JP2639622B2 - Thermal head - Google Patents
Thermal headInfo
- Publication number
- JP2639622B2 JP2639622B2 JP5306016A JP30601693A JP2639622B2 JP 2639622 B2 JP2639622 B2 JP 2639622B2 JP 5306016 A JP5306016 A JP 5306016A JP 30601693 A JP30601693 A JP 30601693A JP 2639622 B2 JP2639622 B2 JP 2639622B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- amorphous
- element layer
- substrate
- thermal head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、耐磨耗性および耐熱性
と熱応答性とに優れた感熱記録用サーマルヘッドに関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal head for thermal recording which is excellent in abrasion resistance, heat resistance and thermal responsiveness.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、サーマルヘッドは、基板と、当該
基板上に形成された熱応答性の良い発熱体層と、当該発
熱体層に電流を供給する電極と、前記発熱体層が感熱記
録用紙によって磨耗するのを防ぐ耐磨耗および耐熱性部
材からなる保護膜とから構成されていた。そして、サー
マルヘッドにおける発熱体層の表面は、感熱記録用紙と
絶えず摩擦接触するため、発熱体層部分を保護する耐磨
耗性、耐熱性のより優れた部材が要望されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a thermal head comprises a substrate, a heating element layer formed on the substrate and having good thermal responsiveness, an electrode for supplying a current to the heating element layer, and a heat-sensitive recording medium. The protective film is made of a wear-resistant and heat-resistant member for preventing the paper from being worn. Since the surface of the heating element layer in the thermal head is in constant frictional contact with the heat-sensitive recording paper, a member that protects the heating element layer and has better wear resistance and heat resistance is demanded.
【０００３】以下、従来例におけるサ−マルヘッドの具
体例を示す。図１（Ａ）は従来用いられていたサ−マル
ヘッドの縦断面図を示す。図１（Ｂ）は図１（Ａ）に示
すＢ−Ｂ’の断面図を示す。図１（Ｃ）は図１（Ａ）に
示すＣ−Ｃ’の断面図を示す。図１（Ａ）において、基
板特にセラミック基板(1) 上には、ガラス層(2) が形成
されている。そして、ガラス層(2) 上には、発熱体層
(3) が形成されている。また、電極(4) および(4')は、
発熱体層(3) 上において、所定間隔を置いて配置されて
いる。そして、電極(4) および(4')と発熱体層(3) の上
には、耐摩耗層(5) が形成されている。また、図１
（Ｃ）に示す如く、感熱記録用紙がこすられる部分は、
発熱体層(3) 上に接して耐摩耗層(5) が設けられてい
る。A specific example of a conventional thermal head will be described below. FIG. 1A is a longitudinal sectional view of a conventional thermal head. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ shown in FIG. FIG. 1C is a cross-sectional view taken along CC ′ shown in FIG. In FIG. 1A, a glass layer (2) is formed on a substrate, particularly a ceramic substrate (1). And, on the glass layer (2), the heating element layer
(3) is formed. Also, electrodes (4) and (4 ')
On the heating element layer (3), they are arranged at predetermined intervals. A wear-resistant layer (5) is formed on the electrodes (4) and (4 ') and the heating element layer (3). FIG.
As shown in (C), the portion where the thermal recording paper is rubbed is
A wear-resistant layer (5) is provided on the heating element layer (3).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術におい
ては、サーマルヘッドの発熱体層部分と感熱記録用紙と
の間に、耐磨耗性および耐熱性を有する保護膜が存在す
る。そして、発熱体層部分の熱は、耐磨耗性および耐熱
性の保護膜を介して、感熱記録用紙に伝達されるので、
その応答速度がある程度以上高くできないという問題を
有した。In the above prior art, a protective film having abrasion resistance and heat resistance exists between the heating element layer portion of the thermal head and the thermal recording paper. Then, the heat of the heating element layer portion is transmitted to the thermal recording paper via the abrasion-resistant and heat-resistant protective film,
There is a problem that the response speed cannot be increased to a certain degree or more.
【０００５】本発明は、以上のような課題を解決するた
めのもので、最も高い耐摩耗性を有する炭素または炭素
を主成分とする材料、並びに耐熱性に優れた珪素を主成
分とする材料によりサーマルヘッドの発熱体層を形成す
ることをその目的とする。すなわち、本発明は、感熱記
録用紙に対する熱応答速度を悪くしている耐磨耗性およ
び耐熱性を有する保護膜を不要としたサーマルヘッドを
提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and has the highest wear resistance of carbon or a material containing carbon as a main component and a material having a heat resistance of silicon as a main component. Accordingly, it is an object of the present invention to form a heating element layer of a thermal head. That is, an object of the present invention is to provide a thermal head which does not require a protective film having abrasion resistance and heat resistance, which deteriorates the thermal response speed to thermal recording paper.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のサーマルヘッドは、基板（１）と、当該基
板（１）上に形成され、不純物が添加されると共に、共
有結合をした炭素を主成分とする非晶質または半非晶質
からなる発熱体層（３）と、当該発熱体層（３）に電流
を供給する電極（４）とから構成される。In order to achieve the above object, a thermal head according to the present invention comprises a substrate (1) and a substrate formed on the substrate (1), to which impurities are added and covalent bonds are formed. Or semi-amorphous containing carbon as main component
, And an electrode (4) for supplying a current to the heating element layer (3).
【０００７】また、本発明のサーマルヘッドは、基板
（１）と、当該基板（１）上に形成され、不純物が添加
されると共に、共有結合をした珪素を主成分とする非晶
質または半非晶質からなる発熱体層（３）と、当該発熱
体層（３）に電流を供給する電極（４）とから構成され
る。Further, the thermal head of the present invention includes a substrate (1) is formed on the substrate (1), an impurity is added
As well as an amorphous material containing covalently bonded silicon as a main component.
A heating element layer (3) made of high quality or semi-amorphous, and an electrode (4) for supplying a current to the heating element layer (3).
【０００８】また、本発明のサーマルヘッドは、基板
（１）と、当該基板（１）上にグレイズされたガラス層
（２）と、当該ガラス層（２）上に形成され、不純物が
添加されると共に、共有結合をした炭素を主成分とする
非晶質または半非晶質からなる発熱体層（３）と、当該
発熱体層（３）に電流を供給する電極（４）とから構成
される。Further, the thermal head of the present invention includes a substrate (1), the glass layer that is Glaze on the substrate (1) and (2) is formed on the glass layer (2), impurities
The main component is added and covalently bonded carbon
It comprises a heating element layer (3) made of amorphous or semi-amorphous, and an electrode (4) for supplying a current to the heating element layer (3).
【０００９】さらに、本発明のサーマルヘッドは、基板
（１）と、当該基板（１）上にグレイズされたガラス層
（２）と、当該ガラス層（２）上に形成され、不純物が
添加されると共に、共有結合をした珪素を主成分とする
非晶質または半非晶質からなる発熱体層（３）と、当該
発熱体層（３）に電流を供給する電極（４）とから構成
される。Furthermore, the thermal head of the present invention includes a substrate (1), the glass layer that is Glaze on the substrate (1) and (2) is formed on the glass layer (2), impurities
It is added and contains covalently bonded silicon as a main component
It comprises a heating element layer (3) made of amorphous or semi-amorphous, and an electrode (4) for supplying a current to the heating element layer (3).
【００１０】[0010]
【作 用】本発明のサーマルヘッドは、不純物が添加
されると共に、炭素または珪素の主成分どうしの共有結
合が強い保護膜を兼ねた非晶質または半非晶質からなる
発熱体層が形成されている。そして、上記発熱体層は、
耐磨耗性および耐熱性に優れていると共に、抵抗を容易
に変えることができる。また、基板上にグレイズされた
ガラス層を設けると、不純物が添加されると共に、共有
結合をした炭素または珪素を主成分とする非晶質または
半非晶質からなる発熱体層の形成が容易になると共に、
保温性が良く、サーマルヘッドの経年変化による劣化が
少なくなる。[Operation] The thermal head of the present invention is doped with impurities.
At the same time, a heating element layer made of amorphous or semi-amorphous is also formed, which also serves as a protective film in which the main component of carbon or silicon has a strong covalent bond. And the heating element layer,
Excellent resistance to abrasion and heat and easy resistance
Can be changed to In addition, when a glazed glass layer is provided on a substrate, impurities are added and shared.
Amorphous or carbon-based or silicon-based
The formation of the semi-amorphous heating element layer is facilitated, and
Good heat retention and less deterioration due to aging of the thermal head.
【００１１】[0011]
【実 施 例】本発明は、基板上に非晶質を有する炭素
または珪素を主成分とする発熱体層が設けられたことを
特徴とするサーマルヘッドであり、この実施例について
説明する。先ず、セラミック基板上には、グレイズされ
たガラス層が形成される。そして、このガラス層上に
は、非晶質（アモルファス) または５Åないし20Åの大
きさの微結晶性を有する半非晶質（セミアモルファス）
半導体層が形成される。これらの非晶質または半非晶質
半導体層を得るために、たとえばプラズマ気相法を採用
し、図示されていない反応容器内は、温度100℃ないし4
50℃好ましくは200℃ないし350℃、圧力0.01torrないし
10torr、直流高周波500KHzないし50MHzまたはマイクロ
波（たとえば、2.45GHzの周波数の電磁エネルギー）が
印加された状態で、反応性気体として、珪素または炭素
を主成分とする材料を前記反応容器内に挿入する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to a thermal head characterized in that a heating element layer composed mainly of amorphous carbon or silicon is provided on a substrate, and this embodiment will be described. First, a glazed glass layer is formed on a ceramic substrate. Then, on this glass layer, there is amorphous or semi-amorphous (semi-amorphous) having microcrystallinity of 5 to 20 mm.
A semiconductor layer is formed. In order to obtain these amorphous or semi-amorphous semiconductor layers, for example, a plasma gas phase method is employed.
50 ° C, preferably 200 ° C to 350 ° C, pressure 0.01 torr to
Insert a material mainly composed of silicon or carbon as a reactive gas into the reaction vessel in a state where a DC high frequency of 500 KHz to 50 MHz or a microwave (for example, electromagnetic energy of a frequency of 2.45 GHz) is applied at 10 torr. .
【００１２】反応性気体、たとえばエチレン、プロパン
等の炭化水素ガスは、ア−ク放電を発生させてプラズマ
化し、かかる電磁エネルギーにより気化し、活性化し、
分解せしめ、前記基板上に非晶質または半非晶質半導体
層が得られる。さらに、非晶質または半非晶質半導体層
は、元々ある程度の導電性を有するが、さらに導電性
（抵抗性）とするために、III 価またはＶ価の不純物が
添加されて、炭素を主成分とする導電性（抵抗性）被
膜、または珪素を主成分とする導電性（抵抗性）被膜と
なる。かかるプラズマ気相法により形成された炭素被膜
は、そのエネルギーバンド幅が2.3eV 以上代表的には３
eVを有する。また、炭素被膜の熱伝導率は、2.5 以上代
表的には5.0(W/cm deg) とダイヤモンドの6.60(W/ cm d
eg) に近いきわめてすぐれた高い値を有する。さらに、
上記炭素被膜または珪素被膜は、ビッカ−ス硬度4500kg
/mm2以上、特に、6500kg/mm2というダイヤモンド類似の
硬さを有するきわめて優れた特性を見出した。A reactive gas, for example, a hydrocarbon gas such as ethylene or propane, generates an arc discharge and turns into plasma, and is vaporized and activated by the electromagnetic energy.
After being decomposed, an amorphous or semi-amorphous semiconductor layer is obtained on the substrate. Further, although the amorphous or semi-amorphous semiconductor layer originally has a certain degree of conductivity, in order to make the layer more conductive (resistive), a valence III or V impurity is added, and carbon is mainly used. It becomes a conductive (resistive) film containing a component or a conductive (resistive) film containing silicon as a main component. The carbon film formed by such a plasma vapor method has an energy band width of 2.3 eV or more, typically 3 eV.
Has eV. The thermal conductivity of the carbon coating is typically 2.5 or more, typically 5.0 (W / cm deg), and 6.60 (W / cm d
eg) with a very good high value. further,
The carbon coating or silicon coating has a Vickers hardness of 4500 kg
/ mm 2 or more, in particular, 6500 kg / mm 2 , very excellent properties having a hardness similar to that of diamond.
【００１３】本出願人は、この特性に着目して、この炭
素被膜または珪素被膜をサ−マルヘッドに適用して、優
れた耐摩耗性、耐熱性で感熱高速応答性を有する発熱体
層を得ることができた。さらに、本実施例の炭素被膜ま
たは珪素被膜は、かかる非晶質または半非晶質の450℃
以下で作られた炭素被膜中に、III 価またはＶ価の不純
物であるホウ素またはリンが0.1 モル％ないし３モル％
の濃度に添加されると、10-2（Ωcm) -1ないし10-6（Ω
cm) -1の電気伝導度を有した。したがって、上記機械的
および電気的特性を有する炭素被膜または珪素被膜をサ
−マルヘッドの発熱体層とした場合、当該発熱体層は、
耐摩耗性および耐熱性を有する保護が不要になる。The applicant of the present invention pays attention to this characteristic, and obtains a heating element layer having excellent abrasion resistance, heat resistance and heat-sensitive high-speed response by applying this carbon coating or silicon coating to a thermal head. I was able to. Further, the carbon film or the silicon film of the present embodiment has such an amorphous or semi-amorphous 450 ° C.
0.1 to 3 mol% of boron or phosphorus, which is a valence III or V impurity, in the carbon coating prepared below
Of 10 -2 (Ωcm) -1 to 10 -6 (Ω
cm) −1 . Therefore, when the carbon film or the silicon film having the above mechanical and electrical characteristics is used as the heating element layer of the thermal head, the heating element layer is
Eliminates the need for wear and heat resistant protection.
【００１４】本実施例における反応性気体は、炭化水
素、たとえばアセチレン（C2H2）、メタン系炭化水素
（CnH2n+2)等の気体または珪素を一部に含んだ場合、テ
トラメチルシラン（(CH3)4Si）、テトラエチルシラン
（(C2H5)4Si ）等を用いてもよい。前者にあっては、炭
素に水素が30モル％以下、特に、半非晶質とすると、0.
01モル％ないし 5モル％と低く存在しつつも炭素どうし
の共有結合が強くダイヤモンドと類似の物性を有してい
た。また、後者にあっては、水素が0.01モル％ないし20
モル％を含み、さらに珪素を炭素の１／３ないし１／４
含むいわゆる炭素過剰の炭化珪素であり、主成分を炭素
としている前記と類似材料（光学的エネルギーバンド幅
Eg＞2.3eV 代表的には3.0eV)であった。The reactive gas in the present embodiment is a gas such as a hydrocarbon such as acetylene (C 2 H 2 ) or a methane-based hydrocarbon (C n H 2n + 2 ), Methylsilane ((CH 3 ) 4 Si), tetraethylsilane ((C 2 H 5 ) 4 Si) or the like may be used. In the former case, if the carbon contains 30 mol% or less of hydrogen, especially if it is semi-amorphous,
The covalent bond between the carbons was strong even though it was as low as 01 mol% to 5 mol%, and had physical properties similar to diamond. In the latter, hydrogen is contained in an amount of 0.01 mol% to 20 mol%.
Mole percent, and silicon is 1/3 to 1/4 of carbon
A material similar to the above (optical energy bandwidth
Eg> 2.3 eV (typically 3.0 eV).
【００１５】（実施例１）この実施例は、珪素を主成分
とするサ−マルヘッドの発熱体層をプラズマ気相法を用
いて形成させたものである。サーマルヘッドの発熱体層
は、形成される被膜がより導電性（抵抗性）または半導
体性とするため、形成される被膜にIII 価またはＶ価の
不純物、たとえばホウ素またはリンが添加された。そし
て、発熱体層は、不純物を添加するための不純物気体／
珪化物気体が0.01％以下に添加されて非晶質または半非
晶質の珪素被膜となった。すなわち、発熱体層となる珪
素被膜は、出発物質としてシラン（SinH2n+2n≧１) 四
フッ化珪素を用い、100℃ないし450℃、たとえば200℃
ないし350℃にて形成された。上記珪素被膜を形成する
際の高周波エネルギーは、13.56MHzで10Ｗないし50Ｗの
場合、非晶質が、または50Ｗないし200 Ｗの場合、半非
晶質が形成された。(Embodiment 1) In this embodiment, a heating element layer of a thermal head containing silicon as a main component is formed by a plasma vapor phase method. In the heating element layer of the thermal head, a trivalent or V-valent impurity, for example, boron or phosphorus was added to the formed film in order to make the formed film more conductive (resistive) or semiconductive. The heating element layer contains an impurity gas for adding impurities.
Silicide gas was added to 0.01% or less to form an amorphous or semi-amorphous silicon film. That is, the silicon film serving as the heating element layer uses silane (Si n H 2n + 2 n ≧ 1) silicon tetrafluoride as a starting material, and is formed at 100 ° C. to 450 ° C., for example, 200 ° C.
Formed at ~ 350 ° C. When the high frequency energy for forming the silicon film was 13.56 MHz and was 10 W to 50 W, amorphous was formed, and when it was 50 W to 200 W, semi-amorphous was formed.
【００１６】III 価の不純物は、たとえばホウ素をB2H6
用いて、またＶ価の不純物は、たとえばリンをPH3 を用
いて、前記した比の如く微少なド−プまたはノンド−プ
をして用いた。形成された珪素被膜中には、水素が20モ
ル％以下に含有していたが、発熱させることにより、外
部に放出されてしまった。本実施例のように珪素を主成
分とする発熱体層よりなるサーマルヘッドは、高い耐熱
性を有することが特徴である。さらに、本実施例は、プ
ラズマ気相法を用いるため、基板温度が100℃ないし450
℃代表的には250℃ないし400℃、特に300 ℃という従来
の被膜形成方法で考えるならば低い温度で可能である。The trivalent impurity is, for example, boron as B 2 H 6
Used, also V-valent impurities such as phosphorus using PH 3, wherein the ratio slight de as - was used after the flop - flop or throat. Hydrogen was contained in the formed silicon film in an amount of 20 mol% or less, but was released to the outside due to heat generation. A thermal head including a heating element layer containing silicon as a main component as in the present embodiment is characterized by having high heat resistance. Further, in this embodiment, since the plasma vapor phase method is used, the substrate temperature is 100 ° C. to 450 ° C.
C. Typically, 250 ° C. to 400 ° C., especially 300 ° C., is possible at a low temperature if considered by a conventional film forming method.
【００１７】特に、基板温度が 500℃以下であること
は、基板材料としてガラスを用いる時、その熱膨張の歪
を少なくし、従来の高温処理による基板の反り等の大き
な欠点を防ぐことができた。そのため、これまでのサ−
マルプリンタの発熱部が１mmあたり６本しか作れなかっ
たが、これを24本にまで高めることができるようになっ
た。そのため、基板材料の選定に大きな自由度を得、低
価格化にきわめてすぐれた特徴を有する。本実施例は、
プラズマ気相法を用いた場合について述べたが、発熱体
層が耐熱性を得られる限り、イオンプレ−ティング、そ
の他のプラズマ、電磁エネルギー、またはレ−ザ等の光
エネルギーを用いてもよい。In particular, the fact that the substrate temperature is 500 ° C. or less means that when glass is used as the substrate material, the distortion of the thermal expansion can be reduced, and large defects such as substrate warpage due to conventional high-temperature processing can be prevented. Was. Therefore, the conventional service
The number of heat-generating parts of a multi-printer was only six per mm, but this can be increased to 24. Therefore, it has a great degree of freedom in selecting a substrate material, and has an extremely excellent feature of cost reduction. In this embodiment,
Although the case where the plasma gas phase method is used has been described, as long as the heating element layer can obtain heat resistance, ion plating, other plasma, electromagnetic energy, or light energy such as laser may be used.
【００１８】（実施例２）この実施例は、実施例１と同様の硬度を有するサーマル
ヘッドを実施例１と同様のプラズマ気相法を用いて発熱
体層を形成させた場合である。 すなわち、上記製造方法
は、実施例１と同様の条件のプラズマ気相法とした。 本
実施例は、炭素を主成分とするサーマルヘッドの発熱体
層をプラズマ気相法を用いて形成させたものである。炭
素被膜は、より導電性（抵抗性）または半導体性である
ため、ＩＩＩ価またはＶ価の不純物、たとえばホウ素ま
たはリンが添加された。そして、発熱体層は、不純物を
添加するための不純物気体／炭化物気体が０．０１％な
いし３％添加され、抵抗性または半導体性の炭素を主成
分として形成される。すなわち、炭素被膜は、出発物質
としてアセチレンを用い、ここにＢ２Ｈ６／Ｃ２Ｈ２＝
０．０１％ないし３％、ＰＨ３／Ｃ２Ｈ２＝０．０１％
ないし３％として形成された。その結果、形成された炭
素被膜は、電気伝導度が１０−８（Ωｃｍ）−１ないし
１０−４（Ωｃｍ）−１であった。(Embodiment 2) This embodiment has a thermal hardness similar to that of the embodiment 1.
The head is heated using the same plasma gas phase method as in Example 1.
This is a case where a body layer is formed. That is, the above manufacturing method
Was a plasma gas phase method under the same conditions as in Example 1. In this embodiment, a heating element layer of a thermal head containing carbon as a main component is formed by using a plasma vapor phase method. Since the carbon coating is more conductive (resistive) or semiconductive, III- or V-valent impurities such as boron or phosphorus were added. The heating element layer is formed by adding 0.01% to 3% of impurity gas / carbide gas for adding impurities, and is formed mainly of resistive or semiconductive carbon. That is, acetylene is used as a starting material for the carbon coating, and B 2 H 6 / C 2 H 2 =
0.01% to 3%, PH 3 / C 2 H 2 = 0.01%
-3%. As a result, the formed carbon film had an electric conductivity of 10 −8 (Ωcm) −1 to 10 −4 (Ωcm) −1 .
【００１９】このように炭素を主成分とする被膜をサー
マルヘッドの発熱体層として用いた場合、発熱体層自身
がダイヤモンドに匹敵する硬度を持っているので耐摩耗
性を高めるための保護膜が不要になる。よって、上記炭
素被膜を用いたサーマルヘッドは、耐磨耗性の保護膜が
不要であるため、感熱の応答速度を飛躍的に高めること
ができた。本実施例は、プラズマ気相法により発熱体層
が形成されるので、従来の気相法で形成された温度より
も 300℃ないし500℃も低い500℃以下の温度になる。し
たがって、基板材料は、その選定に大きな自由度が得ら
れ、サーマルヘッドを低価格化にすることができる。本
実施例は、プラズマ気相法について主として述べたが、
耐摩耗性が得られる限りにおいて、イオンプレ−ティン
グ、その他のプラズマ、電磁エネルギー、またはレ−ザ
等の光エネルギーを用いてもよい。When a coating containing carbon as a main component is used as a heating element layer of a thermal head as described above, the heating element layer itself has a hardness comparable to that of diamond, so that a protective film for improving wear resistance is required. It becomes unnecessary. Therefore, the thermal head using the carbon coating does not require an abrasion-resistant protective film, so that the heat-sensitive response speed can be dramatically increased. In this embodiment, since the heating element layer is formed by the plasma gas phase method, the temperature is 500 ° C. or lower, which is 300 ° C. to 500 ° C. lower than the temperature formed by the conventional gas phase method. Therefore, a great degree of freedom can be obtained for the selection of the substrate material, and the cost of the thermal head can be reduced. Although the present embodiment mainly describes the plasma gas phase method,
As long as wear resistance is obtained, ion plating, other plasma, electromagnetic energy, or light energy such as laser may be used.
【００２０】[0020]
【発明の効果】本発明によれば、サーマルヘッドに不純
物が添加されると共に、共有結合をした炭素または珪素
を主成分とする非晶質または半非晶質からなる発熱体層
に高い耐磨耗性および高い耐熱性を持たせたため、発熱
体層を保護する被膜が不要となり、上記発熱体層から感
熱記録用紙へ適当な熱を伝達できる。本発明によれば、
基板上にグレイズされたガラス層が形成されているた
め、ガラス層と不純物が添加されると共に、共有結合を
した炭素または珪素を主成分とする非晶質または半非晶
質からなる発熱体層とが馴染み易く、温度変化に対して
上記発熱体層を保護する。したがって、グレイズされた
ガラス層は、サーマルヘッドの経年変化に対する特性の
劣化を防止する。According to the present invention, the thermal head has an impurity.
Or covalently bonded carbon or silicon
The order which gave amorphous or semi-amorphous consists heat layer to high abrasion resistance and high heat resistance composed mainly, coating for protecting the heat generating layer is not required, the heat-sensitive from the heat layer Appropriate heat can be transmitted to the recording paper. According to the present invention,
Since the glazed glass layer is formed on the substrate, impurities are added to the glass layer and covalent bonds are formed.
Or semi-amorphous containing carbon or silicon as main component
The heating element layer made of quality is easy to adapt to, and
The heating element layer is protected. Thus, the glazed glass layer prevents the thermal head from deteriorating its characteristics over time.
【図１】（Ａ）は従来用いられていたサ−マルヘッドの
縦断面図を示す。（Ｂ）は（Ａ）に示すＢ−Ｂ’の断面
図を示す。（Ｃ）は（Ａ）に示すＣ−Ｃ’の断面図を示
す。FIG. 1A is a longitudinal sectional view of a conventional thermal head. (B) shows a cross-sectional view of BB ′ shown in (A). (C) shows a cross-sectional view of CC ′ shown in (A).
１・・・基板 ２・・・ガラス層 ３・・・発熱体層 ４、４’・・・電極 ５・・・耐磨耗層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Glass layer 3 ... Heating element layer 4, 4 '... Electrode 5 ... Abrasion resistant layer
Claims (4)
有結合をした炭素を主成分とする非晶質または半非晶質
からなる発熱体層と、 当該発熱体層に電流を供給する電極と、 から構成されることを特徴とするサーマルヘッド。1. A substrate and an amorphous or semi-amorphous material formed on the substrate, to which impurities are added and whose main component is covalently bonded carbon.
A thermal head, comprising: a heating element layer comprising: and an electrode for supplying a current to the heating element layer.
有結合をした珪素を主成分とする非晶質または半非晶質
からなる発熱体層と、 当該発熱体層に電流を供給する電極と、 から構成されることを特徴とするサーマルヘッド。2. A substrate and an amorphous or semi-amorphous material which is formed on the substrate, to which impurities are added and which has covalently bonded silicon as a main component.
A thermal head, comprising: a heating element layer comprising: and an electrode for supplying a current to the heating element layer.
に、共有結合をした炭素を主成分とする非晶質または半
非晶質からなる発熱体層と、 当該発熱体層に電流を供給する電極と、 から構成されることを特徴とするサーマルヘッド。3. A substrate, a glass layer glazed on the substrate, and a glass layer formed on the glass layer and doped with impurities.
The amorphous or semi-containing carbon as a main component in which the covalent bond
A thermal head comprising: an amorphous heating element layer; and an electrode for supplying a current to the heating element layer.
に、共有結合をした珪素を主成分とする非晶質または半
非晶質からなる発熱体層と、 当該発熱体層に電流を供給する電極と、 から構成されることを特徴とするサーマルヘッド。4. A substrate, a glass layer glazed on the substrate, and a glass layer formed on the glass layer and doped with impurities.
In addition, amorphous or semi-crystalline mainly containing covalently bonded silicon
A thermal head comprising: an amorphous heating element layer; and an electrode for supplying a current to the heating element layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5306016A JP2639622B2 (en) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | Thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5306016A JP2639622B2 (en) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | Thermal head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07132631A JPH07132631A (en) | 1995-05-23 |
| JP2639622B2 true JP2639622B2 (en) | 1997-08-13 |
Family
ID=17952072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5306016A Expired - Lifetime JP2639622B2 (en) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | Thermal head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2639622B2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03205161A (en) * | 1990-07-27 | 1991-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Thermal head |
-
1993
- 1993-11-12 JP JP5306016A patent/JP2639622B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07132631A (en) | 1995-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101329414B1 (en) | Etch resistant wafer processing apparatus and method for producing the same | |
| EP0964433B1 (en) | Multiple-layered ceramic heater | |
| JPS6153955B2 (en) | ||
| JP2008520087A (en) | Encapsulated wafer process equipment and manufacturing method | |
| US5705272A (en) | Heating member and heat fixing apparatus using the same | |
| JP2001247965A (en) | Protective film, treating equipment for semiconductor wafer and method for depositing thin film diamond film | |
| JP2639622B2 (en) | Thermal head | |
| JP2879088B2 (en) | Thermal head | |
| JPH05224B2 (en) | ||
| JP2673766B2 (en) | Method for manufacturing carbon-based material | |
| JP3072893B2 (en) | Carbon coating | |
| JP3197545B2 (en) | Carbon coating | |
| JP3005604B2 (en) | Preparation method of carbon coating | |
| JP3197889B2 (en) | Method for producing carbon film | |
| US4963893A (en) | Heat-resistant insulating substrate, thermal printing head, and thermographic apparatus | |
| JP2000144425A (en) | Head | |
| JP2807790B2 (en) | Photoconductor production method | |
| JPH0579236B2 (en) | ||
| JPH02238957A (en) | Thermal head | |
| JPH0372711B2 (en) | ||
| JPH07226431A (en) | Electrostatic chuck | |
| JPH06340976A (en) | Production of carbon | |
| JPS6378761A (en) | Preparation of thermal head | |
| JPS6379972A (en) | Carbon film | |
| JP2808769B2 (en) | Thermal head and method of manufacturing the same |