さ位置すなわち第１の基板１の高さ位置を導電性薄膜
１９とブレードソーのブレード２２が接触したことを通
電チェックにより検出する。

【００３２】それから、図４（ｂ）に示すように、第１
の基板１の高さをブレード２２の電気的検知によって測
定後、周囲がＶ形状のブレード２２の高さをＶ溝１３に
光ファイバ７を配置したときに光ファイバのコア１８の
中心が第１の基板１の表面より２．５μｍ下方になるよ
うに予め求めた位置に設定する。そして、第１の基板１
を一旦第３の基板１７から外し、ブレードソー２２によ
り、第２の基板１１、１２の表面にＶ溝１３、１４を加
工する。

【００３３】更に、図４（ｃ）に示すように、第２の基
板１２にＶ溝１５、１６を加工後、再び第１の基板１を
第３の基板１７に載せ、かつ光ファイバ６〜９をそれぞ
れＶ溝１３〜１６上に配列すると共に矢印方向に進ませ
て第１の基板１の端面に付き当てる。それから、第１の
基板１を第３の基板１７上でＶ溝１３〜１６に対して直
角方向にスライドさせて、光導波路２〜５と光ファイバ
６〜９をそれぞれ最適な位置になるように調整する。

【００３４】以上説明した実施例においては、ブレード
ソーのブレード２２と導電性薄膜１９との接触を検知し
た位置から第２の基板１１、１２に配置される光ファイ
バ６〜９のコアの中心軸と第１の基板１の光導波路２〜
５の中心軸とが一致する位置までの垂直距離を予め求め
ておく必要があるが、この垂直距離を精度よく求めるこ
とは難しいという課題があった。そこで、本発明者は、
図５に示す光導波路と光ファイバとの接続構造の加工方
法によりこの問題点を解消している。

【００３５】図５（ａ）において、第１の基板１の光導
波路の沿って直線状の導電性薄膜１９を２本平行に配設
している。ブレードソーのブレード２２のＶ字状の先端
が２本の平行な導電性薄膜の中間位置になるように位置
決めして、このブレード２２を下降させたとき、これが
同時に２本の平行な導電性薄膜１９に接触した位置が第
２の基板に配置される光ファイバのコア１８の中心軸と
第１の基板１の光導波路の中心軸とが一致する位置とな
るような間隔に、平行な２本の導電性薄膜を位置決めす
る。

【００３６】例えば、Ｖ溝１３の頂角を９０°とする
と、第１の基板１の表面の高さに相当するＶ溝開口幅は
１８３μｍであり、２本の平行な導電性薄膜１９を１８
３μｍの間隔で配置すればよい（図５（ｂ）参照）。そ
して、１８３μｍの間隔の２本の平行な導電性薄膜１９
の中間位置にブレードソーのブレード２２を回転させな
がら下降し、２本の導電性薄膜１９にブレード２２が接
触したところの高さ位置を通電チェックにより検出す
る。高さ位置をチェック後、第１基板１を一旦第３の基
板１７から外し、ブレードソー２２により、第２の基板
１１、１２の表面にＶ溝１３、１４を加工する。

【００３７】また、光導波路型チャンネルであって複数
の光ファイバとの結合が必要な場合、前述同様の動作に
より光ファイバ配置固定用の溝を、光導波路の配列ピッ
チに合わせて加工することにより、１本の光ファイバを
位置合わせするのとまったく同じ方法で行うことができ
る。この際、光ファイバアレイの角度調整は不要であ
る。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
導波路が形成された第１の基板としての光導波路基板の
表面に導電性薄膜を形成しておき、この導電性薄膜と光
ファイバを配置する溝を下降する切削手段の外周を接触
させて通電させることにより基板表面の高さを位置検出
し、これをもとに光ファイバを配置する溝の深さを決め
手切削加工により溝を形成する。このため、光ファイバ
を配置する基板の厚さの精度は低くても良く、また、溝
の深さを決定するための光導波路の高さの位置検出は、
光導波路基板の表面を基準とするので、触針を用いて光
導波路基板の厚みを測定する従来の方法に比べ非常に精
度よく測定でき、この位置検出も溝加工する切削手段を
そのまま用いて行なうので簡易であり、生産性も向上す
る。しかもこのように高さ方向には光導波路と光ファイ
バの結合が最適になるように溝深さが設定、加工されて
いるので結合の際、深さ方向の調整は全くなく、調整作
業においても生産性に優れる。 また発明によれば、光導
波路基板と光ファイバを固着する場合、光導波路基板
は、両基板を保持する共通の第３の基板に底面を突合わ
せ、また光ファイバは基板に形成された溝にはめ込んで
行なうので、固着時の位置ずれや経時劣化は極めて少な
い。 このように、本発明の光導波路と光ファイバとの接
続構造の加工方法によれば、調整工数が少なくて生産性
が高く、かつ安価で信頼性の高い光ファイバ端子付導波
路型光デバイスの実現が可能となるという効果がある。

【００３９】また、本発明の光導波路と光ファイバとの
接続構造の加工方法によれば、切削手段のＶ字状の先端
が同時に２本の平行な導電性薄膜に接触した位置が第２
の基板に配置される光ファイバのコアの中心軸と第１の
基板の光導波路の中心軸とが一致する位置となるような
間隔に平行な２本の電性薄膜を位置決めし、第１の基板
上において検知手段により切削手段のＶ字状の先端が同
時に２本の平行な導電性薄膜に接触した垂直方向位置を
検知し、第２の基板の所定位置へ切削手段を移動し、検
知手段により切削手段のＶ字状の先端が同時に２本の平
行な導電性薄膜に接触した垂直方向位置に位置する切削
手段により第２の基板の所定位置にＶ字溝を切削するよ
うに構成したので、基板厚測定器の触針により第１の基
板の表面の垂直方向位置を測定する必要がなくなり、切
削手段と導電性薄膜との接触により第１の基板の表面の
垂直方向位置を直接検出して、位置測定精度を向上する
ことができ、更に切削手段と導電性薄膜との接触を検知
した位置から第２の基板に配置される光ファイバのコア
の中心軸と第１の基板の光導波路の中心軸とが一致する
位置までの垂直距離を予め算出する必要がなく、いっそ
う簡便で精度の高い光導波路と光ファイバとの最適な結
合を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１記載の発明の光導波路と光ファイバと
の接続構造の一実施例が適用された２×２導波路型光ス
イッチを示す斜視図である。

【図２】２×２導波路型光スイッチにおける請求項１記
載の発明の光導波路と光ファイバ配列用の第２基板のＶ
溝の位置関係を示す端面図である。

【図３】図２におけるＶ溝の代わりに矩形溝を適用した
場合の位置関係を示す端面図である。

【図４】２×２導波路型光スイッチを請求項１記載の発
明の光導波路と光ファイバとの接続構造の加工方法によ
り加工する際の手順を示す斜視図である。

【図５】請求項２記載の発明の光導波路と光ファイバと
の接続構造の一実施例が適用された２×２導波路型光ス
イッチ、および請求項２記載の発明の光導波路と光ファ
イバ配列用の第２基板のＶ溝の位置関係を示す図であ
る。

【図６】従来の光導波路と光ファイバとの接続構造を示
す斜視図である。

【図７】（ａ）は、従来の光導波路と光ファイバとの接
続構造を示す斜視図であり、（ｂ）は、Ｖ溝の形状およ
び基板表面から光ファイバのコアまでの距離を示す図で
ある。

【図８】本出願人が提案している光導波路と光ファイバ
との接続構造を示す斜視図である。

【図９】本出願人が提案している光導波路と光ファイバ
との接続構造における光導波路と光ファイバの結合順序
を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 第１の基板 ２〜５ 光導波路 ６〜９ 光ファイバ １１、１２ 第２の基板 １３〜１６ Ｖ溝 １７ 第３の基板 １８ コア １９ 導電性薄膜 ２２ ブレード

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光導波路が形成された第１の基板と、光
   ファイバを配置する第２の基板と、第１の基板と第２の
   基板のそれぞれの下面を上面で保持する第３の基板とを
   有し、移動および回転自在な切削手段により第２の基板
   に光ファイバを配置する溝を切削し、第１の基板の光導
   波路と第２の基板に配置された光ファイバを光学的に接
   続する光導波路と光ファイバとの接続構造の加工方法に
   おいて、 第１の基板の光導波路に沿って直線状の導電性薄膜を配
   設し、導電性の切削手段を昇降して導電性薄膜との接触位置を
   電気的に検知し、 この 切削手段と導電性薄膜との接触を電気的に検知した
   位置から第２の基板に配置される光ファイバのコアの中
   心軸と第１の基板の光導波路の中心軸とが一致する位置
   までの垂直距離を予め算出し、 第２の基板の所定位置へ切削手段を移動し、 第１の基板上において検知手段により切削手段と導電性
   薄膜との接触を電気的に検知した垂直方向位置から前記
   算出した垂直位置まで切削手段を第３の基板方向に移動
   しながら第２の基板に光ファイバを配置する溝を切削す
   ることを特徴とする光導波路と光ファイバとの接続構造
   の加工方法。
2. 【請求項２】 光導波路が形成された第１の基板と、光
   ファイバを配置する第２の基板と、第１の基板と第２の
   基板のそれぞれの下面を上面で保持する第３の基板とを
   有し、移動および回転自在な先端がＶ字状の切削手段に
   より第２の基板に光ファイバを配置するＶ字溝を切削
   し、第１の基板の光導波路と第２の基板に配置された光
   ファイバを光学的に接続する光導波路と光ファイバとの
   接続構造の加工方法において、 第１の基板の光導波路に沿って直線状の導電性薄膜を２
   本平行に配設し、 平行な２本の導電性薄膜の間隔を導電性の切削手段のＶ
   字状の先端が同時に２本の平行な導電性薄膜に接触した
   位置が第２の基板に配置される光ファイバのコアの中心
   軸と第１の基板の光導波路の中心軸とが一致する位置と
   なるように切削手段と導電性薄膜との接触を電気的に検
   知することによって位置決めし、 第１の基板上において切削手段のＶ字状の先端が２本の
   平行な導電性薄膜の中 間位置になるようにしてこの切削
   手段が同時に２本の平行な導電性薄膜に接触したことが
   検知されるまで垂直方向にこの切削手段を切削させなが
   ら下降させ、 切削手段が同時に２本の平行な導電性薄膜に接触したこ
   とが検知された垂直位置を検知し、 第２の基板の所定位置へ切削手段を移動し、この検知された垂直位置を基準に光ファイバのコアが光
   導波路と垂直方向で位置決めされるように 第２の基板の
   所定位置にＶ字溝を切削することを特徴とする光導波路
   と光ファイバとの接続構造の加工方法。