JP2685235B2 - Method for manufacturing thin-film magnetic head - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for manufacturing a thin film magnetic head.
（従来の技術） 近年、磁気記録再生装置に使用される磁気ヘッドにお
いては、高密度化、小型化（マルチトラック化）、量産
性向上等の要求が高まってきており、これらの要求に応
えるため、薄膜形成技術によって製造された薄膜磁気ヘ
ッドが用いられつつある。(Prior Art) In recent years, in magnetic heads used in magnetic recording / reproducing devices, there are increasing demands for higher density, smaller size (multitrack), and improved mass productivity, and in order to meet these demands. Thin film magnetic heads manufactured by thin film forming technology are being used.
このような薄膜磁気ヘッドとしては、次のような構造
のものが使用されている。As such a thin film magnetic head, one having the following structure is used.
第４図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す斜視図であり、
第５図は第４図の要部を断面で示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional thin film magnetic head,
FIG. 5 is a perspective view showing a cross section of the main part of FIG.
これらの図において、符号１はアルミナ・チタン・カ
ーバイト等によって形成された基板を示し、この基板１
の上にはアルミナ（Al2O3）等のアンダーコート膜２が
形成され、その上には磁電変換部３が形成されている。
磁電変換部３は、パーマロイ等の極性体によってそれぞ
れ形成された下側磁気コア4aおよび上側磁気コア4bと、
これらの間に形成され、かつ複数のコイルパターンが介
在された磁気的ギャップ部５とから構成されている。ま
たアンダーコート膜２上には、銅等の導体によって引出
し線６が形成され、この引出し線６の端部は磁電変換部
３と接続されている。さらに引出し線６上の所定の位置
には、ワイヤやフレキシブル基板を接続するための銅等
のボンディングパッド７が、メッキ下地薄膜８を介して
設けられている。またさらに、磁電交換部３と引出し線
６の上を含むアンダーコート膜２上には、アルミナ等か
らなる保護膜９が形成され、ボンディングパッド７は保
護膜９表面に露出されている。In these figures, reference numeral 1 indicates a substrate formed of alumina, titanium, carbide or the like.
An undercoat film 2 of alumina (Al 2 O 3 ) or the like is formed on the above, and a magnetoelectric conversion portion 3 is formed on the undercoat film 2.
The magnetoelectric conversion unit 3 includes a lower magnetic core 4a and an upper magnetic core 4b each formed of a polar body such as permalloy,
The magnetic gap portion 5 is formed between these and has a plurality of coil patterns interposed. A lead wire 6 is formed of a conductor such as copper on the undercoat film 2, and the end portion of the lead wire 6 is connected to the magnetoelectric conversion portion 3. Further, a bonding pad 7 made of copper or the like for connecting a wire or a flexible substrate is provided at a predetermined position on the lead wire 6 via a plating base thin film 8. Further, a protective film 9 made of alumina or the like is formed on the undercoat film 2 including the magnetoelectric exchange portion 3 and the lead wire 6, and the bonding pad 7 is exposed on the surface of the protective film 9.
このような従来の薄膜磁気ヘッドにおいて、ボンディ
ングパッド７は以下に示す方法で製造されている。In such a conventional thin film magnetic head, the bonding pad 7 is manufactured by the following method.
すなわち、第６図（ａ）に示すように、基板１上にス
パッタ法によってアンダーコート膜２を形成し、その上
にスパッタ法およびフォトリングラフィー技術等を用い
て、磁電変換部とともに引出し線６を形成した後、一部
アンダーコート膜２上を含めて引出し線６上に、銅等の
メッキ下地薄膜８をスパッタ法等によって形成する（第
６図（ｂ））。次いで、このメッキ下地薄膜８上にメッ
キレジストによってリング状のフレーム10を形成し（第
６図（ｃ））、このフレーム内に銅等を電気メッキして
ボンディングパッド７を形成する（第６図（ｄ））。次
に、レジストフレーム10をアセトン等の溶剤で除去した
後（第６図（ｅ））、イオンビーム等を照射してメッキ
下地薄膜８をエッチングする（第６図（ｆ））。さらに
ボンディングパッド７上を含めアンダーコート膜２上お
よび引出し線６上に、スパッタ法等によってアルミナ等
の保護膜９を形成した後（第６図（ｇ））、保護膜９を
研磨して表面を平坦化するとともに、ボンディングパッ
ド７を保護膜９表面に露出させる（第６図（ｈ））。That is, as shown in FIG. 6 (a), an undercoat film 2 is formed on a substrate 1 by a sputtering method, and a leader line 6 is formed on the undercoat film 2 together with a magnetoelectric conversion portion by using a sputtering method, a photolinography technique, or the like. After forming, the plating base thin film 8 of copper or the like is formed on the lead wire 6 including a part of the undercoat film 2 by a sputtering method or the like (FIG. 6B). Next, a ring-shaped frame 10 is formed on the plating base thin film 8 with a plating resist (Fig. 6 (c)), and copper or the like is electroplated in the frame to form a bonding pad 7 (Fig. 6). (D)). Next, after removing the resist frame 10 with a solvent such as acetone (FIG. 6 (e)), the plating base thin film 8 is etched by irradiation with an ion beam or the like (FIG. 6 (f)). Further, after forming a protective film 9 of alumina or the like on the undercoat film 2 and the lead wire 6 including the bonding pad 7 by a sputtering method or the like (FIG. 6 (g)), the protective film 9 is polished to form a surface. Is planarized and the bonding pad 7 is exposed on the surface of the protective film 9 (FIG. 6 (h)).
ところでこのような形成方法において、保護膜９の最
終的な厚さ（t4）は、約15μｍの段差を有する磁電変換
部を含めて平面を平坦化するために、少なくとも20μｍ
前後の厚さを必要とする。そのため、ボンディングパッ
ド７の厚さ（t3）は15μｍ前後必要であり、銅等の電気
メッキ厚（t2）は、最小でも20μｍ前後の厚さを必要と
する。By the way, in such a forming method, the final thickness (t 4 ) of the protective film 9 is at least 20 μm in order to flatten the plane including the magnetoelectric conversion portion having a step of about 15 μm.
Requires front and back thickness. Therefore, the thickness (t 3 ) of the bonding pad 7 needs to be around 15 μm, and the electroplating thickness (t 2 ) of copper or the like needs to be around 20 μm at the minimum.
しかしながら、量産性の点で、レジストフレーム10の
厚さ（t1）は、約10μｍが限度であるため、電気メッキ
層はレジストフレーム10の上面を超えて成長し、第６図
（ｄ）〜（ｇ）に示すように、ボンディングパッド７
は、上方にかさ部が横に張り出したようなマッシュルー
ム状となる。そのため、保護膜９がボンディングパッド
７の外表面を完全に被膜することができず、第６図
（ｇ）に示すように、スパッタ粒子のとどかないボンデ
ィングパッド７基幹部の周り（かさ部の下）に空洞
（Ａ）が残ったり、あるいはその上の保護膜９に亀裂
（Ｂ）が生じたりする。そして、この空洞や亀裂のため
に、保護膜９表面の平坦化工程で、保護膜９に欠けや隙
間が生じるだけでなく、この隙間に研磨材や研磨くずが
入り込み、これらが薄膜磁気ヘッドの使用時に媒体面に
落下し、媒体およびヘッドを損傷することがあった。However, in terms of mass productivity, the thickness (t 1 ) of the resist frame 10 is limited to about 10 μm, so that the electroplating layer grows beyond the upper surface of the resist frame 10, and the thickness of the electroplated layer increases as shown in FIG. As shown in (g), the bonding pad 7
Has a mushroom-like shape with a bulky part protruding laterally upward. Therefore, the protective film 9 cannot completely cover the outer surface of the bonding pad 7, and as shown in FIG. ), A cavity (A) remains, or a crack (B) occurs in the protective film 9 thereon. Then, due to the cavities and cracks, not only a chip or a gap is generated in the protective film 9 in the flattening process of the surface of the protective film 9, but also an abrasive or polishing debris enters into the gap, which causes the thin film magnetic head to be damaged. When used, it may fall onto the surface of the medium and damage the medium and the head.
（発明が解決しようとする課題） 前述したように従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、ボ
ンディングパッドの周りの保護膜に空洞や亀裂、欠け等
が生じ、かつこれらの隙間に研磨くず等が残るため、磁
気記録再生装置全体の信頼性が大きく低下してしまうと
いう問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the conventional thin film magnetic head, cavities, cracks, chips, etc. occur in the protective film around the bonding pad, and polishing debris etc. remain in these gaps. There is a problem in that the reliability of the entire magnetic recording / reproducing apparatus is greatly reduced.
本発明はこのような問題を解決するためになされたも
ので、ボンディングパッドの周りの保護膜での空洞や亀
裂の発生が防止され、特性が良好で信頼性の高い薄膜磁
気ヘッドを製造することのできる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve such a problem, and is intended to manufacture a thin film magnetic head having good characteristics and high reliability, in which cavities and cracks are prevented from being generated in a protective film around a bonding pad. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a thin film magnetic head capable of achieving the above.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、基板上に磁電変換部と、これと接続された
回路パターンとが、薄膜法によりそれぞれ形成され、前
記回路パターン上の所定の位置にボンディングパッドが
形成された薄膜磁気ヘッドの製造方法において、（ａ）
少なくともボンディングパッドの基幹部となる領域にメ
ッキ下地膜を形成する工程、（ｂ）少なくともボンディ
ングパッドの基幹部となる領域の外周部にリング状の有
機絶縁部材を形成する工程、（ｃ）有機絶縁部材の外側
にメッキレジストによるフレームを形成する工程、
（ｄ）レジストフレーム内にメッキによりボンディング
パッドを形成する工程、を具備したものである。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention provides a magnetoelectric conversion unit and a circuit pattern connected to the unit on a substrate by a thin film method. In a method of manufacturing a thin film magnetic head in which a bonding pad is formed at a position, (a)
A step of forming a plating base film on at least a region serving as a basic portion of the bonding pad, (b) a step of forming a ring-shaped organic insulating member on an outer peripheral portion of at least a region serving as a basic portion of the bonding pad, (c) organic insulation A step of forming a frame of plating resist on the outside of the member,
(D) A step of forming a bonding pad by plating in the resist frame.
（作用） 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、ボンデ
ィングパッドの基幹部となる領域の外周部にリング状の
有機絶縁部材を形成したので、上部が横に張り出したマ
ッシュルーム状のボンディングパッドを形成するにあた
り、保護膜形成の工程でこれまでスパッタ粒子がとどき
にくかった部分がリング状の有機絶縁部材によって解消
され、保護層に空洞や亀裂が生じなくなる。また、有機
絶縁部材の外側にメッキレジストによるフレームを形成
し、このレジストフレーム内にメッキよりボンディング
パッドを形成するので、このレジストフレームのボンデ
ィングパッドの外形をきめる型として寸法精度良くボン
ディングパッドを形成でき、歩留りの向上を図れる。(Operation) According to the method of manufacturing a thin-film magnetic head of the present invention, since the ring-shaped organic insulating member is formed on the outer peripheral portion of the region serving as the basic portion of the bonding pad, the mushroom-shaped bonding pad with the upper portion protruding laterally. In forming the layer, the ring-shaped organic insulating member eliminates a portion where sputtered particles have been hard to reach in the step of forming the protective film, so that no void or crack is formed in the protective layer. In addition, since a frame made of a plating resist is formed on the outside of the organic insulating member and a bonding pad is formed in the resist frame by plating, the bonding pad can be formed with high dimensional accuracy as a mold that determines the outer shape of the bonding pad of the resist frame. The yield can be improved.
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１は、本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を一部断
面で示した斜視図である。1st is a perspective view which showed one Example of the thin film magnetic head of this invention by the partial cross section.
図において、符号11はアルミナ・チタン・カーバイト
等の基板を示し、この基板11上にはアルミナ等のアンダ
ーコート膜12が形成されている。そして、このアンダー
コート膜12上には、磁性体によってそれぞれ形成された
下側および上側の磁気コア13a、13bと、これらの間に形
成された磁気的ギャップ14とから成る磁電変換部15が設
けられている。この磁電変換部15には、アンダーコート
膜12上に形成された引出し線16が接続されている。ま
た、この引出し線16上の所定の位置には、、銅等からな
るボンディングパッド17がメッキ下地薄膜18を介して設
けられている。そして、このボンディングパッド17の基
幹部の外周には、リング状の有機絶縁部材19が形成さ
れ、ボンディングパッド17の側周部は、この有機絶縁部
材19で隙間なく包囲されている。さらに、有機絶縁部材
19上と磁電変換部15上を含めアンダーコート膜12上に
は、保護膜20が形成され、ボンディングパッド17のみが
保護膜20表面に露出されている。尚、薄膜磁気ヘッド
は、通常磁気コア13a、13bと磁気的ギャップ14とさらに
は図示しないコイルからなる磁電変換部15と、この磁電
変換部15に信号を入出力するための引出し線16からな
る。また磁電変換部15と引出し線16の間にトランス等の
処理回路が挿入されることもある。すなわち、薄膜磁気
ヘッドにおいては、これらの引出し線16や処理回路が回
路パターンに相当する。In the figure, reference numeral 11 indicates a substrate of alumina, titanium, carbide or the like, and an undercoat film 12 of alumina or the like is formed on the substrate 11. Then, on the undercoat film 12, there is provided a magnetoelectric conversion unit 15 including lower and upper magnetic cores 13a and 13b respectively formed of a magnetic material and a magnetic gap 14 formed between them. Has been. A lead wire 16 formed on the undercoat film 12 is connected to the magnetoelectric conversion portion 15. A bonding pad 17 made of copper or the like is provided at a predetermined position on the lead wire 16 with a plating underlayer thin film 18 interposed therebetween. Then, a ring-shaped organic insulating member 19 is formed on the outer periphery of the basic portion of the bonding pad 17, and the side peripheral portion of the bonding pad 17 is surrounded by the organic insulating member 19 without a gap. Furthermore, organic insulating material
A protective film 20 is formed on the undercoat film 12 including on the surface 19 and on the magnetoelectric conversion portion 15, and only the bonding pad 17 is exposed on the surface of the protective film 20. The thin-film magnetic head is usually composed of magnetic cores 13a and 13b, a magnetic gap 14, a magnetoelectric conversion unit 15 including a coil (not shown), and a lead wire 16 for inputting and outputting a signal to and from the magnetoelectric conversion unit 15. . In addition, a processing circuit such as a transformer may be inserted between the magnetoelectric conversion unit 15 and the lead wire 16. That is, in the thin film magnetic head, the lead lines 16 and the processing circuit correspond to a circuit pattern.
このような構造の実施例において、ボンディングパッ
ド17等は次のような方法で形成される。In the embodiment having such a structure, the bonding pad 17 and the like are formed by the following method.
第２図は、ボンディングパッド17等の形成方法を説明
するために、一部を断面で示した斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a part in section for explaining a method of forming the bonding pad 17 and the like.
すなわち、まず、基板11上にアンダーコート膜12と引
出し線16とを、スパッタ法とフォトリソグラフィー技術
等を用いて順に形成した後（第２図（ａ））、一部アン
ダーコート膜12上を含めて引出し線16上に、銅等のメッ
キ下地薄膜18をスパッタ法によって形成する（第２図
（ｂ））。次いで、このメッキ下地薄膜18上にリング状
の有機絶縁部材19を形成する。この有機絶縁部材19の形
成は、たとえばポジ系のフォトレジストを塗布し、200
℃程度の温度で熱硬化させ、アセトン等の溶剤に不溶に
する等の方法で行われる（第２図（ｃ））。次に、この
有機絶縁部材19の外側にメッキレジストによってフレー
ム21を形成した後（第２図（ｄ））、このレジストフレ
ーム21内に銅等を電気メッキしてボンディングパッド17
を形成する（第２図（ｄ））。次いで、レジストフレー
ム21をアセトン等の溶剤を用いて除去し（第２図
（ｅ））、さらにメッキ下地薄膜18をイオンビームエッ
チングした後（第２図（ｆ））、これらの上全体にスパ
ッタ法等により保護膜20を形成する（第２図（ｇ））。
しかる後、保護膜20の表面を平坦化し、かつボンディン
グパッド17を保護膜20の表面に露出させる（第２図
（ｈ））。That is, first, the undercoat film 12 and the lead wire 16 are sequentially formed on the substrate 11 by using the sputtering method and the photolithography technique (FIG. 2 (a)), and then the partial undercoat film 12 is partially covered. In addition, a plating base thin film 18 of copper or the like is formed on the lead wire 16 by a sputtering method (FIG. 2 (b)). Next, a ring-shaped organic insulating member 19 is formed on the plating base thin film 18. The organic insulating member 19 is formed, for example, by applying a positive photoresist,
It is carried out by a method such as thermosetting at a temperature of about 0 ° C. and making it insoluble in a solvent such as acetone (FIG. 2 (c)). Next, a frame 21 is formed on the outside of the organic insulating member 19 by a plating resist (FIG. 2 (d)), and then copper or the like is electroplated in the resist frame 21 to form the bonding pad 17
Is formed (FIG. 2D). Next, the resist frame 21 is removed by using a solvent such as acetone (FIG. 2 (e)), and the plating base thin film 18 is ion beam etched (FIG. 2 (f)). The protective film 20 is formed by the method (FIG. 2 (g)).
Thereafter, the surface of the protective film 20 is flattened and the bonding pad 17 is exposed on the surface of the protective film 20 (FIG. 2 (h)).
上述したように、形成された実施例の薄膜磁気ヘッド
においては、保護膜20の形成工程で（第２図（ｇ））、
ボンディングパッド17の陰になりスパッタ粒子がとどか
ないかさ部の下（ボンディングパッド17の側周部の外
側）に、有機絶縁部材19がリング状に設けられているの
で、保護膜20は空洞や亀裂を生じることなく、これらの
外側全体を完全に被膜する。したがって、保護膜20表面
の平坦化工程でも、保護膜20に欠けや隙間が生じず、信
頼性の高い薄膜磁気ヘッドを得ることができる。また、
有機絶縁部材19は保護膜20表面に露出されていないの
で、充分な耐久性を有している。As described above, in the thin film magnetic head of the formed example, in the step of forming the protective film 20 (FIG. 2 (g)),
Since the organic insulating member 19 is provided in the shape of a ring under the shade portion which is behind the bonding pad 17 and in which sputtered particles do not reach (outside the side peripheral portion of the bonding pad 17), the protective film 20 has voids or cracks. Completely over their outside without causing Therefore, even in the step of flattening the surface of the protective film 20, no cracks or gaps are formed in the protective film 20, and a highly reliable thin film magnetic head can be obtained. Also,
Since the organic insulating member 19 is not exposed on the surface of the protective film 20, it has sufficient durability.
次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対す
る比較例について説明する。この比較例の方法において
は、まず、基板11上にアンダーコート膜12と引出し線16
とを、スパッタ法とフォトリソグラフィー技術等によっ
て順に形成した後（第３図（ａ））、引出し線16上にス
パッタ法によってメッキ下地薄膜18を形成し（第３図
（ｂ））、次いでこの上に、樹脂塗料をリング状に塗布
し、約200℃で熱硬化させることによって、有機絶縁部
材からなるレジストフレーム21を形成する（第３図
（ｃ））。次に、このレジストフレーム21内に銅等を電
気メッキしてボンディングパッド17を形成した後（第３
図（ｄ））、O2プラズマ等を照射してレジストフレーム
21をリアクティブイオンエッチングする。Next, a comparative example to the method of manufacturing the thin film magnetic head according to the invention will be described. In the method of this comparative example, first, the undercoat film 12 and the lead wire 16 are formed on the substrate 11.
Are sequentially formed by a sputtering method and a photolithography technique (FIG. 3 (a)), and then a plating base thin film 18 is formed on the lead wire 16 by the sputtering method (FIG. 3 (b)). A resin coating material is applied in a ring shape on the top and is thermally cured at about 200 ° C. to form a resist frame 21 made of an organic insulating member (FIG. 3 (c)). Next, copper or the like is electroplated in the resist frame 21 to form the bonding pad 17 (third part).
Figure (d)), resist frame exposed to O 2 plasma
21 is reactive ion etched.
このとき、レジストフレーム21のボンディングパッド
17の上部かさ部の下の部分は、ボンディングパッド17に
よって遮蔽されているため、ほぼリング状に残る（第３
図（ｅ））。次いで、メッキ下地薄膜18をイオンビーム
エッチングした後（第３図（ｆ））、これらの上全体に
スパッタ法により保護膜20を形成し（第３図（ｇ））、
この後、保護膜20表面を平坦化しボンディングパッド17
を表面に露出させる（第３図（ｈ））。At this time, the bonding pad of the resist frame 21
The lower portion of the upper portion of the cap 17 is shielded by the bonding pad 17, and thus remains in a substantially ring shape (third part).
Figure (e). Next, after the plating base thin film 18 is subjected to ion beam etching (FIG. 3 (f)), a protective film 20 is formed on the entire surface by sputtering (FIG. 3 (g)).
After this, the surface of the protective film 20 is flattened and the bonding pad 17
Is exposed on the surface (FIG. 3 (h)).
上述した方法によれば、ボンディングパッド17の上部
かさ部の下（基幹部の周り）に、有機絶縁部材からなる
レジストフレーム21の一部がリング状に残留しているの
で、この上に被膜された保護膜20に空洞や亀裂が生じる
ことがなく、研磨くず等の混入しない信頼性の高い薄膜
磁気ヘッドを得ることができる。According to the above-mentioned method, since a part of the resist frame 21 made of an organic insulating member remains in a ring shape under the upper portion of the bonding pad 17 (around the main portion), the resist frame 21 is coated thereon. It is possible to obtain a highly reliable thin film magnetic head in which no cavities or cracks are formed in the protective film 20 and polishing debris or the like is not mixed.
しかしながら、かかる比較例の方法と本発明に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法とを比較すると、本発明に係る
方法においては、第２図（ｄ）に示すように、有機絶縁
部材19の外周に形成したレジストフレーム21内に銅等を
電気メッキしてボンディングパッド17を形成するので、
レジストフレーム21はボンディングパッドの外形をきめ
る型となり、以て寸法精度良くボンディングパッド17を
形成できる。However, comparing the method of the comparative example with the method of manufacturing the thin film magnetic head according to the present invention, in the method according to the present invention, as shown in FIG. Since the bonding pad 17 is formed by electroplating copper or the like in the formed resist frame 21,
The resist frame 21 is of a type that determines the outer shape of the bonding pad, so that the bonding pad 17 can be formed with high dimensional accuracy.
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によれば、ボンディングパッドの基幹部となる領域の
外周部にリング状の有機絶縁部材を形成したので、上部
が横に張り出したマッシュルーム状のボンディングパッ
ドを形成するにあたり、保護膜形成の工程でこれまでス
パッタ粒子がとどきにくかった部分がリング状の有機絶
縁部材によって解消され、保護層に空洞や亀裂が生じな
くなる。また、有機絶縁部材の外側にメッキレジストに
よるフレームを形成し、このレジストフレーム内にメッ
キによりボンディングパッドを形成するので、このレジ
ストフレームのボンディングパッドの外形をきめる型と
して寸法精度良くボンディングパッドを形成でき、歩留
りの向上を図れる。[Effects of the Invention] As described above, according to the method of manufacturing a thin film magnetic head of the present invention, since the ring-shaped organic insulating member is formed on the outer peripheral portion of the region serving as the basic portion of the bonding pad, the upper portion is lateral. In forming the overhanging mushroom-shaped bonding pad, the ring-shaped organic insulating member eliminates the portion where sputtered particles have been hard to reach in the step of forming the protective film, so that no void or crack is formed in the protective layer. Further, a frame made of a plating resist is formed on the outside of the organic insulating member, and a bonding pad is formed in the resist frame by plating, so that the bonding pad can be formed with high dimensional accuracy as a mold for determining the outer shape of the bonding pad of the resist frame. The yield can be improved.
第１図は本発明薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す一部断
面斜視図、第２図（ａ）〜（ｈ）は第１図の実施例にお
けるボンディングパッド等の形成方法を説明するための
断面図、第３図（ａ）〜（ｈ）はボンディングパッド等
の別の形成方法を説明するための断面図、第４図は従来
の薄膜磁気ヘッドを示す斜視図、第５図は第４図の要部
を断面で示す一部断面斜視図、第６図（ａ）〜（ｈ）は
従来の薄膜磁気ヘッドでのボンディングパッド等の形成
方法を説明するための断面図である。 １、11……基板、３、15……磁電交換部、６、16……引
出し線、７、17……ボンディングパッド、９、20……保
護膜、10、21……レジストフレーム、19……リング状の
有機絶縁部材。FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing an embodiment of the thin film magnetic head of the present invention, and FIGS. 2 (a) to (h) are for explaining a method of forming a bonding pad or the like in the embodiment of FIG. Sectional views, FIGS. 3A to 3H are sectional views for explaining another method of forming a bonding pad and the like, FIG. 4 is a perspective view showing a conventional thin film magnetic head, and FIG. FIGS. 6A to 6H are cross-sectional views for explaining a method of forming a bonding pad and the like in a conventional thin film magnetic head. 1, 11 ... Substrate, 3, 15 ... Magnetoelectric exchange part, 6, 16 ... Lead wire, 7, 17 ... Bonding pad, 9, 20 ... Protective film, 10, 21 ... Resist frame, 19 ... ... Ring-shaped organic insulating member.
Claims (1)
回路パターンとが、薄膜法によりそれぞれ形成され、前
記回路パターン上の所定の位置にボンディングパッドが
形成された薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 （ａ）少なくともボンディングパッドの基幹部となる領
域にメッキ下地膜を形成する工程と、 （ｂ）少なくともボンディングパッドの基幹部となる領
域の外周部にリング状の有機絶縁部材を形成する工程
と、 （ｃ）有機絶縁部材の外側にメッキレジストによるフレ
ームを形成する工程と、 （ｄ）レジストフレーム内にメッキによりボンディンパ
ッドを形成する工程と、を具備することを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製造方法。1. A method of manufacturing a thin film magnetic head in which a magnetoelectric conversion portion and a circuit pattern connected thereto are formed on a substrate by a thin film method, and a bonding pad is formed at a predetermined position on the circuit pattern. In the method, (a) a step of forming a plating base film in at least a region serving as a base of a bonding pad, and (b) forming a ring-shaped organic insulating member at least in an outer peripheral portion of a region serving as a base of a bonding pad. A thin film magnetic device comprising: (c) forming a frame made of a plating resist on the outside of the organic insulating member; and (d) forming a bondin pad in the resist frame by plating. Head manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19038788A JP2685235B2 (en) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | Method for manufacturing thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19038788A JP2685235B2 (en) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | Method for manufacturing thin-film magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240118A JPH0240118A (en) | 1990-02-08 |
| JP2685235B2 true JP2685235B2 (en) | 1997-12-03 |
Family
ID=16257320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19038788A Expired - Lifetime JP2685235B2 (en) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | Method for manufacturing thin-film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2685235B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5735255B2 (en) | 2010-10-28 | 2015-06-17 | 株式会社ハイレックスコーポレーション | Mooring device and steering mooring mechanism using the same |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP19038788A patent/JP2685235B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0240118A (en) | 1990-02-08 |
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