JP2732741B2 - 半導体ダイヤモンドの製造方法 - Google Patents
半導体ダイヤモンドの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐環境性素子として期
待される半導体ダイヤモンドの製造方法に関するもの
で、特にｎ型、ｐ型の半導体を得るためのダイヤモンド
へのドーパントのイオン打ち込みによる半導体ダイヤモ
ンドの製造方法に関するものである。
待される半導体ダイヤモンドの製造方法に関するもの
で、特にｎ型、ｐ型の半導体を得るためのダイヤモンド
へのドーパントのイオン打ち込みによる半導体ダイヤモ
ンドの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ダイヤモンドは、例えば放射線な
どが強い宇宙空間やあるいは原子炉やタービンなど高温
状態などに耐える耐環境性素子などとして期待されてい
る。
どが強い宇宙空間やあるいは原子炉やタービンなど高温
状態などに耐える耐環境性素子などとして期待されてい
る。
【０００３】従来半導体ダイヤモンドとしては、Ｂ（硼
素）を含む天然のｐ型の半導体ダイヤモンド及びＢをド
ープした合成ダイヤモンドが報告されているが、ｎ型の
半導体ダイヤモンドの確かな報告はない。また、イオン
注入によるダイヤモンドの伝導型の制御も達成されてい
ない。
素）を含む天然のｐ型の半導体ダイヤモンド及びＢをド
ープした合成ダイヤモンドが報告されているが、ｎ型の
半導体ダイヤモンドの確かな報告はない。また、イオン
注入によるダイヤモンドの伝導型の制御も達成されてい
ない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これは、イオンの照射
によりダイヤモンド構造が損傷を受けるが、それを熱処
理により元に戻すことが困難であることに起因してい
る。つまり、炭素の平衡状態は黒鉛構造でありダイヤモ
ンド構造は準安定状態である為、通常の熱処理に依って
黒鉛が生成されてしまうためである。
によりダイヤモンド構造が損傷を受けるが、それを熱処
理により元に戻すことが困難であることに起因してい
る。つまり、炭素の平衡状態は黒鉛構造でありダイヤモ
ンド構造は準安定状態である為、通常の熱処理に依って
黒鉛が生成されてしまうためである。
【０００５】半導体ダイヤモンドを形成するためには、
イオン打ち込みに依って形成される損傷を熱処理に依っ
て黒鉛に変化させることなくダイヤモンド構造に回復さ
せる事が必要である。
イオン打ち込みに依って形成される損傷を熱処理に依っ
て黒鉛に変化させることなくダイヤモンド構造に回復さ
せる事が必要である。
【０００６】本発明は、イオン打ち込みによる半導体ダ
イヤモンドの製造方法において、イオン打ち込みの損傷
を抑制でき、良質の半導体ダイヤモンドを製造する方法
を提供することを目的とする。
イヤモンドの製造方法において、イオン打ち込みの損傷
を抑制でき、良質の半導体ダイヤモンドを製造する方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の半導体ダイヤモンドの製造方法は、ダイヤ
モンドに炭素以外の粒子をイオン打ち込みし、同時に光
を照射することからなる。
め、本発明の半導体ダイヤモンドの製造方法は、ダイヤ
モンドに炭素以外の粒子をイオン打ち込みし、同時に光
を照射することからなる。
【０００８】また、前記半導体ダイヤモンドの製造方法
においては、ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以外の粒
子がIII 族元素およびＶ族元素から選ばれた少なくとも
１種の元素であることが好ましい。
においては、ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以外の粒
子がIII 族元素およびＶ族元素から選ばれた少なくとも
１種の元素であることが好ましい。
【０００９】また、前記半導体ダイヤモンドの製造方法
においては、ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以外の粒
子のエネルギ−が５０ｅＶ以上１ＭｅＶ以下であること
が好ましい。
においては、ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以外の粒
子のエネルギ−が５０ｅＶ以上１ＭｅＶ以下であること
が好ましい。
【００１０】また更に、前記半導体ダイヤモンドの製造
方法においては、イオン打ち込みの際にダイヤモンドが
３００℃以下に保たれていることが好ましい。また、前
記半導体ダイヤモンドの製造方法においては、イオン打
ち込みと同時に照射される光が間欠的にダイヤモンド基
板に照射されることが好ましい。
方法においては、イオン打ち込みの際にダイヤモンドが
３００℃以下に保たれていることが好ましい。また、前
記半導体ダイヤモンドの製造方法においては、イオン打
ち込みと同時に照射される光が間欠的にダイヤモンド基
板に照射されることが好ましい。
【００１１】また、前記半導体ダイヤモンドの製造方法
においては、イオン打ち込みと同時に照射される光がレ
ーザー光であり、前記レーザー光がダイヤモンド表面に
均一に照射されるようにスキャンされていることが好ま
しい。
においては、イオン打ち込みと同時に照射される光がレ
ーザー光であり、前記レーザー光がダイヤモンド表面に
均一に照射されるようにスキャンされていることが好ま
しい。
【００１２】
【作用】本発明は、ダイヤモンドに炭素以外の粒子をイ
オン打ち込みし、同時に光を照射するが、ダイヤモンド
は紫外線領域から可視域、赤外線領域まで広い範囲に渡
って透明である。このため通常のダイヤモンドに光を照
射しても透過するのみでダイヤモンドが加熱されること
はない。
オン打ち込みし、同時に光を照射するが、ダイヤモンド
は紫外線領域から可視域、赤外線領域まで広い範囲に渡
って透明である。このため通常のダイヤモンドに光を照
射しても透過するのみでダイヤモンドが加熱されること
はない。
【００１３】しかしイオン打ち込みされたダイヤモンド
は多くの損傷（格子欠陥）を含みこの欠陥の部分では光
が吸収され、選択的に加熱される。このため格子欠陥の
近傍のみが熱拡散が活発となり、周囲のダイヤモンド格
子を破壊する事なく格子欠陥が周りのダイヤモンド構造
を反映して元の構造に回復する。打ち込まれたイオンも
周囲のダイヤモンド構造を反映して格子位置に入り半導
体ダイヤモンドとして機能することになる。
は多くの損傷（格子欠陥）を含みこの欠陥の部分では光
が吸収され、選択的に加熱される。このため格子欠陥の
近傍のみが熱拡散が活発となり、周囲のダイヤモンド格
子を破壊する事なく格子欠陥が周りのダイヤモンド構造
を反映して元の構造に回復する。打ち込まれたイオンも
周囲のダイヤモンド構造を反映して格子位置に入り半導
体ダイヤモンドとして機能することになる。
【００１４】また、前記半導体ダイヤモンドの製造方法
において、ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以外の粒子
がIII 族元素およびＶ族元素から選ばれた少なくとも１
種の元素である好ましい態様とすることにより、これら
の元素はイオン打ち込みによりダイヤモンドの格子位置
に入り、適切な不純物レベルを形成し、ｎ型、ｐ型の半
導体を比較的容易に得ることができる。
において、ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以外の粒子
がIII 族元素およびＶ族元素から選ばれた少なくとも１
種の元素である好ましい態様とすることにより、これら
の元素はイオン打ち込みによりダイヤモンドの格子位置
に入り、適切な不純物レベルを形成し、ｎ型、ｐ型の半
導体を比較的容易に得ることができる。
【００１５】また、前記半導体ダイヤモンドの製造方法
において、ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以外の粒子
のエネルギ−が５０ｅＶ以上１ＭｅＶ以下である好まし
い態様とすることにより、ダイヤモンド格子中に粒子が
注入され、また、この範囲で形成される損傷は光照射に
よる局所加熱によりコンペンセートできる範囲の広がり
に抑えられ、損傷が大きくなりすぎることを防止でき
る。
において、ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以外の粒子
のエネルギ−が５０ｅＶ以上１ＭｅＶ以下である好まし
い態様とすることにより、ダイヤモンド格子中に粒子が
注入され、また、この範囲で形成される損傷は光照射に
よる局所加熱によりコンペンセートできる範囲の広がり
に抑えられ、損傷が大きくなりすぎることを防止でき
る。
【００１６】また、前記半導体ダイヤモンドの製造方法
において、イオン打ち込みの際にダイヤモンドが３００
℃以下に保たれている好ましい態様とすることにより、
ダイヤモンド内で結晶格子間位置にある原子すなわちイ
ンタースティシャルのみが移動可能でベイカンシーは凍
結され安定な大きなベイカンシーが形成されないので、
イオン損傷による格子欠陥を光照射による局所的な熱処
理によりコンペンセート（補償）する事がより容易とな
り、好ましい。
において、イオン打ち込みの際にダイヤモンドが３００
℃以下に保たれている好ましい態様とすることにより、
ダイヤモンド内で結晶格子間位置にある原子すなわちイ
ンタースティシャルのみが移動可能でベイカンシーは凍
結され安定な大きなベイカンシーが形成されないので、
イオン損傷による格子欠陥を光照射による局所的な熱処
理によりコンペンセート（補償）する事がより容易とな
り、好ましい。
【００１７】また、前記半導体ダイヤモンドの製造方法
において、イオン打ち込みと同時に照射される光が間欠
的にダイヤモンド基板に照射される好ましい態様とする
ことにより、イオン打ち込みとアニールが交互に行わ
れ、イオンによる損傷が少ない状態のうちに光のアニー
ルによりコンペンセートが効果的に行われ、さらに、ダ
イヤモンドが光照射によって昇温しすぎることを防止で
き、欠陥のコンペンセートをより有効にすることができ
る。
において、イオン打ち込みと同時に照射される光が間欠
的にダイヤモンド基板に照射される好ましい態様とする
ことにより、イオン打ち込みとアニールが交互に行わ
れ、イオンによる損傷が少ない状態のうちに光のアニー
ルによりコンペンセートが効果的に行われ、さらに、ダ
イヤモンドが光照射によって昇温しすぎることを防止で
き、欠陥のコンペンセートをより有効にすることができ
る。
【００１８】また、前記半導体ダイヤモンドの製造方法
において、イオン打ち込みと同時に照射される光がレー
ザー光であり、前記レーザー光がダイヤモンド表面に均
一に照射されるようにスキャンされている好ましい態様
とする事により、前記間欠照射と同様の作用が達成され
る。
において、イオン打ち込みと同時に照射される光がレー
ザー光であり、前記レーザー光がダイヤモンド表面に均
一に照射されるようにスキャンされている好ましい態様
とする事により、前記間欠照射と同様の作用が達成され
る。
【００１９】
【実施例】本発明において、ダイヤモンドとしては、ダ
イヤモンド結晶が用いられ、このダイヤモンド結晶とし
ては、単結晶、多結晶あるいは薄膜のいずれも用いるこ
とができる。
イヤモンド結晶が用いられ、このダイヤモンド結晶とし
ては、単結晶、多結晶あるいは薄膜のいずれも用いるこ
とができる。
【００２０】また、ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以
外の粒子としてはIII 族元素およびＶ族元素から選ばれ
た少なくとも１種の元素が好ましく、III 族元素として
は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等が挙げられ、また、Ｖ族元
素としては、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等が挙げられる。
外の粒子としてはIII 族元素およびＶ族元素から選ばれ
た少なくとも１種の元素が好ましく、III 族元素として
は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等が挙げられ、また、Ｖ族元
素としては、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等が挙げられる。
【００２１】これらのイオン打ち込みには、通常イオン
ガンなどを用いることができる。また、本発明で用いる
光の光源としては、例えば、ＣＯ2 レーザーなどの赤外
線のレーザーや、Ａｒレーザー等の可視域さらにはエキ
シマレーザー等の紫外線のレーザー、あるいは水銀灯、
ナトリウムランプ等の光源が挙げられる。
ガンなどを用いることができる。また、本発明で用いる
光の光源としては、例えば、ＣＯ2 レーザーなどの赤外
線のレーザーや、Ａｒレーザー等の可視域さらにはエキ
シマレーザー等の紫外線のレーザー、あるいは水銀灯、
ナトリウムランプ等の光源が挙げられる。
【００２２】ダイヤモンドの温度は、前述したようにイ
オン打ち込み時の温度を３００℃以下に保つと有効であ
るが、３００℃以上の場合でも本発明の効果は有効に発
現される。
オン打ち込み時の温度を３００℃以下に保つと有効であ
るが、３００℃以上の場合でも本発明の効果は有効に発
現される。
【００２３】ダイヤモンドの温度をコントロールするに
は、例えば水とか、液体窒素など適宜の冷媒を用いるこ
とができる。ダイヤモンドの温度は低いほうが好まし
い。以下、具体的実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明する。
は、例えば水とか、液体窒素など適宜の冷媒を用いるこ
とができる。ダイヤモンドの温度は低いほうが好まし
い。以下、具体的実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明する。
【００２４】実施例１ 図１は、本発明の一実施例の半導体ダイヤモンドの製造
方法を示す概念図である。
方法を示す概念図である。
【００２５】ＢＨ4 ガスをイオンガン（図示せず）に導
入し、プラズマで分解し、イオンガンのイオンマスセパ
レーターでＢ（硼素）を取り出し、ダイヤモンド結晶１
（この実施例では単結晶を用いた。）に１×１０15のド
ーズ量まで５ｋｅＶのＢ（硼素）からなるイオンビーム
５をイオンガンにより打ち込んだ。この時同時に光２を
照射した。ここで用いた光としては、３０８ｎｍの波長
のエキシマレーザ光を用いた。１Ｊｃｍ-2のレーザー光
を１０パルス／秒で間欠的に照射することにより、ダイ
ヤモンド中の損傷がコンペンセートされ、打ち込まれて
いたＢが格子位置に入り、ホール測定でｐ型の電気伝導
の半導体ダイヤモンドが得られたことを確認した。
入し、プラズマで分解し、イオンガンのイオンマスセパ
レーターでＢ（硼素）を取り出し、ダイヤモンド結晶１
（この実施例では単結晶を用いた。）に１×１０15のド
ーズ量まで５ｋｅＶのＢ（硼素）からなるイオンビーム
５をイオンガンにより打ち込んだ。この時同時に光２を
照射した。ここで用いた光としては、３０８ｎｍの波長
のエキシマレーザ光を用いた。１Ｊｃｍ-2のレーザー光
を１０パルス／秒で間欠的に照射することにより、ダイ
ヤモンド中の損傷がコンペンセートされ、打ち込まれて
いたＢが格子位置に入り、ホール測定でｐ型の電気伝導
の半導体ダイヤモンドが得られたことを確認した。
【００２６】また、同様にしてＰ（燐）をイオン打ち込
みした場合にはｎ型の電気伝導の半導体ダイヤモンドが
得られた。その他、前述の他のイオンを打ち込んだ場合
についても同様の結果を得た。
みした場合にはｎ型の電気伝導の半導体ダイヤモンドが
得られた。その他、前述の他のイオンを打ち込んだ場合
についても同様の結果を得た。
【００２７】実施例２ 図２は、本発明の別の一実施例の半導体ダイヤモンドの
製造方法を示す概念図である。
製造方法を示す概念図である。
【００２８】ダイヤモンド結晶１（この実施例では多結
晶を用いた。）に１×１０15のドーズ量まで５ｋｅＶの
Ｂからなるイオンビーム５を実施例１と同様にイオンガ
ンにより、打ち込んだ。この時同時に光２を照射した。
ここで用いた光としては、５１４．５ｎｍの波長のＡｒ
レーザ光を用いた。２Ｗのレーザー光をレンズ３で絞り
スキャナー４を用いて図のようにスキャンしながら照射
することにより、ダイヤモンド中の損傷がコンペンセー
トされ、打ち込まれていたＢが格子位置に入り、ホール
測定によりｐ型の電気伝導の半導体ダイヤモンドが得ら
れたことを確認した。
晶を用いた。）に１×１０15のドーズ量まで５ｋｅＶの
Ｂからなるイオンビーム５を実施例１と同様にイオンガ
ンにより、打ち込んだ。この時同時に光２を照射した。
ここで用いた光としては、５１４．５ｎｍの波長のＡｒ
レーザ光を用いた。２Ｗのレーザー光をレンズ３で絞り
スキャナー４を用いて図のようにスキャンしながら照射
することにより、ダイヤモンド中の損傷がコンペンセー
トされ、打ち込まれていたＢが格子位置に入り、ホール
測定によりｐ型の電気伝導の半導体ダイヤモンドが得ら
れたことを確認した。
【００２９】また、同様にしてＰ（燐）をイオン打ち込
みした場合にはｎ型の電気伝導の半導体ダイヤモンドが
得られた。その他、前述の他のイオンを打ち込んだ場合
についても同様の結果を得た。
みした場合にはｎ型の電気伝導の半導体ダイヤモンドが
得られた。その他、前述の他のイオンを打ち込んだ場合
についても同様の結果を得た。
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体ダイヤモンドの製造方法
により容易に半導体ダイヤモンドダイヤモンドを得るこ
とができる。従って、ダイヤモンドのｎ型、ｐ型を利用
した半導体素子の形成が可能となり、耐環境性の半導体
素子などとして有用な半導体ダイヤモンドの製造方法が
提供できる。
により容易に半導体ダイヤモンドダイヤモンドを得るこ
とができる。従って、ダイヤモンドのｎ型、ｐ型を利用
した半導体素子の形成が可能となり、耐環境性の半導体
素子などとして有用な半導体ダイヤモンドの製造方法が
提供できる。
【００３１】また、ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以
外の粒子がIII 族元素およびＶ族元素から選ばれた少な
くとも１種の元素である好ましい態様とすることによ
り、これらの元素はイオン打ち込みによりダイヤモンド
の格子位置に入り、適切な不純物レベルを形成し、ｎ
型、ｐ型の半導体を容易に得ることができる。
外の粒子がIII 族元素およびＶ族元素から選ばれた少な
くとも１種の元素である好ましい態様とすることによ
り、これらの元素はイオン打ち込みによりダイヤモンド
の格子位置に入り、適切な不純物レベルを形成し、ｎ
型、ｐ型の半導体を容易に得ることができる。
【００３２】また、ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以
外の粒子のエネルギ−が５０ｅＶ以上１ＭｅＶ以下であ
る好ましい態様とすることにより、粒子がダイヤモンド
格子中に打ち込まれ、さらに、イオン打ち込みによる損
傷が大きくなりすぎることを防止できる。
外の粒子のエネルギ−が５０ｅＶ以上１ＭｅＶ以下であ
る好ましい態様とすることにより、粒子がダイヤモンド
格子中に打ち込まれ、さらに、イオン打ち込みによる損
傷が大きくなりすぎることを防止できる。
【００３３】また、イオン打ち込みの際にダイヤモンド
が３００℃以下に保たれている好ましい態様とすること
により、イオン損傷による格子欠陥を光照射による局所
的な熱処理によりコンペンセート（補償）する事がより
容易となる。
が３００℃以下に保たれている好ましい態様とすること
により、イオン損傷による格子欠陥を光照射による局所
的な熱処理によりコンペンセート（補償）する事がより
容易となる。
【００３４】また、イオン打ち込みと同時に照射される
光が間欠的にダイヤモンド基板に照射される好ましい態
様とすることにより、イオン損傷が小さく保たれた状態
でコンペンセートされ、また、ダイヤモンドが光照射に
よって昇温しすぎることを防止でき、欠陥のコンペンセ
ートをより有効にすることができる。
光が間欠的にダイヤモンド基板に照射される好ましい態
様とすることにより、イオン損傷が小さく保たれた状態
でコンペンセートされ、また、ダイヤモンドが光照射に
よって昇温しすぎることを防止でき、欠陥のコンペンセ
ートをより有効にすることができる。
【００３５】また、イオン打ち込みと同時に照射される
光がレーザー光であり、前記レーザー光がダイヤモンド
表面に均一に照射されるようにスキャンされている好ま
しい態様とする事により、前記と同様にダイヤモンドが
光照射によって昇温しすぎることを防止でき、欠陥のコ
ンペンセートをより有効にすることができる。
光がレーザー光であり、前記レーザー光がダイヤモンド
表面に均一に照射されるようにスキャンされている好ま
しい態様とする事により、前記と同様にダイヤモンドが
光照射によって昇温しすぎることを防止でき、欠陥のコ
ンペンセートをより有効にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の半導体ダイヤモンドの製造
方法を示す概念図。
方法を示す概念図。
【図２】本発明の別の一実施例の半導体ダイヤモンドの
製造方法を示す概念図。
製造方法を示す概念図。
【符号の説明】 １ ダイヤモンド結晶 ２ 光 ３ レンズ ４ スキャナー ５ イオンビーム
Claims (6)
- 【請求項１】 ダイヤモンドに炭素以外の粒子をイオン
打ち込みし、同時に光を照射することからなる半導体ダ
イヤモンドの製造方法。 - 【請求項２】 ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以外の
粒子がIII 族元素およびＶ族元素から選ばれた少なくと
も１種の元素である請求項１に記載の半導体ダイヤモン
ドの製造方法。 - 【請求項３】 ダイヤモンドに打ち込まれる炭素以外の
粒子のエネルギ−が５０ｅＶ以上１ＭｅＶ以下である請
求項１に記載の半導体ダイヤモンドの製造方法。 - 【請求項４】 イオン打ち込みの際にダイヤモンドが３
００℃以下に保たれていることからなる請求項１に記載
の半導体ダイヤモンドの製造方法。 - 【請求項５】 イオン打ち込みと同時に照射される光が
間欠的にダイヤモンド基板に照射されることからなる請
求項１に記載の半導体ダイヤモンドの製造方法。 - 【請求項６】 イオン打ち込みと同時に照射される光が
レーザー光であり、前記レーザー光がダイヤモンド表面
に均一に照射されるようにスキャンされていることから
なる請求項１に記載の半導体ダイヤモンドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026483A JP2732741B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 半導体ダイヤモンドの製造方法 |
| US07/918,961 US5328855A (en) | 1991-07-25 | 1992-07-24 | Formation of semiconductor diamond |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026483A JP2732741B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 半導体ダイヤモンドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05221793A JPH05221793A (ja) | 1993-08-31 |
| JP2732741B2 true JP2732741B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=12194747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4026483A Expired - Fee Related JP2732741B2 (ja) | 1991-07-25 | 1992-02-13 | 半導体ダイヤモンドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732741B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001101989A (ja) | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Nec Corp | イオン注入装置とこの装置を用いた半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534495A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-11 | Philips Nv | Method of manufacturing semiconductor device |
| JPS60246627A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド半導体素子 |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP4026483A patent/JP2732741B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05221793A (ja) | 1993-08-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |