JP2735542B2 - Photoelectric conversion device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、複数のフォトダイオードを切り換えて、
それぞれのフォトダイオードに照射された光量を短絡電
流として、それぞれ検出できるようにした光電変換装置
に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の複数のフォトダイオードの短絡電流を
検出する光電変換装置において、複数のフォトダイオー
ドの短絡電流をＮ−ch（Ｎチャンネル）MOSトランジス
タで切り換える方法の一例であり、図において、3,4は
アノードが相互接続されたフォトダイオード、１−1,1
−２はフォトダイオード3,4を短絡するPNPバイポーラト
ランジスタ、２−1,2−２はフォトダイオード3,4の短絡
電流を切り換えるＮ−chMOSトランジスタ、６はフォト
ダイオード3,4のアノード電極に電位を与える電源、８
はフォトダイオード3,4の短絡電流を電圧に変換するダ
イオード、７はフォトダイオード3,4のカソードの電圧
を決めるためのオペアンプ、９−1,9−２は前記PNPバイ
ポーラトランジスタ１−1,1−２と前記Ｎ−chMOSトラン
ジスタ２−1,2−２のオンオフを制御する信号が入力さ
れる制御端子、10は光電変換された電圧が出力される出
力端子である。
次に動作について説明する。フォトダイオード3,4で
発生した短絡電流は、オプアンプ７の出力からダイオー
ド８を通って流れ、ダイオード８の両端にフォトダイオ
ードの短絡電流を対数圧縮した電圧が生じる。オペアン
プ７はダイオード８によって負帰還がかけられており、
フォトダイオード3,4のカソード電極は電源６の電圧と
同電位となるので、出力端子10には、フォトダイオード
の短絡電流をダイオード８で対数圧縮した電圧と電源６
の和の電圧が出力される。ここで、制御端子９−１の信
号がＨ、制御端子９−２の信号がＬのときは、PNPバイ
ポーラトランジスタ１−１がオフ、PNPバイポーラトラ
ンジスタ１−２がオン、Ｎ−chMOSトランジスタ２−１
がオン、Ｎ−chMOSトランジスタ２−２がオフの状態に
なり、ダイオード８にはフォトダイオード３で発生した
短絡電流のみが流れて、この短絡電流が対数圧縮された
電圧と電源６の電圧との和電圧が出力端子10に出力され
る。又、制御端子９−１の信号がＬ、制御端子９−２の
信号がＨのときは、PNPバイポーラトランジスタ１−１
がオン、PNPバイポーラトランジスタ１−２がオフ、Ｎ
−chMOSトランジスタ２−１がオフ、Ｎ−chMOSトランジ
スタ２−２がオンの状態になり、ダイオード８にはフォ
トダイオード４で発生した短絡電流のみが流れて、出力
端子10にはフォトダイオード４で発生した短絡電流がダ
イオード８で対数圧縮された電圧と電源６の電圧の和の
電圧が出力される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このように、従来の光電変換装置における、複数のフ
ォトダイオードの短絡電流をMOSトランジスタで切り換
える方法では、切り換える素子として用いているMOSト
ランジスタのバックゲートの電圧を電源電圧で与えてい
るため、バックゲートとソース，ドレイン，チャネル間
のリーク電流が大きく、このリーク電流により光電変換
出力に誤差が生じる欠点があった。特に、フォトダイオ
ードの短絡電流が小さいとき、この誤差が大きくなって
いた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、フォトダイオードで発生する短絡電流が小
さいときでも高精度の光電変換ができる光電変換装置を
得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る光電変換装置は、アノード電極を相互
接続した複数のフォトダイオードと、前記各フォトダイ
オードのアノード電極とカソード電極間に接続された，
バイポーラトランジスタで構成された複数の第１のスイ
ッチと、前記フォトダイオードの相互接続されたアノー
ド電極に接続された電源と、正転入力に前記フォトダイ
オードの相互接続されたアノード電極が接続された演算
増幅器と、上記演算増幅器の反転入力と前記各フォトダ
イオードのカソード電極との間に接続された,MOSトラン
ジスタで構成された複数の第２のスイッチと、前記演算
増幅器の反転入力とその出力との間に接続された電流−
電圧変換素子とを具備し、前記第２のスイッチを構成す
るMOSトランジスタのバックゲートの電位を前記フォト
ダイオードの相互接続されたアノード電極の電位の±1V
以内の電位にしたものである。
また、この発明に係る光電変換装置は、カソード電極
を相互接続した複数のフォトダイオードと、前記各フォ
トダイオードのアノード電極とカソード電極間に接続さ
れた，バイポーラトランジスタで構成された複数の第１
のスイッチと、前記フォトダイオードの相互接続された
カソード電極に接続された電源と、正転入力に前記フォ
トダイオードの相互接続されたカソード電極が接続され
た演算増幅器と、上記演算増幅器の反転入力と前記各フ
ォトダイオードのアノード電極との間に接続された,MOS
トランジスタで構成された複数の第２のスイッチと、前
記演算増幅器の反転入力とその出力との間に接続された
電流−電圧変換素子とを具備し、前記第２のスイッチを
構成するMOSトランジスタのバックゲートの電位を前記
フォトダイオードの相互接続されたカソード電極の電位
の±1V以内の電位にしたものである。
〔作用〕
この発明においては、複数のフォトダイオードの短絡
電流を切り換えるMOSトランジスタのバックゲートの電
位をフォトダイオードの相互接続されたアノード電極の
電位の±1V以内の電位にすることにより、短絡電流を切
り換えるMOSトランジスタのバックゲートと、ソース，
ドレイン，チャネル間のリーク電流を減少させることが
でき、高精度の光電変換を行うことができる。
また、この発明においては、複数のフォトダイオード
の短絡電流を切り換えるMOSトランジスタのバックゲー
トの電位をフォトダイオードの相互接続されたカソード
電極の電位の±1V以内の電位にすることにより、短絡電
流を切り換えるMOSトランジスタのバックゲートと、ソ
ース，ドレイン，チャネル間のリーク電流を減少させる
ことができ、高精度の光電変換を行うことができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図はこの発明の一実施例による光電変換装置を示し、
図において、3,4はアノードが相互接続されたフォトダ
イオード、１−1,1−２は各フォトダイオード3,4を短絡
するPNPバイポーラトランジスタ、２−1,2−２はフォト
ダイオード3,4の短絡電流を切り換えるＮ−chMOSトラン
ジスタ、６はフォトダイオード3,4のアノード電極に電
位を与える電源、８はフォトダイオード3,4の短絡電流
を電位に変換するダイオード,7はフォトダイオードのカ
ソード電極の電位を決めるためのオペアンプ、９は前記
PNPバイポーラトランジスタ１−1,1−２と前記Ｎ−chMO
Sトランジスタ２−1,2−２のオンオフを制御する信号が
入力される制御端子、10は光電変換された電位が出力さ
れる出力端子、５はスイッチするＮ−chMOSトランジス
タ1,2のバックゲートに、上記電源６の電圧の±1V以内
の電位を与える電源である。
次にこの実施例の作用，動作について説明する。フォ
トダイオード3,4で発生した短絡電流を電圧に変換する
動作は従来回路と同じであるが,N−chMOSトランジスタ
２−1,2−２のバックゲートの電圧をフォトダイオード
3,4のアノード電極の電位の±1V以内の電位にすること
により、スイッチを構成しているMOSトランジスタのソ
ース，ドレイン，チャネル部分とバックゲート間の電位
差が±1V以内となり、このMOSトランジスタのソース，
ドレイン，チャネル部分とバックゲート間のリーク電流
をほとんど零にすることができる。従ってフォトダイオ
ード3,4で発生した短絡電流をほとんど全て電圧変換す
るダイオード８に流すことができ、高精度の光電変換を
行うことができる。
なお、上記実施例ではフォトダイオードを短絡する第
１のスイッチ，フォトダイオードの短絡電流を切り換え
る第２のスイッチには、それぞれＮ−chMOSトランジス
タ,PNPバイポーラトランジスタを用いたが、これらのス
イッチにはＰ−chMOSトランジスタ、NPNバイポーラトラ
ンジスタをそれぞれ用いてもよく、あるいはその両者を
Ｎ−chMOSトランジスタとＰ−chMOSトランジスタからな
るトランスミッションゲートで構成してもよい。
又、上記実施例では、フォトダイオードのアノード電
極を相互接続した回路を示したが、フォトダイオードの
カソード電極を相互接続した回路とし、さらに前記電圧
変換するダイオード８のアノード・カソード接続を逆接
続として構成してもよい。更に、上記実施例では、切り
換えるフォトダイオードの数は１つであるが、本発明で
は切り換えて検出するフォトダイオードの数は特に制限
されるものではない。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る光電変換装置によれ
ば、アノード電極を相互接続した複数のフォトダイオー
ドと、前記各フォトダイオードのアノード電極とカソー
ド電極間に接続された，バイポーラトランジスタで構成
された複数の第１のスイッチと、前記フォトダイオード
の相互接続されたアノード電極に接続された電源と、正
転入力に前記フォトダイオードの相互接続されたアノー
ド電極が接続された演算増幅器と、上記演算増幅器の反
転入力と前記各フォトダイオードのカソード電極との間
に接続された,MOSトランジスタで構成された複数の第２
のスイッチと、前記演算増幅器の反転入力とその出力と
の間に接続された電流−電圧変換素子とを具備し、前記
第２のスイッチを構成するMOSトランジスタのバックゲ
ートの電位を前記フォトダイオードの相互接続されたア
ノード電極の電位の±1V以内の電位にしたので、フォト
ダイオードの短絡電流の小さな領域まで高精度の光電変
換ができる光電変換装置が得られる効果がある。
また、この発明に係る光電変換装置によれば、カソー
ド電極を相互接続した複数のフォトダイオードと、前記
各フォトダイオードのアノード電極とカソード電極間に
接続された，バイポーラトランジスタで構成された複数
の第１のスイッチと、前記フォトダイオードの相互接続
されたカソード電極に接続された電源と、正転入力に前
記フォトダイオードの相互接続されたアノード電極が接
続された演算増幅器と、上記演算増幅器の反転入力と前
記各フォトダイオードのカソード電極との間に接続され
た,MOSトランジスタで構成された複数の第２のスイッチ
と、前記演算増幅器の反転入力とその出力との間に接続
された電流−電圧変換素子とを具備し、前記第２のスイ
ッチを構成するMOSトランジスタのバックゲートの電位
を前記フォトダイオードの相互接続されたカソード電極
の電位の±1V以内の電位にしたので、フォトダイオード
の短絡電流の小さな領域まで高精度の光電変換ができる
光電変換装置が得られる効果がある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention switches a plurality of photodiodes,
The present invention relates to a photoelectric conversion device capable of detecting the amount of light applied to each photodiode as a short-circuit current. [Prior Art] FIG. 2 shows an example of a conventional method of detecting short-circuit currents of a plurality of photodiodes by switching the short-circuit currents of the plurality of photodiodes with N-ch (N-channel) MOS transistors. In the figure, reference numerals 3 and 4 denote photodiodes having anodes connected to each other;
-2 is a PNP bipolar transistor for short-circuiting the photodiodes 3 and 4, 2-1 and 2-2 are N-chMOS transistors for switching the short-circuit current of the photodiodes 3 and 4, and 6 is a potential between the anode electrodes of the photodiodes 3 and 4. Power supply, 8
Is a diode for converting the short-circuit current of the photodiodes 3 and 4 into a voltage, 7 is an operational amplifier for determining the cathode voltage of the photodiodes 3 and 4, and 9-1 and 9-2 are the PNP bipolar transistors 1-1 and 1-1. -2 and a control terminal to which signals for controlling the on / off of the N-ch MOS transistors 2-1 and 2-2 are input, and 10 is an output terminal to which a photoelectrically converted voltage is output. Next, the operation will be described. The short-circuit current generated in the photodiodes 3 and 4 flows from the output of the op-amp 7 through the diode 8, and a voltage obtained by logarithmically compressing the short-circuit current of the photodiode is generated across the diode 8. The operational amplifier 7 is negatively fed back by the diode 8,
Since the cathode electrodes of the photodiodes 3 and 4 have the same potential as the voltage of the power supply 6, the output terminal 10 has a voltage obtained by logarithmically compressing the short-circuit current of the photodiode by the diode 8 and the power supply 6
Is output. Here, when the signal of the control terminal 9-1 is H and the signal of the control terminal 9-2 is L, the PNP bipolar transistor 1-1 is turned off, the PNP bipolar transistor 1-2 is turned on, and the N-chMOS transistor 2- 1
Is turned on, the N-ch MOS transistor 2-2 is turned off, only the short-circuit current generated by the photodiode 3 flows through the diode 8, and the short-circuit current is compared with the logarithmically compressed voltage and the voltage of the power supply 6. The sum voltage is output to the output terminal 10. When the signal of the control terminal 9-1 is L and the signal of the control terminal 9-2 is H, the PNP bipolar transistor 1-1
Is on, PNP bipolar transistor 1-2 is off, N
The -chMOS transistor 2-1 is turned off, the N-chMOS transistor 2-2 is turned on, only the short-circuit current generated in the photodiode 4 flows through the diode 8, and the output terminal 10 generates the short-circuit current. The voltage of the sum of the voltage obtained by logarithmically compressing the short-circuit current generated by the diode 8 and the voltage of the power supply 6 is output. [Problems to be Solved by the Invention] As described above, in the conventional photoelectric conversion device, in the method of switching the short-circuit current of the plurality of photodiodes by the MOS transistor, the voltage of the back gate of the MOS transistor used as the switching element is changed. Since the voltage is given by the power supply voltage, the leakage current between the back gate, the source, the drain, and the channel is large, and there is a disadvantage that an error occurs in the photoelectric conversion output due to the leakage current. In particular, when the short-circuit current of the photodiode is small, this error is large. The present invention has been made to solve the above-described problems, and has as its object to obtain a photoelectric conversion device capable of performing high-precision photoelectric conversion even when a short-circuit current generated in a photodiode is small. [Means for Solving the Problems] A photoelectric conversion device according to the present invention includes a plurality of photodiodes having anode electrodes connected to each other, and is connected between an anode electrode and a cathode electrode of each of the photodiodes.
A plurality of first switches formed of bipolar transistors, a power supply connected to an interconnected anode electrode of the photodiode, and an operation in which a non-inverting input is connected to the interconnected anode electrode of the photodiode. An amplifier, a plurality of second switches connected between the inverting input of the operational amplifier and the cathode electrode of each of the photodiodes, each of which is constituted by a MOS transistor; and an inverting input of the operational amplifier and its output. Current connected between-
A voltage conversion element, and the potential of the back gate of the MOS transistor forming the second switch is set to ± 1 V of the potential of the anode electrode connected to the photodiode.
Potential. In addition, the photoelectric conversion device according to the present invention includes a plurality of photodiodes having cathode electrodes connected to each other, and a plurality of first transistors each including a bipolar transistor connected between an anode electrode and a cathode electrode of each of the photodiodes.
A switch, a power supply connected to the interconnected cathode electrode of the photodiode, an operational amplifier having a non-inverting input connected to the interconnected cathode electrode of the photodiode, and an inverting input of the operational amplifier. MOS connected between the anode electrode of each of the photodiodes
A plurality of second switches constituted by transistors, and a current-voltage conversion element connected between an inverting input of the operational amplifier and an output thereof; The potential of the back gate is set to a potential within ± 1 V of the potential of the cathode electrode connected to the photodiode. [Operation] In the present invention, the short-circuit current is reduced by setting the potential of the back gate of the MOS transistor that switches the short-circuit current of the plurality of photodiodes to a potential within ± 1 V of the potential of the anode electrode connected to the photodiodes. The back gate and source of the switching MOS transistor
The leakage current between the drain and the channel can be reduced, and highly accurate photoelectric conversion can be performed. In the present invention, the short-circuit current is switched by setting the potential of the back gate of the MOS transistor for switching the short-circuit current of the plurality of photodiodes to a potential within ± 1 V of the potential of the cathode electrode connected to the photodiode. The leakage current between the back gate and the source, drain, and channel of the MOS transistor can be reduced, and highly accurate photoelectric conversion can be performed. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a photoelectric conversion device according to an embodiment of the present invention,
In the figure, reference numerals 3 and 4 denote photodiodes having anodes connected to each other, 1-1 and 1-2 are PNP bipolar transistors for short-circuiting the photodiodes 3 and 4, and 2-1 and 2-2 are photodiodes 3 and 4. An N-ch MOS transistor for switching the short-circuit current of the photodiode, 6 a power supply for applying a potential to the anode electrodes of the photodiodes 3 and 4, 8 a diode for converting the short-circuit current of the photodiodes 3 and 4 to a potential, and 7 a cathode electrode of the photodiode. The operational amplifier 9 for determining the potential of
PNP bipolar transistors 1-1 and 1-2 and the N-chMO
A control terminal to which a signal for controlling ON / OFF of the S transistors 2-1 and 2-2 is input, 10 is an output terminal to which a photoelectrically converted potential is output, and 5 is a back gate of the N-ch MOS transistors 1 and 2 to be switched. And a power supply for applying a potential within ± 1 V of the voltage of the power supply 6. Next, the operation and operation of this embodiment will be described. The operation of converting the short-circuit current generated by the photodiodes 3 and 4 into a voltage is the same as that of the conventional circuit, but the voltage of the back gate of the N-ch MOS transistors 2-1 and 2-2 is
The potential difference between the source, drain and channel of the MOS transistor that constitutes the switch and the back gate is within ± 1 V by setting the potential of the anode electrodes of 3, 4 to within ± 1 V. Source,
The leakage current between the drain and channel portions and the back gate can be made almost zero. Therefore, almost all of the short-circuit current generated in the photodiodes 3 and 4 can be passed to the diode 8 for converting the voltage, and highly accurate photoelectric conversion can be performed. In the above embodiment, an N-ch MOS transistor and a PNP bipolar transistor were used for the first switch for short-circuiting the photodiode and the second switch for switching the short-circuit current of the photodiode, respectively. A -chMOS transistor and an NPN bipolar transistor may be used, respectively, or both may be constituted by a transmission gate composed of an N-chMOS transistor and a P-chMOS transistor. Further, in the above embodiment, the circuit in which the anode electrodes of the photodiodes are interconnected is shown. However, the circuit in which the cathode electrodes of the photodiodes are interconnected, and the anode / cathode connection of the diode 8 for voltage conversion is reversed. You may comprise. Further, in the above embodiment, the number of photodiodes to be switched is one, but in the present invention, the number of photodiodes to be switched and detected is not particularly limited. [Effects of the Invention] As described above, according to the photoelectric conversion device of the present invention, a plurality of photodiodes having their anode electrodes interconnected, and a bipolar transistor connected between the anode electrode and the cathode electrode of each photodiode. A plurality of first switches constituted by transistors; a power supply connected to an interconnected anode electrode of the photodiode; and an operational amplifier having a non-inverting input connected to the interconnected anode electrode of the photodiode. And a plurality of second MOS transistors connected between the inverting input of the operational amplifier and the cathode electrode of each photodiode.
And a current-voltage conversion element connected between the inverting input and the output of the operational amplifier, and the potential of the back gate of the MOS transistor constituting the second switch is set to the potential of the photodiode. Since the potential is set within ± 1 V of the potential of the interconnected anode electrodes, a photoelectric conversion device capable of performing high-precision photoelectric conversion even in a region where the short-circuit current of the photodiode is small is obtained. Further, according to the photoelectric conversion device of the present invention, a plurality of photodiodes having cathode electrodes connected to each other, and a plurality of first and second bipolar transistors connected between the anode electrode and the cathode electrode of each photodiode are formed. 1 switch, a power supply connected to an interconnected cathode electrode of the photodiode, an operational amplifier having a non-inverting input connected to an interconnected anode electrode of the photodiode, and an inverting input of the operational amplifier. And a plurality of second switches formed of MOS transistors connected between the first and second photodiodes and a cathode electrode of each of the photodiodes, and a current-voltage converter connected between an inverting input of the operational amplifier and its output. And the potential of the back gate of the MOS transistor forming the second switch is set to the photodiode. Since the potential is set within ± 1 V of the potential of the interconnected cathode electrodes, there is an effect that a photoelectric conversion device capable of performing high-precision photoelectric conversion even in a region where the short-circuit current of the photodiode is small is obtained.
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による光電変換装置の回路
図、第２図は従来の回路の回路図、第３図は本発明の他
の実施例の回路図である。
１−1,1−２は第１のスイッチ、２−1,2−２は第２のス
イッチ、3,4はフォトダイオード、5,6は電源、７は演算
増幅器、８はダイオードである。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a circuit diagram of a photoelectric conversion device according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional circuit, and FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention. It is. 1-1 and 1-2 are first switches, 2-1 and 2-2 are second switches, 3 and 4 are photodiodes, 5 and 6 are power supplies, 7 is an operational amplifier, and 8 is a diode.
Claims (1)
ドと、 前記各フォトダイオードのアノード電極とカソード電極
間に接続された，バイポーラトランジスタで構成された
複数の第１のスイッチと、 前記フォトダイオードの相互接続されたアノード電極に
接続された電源と、 正転入力に前記フォトダイオードの相互接続されたアノ
ード電極が接続された演算増幅器と、 上記演算増幅器の反転入力と前記各フォトダイオードの
カソード電極との間に接続された,MOSトランジスタで構
成された複数の第２のスイッチと、 前記演算増幅器の反転入力とその出力との間に接続され
た電流−電圧変換素子とを具備し、 前記第２のスイッチを構成するMOSトランジスタのバッ
クゲートの電位を前記フォトダイオードの相互接続され
たアノード電極の電位の±1V以内の電位にしたことを特
徴とする光電変換装置。 ２．カソード電極を相互接続した複数のフォトダイオー
ドと、 前記各フォトダイオードのアノード電極とカソード電極
間に接続された，バイポーラトランジスタで構成された
複数の第１のスイッチと、 前記フォトダイオードの相互接続されたカソード電極に
接続された電源と、 正転入力に前記フォトダイオードの相互接続されたアノ
ード電極が接続された演算増幅器と、 上記演算増幅器の反転入力と前記各フォトダイオードの
カソード電極との間に接続された,MOSトランジスタで構
成された複数の第２のスイッチと、 前記演算増幅器の反転入力とその出力との間に接続され
た電流−電圧変換素子とを具備し、 前記第２のスイッチを構成するMOSトランジスタのバッ
クゲートの電位を前記フォトダイオードの相互接続され
たカソード電極の電位の±1V以内の電位にしたことを特
徴とする光電変換装置。(57) [Claims] A plurality of photodiodes having an anode electrode interconnected; a plurality of first switches formed of bipolar transistors connected between the anode electrode and the cathode electrode of each photodiode; and an interconnection of the photodiodes A power supply connected to the anode electrode, an operational amplifier having a non-inverting input connected to the interconnected anode electrode of the photodiode, and a power supply connected between the inverting input of the operational amplifier and the cathode electrode of each photodiode. A plurality of second switches configured by MOS transistors, and a current-voltage conversion element connected between an inverting input of the operational amplifier and an output thereof, forming the second switch. The potential of the back gate of the MOS transistor is set to ± 1 of the potential of the interconnected anode electrode of the photodiode. A photoelectric conversion device having a potential within V. 2. A plurality of photodiodes interconnecting a cathode electrode; a plurality of first switches each comprising a bipolar transistor connected between an anode electrode and a cathode electrode of each of the photodiodes; A power supply connected to the cathode electrode, an operational amplifier having a non-inverting input connected to an interconnected anode electrode of the photodiode, and an operational amplifier connected between an inverting input of the operational amplifier and a cathode electrode of each photodiode. A plurality of second switches configured by MOS transistors, and a current-voltage conversion element connected between an inverting input of the operational amplifier and an output thereof, forming the second switch. The potential of the back gate of the MOS transistor is set to ± 1 of the potential of the interconnected cathode electrode of the photodiode. A photoelectric conversion device having a potential within V.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61124573A JP2735542B2 (en) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | Photoelectric conversion device |
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| JP61124573A JP2735542B2 (en) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | Photoelectric conversion device |
Publications (2)
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| JPS62281380A JPS62281380A (en) | 1987-12-07 |
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| JP61124573A Expired - Lifetime JP2735542B2 (en) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | Photoelectric conversion device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735542B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5629146B2 (en) * | 2010-06-30 | 2014-11-19 | パナソニック株式会社 | Temperature sensor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2536842B2 (en) | 1986-03-14 | 1996-09-25 | 三菱電機株式会社 | Photoelectric conversion device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648186A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-01 | Hitachi Ltd | Photodetector |
| JPS56156041A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Multiplexer |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP61124573A patent/JP2735542B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2536842B2 (en) | 1986-03-14 | 1996-09-25 | 三菱電機株式会社 | Photoelectric conversion device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62281380A (en) | 1987-12-07 |
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