JP2669249B2 - Plasma processing apparatus and method for cleaning the apparatus - Google Patents

Plasma processing apparatus and method for cleaning the apparatus

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JP2669249B2
JP2669249B2 JP4071573A JP7157392A JP2669249B2 JP 2669249 B2 JP2669249 B2 JP 2669249B2 JP 4071573 A JP4071573 A JP 4071573A JP 7157392 A JP7157392 A JP 7157392A JP 2669249 B2 JP2669249 B2 JP 2669249B2
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plasma processing
plasma
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processing apparatus
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茂樹 小林
眞志 田野
善隆 森岡
聡 谷原
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Sumitomo Metal Industries Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置及び該
装置のクリーニング方法、より詳細にはプラズマ処理室
に試料台が配設され、プラズマ処理により試料上に主に
CVD薄膜を形成するためのプラズマ処理装置及び該装
置のクリーニング方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus and a cleaning method for the apparatus, and more particularly, to a method in which a sample stage is provided in a plasma processing chamber and a CVD thin film is mainly formed on a sample by plasma processing. The present invention relates to a plasma processing apparatus and a method for cleaning the apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】大規模集積回路の製造においては、半導
体ウエハ上に薄膜を堆積させて微細なパターンを形成す
る必要がある。この薄膜形成の際、試料以外の場所にも
薄膜形成物が付着し、この薄膜形成物が剥離し、パーテ
ィクルとなり、このパーティクルが試料に付着し配線の
ショート等を引き起こすことがある。このため試料の不
良をもたらす付着物の除去が重要視されている。
2. Description of the Related Art In the production of large-scale integrated circuits, it is necessary to form a fine pattern by depositing a thin film on a semiconductor wafer. During the formation of the thin film, the thin film product adheres to places other than the sample, and the thin film product peels off and becomes particles, and the particles may adhere to the sample and cause a short circuit of wiring or the like. For this reason, importance has been placed on the removal of deposits that cause defects of the sample.

【0003】図3は従来のプラズマ処理装置の一例を模
式的に示した断面図であり、図中30は処理室を示して
いる。この処理室30の上部には上部電極35が配設さ
れ、上部電極35の上方には絶縁体34aが配設されて
いる。この上部電極35は切り換えスイッチ38aに接
続されており、この切り換えスイッチ38aを介して高
周波電源32aまたはアース33aに接続されるように
なっている。またこの上部電極35に対向して処理室3
0の下方には下部電極36が配設されている。下部電極
36の上面には試料31が載置されており、下部電極3
6の下方には絶縁体34bが配設されている。この下部
電極36は切り換えスイッチ38bに接続されており、
切り換えスイッチ38bを介して、高周波電源32bま
たはアース33bに接続されるようになっている。また
処理室30を形成する側壁37にもアース33cが接続
されている。
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a conventional plasma processing apparatus. In the figure, reference numeral 30 denotes a processing chamber. An upper electrode 35 is provided above the processing chamber 30, and an insulator 34a is provided above the upper electrode 35. The upper electrode 35 is connected to a changeover switch 38a, and is connected to the high frequency power supply 32a or the ground 33a via the changeover switch 38a. The processing chamber 3 faces the upper electrode 35.
Below 0, a lower electrode 36 is provided. The sample 31 is placed on the upper surface of the lower electrode 36, and the lower electrode 3
An insulator 34b is disposed below the lower part 6. This lower electrode 36 is connected to a changeover switch 38b,
It is adapted to be connected to the high frequency power source 32b or the ground 33b via the changeover switch 38b. The ground 33c is also connected to the side wall 37 forming the processing chamber 30.

【0004】このように構成されたプラズマ処理装置を
用いてプラズマ処理を行なう場合、まず切り換えスイッ
チ38bを介して高周波電圧を下部電極36側に供給
し、上部電極35を切り換えスイッチ38aを介してア
ース33aに接続し、ガス導入口(図示せず)から原料
ガスを供給することにより、供給された原料ガスがプラ
ズマ化されて試料31にプラズマ処理が施される。この
際試料31以外の場所にも生成物が付着し、付着した膜
が剥離するとパーティクルの原因となるため、この付着
物のクリーニングを行なう必要が生じてくる。この付着
物のクリーニング時には、切り換えスイッチ38aを介
して高周波電圧を上部電極35に供給する一方、下部電
極36は前記下部電極36側の高周波電源32bに接続
したままとし、電極35、36間の放電インピーダンス
よりも上部電極35と処理室30内壁との放電インピー
ダンスが低くなるようにコントロールする。その結果プ
ラズマが処理室30内壁や上部電極35裏面に広がり、
こうした場所に付着している付着物を除去することがで
きる。
When plasma processing is performed using the plasma processing apparatus configured as described above, a high-frequency voltage is first supplied to the lower electrode 36 via a changeover switch 38b, and the upper electrode 35 is grounded via a changeover switch 38a. By connecting to the source gas 33a and supplying the source gas from a gas inlet (not shown), the supplied source gas is turned into plasma and the sample 31 is subjected to plasma processing. At this time, the product adheres to a place other than the sample 31, and if the adhered film peels off, it causes particles. Therefore, it is necessary to clean the adhered matter. At the time of cleaning this deposit, a high-frequency voltage is supplied to the upper electrode 35 via the changeover switch 38a, while the lower electrode 36 is kept connected to the high-frequency power source 32b on the side of the lower electrode 36 to discharge between the electrodes 35, 36. The discharge impedance between the upper electrode 35 and the inner wall of the processing chamber 30 is controlled to be lower than the impedance. As a result, the plasma spreads on the inner wall of the processing chamber 30 and the back surface of the upper electrode 35,
Deposits adhering to these locations can be removed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記したプラズマ処理
装置を用いて該装置のクリーニングを行なう際、発生す
るプラズマは上部電極35及び下部電極36近傍に集中
する。しかしながら、付着物の除去を必要としている場
所は処理室30の側壁37等であり、上部電極35に高
周波電圧を印加してもプラズマを側壁37等へは集中さ
せることができず、側壁37等に付着した付着物除去に
時間がかかるという課題があった。
When cleaning the above-described plasma processing apparatus using the above-described plasma processing apparatus, generated plasma concentrates near the upper electrode 35 and the lower electrode 36. However, the place where the attachment needs to be removed is the side wall 37 or the like of the processing chamber 30, and even if a high frequency voltage is applied to the upper electrode 35, the plasma cannot be concentrated on the side wall 37 or the like. There is a problem that it takes a long time to remove the deposits attached to the surface.

【0006】本発明は上記した課題に鑑みなされたもの
であり、付着物を除去する必要がある箇所にプラズマを
集中して分布させることができ、プラズマによる付着物
の除去を効率よく行なうことが可能なプラズマ処理装置
及び該装置のクリーニング方法を提供することを目的と
している。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is possible to concentrate and distribute plasma at a place where it is necessary to remove deposits, and it is possible to efficiently remove deposits by plasma. It is an object of the present invention to provide a possible plasma processing apparatus and a cleaning method for the apparatus.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために本発明に係るプラズマ処理装置及び該装置のクリ
ーニング方法は、プラズマ処理室に試料台が配設され、
プラズマにより試料の処理を行なうプラズマ処理装置に
おいて、反応生成物が前記プラズマ処理室の内壁に付着
することを防ぐために前記プラズマ処理室内壁近傍に絶
縁物で形成された防着板が配設され、該絶縁防着板と前
記プラズマ処理室の内壁との間に高周波印加用電極が介
装されていることを特徴とし、また本発明に係るプラズ
マ処理装置のクリーニング方法は、プラズマ処理室にエ
ッチング用ガスを供給すると共に、高周波印加用電極に
高周波電力を供給し、防着板に付着した付着物をエッチ
ング除去することを特徴としている。
In order to achieve the above-mentioned object, a plasma processing apparatus and a cleaning method of the apparatus according to the present invention are provided.
In a plasma processing apparatus for processing a sample by plasma, a deposition-prevention plate formed of an insulator is disposed near the inner wall of the plasma processing chamber in order to prevent a reaction product from adhering to an inner wall of the plasma processing chamber, A high-frequency application electrode is interposed between the insulating / prevention plate and the inner wall of the plasma processing chamber, and the cleaning method of the plasma processing apparatus according to the present invention includes the steps of: In addition to supplying gas, high-frequency power is supplied to the high-frequency application electrode, and the deposits attached to the deposition preventing plate are removed by etching.

【0008】[0008]

【作用】上記した装置によれば、プラズマ処理室に試料
台が配設されたプラズマ処理装置において、前記プラズ
マ処理室内壁近傍に絶縁物で形成された防着板が配設さ
れ、該絶縁防着板と前記プラズマ処理室内壁との間に高
周波印加用電極が介装されているので、クリーニング時
には前記高周波印加用電極に高周波を印加することによ
り、プラズマが前記絶縁防着板近傍にのみ集中して発生
することとなり、前記絶縁防着板に付着した反応生成物
を効率的に除去することが可能になる。
According to the above-described apparatus, in a plasma processing apparatus having a sample stage disposed in a plasma processing chamber, a deposition prevention plate made of an insulator is disposed near the inner wall of the plasma processing chamber. Since the high frequency application electrode is interposed between the deposition plate and the inner wall of the plasma processing chamber, the plasma is concentrated only in the vicinity of the insulation / deposition plate by applying a high frequency to the high frequency application electrode during cleaning. As a result, it becomes possible to efficiently remove the reaction product adhering to the insulating / adhesion-preventing plate.

【0009】また本発明に係るプラズマ処理装置のクリ
ーニング方法によれば、上記装置を用い、プラズマ処理
室にエッチングガスを供給すると共に、高周波印加用電
極に高周波を印加し、絶縁防着板に付着した付着物をエ
ッチングして除去するので、前記高周波印加用電極への
高周波印加により前記絶縁防着板の近傍に集中してプラ
ズマが発生し、集中的に発生したプラズマにより前記防
着板に付着した反応生成物を効率よく除去することが可
能である。
Further, according to the cleaning method of the plasma processing apparatus according to the present invention, by using the above-mentioned apparatus, an etching gas is supplied to the plasma processing chamber, and a high frequency is applied to the high frequency applying electrode to adhere to the insulating deposition plate. Since the adhered substance is removed by etching, plasma is generated in a concentrated manner in the vicinity of the insulating / preventing plate by applying a high frequency to the high-frequency applying electrode, and the plasma is generated and adheres to the preventing / preventing plate. It is possible to efficiently remove the reacted reaction product.

【0010】[0010]

【実施例及び比較例】以下、本発明に係るプラズマ処理
装置及び該装置のクリーニング方法の実施例を図面に基
づいて説明する。
Embodiments and Comparative Examples Hereinafter, embodiments of a plasma processing apparatus and a cleaning method of the apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0011】図1は実施例に係るプラズマ処理装置を模
式的に示した断面図であり、図中13はプラズマ生成室
を示している。プラズマ生成室13の左側端部の略中央
部にはマイクロ波導入口18が形成され、マイクロ波導
入口18の下方にはガス導入口18aが形成されてい
る。プラズマ生成室13の周りには、プラズマ生成室1
3と略同心状に励磁コイル14が配設されている。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a plasma processing apparatus according to an embodiment. In the figure, reference numeral 13 denotes a plasma generation chamber. A microwave inlet 18 is formed substantially at the center of the left end of the plasma generation chamber 13, and a gas inlet 18 a is formed below the microwave inlet 18. Around the plasma generation chamber 13, the plasma generation chamber 1
Excitation coil 14 is arranged substantially concentrically with 3.

【0012】プラズマ生成室13の右方には、プラズマ
引き出し窓13aを介してプラズマ生成室13と連通す
るプラズマ処理室10が形成されている。
On the right side of the plasma generation chamber 13, there is formed a plasma processing chamber 10 which communicates with the plasma generation chamber 13 through a plasma extraction window 13a.

【0013】また、プラズマ処理室10右側のプラズマ
引き出し窓13aと対向する箇所には、試料11を静電
チャック等により保持する試料台16が配設されてい
る。プラズマ処理室10の内壁17の内側には、電気的
に絶縁され、Tiを材料として形成された高周波印加用
の電極15が配設されており、さらに電極15の内側に
は熱膨張係数の小さい材料である石英等で形成された絶
縁防着板19が配設されている。また電極15には、高
周波電源12が接続されている。電極15と内壁17と
の隙間は十分小さく設定され、電極15に高周波を印加
しても電極15と内壁17との間にプラズマは発生せ
ず、内壁17が電極15に対して高周波シールドの役割
を果たすように構成されている。
A sample stage 16 for holding the sample 11 by an electrostatic chuck or the like is provided at a position facing the plasma extraction window 13a on the right side of the plasma processing chamber 10. Inside the inner wall 17 of the plasma processing chamber 10, an electrode 15 for applying a high frequency, which is electrically insulated and made of Ti, is provided. An insulating / adhesion-preventing plate 19 made of a material such as quartz is provided. Further, a high frequency power supply 12 is connected to the electrode 15. The gap between the electrode 15 and the inner wall 17 is set to be sufficiently small. Even if a high frequency is applied to the electrode 15, no plasma is generated between the electrode 15 and the inner wall 17, and the inner wall 17 serves as a high-frequency shield for the electrode 15. It is configured to fulfill.

【0014】このように構成されたプラズマ処理装置を
用い、例えばO2ガスとSiH4 ガスを供給して試料11
上にSiO2 膜を堆積させると、絶縁防着板19の内周
面にもSiO2 膜が付着する。このSiO2 膜をクリー
ニングする場合、プラズマ生成室13及びプラズマ処理
室10内を所要の真空度に設定し、次いでプラズマ生成
室13内にガス導入口18aを通じてエッチングガスC
4 を供給する。そして励磁コイル14に直流電流を通
流すると同時にプラズマ生成室13にマイクロ波を導
き、プラズマ生成室13にプラズマを発生させる。上記
励磁コイル14への通流によりプラズマ生成室13のほ
ぼ全域にわたって右向きの磁界が一様に形成され、この
発散磁界によりプラズマはプラズマ処理室10内に導か
れる。また電極15にも高周波電源12により400K
Z の高周波を印加する。
Using the thus-configured plasma processing apparatus, for example, O 2 gas and SiH 4 gas were supplied to obtain a sample 11
When depositing SiO 2 film on, the SiO 2 film adheres to the inner circumferential surface of the insulating deposition preventing plate 19. When cleaning the SiO 2 film, the interior of the plasma generation chamber 13 and the plasma processing chamber 10 are set to a required degree of vacuum, and then the etching gas C is introduced into the plasma generation chamber 13 through the gas inlet 18a.
And supplies the F 4. Then, a microwave is guided to the plasma generation chamber 13 at the same time when a DC current flows through the excitation coil 14, and plasma is generated in the plasma generation chamber 13. A rightward magnetic field is uniformly formed over almost the entire area of the plasma generation chamber 13 by the flow to the exciting coil 14, and the plasma is guided into the plasma processing chamber 10 by this divergent magnetic field. The electrode 15 is also supplied with 400 K by the high frequency power supply 12.
Applying a high frequency of H Z.

【0015】このように磁界を形成しつつ、プラズマ生
成室13内にマイクロ波を導入すると、プラズマ生成室
13を空洞共振器としてガスが共鳴励起され、プラズマ
生成室13内の広い領域において効率良くプラズマが発
生する。また400kHZ の高周波電源12により10
0Wの高周波電力を電極15に印加すると、絶縁防着板
19近傍にプラズマが集中し、絶縁防着板19に付着し
たSiO2 膜を効率よく除去することができる。なお、
電極15と絶縁防着板19との隙間はできるだけ小さく
し、内壁17は電極15に対し、高周波シールドの役割
を果たすようにしてあるので、内壁17と電極15との
間でプラズマが発生することはない。
When the microwave is introduced into the plasma generation chamber 13 while forming the magnetic field in this way, the gas is resonantly excited by using the plasma generation chamber 13 as a cavity resonator, and the plasma generation chamber 13 is efficiently evacuated in a wide region. Plasma is generated. The 10 by the high frequency power source 12 of the 400KH Z
When a high-frequency power of 0 W is applied to the electrode 15, the plasma concentrates in the vicinity of the insulating / preventing plate 19, and the SiO 2 film adhered to the insulating / preventing plate 19 can be efficiently removed. In addition,
The gap between the electrode 15 and the insulation-preventing plate 19 is made as small as possible, and the inner wall 17 acts as a high-frequency shield for the electrode 15, so that plasma is generated between the inner wall 17 and the electrode 15. There is no.

【0016】上記装置を用いてクリーニング条件を変え
たときの結果を表1に示す。
Table 1 shows the results when the cleaning conditions were changed using the above apparatus.

【0017】[0017]

【表1】 [Table 1]

【0018】No.1は電極15に高周波を印加せず、
マイクロ波をプラズマ生成室13に導入して励磁コイル
14に直流電流を流した場合の絶縁防着板19における
エッチングレートを示しており、No.2は電極15に
は高周波を印加し、プラズマ生成室13にマイクロ波を
導入しなかった場合の絶縁防着板19におけるエッチン
グレートを示しており、No.3は励磁コイル14に電
流を流し、かつプラズマ生成室13にマイクロ波を導入
し、電極15に高周波電圧も同時に印加した場合の絶縁
防着板19におけるエッチングレートを示している。
No. No. 1 does not apply a high frequency to the electrode 15,
It shows the etching rate of the insulating / preventing plate 19 when microwaves are introduced into the plasma generation chamber 13 and a direct current flows through the exciting coil 14. No. 2 indicates an etching rate of the insulating / preventing plate 19 when a high frequency was applied to the electrode 15 and no microwave was introduced into the plasma generation chamber 13. Reference numeral 3 denotes an etching rate of the insulating / preventing plate 19 when a current is applied to the exciting coil 14, a microwave is introduced into the plasma generation chamber 13, and a high-frequency voltage is simultaneously applied to the electrode 15.

【0019】表1から明らかなように、電極15に高周
波を印加しなかった場合はほとんど付着物の除去は行な
われず、また電極15への高周波電圧印加のみの場合に
おける絶縁防着板19に対するエッチングレートより、
電極15へ高周波電圧を印加すると同時に、励磁コイル
14には電流を流し、プラズマ生成室13にはマイクロ
波を導入した場合における絶縁防着板19に対するエッ
チングレートが格段に高くなっている。このようにマイ
クロ波パワー及び電極15への高周波パワーへの印加に
より、非常に効率よく絶縁防着板19の付着物を除去す
ることができることが明らかになった。
As is clear from Table 1, when no high frequency was applied to the electrode 15, almost no deposits were removed, and when only a high frequency voltage was applied to the electrode 15, etching was performed on the insulating / deposition plate 19. Than rate
At the same time as applying a high-frequency voltage to the electrode 15, a current flows through the exciting coil 14, and the etching rate for the insulating / preventing plate 19 when microwaves are introduced into the plasma generation chamber 13 is significantly higher. As described above, it has been clarified that by applying the microwave power and the high-frequency power to the electrode 15, it is possible to very efficiently remove the deposits on the insulating / preventing plate 19.

【0020】また上記したように絶縁防着板を配設し、
電極に高周波電圧をかけて付着物を除去する方法が実施
できるのは上記ECRプラズマCVD装置に限定され
ず、図2に示したように、平行平板型プラズマ処理装置
においても同様に実施することができる。
[0020] Further, as described above, the insulating / preventing plate is provided,
The method of applying the high-frequency voltage to the electrodes to remove the deposits can be implemented not only in the above-mentioned ECR plasma CVD apparatus but also in a parallel plate type plasma processing apparatus as shown in FIG. it can.

【0021】図2は平行平板型プラズマ処理装置の一実
施例を模式的に示した断面図であり、図中20はプラズ
マ処理室を示している。このプラズマ処理室20の上部
には上部電極25が配設され、上部電極25の上方には
絶縁体24aが配設されている。この上部電極25はア
ース23aに接続されている。またこの上部電極25に
対向してプラズマ処理室20の下部には下部電極26が
配設されている。下部電極26の上面には試料21が載
置されており、下部電極26の下方には絶縁体24bが
配設されている。この下部電極26は高周波電源22a
に接続されている。またプラズマ処理室20の内壁27
の近傍にはTiで形成した電極45が配設されており、
さらに電極45の内側には熱膨張係数の小さい材料であ
る石英等で形成された絶縁防着板29が配設されてい
る。また電極45には高周波電源22bが接続されてい
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of a parallel plate type plasma processing apparatus. In the drawing, reference numeral 20 denotes a plasma processing chamber. An upper electrode 25 is provided above the plasma processing chamber 20, and an insulator 24a is provided above the upper electrode 25. The upper electrode 25 is connected to the ground 23a. A lower electrode 26 is arranged below the plasma processing chamber 20 so as to face the upper electrode 25. The sample 21 is placed on the upper surface of the lower electrode 26, and an insulator 24b is provided below the lower electrode 26. The lower electrode 26 is a high-frequency power supply 22a.
It is connected to the. The inner wall 27 of the plasma processing chamber 20
, An electrode 45 formed of Ti is provided.
Further, an insulation-preventing plate 29 made of quartz or the like having a small thermal expansion coefficient is provided inside the electrode 45. The electrode 45 is connected to the high frequency power supply 22b.

【0022】このように構成されたプラズマ処理装置の
クリーニング時には、電極45に接続された高周波電源
22bからの高周波電力を供給し、絶縁防着板29の近
傍にのみ高周波プラズマを発生させることにより、絶縁
防着板29に付着した反応生成物を効率よく除去するこ
とができる。なお、上記実施例の場合と同様に電極45
と内壁27との隙間はできるだけ小さくしてあり、内壁
27が電極45に対し、高周波シールドの役割を果たす
ようになっている。
At the time of cleaning the thus-configured plasma processing apparatus, high-frequency power is supplied from the high-frequency power source 22b connected to the electrode 45, and high-frequency plasma is generated only in the vicinity of the insulation / adhesion prevention plate 29. Reaction products adhered to the insulation / prevention plate 29 can be efficiently removed. It should be noted that, as in the case of the above embodiment, the electrode 45
The gap between the inner wall 27 and the inner wall 27 is made as small as possible, and the inner wall 27 serves as a high-frequency shield for the electrode 45.

【0023】図2に示した平行平板型プラズマ装置の場
合、図1に示した実施例における電極15への高周波印
加のみの場合と同様のエッチングレートを得ることがで
きる。
In the case of the parallel plate type plasma apparatus shown in FIG. 2, an etching rate similar to that of the embodiment shown in FIG. 1 in which only high frequency is applied to the electrode 15 can be obtained.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明に係るプラズマ処理装置にあっては、プラズマ処理室
に試料台が配設され、プラズマにより試料の処理を行な
う装置において、反応生成物が前記プラズマ処理室の内
壁に付着することを防ぐために前記プラズマ処理室内壁
近傍に絶縁物で形成された防着板が配設され、該絶縁防
着板と前記プラズマ処理室内壁との間に高周波印加用電
極が介装されているので、クリーニング時、プラズマ処
理室にエッチング用ガスを供給し、プラズマを発生さ
せ、プラズマにより防着板に付着した付着物をエッチン
グして除去する際、高周波印加用電極に高周波を印加す
ることにより、プラズマを防着板の近傍に集中すること
が可能となり、このプラズマの集中により防着板に付着
した反応生成物を非常に効率よく除去することができ
る。
As is apparent from the above description, in the plasma processing apparatus according to the present invention, the sample stage is disposed in the plasma processing chamber, and the reaction product is generated in the apparatus for processing the sample by plasma. Is attached to the inner wall of the plasma processing chamber, an adhesion preventive plate formed of an insulating material is disposed in the vicinity of the plasma processing chamber inner wall, and the insulating and deposition preventing plate and the plasma processing chamber inner wall are provided. Since the high-frequency application electrode is interposed, an etching gas is supplied to the plasma processing chamber during cleaning to generate plasma, and the plasma is used to remove the adhering substance adhered to the anti-adhesion plate by plasma. By applying a high frequency to the application electrode, it is possible to concentrate the plasma in the vicinity of the deposition-preventing plate, and to remove the reaction products attached to the deposition-preventing plate by the concentration of the plasma. It can be efficiently removed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を摸
式的に示した断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of a plasma processing apparatus according to the present invention.

【図2】本発明に係るプラズマ処理装置の別の実施例を
摸式的に示した断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing another embodiment of the plasma processing apparatus according to the present invention.

【図3】従来のプラズマ処理装置の一例を概略的に示し
た断面図である。
FIG. 3 is a sectional view schematically showing an example of a conventional plasma processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、20 プラズマ処理室 15、45 電極 16 試料台 17、27 内壁 19、29 絶縁防着板 10, 20 Plasma processing chamber 15, 45 Electrode 16 Sample table 17, 27 Inner wall 19, 29 Insulation-proof plate

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 プラズマ処理室に試料台が配設され、プ
ラズマにより試料の処理を行なうプラズマ処理装置にお
いて、反応生成物が前記プラズマ処理室の内壁に付着す
ることを防ぐために前記プラズマ処理室内壁近傍に絶縁
物で形成された防着板が配設され、該防着板と前記プラ
ズマ処理室の内壁との間に高周波印加用電極が介装され
ていることを特徴とするプラズマ処理装置。
In a plasma processing apparatus in which a sample stage is provided in a plasma processing chamber and a sample is processed by plasma, the plasma processing chamber has an inner wall for preventing a reaction product from adhering to an inner wall of the plasma processing chamber. A plasma processing apparatus, wherein a deposition-prevention plate formed of an insulator is provided in the vicinity, and a high-frequency application electrode is interposed between the deposition-prevention plate and an inner wall of the plasma processing chamber.
【請求項2】 請求項1記載の装置を用い、プラズマ処
理室にエッチング用ガスを供給すると共に、高周波印加
用電極に高周波電力を供給し、防着板に付着した付着物
をエッチング除去することを特徴とするプラズマ処理装
置のクリーニング方法。
2. An apparatus according to claim 1, wherein an etching gas is supplied to a plasma processing chamber, and a high-frequency power is supplied to a high-frequency application electrode, so that an adhered substance adhered to the anti-adhesion plate is removed by etching. A cleaning method for a plasma processing apparatus, comprising:
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