JP2668830B2 - 箔シール型白熱電球 - Google Patents
箔シール型白熱電球Info
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- JP2668830B2 JP2668830B2 JP63206324A JP20632488A JP2668830B2 JP 2668830 B2 JP2668830 B2 JP 2668830B2 JP 63206324 A JP63206324 A JP 63206324A JP 20632488 A JP20632488 A JP 20632488A JP 2668830 B2 JP2668830 B2 JP 2668830B2
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- Japan
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- foil
- molybdenum
- silicon
- seal portion
- seal type
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K1/00—Details
- H01K1/38—Seals for leading-in conductors
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば光源、熱源として種々の用途に用い
られる箔シール型白熱電球に関する。
られる箔シール型白熱電球に関する。
箔シール型白熱電球においては、一般に、給電用金属
箔がガラス内に気密に埋設されてシール部が構成されて
いる。この給電用金属箔の外端側には外部リード棒があ
らかじめ溶接等により接続され、また内端側にはフィラ
メントが直接、またはフィラメントに接続された内部リ
ード棒が溶接等により接続されている。
箔がガラス内に気密に埋設されてシール部が構成されて
いる。この給電用金属箔の外端側には外部リード棒があ
らかじめ溶接等により接続され、また内端側にはフィラ
メントが直接、またはフィラメントに接続された内部リ
ード棒が溶接等により接続されている。
封着用金属箔としては、従来、モリブデン箔が好まし
く用いられている。これはモリブデンの耐熱性が高いか
らである。
く用いられている。これはモリブデンの耐熱性が高いか
らである。
しかし、箔シール型白熱電球の点灯時においては、場
合によってはシール部の温度が350℃以上の高温となる
ことがある。このような高温下ではモリブデン箔が例え
ば外部リード棒とシール部のガラスとの間のわずかな隙
間から進入した大気により酸化し、その結果モリブデン
箔の体積が膨張してシール部にクラックが発生する問題
があった。
合によってはシール部の温度が350℃以上の高温となる
ことがある。このような高温下ではモリブデン箔が例え
ば外部リード棒とシール部のガラスとの間のわずかな隙
間から進入した大気により酸化し、その結果モリブデン
箔の体積が膨張してシール部にクラックが発生する問題
があった。
本発明は以上の如き事情に基づいてなされたものであ
って、その目的は、モリブデン箔の酸化劣化を抑制する
ことによりシール部のクラック発生を防止した箔シール
型白熱電球を提供することにある。
って、その目的は、モリブデン箔の酸化劣化を抑制する
ことによりシール部のクラック発生を防止した箔シール
型白熱電球を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、給電用金属箔が
ガラス内に気密に埋設されて構成されたシール部を有す
る箔シール型白熱電球において、前記給電用金属箔が、
モリブデンにシリコンがドーピングされてなることを特
徴とする。
ガラス内に気密に埋設されて構成されたシール部を有す
る箔シール型白熱電球において、前記給電用金属箔が、
モリブデンにシリコンがドーピングされてなることを特
徴とする。
給電用金属箔が、モリブデンにシリコンがドーピング
されてなるので、点灯時にシール部の温度が上昇する
と、ドーピングされたシリコンがモリブデンよりも先に
酸化されるため、給電用金属箔の表面に酸化シリコンの
いわば保護膜が形成される。
されてなるので、点灯時にシール部の温度が上昇する
と、ドーピングされたシリコンがモリブデンよりも先に
酸化されるため、給電用金属箔の表面に酸化シリコンの
いわば保護膜が形成される。
従って、シール部の温度が例えば350℃以上の高温と
なっても、酸化シリコンの保護膜によりモリブデンの酸
化が防止され、シール部のクラック発生を防止すること
ができる。
なっても、酸化シリコンの保護膜によりモリブデンの酸
化が防止され、シール部のクラック発生を防止すること
ができる。
以下、本発明の構成を具体的に説明する。
第１図は本発明に係る箔シール型白熱電球の一側を示
す説明図である。同図において、10はガラス製の管型封
体、21,22は箔シール構造のシール部、30はフィラメン
ト、41,42は内部リード棒、51,52は外部リード棒、61,6
2はモリブデンにシリコンがドーピングされてなる給電
用金属箔である。
す説明図である。同図において、10はガラス製の管型封
体、21,22は箔シール構造のシール部、30はフィラメン
ト、41,42は内部リード棒、51,52は外部リード棒、61,6
2はモリブデンにシリコンがドーピングされてなる給電
用金属箔である。
給電用金属箔61,62においてシリコンのドーピング割
合は特に限定されないが、通常は、モリブデンに対して
300〜1000ppm程度が好ましい。
合は特に限定されないが、通常は、モリブデンに対して
300〜1000ppm程度が好ましい。
シリコンはモリブデンにドーピングすなわち拡散され
ていることが必要であり、例えばモリブデン箔の表面に
シリコンを蒸着したものでは、モリブデンの酸化を十分
に防止することができない。
ていることが必要であり、例えばモリブデン箔の表面に
シリコンを蒸着したものでは、モリブデンの酸化を十分
に防止することができない。
このシリコンは、給電用金属箔61,62のうち、大気と
接触しやすい外部リード棒51,52との接続領域から外端
側にドーピングされていればよい。
接触しやすい外部リード棒51,52との接続領域から外端
側にドーピングされていればよい。
また、外部リード棒51,52としては、モリブデン棒を
好ましく用いることができ、この場合には当該外部リー
ド棒51,52の給電用金属箔61,62との接続部分にもシリコ
ンをドーピングするのが好ましい。
好ましく用いることができ、この場合には当該外部リー
ド棒51,52の給電用金属箔61,62との接続部分にもシリコ
ンをドーピングするのが好ましい。
給電用金属箔61,62は、シール部21,22のガラス内に気
密に埋設されている。そして、給電用金属箔61,62の外
端側には外部リード棒51,52が溶接等によりあらかじめ
接続され、内端側には内部リード棒41,42が溶接等によ
りあらかじめ接続されている。
密に埋設されている。そして、給電用金属箔61,62の外
端側には外部リード棒51,52が溶接等によりあらかじめ
接続され、内端側には内部リード棒41,42が溶接等によ
りあらかじめ接続されている。
内部リード棒41,42間には、例えばタングステン製の
フィラメント30が接続され、当該フィラメント30は管形
封体10の管軸に沿って伸びる姿勢で配設されている。
フィラメント30が接続され、当該フィラメント30は管形
封体10の管軸に沿って伸びる姿勢で配設されている。
以上のような構成の箔シール型白熱電球によれば、給
電用金属箔61,62が、モリブデンにシリコンがドーピン
グされてなるので、点灯時にシール部21,22の温度が上
昇すると、ドーピングされたシリコンがモリブデンより
も先に酸化されるため、給電用金属箔61,62の表面に酸
化シリコンのいわば保護膜が形成され、従って、シール
部21,22の温度が例えば350℃以上の高温となっても、酸
化シリコンの保護膜によりモリブデンの酸化が防止さ
れ、シール部21,22のクラック発生を有効に防止するこ
とができる。
電用金属箔61,62が、モリブデンにシリコンがドーピン
グされてなるので、点灯時にシール部21,22の温度が上
昇すると、ドーピングされたシリコンがモリブデンより
も先に酸化されるため、給電用金属箔61,62の表面に酸
化シリコンのいわば保護膜が形成され、従って、シール
部21,22の温度が例えば350℃以上の高温となっても、酸
化シリコンの保護膜によりモリブデンの酸化が防止さ
れ、シール部21,22のクラック発生を有効に防止するこ
とができる。
モリブデンにシリコンを500ppmとなる割合でドーピン
グしてなる給電用金属箔を用いて本発明に係る箔シール
型白熱電球を製造し、シール部の温度を480℃とした状
態で400時間にわたり連続点灯したところ、最後までシ
ール部のクラックは発生しなかった。
グしてなる給電用金属箔を用いて本発明に係る箔シール
型白熱電球を製造し、シール部の温度を480℃とした状
態で400時間にわたり連続点灯したところ、最後までシ
ール部のクラックは発生しなかった。
また、比較のため、シリコンをまったくドーピングし
ないモリブデン箔を用いて比較用の箔シール型白熱電球
を製造し、上記と同様の点灯実験を行ったところ、わず
か24時間経過した時点でシール部にクラックが発生し
た。
ないモリブデン箔を用いて比較用の箔シール型白熱電球
を製造し、上記と同様の点灯実験を行ったところ、わず
か24時間経過した時点でシール部にクラックが発生し
た。
以上説明したように、本発明によれば、給電用金属箔
がモリブデンにシリコンをドーピングしてなるので、シ
ール部が高温になると、酸化シリコンの保護膜が先に形
成され、そのためモリブデンの酸化が生じにくく、シー
ル部のクラック発生を防止することができる。
がモリブデンにシリコンをドーピングしてなるので、シ
ール部が高温になると、酸化シリコンの保護膜が先に形
成され、そのためモリブデンの酸化が生じにくく、シー
ル部のクラック発生を防止することができる。
第１図は本発明に係る箔シール型白熱電球の一例を示す
説明用断面図である。 10……管形封体、21,22……シール部 30……フィラメント、41,42……内部リード棒 51,52……外部リード棒、61,62……給電用金属箔
説明用断面図である。 10……管形封体、21,22……シール部 30……フィラメント、41,42……内部リード棒 51,52……外部リード棒、61,62……給電用金属箔
Claims (1)
- 【請求項１】給電用金属箔がガラス内に気密に埋設され
て構成されたシール部を有する箔シール型白熱電球にお
いて、 前記給電用金属箔が、モリブデンにシリコンがドーピン
グされてなることを特徴とする箔シール型白熱電球。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63206324A JP2668830B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 箔シール型白熱電球 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63206324A JP2668830B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 箔シール型白熱電球 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256847A JPH0256847A (ja) | 1990-02-26 |
| JP2668830B2 true JP2668830B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=16521413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63206324A Expired - Fee Related JP2668830B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 箔シール型白熱電球 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2668830B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123625A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Toshiba Corp | Bulb |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP63206324A patent/JP2668830B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256847A (ja) | 1990-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |