JP2709680B2 - Composite positive temperature coefficient thermistor device - Google Patents

Composite positive temperature coefficient thermistor device

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JP2709680B2
JP2709680B2 JP5030471A JP3047193A JP2709680B2 JP 2709680 B2 JP2709680 B2 JP 2709680B2 JP 5030471 A JP5030471 A JP 5030471A JP 3047193 A JP3047193 A JP 3047193A JP 2709680 B2 JP2709680 B2 JP 2709680B2
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temperature coefficient
positive temperature
coefficient thermistor
heating
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久直 戸坂
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、シャドウマスク型カラ
ー陰極線管(CRT)の消磁回路等に用いられる複合型
正特性サーミスタ装置に係るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composite positive temperature coefficient thermistor device used for a demagnetizing circuit of a shadow mask type color cathode ray tube (CRT).

【0002】[0002]

【従来の技術】シャドウマスク型CRTの消磁回路、冷
蔵庫やエアコンのコンプレッサモータ起動用リレー回路
あるいは通信機器の保安器回路等電流値を徐々に低下さ
せる必要がある部分に正特性(PTC:Positive Tenpe
rature Coefficient)サーミスタが用いられている。
2. Description of the Related Art Positive characteristics (PTC: Positive Tempe) are used in portions where the current value needs to be gradually reduced, such as a demagnetizing circuit of a shadow mask type CRT, a relay circuit for starting a compressor motor of a refrigerator or an air conditioner, or a protector circuit of a communication device.
(rature Coefficient) thermistor.

【0003】この正特性サーミスタの代表的な使用例で
あるシャドウマスク型カラーCRTの消磁回路について
説明する。シャドウマスク型カラーCRTの主要な構成
部品であるシャドウマスクはカラーCRT蛍光面の直前
に設けられており、3本の電子銃から発射された電子ビ
ームを各々対応する蛍光体に衝突させる。
A demagnetizing circuit of a shadow mask type color CRT, which is a typical example of using the positive temperature coefficient thermistor, will be described. A shadow mask, which is a main component of the shadow mask type color CRT, is provided immediately before the phosphor screen of the color CRT, and collides electron beams emitted from three electron guns with the corresponding phosphors.

【0004】このシャドウマスクに用いられる材料とし
て、通常は加工性及び価格の点から薄い鋼鉄板が用いら
れている。そのため、外部磁界等によってシャドウマス
クが磁化されることがあり、この磁化によって電子ビー
ムの進路が曲げられ、その結果色ずれ、色むらあるいは
画面のゆれが生じる。
[0004] As a material used for the shadow mask, a thin steel plate is usually used in view of workability and cost. For this reason, the shadow mask may be magnetized by an external magnetic field or the like, and the magnetization may cause the path of the electron beam to be bent. As a result, color shift, color unevenness, or screen distortion may occur.

【0005】このようなシャドウマスクの磁化によって
生じる色ずれ等を防止するために、シャドウマスク型カ
ラーCRTの前面ガラスであるフェースプレートの外周
に消磁コイルを設け、消磁コイルに徐々に減少する交番
電流を流すことによって、シャドウマスクの消磁を行
う。
In order to prevent such a color shift caused by the magnetization of the shadow mask, a degaussing coil is provided on the outer periphery of a face plate which is a front glass of the shadow mask type color CRT. To demagnetize the shadow mask.

【0006】この徐々に減少する消磁電流を発生させる
ために、PTCサーミスタが用いられている。PTCサ
ーミスタはチタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分
とする酸化物半導体セラミックであり、材料組成を制御
することにより抵抗急変温度いわゆるスイッチング温度
を任意に設定できるため、温度センサ、電流制限素子あ
るいは定温発熱体として使用されている。
A PTC thermistor is used to generate the gradually decreasing demagnetizing current. The PTC thermistor is an oxide semiconductor ceramic containing barium titanate (BaTiO 3 ) as a main component. Since a resistance sudden change temperature, that is, a switching temperature can be arbitrarily set by controlling a material composition, a temperature sensor, a current limiting element, or a constant temperature. Used as a heating element.

【0007】図3(a),(b)にPTCサーミスタの
構造を、同(c)にPTCサーミスタの抵抗−温度特性
を示す。PTCサーミスタの形状としては(a)に示し
たケースタイプと(b)に示したリードタイプがある。
(a)に示したケースタイプにおいては、PTCサーミ
スタ素子10はバネ端子11及び12に挟まれた状態で
ケース13内に収納されている。(b)に示したリード
タイプにおいてはケースタイプと同様の構造を有するP
TCサーミスタ素子及び電極がモールドされている。
FIGS. 3A and 3B show the structure of the PTC thermistor, and FIG. 3C shows the resistance-temperature characteristics of the PTC thermistor. As the shape of the PTC thermistor, there are a case type shown in (a) and a lead type shown in (b).
In the case type shown in (a), the PTC thermistor element 10 is housed in a case 13 sandwiched between spring terminals 11 and 12. The lead type shown in (b) has the same structure as the case type.
The TC thermistor element and the electrode are molded.

【0008】(c)に示されるのは横軸に温度Tを縦軸
に抵抗Rを採ったPTCサーミスタ抵抗−温度特性曲線
であり、PTCサーミスタの抵抗値は温度が上昇するに
つれて、温度が比較的低い間は次第に低下し温度がスイ
ッチング温度になる前に最小抵抗値Rminになり、スイ
ッチング温度を越えると、急激に上昇する。通常は抵抗
値がRminの2倍になる温度を回路動作上のスイッチン
グ温度TSとしている。
(C) shows a PTC thermistor resistance-temperature characteristic curve in which the temperature T is plotted on the horizontal axis and the resistance R is plotted on the vertical axis, and the resistance value of the PTC thermistor changes as the temperature rises. While the temperature is extremely low, the temperature gradually decreases, reaches the minimum resistance value Rmin before the temperature reaches the switching temperature, and rapidly increases when the temperature exceeds the switching temperature. Normally, the temperature at which the resistance value becomes twice as large as R min is defined as the switching temperature T S in the circuit operation.

【0009】PTCサーミスタの内部抵抗及び表面温度
は、PTCサーミスタの自己発熱量と放熱量が平衡した
時点で一定となる。したがって、平衡時の内部抵抗をよ
り大きくし、かつ短時間で平衡させることにより、平衡
点電流は小さくなりより優れた消磁効果を得ることが可
能となる。
The internal resistance and the surface temperature of the PTC thermistor become constant when the self-heating amount and the heat radiation amount of the PTC thermistor are balanced. Therefore, by making the internal resistance at the time of equilibrium larger and performing equilibrium in a short time, the equilibrium point current becomes smaller and a more excellent demagnetizing effect can be obtained.

【0010】図4に示すのはこのPTCサーミスタを用
いた消磁回路の例であって、交流電源20にPTCサー
ミスタ21とCRT22のフェースプレート周囲に取り
付けられた消磁コイル23とを直列に接続し、さらに消
磁回路をオン/オフするスイッチ24が付加されて構成
されている。
FIG. 4 shows an example of a degaussing circuit using this PTC thermistor. A PTC thermistor 21 and a degaussing coil 23 attached around the face plate of a CRT 22 are connected in series to an AC power supply 20. Further, a switch 24 for turning on / off the degaussing circuit is added.

【0011】この消磁回路にはCRT22に駆動電圧が
印加されるときに交流電源20から交流電流がPTCサ
ーミスタ21を経由して供給されることにより消磁が開
始される。PTCサーミスタ21は供給される交流電流
により自己発熱して加熱され、所定のスイッチング温度
近傍に達すると、PTCサーミスタ21の抵抗値が急激
に増大し、交流電流が急激に減少する。交流電流が減少
し平衡した時点で、消磁動作が終了する。
In this degaussing circuit, when a driving voltage is applied to the CRT 22, an AC current is supplied from an AC power supply 20 via a PTC thermistor 21 to start degaussing. The PTC thermistor 21 is self-heated and heated by the supplied AC current, and when the temperature reaches around a predetermined switching temperature, the resistance value of the PTC thermistor 21 sharply increases and the AC current sharply decreases. The degaussing operation ends when the alternating current decreases and equilibrates.

【0012】消磁用PTCサーミスタの平衡時の抵抗値
を大きくし、かつ短時間でその抵抗値に到達するように
すれば、最終的な平衡点電流を降下させることにより完
全な消磁を行うことが可能になるとともに、全体の使用
電力を削減することが可能になる。このことを目的とし
て、PTCサーミスタ2個で構成した複合型PTCサー
ミスタが用いられている。
If the resistance value of the degaussing PTC thermistor at the time of equilibrium is increased and reaches the resistance value in a short time, complete demagnetization can be performed by lowering the final equilibrium point current. As a result, it is possible to reduce the total power consumption. For this purpose, a composite PTC thermistor composed of two PTC thermistors is used.

【0013】図5(a)に複合型PTCサーミスタの構
造を、(b)に複合型PTCサーミスタの動作を示す。
(a)に示した複合型PTCサーミスタは、加熱用PT
Cサーミスタ素子30と電流制御用PTCサーミスタ素
子31が共通端子32を挟んで配置され、各々にバネ端
子33及び34が接触し、これらの全体がケース35内
に収納されている。
FIG. 5A shows the structure of the composite PTC thermistor, and FIG. 5B shows the operation of the composite PTC thermistor.
The composite PTC thermistor shown in FIG.
A C thermistor element 30 and a PTC thermistor element 31 for current control are arranged with a common terminal 32 interposed therebetween, and spring terminals 33 and 34 are in contact with each other.

【0014】(b)において、Aは加熱用PTCサーミ
スタ30の抵抗−温度特性、Bは電流制御用PTCサー
ミスタ31の抵抗−温度特性を示す特性曲線である。図
6の回路で交流電流が加えられると、PTCサーミスタ
30及び31は自己発熱して温度が上昇する。発熱温度
の高い加熱用PTCサーミスタ30の熱は共通端子32
を介して伝えられ、電流制御用PTCサーミスタ31は
さらに加温されて温度が上昇する。このため、単独で動
作したときの平衡状態R1より高い抵抗値の平衡状態R2
に移行し、電流が流れにくくなり平衡点電流が小さくな
る。
In (b), A is a characteristic curve showing the resistance-temperature characteristic of the heating PTC thermistor 30, and B is a characteristic curve showing the resistance-temperature characteristic of the PTC thermistor 31 for current control. When an alternating current is applied in the circuit of FIG. 6, the PTC thermistors 30 and 31 generate heat by themselves and the temperature rises. The heat of the heating PTC thermistor 30 having a high heat generation temperature is transferred to the common terminal
, The current control PTC thermistor 31 is further heated and its temperature rises. Therefore, the balanced state R 2 having a higher resistance value than the balanced state R 1 when operated alone.
, The current becomes difficult to flow and the equilibrium point current decreases.

【0015】加熱用PTCサーミスタ30のスイッチン
グ温度及び平衡時の抵抗値は、電流制御用PTCサーミ
スタ31のスイッチング温度よりも熱を供給する目的の
ため高く設定されている。したがって、各々のスイッチ
ング温度TS及びRSは異なる値に設定されており、例え
ば加熱用PTCサーミスタ30のスイッチング温度T2
は130℃に、電流制御用PTCサーミスタ31のスイ
ッチング温度T1は50℃に設定されている。
The switching temperature of the heating PTC thermistor 30 and the resistance value at equilibrium are set higher than the switching temperature of the current control PTC thermistor 31 for the purpose of supplying heat. Therefore, the respective switching temperatures T S and R S are set to different values, for example, the switching temperature T 2 of the heating PTC thermistor 30.
Is set to 130 ° C., and the switching temperature T 1 of the current control PTC thermistor 31 is set to 50 ° C.

【0016】図6に複合型PTCサーミスタを使用した
消磁回路の構成を示すが、この消磁回路は交流電源40
に電流制御用PTCサーミスタ41と消磁コイル42と
を直列に接続し、この電流制御用PTCサーミスタ41
と消磁コイル42とが直列に接続されたものと並列に加
熱用PTCサーミスタ43が接続され、さらに消磁回路
をオン/オフするスイッチ44が付加されて構成されて
いる。
FIG. 6 shows a configuration of a degaussing circuit using a composite type PTC thermistor.
, A current control PTC thermistor 41 and a demagnetizing coil 42 are connected in series.
A heating PTC thermistor 43 is connected in parallel with the serial connection of the coil and the degaussing coil 42, and a switch 44 for turning on / off the degaussing circuit is added.

【0017】この消磁回路においては、消磁コイル42
に駆動電圧が印加されるときに交流電流が供給されてシ
ャドウマスクの消磁が行われ、加熱用PTCサーミスタ
43が発熱することにより電流制御用PTCサーミスタ
41がより高い温度に加熱され、その温度がスイッング
温度を越えると電流制御用PTCサーミスタ41に流れ
る交流電流が徐々に低下し、交流電流が平衡点電流にな
ると消磁動作が終了する。
In this degaussing circuit, the degaussing coil 42
When a drive voltage is applied to the AC power supply, an AC current is supplied to demagnetize the shadow mask, and the heating PTC thermistor 43 generates heat, thereby heating the current control PTC thermistor 41 to a higher temperature. When the switching temperature is exceeded, the AC current flowing through the current control PTC thermistor 41 gradually decreases, and when the AC current reaches the equilibrium point current, the degaussing operation ends.

【0018】ところで、共通端子32、バネ端子33,
34とPTCサーミスタ素子30,31との電気的接触
を良好にするためにPTC素子の両面に電極を形成した
ものがある。(a)に示すのは無電解メッキ法により、
PTCサーミスタ素子の両面にNi等の金属層2が形成
され、さらにその上に電極層をスクリーン印刷法によっ
てAg等からなる金属層7が形成されている。また、
(b)に示すのは電極層を溶射法によって形成したもの
であって、PTCサーミスタ素子1の両面にAlあるい
は真鍮等の金属層8が形成されている。
The common terminal 32, the spring terminal 33,
In some cases, electrodes are formed on both surfaces of the PTC element in order to improve the electrical contact between the PTC element 34 and the PTC thermistor elements 30 and 31. (A) shows an electroless plating method.
A metal layer 2 made of Ni or the like is formed on both surfaces of the PTC thermistor element, and a metal layer 7 made of Ag or the like is further formed on the electrode layer by screen printing. Also,
(B) shows an electrode layer formed by a thermal spraying method. A metal layer 8 such as Al or brass is formed on both surfaces of the PTC thermistor element 1.

【0019】このようにして形成される電極層は表面に
凹凸が発生することを避けることができない。そのた
め、加熱用PTCサーミスタ30と共通端子32及び共
通端子32と電流制御用PTCサーミスタ31の密着性
が悪く、共通端子32を介しての熱伝導が不十分になり
最終的な平衡点電流が所定の値まで下がらず、消磁が不
十分になることがある。
The surface of the electrode layer formed in this way cannot be prevented from being uneven. Therefore, the adhesion between the heating PTC thermistor 30 and the common terminal 32 and the adhesion between the common terminal 32 and the current control PTC thermistor 31 are poor, and the heat conduction via the common terminal 32 becomes insufficient, and the final equilibrium point current becomes a predetermined value. And the demagnetization may be insufficient.

【0020】電流制御用PTCサーミスタ31の最終的
な電流を所定の平衡点電流まで下げるために、加熱用P
TCサーミスタ30のスイッチング温度を上げる方法も
あるが、通常はケース35がプラスチックで構成されて
いるため耐熱性の面から限界がある。
In order to reduce the final current of the current control PTC thermistor 31 to a predetermined equilibrium point current, the heating PTC
Although there is a method of increasing the switching temperature of the TC thermistor 30, there is a limit in terms of heat resistance because the case 35 is usually made of plastic.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、PTCサー
ミスタ素子の表面に電極が形成された複合型PTCサー
ミスタにおいて、加熱用PTCサーミスタと共通端子間
及び電流制御用PTCサーミスタと共通端子間の熱伝導
を良好にすることにより平衡点電流及び動作時の消費電
力を低下させることを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a composite PTC thermistor in which electrodes are formed on the surface of a PTC thermistor element, wherein a heat is applied between a heating PTC thermistor and a common terminal and between a current controlling PTC thermistor and a common terminal. It is an object to reduce the equilibrium point current and the power consumption during operation by improving conduction.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願においては複合型PTCサーミスタに使用され
るPTCサーミスタに形成された電極の表面特に共通端
子に接触する面を平面研磨したものであり、すなわち
「表面に電極層を形成された加熱用正特性サーミスタと
電流制御用正特性サーミスタとからなり、加熱用正特性
サーミスタと前記電流制御用正特性サーミスタの間に配
置された電極面に接触する1個の共通端子と、加熱用正
特性サーミスタと前記電流制御用正特性サーミスタのう
ちの一方の電極面に接触する2個のバネ端子とを具えた
複合型正特性サーミスタ装置において、正特性サーミス
タの電極層の凹凸が10μm以下であることを特徴とす
る複合型正特性サーミスタ装置」であることを構成とす
る発明を提供する。
In order to solve the above-mentioned problems, in the present application, the surface of an electrode formed on a PTC thermistor used for a composite type PTC thermistor, particularly a surface in contact with a common terminal, is polished flat. Yes, that is, `` a positive temperature coefficient thermistor for heating and a current control positive temperature coefficient thermistor having an electrode layer formed on the surface, and an electrode surface disposed between the heating positive temperature coefficient thermistor and the current control positive temperature coefficient thermistor. In a combined type positive temperature coefficient thermistor device comprising one common terminal that contacts and two spring terminals that contact one electrode surface of the positive temperature coefficient thermistor for heating and one of the current control positive temperature coefficient thermistors, The invention provides a composite positive temperature coefficient thermistor device characterized in that the electrode layer of the characteristic thermistor has an unevenness of 10 μm or less.

【0023】[0023]

【作用】このような構成を有する本願発明において、加
熱用PTCサーミスタから発生した熱は平滑度が高く構
成された電極に接触している共通端子を介して効率的に
電流制御用PTCサーミスタに伝導される。
In the present invention having such a structure, the heat generated from the PTC thermistor for heating is efficiently transmitted to the PTC thermistor for current control via the common terminal in contact with the electrode having high smoothness. Is done.

【0024】[0024]

【実施例】実施例を説明する。図1に示すのは本願発明
の実施例であって、図5に示した従来のものと同様に
(a)に示すのは電極層を無電解メッキ後スクリーン印
刷法によって形成したもの、(b)に示すのは電極層を
溶射法によって形成したものである。(a)に示す無電
解メッキ法により、PTCサーミスタ素子の両面にNi
等の金属層2が形成され、さらにその上に電極層をスク
リーン印刷法によってAg等からなる金属層3が形成さ
れているが、この金属層3はもともとあった金属層4を
平面研磨することによって取り除いたものである。
An embodiment will be described. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, (a) shows an example in which an electrode layer is formed by electroless plating and then screen printing in the same manner as in the prior art shown in FIG. () Shows an electrode layer formed by a thermal spraying method. By the electroless plating method shown in (a), Ni is applied to both sides of the PTC thermistor element.
A metal layer 2 made of Ag or the like is further formed on the electrode layer by a screen printing method. Has been removed by

【0025】また、(b)に示す電極層を溶射法によっ
て形成したものは、PTCサーミスタ素子1の両面にA
lあるいは真鍮等の金属層5が形成されているが、この
金属層5ももともとあった金属層6を平面研磨すること
によって取り除いたものである。
In the case where the electrode layer shown in FIG. 2B is formed by the thermal spraying method, the PTC thermistor element 1 is provided with A
1 or a metal layer 5 of brass or the like is formed, and this metal layer 5 is also removed by polishing the metal layer 6 that was originally present.

【0026】図1に示す実施例においては、PTCサー
ミスタ素子の両面の電極を平面研磨しているが、熱伝導
に関与するのは共通電極が接触する面であるから、共通
電極が接触する面だけを平面研磨するようにすれば、加
工コストを下げることができる。
In the embodiment shown in FIG. 1, the electrodes on both surfaces of the PTC thermistor element are polished on a flat surface. If only the surface is polished, the processing cost can be reduced.

【0027】本願発明の実施例品と従来のものとを比較
した実験データを示す。実験には同一形状、同一特性の
電極付きPTCサーミスタ素子によって複合型PTCサ
ーミスタを構成し、本願発明実施例品は電極層を平面研
磨し、従来品は自然面のままにし、この複合型PTCサ
ーミスタを図6に示した消磁回路において、実効値電圧
100Vの交流電源に接続し、交流抵抗7.5Ωの消磁
コイルを接続して平衡点電流を測定した。
Experimental data comparing the product of the embodiment of the present invention with the conventional product are shown. In the experiment, a composite PTC thermistor was constructed using PTC thermistor elements with electrodes having the same shape and the same characteristics. In the degaussing circuit shown in FIG. 6, an equilibrium current was measured by connecting an AC power supply having an effective voltage of 100 V and a degaussing coil having an AC resistance of 7.5Ω.

【0028】実験には加熱用PTCサーミスタとして φ=11.0mm,t=2.5mm,Ts=120℃、 φ=10.5mm,t=2.3mm,Ts=130℃、 φ=11.0mm,t=2.3mm,Ts=140℃ のものを使用し、電流制御用PTCサーミスタとして φ=13.3mm,t=2.2mm,Ts=50℃、 φ=14.0mm,t=1.8mm,Ts=50℃ のものを使用し、平衡点電流は種々のものについて行っ
た。
In the experiment, φ = 11.0 mm, t = 2.5 mm, Ts = 120 ° C., φ = 10.5 mm, t = 2.3 mm, Ts = 130 ° C., φ = 11.0 mm as a heating PTC thermistor , T = 2.3 mm, Ts = 140 ° C., and as a PTC thermistor for current control φ = 13.3 mm, t = 2.2 mm, Ts = 50 ° C., φ = 14.0 mm, t = 1. 8 mm, Ts = 50 ° C. was used, and the equilibrium point current was measured for various types.

【0029】その結果を表1に、表1から計算した平衡
点電流の変化率を表2に、また電極面の凹凸差を表3に
示す。
The results are shown in Table 1, the rate of change of the equilibrium point current calculated from Table 1 is shown in Table 2, and the unevenness of the electrode surface is shown in Table 3.

【表1】 [Table 1]

【表2】 [Table 2]

【表3】 [Table 3]

【0030】表1から明らかなように、平衡点電流はP
TCサーミスタ素子の表面を研磨することにより減少
し、特に加熱用PTCサーミスタ素子と電流制御用PT
Cサーミスタ素子の両方を研磨加工したものにおいては
最大31.8%も減少した。また、加熱用PTCサーミ
スタ素子と電流制御用PTCサーミスタ素子のうちの一
方の電極面を研磨加工した場合には、加熱用PTCサー
ミスタ素子のみを研磨加工した場合の方が減少率が大き
い。
As is apparent from Table 1, the equilibrium point current is P
It is reduced by polishing the surface of the TC thermistor element, especially the PTC thermistor element for heating and the PT for current control.
Polishing both of the C thermistor elements reduced the maximum by 31.8%. Further, when one of the electrode surfaces of the heating PTC thermistor element and the current control PTC thermistor element is polished, the reduction rate is greater when only the heating PTC thermistor element is polished.

【0031】このことからPTCサーミスタ素子の表面
に平面研磨を施して凹凸差を小さくしたことにより加熱
用PTCサーミスタと電流制御用PTCサーミスタの熱
伝導効率が上昇し、電流制御用PTCサーミスタ素子の
平衡点抵抗が大きくなり平衡点電流を小さくすることが
できることが明かである。
From this fact, the surface of the PTC thermistor element is subjected to plane polishing to reduce the unevenness, so that the heat conduction efficiency of the heating PTC thermistor and the current control PTC thermistor is increased, and the balance of the current control PTC thermistor element is improved. It is clear that the point resistance increases and the equilibrium point current can be reduced.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように、平面研磨すること
により複合型PTCサーミスタの平衡点抵抗を高くし、
平衡点電流を小さくすることができる。平衡点電流値が
小さくなることは、CRTのシャドウマスクの残留磁荷
を小さくすることができるということであり、このこと
によりCRTの画像品質(色ずれ等)が向上する。また
大きい電流を短時間で小さくすることにより、ブラウン
管の画像出力も非常に短時間で安定する。
As described above, the plane-point polishing increases the equilibrium point resistance of the composite PTC thermistor.
The equilibrium point current can be reduced. The decrease in the equilibrium point current value means that the residual magnetic charge of the shadow mask of the CRT can be reduced, thereby improving the image quality (color shift and the like) of the CRT. Further, by reducing the large current in a short time, the image output of the cathode ray tube is stabilized in a very short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本願発明において用いるPTCサーミスタ素子
の構造図。
FIG. 1 is a structural diagram of a PTC thermistor element used in the present invention.

【図2】従来のPTCサーミスタ素子の構造図。FIG. 2 is a structural view of a conventional PTC thermistor element.

【図3】PTCサーミスタの構造図及び動作説明図。FIG. 3 is a structural diagram and an operation explanatory diagram of a PTC thermistor.

【図4】PTCサーミスタを用いた消磁回路図。FIG. 4 is a degaussing circuit diagram using a PTC thermistor.

【図5】複合型PTCサーミスタの構造図及び動作説明
図。
FIG. 5 is a structural diagram and an operation explanatory diagram of a composite PTC thermistor.

【図6】複合型PTCサーミスタを用いた消磁回路図。FIG. 6 is a degaussing circuit diagram using a composite PTC thermistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,10,21 PTCサーミスタ素子 2,3,4,5,6,7,8 金属層 21 PTCサーミスタ 11,12,33,34 バネ端子 13,35 ケース 20,40 交流電源 22 CRT 23,42 消磁コイル 24,44 スイッチ 30,43 加熱用PTCサーミスタ 31,41 電流制御用PTCサーミスタ 32 共通電極 1,10,21 PTC thermistor element 2,3,4,5,6,7,8 Metal layer 21 PTC thermistor 11,12,33,34 Spring terminal 13,35 Case 20,40 AC power supply 22 CRT 23,42 Demagnetization Coil 24,44 Switch 30,43 PTC thermistor for heating 31,41 PTC thermistor for current control 32 Common electrode

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 表面に電極層を形成された加熱用正特性
サーミスタと電流制御用正特性サーミスタとからなり、 前記加熱用正特性サーミスタと前記電流制御用正特性サ
ーミスタの間に配置された電極面に接触する1個の共通
端子と、 前記加熱用正特性サーミスタと前記電流制御用正特性サ
ーミスタのうちの一方の電極面に接触する2個のバネ端
子とを具えた複合型正特性サーミスタ装置において、 前記正特性サーミスタの電極層の凹凸が10μm以下で
あることを特徴とする複合型正特性サーミスタ装置。
1. A positive temperature coefficient thermistor for heating and a current control positive temperature coefficient thermistor having an electrode layer formed on its surface, and an electrode disposed between said heating positive temperature coefficient thermistor and said current control positive temperature coefficient thermistor. A composite positive temperature coefficient thermistor device comprising: one common terminal that contacts a surface; and two spring terminals that contact one electrode surface of the heating positive temperature coefficient thermistor and the current control positive temperature coefficient thermistor. 3. The composite positive temperature coefficient thermistor device according to claim 1, wherein the unevenness of the electrode layer of the positive temperature coefficient thermistor is 10 μm or less.
【請求項2】 正特性サーミスタの電極層で少なくとも
共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されている
ことを特徴とする請求項1記載の複合型正特性サーミス
タ装置。
2. The composite positive temperature coefficient thermistor device according to claim 1, wherein at least the electrode layer surface of the electrode layer of the positive temperature coefficient thermistor that is in contact with the common terminal is polished.
【請求項3】 加熱用正特性サーミスタの電極層のみが
平面研磨を施されていることを特徴とする請求項1又は
請求項2記載の複合型正特性サーミスタ装置。
3. The composite positive temperature coefficient thermistor device according to claim 1, wherein only the electrode layer of the positive temperature coefficient thermistor for heating is subjected to planar polishing.
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