JP2659937B2 - Semiconductor light emitting device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体発光装置に関し、特に電流狭窄効果
と、光電波効果を有する半導体レーザに関する。The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor laser having a current confinement effect and an optical radio wave effect.
（従来の技術） 近年、GaAs基板上に有機金属を用いた化学気相成長法
（以下、MOCVD法と略記する）により形成したInGaAlPを
使用した可視半導体レーザが注目されている。(Prior Art) In recent years, a visible semiconductor laser using InGaAlP formed on a GaAs substrate by a chemical vapor deposition method (hereinafter abbreviated as MOCVD method) using an organic metal has attracted attention.
段差を形成した基板上にMOCVD法によりInGaAlPを積層
することはきわめて困難であるので、電流狭窄と光導波
効果を有する半導体レーザを作製する場合には、第３図
に示す断面の素子構造が採用される。Since it is extremely difficult to laminate InGaAlP on a substrate with steps formed by MOCVD, when fabricating a semiconductor laser having current confinement and optical waveguide effect, the element structure with the cross section shown in Fig. 3 is adopted. Is done.
この断面構造の素子は、MOCVD法による選択的成長を
利用して自己整合的に電流狭窄構造と光導波構造を形成
することにより作製したものである。図中302はｎ−GaA
s基板、303はｎ−GaAsバッファ層、304はｎ−In0.5Ga0.
25Al0.25Pクラッド層、305はIn0.5Ga0.5P活性層、306は
Ｐ−In0.5Ga0.25Al0.25Pクラッド層、307はＰ−GaAsギ
ャップ層、308はｎ−GaAsブロック層、309はｐ−GaAsコ
ンタクト層、301,310は電極である。この構造の素子
は、比較的良好な性能を有するが、製造工程として電流
狭窄層を選択的成長により自己整合的に形成するための
減圧下での第１回目の再成長、コンタクト層を形成する
ための第２回目の再成長を必要とするため、製造工程が
複雑であり、生産性がよくないという欠点を有してい
る。The element having this cross-sectional structure is manufactured by forming a current confinement structure and an optical waveguide structure in a self-aligned manner using selective growth by MOCVD. In the figure, 302 is n-GaA
s substrate, 303 is an n-GaAs buffer layer, 304 is n-In0.5Ga0.
25Al0.25P cladding layer, 305 is an In0.5Ga0.5P active layer, 306 is a P-In0.5Ga0.25Al0.25P cladding layer, 307 is a P-GaAs gap layer, 308 is an n-GaAs block layer, 309 is a p- GaAs contact layers 301 and 310 are electrodes. The device having this structure has relatively good performance, but as a manufacturing process, the first regrowth under reduced pressure and the formation of a contact layer for forming a current confinement layer in a self-aligned manner by selective growth. Requires the second re-growth, the manufacturing process is complicated, and the productivity is poor.
（発明が解決しようとする問題点） 上記のように、従来装置では選択的再成長、又は複数
回の再成長を製造工程として必要とするために、生産性
の低下を招いていた。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, the conventional apparatus requires selective regrowth or regrowth a plurality of times as a manufacturing process, thereby causing a decrease in productivity.
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、
その目的とするところはInGaAlPを材料とした良好な特
性を有する安価な可視半導体レーザを提供することにあ
る。The present invention has been made in view of the above circumstances,
It is an object of the present invention to provide an inexpensive visible semiconductor laser having good characteristics and made of InGaAlP.
［発明の要点］ （問題点を解決するための手段） 本発明はキャリアが結合して発光する活性層と、前記
活性層上に形成された第１導電型のクラッド層と、前記
クラッド層上に形成され前記クラッド層とヘテロ接合を
形成し該ヘテロ接合界面での障壁により前記クラッド層
中にキャリアを注入することを抑制する第１導電型のコ
ンタクト層と、前記クラッド層と前記コンタクト層の間
の一部分に形成され前記コンタクト層と前記クラッド層
とのヘテロバリアを緩和しキャリアを前記コンタクト層
から前記クラッド層に注入させる第１導電型の中間コン
タクト層とを具備することを特徴とする半導体発光装置
である。また、キャリアが結合して発光する活性層と、 前記活性層上に形成され組成比が In1-x-yGaxAlyＰ（0.4＜ｙ≦１） であるクラッド層と、 前記クラッド層上の一部に形成され組成比が In1-p-qGapAlqＰ（０≦ｑ＜0.4） である中間コンタクト層と、 前記クラッド層及び前記中間コンタクト層上に形成さ
れたGaAs或いはGaAlAsからなるコンタクト層とを具備す
ることを特徴とする半導体発光装置である。つまり電流
阻止を従来使用されてきたようにｐ−ｎ接合の逆方向の
電圧電流特性によるのではなく、クラッド層とコンタク
ト層とのヘテロ接合界面でのバンド不連続による障壁を
利用して実現することにより、従来使用されてきた電流
阻止層の削除に成功したことにある。[Gist of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention relates to an active layer in which carriers are combined to emit light, a first conductivity type clad layer formed on the active layer, A contact layer of a first conductivity type which forms a heterojunction with the cladding layer and suppresses injection of carriers into the cladding layer by a barrier at the interface of the heterojunction; A first conductive type intermediate contact layer formed at a portion between the first and second conductive layers to relax a hetero barrier between the contact layer and the cladding layer and to inject carriers from the contact layer to the cladding layer. Device. An active layer that emits light by combining carriers; a cladding layer formed on the active layer and having a composition ratio of In1-x-yGaxAlyP (0.4 <y ≦ 1); And an intermediate contact layer having a composition ratio of In1-p-qGapAlqP (0 ≦ q <0.4), and a contact layer made of GaAs or GaAlAs formed on the clad layer and the intermediate contact layer. Semiconductor light emitting device. That is, the current blocking is realized not by the voltage-current characteristics in the reverse direction of the pn junction as in the past but by using a barrier caused by band discontinuity at the heterojunction interface between the cladding layer and the contact layer. As a result, the current blocking layer conventionally used has been successfully removed.
本発明者らは、GaAs基板上に形成した種々の組成を有
するIn1-x-yGaxAlyＰ上にGaAsを再成長し、ヘテロ界面
を流れる電流の電圧電流特性を、いろいろな電導型の組
合せについ調べた。その結果、ｎ型とｎ型のヘテロ接合
では一般的にオーミックな電圧・電流特性が得られた
が、ｐ型とｐ型の組合せでは、オーミックな電圧・電流
特性は限られた範囲の組成でのみ得られた。同程度のキ
ャリア濃度のｐ−GaAsとｐ−In1-x-yGaxAlyＰからなる
ヘテロ接合においてオーミックな電圧・電流特性が得ら
れる組成ｙの範囲は、０≦ｙ＜0.4であった。ここで、
ｐ−GaAsとｐ−InGaAlPのキャリア濃度のうち一方のみ
を増加させた場合には、オーミックな電圧・電流特性が
得られる組成範囲はほとんど変化しなかった。又、ｐ−
Ga1-yAlyAsとｐ−InGaAlPとのヘテロ接合の場合にも、
０≦ｙ＜0.1の範囲ではほぼ同様の結果が得られた。The present inventors regrown GaAs on In1-x-yGaxAlyP having various compositions formed on a GaAs substrate, and examined the voltage-current characteristics of the current flowing through the heterointerface for various combinations of conduction types. . As a result, ohmic voltage / current characteristics were generally obtained in the n-type and n-type heterojunctions, but in the combination of the p-type and the p-type, the ohmic voltage / current characteristics were obtained in a limited range of composition. Only got. In the heterojunction composed of p-GaAs and p-In1-x-yGaxAlyP having the same carrier concentration, the range of composition y in which ohmic voltage / current characteristics can be obtained is 0 ≦ y <0.4. here,
When only one of the carrier concentrations of p-GaAs and p-InGaAlP was increased, the composition range in which ohmic voltage / current characteristics were obtained hardly changed. Also, p-
In the case of a heterojunction between Ga1-yAlyAs and p-InGaAlP,
Almost the same result was obtained in the range of 0 ≦ y <0.1.
又、InGaAlP系とInGaAlP系のヘテロ接合では、ｐ型,n
型のいずれのヘテロ接合でもオーミックな接触が得られ
た。これらのGaAlAsとInGaAlPとのヘテロ接合における
非オーミック性はGaAlAsとInGaAlPとのヘテロ接合界面
における非常に大きな価電子帯のバンド不連続に起因し
たものと考えられる。In the case of an InGaAlP-based and InGaAlP-based heterojunction, a p-type, n-type
Ohmic contacts were obtained with both heterojunctions of the type. It is considered that the non-ohmicity in the heterojunction between GaAlAs and InGaAlP is caused by a very large valence band discontinuity at the heterojunction interface between GaAlAs and InGaAlP.
すなわち、本発明はダブルヘテロ接合構造部のｐ型ク
ラッド層上にストライプ状のｐ−InGaAlP中間コンタク
ト層を形成し、さらにこれらの上にＰ−GaAlAsコンタク
ト層を形成し、ｐ中間コンタクト層をｐクラッド層とｐ
コンタクト層の両者に対してオーミックな接触が得られ
るIn1-x-yGaxAlyＰ（０≦ｙ＜0.4）とし、ｐ−クラッド
層をコンタクト層とオーミックな接触が得られないIn1-
x-yGaxAlyＰ（0.4＜ｙ）とすることにより、Ｐクラッド
層と中間コンタクト層、中間コンタクト層とコンタクト
層のストライプ状の接合部においてオーミックな接触、
他の部分においては非オーミックな接触を実現し、中間
コンタクト層を介してのみ電流を流すことにより、電流
狭窄を行なわせたものである。That is, the present invention forms a stripe-shaped p-InGaAlP intermediate contact layer on the p-type cladding layer of the double hetero junction structure, further forms a P-GaAlAs contact layer thereon, and forms the p intermediate contact layer on the p-type cladding layer. Cladding layer and p
In1-x-yGaxAlyP (0 ≦ y <0.4) which can obtain an ohmic contact with both of the contact layers, and the p-cladding layer has an In1-x which cannot obtain an ohmic contact with the contact layer.
By setting x-yGaxAlyP (0.4 <y), ohmic contact can be achieved at the striped junction between the P cladding layer and the intermediate contact layer, and between the intermediate contact layer and the contact layer.
In other portions, non-ohmic contact is realized, and current is confined by flowing current only through the intermediate contact layer.
（作用） 本発明によれば、電流通路と光導波部分に再成長層を
含まないために優れた信頼性と動作特性を有する半導体
発光装置が選択的再成長を行なうことなく作製可能であ
り、特にInGaAlPを材料とした安価な可視半導体レーザ
作製に極めて有効である。(Operation) According to the present invention, a semiconductor light emitting device having excellent reliability and operation characteristics because a regrowth layer is not included in a current path and an optical waveguide portion can be manufactured without performing selective regrowth. In particular, it is extremely effective for producing an inexpensive visible semiconductor laser made of InGaAlP.
（実施例） 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明す
る。(Examples) Hereinafter, details of the present invention will be described with reference to the illustrated examples.
第１図は、本発明の一実施例に係わる半導体レーザの
概略構成を示す断面図である。図中11はｎ−GaAs基板で
あり、この基板11上にはｎ−GaAsバッファ層12及びｎ−
InGaPバッファ層13が形成されている。バッファ層上に
はｎ−InAlPクラッド層14、InGaP活性層15及びｐ−InAl
Pクラッド層16からなるタブルヘテロ接合構造部が形成
されている。また、クラッド層16はストライプ状に加工
されており、これによりｐクラッド層にストライプ状リ
ブが形成されている。クラッド層16上には、ｐ−InGaP
中間コンタクト層17が形成されている。中間コンタクト
層17及びクラッド層16上には、ｐ−GaAsコンタクト層18
が形成されている。そして、コンタクト層18の上面に金
属電極19が被着され、基板11の下面に金属電極20が被着
されている。FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a semiconductor laser according to one embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 11 denotes an n-GaAs substrate, on which an n-GaAs buffer layer 12 and an n-GaAs
An InGaP buffer layer 13 is formed. On the buffer layer, an n-InAlP cladding layer 14, an InGaP active layer 15, and a p-InAl
A double heterojunction structure composed of the P cladding layer 16 is formed. Further, the clad layer 16 is processed in a stripe shape, whereby stripe-shaped ribs are formed in the p-clad layer. On the cladding layer 16, p-InGaP
An intermediate contact layer 17 is formed. On the intermediate contact layer 17 and the cladding layer 16, a p-GaAs contact layer 18 is provided.
Are formed. Then, a metal electrode 19 is attached to the upper surface of the contact layer 18, and a metal electrode 20 is attached to the lower surface of the substrate 11.
ここで、前述のごとく、ｐ−InAlPクラッド層16とｐ
−InGaP中間コンタクト層17、中間コンタクト層17とｐ
−GaAsコンタクト層18との間には抵抗の小さいオーミッ
クな接触が得られ、他のｐ−InAlPクラッド層16とｐ−G
aAsコンタクト層19との間には抵抗の大きな非オーミッ
クな接触が得られているので、良好な電流狭窄が実現さ
れる。又、この構造では光導波はストライプ状のメサに
形成されたクラッド層16により行なわれる。Here, as described above, the p-InAlP clad layer 16 and the p-InAlP
−InGaP intermediate contact layer 17, intermediate contact layer 17 and p
An ohmic contact with low resistance is obtained between the GaAs contact layer 18 and the other p-InAlP cladding layer 16 and p-G
Since a non-ohmic contact with a large resistance is obtained between the aAs contact layer 19, good current confinement is realized. Further, in this structure, optical waveguide is performed by the cladding layer 16 formed in a stripe-shaped mesa.
なお、バッファ層13はGaAs上に形成するInGaAlP系結
晶の品質向上のためである。また、中間コンタクト層17
は前述の様に、クラッド層16とコンタクト層18との間に
オーミックな電圧・電流特性を実現するためであり、コ
ンタクト層と接する部分にて、その組成がIn1-x-yGaxAl
yＰ（０≦ｙ＜0.4）であれば、他の部分では異なってい
てもよい。The buffer layer 13 is for improving the quality of the InGaAlP-based crystal formed on GaAs. Also, the intermediate contact layer 17
Is for realizing ohmic voltage / current characteristics between the cladding layer 16 and the contact layer 18 as described above, and at a portion in contact with the contact layer, the composition is In1-x-yGaxAl.
If yP (0 ≦ y <0.4), other parts may be different.
次に、上記構成の半導体レーザの製造方法について説
明する。Next, a method of manufacturing the semiconductor laser having the above configuration will be described.
第２図は（ａ）〜（ｃ）は実施例レーザの製造工程を
示す断面図である。まず、MOCVD法により第２図（ａ）
に示す如く面方位（100）のｎ−GaAs基板11（Siドープ,
3×1018cm-3）上に厚さ0.5μｍのｎ−GaAs第１バッファ
層12（Siドープ,1×1018cm-3）、厚さ0.5μｍのｎ−InG
aP第２バッファ層13（Siドープ,1×1018cm-3）、厚さ1.
0μｍのｎ−In0.5Al0.5P第１クラッド層14（Siドープ,1
×1018cm-3）、厚さ0.07μｍのIn0.5Ga0.5P活性層15、
厚さ1.0μｍのｐ−In0.5Al0.5P第２クラッド層16（Mgド
ープ,1×1018cm-3）、厚さ0.1μｍのｐ−In0.5Ga0.5P中
間コンタクト層17（Mgドープ,1×1018cm-3）を順次成長
してダブルヘテロウエハを形成した。続いて、中間コン
タクト層17上に写真触刻により幅５μｍのストライプ状
マスク21を形成した。2 (a) to 2 (c) are cross-sectional views showing the steps of manufacturing the laser of the embodiment. First, Fig. 2 (a) by MOCVD
As shown in the figure, an n-GaAs substrate 11 (Si-doped,
3 × 10 18 cm -3) thickness 0.5 [mu] m of the n-GaAs first buffer layer 12 (Si dope on, 1 × 10 18 cm -3) , a thickness of 0.5 [mu] m n-InG
aP second buffer layer 13 (Si-doped, 1 × 10 18 cm −3 ), thickness 1.
0 μm n-In0.5Al0.5P first cladding layer 14 (Si-doped, 1
× 10 18 cm -3 ), an In0.5Ga0.5P active layer 15 having a thickness of 0.07 μm,
1.0 μm thick p-In0.5Al0.5P second cladding layer 16 (Mg doped, 1 × 10 18 cm −3 ), 0.1 μm thick p-In0.5Ga0.5P intermediate contact layer 17 (Mg doped, 1 × 10 18 cm −3 ) was sequentially grown to form a double hetero wafer. Subsequently, a stripe-shaped mask 21 having a width of 5 μm was formed on the intermediate contact layer 17 by photolithography.
次いで、第２図（ｂ）に示す如く、ストライプ状マス
ク21を用い、臭化水素酸と臭素と混合液によりInGaP中
間コンタクト層17をエッチングしてストライプ状の中間
コンタクト層17を形成した。Next, as shown in FIG. 2 (b), the InGaP intermediate contact layer 17 was etched with a mixed solution of hydrobromic acid and bromine using a stripe-shaped mask 21 to form a striped intermediate contact layer 17.
次いで、InGaAlP用選択エッチャントにより、InGaPス
トライプ状コンタクト層17をマスクとして、第２クラッ
ド層16を途中までエッチングして、ストライプ状メサを
形成した。ここで、InGaAlP用選択エッチャントは硫酸
或いは燐酸であり15〜130℃の温度にて使用した。Next, the second cladding layer 16 was etched partway by using the InGaP striped contact layer 17 as a mask with a selective etchant for InGaAlP to form a striped mesa. Here, the selective etchant for InGaAlP is sulfuric acid or phosphoric acid and used at a temperature of 15 to 130 ° C.
次いで、ストライプ状マスク21を除去した後、燐の水
素化物とInの有機化合物を成長室に供給して燐とInの蒸
気雰囲気中にてウエハを800℃程度に加熱保持すること
により、表面酸化膜を除去した後、第２図（ｃ）に示す
如くMOCVD法により全面にｐ−GaAsコンタクト層18（Mg
ドープ,1×1018cm-3を厚さ３μｍ成長した。Next, after removing the stripe-shaped mask 21, a hydride of phosphorus and an organic compound of In are supplied to the growth chamber, and the wafer is heated and held at about 800 ° C. in a vapor atmosphere of phosphorus and In to thereby oxidize the surface. After removing the film, as shown in FIG. 2C, the p-GaAs contact layer 18 (Mg
A dope of 1 × 10 18 cm −3 was grown to a thickness of 3 μm.
その後、通常の電極付け工程により、コンタクト層18
上にAu/Zn電極19を、基板の下面にAu/Ge電極20を被着す
ることにより、前記第１図に示す構造のレーザ用ウエハ
を得た。After that, the contact layer 18 is
The Au / Zn electrode 19 was adhered on the upper surface, and the Au / Ge electrode 20 was adhered on the lower surface of the substrate, whereby a laser wafer having the structure shown in FIG. 1 was obtained.
かくして得られたウエハをへき開して、共振器長250
μｍのレーザ素子を作製したところ、閾値電流90mA、微
分量子効率片面当り20％と良好な特性が得られた。光出
力は駆動電流に従って10mW以上まで直線的に増大し、キ
ンクのない良好な電流−光出力特性を示した。また、遠
視野像，近視野像共に単峰であり、良好なモード制御が
行われていることがわかる。The thus obtained wafer is cleaved and the cavity length 250
When a μm laser device was fabricated, good characteristics were obtained with a threshold current of 90 mA and a differential quantum efficiency of 20% per side. The light output increased linearly to 10 mW or more according to the drive current, and showed good current-light output characteristics without kink. In addition, it can be seen that both the far-field image and the near-field image are unimodal, and that good mode control is performed.
このように、本実施例によれば、選択成長等の特別な
手法を用いることなく、InGaAlPを材料として使用した
電流狭窄構造と光導波構造を有する可視半導体レーザを
容易に作製可能であり、その有用性は絶大である。As described above, according to the present embodiment, a visible semiconductor laser having a current confinement structure and an optical waveguide structure using InGaAlP as a material can be easily manufactured without using a special technique such as selective growth. The utility is enormous.
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものでは
ない。例えば、ダブルヘテロ構造をInGaAlPにて構成し
てもよいし、中間コンタクト層17にIn1-x-yGaxAlyＰ
（０≦ｙ＜0.4）を使用してもよい。又、コンタクト層1
8にGaAlAsを使用してもよい。The present invention is not limited to the embodiments described above. For example, the double hetero structure may be made of InGaAlP, or the intermediate contact layer 17 may be made of In1-x-yGaxAlyP.
(0 ≦ y <0.4) may be used. Also, contact layer 1
8 may be GaAlAs.
また、本発明は、大きなバンド不連続を有する材料の
組み合せならば、実施例で述べた以外の材料を利用した
レーザにも同様に適用することができる。その他、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施すること
ができる。Further, the present invention can be similarly applied to a laser using a material other than those described in the embodiments as long as a combination of materials having a large band discontinuity is used. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
（発明の効果） 以上詳述したように本発明によれば、電流阻止層を用
いることなく電流狭窄が行えるので、電流阻止層を光導
波路と整合して形成するための複雑な工程を省略するこ
とができ、特にInGaAlP系材料を使用した電流狭窄効果
と光導波効果を有する可視半導体レーザを簡単に作製可
能である。(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the present invention, current confinement can be performed without using a current blocking layer, so that a complicated process for forming a current blocking layer in alignment with an optical waveguide is omitted. In particular, a visible semiconductor laser using an InGaAlP-based material and having a current confinement effect and an optical waveguide effect can be easily manufactured.
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの素子
構造を示す断面図、第２図は上記実施例レーザの製造工
程を示す断面図、第３図は従来の半導体レーザの素子構
造を示す断面図である。 11……ｎ−GaAs基板、12……ｎ−GaAsバッファ層、13…
…ｎ−InGaPバッファ層、14……ｎ−InAlPクラッド層、
15……InGaP活性層、16……ｐ−InAlPクラッド層、17…
…ｐ−InGaP中間コンタクト層、18……ｐ−GaAsコンタ
クト層、19,20……電極、21……マスク、301,310……電
極、302……ｎ−GaAs基板、303……GaAsバッファ層、30
4……ｎ−In0.5Ga0.25Al0.25Pクラッド層、305……In0.
5Ga0.5P活性層、306……ｐ−In0.5Ga0.25Al0.25Pクラッ
ド層、307……ｐ−GaAsキャップ層、308……ｎ−GaAsブ
ロック層、309……ｐ−GaAsコンタクト層。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an element structure of a semiconductor laser according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the laser of the above-mentioned embodiment, and FIG. FIG. 11 ... n-GaAs substrate, 12 ... n-GaAs buffer layer, 13 ...
... n-InGaP buffer layer, 14 ... n-InAlP cladding layer,
15 ... InGaP active layer, 16 ... p-InAlP cladding layer, 17 ...
... p-InGaP intermediate contact layer, 18 ... p-GaAs contact layer, 19, 20 ... electrode, 21 ... mask, 301, 310 ... electrode, 302 ... n-GaAs substrate, 303 ... GaAs buffer layer, 30
4 ... n-In0.5Ga0.25Al0.25P cladding layer, 305 ... In0.
5Ga0.5P active layer, 306 ... p-In0.5Ga0.25Al0.25P cladding layer, 307 ... p-GaAs cap layer, 308 ... n-GaAs block layer, 309 ... p-GaAs contact layer.
Claims (5)
なし、導電型が異なる第１及び第２のクラッド層と、こ
のクラッド層の一方と非オーミック接触で、導電型が同
一であるコンタクト層と、このコンタクト層と一方のク
ラッド層間に、その夫々の層と一部分でオーミック接触
をなして、一方のクラッド層と組成が異なり導電型が同
一である中間コンタクト層とを備えたことを特徴とする
半導体発光装置。1. An active layer, first and second cladding layers each forming a heterojunction with the active layer and having a different conductivity type, and a non-ohmic contact with one of the cladding layers having the same conductivity type. A contact layer and an intermediate contact layer having a composition different from that of the one cladding layer and having the same conductivity type between the contact layer and one of the cladding layers by making ohmic contact with the respective layers. Characteristic semiconductor light emitting device.
よりもバンドギャップが小さく且つ前記コンタクト層よ
りもバンドギャップが大きい半導体層であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発光装置。2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein said intermediate contact layer is a semiconductor layer having a smaller band gap than said cladding layer and a larger band gap than said contact layer. apparatus.
に近い方でそのバンドギャップが小さく、前記クラッド
層に近い方でそのバンドギャップが大きく、且つその間
でバンドギャップが徐々に変化するものであることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体発光装置。3. The intermediate contact layer has a small band gap near the contact layer, a large band gap near the clad layer, and a gradually changing band gap therebetween. 3. The semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein:
ンタクト層がｐ型導電体半導体層であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項、第２項或いは第３項記載の半
導体発光装置。4. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein said cladding layer, intermediate contact layer, and contact layer are p-type conductive semiconductor layers.
＜ｙ≦１）であるクラッド層と、 前記クラッド層上の一部に形成され組成比がIn1-p-qGap
AlqＰ（０≦ｑ＜0.4）である中間コンタクト層と、 前記クラッド層及び前記中間コンタクト層上に形成され
たGaAs或いはGaAlAsからなるコンタクト層とを具備する
ことを特徴とする半導体発光装置。5. An active layer that emits light by combining carriers, and an active layer formed on the active layer and having a composition ratio of In1-x-yGaxAlyP (0.4
<Y ≦ 1), and a composition ratio of In1-p-qGap formed on a part of the cladding layer.
A semiconductor light emitting device comprising: an intermediate contact layer satisfying AlqP (0 ≦ q <0.4); and a contact layer formed of GaAs or GaAlAs formed on the cladding layer and the intermediate contact layer.
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| JP61225842A JP2659937B2 (en) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | Semiconductor light emitting device |
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-
1986
- 1986-09-26 JP JP61225842A patent/JP2659937B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JPS6174382A (en) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device and manufacture thereof |
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