JP2700655B2 - Photoresist composition - Google Patents
Photoresist compositionInfo
- Publication number
- JP2700655B2 JP2700655B2 JP63047570A JP4757088A JP2700655B2 JP 2700655 B2 JP2700655 B2 JP 2700655B2 JP 63047570 A JP63047570 A JP 63047570A JP 4757088 A JP4757088 A JP 4757088A JP 2700655 B2 JP2700655 B2 JP 2700655B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resist
- polymer
- siloxane polymer
- photoresist composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高精度に再現しうる酸素プラズマ耐性の高
いフオトレジスト組成物に関する。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a photoresist composition having high oxygen plasma resistance which can be reproduced with high accuracy.
従来、LSIの加工プロセスにおけるパターン形成には
高エネルギー線用のレジスト材料が用いられている。こ
の中でポジ形レジストとしてフツ素含有メタクリレート
系ポリマーが高感度（１×10-5C/cm2）であることがし
られている（特許第1034536号）。しかしながら、この
高感度なポジ形レジストにはLSI加工におけるプラズマ
加工耐性が低いという欠点がある。これに対し、高感度
でプラズマ加工耐性が高いレジストとして、ネガ形レジ
ストであるクロロメチル化ポリスチレン（CMS）が知ら
れている。（特許第1107695号）。しかし、このネガ形
レジストでは、膜厚が厚くなるに従い解像性が低下し、
微細なパターンを形成することができない。そこで、こ
の欠点を解決するために、レジストを１層ではなく多層
化することにより、膜厚が厚く、しかも微細な高形状比
パターンを形成する方法が提案されている。すなわち、
第一層目に薄膜のレジスト材料を形成したのち、この第
２層のレジスト材料に高エネルギーを照射し、現像後に
得られるパターンをマスクとして第１層の有機ポリマー
を酸素プラズマエツチング（O2RIE）で異方性エツチン
グすることによ、高形状比のパターンを得ようとするも
のである〔B.J.Lin,Solid State Technol.,24,73（198
1）〕。この方法においてはO2RIE耐性が高くなければな
らないので、このレジスト材料としてSiポリマーを用い
ることが提案されている。例えば、Hatzakisらはポリビ
ニルメチルシロキサンポリマーをネガ形レジストとして
用いてパターン形成を行つた 〔M.Hatzakis et al,Proc.Int.I.Conf.Microl−ithog
raphy（1981）〕。Conventionally, a resist material for high energy rays has been used for pattern formation in an LSI processing process. Among them, a fluorine-containing methacrylate polymer as a positive resist is known to have high sensitivity (1 × 10 −5 C / cm 2 ) (Japanese Patent No. 1034536). However, this highly sensitive positive resist has a drawback that plasma processing resistance in LSI processing is low. On the other hand, chloromethylated polystyrene (CMS), which is a negative resist, is known as a resist having high sensitivity and high plasma processing resistance. (Patent No. 1107695). However, in this negative resist, the resolution decreases as the film thickness increases,
A fine pattern cannot be formed. In order to solve this drawback, there has been proposed a method of forming a thick and fine pattern having a high shape ratio by making the resist multilayer instead of one layer. That is,
After forming a thin film resist material on the first layer, the resist material of the second layer is irradiated with high energy, and the organic polymer of the first layer is subjected to oxygen plasma etching (O 2 RIE) using a pattern obtained after development as a mask. ) To obtain a pattern with a high shape ratio by anisotropic etching [BJ Lin, Solid State Technol., 24 , 73 (198
1)]. Since this method must have high O 2 RIE resistance, it has been proposed to use a Si polymer as the resist material. For example, Hatzakis et al. Performed pattern formation using a polyvinylmethylsiloxane polymer as a negative resist (M. Hatzakis et al, Proc. Int. I. Conf. Microl-ithog
raphy (1981)].
しかし、このネガ形レジスト材料にはガラス転移温度
（Tg）が低いという問題がある。Tgが低い場合、そのレ
ジストには埃が付着しやすい、膜厚制御が困難、現像時
のパターン変形による現像性低下という問題が発生する
からである。However, this negative resist material has a problem that the glass transition temperature (Tg) is low. If the Tg is low, there is a problem that dust easily adheres to the resist, film thickness control is difficult, and developability is deteriorated due to pattern deformation during development.
このように、レジスト材料としては、Tgが高く、しか
もO2RIE耐性の高いものが必要である。Thus, a resist material having a high Tg and a high O 2 RIE resistance is required.
また高解像性パターン形成のためにはアルカリ現像タ
イプの非膨潤レジストが必要である。In order to form a high-resolution pattern, a non-swelling resist of an alkali developing type is required.
そこで、この発明にあつてはポリシロキサン構造を採
用してO2RIE耐性を高め、さらに側鎖にフエニル基を多
数導入してTgを高めたシリコーンポリマーを用いること
により、上記問題点を解決するようにした。Therefore, the present invention solves the above problems by using a polysiloxane structure to increase the O 2 RIE resistance and using a silicone polymer having a higher Tg by introducing a large number of phenyl groups into the side chain. I did it.
本発明は下記一般式〔Ｉ〕および〔II〕 但し、Ｘは （Ｒは炭化水素あるいは置換炭化水素を示す。）であ
り、同じでも異なってもよく、R1、R2、R3、R4およびR5
は同一または異なり、水素、置換または無置換のアルキ
ル基、置換または無置換のフェニル基、水酸基およびト
リアルキルシロキシ基よりなる群から選ばれる一種の基
を示す。ｌ、ｍ、ｎ及びｐは０または正の整数を示す
が、同時に０であることはなく、R1、R2、R3、R4および
R5のうちの少なくとも一種の基は水酸基であり、また、
ｌ＝ｍ＝０の時、R2、R3、R4およびR5で示される少なく
とも一種の基は水酸基であり、かつR2、R3、R4およびR5
で示される少なくとも一種の基はフエニル基である）、
で表される単位の少なくとも１つを分子中に含むアルカ
リ可溶性シロキサンポリマーの水酸基にキノンジアジド
化合物を縮合させた感光性シロキサンポリマーを含むこ
とを特徴とするフオトレジスト組成物である。The present invention relates to the following general formulas (I) and (II) Where X is (R represents a hydrocarbon or a substituted hydrocarbon), which may be the same or different, and R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5
Is the same or different and represents a group selected from the group consisting of hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted phenyl group, a hydroxyl group and a trialkylsiloxy group. l, m, n and p each represent 0 or a positive integer, but are not 0 at the same time, and R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and
At least one group of R 5 is a hydroxyl group, and
When l = m = 0, R 2 , R 3, at least one group represented by R 4 and R 5 are hydroxyl, and R 2, R 3, R 4 and R 5
At least one group represented by is a phenyl group),
A photosensitive siloxane polymer obtained by condensing a quinonediazide compound with a hydroxyl group of an alkali-soluble siloxane polymer containing at least one unit represented by the following formula in the molecule:
以下、本発明のフオトレジスト組成物について詳細に
説明する。Hereinafter, the photoresist composition of the present invention will be described in detail.
上記の本発明における感光性ポリシロキサンは、それ
自体バインダーとしての役をはたすので、本発明のフオ
トレジスト組成物は上記感光性ポリシロキサン単独でも
よく、また、必要に応じて他の感光性成分及び／又はバ
インダーを含んでもよい。Since the photosensitive polysiloxane in the present invention itself serves as a binder, the photoresist composition of the present invention may be the photosensitive polysiloxane alone, and may contain other photosensitive components as necessary. And / or may include a binder.
なお、上記〔Ｉ〕及び〔II〕式中、R1〜R5で表される
置換アルキル基の例としてはフエニルアルキル基等があ
り、置換フエニル基の例としてはアルキルフエニル基、
アルコキシフエニル基等がある。In the above formulas (I) and (II), examples of the substituted alkyl group represented by R 1 to R 5 include a phenylalkyl group and the like, and examples of the substituted phenyl group include an alkylphenyl group,
And an alkoxyphenyl group.
また、ＸにおけるＲで示される炭化水素基としては、
例えばアルキル基（メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、等）やアラルキル基（ベンジル、フエネチル
等）があげられる。Further, as the hydrocarbon group represented by R in X,
Examples include an alkyl group (methyl, ethyl, propyl, isopropyl, etc.) and an aralkyl group (benzyl, phenethyl, etc.).
本発明の感光性ポリシロキサンは、一般式〔Ｉ〕及び
〔II〕で表される単位を少なくとも１つ有するシロキサ
ンポリマーとキノンジアジド化合物を公知の方法で反応
（縮合）させることによつて容易に合成することができ
る。The photosensitive polysiloxane of the present invention can be easily synthesized by reacting (condensing) a siloxane polymer having at least one unit represented by formulas [I] and [II] with a quinonediazide compound by a known method. can do.
上記一般式〔Ｉ〕及び／又は〔II〕の単位を含むシロ
キサンポリマーは、ポリマーの主鎖がポリシロキサンの
構造であることからO2RIE耐性が非常に高く微細で高ア
スペクト比のパターン形成に有利である。またポリシロ
キサン構造であるにもかかわらずフエニル基が側鎖に多
く存在するため、Tgが室温以上でありレジストとして使
用できる。The siloxane polymer containing the units of the general formulas (I) and / or (II) has a very high O 2 RIE resistance because of the polysiloxane structure of the main chain of the polymer, and is suitable for forming a fine pattern having a high aspect ratio. It is advantageous. Also, despite the polysiloxane structure, a large number of phenyl groups are present in the side chain, so that Tg is higher than room temperature and can be used as a resist.
キノンジアジド基が導入された本発明の感光性シロキ
サンポリマーはアルカリ水溶液に不溶であるが、紫外線
の照射により相応するキノンジアジド基がインデンカル
ボン酸に変化するため、アルカリ水溶液に可溶となる。
すなわち、照射部がアルカリ現像で除去されるためポジ
型レジスト特性を示す。The photosensitive siloxane polymer of the present invention into which a quinonediazide group has been introduced is insoluble in an alkaline aqueous solution, but becomes soluble in an alkaline aqueous solution because the corresponding quinonediazide group changes to indenecarboxylic acid by irradiation with ultraviolet rays.
That is, since the irradiated portion is removed by alkali development, the resist shows a positive resist characteristic.
本発明で用いる一般式Ｉで示される単位を含むシロキ
サンポリマーの製造法としては、ヘキサフエニルシクロ
トリシロキサン、オクタフエニルシクロテトラシロキサ
ンなど環状フエニルシロキサンを水酸化カリウムなどの
アルカリ金属の水酸化物やブチルリチウムなどのアルカ
リ金属のアルキル化物で開環重合させ、得られたポリジ
フエニルシロキサンを変性する方法がある。As a method for producing a siloxane polymer containing a unit represented by the general formula I used in the present invention, a cyclic phenylsiloxane such as hexaphenylcyclotrisiloxane and octaphenylcyclotetrasiloxane is converted to an alkali metal hydroxide such as potassium hydroxide. -Opening polymerization with a product or an alkylated product of an alkali metal such as butyl lithium to modify the obtained polydiphenylsiloxane.
また、他の方法として環状フエニルシロキサン単独で
はなく、テトラメチルテトラフエニルシクロテトラシロ
キサンやオクタメチルシクロテトラシロキサンなどと共
重合させてもよい。また、特に高解像度のパターンを形
成したい場合には、分子量のそろつた単分散ポリマーが
好ましいが、シクロシロキサンは、ブチルリチウム等の
触媒でアニオンリビング重合をさせ、得られたポリマー
をを変性することにより所望の単分散ポリマーを得るこ
とができる。As another method, copolymerization with tetramethyltetraphenylcyclotetrasiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, or the like may be used instead of cyclic phenylsiloxane alone. In particular, when a high-resolution pattern is to be formed, a monodisperse polymer having a uniform molecular weight is preferable, but cyclosiloxane is an anion living polymerized with a catalyst such as butyllithium to modify the obtained polymer. Thus, a desired monodispersed polymer can be obtained.
本発明で用いる一般式〔II〕で示される単位か一般式
〔Ｉ〕及び〔II〕で示される両単位を含むシロキサンポ
リマーの製造法としては （ＺはOCH3）で表されるシラン化合物を加水分解するこ
とにより容易に得られるフエニルシルセスキオキサンポ
リマーを変性する方法がある。The method for producing a siloxane polymer containing a unit represented by the general formula [II] or both units represented by the general formulas [I] and [II] used in the present invention includes: There is a method of modifying a phenylsilsesquioxane polymer easily obtained by hydrolyzing a silane compound represented by (Z is OCH 3 ).
本発明で用いるシロキサンボリマーと縮合させるキノ
ンジアジド化合物としては、1,2−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルフオニルクロリド、1,2−ナフトキノンジ
アジド−５−スルフオニルクロリドまたは1,2−ベンゾ
キノンジアジド−４−スルフオニルクロリドが挙げられ
る。Examples of the quinonediazide compound to be condensed with the siloxane polymer used in the present invention include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonylchloride and 1,2-benzoquinonediazide-. 4-sulfonyl chloride.
上記シロキサンポリマーの製造や縮合反応に使用され
る有機溶剤としては、例えば、セルソルブアセテート、
ジエチレン、グリコールモノエーテル、ジエチレングリ
コールジエーテル、メチルプロピレングリコール、メチ
ルプロピレングリコールアセテート、メチルイソブチル
ケトン、乳酸エチル酢酸ブチル、酢酸イソアミル、炭酸
プロピレン、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリド
ン等を挙げることができ、単独でも２種以上併用しても
使用することができる。Examples of the organic solvent used for the production and the condensation reaction of the siloxane polymer include, for example, cellosolve acetate,
Diethylene, glycol monoether, diethylene glycol diether, methyl propylene glycol, methyl propylene glycol acetate, methyl isobutyl ketone, ethyl butyl acetate, butyl acetate, isoamyl acetate, propylene carbonate, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone, etc. However, two or more kinds can be used in combination.
さらに、本発明のフオトレジスト組成物には、必要に
応じて増感剤、保存安定剤、染料、界面活性剤等を添加
することができる。Further, a sensitizer, a storage stabilizer, a dye, a surfactant and the like can be added to the photoresist composition of the present invention, if necessary.
次に、本発明のフオトレジスト組成物を用いて、パタ
ーンを形成する方法を説明する。Next, a method for forming a pattern using the photoresist composition of the present invention will be described.
まず、シリコンなどの基板上に有機高分子材料の膜を
形成し、その上に本発明のフオトレジスト組成物を塗布
して二層構造とする。ついで、熱処理した後、光照射し
て照射部分のみを現像溶媒に可溶の形とし、次いで現像
により照射部のフオトレジスト組成物を除去する。つづ
いて、非照射部分のフオトレジスト組成物をマスクとし
て、酸素ガスを用いるドライエツチングによつて下層の
有機高分子材料をエツチング除去することによりパター
ンを形成する。上記有機高分子材料としては、酸素プラ
ズマによりエツチングされるものであれば何れのもので
もよいが、パターン形成後、これをマスクとして基板を
ドライエツチングする際、耐性を高めるため芳香族含有
ポリマーが望ましい。First, a film of an organic polymer material is formed on a substrate such as silicon, and the photoresist composition of the present invention is applied thereon to form a two-layer structure. Next, after the heat treatment, light irradiation is performed to make only the irradiated portion soluble in a developing solvent, and then the photoresist composition in the irradiated portion is removed by development. Subsequently, using the photoresist composition of the non-irradiated portion as a mask, the organic polymer material of the lower layer is removed by dry etching using oxygen gas to form a pattern. As the organic polymer material, any material may be used as long as it can be etched by oxygen plasma. However, after pattern formation, when dry etching the substrate using this as a mask, an aromatic-containing polymer is desirable to increase resistance. .
以下、本発明の実施例を、本発明で用いるシロキサン
ポリマー及び感光性シロキサンポリマーの製造例と共に
示すが、本発明はこれに限定されることはない。Hereinafter, Examples of the present invention will be shown together with Production Examples of the siloxane polymer and the photosensitive siloxane polymer used in the present invention, but the present invention is not limited thereto.
（製造例１） かき混ぜ機、温度計、滴下漏戸をつけた300mlのフラ
スコに無水塩化アルミニウム15g、塩化アセチル50mlを
とり攪拌する。次に分子量7800のポリフエニルシルセス
キオキサン5gを塩化アセチル50mlに溶かした溶液を徐々
に滴下する。温度を25℃に保ち反応を進める。反応の進
行とともに塩化水素が発生する。３時間反応後冷却して
内容物を塩酸を含む氷水中に注ぐ。よくかき混ぜて塩化
アルミニウムを分解し、氷水が酸性であることを確かめ
てから沈澱したポリマを濾別する。希塩酸−水でよく洗
い、最後に真空乾燥器で乾燥する。得られたポリマの分
子量は7900であつた。赤外線吸収スペクトルでは1670cm
-1にカルボニル基の吸収が、NMRでδ＝2.4にメチル基の
吸収がみられ、アセチル化合物されたことが確認でき
た。この時のアセチル化率はNMRから60％であつた。(Production Example 1) 15 g of anhydrous aluminum chloride and 50 ml of acetyl chloride were placed in a 300 ml flask equipped with a stirrer, a thermometer, and a dropper, and stirred. Next, a solution in which 5 g of polyphenylsilsesquioxane having a molecular weight of 7800 is dissolved in 50 ml of acetyl chloride is gradually added dropwise. Keep the temperature at 25 ° C and proceed with the reaction. Hydrogen chloride is generated as the reaction proceeds. After the reaction for 3 hours, the mixture is cooled and the contents are poured into ice water containing hydrochloric acid. Stir well to decompose the aluminum chloride, make sure the ice water is acidic, and filter off the precipitated polymer. Wash well with dilute hydrochloric acid-water and finally dry in a vacuum dryer. The molecular weight of the obtained polymer was 7,900. 1670cm in infrared absorption spectrum
The absorption of a carbonyl group was observed at -1 and the absorption of a methyl group was observed at δ = 2.4 by NMR, confirming that the compound was an acetyl compound. The acetylation rate at this time was 60% from NMR.
（製造例２） かき混ぜ機，温度計、滴下漏戸をつけた300mlのフラ
スコに塩化第二すず25ml、無水酢酸50mlをとり攪拌す
る。つぎにジフエニルシランジオール6gを無水酢酸50ml
に溶かした溶液で徐々に滴下する。以下製造例１と同様
な方法でアセチル化ポリシロキサンを得た。得られたポ
リマの分子量は1500であり、アセチル化率は42％であつ
た。(Production Example 2) In a 300 ml flask equipped with a stirrer, a thermometer and a dropping funnel, 25 ml of tin stannic chloride and 50 ml of acetic anhydride were placed and stirred. Next, 6 g of diphenylsilanediol was added to 50 ml of acetic anhydride.
The solution is slowly added dropwise. Thereafter, an acetylated polysiloxane was obtained in the same manner as in Production Example 1. The molecular weight of the obtained polymer was 1500 and the acetylation ratio was 42%.
（製造例３） 製造例１においてポリフエニルシルセスキオキサンの
代りに環状シロキサンの開環重合で得られたポリジフエ
ニルシロキサン（分子量１万）を用いて、同じ方法でア
セチル化ポリジフエニルシロキサンを得た。(Production Example 3) Acetylized polydiphenylsiloxane was produced in the same manner as in Production Example 1, except that polydiphenylsiloxane (molecular weight: 10,000) obtained by ring-opening polymerization of a cyclic siloxane was used instead of polyphenylsilsesquioxane. I got
（製造例４） 製造例１において、塩化アセチルの代りに塩化プロピ
オニルを用いて同じ方法によりプロピオニル化ポリフエ
ニルシルセスキオキサンを得た。(Production Example 4) Propionylated polyphenylsilsesquioxane was obtained in the same manner as in Production Example 1, except that propionyl chloride was used instead of acetyl chloride.
（製造例５） 製造例３において、塩化アセチルの代りに塩化プロピ
オニルを用いて同じ方法によりプロピオニル化ポリフエ
ニルシロキサンを得た。(Production Example 5) Propionylated polyphenylsiloxane was obtained in the same manner as in Production Example 3, except that propionyl chloride was used instead of acetyl chloride.
（製造例６） 製造例１で得られたアセチル化シロキサンポリマー4.
4gと1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルフオニルク
ロリド10.8gをジオキサン90gに溶解し、これを攪拌しな
がら40℃で炭酸ナトリウムの10％水溶液40gを徐々に加
える。それを約２時間攪拌すると粘りのある油状物が沈
澱する。この溶液の上澄みを傾斜法で除き、約10倍量の
水を加えて激しく攪拌すると、油状物は粉末状となる。
それを、濾別して、得られた沈澱物をメタノールで良く
洗い、真空乾燥を行なつて、目的とするレジスト材を得
た。(Production Example 6) The acetylated siloxane polymer obtained in Production Example 1 4.
4 g and 10.8 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride are dissolved in 90 g of dioxane, and 40 g of a 10% aqueous solution of sodium carbonate is gradually added at 40 ° C. with stirring. When it is stirred for about 2 hours, a sticky oil precipitates. The supernatant of this solution is removed by a gradient method, and about 10 times the amount of water is added and the mixture is vigorously stirred, so that the oily substance becomes a powder.
It was separated by filtration, and the obtained precipitate was thoroughly washed with methanol and dried under vacuum to obtain a desired resist material.
（製造例７〜10） 製造例８において、製造例１で得られたポリマーの代
わりに、製造例２〜５で得られたポリマーを用いて同じ
方法でシロキサンポリマーのキノンジアジド系化合物の
縮合物を得た。(Production Examples 7 to 10) In Production Example 8, using the polymer obtained in Production Examples 2 to 5 in place of the polymer obtained in Production Example 1, a condensate of a quinonediazide compound of a siloxane polymer was produced in the same manner. Obtained.
（実施例１） 製造例６〜10で得られた感光性シロキサンポリマーを
約0.2μｍ厚さでシリコンウエハに塗布し、80℃で20分
間プリペークした。プリベーク後キヤノン社製のマスク
アライナ（PLA−501F）を用いて紫外線露光した。露光
後、現像液（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド1.
5重量％水溶液）で現像し、照射部の残膜が０となると
ころの照射量を感度とした。(Example 1) The photosensitive siloxane polymer obtained in Production Examples 6 to 10 was applied to a silicon wafer with a thickness of about 0.2 µm, and pre-baked at 80 ° C for 20 minutes. After pre-baking, the substrate was exposed to ultraviolet light using a mask aligner (PLA-501F) manufactured by Canon Inc. After exposure, a developer (tetramethylammonium hydroxide 1.
(5% by weight aqueous solution), and the irradiation amount where the residual film of the irradiated portion becomes 0 was regarded as the sensitivity.
表１に感度と解像性を示す。解像性はライン＆スペー
スパターンを形成して評価し、いずれの材料も0.5μｍ
幅のパターンが形成できた。Table 1 shows the sensitivity and resolution. The resolution was evaluated by forming a line & space pattern, and each material was 0.5 μm
A pattern having a width was formed.
（実施例２） シリコンウエハにHPR−206レジスト（ハント社性）を
２μｍの厚さに塗布し、200℃で30分間加熱し不溶化さ
せた。このHPRレジストの上に実施例１で用いたレジス
ト材料を実施例１と同様の操作で約0.2μｍの厚さに塗
布し、80℃で20分間プリベークした。プリベーク後、実
施例１と同様の紫外線照射と現像を行つたところマスク
のパターンがHPRレジスト上に転写された。その後、平
行平板型スパツタエツチング装置で酸素ガスをエツチヤ
ントガスとしてレジストパターンをマスクとしてHPRレ
ジストをエツチングした。(Example 2) An HPR-206 resist (manufactured by Hunt) was applied to a silicon wafer to a thickness of 2 µm, and heated at 200 ° C for 30 minutes to insolubilize. The resist material used in Example 1 was applied to a thickness of about 0.2 μm on the HPR resist in the same manner as in Example 1, and prebaked at 80 ° C. for 20 minutes. After pre-baking, the same ultraviolet irradiation and development as in Example 1 were performed, and the pattern of the mask was transferred onto the HPR resist. Thereafter, an HPR resist was etched using a resist pattern as a mask with an oxygen gas as an etching gas using a parallel plate type sputtering apparatus.
RFパワー0.2W/cm2、O2ガス圧20ミリトルの条件で15分
間エツチングすることによりレジストパターンに覆われ
ていない部分のHPRレジストは完全に消失した。By etching for 15 minutes under the conditions of RF power of 0.2 W / cm 2 and O 2 gas pressure of 20 mTorr, the HPR resist not covered by the resist pattern was completely disappeared.
実施例１で用いたいずれのレジスト材料でも0.5μｍ
ライン＆スペースのパターンが約２μｍの厚さで形成で
きた。0.5 μm for any resist material used in Example 1.
A line & space pattern was formed with a thickness of about 2 μm.
〔発明の効果〕 以上説明したように、アルカリ可溶性のシロキサンポ
リマーにキノンジアジド系化合物を縮合した感光性シロ
キサンポリマーよりなる本発明のフオトレジスト組成物
は紫外線に対し高感度のポジ形フオトレジストとなる。
また、シリコンを含有するため酸素プラズマ耐性が高
く、２層レジストの上層レジストとして使用できる。 [Effects of the Invention] As described above, the photoresist composition of the present invention comprising a photosensitive siloxane polymer obtained by condensing a quinonediazide-based compound with an alkali-soluble siloxane polymer becomes a positive photoresist having high sensitivity to ultraviolet rays.
Also, since it contains silicon, it has high oxygen plasma resistance and can be used as an upper layer resist of a two-layer resist.
したがつて、アルカリ現像が可能でありさらに２層レ
ジストに使用できるため、従来のレジスト材料では達成
できなかつた0.5μｍ以下の微細パターンが高アスペク
ト比で形成できる利点がある。Therefore, since alkali development is possible and can be used for a two-layer resist, there is an advantage that a fine pattern of 0.5 μm or less, which cannot be achieved by a conventional resist material, can be formed with a high aspect ratio.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今村 三郎 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 田中 啓順 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−212645（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−143538（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−231250（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Saburo Imamura 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Keisuke Tanaka 1-16-1 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (56) References JP-A-62-212645 (JP, A) JP-A-63-143538 (JP, A) JP-A-62-231250 (JP, A)
Claims (1)
り、同じでも異なってもよく、R1、R2、R3、R4およびR5
は同一または異なり、水素、置換または無置換のアルキ
ル基、置換または無置換のフェニル基、水酸基およびト
リアルキルシロキシ基よりなる群から選ばれる一種の基
を示す。ｌ、ｍ、ｎ及びｐは０または正の整数を示す
が、同時に０であることはなく、R1、R2、R3、R4および
R5のうちの少なくとも一種の基は水酸基であり、また、
ｌ＝ｍ＝０の時、R2、R3、R4およびR5のうちの少なくと
も一種の基は水酸基であり、かつR2、R3、R4およびR5の
うちの少なくとも一種の基はフェニル基である｝で表さ
れる単位の少なくとも１つを分子中に含むアルカリ可溶
性シロキサンポリマーの水酸基に、キノンジアジド化合
物を縮合させた感光性シロキサンポリマーを含むことを
特徴とするフォトレジスト組成物。1. The following general formulas [I] and [II] ｛However, X is (R represents a hydrocarbon or a substituted hydrocarbon), which may be the same or different, and R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5
Is the same or different and represents a group selected from the group consisting of hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted phenyl group, a hydroxyl group and a trialkylsiloxy group. l, m, n and p each represent 0 or a positive integer, but are not 0 at the same time, and R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and
At least one group of R 5 is a hydroxyl group, and
When l = m = 0, R 2 , R 3, at least one of the radicals R 4 and R 5 are hydroxyl, and wherein at least one of the radicals R 2, R 3, R 4 and R 5 Is a photoresist composition comprising a photosensitive siloxane polymer obtained by condensing a quinonediazide compound with a hydroxyl group of an alkali-soluble siloxane polymer containing at least one unit represented by｝ as a phenyl group in a molecule.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63047570A JP2700655B2 (en) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | Photoresist composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63047570A JP2700655B2 (en) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | Photoresist composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01222254A JPH01222254A (en) | 1989-09-05 |
| JP2700655B2 true JP2700655B2 (en) | 1998-01-21 |
Family
ID=12778894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63047570A Expired - Fee Related JP2700655B2 (en) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | Photoresist composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2700655B2 (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0365881A3 (en) * | 1988-10-28 | 1990-07-11 | International Business Machines Corporation | Composition capable of being imaged and use of such a composition |
| EP0568476B1 (en) * | 1992-04-30 | 1995-10-11 | International Business Machines Corporation | Silicon-containing positive resist and method of using the same in thin film packaging technology |
| JP2547944B2 (en) * | 1992-09-30 | 1996-10-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | Method of forming sub-half micron pattern by optical lithography using a bilayer resist composition |
| JP4270708B2 (en) | 1999-04-23 | 2009-06-03 | 富士通株式会社 | Silicon-containing polymer, method for producing the same, resist composition using the same, pattern forming method, and method for producing electronic device |
| JP2007293160A (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Asahi Kasei Corp | Photosensitive cage-like silsesquioxane compound |
| US9989852B2 (en) * | 2013-07-02 | 2018-06-05 | Toray Industries, Inc. | Positive photosensitive resin composition, cured film formed by curing same, and optical device equipped with same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62212645A (en) * | 1986-03-14 | 1987-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Resist material |
| JPS63143538A (en) * | 1986-12-08 | 1988-06-15 | Toshiba Corp | Photosensitive composition |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP63047570A patent/JP2700655B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01222254A (en) | 1989-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2608429B2 (en) | Pattern forming material and pattern forming method | |
| KR101799260B1 (en) | Positive photosensitive siloxane composition | |
| JPH09302221A (en) | Positive photosensitive resin composition | |
| JP2646289B2 (en) | Resist composition | |
| JP2507481B2 (en) | Polysilane and photosensitive composition | |
| KR20140104355A (en) | Negative-type photosensitive siloxane composition | |
| KR20080110537A (en) | Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulation film and microlens, and process for producing them | |
| JPH0623841B2 (en) | Photoresist composition | |
| JP3376629B2 (en) | Photosensitive resin composition and pattern forming method using the same | |
| JP2700655B2 (en) | Photoresist composition | |
| EP0745633B1 (en) | Si containing high molecular compound and photosensitive resin composition | |
| JPH11130860A (en) | Polymer containing silicon and resist composition using the same and formation of resist pattern | |
| JPS63292128A (en) | Silyl poly (vinyl) phenol photoresist | |
| JPH083637B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
| JPH0769609B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
| KR100769232B1 (en) | Radiation-sensitive composition and method for forming pattern using this | |
| KR910005031B1 (en) | Photo sensitive composition | |
| JP2646241B2 (en) | Photoresist composition | |
| JP2573996B2 (en) | Pattern forming material | |
| JPH063548B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
| JPH0232354A (en) | Photosensitive resin composition | |
| JP4325159B2 (en) | Naphthoquinone diazide sulfonic acid ester, positive photosensitive resin composition and semiconductor device using the same | |
| JPH0684432B2 (en) | Polysilane and photosensitive composition using the same | |
| JPH0527441A (en) | Photo-or radiation-sensitive composition, pattern forming method, production of photomask, and production of semiconductor device | |
| JP3028648B2 (en) | Positive resist composition and pattern forming method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |