JP2691518B2 - Ｓｑｕｉｄ磁束計 - Google Patents
Ｓｑｕｉｄ磁束計Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＱＵＩＤ（Supercon
ducting Quantum Interference Device ：超伝導量子干
渉デバイス）を使用して磁場を計測するＳＱＵＩＤ磁束
計に関し、特に、ＳＱＵＩＤを複数個接続したＳＱＵＩ
Ｄアレイを用いたＳＱＵＩＤ磁束計に関する。ここに、
ＳＱＵＩＤとは、液体ヘリウムや液体窒素等により断熱
容器（クライオスタット等）内で低温状態に維持され、
ループ内にジョセフソン接合を含む超伝導ループである
ＳＱＵＩＤループに直流電流をバイアス電流として印加
して駆動し、このＳＱＵＩＤループ内に、ピックアップ
コイルや入力コイル等を介して、あるいは直接外部から
の磁束を結合して印加すると、ＳＱＵＩＤループに周回
電流が誘起され、ループ内のジョセフソン接合における
量子的な干渉効果により、印加された外部磁束の微弱な
変化を出力電圧の大きな変化に変換するトランスデュー
サとして動作することを利用して、微小磁束変化を測定
する素子である。
ducting Quantum Interference Device ：超伝導量子干
渉デバイス）を使用して磁場を計測するＳＱＵＩＤ磁束
計に関し、特に、ＳＱＵＩＤを複数個接続したＳＱＵＩ
Ｄアレイを用いたＳＱＵＩＤ磁束計に関する。ここに、
ＳＱＵＩＤとは、液体ヘリウムや液体窒素等により断熱
容器（クライオスタット等）内で低温状態に維持され、
ループ内にジョセフソン接合を含む超伝導ループである
ＳＱＵＩＤループに直流電流をバイアス電流として印加
して駆動し、このＳＱＵＩＤループ内に、ピックアップ
コイルや入力コイル等を介して、あるいは直接外部から
の磁束を結合して印加すると、ＳＱＵＩＤループに周回
電流が誘起され、ループ内のジョセフソン接合における
量子的な干渉効果により、印加された外部磁束の微弱な
変化を出力電圧の大きな変化に変換するトランスデュー
サとして動作することを利用して、微小磁束変化を測定
する素子である。
【０００２】
【従来の技術】従来、２個のジョセフソン接合を含むｄ
ｃＳＱＵＩＤを用いた磁束計としては、低温環境（冷却
系）を維持するための冷却剤である液体ヘリウムを貯め
ておく断熱格納容器であるデュワー（又はクライオスタ
ット）と、液体ヘリウム中で動作するＳＱＵＩＤプロー
ブと、室温で動作するアンプ（増幅器）及びコントロー
ラを備えて構成され、液体ヘリウム中のＳＱＵＩＤプロ
ーブと室温のアンプとは同軸ケーブルもしくはツイスト
ケーブル等で接続されて構成されたものが知られてい
る。このようなＳＱＵＩＤ磁束計は磁束分解能が１０-5
φo ／Ｈｚ1/2 （左式においてφo は磁束量子を示す）
と、非常に高感度であり、また、ＳＱＵＩＤの応答は非
常に早く、数GHz （ギガヘルツ）ないし数１０GHz で動
作するのが特徴である。
ｃＳＱＵＩＤを用いた磁束計としては、低温環境（冷却
系）を維持するための冷却剤である液体ヘリウムを貯め
ておく断熱格納容器であるデュワー（又はクライオスタ
ット）と、液体ヘリウム中で動作するＳＱＵＩＤプロー
ブと、室温で動作するアンプ（増幅器）及びコントロー
ラを備えて構成され、液体ヘリウム中のＳＱＵＩＤプロ
ーブと室温のアンプとは同軸ケーブルもしくはツイスト
ケーブル等で接続されて構成されたものが知られてい
る。このようなＳＱＵＩＤ磁束計は磁束分解能が１０-5
φo ／Ｈｚ1/2 （左式においてφo は磁束量子を示す）
と、非常に高感度であり、また、ＳＱＵＩＤの応答は非
常に早く、数GHz （ギガヘルツ）ないし数１０GHz で動
作するのが特徴である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のＳ
ＱＵＩＤ磁束計においては、磁束分解能が非常に高感度
であるため、外来ノイズや誘導ノイズに弱い、という欠
点があった。また、ＳＱＵＩＤは、通常、「ＦＬＬ：Fl
ux Locked Loop（磁束ロックループ）」と呼ばれる線形
動作のためのフィードバック回路を設けて「ゼロ位法」
が成立するように制御される。ＦＬＬとは、ＳＱＵＩＤ
出力を増幅するとともにそのＳＱＵＩＤ出力を磁束の形
でループ回路状にＳＱＵＩＤリングに帰還させる方法で
ある。この方法により、ＳＱＵＩＤリング内の磁束が特
定の値に保持（磁束ロック）されるため、ＳＱＵＩＤリ
ング内は磁束が特定の値（動作点）に保たれ、この動作
点からの変位磁束に対してＳＱＵＩＤは電圧を発生する
ことになる。この場合、ＦＬＬ回路が追随できないよう
な大振幅又は高速の外来磁気ノイズがＳＱＵＩＤに加わ
ったり、ＦＬＬ回路内に電気的なパルスノイズが加わる
と、ＦＬＬループの動作点が外れ（「ロック外れ」とい
う。）、その後の線形動作が阻害される、という欠点が
あった。
ＱＵＩＤ磁束計においては、磁束分解能が非常に高感度
であるため、外来ノイズや誘導ノイズに弱い、という欠
点があった。また、ＳＱＵＩＤは、通常、「ＦＬＬ：Fl
ux Locked Loop（磁束ロックループ）」と呼ばれる線形
動作のためのフィードバック回路を設けて「ゼロ位法」
が成立するように制御される。ＦＬＬとは、ＳＱＵＩＤ
出力を増幅するとともにそのＳＱＵＩＤ出力を磁束の形
でループ回路状にＳＱＵＩＤリングに帰還させる方法で
ある。この方法により、ＳＱＵＩＤリング内の磁束が特
定の値に保持（磁束ロック）されるため、ＳＱＵＩＤリ
ング内は磁束が特定の値（動作点）に保たれ、この動作
点からの変位磁束に対してＳＱＵＩＤは電圧を発生する
ことになる。この場合、ＦＬＬ回路が追随できないよう
な大振幅又は高速の外来磁気ノイズがＳＱＵＩＤに加わ
ったり、ＦＬＬ回路内に電気的なパルスノイズが加わる
と、ＦＬＬループの動作点が外れ（「ロック外れ」とい
う。）、その後の線形動作が阻害される、という欠点が
あった。
【０００４】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであり、耐ノイズ性能及びダイナミックレ
ンジ特性を向上させうるＳＱＵＩＤ磁束計を提供するこ
とを目的とする。
なされたものであり、耐ノイズ性能及びダイナミックレ
ンジ特性を向上させうるＳＱＵＩＤ磁束計を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１記載の発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、ｄ
ｃＳＱＵＩＤがｎ個直列に接続されたＳＱＵＩＤアレイ
と、ｎ個（ｎ：ｎ≧２なる正の整数）の同一結合容量の
負帰還コイルが直列に接続されるとともにその両端が前
記ＳＱＵＩＤアレイの出力端子に接続された負帰還コイ
ルアレイと、前記ＳＱＵＩＤアレイの出力端子の一方と
前記負帰還コイルアレイの一端との間に接続され前記負
帰還の量を制御する負帰還抵抗と、を備え、前記負帰還
コイルアレイの各負帰還コイルは、前記各ｄｃＳＱＵＩ
Ｄに均等な負帰還を与えるように構成される。また、請
求項２記載の発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、前記ｄｃ
ＳＱＵＩＤと前記負帰還コイルとの結合容量をＭn と
し、１個のｄｃＳＱＵＩＤの磁束電圧変換率をｄＶ／ｄ
φとし、前記負帰還抵抗値をＲn としたとき、下式 ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）≧１ を満足するように構成される。また、請求項３記載の発
明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、ｄｃＳＱＵＩＤがｎ個
（ｎ：ｎ≧２なる正の整数）直列に接続されたＳＱＵＩ
Ｄアレイと、前記各ｄｃＳＱＵＩＤに対して同一な結合
容量を有するｎ個の負帰還コイルと、前記ｄｃＳＱＵＩ
Ｄをｍ個（ｍ：ｍ＜ｎなる正の整数）毎にグループ化
し、前記ｍ個のｄｃＳＱＵＩＤに対応するｍ個の前記負
帰還コイルに対して直列に負帰還抵抗を設けることによ
り、ｄｃＳＱＵＩＤごとに前記負帰還を分散して行うよ
うに構成される。また、請求項４記載の発明に係るＳＱ
ＵＩＤ磁束計は、前記ｄｃＳＱＵＩＤと前記負帰還コイ
ルとの結合容量をＭn とし、１個のｄｃＳＱＵＩＤの磁
束電圧変換率をｄＶ／ｄφとし、前記個々の負帰還抵抗
値をＲm としたとき、下式 ｍ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒm ）≧１ を満足するように構成される。また、請求項５記載の発
明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、前記負帰還コイルアレイ
は磁束ロックループ用のフィードバックコイル又は磁束
入力用のインプットコイルを兼ねるように構成される。
また、請求項６記載の発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、
バイアス磁束を加える手段を有して構成される。また、
請求項７記載の発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、磁束ロ
ックを行うためのフィードバックコイル及び磁束ロック
ループ回路を有し、磁束ロックループで動作するように
構成される。
め、請求項１記載の発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、ｄ
ｃＳＱＵＩＤがｎ個直列に接続されたＳＱＵＩＤアレイ
と、ｎ個（ｎ：ｎ≧２なる正の整数）の同一結合容量の
負帰還コイルが直列に接続されるとともにその両端が前
記ＳＱＵＩＤアレイの出力端子に接続された負帰還コイ
ルアレイと、前記ＳＱＵＩＤアレイの出力端子の一方と
前記負帰還コイルアレイの一端との間に接続され前記負
帰還の量を制御する負帰還抵抗と、を備え、前記負帰還
コイルアレイの各負帰還コイルは、前記各ｄｃＳＱＵＩ
Ｄに均等な負帰還を与えるように構成される。また、請
求項２記載の発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、前記ｄｃ
ＳＱＵＩＤと前記負帰還コイルとの結合容量をＭn と
し、１個のｄｃＳＱＵＩＤの磁束電圧変換率をｄＶ／ｄ
φとし、前記負帰還抵抗値をＲn としたとき、下式 ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）≧１ を満足するように構成される。また、請求項３記載の発
明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、ｄｃＳＱＵＩＤがｎ個
（ｎ：ｎ≧２なる正の整数）直列に接続されたＳＱＵＩ
Ｄアレイと、前記各ｄｃＳＱＵＩＤに対して同一な結合
容量を有するｎ個の負帰還コイルと、前記ｄｃＳＱＵＩ
Ｄをｍ個（ｍ：ｍ＜ｎなる正の整数）毎にグループ化
し、前記ｍ個のｄｃＳＱＵＩＤに対応するｍ個の前記負
帰還コイルに対して直列に負帰還抵抗を設けることによ
り、ｄｃＳＱＵＩＤごとに前記負帰還を分散して行うよ
うに構成される。また、請求項４記載の発明に係るＳＱ
ＵＩＤ磁束計は、前記ｄｃＳＱＵＩＤと前記負帰還コイ
ルとの結合容量をＭn とし、１個のｄｃＳＱＵＩＤの磁
束電圧変換率をｄＶ／ｄφとし、前記個々の負帰還抵抗
値をＲm としたとき、下式 ｍ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒm ）≧１ を満足するように構成される。また、請求項５記載の発
明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、前記負帰還コイルアレイ
は磁束ロックループ用のフィードバックコイル又は磁束
入力用のインプットコイルを兼ねるように構成される。
また、請求項６記載の発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、
バイアス磁束を加える手段を有して構成される。また、
請求項７記載の発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、磁束ロ
ックを行うためのフィードバックコイル及び磁束ロック
ループ回路を有し、磁束ロックループで動作するように
構成される。
【０００６】
【作用】上記構成を有する本発明によれば、各負帰還コ
イルから各ｄｃＳＱＵＩＤに負帰還磁束を直接フィード
バックさせることにより、磁束−電圧曲線における線形
範囲は従来のＳＱＵＩＤ磁束計の場合の線形範囲よりも
拡大され、小さな入力磁束Δφに対して大きなＳＱＵＩ
Ｄ出力電圧ΔＶが得られる。
イルから各ｄｃＳＱＵＩＤに負帰還磁束を直接フィード
バックさせることにより、磁束−電圧曲線における線形
範囲は従来のＳＱＵＩＤ磁束計の場合の線形範囲よりも
拡大され、小さな入力磁束Δφに対して大きなＳＱＵＩ
Ｄ出力電圧ΔＶが得られる。
【０００７】
【実施例】以下、図面に基づき本発明の実施例について
説明する。本発明の第１実施例であるＳＱＵＩＤ磁束計
のＳＱＵＩＤループ付近の構成を図１に示す。図に示す
ように、このＳＱＵＩＤ磁束計１０１は、直列に接続さ
れたｎ個（ｎ：ｎ≧２なる正の整数）のｄｃＳＱＵＩＤ
Ｓ1 〜Ｓn からなるＳＱＵＩＤアレイＡ1 と、負帰還抵
抗Ｒn と、負帰還コイルアレイＡ2 を備えて構成されて
いる。負帰還抵抗Ｒn と負帰還コイルアレイＡ2 は直列
接続され、この直列回路はＳＱＵＩＤアレイＡ1 の両端
に並列接続されている。負帰還コイルアレイＡ2 は、直
列接続されたｎ個の負帰還コイルＬ1 〜Ｌn が直列接続
されて構成されている。Ｊ1 ，Ｊ2 は各ｄｃＳＱＵＩＤ
Ｓ1 〜Ｓn に設けられたジョセフソン接合である。
説明する。本発明の第１実施例であるＳＱＵＩＤ磁束計
のＳＱＵＩＤループ付近の構成を図１に示す。図に示す
ように、このＳＱＵＩＤ磁束計１０１は、直列に接続さ
れたｎ個（ｎ：ｎ≧２なる正の整数）のｄｃＳＱＵＩＤ
Ｓ1 〜Ｓn からなるＳＱＵＩＤアレイＡ1 と、負帰還抵
抗Ｒn と、負帰還コイルアレイＡ2 を備えて構成されて
いる。負帰還抵抗Ｒn と負帰還コイルアレイＡ2 は直列
接続され、この直列回路はＳＱＵＩＤアレイＡ1 の両端
に並列接続されている。負帰還コイルアレイＡ2 は、直
列接続されたｎ個の負帰還コイルＬ1 〜Ｌn が直列接続
されて構成されている。Ｊ1 ，Ｊ2 は各ｄｃＳＱＵＩＤ
Ｓ1 〜Ｓn に設けられたジョセフソン接合である。
【０００８】ここで、１個のｄｃＳＱＵＩＤＳi と１個
の負帰還コイルＬi とを結合する相互インダクタンス
（結合容量）をＭn とし、１個のｄｃＳＱＵＩＤＳi の
磁束電圧変換率をｄＶ／ｄφとし、負帰還抵抗値をＲn
（本実施例の場合はＲn ＝Ｒ1）としたとき、下式 ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）≧１ ………（１） を満足するように各回路要素の定数値が定められる。
の負帰還コイルＬi とを結合する相互インダクタンス
（結合容量）をＭn とし、１個のｄｃＳＱＵＩＤＳi の
磁束電圧変換率をｄＶ／ｄφとし、負帰還抵抗値をＲn
（本実施例の場合はＲn ＝Ｒ1）としたとき、下式 ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）≧１ ………（１） を満足するように各回路要素の定数値が定められる。
【０００９】次に、上記の第１実施例のＳＱＵＩＤ磁束
計の全体構成を図２に示す。図に示すように、このＳＱ
ＵＩＤ磁束計１０１は、上記のＳＱＵＩＤアレイＡ1
と、ＳＱＵＩＤアレイＡの両端に並列接続される負帰還
抵抗Ｒn 及び負帰還コイルアレイＡ2 と、バイアス電流
源３と、プリアンプ１及びメインアンプ２と、ｎ個のバ
イアスコイルＬB1〜ＬBnと、バイアス磁束用電流源４
と、オフセット電圧源５を備えて構成されている。ｎ個
のバイアスコイルＬB1〜ＬBnはバイアスコイルアレイＡ
3 を構成している。上記のＳＱＵＩＤ磁束計１０１の出
力側には、通常、シャント抵抗が挿入されるが、図示は
省略されている。上記の負帰還抵抗Ｒn の抵抗値は、Ｓ
ＱＵＩＤのシャント抵抗とＳＱＵＩＤの臨界電流とで決
定されるＳＱＵＩＤアレイＡ1 の出力インピーダンスよ
りも十分に大きく設定される。
計の全体構成を図２に示す。図に示すように、このＳＱ
ＵＩＤ磁束計１０１は、上記のＳＱＵＩＤアレイＡ1
と、ＳＱＵＩＤアレイＡの両端に並列接続される負帰還
抵抗Ｒn 及び負帰還コイルアレイＡ2 と、バイアス電流
源３と、プリアンプ１及びメインアンプ２と、ｎ個のバ
イアスコイルＬB1〜ＬBnと、バイアス磁束用電流源４
と、オフセット電圧源５を備えて構成されている。ｎ個
のバイアスコイルＬB1〜ＬBnはバイアスコイルアレイＡ
3 を構成している。上記のＳＱＵＩＤ磁束計１０１の出
力側には、通常、シャント抵抗が挿入されるが、図示は
省略されている。上記の負帰還抵抗Ｒn の抵抗値は、Ｓ
ＱＵＩＤのシャント抵抗とＳＱＵＩＤの臨界電流とで決
定されるＳＱＵＩＤアレイＡ1 の出力インピーダンスよ
りも十分に大きく設定される。
【００１０】上記のバイアス電流源３は、ＳＱＵＩＤア
レイＡ1 の一端に接続され、各ｄｃＳＱＵＩＤＳ1 〜Ｓ
n を駆動するバイアス電流ｉb を供給する。負帰還コイ
ルアレイＡ2 の各負帰還コイルＬi は、ＳＱＵＩＤの出
力側に直接接続され、ＳＱＵＩＤアレイＡ1 の対応する
ｄｃＳＱＵＩＤＳi と磁束結合する位置に設けられてい
る。したがって、ＳＱＵＩＤの出力により、対応するｄ
ｃＳＱＵＩＤＳi に直接負帰還が与えられる。バイアス
コイルアレイＡ3 は、ＳＱＵＩＤアレイＡ1 と磁束結合
する位置に設けられている。バイアス磁束用電流源４
は、バイアスコイルアレイＡ3 にバイアス磁束用電流ｉ
mbを供給することにより、ＳＱＵＩＤアレイＡ1 の各ｄ
ｃＳＱＵＩＤＳi にバイアス磁束を履かせ、ＳＱＵＩＤ
の動作点を決定する。
レイＡ1 の一端に接続され、各ｄｃＳＱＵＩＤＳ1 〜Ｓ
n を駆動するバイアス電流ｉb を供給する。負帰還コイ
ルアレイＡ2 の各負帰還コイルＬi は、ＳＱＵＩＤの出
力側に直接接続され、ＳＱＵＩＤアレイＡ1 の対応する
ｄｃＳＱＵＩＤＳi と磁束結合する位置に設けられてい
る。したがって、ＳＱＵＩＤの出力により、対応するｄ
ｃＳＱＵＩＤＳi に直接負帰還が与えられる。バイアス
コイルアレイＡ3 は、ＳＱＵＩＤアレイＡ1 と磁束結合
する位置に設けられている。バイアス磁束用電流源４
は、バイアスコイルアレイＡ3 にバイアス磁束用電流ｉ
mbを供給することにより、ＳＱＵＩＤアレイＡ1 の各ｄ
ｃＳＱＵＩＤＳi にバイアス磁束を履かせ、ＳＱＵＩＤ
の動作点を決定する。
【００１１】プリアンプ１及びメインアンプ２はＳＱＵ
ＩＤアレイＡ1 の出力電圧を増幅して電気信号として外
部へ出力する。オフセット電圧Ｖb は、ＳＱＵＩＤ出力
電圧にオフセットを履かせて見やすくするための電圧で
ある。このオフセット電圧Ｖb はオフセット電圧源５に
より調整可能となっている。
ＩＤアレイＡ1 の出力電圧を増幅して電気信号として外
部へ出力する。オフセット電圧Ｖb は、ＳＱＵＩＤ出力
電圧にオフセットを履かせて見やすくするための電圧で
ある。このオフセット電圧Ｖb はオフセット電圧源５に
より調整可能となっている。
【００１２】このＳＱＵＩＤ磁束計１０１で測定する外
部磁場は、ＳＱＵＩＤアレイＡ1 に直接結合させるか、
あるいは磁束検出用ピックアップコイル（図示せず）及
びインプットコイル（図示せず）を設け、ピックアップ
コイルで磁束を検出し、検出した磁束をインプットコイ
ルによりＳＱＵＩＤアレイＡ1 に伝達させるようにして
もよい。
部磁場は、ＳＱＵＩＤアレイＡ1 に直接結合させるか、
あるいは磁束検出用ピックアップコイル（図示せず）及
びインプットコイル（図示せず）を設け、ピックアップ
コイルで磁束を検出し、検出した磁束をインプットコイ
ルによりＳＱＵＩＤアレイＡ1 に伝達させるようにして
もよい。
【００１３】次に、上記の第１実施例のＳＱＵＩＤ磁束
計１０１の動作について説明する。まず、上記のよう
に、ｎ個のｄｃＳＱＵＩＤＳ1 〜Ｓn を直列に接続して
ＳＱＵＩＤアレイを構成することにより、このＳＱＵＩ
Ｄ磁束計１０１の出力電圧は、ｄｃＳＱＵＩＤの個数ｎ
に比例して増大し、ｎ倍となる。通常、１個のｄｃＳＱ
ＵＩＤの出力電圧は数十マイクロボルトであるが、この
ようにＳＱＵＩＤアレイ化することにより、ＳＱＵＩＤ
出力電圧を増大させることができる。ＳＱＵＩＤ出力電
圧ΔＶは、１個のｄｃＳＱＵＩＤ当たりの入力磁束をΔ
φとし、プリアンプ１の利得をＧ1 とし、メインアンプ
２の利得をＧ2 としたとき、下式 ΔＶ＝Δφ×｛ｎ×（ｄＶ／ｄφ）｝×Ｇ1 ×Ｇ2 ………（２） で表わされる。
計１０１の動作について説明する。まず、上記のよう
に、ｎ個のｄｃＳＱＵＩＤＳ1 〜Ｓn を直列に接続して
ＳＱＵＩＤアレイを構成することにより、このＳＱＵＩ
Ｄ磁束計１０１の出力電圧は、ｄｃＳＱＵＩＤの個数ｎ
に比例して増大し、ｎ倍となる。通常、１個のｄｃＳＱ
ＵＩＤの出力電圧は数十マイクロボルトであるが、この
ようにＳＱＵＩＤアレイ化することにより、ＳＱＵＩＤ
出力電圧を増大させることができる。ＳＱＵＩＤ出力電
圧ΔＶは、１個のｄｃＳＱＵＩＤ当たりの入力磁束をΔ
φとし、プリアンプ１の利得をＧ1 とし、メインアンプ
２の利得をＧ2 としたとき、下式 ΔＶ＝Δφ×｛ｎ×（ｄＶ／ｄφ）｝×Ｇ1 ×Ｇ2 ………（２） で表わされる。
【００１４】単一ＳＱＵＩＤの場合のＳＱＵＩＤ磁束計
の磁束電圧変換特性は、図５の細線のようになる。この
場合の磁束の線形範囲は図上においてφ1 で示され、単
位磁束量子φ0 の１／２となる。
の磁束電圧変換特性は、図５の細線のようになる。この
場合の磁束の線形範囲は図上においてφ1 で示され、単
位磁束量子φ0 の１／２となる。
【００１５】ＳＱＵＩＤ磁束計１０１においては、各ｄ
ｃＳＱＵＩＤＳ1 〜Ｓn の出力の位相を一致させ、ＳＱ
ＵＩＤアレイＡ1 の出力電流が負帰還抵抗Ｒn を介して
負帰還電流として負帰還コイルアレイＡ2 に供給し、各
負帰還コイルＬi から各ｄｃＳＱＵＩＤＳi に負帰還磁
束Ｍn を直接フィードバックさせることにより、図５中
の太線のような特性を得ることができる。
ｃＳＱＵＩＤＳ1 〜Ｓn の出力の位相を一致させ、ＳＱ
ＵＩＤアレイＡ1 の出力電流が負帰還抵抗Ｒn を介して
負帰還電流として負帰還コイルアレイＡ2 に供給し、各
負帰還コイルＬi から各ｄｃＳＱＵＩＤＳi に負帰還磁
束Ｍn を直接フィードバックさせることにより、図５中
の太線のような特性を得ることができる。
【００１６】この場合、上式（１）において等号が成立
し左辺が１に等しくなるように各回路要素の定数値が設
定された場合には、このＳＱＵＩＤ磁束計の磁束の線形
範囲φ2 は単位磁束量子φ0 付近まで拡大される。さら
に、上式（１）において不等号が成立し左辺が１よりも
大きくなるように各回路要素の定数値が設定された場合
には、このＳＱＵＩＤ磁束計の磁束の線形範囲φ2 は単
位磁束量子φ0 よりは狭くなるが、図５における従来の
ＳＱＵＩＤの場合の細線部分の線形範囲φ1 よりも拡大
されており、かつ直線性が改善される。
し左辺が１に等しくなるように各回路要素の定数値が設
定された場合には、このＳＱＵＩＤ磁束計の磁束の線形
範囲φ2 は単位磁束量子φ0 付近まで拡大される。さら
に、上式（１）において不等号が成立し左辺が１よりも
大きくなるように各回路要素の定数値が設定された場合
には、このＳＱＵＩＤ磁束計の磁束の線形範囲φ2 は単
位磁束量子φ0 よりは狭くなるが、図５における従来の
ＳＱＵＩＤの場合の細線部分の線形範囲φ1 よりも拡大
されており、かつ直線性が改善される。
【００１７】このため、小さな入力磁束Δφに対して大
きなＳＱＵＩＤ出力電圧ΔＶが得られる。換言すれば、
同一のＳＱＵＩＤ出力電圧ΔＶを得るための入力磁束Δ
φの値を減少させることができる。このことは、ＳＱＵ
ＩＤ磁束計のＳ／Ｎ比（信号対雑音比）が向上すること
を意味し、１個当たりのＳＱＵＩＤへの入力磁束を減少
させながらより大きな磁場ΔＢを計測できることを意味
する。
きなＳＱＵＩＤ出力電圧ΔＶが得られる。換言すれば、
同一のＳＱＵＩＤ出力電圧ΔＶを得るための入力磁束Δ
φの値を減少させることができる。このことは、ＳＱＵ
ＩＤ磁束計のＳ／Ｎ比（信号対雑音比）が向上すること
を意味し、１個当たりのＳＱＵＩＤへの入力磁束を減少
させながらより大きな磁場ΔＢを計測できることを意味
する。
【００１８】ＳＱＵＩＤリング又はピックアップコイル
の実効的な面積をＳとすると、上記の関係は、下式 ΔＶ＝Δφ×ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×Ｓ ………（３） で表わされる。また、入力磁束Δφは磁場ΔＢを用い
て、下式 Δφ＝Ｓ×ΔＢ ………（４） で表わされる。
の実効的な面積をＳとすると、上記の関係は、下式 ΔＶ＝Δφ×ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×Ｓ ………（３） で表わされる。また、入力磁束Δφは磁場ΔＢを用い
て、下式 Δφ＝Ｓ×ΔＢ ………（４） で表わされる。
【００１９】上式（２）より、Δφ×ｎ×（ｄＶ／ｄ
φ）はＳＱＵＩＤ磁束計のＳＱＵＩＤ出力電圧であるか
ら、上式（５）において、ΔＶ＝一定とおけば、ＳＱＵ
ＩＤの実効面積Ｓを減少させることができることがわか
る。
φ）はＳＱＵＩＤ磁束計のＳＱＵＩＤ出力電圧であるか
ら、上式（５）において、ΔＶ＝一定とおけば、ＳＱＵ
ＩＤの実効面積Ｓを減少させることができることがわか
る。
【００２０】このＳＱＵＩＤ磁束計１０１では、バイア
スコイルアレイＡ3 に所定のバイアス磁束用電流ｉmbを
供給することにより各バイアスコイルＬBiから各ｄｃＳ
ＱＵＩＤアレイＳi に所定のバイアス磁束を履かせてい
る。したがって、ＦＬＬ（磁束ロックループ）を構成す
ることなくＳＱＵＩＤアレイＡ1 の動作点を図５の太線
の線形傾斜部の中点Ｐに設定し、ＳＱＵＩＤアレイＡ1
に入力される磁束を電圧に変換することができる。
スコイルアレイＡ3 に所定のバイアス磁束用電流ｉmbを
供給することにより各バイアスコイルＬBiから各ｄｃＳ
ＱＵＩＤアレイＳi に所定のバイアス磁束を履かせてい
る。したがって、ＦＬＬ（磁束ロックループ）を構成す
ることなくＳＱＵＩＤアレイＡ1 の動作点を図５の太線
の線形傾斜部の中点Ｐに設定し、ＳＱＵＩＤアレイＡ1
に入力される磁束を電圧に変換することができる。
【００２１】また、ＳＱＵＩＤアレイＡ1 に対する負帰
還をＳＱＵＩＤの出力から直接帰還させて線形範囲を拡
大させており、アンプ等による制御を経ていないので、
非常に高速な磁場変動についても線形性を保ちながら計
測を行うことができる。負帰還率を１以上にすると、線
形性はさらに改善される。
還をＳＱＵＩＤの出力から直接帰還させて線形範囲を拡
大させており、アンプ等による制御を経ていないので、
非常に高速な磁場変動についても線形性を保ちながら計
測を行うことができる。負帰還率を１以上にすると、線
形性はさらに改善される。
【００２２】しかし、上記の第１実施例のＳＱＵＩＤ磁
束計１０１においては、直列に接続するｄｃＳＱＵＩＤ
の個数を増大させていくと、ＳＱＵＩＤ磁束計の出力電
圧は増大するが、ＳＱＵＩＤアレイＡ1 の出力インピー
ダンスも増大する。このため、上式（１）を満足する定
数配分ができず、十分な負帰還電流が供給できない、と
いう問題点があった。この問題点を解決するために考案
されたものが後述する第２実施例のＳＱＵＩＤ磁束計で
ある。
束計１０１においては、直列に接続するｄｃＳＱＵＩＤ
の個数を増大させていくと、ＳＱＵＩＤ磁束計の出力電
圧は増大するが、ＳＱＵＩＤアレイＡ1 の出力インピー
ダンスも増大する。このため、上式（１）を満足する定
数配分ができず、十分な負帰還電流が供給できない、と
いう問題点があった。この問題点を解決するために考案
されたものが後述する第２実施例のＳＱＵＩＤ磁束計で
ある。
【００２３】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。本発明の第２実施例であるＳＱＵＩＤ磁束計のＳＱ
ＵＩＤループ付近の構成を図２に示す。図に示すよう
に、このＳＱＵＩＤ磁束計１０２が上述した第１実施例
のＳＱＵＩＤ磁束計１０１と異なる点は、ＳＱＵＩＤア
レイＡ1 の中間端子から負帰還コイルアレイＡ2 の対応
する箇所にｎ個の負帰還抵抗Ｒm を接続し、各単一ＳＱ
ＵＩＤごとに負帰還回路を構成した点である。この第２
実施例のＳＱＵＩＤ磁束計１０２の負帰還抵抗Ｒm の部
分を除く全体構成は、図２に示す構成と同様である。
る。本発明の第２実施例であるＳＱＵＩＤ磁束計のＳＱ
ＵＩＤループ付近の構成を図２に示す。図に示すよう
に、このＳＱＵＩＤ磁束計１０２が上述した第１実施例
のＳＱＵＩＤ磁束計１０１と異なる点は、ＳＱＵＩＤア
レイＡ1 の中間端子から負帰還コイルアレイＡ2 の対応
する箇所にｎ個の負帰還抵抗Ｒm を接続し、各単一ＳＱ
ＵＩＤごとに負帰還回路を構成した点である。この第２
実施例のＳＱＵＩＤ磁束計１０２の負帰還抵抗Ｒm の部
分を除く全体構成は、図２に示す構成と同様である。
【００２４】上記のような構成により、単一のｄｃＳＱ
ＵＩＤＳi ごとに負帰還回路が接続され、負帰還が分散
してかけられることになる。このように単一のｄｃＳＱ
ＵＩＤごとに負帰還回路を構成して負帰還をかけてもよ
いが、ｍ個（ｍ：ｍ＜ｎなる正の整数）のｄｃＳＱＵＩ
Ｄを１グループとし、このグループごとに負帰還回路を
接続し、グループごとに負帰還をかけるようにしてもよ
い。このようにすると、単一のｄｃＳＱＵＩＤごとに負
帰還回路を構成して負帰還をかける場合に比べ、負帰還
抵抗の数を少なくすることができる。また負帰還抵抗の
値を小さくすることもできる。この場合、１グループ内
に含まれる負帰還抵抗の値をＲm とすると、各回路要素
の定数値は、下式 ｍ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒm ）≧１ ………（５） を満足するように定められる。この第２実施例のＳＱＵ
ＩＤ磁束計１０２の線形範囲とその特性は、図５に示す
特性と同様である。
ＵＩＤＳi ごとに負帰還回路が接続され、負帰還が分散
してかけられることになる。このように単一のｄｃＳＱ
ＵＩＤごとに負帰還回路を構成して負帰還をかけてもよ
いが、ｍ個（ｍ：ｍ＜ｎなる正の整数）のｄｃＳＱＵＩ
Ｄを１グループとし、このグループごとに負帰還回路を
接続し、グループごとに負帰還をかけるようにしてもよ
い。このようにすると、単一のｄｃＳＱＵＩＤごとに負
帰還回路を構成して負帰還をかける場合に比べ、負帰還
抵抗の数を少なくすることができる。また負帰還抵抗の
値を小さくすることもできる。この場合、１グループ内
に含まれる負帰還抵抗の値をＲm とすると、各回路要素
の定数値は、下式 ｍ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒm ）≧１ ………（５） を満足するように定められる。この第２実施例のＳＱＵ
ＩＤ磁束計１０２の線形範囲とその特性は、図５に示す
特性と同様である。
【００２５】上記の第２実施例のＳＱＵＩＤ磁束計に
は、図３に示した結線形態以外にも、図６に示すような
他の結線形態が挙げられる。図６（Ａ）に示したＳＱＵ
ＩＤ磁束計１０２Ａは、１つの負帰還回路に含まれるＳ
ＱＵＩＤ数が１であり負帰還抵抗値Ｒm が２Ｒ1 （＝Ｒ
1 ＋Ｒ1 ）となる例であり、この場合には、上式（５）
は下式 （ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／２Ｒ1 ）≧１ ………（６） のようになる。この図６（Ａ）のＳＱＵＩＤ磁束計１０
２Ａの線形範囲とその特性は、図５に示す特性と同様で
ある。
は、図３に示した結線形態以外にも、図６に示すような
他の結線形態が挙げられる。図６（Ａ）に示したＳＱＵ
ＩＤ磁束計１０２Ａは、１つの負帰還回路に含まれるＳ
ＱＵＩＤ数が１であり負帰還抵抗値Ｒm が２Ｒ1 （＝Ｒ
1 ＋Ｒ1 ）となる例であり、この場合には、上式（５）
は下式 （ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／２Ｒ1 ）≧１ ………（６） のようになる。この図６（Ａ）のＳＱＵＩＤ磁束計１０
２Ａの線形範囲とその特性は、図５に示す特性と同様で
ある。
【００２６】また、図６（Ｂ）に示したＳＱＵＩＤ磁束
計１０２Ｂは、１つの負帰還回路に含まれるＳＱＵＩＤ
数が１であり、抵抗Ｒ1 とＲ2 の間にＲ2 ＝Ｒ1 ／２の
関係がある場合である。この場合には、抵抗Ｒ2 は、２
つの抵抗Ｒ1 を並列接続した場合と等価であり、図６
（Ｂ）に示す結線例は、結局図６（Ａ）に示す結線形態
と等価となる。したがって、この場合の負帰還抵抗値Ｒ
m は２Ｒ1 （＝Ｒ1 ＋Ｒ1 ）となり、上式（５）は上式
（６）のようになる。この図６（Ｂ）のＳＱＵＩＤ磁束
計１０２Ｂの線形範囲とその特性は、図５に示す特性と
同様である。
計１０２Ｂは、１つの負帰還回路に含まれるＳＱＵＩＤ
数が１であり、抵抗Ｒ1 とＲ2 の間にＲ2 ＝Ｒ1 ／２の
関係がある場合である。この場合には、抵抗Ｒ2 は、２
つの抵抗Ｒ1 を並列接続した場合と等価であり、図６
（Ｂ）に示す結線例は、結局図６（Ａ）に示す結線形態
と等価となる。したがって、この場合の負帰還抵抗値Ｒ
m は２Ｒ1 （＝Ｒ1 ＋Ｒ1 ）となり、上式（５）は上式
（６）のようになる。この図６（Ｂ）のＳＱＵＩＤ磁束
計１０２Ｂの線形範囲とその特性は、図５に示す特性と
同様である。
【００２７】また、図６（Ｃ）に示したＳＱＵＩＤ磁束
計１０２Ｃは、１つの負帰還回路に含まれるＳＱＵＩＤ
数が２であり負帰還抵抗値Ｒm が２Ｒ1 （＝Ｒ1 ＋Ｒ1
）となる例であり、この場合には、上式（５）は下式 ２×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／２Ｒ1 ）≧１ ………（７） のようになる。この図６（Ｃ）のＳＱＵＩＤ磁束計１０
２Ｃの線形範囲とその特性は、図５に示す特性と同様で
ある。
計１０２Ｃは、１つの負帰還回路に含まれるＳＱＵＩＤ
数が２であり負帰還抵抗値Ｒm が２Ｒ1 （＝Ｒ1 ＋Ｒ1
）となる例であり、この場合には、上式（５）は下式 ２×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／２Ｒ1 ）≧１ ………（７） のようになる。この図６（Ｃ）のＳＱＵＩＤ磁束計１０
２Ｃの線形範囲とその特性は、図５に示す特性と同様で
ある。
【００２８】次に、本発明の第３実施例であるＳＱＵＩ
Ｄ磁束計の全体構成を図４に示す。図に示すように、こ
のＳＱＵＩＤ磁束計１０３が上述した第１実施例のＳＱ
ＵＩＤ磁束計１０１と異なる点は、メインアンプ２のか
わりに積分器２Ａを備え、この積分器２Ａの出力をフィ
ードバック抵抗Ｒf を介してコイルアレイＡ3 に出力す
るように構成され、積分器２Ａとフィードバック抵抗Ｒ
f とコイルアレイＡ3によりＦＬＬ回路を構成した点で
ある。この場合、コイルアレイＡ3 は帰還コイルとして
機能する。第３実施例のＳＱＵＩＤ磁束計１０３の積分
器２Ａ，フィードバック抵抗Ｒf ，ＦＬＬ回路の部分を
除く全体構成は、図２に示す構成と同様である。
Ｄ磁束計の全体構成を図４に示す。図に示すように、こ
のＳＱＵＩＤ磁束計１０３が上述した第１実施例のＳＱ
ＵＩＤ磁束計１０１と異なる点は、メインアンプ２のか
わりに積分器２Ａを備え、この積分器２Ａの出力をフィ
ードバック抵抗Ｒf を介してコイルアレイＡ3 に出力す
るように構成され、積分器２Ａとフィードバック抵抗Ｒ
f とコイルアレイＡ3によりＦＬＬ回路を構成した点で
ある。この場合、コイルアレイＡ3 は帰還コイルとして
機能する。第３実施例のＳＱＵＩＤ磁束計１０３の積分
器２Ａ，フィードバック抵抗Ｒf ，ＦＬＬ回路の部分を
除く全体構成は、図２に示す構成と同様である。
【００２９】この第３実施例のＳＱＵＩＤ磁束計１０３
においては、電圧Ｖb は、ＳＱＵＩＤの動作点を設定す
るためのバイアス電圧調整用電圧となる。この第３実施
例のＳＱＵＩＤ磁束計１０３のＳＱＵＩＤ出力電圧ΔＶ
は、１個のｄｃＳＱＵＩＤ当たりの入力磁束をΔφと
し、フィードバック抵抗の抵抗値をＲf とし，帰還回路
の結合をＭb としたとき、下式 ΔＶ＝Δφ×（Ｒf ／Ｍb ） ………（６） で表わされる。
においては、電圧Ｖb は、ＳＱＵＩＤの動作点を設定す
るためのバイアス電圧調整用電圧となる。この第３実施
例のＳＱＵＩＤ磁束計１０３のＳＱＵＩＤ出力電圧ΔＶ
は、１個のｄｃＳＱＵＩＤ当たりの入力磁束をΔφと
し、フィードバック抵抗の抵抗値をＲf とし，帰還回路
の結合をＭb としたとき、下式 ΔＶ＝Δφ×（Ｒf ／Ｍb ） ………（６） で表わされる。
【００３０】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３１】例えば、上記実施例においては、負帰還コ
イルとバイアスコイルを個別に設けた例について説明し
ているが、本発明はこれには限定されず、これらを１つ
のコイルで兼用させてもよい。また、これらのコイルと
インプットコイルを兼用させるようにしてもよい。
イルとバイアスコイルを個別に設けた例について説明し
ているが、本発明はこれには限定されず、これらを１つ
のコイルで兼用させてもよい。また、これらのコイルと
インプットコイルを兼用させるようにしてもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、上記構成を有する
本発明によれば、各負帰還コイルから各ｄｃＳＱＵＩＤ
に負帰還磁束を直接フィードバックさせることにより、
磁束−電圧曲線における線形範囲は従来のＳＱＵＩＤ磁
束計の場合の線形範囲よりも拡大され、小さな入力磁束
Δφに対して大きなＳＱＵＩＤ出力電圧ΔＶが得られ
る。すなわち、同一のＳＱＵＩＤ出力電圧ΔＶを得るた
めの入力磁束Δφの値を減少させることができ、１個当
たりのＳＱＵＩＤへの入力磁束を減少させながらより大
きな磁場ΔＢを計測することができる、という利点があ
る。
本発明によれば、各負帰還コイルから各ｄｃＳＱＵＩＤ
に負帰還磁束を直接フィードバックさせることにより、
磁束−電圧曲線における線形範囲は従来のＳＱＵＩＤ磁
束計の場合の線形範囲よりも拡大され、小さな入力磁束
Δφに対して大きなＳＱＵＩＤ出力電圧ΔＶが得られ
る。すなわち、同一のＳＱＵＩＤ出力電圧ΔＶを得るた
めの入力磁束Δφの値を減少させることができ、１個当
たりのＳＱＵＩＤへの入力磁束を減少させながらより大
きな磁場ΔＢを計測することができる、という利点があ
る。
【図１】本発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計の第１実施例の
ＳＱＵＩＤループ付近の構成を示す回路図である。
ＳＱＵＩＤループ付近の構成を示す回路図である。
【図２】図１に示すＳＱＵＩＤ磁束計の全体構成を示す
図である。
図である。
【図３】本発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計の第２実施例の
ＳＱＵＩＤループ付近の構成を示す回路図である。
ＳＱＵＩＤループ付近の構成を示す回路図である。
【図４】本発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計の第３実施例の
全体構成を示す回路図である。
全体構成を示す回路図である。
【図５】本発明の原理を説明する図である。
【図６】本発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計の第２実施例の
他の構成例のＳＱＵＩＤループ付近の構成を示す回路図
である。
他の構成例のＳＱＵＩＤループ付近の構成を示す回路図
である。
１ プリアンプ ２ メインアンプ ２Ａ 積分器 ３ バイアス電流源 ４ バイアス磁束用電流源 ５ オフセット電圧源 Ａ1 ＳＱＵＩＤアレイ Ａ2 負帰還コイルアレイ Ａ3 バイアスコイルアレイ ｉb バイアス電流 ｉmb バイアス磁束用電流 Ｊ1 ，Ｊ2 ジョセフソン接合 ＬB1〜ＬBn バイアスコイル Ｌ1 〜Ｌn 負帰還コイル ＭB ，Ｍn 相互インダクタンス Ｒf フィードバック抵抗 Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒm ，Ｒn 負帰還抵抗 Ｓ1 〜Ｓn ｄｃＳＱＵＩＤ １０１〜１０３ ＳＱＵＩＤ磁束計
Claims (7)
- 【請求項１】 ｄｃＳＱＵＩＤがｎ個（ｎ：ｎ≧２なる
正の整数）直列に接続されたＳＱＵＩＤアレイと、 ｎ個の同一結合容量の負帰還コイルが直列に接続される
とともにその両端が前記ＳＱＵＩＤアレイの出力端子に
接続された負帰還コイルアレイと、 前記ＳＱＵＩＤアレイの出力端子の一方と前記負帰還コ
イルアレイの一端との間に接続され前記負帰還の量を制
御する負帰還抵抗と、を備え、 前記負帰還コイルアレイの各負帰還コイルは、前記各ｄ
ｃＳＱＵＩＤに均等な負帰還を与えることを特徴とする
ＳＱＵＩＤ磁束計。 - 【請求項２】 前記ｄｃＳＱＵＩＤと前記負帰還コイル
との結合容量をＭnとし、１個のｄｃＳＱＵＩＤの磁束
電圧変換率をｄＶ／ｄφとし、前記負帰還抵抗値をＲn
としたとき、下式 ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）≧１ を満足するように構成されることを特徴とする請求項１
記載のＳＱＵＩＤ磁束計。 - 【請求項３】 ｄｃＳＱＵＩＤがｎ個（ｎ：ｎ≧２なる
正の整数）直列に接続されたＳＱＵＩＤアレイと、前記
各ｄｃＳＱＵＩＤに対して同一な結合容量を有するｎ個
の負帰還コイルと、前記ｄｃＳＱＵＩＤをｍ個（ｍ：ｍ
＜ｎなる正の整数）毎にグループ化し、前記ｍ個のｄｃ
ＳＱＵＩＤに対応するｍ個の前記負帰還コイルに対して
直列に負帰還抵抗を設けたことを特徴とするＳＱＵＩＤ
磁束計。 - 【請求項４】 前記ｄｃＳＱＵＩＤと前記負帰還コイル
との結合容量をＭn とし、１個のｄｃＳＱＵＩＤの磁束
電圧変換率をｄＶ／ｄφとし、前記個々の負帰還抵抗値
をＲm としたとき、下式 ｍ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒm ）≧１ を満足するように構成されることを特徴とする請求項３
記載のＳＱＵＩＤ磁束計。 - 【請求項５】 前記負帰還コイルアレイは磁束ロックル
ープ用のフィードバックコイル又は磁束入力用のインプ
ットコイルを兼ねることを特徴とする請求項１記載のＳ
ＱＵＩＤ磁束計。 - 【請求項６】 バイアス磁束を加える手段を有すること
を特徴とする請求項１ないし請求項５記載のＳＱＵＩＤ
磁束計。 - 【請求項７】 磁束ロックを行うためのフィードバック
コイル及び磁束ロックループ回路を有し、磁束ロックル
ープで動作することを特徴とする請求項１ないし請求項
６記載のＳＱＵＩＤ磁束計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6000095A JP2691518B2 (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | Ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6000095A JP2691518B2 (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | Ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08233925A JPH08233925A (ja) | 1996-09-13 |
| JP2691518B2 true JP2691518B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=13129414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6000095A Expired - Lifetime JP2691518B2 (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | Ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691518B2 (ja) |
-
1995
- 1995-02-24 JP JP6000095A patent/JP2691518B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08233925A (ja) | 1996-09-13 |
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