JP2661523B2 - Microstrip antenna - Google Patents

Microstrip antenna

Info

Publication number
JP2661523B2
JP2661523B2 JP5278809A JP27880993A JP2661523B2 JP 2661523 B2 JP2661523 B2 JP 2661523B2 JP 5278809 A JP5278809 A JP 5278809A JP 27880993 A JP27880993 A JP 27880993A JP 2661523 B2 JP2661523 B2 JP 2661523B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
patch
pair
power supply
circularly polarized
electromagnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP5278809A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH06232627A (en
Inventor
進一郎 北野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP5278809A priority Critical patent/JP2661523B2/en
Publication of JPH06232627A publication Critical patent/JPH06232627A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2661523B2 publication Critical patent/JP2661523B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は円偏波用のマイクロスト
リップアンテナに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microstrip antenna for circularly polarized waves.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来この種のマイクロストリツプアンテ
ナが公開特許公報(発明の名称:マイクロストリツプア
ンテナ,特許出願公開:平3−145305,公開:平
成3年(1991)6月20日)に開示されいる。開
示されたマイクロストリツプアンテナはマイクロストリ
ツプ線路またはスロツトラインから給電されている。図
20は、この公報の明細書内容に従って本願発明者が製
作したマイクロストリツプアンテナの構成図である。こ
こで、(a)図は正面図、(b)図は(a)図のZ1−
Z2断面図、()図は詳細な分解斜視図である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a microstrip antenna of this type has been disclosed in a published patent application (Title of the Invention: Microstrip Antenna, Published Patent Application: Hei 3-145305, Published: June 20, 1991). It is disclosed in). The disclosed microstrip antenna is powered from a microstrip line or slot line. FIG. 20 is a configuration diagram of a microstrip antenna manufactured by the present inventor in accordance with the contents of the specification of this publication. Here, (a) is a front view, (b) is Z1- of (a).
The Z2 cross-sectional view and the ( c ) view are detailed exploded perspective views.

【0003】図20のマイクロストリツプアンテナは、
給電ライン57とペ−サ56とスロツト55aを構成
するスロツト板55とを含むスロツト線路から円形状導
体板の給電パツチ53に直線偏波状の高周波電磁界を供
給する。給電パツチ53は、導体板円周上に設けた一対
の凹部(円形状導体板の一部欠損部)53a,53bお
よび一対の凸部(円形状導体板の面積増加部)53d,
53dの効果により、供給された高周波電磁界から右円
偏波電磁界を生じる。即ち、上記直線偏波状高周波電磁
界の放射電界方向58から(a)図の時計まわり方向4
5°の位置に凹部53a,53bを設け(以下、この両
凹部53aと53bを結ぶ線を給電パツチ対称軸59と
する)、放射電界方向58から反時計まわり方向45°
の円周上の位置(即ち、給電パツチ対称軸59に直交)
に凸部53d,53dを設けると、この給電パツチ53
は、対向する円形状の無給電パツチ51の一面方向に円
偏波電磁界を放射する。無給電パツチ51は、一面に上
記円偏波電磁界を受けて他面から円偏波電磁界を再放射
する。このマイクロストリツプアンテナでは、この無給
電パツチ51にも、給電パツチ53と同様に、凹部53
a,53bのほぼ対応位置に凹部51a,51bを設
け、凸部53d,53dのほぼ対応位置に凸部51d,
51dを設け、楕円偏波率(Axial Ratio)
の広帯域化を図っている。
[0003] The microstrip antenna of FIG.
Feed line 57 and the scan Bae - supplying linearly polarized wave of high-frequency electromagnetic field to a feed Patsuchi 53 of the circular conductive plate from the slot line including a slot plate 55 constituting the support 56 and slot 55a. The power supply patch 53 includes a pair of concave portions (partially missing portions of the circular conductive plate) 53a and 53b and a pair of convex portions (area increasing portions of the circular conductive plate) 53d provided on the circumference of the conductive plate.
By the effect of 53d, a right circularly polarized electromagnetic field is generated from the supplied high frequency electromagnetic field. That is, from the direction 58 of the radiated electric field of the linearly polarized high-frequency electromagnetic field, the clockwise direction 4 in FIG.
Concave portions 53a and 53b are provided at 5 ° positions (hereinafter, a line connecting the concave portions 53a and 53b is referred to as a feed patch symmetric axis 59), and a counterclockwise direction of 45 ° from a radiated electric field direction 58.
(That is, perpendicular to the feed patch symmetry axis 59)
When the projections 53d, 53d are provided on the
Radiates a circularly polarized electromagnetic field in the direction of one surface of the opposing circular parasitic patch 51. The passive patch 51 receives the above-mentioned circularly polarized electromagnetic field on one surface and re-radiates the circularly polarized electromagnetic field from the other surface. In this micro-strip antenna, like the feeding patch 53, the concave portion 53
The concave portions 51a, 51b are provided at substantially corresponding positions of the convex portions 53d, 53b.
51d, elliptical polarization (Axial Ratio)
To widen the bandwidth.

【0004】図20のマイクロストリップアンテナは、
無給電パッチ51,給電パッチ53,スロット55aお
よび給電ライン57をそれぞれ薄いポリエステル銅張積
層板からなるPETフィルム511,531,55およ
び571に形成しており、また、これらPETフィルム
511と531との間、PETフィルム531と55と
の間、およびPETフィルム55と571との間には、
それぞれ比誘電率≒1.1の発泡ポリエチレンシートか
らなるスペーサ52,54および56を配置している。
さらに、このマイクロストリップアンテナは、PETフ
ィルム511(従って無給電パッチ51)を誘電体物質
からなるレドーム61で覆い、PETフィルム571を
上述と同様のスペーサ62を会してグランド板63で覆
い、このアンテナの機能要素を保護している。
[0004] The microstrip antenna shown in FIG.
The non-feeding patch 51, the feeding patch 53, the slot 55a, and the feeding line 57 are formed on PET films 511, 531, 55, and 571 made of a thin polyester copper-clad laminate, respectively. Between the PET films 531 and 55, and between the PET films 55 and 571,
Spacers 52, 54 and 56 made of a foamed polyethylene sheet having a relative dielectric constant of about 1.1 are arranged.
Further, in this microstrip antenna, the PET film 511 (therefore, the parasitic patch 51) is covered with a radome 61 made of a dielectric material, and the PET film 571 is covered with a ground plate 63 with a spacer 62 similar to that described above. Protects the functional elements of the antenna.

【0005】楕円偏波率およびリターンロスを測定する
ために製作した図20のマイクロストリップアンテナ
は、給電パッチ53の円半径が37.5mm,凹部53
aおよび53bそれぞれの最大切込深さが円周線から
5.8mm,切込幅が19.2mm,凸部51aおよび
51bそれぞれの最小突出高さが円周線から5.8m
m,突出幅が19.2mmである。また、無給電パッチ
51の円半径が34.5mm,凹部51aおよび51b
それぞれの最大切込深さが円周線から6.8mm,切込
幅が13.7mmである。なお、このアンテナでは、楕
円偏波率およびリターンロスを改善するため、無給電パ
ッチ53の円半径を給電パッチ51のそれより僅かに小
さくしている。スペーサ52および54の厚さは、それ
ぞれ10mmおよび3mmである。
The microstrip antenna of FIG. 20 manufactured for measuring the elliptical polarization rate and the return loss has a feeding patch 53 having a circular radius of 37.5 mm and a concave portion 53.
The maximum cutting depth of each of a and 53b is 5.8 mm from the circumferential line, the cutting width is 19.2 mm, and the minimum projecting height of each of the projections 51a and 51b is 5.8 m from the circumferential line.
m, the protrusion width is 19.2 mm. In addition, the radius of the non-feeding patch 51 is 34.5 mm, and the concave portions 51a and 51b are formed.
The maximum depth of cut is 6.8 mm from the circumference and the width of cut is 13.7 mm. In this antenna, the radius of the non-feeding patch 53 is made slightly smaller than that of the feeding patch 51 in order to improve the elliptical polarization rate and the return loss. The thickness of the spacers 52 and 54 is 10 mm and 3 mm, respectively.

【0006】図21は、図20のマイクロストリップア
ンテナの楕円偏波率およびリターンロスの測定結果を示
す図である。
FIG. 21 is a diagram showing the measurement results of the elliptical polarization rate and the return loss of the microstrip antenna of FIG.

【0007】このマイクロストリップアンテナは、最良
の楕円偏波率を示す周波数がほぼ1.68GHz,最良
のリターンロスを示す周波数がほぼ1.57GHzであ
り、両者にはほぼ7%のずれがある。円偏波マイクロス
トリップアンテナの実際使用上に必要な特性を楕円偏波
率4dB以下,リターンロース12dB(ミスマッチロ
ス0.3dB)以下とすると、このアンテナは、楕円偏
波率およびリターンロス個個では必要特性を満足する周
波数帯域をそれぞれ80MHz程度有しているにもかか
わらず、両者の最良特性を示す周波数がずれているた
め、アンテナの必要特性を両者ともに満たす帯域を持た
ない。この楕円偏波率とリターンロスとの周波数特性の
ずれは、この種のパッチアンテナで一般に見られる特性
である。
In this microstrip antenna, the frequency showing the best elliptical polarization rate is about 1.68 GHz and the frequency showing the best return loss is about 1.57 GHz, and there is a difference of about 7% between the two. Assuming that the characteristics required for practical use of the circularly polarized microstrip antenna are an elliptical polarization rate of 4 dB or less and a return loss of 12 dB (mismatch loss of 0.3 dB) or less, this antenna has an elliptical polarization rate and return loss. Although the frequency bands satisfying the required characteristics are each about 80 MHz, the frequencies showing the best characteristics of the two are shifted from each other, so that there is no band satisfying both the required characteristics of the antenna. The deviation of the frequency characteristics between the elliptical polarization rate and the return loss is a characteristic generally found in this type of patch antenna.

【0008】なお、この種のマイクロストリップアンテ
ナにおいて、アンテナへの給電方法の違いは、上記楕円
偏波率およびリターンロスの周波数特性に有意性のある
違いを表わさないと考えられている。
In this type of microstrip antenna, it is considered that the difference in the feeding method to the antenna does not represent a significant difference in the frequency characteristics of the elliptical polarization rate and the return loss.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述のとおり、従来の
マイクロストリップアンテナは、最良の楕円偏波率を示
す周波数と最良のリターンロス(VSWR)を示す周波
数とがずれているため、所要のアンテナ損失および放射
特性を共に満たす周波数帯域を広くとれず、実質的に使
用できるアンテナ帯域が狭いという問題があった。
As described above, in the conventional microstrip antenna, the frequency showing the best elliptical polarization rate and the frequency showing the best return loss (VSWR) are different from each other. There has been a problem that a frequency band that satisfies both the loss and radiation characteristics cannot be widened, and the usable antenna band is substantially narrow.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の円偏波用のマイ
クロストリツプアンテナは、高周波電力の供給を受けて
円形状の導体板の一面から円偏波電磁界を放射する給電
パツチと、前記給電パツチに前記高周波電力を供給する
給電手段と、前記給電パツチから前記円偏波電磁界を一
面に受けこの円偏波電磁界を他面から再放射する無給電
パツチとを備える円偏波用のマイクロストリツプアンテ
ナにおいて、 前記給電パツチが、前記円形状導体板の
円周上に、前記高周波電力の給電端と前記円形状導体板
の中心とを結ぶ直線の方向に関して、時計まわりまたは
反時計まわりいずれかのほぼ45°の位置に形成された
一対の凹部、または同上の凸部、または時計まわりおよ
び反時計まわりのほぼ45°の位置にそれぞれ形成され
た一対の凹部と一対の凸部の一対の、いずれかを有して
おり、前記無給電パツチが、前記円形状導体板の一面に
対向して設けられた方形状の導体板であり、前記方形状
導体板が、互いに対向する頂点の一対に形成された一対
の凹部、またな同上の一対の凸部、または互いに対向す
る頂点の二つの対にそれぞれ形成された一対の凹部と一
対の凸部のいずれかを有し、前記方形状導板体は、前記
方形状導板体の凹部または凸部の一対を結ぶ無給電パツ
チ対称軸と前記給電パツチの前記凹部または凸部の一対
を結ぶ給電パツチ対称軸とのなす角度を前記マイクロス
トリップアンテナのリターンロス及び楕円偏波率の最良
周波数帯を一致するように所定の角度だけ回転して取り
付けられている。
According to the present invention, there is provided a microstrip antenna for circular polarization, which receives a high-frequency power and radiates a circularly polarized electromagnetic field from one surface of a circular conductor plate. A power supply means for supplying the high-frequency power to the power supply patch; and a parasitic power supply patch which receives the circularly polarized electromagnetic field from the power supply patch on one surface and re-radiates the circularly polarized electromagnetic field from the other surface. In the microwave microstrip antenna, the feeding patch is clockwise on a circumference of the circular conductive plate with respect to a direction of a straight line connecting a feeding end of the high-frequency power and a center of the circular conductive plate. Or a pair of recesses formed at approximately 45 ° in any of the counterclockwise directions, or a pair of convex portions as described above, or a pair of recesses formed in approximately 45 ° positions in the clockwise and counterclockwise directions, respectively. One of a pair of convex portions, wherein the parasitic patch is a rectangular conductor plate provided to face one surface of the circular conductor plate, and the rectangular conductor plates are It has either a pair of concave portions formed on a pair of opposing vertices, a pair of convex portions same as above, or a pair of concave portions and a pair of convex portions respectively formed on two pairs of opposing vertices. , The rectangular conductive plate body,
Non-powered pad connecting a pair of concave or convex parts of a rectangular conductive plate
A pair of a symmetric axis and the concave or convex portion of the power supply patch.
The angle between the feed patch symmetry axis connecting the
Best return loss and elliptical polarization of trip antenna
Rotate and take a predetermined angle so that the frequency bands match.
It is attached.

【0011】このマイクロストリップアンテナにおい
て、前記給電パッチの放射する円偏波電磁界が右円偏波
電磁界であるときには、前記方形状導体板の前記凸部ま
たは凹部の一対を結ぶ無給電パッチ対称軸が、前記給電
パッチの凹部または凸部の一対を結ぶ給電パッチ対称軸
を基準として反時計方向に回転されており、前記給電パ
ッチの放射する円偏波電磁界が左円偏波電磁界であると
きには、前記方形状導体板の前記凸部または凹部の一対
を結ぶ無給電パッチ対称軸が、前記給電パッチの凹部ま
たは凸部の一対を結ぶ給電パッチ対称軸を基準として時
計方向に回転されている。
In this microstrip antenna, when the circularly polarized electromagnetic field radiated by the feeding patch is a right circularly polarized electromagnetic field, a parasitic patch symmetrical connecting a pair of the convex portions or the concave portions of the rectangular conductor plate. The axis is rotated counterclockwise with respect to a feeding patch symmetric axis connecting a pair of concave or convex portions of the feeding patch, and the circularly polarized electromagnetic field emitted by the feeding patch is a left circularly polarized electromagnetic field. In some cases, the passive patch symmetric axis connecting the pair of the convex portions or the concave portions of the rectangular conductor plate is rotated clockwise with reference to the power supply patch symmetric axis connecting the pair of the concave portions or the convex portions of the power supply patch. I have.

【0012】また、前記マイクロストリップアンテナに
おける給電パッチおよび無給電パッチの一態様は、前記
給電パッチが、前記円形状導体板の円周上に、前記高周
波電力の給電端と前記円形状導体板の中心とを結ぶ直線
の方向に関して時計まわりまたは反時計まわりいずれか
のほぼ45°の位置に形成された一対の凹部と、前記一
対の凹部を結ぶ給電パッチ対称線に垂直でありしかもア
ンテナ中心を通る線上に形成された一対の凸部とを有
し、前記無給電パッチが、前記円形状導体板の一面に対
向して設けられた方形上の導体板であり、前記方形状導
体板が、前記給電パッチの一対の凹部に対応して互いに
対向する頂点の一対に形成した一対の凹部と、前記給電
パッチの一対の凸部に対応して互いに対向する頂点の別
の一対に形成した一対の凸部とを有している。
In one aspect of the power supply patch and the non-power supply patch in the microstrip antenna, the power supply patch includes a power supply end of the high-frequency power and a power supply end of the circular conductor plate on a circumference of the circular conductor plate. A pair of recesses formed at approximately 45 ° clockwise or counterclockwise with respect to the direction of a straight line connecting the center, and a feed patch symmetry line that connects the pair of recesses and that is perpendicular to the antenna center Having a pair of convex portions formed on a line, the parasitic patch is a rectangular conductive plate provided to face one surface of the circular conductive plate, and the rectangular conductive plate is One pair of recesses formed on a pair of vertices facing each other corresponding to a pair of recesses of the power supply patch, and another pair of vertices formed on a pair of vertices facing each other corresponding to a pair of protrusions of the power supply patch. And a convex portion.

【0013】[0013]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0014】図1は本発明の第1の実施例の構成図であ
り、(a)図は正面図、(b)図は(a)図のX1−X
2断面図、()は分解斜視図である。
FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a front view, and FIG.
2 is a cross-sectional view, and ( c ) is an exploded perspective view.

【0015】このマイクロストイツプアンテナは、給電
パツチ3に含まれるマイクロストリツプ導体3bとスペ
−サ4とグランド板5とからなるマイクロストリツプ線
路から給電パツチ3に含まれる円形状導体板の放射導体
3aに直線偏波状の高周波電磁界を供給する。給電パツ
チ3は、放射導体3aの導体円周上に設けた一対の凹部
3d,3dの効果により、供給された高周波電磁界から
右施円偏波電磁界を生じる。即ち、給電パツチ3には上
記直線偏波状高周波電磁界の放射電界方向6から時計ま
わり方向45°の位置(角度α)に図20の凹部53
a,53bと同様の凹部3d,3dを設け(以下この両
凹部3dと3dと給電パツチ3および無給電パツチ1の
中心であるアンテナ中心9とを結ぶ線を給電パツチ対称
軸7とする)ており、この給電パツチ3は、上記発泡ポ
リエチレンシ−トからなる誘電体のスペ−サ2を介
し、対向する方形状導体板からなる無給電パツチ1の一
面方向に円偏波電磁界を放射する。この発明の特徴をな
す構成要素である無給電パツチ1は、一面に上記円偏波
電磁界を受けて他面から円偏波電磁界を再放射する。
This microstrip antenna is formed by a microstrip conductor comprising a microstrip conductor 3b, a spacer 4 and a ground plate 5 included in the power supply patch 3, and a circular conductor included in the power supply patch 3. A linearly polarized high-frequency electromagnetic field is supplied to the radiation conductor 3a of the plate. The feed patch 3 generates a right-handed circularly polarized electromagnetic field from the supplied high-frequency electromagnetic field due to the effect of the pair of recesses 3d, 3d provided on the conductor circumference of the radiation conductor 3a. That is, the concave portion 53 of FIG. 20 is placed at a position 45 ° clockwise (angle α) from the direction 6 of the radiated electric field of the linearly polarized high-frequency electromagnetic field.
The recesses 3d, 3d similar to those a and 53b are provided (hereinafter, a line connecting the recesses 3d and 3d with the antenna center 9 which is the center of the feeding patch 3 and the parasitic patch 1 is referred to as a feeding patch symmetric axis 7). The feeder patch 3 radiates a circularly polarized electromagnetic field in one surface direction of the parasitic feeder 1 made of an opposing square conductor plate via the dielectric spacer 2 made of the foamed polyethylene sheet or the like. I do. The passive patch 1 which is a constituent element of the present invention receives the circularly polarized electromagnetic field on one surface and re-radiates the circularly polarized electromagnetic field from the other surface.

【0016】このマイクロストリップアンテナでは、無
給電パッチ1の方形導体の互いに対向する頂点の一対に
上記頂点の一部導体の欠損させた凹部1a,1bを設
け、楕円偏波率の広帯域化、およびリターンロスの最良
周波数とこの楕円偏波率の最良周波数の一致を図ってい
る。この凹部1a,1bは、給電パッチの凹部3c,3
dに対応しており、この凹部1a,1bの位置は給電パ
ッチ対称軸7から反時計方向に角度βだけ回転された無
給電パッチ対称軸8上にある。この給電パッチ対称軸7
と無給電パッチ対称軸8とのなす角度βは、スペーサ
2,凹部1a,1b等の寸法パラメータ等によって異
る。一例としてスペーサ2の厚さが大きくなるにつれて
角度βを大きくする必要がある。逆に、スペーサ2の厚
さが0に近ければ角度βも殆ど0でよい。
In this microstrip antenna, concave portions 1a and 1b in which a portion of the apexes of the rectangular conductors of the rectangular conductor of the parasitic patch 1 are opposed to each other are provided, so that the elliptical polarization rate can be broadened, and The best frequency of the return loss and the best frequency of the elliptic polarization are matched. The recesses 1a, 1b are provided with the recesses 3c, 3 of the power supply patch.
The positions of the recesses 1a and 1b are on a parasitic patch symmetry axis 8 rotated counterclockwise from the feed patch symmetry axis 7 by an angle β. This feed patch symmetry axis 7
The angle β between the power supply patch and the axis of symmetry 8 depends on the dimensional parameters of the spacer 2, the recesses 1a and 1b, and the like. As an example, it is necessary to increase the angle β as the thickness of the spacer 2 increases. Conversely, if the thickness of the spacer 2 is close to zero, the angle β may be almost zero.

【0017】なお、図1は右円偏波用のマイクロストリ
ップアンテナであり、左施円偏波用にするには、周知の
とおり、給電パッチ対称軸7がこの図において放射電界
方向6の反対側になるように凹部3cおよび3dを形成
する。従って、無給電パッチ1の凹部1aおよび1bも
凹部3cおよび3dと同じ側に形成する。このとき、無
給電パッチ対称軸8は、給電パッチ対称軸7から時計方
向に回転される。
FIG. 1 shows a microstrip antenna for right-hand circular polarization. In order to use left-hand circular polarization, as is well known, the feeding patch symmetric axis 7 is opposite to the radiated electric field direction 6 in FIG. The recesses 3c and 3d are formed so as to be on the sides. Therefore, the recesses 1a and 1b of the parasitic patch 1 are also formed on the same side as the recesses 3c and 3d. At this time, the non-feeding patch symmetric axis 8 is rotated clockwise from the feeding patch symmetric axis 7.

【0018】さらに、このマイクロストリツプアンテナ
の構成要素は、それぞれ別の部品で構成されてもよく、
)図に示されるように無給電パツチ1とスペ−サ2
とを一体の誘電体基板,また給電パツチ3とスペ−サ4
とグランド5とを別の一体の基板で構成してもよい。
Further, the components of the microstrip antenna may be composed of different parts, respectively.
( C ) As shown in the figure, the passive patch 1 and the spacer 2
And an integral dielectric substrate, and a power supply patch 3 and a spacer 4
The ground and the ground 5 may be constituted by separate integrated substrates.

【0019】図2は本発明の第2の実施例の構成図であ
り、(a)図は正面図、(b)図は(a)図のY1−Y
2断面図である。また、図3はこの実施例をさらに詳細
に示す分解斜視図である。
FIG. 2 is a block diagram of a second embodiment of the present invention. FIG. 2A is a front view, and FIG.
FIG. FIG. 3 is an exploded perspective view showing this embodiment in further detail.

【0020】図2および図3を参照すると、このマイク
ロストリップンアンテナは、無給電パッチ21を除き、
図20のマイクロストリップアンテナにほぼ対応してい
る。
Referring to FIG. 2 and FIG. 3, this microstripton antenna, except for the parasitic patch 21,
It almost corresponds to the microstrip antenna of FIG.

【0021】即ち、この実施例のアンテナの構成要素で
あるスペーサ22,24,26,スロット板25,給電
ライン27,レドーム31,スペーサ32およびグラン
ド板33が、それぞれスペーサ52,54,56,スロ
ット板55,給電ライン27,レドーム31,スペーサ
32およびグランド板33と同じであり、放射電界方向
28および給電パッチ対称軸29も放射電界方向58お
よび給電パッチ対称軸59と同じ意味を表わしている。
ここで、給電パッチ23の寸法は、導体板の円半径を給
電パッチ53のそれとほぼ同じにしているが、凹部23
aおよび23bそれぞれの最大切込深さを円周線から
8.8mm,切込幅を17.6mm,凸部21aおよび
21bそれぞれの最小突出高さを演出線から8.8m
m,突出幅を17.6mmに変えている。しかし、この
給電パッチ23による円偏波電磁界の発生動作は、図2
0の従来技術によるマイクロストリップアンテナとほぼ
同じと考えてよい。
That is, the spacers 22, 24, and 26, the slot plate 25, the feed line 27, the radome 31, the spacer 32, and the ground plate 33, which are the components of the antenna of this embodiment, are connected to the spacers 52, 54, and 56, respectively. It is the same as the plate 55, the feed line 27, the radome 31, the spacer 32, and the ground plate 33, and the radiated electric field direction 28 and the feed patch symmetric axis 29 also have the same meaning as the radiated electric field direction 58 and the feed patch symmetric axis 59.
Here, the dimensions of the power supply patch 23 are such that the circular radius of the conductor plate is substantially the same as that of the power supply patch 53,
The maximum cutting depth of each of a and 23b is 8.8 mm from the circumferential line, the cutting width is 17.6 mm, and the minimum protruding height of each of the projections 21a and 21b is 8.8 m from the production line.
m, the protrusion width is changed to 17.6 mm. However, the operation of generating the circularly polarized electromagnetic field by the feeding patch 23 is described in FIG.
0 of the microstrip antenna according to the prior art.

【0022】無給電パッチ21は、給電パッチ23の一
面から円偏波電磁界を一面に受ける方形状の導体板であ
り、給電パッチ23の凹部23aおよび23bに対応し
て上記方形状導体板の互いに対向する頂点の一対に凹部
21aおよび21bを形成している(この凹部21aと
21bとアンテナ中心31とを結ぶ線を無給電パッチ対
称軸30とする)。また、無給電パッチ21は、無給電
パッチ対称軸30に直交する軸上にある方形導体板の頂
点の別の一対に凸部(頂点部の導体面積増加部)21c
および21dを形成している。
The parasitic patch 21 is a rectangular conductor plate that receives a circularly polarized electromagnetic field from one surface of the power supply patch 23, and corresponds to the concave portions 23 a and 23 b of the power supply patch 23. Recesses 21a and 21b are formed on a pair of opposing vertices (a line connecting the recesses 21a and 21b and the antenna center 31 is referred to as a parasitic symmetric axis 30 of the parasitic patch). The parasitic patch 21 has another pair of vertexes (a conductor area increasing portion at the apex portion) 21c at the apexes of the rectangular conductor plate on the axis orthogonal to the parasitic patch symmetry axis 30.
And 21d.

【0023】図2および図3のマイクロストリップアン
テナにおいても、凹部21a,21bの位置は給電パッ
チ対応軸29から反時計方向に角度7だけ回転された無
給電パッチ対称軸30上にある。この給電パッチ対称軸
29と無給電パッチ対称軸30とのなす角度γも、スペ
ーサ22,凹部21a,21b等の寸法パラメータ等に
よって異る。この角度γの変化の様子も、円偏波電磁界
の向きによる無給電パッチ対称軸30の回転方向も図1
の実施例と同様である。
In the microstrip antennas of FIGS. 2 and 3 as well, the positions of the recesses 21a and 21b are on the parasitic patch symmetric axis 30 rotated by an angle 7 counterclockwise from the feed patch corresponding axis 29. The angle γ formed between the feeding patch symmetric axis 29 and the non-feeding patch symmetric axis 30 also varies depending on the dimensional parameters of the spacer 22, the recesses 21a and 21b, and the like. FIG. 1 shows how the angle γ changes and the direction of rotation of the parasitic symmetry axis 30 due to the direction of the circularly polarized electromagnetic field.
This is the same as the embodiment.

【0024】さらに、このマイクロストリップアンテナ
の構成要素は、図3に示すようにそれぞれ別の部品で構
成されてもよく、また無給電パッチ21とスペーサ22
とを,給電パッチ23とスペーサ24とを,スロット板
25とスペーサ26とグランド5とをそれぞれ別の一体
の基板で構成してもよいのは勿論である。
Further, the components of the microstrip antenna may be composed of different parts as shown in FIG.
Needless to say, the power supply patch 23 and the spacer 24, and the slot plate 25, the spacer 26, and the ground 5 may be formed as separate integrated substrates.

【0025】図4は、図2および図3に示した第2の実
施例について、楕円偏波率およびリターンロスを測定し
た結果を示す図である。なお、この測定に供したマイク
ロストリップアンテナは、無給電パッチ23は方形状導
体板の一辺が61mmであり,凹部21aおよび21b
は方形状導体の頂点からそれぞれ14mm隔てた2つ点
を結んで上記導体板を欠損させており、凸部21cおよ
び21dは上記導体板を頂点から幅16.2mmだけ広
げたものである。また、無給電パッチ対称軸30の給電
パッチ対称軸29に対する回転角度γを30°にしてい
る。
FIG. 4 is a diagram showing the measurement results of the elliptical polarization rate and the return loss of the second embodiment shown in FIGS. 2 and 3. In the microstrip antenna used for this measurement, the parasitic patch 23 has a rectangular conductor plate with one side of 61 mm and the concave portions 21a and 21b.
Is connected to two points 14 mm apart from the apex of the rectangular conductor to cut the conductor plate, and the protrusions 21c and 21d are formed by expanding the conductor plate by 16.2 mm in width from the apex. In addition, the rotation angle γ of the non-feeding patch symmetric axis 30 with respect to the feeding patch symmetric axis 29 is set to 30 °.

【0026】この測定マイクロストリップアンテナは、
最良の楕円偏波率を示す周波数がほぼ1.59GHz,
よいリターンロスを示す周波数の中心もほぼ同じ周波数
となっており、両周波数がほぼ一致している。また、楕
円偏波率4dB以下の周波数帯域は約90MHz,リタ
ーンロス−12dB以下の周波数帯域は、これより広い
180MHzが得られている。従って、このアンテナの
必要特性を満足する周波数帯域は、楕円偏波率4dB以
下を満足する周波数帯域でほぼ決定され、従来技術によ
るマイクロストリップアンテナのようにリターンロスの
制限による使用帯域の制限がない。
This measurement microstrip antenna
The frequency showing the best elliptical polarization is approximately 1.59 GHz,
The center of the frequency exhibiting a good return loss is also substantially the same, and both frequencies are substantially the same. A frequency band with an elliptical polarization ratio of 4 dB or less has a frequency of about 90 MHz, and a frequency band with a return loss of −12 dB or less has a wider 180 MHz. Therefore, the frequency band that satisfies the required characteristics of this antenna is almost determined by the frequency band that satisfies the elliptical polarization ratio of 4 dB or less, and there is no limitation on the use band due to the restriction of the return loss unlike the conventional microstrip antenna. .

【0027】図5は本発明の第3の実施例であり、
(a)正面図、(b)はX1−X2の断面図、()は
分解斜視図である。このマイクロストリツプアンテナの
構成は、第1の実施例と同じである。しかし7の給電パ
ツチ対称軸に8の無給電パツチ対称軸が重なっており、
ピン10による給電手段を取っている。マイクロストリ
ツプ線路3bとスペ−サ4とグランド板5からなるマイ
クロストリツプ線路からピン10を通り給電パツチに高
周波電磁界が供給される。
FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention.
(A) is a front view, (b) is a cross-sectional view along X1-X2, and ( c ) is an exploded perspective view. The configuration of this microstrip antenna is the same as that of the first embodiment. However, the feedless patch symmetric axis of 8 overlaps the feed patch symmetric axis of 7,
Power supply means using pins 10 is provided. A high-frequency electromagnetic field is supplied from a microstrip line composed of the microstrip line 3b, the spacer 4 and the ground plate 5 to the power supply patch through the pin 10.

【0028】図6は本発明の第4の実施例であり、
(a)は正面図、(b)はX1−X2の断面図、(
は分解斜視図である。このマイクロストリツプアンテナ
の構成は第1の実施例と同じである。しかし給電方法
が、ピン10による給電である。
FIG. 6 shows a fourth embodiment of the present invention.
(A) is a front view, (b) is a cross-sectional view of X1-X2, ( c )
Is an exploded perspective view. The configuration of this microstrip antenna is the same as that of the first embodiment. However, the power supply method is power supply by the pin 10.

【0029】図7は本発明の第5の実施例であり、
(a)は正面図、(b)はX1−X2の断面図、(
は分解斜視図である。このマイクロストリツプアンテナ
の構成は第1の実施例と同じである。しかし給電方法は
スロツト11によるものである。
FIG. 7 shows a fifth embodiment of the present invention.
(A) is a front view, (b) is a cross-sectional view of X1-X2, ( c )
Is an exploded perspective view. The configuration of this microstrip antenna is the same as that of the first embodiment. However, the power supply method is based on the slot 11.

【0030】図8は本発明の第6の実施例の分解斜視図
である。このマイクロストリップアンテナは第5の実施
例と同じである。アンテナの素材にフィルム及びスペー
サを用いている。
FIG. 8 is an exploded perspective view of a sixth embodiment of the present invention. This microstrip antenna is the same as that of the fifth embodiment. Films and spacers are used for the antenna material.

【0031】図9は本発明の第7の実施例の分解斜視図
である。このマイクロストリップアンテナは第6の実施
例と同じであるが給電方法がスロット板25,スペーサ
26,給電ライン27,スペーサ32,グランド板33
を使ったトリプレート構造になっており、アンテナを保
護するためにレドーム31を使用している。
FIG. 9 is an exploded perspective view of a seventh embodiment of the present invention. This microstrip antenna is the same as that of the sixth embodiment, but the feeding method is the slot plate 25, the spacer 26, the feeding line 27, the spacer 32, and the ground plate 33.
And a radome 31 is used to protect the antenna.

【0032】図10は本発明の第8の実施例であり
(a)は正面図、(b)はX1−X2の断面図、(
は分解斜視図である。このマイクロストリツプアンテナ
の構成は第2の実施例と同じである。しかし、ピン10
による給電手段を取っている。得られる電気特性等は実
施例2と同等である。
FIG. 10 shows an eighth embodiment of the present invention, in which (a) is a front view, (b) is a sectional view taken along line X1-X2, and ( c ).
Is an exploded perspective view. The configuration of this microstrip antenna is the same as that of the second embodiment. However, pin 10
Power supply means. The obtained electric characteristics and the like are the same as those of the second embodiment.

【0033】図11は本発明の第9の実施例であり
(a)は正面図、(b)はX1−X2の断面図、(
は分解斜視図である。このマイクロストリツプアンテナ
は、給電パツチ3に含まれるマイクロストリツプ導体3
bとスペ−サ4とグランド板5からなるマイクロストリ
ツプ線路から給電パツチ3に含まれる第1の方形状導体
板の放射導体3aに直線偏波上の高周波電磁界を供給す
る。給電パツチ3は放射導体3aの導体外周上に設けた
一対の凹部3d,3dの効果により、供給された高周波
電磁界から右旋円偏波電磁界を生じる。すなわち給電パ
ツチ3に上記直線偏波状高周波電磁界の放射電界方向6
から時計まわり方向45°の位置(角度α)に図20の
凹部53a,53bと同様の凹部3d,3dを設け(以
下、この両凹部3dと3dと給電パツチ3および無給電
パツチ1の中心であるアンテナ中心9とを結ぶ線を給電
パツチ対称軸7とする)ており、この給電パツチ3は上
記発泡ポリエチレンシ−ト等から成る誘電体のスペ−サ
2を介し対向する第2の方形状導体板からなる無給電パ
ツチ1の一方向に円偏波電磁界を放射する。無給電パツ
チ1は一面に上記円偏波電磁界を受けて他面から円偏波
電磁界を再放射する。
FIG. 11 shows a ninth embodiment of the present invention, in which (a) is a front view, (b) is a cross-sectional view taken along X1-X2, and ( c ).
Is an exploded perspective view. This microstrip antenna includes a microstrip conductor 3 included in the feeding patch 3.
A high-frequency electromagnetic field on a linearly polarized wave is supplied from a microstrip line consisting of a b, a spacer 4 and a ground plate 5 to the radiation conductor 3a of the first rectangular conductor plate included in the power supply patch 3. The power supply patch 3 generates a right-handed circularly polarized electromagnetic field from the supplied high frequency electromagnetic field due to the effect of the pair of recesses 3d, 3d provided on the outer periphery of the radiation conductor 3a. That is, the direction of the radiated electric field 6 of the linearly polarized high-frequency electromagnetic field is
A recess 3d, 3d similar to the recesses 53a, 53b in FIG. 20 is provided at a position (angle α) in a clockwise direction of 45 ° (hereinafter referred to as the recesses 3d, 3d and the center of the feeding patch 3 and the passive feeding patch 1). A line connecting to a certain antenna center 9 is referred to as a feeding patch symmetric axis 7). A circularly polarized electromagnetic field is emitted in one direction of the parasitic patch 1 made of a conductive plate. The passive patch 1 receives the above-mentioned circularly polarized electromagnetic field on one side and re-radiates the circularly polarized electromagnetic field from the other side.

【0034】このマイクロストリップアンテナでは、無
給電パッチ1の方形導体の互いに対向する頂点の一対に
上記頂点の一部導体を欠損させた凹部1a,1bを設け
楕円偏波率の広帯域化およびリターンロスの最良周波数
とこの楕円偏波率の最良周波数の一致を図っている。こ
の凹部1a,1bは給電パッチの凹部3c,3dに対応
しており、この凹部1a,1bの位置は給電パッチ対称
軸7から反時計方向に過度βだけ回転された無給電パッ
チ対称軸8上にある。この給電パッチ対称軸7と無給電
パッチ対称軸8とのなす角度βは、スペーサ2、凹部1
a,1b等の寸法パラメータによって異る。一例として
スペーサ2,の厚さが大きくなるにつれて角度βを大き
くする必要がある。逆にスペーサ2の厚さが0に近けれ
ば角度もほとんど0でよい。
In this microstrip antenna, concave portions 1a and 1b, in which a part of the apexes of the rectangular conductors are missing, are provided at a pair of opposing apexes of the rectangular conductor of the parasitic patch 1, so that the elliptical polarization rate is broadened and the return loss is increased. And the best frequency of the elliptical polarization rate are matched. The recesses 1a and 1b correspond to the recesses 3c and 3d of the feeding patch, and the positions of the recesses 1a and 1b are on the parasitic patch symmetric axis 8 rotated by an excessive β counterclockwise from the feeding patch symmetric axis 7. It is in. The angle β between the feeding patch symmetric axis 7 and the parasitic feeding patch symmetric axis 8 is
It depends on dimensional parameters such as a and 1b. As an example, it is necessary to increase the angle β as the thickness of the spacer 2 increases. Conversely, if the thickness of the spacer 2 is close to zero, the angle may be almost zero.

【0035】なお、図11は右旋円偏波用のマイクロス
トリツプアンテナであり、左旋円偏波用にするには、周
知のとおり給電パツチ対称軸7がこの図において放射電
界方向6と反対側になるように凹部3dおよび3dを形
成する。従って無給電パツチ1の凹部1aおよび1bも
凹部3dおよび3dと同じ側に形成する。このとき無給
電パツチ対称軸8は給電パツチ対称軸7から時計方向に
回転される。さらにこのマイクロストリツプアンテナの
構成要素はそれぞれ別の部品で構成されてもよく、
)図に示されるように無給電パツチ1とスペ−サ2
とを一体の誘電体基板,また給電パツチ3とスペ−サ4
とグランド5とを別の一体の基板で構成しても良い。
FIG. 11 shows a microstrip antenna for right-handed circular polarization. In order to use left-handed circularly polarized light, the feeding patch symmetric axis 7 is aligned with the direction of the radiated electric field 6 as is well known. Concave portions 3d and 3d are formed to be on opposite sides. Therefore, the concave portions 1a and 1b of the passive patch 1 are also formed on the same side as the concave portions 3d and 3d. At this time, the non-feeding patch symmetry axis 8 is rotated clockwise from the feeding patch symmetry axis 7. Furthermore, the components of this microstrip antenna may be composed of different parts, respectively.
( C ) As shown in the figure, the passive patch 1 and the spacer 2
And an integral dielectric substrate, and a power supply patch 3 and a spacer 4
The ground and the ground 5 may be constituted by separate integrated substrates.

【0036】図12は本発明の第10の実施例の構成図
であり、(a)は正面図,(b)は(a)図のY1−Y
2断面図である。また図13はこの実施例をさらに詳細
に示す分解斜視図である。図12および図13を参照す
ると、このマイクロストリップアンテナは給電パッチ2
3を除き図2のマイクロストリップアンテナにほぼ対応
している。すなわち、この実施例のアンテナの構成要素
であるスペーサ22,24,26,スロット板25,給
電ライン27,レドーム31,スペーサ32およびグラ
ンド板33がそれぞれ図2の構成とまったく同じであ
り、放射電界方向28および給電パッチ対称軸29も図
2と同様の意味を表している。
FIGS. 12A and 12B are configuration diagrams of a tenth embodiment of the present invention. FIG. 12A is a front view, and FIG.
FIG. FIG. 13 is an exploded perspective view showing this embodiment in further detail. Referring to FIG. 12 and FIG. 13, this microstrip antenna
With the exception of 3, it almost corresponds to the microstrip antenna of FIG. That is, the spacers 22, 24, and 26, the slot plate 25, the feed line 27, the radome 31, the spacer 32, and the ground plate 33, which are the components of the antenna of this embodiment, are exactly the same as those in FIG. The direction 28 and the feeding patch symmetry axis 29 have the same meaning as in FIG.

【0037】ここで給電パッチ23の寸法は方形上導体
板の一辺が68.5mmであり、凹部23aおよび23
bは方形上導体の頂点からそれぞれ17.95隔てた2
つ点を結んで上記導体板を欠損させており、凸部23c
および23dは上記導体板を頂点から幅23.7mmだ
け拡げたものである。しかしこの給電パッチ23による
円偏波電磁界の発生動作は、図20の従来技術によるマ
イクロストリップアンテナとほぼ同じと考えて良い。無
給電パッチは構成,給電パッチとの位置関係,形状各部
の寸法等図2のものと同じである。さらにこのマイクロ
ストリップアンテナの構成要素は、図13に示すように
それぞれ別の部品で構成されても良い。
Here, the size of the power supply patch 23 is such that one side of the rectangular upper conductive plate is 68.5 mm, and the concave portions 23a and 23
b is 2 which is 17.95 apart from the top of the square conductor
The conductive plate is broken by connecting the two
And 23d are those obtained by expanding the above-mentioned conductor plate from the apex by a width of 23.7 mm. However, it can be considered that the operation of generating the circularly polarized electromagnetic field by the feeding patch 23 is almost the same as that of the microstrip antenna according to the prior art shown in FIG. The passive patch is the same as that in FIG. Further, the components of this microstrip antenna may be composed of different components as shown in FIG.

【0038】図12に示した第10の実施例についての
楕円偏波率およびリターンロスの測定結果は、図4に示
した結果とまったく同様で最良の楕円偏波率を示す周波
数帯域とよいリターンロスを示す周波数の帯域が一致す
る。
The measurement results of the elliptical polarization rate and the return loss for the tenth embodiment shown in FIG. 12 are exactly the same as the results shown in FIG. The frequency bands indicating the loss match.

【0039】図14は本発明の第11の実施例であり
(a)正面図,(b)はX1−X2の断面図,()は
分解斜視図である。このマイクロストリツプアンテナの
構成は第9の実施例と同じであるしかし7の給電パツチ
対称軸8が重なっており、ピン10による給電手段を取
っている。
FIG. 14 shows an eleventh embodiment of the present invention, in which (a) is a front view, (b) is a sectional view taken along line X1-X2, and ( c ) is an exploded perspective view. The configuration of this microstrip antenna is the same as that of the ninth embodiment, however, the feeding patch symmetric axis 8 of 7 overlaps, and the feeding means by the pin 10 is used.

【0040】図15は本発明の第12の実施例であり、
(a)は正面図,(b)はX1−X2の断面図,(
は分解斜視図である。このマイクロストリツプアンテナ
の構成は第9の実施例と同じである。しかし給電方法が
ピン10による給電である。
FIG. 15 shows a twelfth embodiment of the present invention.
(A) is a front view, (b) is a cross-sectional view of X1-X2, ( c ).
Is an exploded perspective view. The configuration of this microstrip antenna is the same as that of the ninth embodiment. However, the power supply method is power supply by the pin 10.

【0041】図16は本発明の第13の実施例であり、
(a)は正面図,(b)はX1−X2の断面図,(
は分解斜視図である。このマイクロストリツプアンテナ
の構成は第9の実施例と同じである。しかし給電方法は
スロツト11によるものである。
FIG. 16 shows a thirteenth embodiment of the present invention.
(A) is a front view, (b) is a cross-sectional view of X1-X2, ( c ).
Is an exploded perspective view. The configuration of this microstrip antenna is the same as that of the ninth embodiment. However, the power supply method is based on the slot 11.

【0042】図17は本発明の第14の実施例の分解斜
視図である。このマイクロストリップアンテナは第13
の実施例と同じである。アンテナの素材にフィルム及び
スペーサを用いている。
FIG. 17 is an exploded perspective view of a fourteenth embodiment of the present invention. This microstrip antenna is the thirteenth
This is the same as the embodiment. Films and spacers are used for the antenna material.

【0043】図18は本発明の第15の実施例の分解斜
視図である。このマイクロストリップアンテナは第14
実施例と同じであるが給電方法がスロット板25,スペ
ーサ26,給電ライン27,スペーサ32,グランドバ
ン33を使ったトリプレート構造になっており、アンテ
ナ表面を保護するためにレドーム31を使用している。
FIG. 18 is an exploded perspective view of a fifteenth embodiment of the present invention. This microstrip antenna is
The power supply method is the same as that of the embodiment, but has a triplate structure using a slot plate 25, a spacer 26, a power supply line 27, a spacer 32, and a ground van 33, and uses a radome 31 to protect the antenna surface. ing.

【0044】図19は本発明の第16の実施例であり
(a)は正面図,(b)はX1−X2の断面図,(
は分解斜視図である。このマイクロストリツプアンテナ
の構成は第10の実施例と同じであるしかしピン10に
よる給電手段を取っている。得られる電気特性等は第2
の実施例と同様である。
FIG. 19 shows a sixteenth embodiment of the present invention, in which (a) is a front view, (b) is a cross-sectional view taken along line X1-X2, and ( c ).
Is an exploded perspective view. The structure of this microstrip antenna is the same as that of the tenth embodiment, but the feeding means by the pin 10 is used. The obtained electrical characteristics etc.
This is the same as the embodiment.

【0045】[0045]

【発明の効果】上述したように本発明は、無給電パツチ
を用いることよって楕円偏波率の広帯域化を図る円偏波
用のマイクロストリツプアンテナにおいて、上記無給電
パツチとして、給電パツチの凹部や凸部に対応させて頂
点に凹部や凸部を形成した方形状の導体板を用い、ま
た、このアンテナのパラメ−タに応じて上記給電パツチ
の対称軸と無給電パツチの対称軸との角度を回転させて
いるので、楕円偏波率およびリタ−ンロス各各の周波
数帯域を広帯域にできるのみならず、上記楕円偏波率お
よびリタ−ンロスのよい特性が得られる周波数帯域を一
致させることができ、この結果、実用的に広帯域なマイ
クロストリツプアンテナを提供できるという効果があ
る。
As described above, the present invention relates to a microstrip antenna for circularly polarized waves for widening the elliptical polarization rate by using a parasitic patch. A rectangular conductor plate having a concave portion or a convex portion formed at the apex corresponding to the concave portion or the convex portion is used, and the symmetry axis of the feeding patch and the symmetry axis of the non-feeding patch are determined according to the parameters of the antenna. since the angle of being rotated, elliptical polarization rate and Rita - not the frequency band of each respective Nrosu only can a wide band, the elliptically polarized wave ratio and Rita - match the frequency band of good characteristics can be obtained with Nrosu As a result, there is an effect that a practically wide band microstrip antenna can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の構成図であり、(a)
図は正面図、(b)図は(a)図のX1−X2断面図、
)図は分解斜視図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention, and (a)
The figure is a front view, the figure (b) is a sectional view taken along the line X1-X2 of the figure (a),
( C ) is an exploded perspective view.

【図2】本発明の第2の実施例の構成図であり、(a)
図は正面図、(b)図は(a)図のY1−Y2断面図で
ある。
FIG. 2 is a configuration diagram of a second embodiment of the present invention, and (a)
The figure is a front view, and the figure (b) is a sectional view taken along line Y1-Y2 of the figure (a).

【図3】図2の実施例をさらに詳細に示す分解斜視図で
ある。
FIG. 3 is an exploded perspective view showing the embodiment of FIG. 2 in further detail;

【図4】第2の実施例の楕円偏波率およびリタ−ンロス
の測定結果を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing measurement results of the elliptical polarization rate and the return loss of the second embodiment.

【図5】本発明の第3の実施例の構成図であり、(a)
図は正面図、(b)図は(a)図のX1−X2断面図、
)図は分解斜視図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of a third embodiment of the present invention, wherein (a)
The figure is a front view, the figure (b) is a sectional view taken along the line X1-X2 of the figure (a),
( C ) is an exploded perspective view.

【図6】本発明の第4の実施例の構成図であり、(a)
図は正面図、(b)図は(a)図のX1−X2断面図、
)図は分解斜視図である。
FIG. 6 is a configuration diagram of a fourth embodiment of the present invention, wherein (a)
The figure is a front view, the figure (b) is a sectional view taken along the line X1-X2 of the figure (a),
( C ) is an exploded perspective view.

【図7】本発明の第5の実施例の構成図であり、(a)
図は正面図、(b)図は(a)図のX1−X2断面図、
)図は分解斜視図である。
FIG. 7 is a configuration diagram of a fifth embodiment of the present invention, wherein (a)
The figure is a front view, the figure (b) is a sectional view taken along the line X1-X2 of the figure (a),
( C ) is an exploded perspective view.

【図8】本発明の第6の実施例の分解斜視図である。FIG. 8 is an exploded perspective view of a sixth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第7の実施例の分解斜視図である。FIG. 9 is an exploded perspective view of a seventh embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第8の実施例の構成図であり、
(a)図は正面図、(b)図は(a)図のX1−X2断
面図、()図は分解斜視図である。
FIG. 10 is a configuration diagram of an eighth embodiment of the present invention;
(A) is a front view, (b) is an X1-X2 cross-sectional view of (a), and ( c ) is an exploded perspective view.

【図11】本発明の第9の実施例の構成図であり、
(a)図は正面図、(b)図は(a)図のX1−X2断
面図、()図は分解斜視図である。
FIG. 11 is a configuration diagram of a ninth embodiment of the present invention;
(A) is a front view, (b) is an X1-X2 cross-sectional view of (a), and ( c ) is an exploded perspective view.

【図12】本発明の第10の実施例の構成図であり、
(a)図は正面図、(b)図は(a)図のY1−Y2断
面図である。
FIG. 12 is a configuration diagram of a tenth embodiment of the present invention;
(A) is a front view, and (b) is a sectional view taken along line Y1-Y2 of (a).

【図13】図12の実施例をさらに詳細に示す分解斜視
図である。
FIG. 13 is an exploded perspective view showing the embodiment of FIG. 12 in further detail.

【図14】本発明の第11の実施例の構成図であり、
(a)図は正面図、(b)図は(a)図のX1−X2断
面図、()図は分解斜視図である。
FIG. 14 is a configuration diagram of an eleventh embodiment of the present invention;
(A) is a front view, (b) is an X1-X2 cross-sectional view of (a), and ( c ) is an exploded perspective view.

【図15】本発明の第12の実施例の構成図であり、
(a)図は正面図、(b)図は(a)図のX1−X2断
面図、()図は分解斜視図である。
FIG. 15 is a configuration diagram of a twelfth embodiment of the present invention;
(A) is a front view, (b) is an X1-X2 cross-sectional view of (a), and ( c ) is an exploded perspective view.

【図16】本発明の第13の実施例の構成図であり、
(a)図は正面図、(b)図は(a)図のX1−X2断
面図、()図は分解斜視図である。
FIG. 16 is a configuration diagram of a thirteenth embodiment of the present invention;
(A) is a front view, (b) is an X1-X2 cross-sectional view of (a), and ( c ) is an exploded perspective view.

【図17】本発明の第14の実施例の分解斜視図であ
る。
FIG. 17 is an exploded perspective view of a fourteenth embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第15の実施例の分解斜視図であ
る。
FIG. 18 is an exploded perspective view of a fifteenth embodiment of the present invention.

【図19】本発明の第16の実施例の構成図であり、
(a)図は正面図、(b)図は(a)図のX1−X2断
面図、()図は分解斜視図である。
FIG. 19 is a configuration diagram of a sixteenth embodiment of the present invention;
(A) is a front view, (b) is an X1-X2 cross-sectional view of (a), and ( c ) is an exploded perspective view.

【図20】従来技術によるマイクロストリツプアンテナ
の構成図であり、(a)図は正面図、(b)図は(a)
図のZ1−Z2断面図、()図は詳細な分解斜視図で
ある。
FIGS. 20A and 20B are configuration diagrams of a microstrip antenna according to the related art, where FIG. 20A is a front view and FIG.
The figure is a sectional view taken along the line Z1-Z2, and the figure ( c ) is a detailed exploded perspective view.

【図21】図20のマイクロストリツプアンテの楕円偏
波率およびリタ−ンロスの測定結果を示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing the measurement results of the elliptical polarization and the return loss of the microstrip antenna of FIG. 20;

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】高周波電力の供給を受けて円形状の導体板
の一面から円偏波電磁界を放射する給電パッチと、前記
給電パッチに前記高周波電力を供給する給電手段と、前
記給電パッチから前記円偏波電磁界を一面に受けこの円
偏波電磁界を他面から再放射する無給電パッチとを備え
る円偏波用のマイクロストリップアンテナにおいて、前
記給電パッチが、前記円形状導体板の円周上に、前記高
周波電力の給電端と前記円形状導体板の中心とを結ぶ直
線の方向に関して、時計まわりまたは反時計まわりいず
れかのほぼ45°の位置に形成された一対の凹部、また
は同上の凸部を有しており、 前記無給電パッチが、前記円形状導体板の一面に対向し
て設けられた方形状の導体板であり、前記方形状導体板
が、互いに対向する頂点の一対に形成された一対の凹
部、または同上の一対の凸部のいずれかを有し、 前記方形状導体板は、前記方形状導体板の凹部または凸
部の一対を結ぶ無給電パッチ対象軸と前記給電パッチの
凹部または凸部の一対を結ぶ給電パッチ対称軸とのなす
角度を前記マイクロストリップアンテナのリターンロス
及び楕円偏波率の最良周波数帯を一致するように所定の
角度だけ回転にて取り付けられることを特徴とする円偏
波用のマイクロストリップアンテナ。
1. A power supply patch for receiving a supply of high-frequency power and radiating a circularly polarized electromagnetic field from one surface of a circular conductor plate, power supply means for supplying the high-frequency power to the power supply patch, and a power supply patch. A passive patch that receives the circularly polarized electromagnetic field on one surface and re-radiates the circularly polarized electromagnetic field from the other surface; and a circularly polarized microstrip antenna, wherein the power supply patch is formed of the circular conductor plate. On a circumference, a pair of recesses formed at approximately 45 ° clockwise or counterclockwise with respect to the direction of a straight line connecting the feeding end of the high-frequency power and the center of the circular conductor plate, or Wherein the parasitic patch is a rectangular conductive plate provided on one surface of the circular conductive plate, and the rectangular conductive plate has Formed in pairs The rectangular conductor plate has either a pair of concave portions or a pair of convex portions of the same, and the rectangular conductor plate has a target axis for a parasitic patch connecting the pair of concave portions or convex portions of the rectangular conductor plate and a concave portion of the power supply patch. Or it is characterized in that the microstrip antenna is attached by being rotated by a predetermined angle so that the angle formed by the feeding patch symmetric axis connecting the pair of convex portions matches the return loss of the microstrip antenna and the best frequency band of the elliptical polarization rate. Microstrip antenna for circular polarization.
【請求項2】前記給電パッチの放射する円偏波電磁界が
右施円偏波電磁界であるときには、前記方形状導体板の
前記凸部または凹部の一対を結ぶ無給電パッチ対称軸
が、前記給電パッチの凹部または凸部の一対を結ぶ給電
パッチ対称軸を基準として反時計方向に回転されてお
り、前記給電パッチの放射する円偏波電磁界が左施円偏
波電磁界であるときには、前記方形状導体板の前記凸部
または凹部の一対を結ぶ無給電パッチ対称軸が、前記給
電パッチの凹部または凸部の一対を結ぶ給電パッチ対称
軸を基準として時計方向に回転されていることを特徴と
する請求項1記載のマイクロストリップアンテナ。
2. When the circularly polarized electromagnetic field radiated by the feeding patch is a right-handed circularly polarized electromagnetic field, a passive patch symmetric axis connecting a pair of the convex portions or the concave portions of the rectangular conductor plate is: When the feeding patch is rotated counterclockwise with respect to a feeding patch symmetry axis connecting a pair of concave or convex portions, and the circularly polarized electromagnetic field emitted by the feeding patch is a left-handed circularly polarized electromagnetic field. The passive patch symmetric axis connecting the pair of the convex portions or the concave portions of the rectangular conductor plate is rotated clockwise with reference to the power supply patch symmetric axis connecting the pair of the concave portions or the convex portions of the power supply patch. The microstrip antenna according to claim 1, wherein:
【請求項3】高周波電力の給電を受けて円形状の導体板
の一面から円偏波電磁界を放射する給電パッチと、前記
給電パッチに前記高周波電力を供給する給電手段と、前
記給電パッチから前記円偏波電磁界を一面に受けこの円
偏波電磁界を他面から再放射する無給電パッチとを備え
る円偏波用のマイクロストリップアンテナにおいて、前
記給電パッチが、前記円形状導体板の円周上に、前記高
周波電力の給電端と前記円形状導体板の中心とを結ぶ直
線の方向に関して時計まわりまたは反時計まわりいずれ
かのほぼ45°の位置に形成された一対の凹部と、前記
一対の凹部を結ぶ給電パッチ対称線に垂直でありしかも
アンテナ中心を通る線上に形成された一対の凸部とを有
し、 前記無給電パッチが、前記円形状導体板の一面に対向し
て設けられた方形上の導体板であり、前記方形状導体板
が、前記給電パッチの一対の凹部に対応して互いに対向
する頂点の一対に形成した一対の凹部と、前記給電パッ
チの一対の凸部に対応して互いに対向する頂点の別の一
対に形成した一対の凸部とを有し、前記給電パッチの放
射する円偏波電磁界が右円偏波電磁界であるときには、
前記方形状導体板の前記凸部または凹部の一対を結ぶ無
給電パッチ対称軸が、前記給電パッチの凹部または凸部
の一対を結ぶ給電パッチ対称軸を基準として反時計方向
に前記マイクロストリップアンテナのリターンロス及び
楕円偏波率の最良周波数帯を一致するように回転されて
おり、 前記給電パッチの放射する円偏波電磁界が左施円偏波電
磁界であるときには、前記方形状導体板の前記凸部また
は凹部の一対を結ぶ無給電パッチ対称軸が、前記給電パ
ッチの凹部または凸部の一対を結ぶ給電パッチ対称軸を
基準として時計方向に前記マイクロストリップアンテナ
のリターンロス及び楕円偏波率の最良周波数帯を一致す
るように回転されていることを特徴とする円偏波用のマ
イクロストリップアンテナ。
3. A power supply patch that receives a supply of high-frequency power and radiates a circularly polarized electromagnetic field from one surface of a circular conductor plate, a power supply unit that supplies the high-frequency power to the power supply patch, and a power supply patch. A passive patch that receives the circularly polarized electromagnetic field on one surface and re-radiates the circularly polarized electromagnetic field from the other surface; and a circularly polarized microstrip antenna, wherein the power supply patch is formed of the circular conductor plate. A pair of recesses formed on the circumference at approximately 45 ° either clockwise or counterclockwise with respect to the direction of a straight line connecting the feeding end of the high-frequency power and the center of the circular conductor plate; A pair of projections that are perpendicular to a feeder patch symmetrical line connecting the pair of recesses and are formed on a line passing through the center of the antenna, wherein the parasitic patch is provided to face one surface of the circular conductive plate. Was A rectangular conductor plate, wherein the rectangular conductor plate corresponds to a pair of concave portions formed at a pair of vertexes facing each other corresponding to a pair of concave portions of the power supply patch, and corresponds to a pair of convex portions of the power supply patch. And a pair of protrusions formed in another pair of vertices facing each other, and when the circularly polarized electromagnetic field radiated by the feeding patch is a right circularly polarized electromagnetic field,
The passive patch symmetric axis connecting the pair of convex portions or concave portions of the rectangular conductor plate has a counterclockwise direction with respect to the feed patch symmetric axis connecting the pair of concave portions or convex portions of the power supply patch. Rotation is performed to match the best frequency band of the return loss and the elliptical polarization rate, and when the circularly polarized electromagnetic field radiated by the feeding patch is a left-handed circularly polarized electromagnetic field, the rectangular conductor plate The symmetric axis of the parasitic patch connecting the pair of convex portions or concave portions is formed such that the return loss and the elliptical polarization of the microstrip antenna are clockwise with respect to the symmetric axis of the feeding patch connecting the pair of concave portions or convex portions of the feed patch. A microstrip antenna for circularly polarized waves, which is rotated so as to coincide with the best frequency band.
【請求項4】前記給電手段が、前記円形状導体板の他面
に電磁的に接続されるスロット線路であり、前記給電パ
ッチおよび無給電パッチおよび前記スロット線路のスロ
ット周囲導体が、誘電体フィルム上に形成されているこ
とを特徴とする請求項記載のマイクロストリップアン
テナ。
4. The power feeding means is a slot line electromagnetically connected to the other surface of the circular conductor plate, and the feeding patch, the non-feeding patch, and the slot surrounding conductor of the slot line are formed of a dielectric film. 4. The microstrip antenna according to claim 3 , wherein the microstrip antenna is formed thereon.
【請求項5】高周波電力の給電を受けて第1の方形状の
導体板の一面から円偏波電磁界を放射する給電パッチ
と、前記給電パッチに前記高周波電力を供給する給電手
段と前記給電パッチから前記円偏波電磁界を一面に受け
この円偏波電磁界を他面から再放射する無給電パッチと
を備える円偏波用のマイクロストリップアンテナにおい
て、 前記給電パッチが互いに対向する頂点の一対に形成され
た一対の凹部または一対の凸部のいずれかを有し、 前記無給電パッチが前記第1の方形状導体板であり前記
第2の方形状導体板が互いに対向する頂点の一対に形成
された一対の凹部または同上の一対の凸部のいずれかを
有し、 前記第1の方形状導体板は、前記第1の方形状導体板の
凹部または凸部の一対を結ぶ無給電パッチ対称軸と前記
給電パッチの凹部または凸部の一対を結ぶ給電パッチ対
称軸とのなす角度を前記マイクロストリップアンテナの
リターンロス及び楕円偏波率の最良周波数帯を一致する
ように所定の角度だけ回転して取り付けられることを特
徴とする円偏波用のマイクロストリップアンテナ。
5. A power supply patch that receives a supply of high-frequency power and radiates a circularly polarized electromagnetic field from one surface of the first rectangular conductor plate, a power supply unit that supplies the high-frequency power to the power supply patch, and the power supply. A passive patch that receives the circularly polarized electromagnetic field from one side of the patch and re-radiates the circularly polarized electromagnetic field from the other side; and a circularly polarized microstrip antenna, It has either a pair of concave portions or a pair of convex portions formed in a pair, wherein the parasitic patch is the first rectangular conductor plate, and the second rectangular conductor plate has a pair of vertexes opposed to each other. And the first rectangular conductor plate is connected to a pair of the concave or convex portions of the first rectangular conductor plate. Patch symmetry axis and the feeding patch The microstrip antenna is attached by being rotated by a predetermined angle so that the angle formed between the feeding patch symmetrical axis connecting a pair of the concave portions or the convex portions and the best frequency band of the return loss and the elliptical polarization of the microstrip antenna coincide with each other. Microstrip antenna for circular polarization.
【請求項6】前記給電パッチの放射する円偏波電磁界が
右旋円偏波電磁界であるときには、前記第2の方形状導
体板の前記凸部または凹部の一対を結ぶ無給電パッチ対
称軸が、前記無給電パッチの凹部または凸部の一対を結
ぶ給電パッチ対称軸を基準として反時計方向に回転され
ており、前記給電パッチの放射する円偏波電磁界が左旋
円偏波電磁界であるときには、前記第2の方形状導体板
の前記凸部または凹部の一対を結ぶ無給電パッチ対称軸
が、前記給電パッチの凹部または凸部の一対を結ぶ給電
パッチ対称軸を基準として時計方向に回転されているこ
とを特徴とする請求項記載のマイクロストリップアン
テナ。
6. A parasitic patch symmetrical connecting a pair of said convex portions or concave portions of said second rectangular conductor plate when said circularly polarized electromagnetic field emitted by said feeding patch is a right-handed circularly polarized electromagnetic field. The axis is rotated in a counterclockwise direction with respect to an axis of symmetry of the feeding patch connecting a pair of concave or convex portions of the parasitic patch, and a circularly polarized electromagnetic field emitted by the feeding patch is a left-handed circularly polarized electromagnetic field. In this case, the non-feeding patch symmetric axis connecting the pair of the convex portions or the concave portions of the second rectangular conductor plate is clockwise with respect to the feeding patch symmetric axis connecting the pair of the concave portions or the convex portions of the feeding patch. The microstrip antenna according to claim 5 , wherein the microstrip antenna is rotated.
【請求項7】高周波電力の給電を受けて第1の方形状の
導体板の一面から円偏波電磁界を放射する給電パッチ
と、前記給電パッチに前記高周波電力を供給する給電手
段と、前記給電パッチから前記円偏波電磁界を一面に受
け、この円偏波電磁界を他面から再放射する無給電パッ
チとを備える円偏波用のマイクロストリップアンテナに
おいて、 前記給電パッチが、互いに対向する頂点の一対に形成し
た一対の凹部と、もう一つの頂点の一対に形成した一対
の凸部とを有し、 前記無給電パッチが前記第1の方形状導体板の一面に対
向して設けられた第2の方形状の導体板であり、前記第
2の方形状導体板が、前記給電パッチ一対の凹部に対応
して互いに対向する頂点の一対に形成した一対の凹部と
前記給電パッチの一対の凸部に対応して互いに対向する
頂点の別の一対に形成した一対の凸部とを有し、前記給
電パッチの放射する円偏波電磁界が右旋円偏波電磁界で
あるときには、前記第2の方形状導体板の前記凸部また
は凹部の一対を結ぶ無給電パッチ対称軸が前記給電パッ
チの凹部または凸部の一対を結ぶ給電パッチ対称軸を基
準として反時計方向に前記マイクロストリップアンテナ
のリターンロス及び楕円偏波率の最良周波数帯を一致す
るように回転されており、 前記給電パッチの放射するえ偏波電磁界が左旋円偏波電
磁界であるときには、前記第2の方形状導体板の前記凸
部または凹部の一対を結ぶ無給電パッチ対称軸が、前記
給電パッチの凹部または凸部の一対を結ぶ給電パッチ対
称軸を基準として時計方向に前記マイクロストリップア
ンテナのリターンロス及び楕円偏波率の最良周波数帯を
一致するように回転されていることを特徴とする円偏波
用のマイクロストリップアンテナ。
7. A power supply patch for receiving a supply of high-frequency power and radiating a circularly polarized electromagnetic field from one surface of the first rectangular conductor plate, a power supply means for supplying the high-frequency power to the power supply patch, A microstrip antenna for circular polarization, comprising: a parasitic patch that receives the circularly polarized electromagnetic field on one surface from a power supply patch and re-radiates the circularly polarized electromagnetic field from the other surface. A pair of concave portions formed on a pair of apexes, and a pair of convex portions formed on a pair of another apex, wherein the parasitic patch is provided to face one surface of the first rectangular conductor plate. A second rectangular conductor plate, wherein the second rectangular conductor plate has a pair of recesses formed at a pair of vertices opposed to each other corresponding to the pair of recesses of the power supply patch, and a pair of recesses formed of the power supply patch. Corresponding to a pair of protrusions A pair of convex portions formed in another pair of facing vertices, and when the circularly polarized electromagnetic field emitted by the power supply patch is a right-handed circularly polarized electromagnetic field, the second rectangular conductor plate The return loss and the elliptically polarized wave of the microstrip antenna in a counterclockwise direction with respect to the feeding patch symmetric axis connecting the pair of the concave portions or the projecting portions of the feeding patch. Is rotated so as to match the best frequency band of the ratio, and when the polarized electromagnetic field emitted from the feeding patch is a left-handed circularly polarized electromagnetic field, the convex portion of the second rectangular conductor plate or The passive patch symmetric axis connecting the pair of concave portions has a return loss and an elliptical polarization rate of the microstrip antenna clockwise with respect to the feed patch symmetric axis connecting the concave portion or the convex portion of the feed patch. Microstrip antenna for circularly polarized wave, characterized in that it is rotated to match the best frequency band.
【請求項8】 前記給電手段が、前記第1の方形状導体
板の他面に電磁的に接続されるスロット線路であり、前
記給電パッチおよび無給電パッチおよび前記スロット線
路のスロット周囲導体が、誘電体フィルム上に形成され
ていることを特徴とする請求項記載のマイクロストリ
ップアンテナ。
8. The power supply means is a slot line electromagnetically connected to the other surface of the first rectangular conductor plate, and the power supply patch, the non-power supply patch, and the slot surrounding conductor of the slot line are: 8. The microstrip antenna according to claim 7, wherein the antenna is formed on a dielectric film.
JP5278809A 1992-10-02 1993-10-01 Microstrip antenna Expired - Fee Related JP2661523B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5278809A JP2661523B2 (en) 1992-10-02 1993-10-01 Microstrip antenna

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4-264477 1992-10-02
JP26447792 1992-10-02
JP5278809A JP2661523B2 (en) 1992-10-02 1993-10-01 Microstrip antenna

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06232627A JPH06232627A (en) 1994-08-19
JP2661523B2 true JP2661523B2 (en) 1997-10-08

Family

ID=26546529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5278809A Expired - Fee Related JP2661523B2 (en) 1992-10-02 1993-10-01 Microstrip antenna

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2661523B2 (en)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2803583B2 (en) * 1994-11-15 1998-09-24 日本電気株式会社 Patch antenna
JP2944505B2 (en) * 1996-04-05 1999-09-06 日本電気株式会社 Microstrip antenna
US6809688B2 (en) 2000-06-30 2004-10-26 Sharp Kabushiki Kaisha Radio communication device with integrated antenna, transmitter, and receiver
JP2002076766A (en) * 2000-08-29 2002-03-15 Maspro Denkoh Corp Circularly polarized wave antenna
JP4789532B2 (en) * 2004-09-27 2011-10-12 日本無線株式会社 Circularly polarized patch antenna and circularly polarized array antenna
JP4569760B2 (en) * 2005-02-23 2010-10-27 ミツミ電機株式会社 Antenna device
US7605758B2 (en) * 2005-05-13 2009-10-20 Go Net Systems Ltd. Highly isolated circular polarized antenna
JP4562611B2 (en) * 2005-07-29 2010-10-13 日本無線株式会社 Circularly polarized patch antenna and circularly polarized array antenna
US9088071B2 (en) 2010-11-22 2015-07-21 ChamTech Technologies, Incorporated Techniques for conductive particle based material used for at least one of propagation, emission and absorption of electromagnetic radiation
US10396451B2 (en) 2010-11-22 2019-08-27 Ncap Licensing, Llc Techniques for patch antenna
JP2013183388A (en) * 2012-03-03 2013-09-12 Kanazawa Inst Of Technology Microstrip antenna having circular polarization characteristics
JP6658704B2 (en) * 2017-09-20 2020-03-04 Tdk株式会社 Antenna module
JP6658705B2 (en) * 2017-09-20 2020-03-04 Tdk株式会社 Antenna module
WO2024064159A1 (en) * 2022-09-19 2024-03-28 Viasat, Inc. Multi-layer antenna element circular polarization antenna

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02141007A (en) * 1988-11-21 1990-05-30 Mitsubishi Electric Corp Micro-strip antenna
JP2536194B2 (en) * 1989-10-31 1996-09-18 三菱電機株式会社 Microstrip antenna

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06232627A (en) 1994-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2536194B2 (en) Microstrip antenna
JP2661523B2 (en) Microstrip antenna
AU2006222394B2 (en) Aperture-coupled antenna
US5410323A (en) Planar antenna
US7106256B2 (en) Antenna device
JP2806350B2 (en) Patch type array antenna device
US8487821B2 (en) Methods and apparatus for a low reflectivity compensated antenna
JPH07307612A (en) Plane antenna
JPS6138881B2 (en)
US20230075273A1 (en) Magneto-electric dipole antenna
JPH0270104A (en) Wide directional microstrip antenna
JP6145785B1 (en) Antenna device
JPS60217702A (en) Circularly polarized wave conical beam antenna
JP2002094323A (en) Circularly polarized wave antenna system
JPH11266118A (en) Patch array antenna
JP2565108B2 (en) Planar antenna
JPS5912601A (en) Circularly polarized wave antenna
JP2536163B2 (en) Microstrip antenna
JPH0682972B2 (en) Circularly polarized microstrip antenna
JPH0685526A (en) Planer antenna
JP2019097003A (en) Antenna device
JPH10209743A (en) Slot-coupling type microstrip antenna
JP3187853B2 (en) Spiral antenna and array antenna using this antenna
JP2002198724A (en) Microstrip antenna
JPH0621715A (en) Plane antenna and impedance matching method for plane antenna

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19960806

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970513

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080613

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100613

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100613

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees