JP2630083B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JP2630083B2
JP2630083B2 JP2324891A JP2324891A JP2630083B2 JP 2630083 B2 JP2630083 B2 JP 2630083B2 JP 2324891 A JP2324891 A JP 2324891A JP 2324891 A JP2324891 A JP 2324891A JP 2630083 B2 JP2630083 B2 JP 2630083B2
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hard
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はパワーモジュール等の電
力用半導体装置に関し、特に半導体素子を樹脂封止する
外囲ケースの構造に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power semiconductor device such as a power module, and more particularly to a structure of an outer case for sealing a semiconductor element with a resin.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のパワーモジュールとしては、半導
体素子を内蔵した外囲ケース内にシリコンゲル等の柔軟
な樹脂と、エポキシ樹脂等の硬質な樹脂とを上下に層状
に充填し、これらの樹脂によって半導体素子を封止した
ものがある。これを図2によって説明する。図2は従来
の半導体装置の断面図である。同図において1は従来の
半導体装置としてのダイオードモジュールで、このダイ
オードモジュール1は、ダイオードチップを2個直列に
接続して構成されている。2はこのダイオードモジュー
ル1の外囲ケースで、この外囲ケース2は、枠部2aと
底板部2bとからなり、底部にはダイオードチップ搭載
用の銅ベース板3が固着され、上部には蓋体4が固着さ
れている。前記銅ベース板3上にはセラミックからなる
絶縁基板5,アノード端子6,アノードモリブデン板7
等を介してダイオードチップ8が搭載されている。さら
にこのダイオードチップ8上にはカソードモリブデン板
9を介してカソード銅電極10が接続されている。この
ダイオードモジュール1ではダイオードチップ8が図中
左右に2個搭載され、左側のダイオードチップ8に接続
されたアノード端子6は一端が蓋体4を貫通して上側に
突出され、他端が右側のダイオードチップ用カソード銅
電極10に接続されている。また、左側のダイオードチ
ップ用カソード銅電極10にはカソード端子10aが接
続され、このカソード端子10aが蓋体4を貫通して上
側に突出されている。さらに、右側のダイオードチップ
用アノード端子6も蓋体4を貫通して上側に突出されて
いる。11はシリコーンゲルからなる柔軟な樹脂、12
はエポキシ樹脂からなる硬質な樹脂で、これらの樹脂に
よって前記ダイオードチップ8が封止されている。前記
柔軟な樹脂11は、外囲ケース2内にダイオードチップ
8が埋没する量をもって充填され、前記硬質な樹脂12
は外囲ケース2内であって前記柔軟な樹脂11上に充填
されている。すなわち、柔軟な樹脂11と硬質な樹脂1
2とは上下に層状に充填されることになる。
2. Description of the Related Art In a conventional power module, a flexible resin such as silicon gel and a hard resin such as an epoxy resin are filled into an outer case in which a semiconductor element is built in layers in a vertical direction. Some semiconductor devices are encapsulated by the method. This will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a sectional view of a conventional semiconductor device. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a diode module as a conventional semiconductor device. This diode module 1 is configured by connecting two diode chips in series. Reference numeral 2 denotes an outer case of the diode module 1. The outer case 2 includes a frame portion 2a and a bottom plate portion 2b. A copper base plate 3 for mounting a diode chip is fixed to a bottom portion, and a lid is provided on an upper portion. The body 4 is fixed. On the copper base plate 3, an insulating substrate 5 made of ceramic, an anode terminal 6, an anode molybdenum plate 7
The diode chip 8 is mounted via the like. Further, a cathode copper electrode 10 is connected to the diode chip 8 via a cathode molybdenum plate 9. In this diode module 1, two diode chips 8 are mounted on the left and right sides in the figure. An anode terminal 6 connected to the left diode chip 8 has one end protruding upward through the lid 4 and the other end connected to the right side. It is connected to the cathode copper electrode 10 for the diode chip. Further, a cathode terminal 10a is connected to the cathode copper electrode 10 for the diode chip on the left side, and the cathode terminal 10a penetrates through the lid 4 and protrudes upward. Further, the anode terminal 6 for the right diode chip also protrudes upward through the cover 4. 11 is a flexible resin made of silicone gel, 12
Is a hard resin made of epoxy resin, and the diode chip 8 is sealed with these resins. The flexible resin 11 is filled in the surrounding case 2 in such an amount that the diode chip 8 is buried therein.
Is filled on the flexible resin 11 in the outer case 2. That is, the flexible resin 11 and the hard resin 1
2 means that the upper and lower layers are filled in layers.

【0003】このように構成された従来のダイオードモ
ジュール1を組立てるには、先ず、ダイオードチップ
8,各端子等が搭載された銅ベース板3を外囲ケース2
の底部に固着させる。次に、外囲ケース2内に柔軟な樹
脂11を所定量だけ充填する。そして、この柔軟な樹脂
11が硬化した後、外囲ケース2内に硬質な樹脂12を
充填する。この際には、外囲ケース外に突出する端子は
硬質な樹脂12を上下に貫通するようになる。硬質な樹
脂12が硬化した後、外囲ケース2上に蓋体4を固着さ
せて各端子の突出端部を折曲げて組立作業が終了する。
硬質な樹脂12が硬化した際には、各端子はこの硬質な
樹脂12に接着されることになる。
In order to assemble the conventional diode module 1 constructed as described above, first, a copper base plate 3 on which a diode chip 8, terminals and the like are mounted is surrounded by an outer case 2.
To the bottom. Next, the outer case 2 is filled with the flexible resin 11 by a predetermined amount. Then, after the soft resin 11 is cured, the outer case 2 is filled with the hard resin 12. In this case, the terminals protruding outside the outer case penetrate the hard resin 12 up and down. After the hard resin 12 is hardened, the lid 4 is fixed on the outer case 2 and the protruding end of each terminal is bent to complete the assembling operation.
When the hard resin 12 is cured, each terminal is bonded to the hard resin 12.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、このように
構成された従来のダイオードモジュール1では、寿命が
短くなってしまうという問題があった。これは、熱膨張
係数が硬質な樹脂12の約50倍の柔軟な樹脂11が硬
質な樹脂12と外囲ケース2とによって密閉されている
からであった。すなわち、このダイオードモジュール1
が通電されてケース全体の温度が上昇すると、柔軟な樹
脂11が熱膨張して内圧が増大する関係から、硬質な樹
脂12にこれを押し上げようとする力が作用する。そし
て、硬質な樹脂12と一体的なカソード銅電極10やカ
ソード端子10aがダイオードチップ8から離間する方
向へ引っ張られ、ダイオードチップ接合用の半田が早期
に疲労してしまうからである。このような不具合を解消
するためには、図3に示すように柔軟な樹脂11を密閉
しないように構成すればよい。図3は柔軟な樹脂を大気
に連通させた従来の半導体装置を示す断面図で、同図は
特開平2−222565号公報に開示された半導体装置
である。図3において前記図2で説明したものと同一も
しくは同等部材については、同一符号を付し詳細な説明
は省略する。図3に示す半導体装置においては、外囲ケ
ース2に、端子配置部と外囲ケース2の側壁との間に位
置する仕切り板13,13が一体に設けられている。そ
して、この仕切り板13と外囲ケース2の間に圧力逃が
し用凹陥部14が設けられている。この凹陥部14は一
つの外囲ケース2に複数設けられ、各凹陥部14内は外
囲ケース2の上壁を貫通するように穿設された空気抜き
穴15を介して装置外に連通されている。また、前記仕
切り板13どうしの間に硬質な樹脂12が充填されてい
る。すなわち、このように構成された半導体装置では、
柔軟な樹脂11が密閉されなくなって熱膨張に起因して
内圧が増大するようなことがなくなる。ところが、この
半導体装置では圧力逃がし部(凹陥部14)毎に空気抜
き穴15を設ける必要があるため、それだけ外部の影響
を受けやすく、湿度に比較的敏感なプレーナチップは採
用できないという問題があった。
However, the conventional diode module 1 configured as described above has a problem that its life is shortened. This is because the flexible resin 11 whose thermal expansion coefficient is about 50 times that of the hard resin 12 is sealed by the hard resin 12 and the outer case 2. That is, this diode module 1
When the temperature of the entire case rises due to energization, the soft resin 11 thermally expands and the internal pressure increases, so that a force is applied to the hard resin 12 to push it up. Then, the cathode copper electrode 10 and the cathode terminal 10a integral with the hard resin 12 are pulled in a direction away from the diode chip 8, and the solder for bonding the diode chip is quickly fatigued. In order to solve such a problem, the flexible resin 11 may be configured not to be sealed as shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor device in which a flexible resin is communicated with the atmosphere. FIG. 3 shows the semiconductor device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-222565. In FIG. 3, the same or equivalent members as those described in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted. In the semiconductor device shown in FIG. 3, partition plates 13, 13 located between the terminal arrangement portion and the side wall of the outer case 2 are integrally provided in the outer case 2. A pressure relief recess 14 is provided between the partition plate 13 and the outer case 2. The plurality of recesses 14 are provided in one outer case 2, and the inside of each recess 14 is communicated with the outside of the device through an air vent hole 15 formed so as to penetrate the upper wall of the outer case 2. I have. The hard resin 12 is filled between the partition plates 13. That is, in the semiconductor device configured as described above,
This prevents the flexible resin 11 from being hermetically sealed and increasing the internal pressure due to thermal expansion. However, in this semiconductor device, since it is necessary to provide the air vent hole 15 for each pressure relief portion (recess portion 14), there is a problem that a planar chip which is easily affected by the outside and is relatively sensitive to humidity cannot be employed. .

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、外囲ケースに樹脂充填部を覆う蓋体を設けると共
に、この外囲ケースの内側であって半導体素子搭載部を
囲む位置に、柔軟な樹脂内に下端部が埋没されかつ上端
部に連通部が配設された隔壁を設けこの隔壁の内方で前
記連通部より下方に硬質な樹脂を充填しこの硬質な樹脂
に対向するように前記蓋体に外囲ケース内外を連通する
空気抜き穴を穿設したものである。
A semiconductor device according to the present invention is provided with a cover for covering a resin filling portion in an outer case, and at a position inside the outer case surrounding the semiconductor element mounting portion. The lower end is buried in the flexible resin and the upper end is
A partition with a communicating part is provided in the section
Filling the hard resin below the communication section
The inside and outside of the outer case are communicated with the lid so as to face the
It has a vent hole .

【0006】[0006]

【作用】半導体素子搭載部の両側方に圧力逃がし部が設
けられることになり、これらの圧力逃がし部どうしは、
硬質な樹脂と蓋体との間の連通部を介して連通される。
このため、全ての圧力逃がし部が空気抜き穴を介して装
置外に連通される。
The pressure relief portions are provided on both sides of the semiconductor element mounting portion, and these pressure relief portions are
It is communicated via a communicating portion between the hard resin and the lid.
For this reason, all the pressure relief parts are communicated outside the device through the air vent holes.

【0007】[0007]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図1によって詳細
に説明する。図1は本発明に係る半導体装置を示す断面
図である。図1において前記図2および図3で説明した
ものと同一もしくは同等部材については、同一符号を付
し詳細な説明は省略する。図1において、21は外囲ケ
ース2の内側に圧力逃げ部を形成するための隔壁で、こ
の隔壁21は、枠状を呈する外囲ケース2の内側に本実
施例では2枚,互いに平行に設けられており、外囲ケー
ス2に一体に設けられている。また、この隔壁21の配
設位置は、半導体素子搭載部を囲むように端子等の側方
に位置づけられている。さらに、この隔壁21の高さ寸
法(幅寸法)は外囲ケース2の側壁の高さ寸法より短く
され、外囲ケース2に銅ベース板3および蓋体4を取付
けた際に隔壁21の上側および下側に隙間が形成される
ように構成されている。すなわち、この隔壁21を外囲
ケース2に設けることによって、外囲ケース2の左右両
側部には側壁が2重に設けられることになり、2重壁間
の空間が本実施例では圧力逃がし部22となる。23は
空気抜き穴で、この空気抜き穴23は蓋体4の上面およ
び下面に開口して蓋体4を貫通するように穿設され、蓋
体4の幅方向略中央部に1つだけ設けられている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device according to the present invention. In FIG. 1, the same or equivalent members as those described in FIGS. 2 and 3 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted. In FIG. 1, reference numeral 21 denotes a partition wall for forming a pressure relief portion inside the outer case 2, and two partition walls 21 in the present embodiment are formed in parallel with each other inside the frame-shaped outer case 2. And is provided integrally with the surrounding case 2. The partition 21 is disposed on the side of the terminal or the like so as to surround the semiconductor element mounting portion. Further, the height (width) of the partition 21 is shorter than the height of the side wall of the outer case 2, and when the copper base plate 3 and the cover 4 are attached to the outer case 2, And a gap is formed on the lower side. In other words, by providing the partition 21 in the outer case 2, the side walls are provided on both left and right sides of the outer case 2 so that the space between the double walls is a pressure relief portion in this embodiment. 22. Reference numeral 23 denotes an air vent hole. The air vent hole 23 is formed in the upper surface and the lower surface of the lid 4 and is formed so as to penetrate the lid 4. I have.

【0008】次に、このように隔壁21が設けられた外
囲ケース2を使用して半導体装置を組立てる手順につい
て説明する。先ず、銅ベース板3上に絶縁基板5を半田
で固着させ、その上にアノード端子6,アノードモリブ
デン板7を順次固着させる。さらに、アノードモリブデ
ン板7上にダイオードチップ8,カソードモリブデン板
9,カソード銅電極10等を順次半田付けし、左側のダ
イオードチップ8に接続されたカソード銅電極10にカ
ソード端子10aを接続する。また、左側のダイオード
チップ8に接続されたアノード端子6の一端を、右側の
ダイオードチップ8に接続されたカソード銅電極10に
接続する。次に、このようにダイオードチップ8等が搭
載された銅ベース板3を外囲ケース2の底部に固着さ
せ、ダイオードチップ搭載部を外囲ケース2内に収容さ
せる。そして、この外囲ケース2内にシリコーンゲルか
らなる柔軟な樹脂11を所定量(ダイオードチップ8が
埋没する程度)充填してキュアさせる。この際には柔軟
な樹脂11は隔壁21の下側の隙間を通って2重壁内に
も流れ込む。さらに、隔壁21によって囲まれた部分に
エポキシ樹脂からなる硬質な樹脂12を充填し、硬化さ
せる。このようにすると、圧力逃がし部22内では柔軟
な樹脂11が露出する。しかる後、外囲ケース2に蓋体
4を固着させ、各端子の端部を折曲げて組立作業が終了
する。なお、蓋体4を取付けた状態では、蓋体4と硬質
な樹脂12との間には隙間が設けられることになり、こ
の隙間を介して左右の圧力逃がし部22どうしが連通さ
れることになる。そして、前記隙間は空気抜き穴23を
介して装置外に連通される。
Next, a procedure for assembling a semiconductor device using the surrounding case 2 provided with the partition walls 21 will be described. First, the insulating substrate 5 is fixed on the copper base plate 3 with solder, and the anode terminal 6 and the anode molybdenum plate 7 are fixed thereon in that order. Further, a diode chip 8, a cathode molybdenum plate 9, a cathode copper electrode 10 and the like are sequentially soldered on the anode molybdenum plate 7, and a cathode terminal 10a is connected to the cathode copper electrode 10 connected to the left diode chip 8. Also, one end of the anode terminal 6 connected to the left diode chip 8 is connected to the cathode copper electrode 10 connected to the right diode chip 8. Next, the copper base plate 3 on which the diode chip 8 and the like are mounted is fixed to the bottom of the outer case 2, and the diode chip mounting portion is housed in the outer case 2. Then, a predetermined amount of soft resin 11 made of silicone gel is filled in the outer case 2 (to the extent that the diode chip 8 is buried) and cured. At this time, the flexible resin 11 flows into the double wall through the gap below the partition 21. Further, the portion surrounded by the partition 21 is filled with a hard resin 12 made of epoxy resin and cured. By doing so, the flexible resin 11 is exposed in the pressure relief portion 22. After that, the cover 4 is fixed to the outer case 2 and the end of each terminal is bent to complete the assembling operation. When the lid 4 is attached, a gap is provided between the lid 4 and the hard resin 12, and the left and right pressure relief portions 22 communicate with each other through the gap. Become. The gap communicates with the outside of the device through the air vent hole 23.

【0009】このように組立てられたダイオードモジュ
ールでは、温度が上昇して柔軟な樹脂11が熱膨張する
と、膨張による圧力は圧力逃がし部22に柔軟な樹脂1
1が流れることで逃がすことができる。このため、硬質
な樹脂12にはこれを押し上げようとする力は作用しな
いので、早期に半田が疲労するようなことはない。ま
た、ダイオードチップ搭載部の両側の圧力逃がし部22
どうしは、硬質な樹脂12と蓋体4との間の空間を介し
て連通される。したがって、全ての圧力逃がし部22が
空気抜き穴23を介して装置外に連通され、空気抜き穴
23を一つだけとすることができるから、湿気が装置外
から侵入し難くなる。本発明に係る半導体装置を用いて
耐久試験を実施したところ、断続通電寿命が従来の半導
体装置に較べて5倍以上となることが判明した。
In the thus assembled diode module, when the temperature rises and the flexible resin 11 thermally expands, the pressure due to the expansion is applied to the pressure relief portion 22 by the flexible resin 1.
1 can escape by flowing. For this reason, since the force for pushing up the hard resin 12 does not act on the hard resin 12, the solder does not become fatigued at an early stage. Further, the pressure relief portions 22 on both sides of the diode chip mounting portion are provided.
The two are communicated via a space between the hard resin 12 and the lid 4. Therefore, all the pressure relief portions 22 are communicated to the outside of the device through the air vent holes 23, and only one air vent hole 23 can be provided, so that moisture hardly enters from outside the device. When a durability test was performed using the semiconductor device according to the present invention, it was found that the intermittent current-carrying life was five times or more that of the conventional semiconductor device.

【0010】なお、本実施例ではダイオードモジュール
について説明したが、本発明は、樹脂で封止する構造の
パワーデバイスの全てに適用することができるというこ
とはいうまでもない。
In this embodiment, the diode module has been described. However, it goes without saying that the present invention can be applied to all power devices having a structure sealed with resin.

【0011】[0011]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
装置は、外囲ケースに樹脂充填部を覆う蓋体を設けると
共に、この外囲ケースの内側であって半導体素子搭載部
を囲む位置に、柔軟な樹脂内に下端部が埋没されかつ
端部に連通部が配設された隔壁を設けこの隔壁の内方で
前記連通部より下方に硬質な樹脂を充填しこの硬質な樹
脂に対向するように前記蓋体に外囲ケース内外を連通す
る空気抜き穴を穿設したため、半導体素子搭載部の両側
方に圧力逃がし部が設けられることになり、これらの圧
力逃がし部どうしは、硬質な樹脂と蓋体との間の連通部
を介して連通される。このため、全ての圧力逃がし部が
空気抜き穴を介して装置外に連通され、空気抜き穴を一
つだけとすることができる。したがって、湿気が装置外
から侵入し難くなって外部の影響を受け難くなるから、
パワーサイクル寿命が長くしかも信頼性が高い半導体装
置を得ることができる。
As described above, in the semiconductor device according to the present invention, the outer case is provided with the lid for covering the resin filling portion, and is provided inside the outer case at a position surrounding the semiconductor element mounting portion. , the upper and lower ends are embedded in the flexible resin
A partition provided with a communication portion at the end is provided inside the partition.
A hard resin is filled below the communication portion, and the hard resin is filled.
Communicate the inside and outside of the outer case with the lid so as to face the fat
Since the air vent holes are formed , pressure relief portions are provided on both sides of the semiconductor element mounting portion, and these pressure relief portions are communicating portions between the hard resin and the lid. > Is communicated through. For this reason, all the pressure relief portions are communicated with the outside of the device through the air vent holes, and only one air vent hole can be provided. Therefore, it is difficult for moisture to enter from outside the device and to be less affected by the outside,
A semiconductor device having a long power cycle life and high reliability can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る半導体装置を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device according to the present invention.

【図2】従来の半導体装置の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor device.

【図3】柔軟な樹脂を大気に連通させた従来の半導体装
置を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor device in which a flexible resin is communicated with the atmosphere.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 外囲ケース 4 蓋体 6 アノード端子 8 ダイオードチップ 10a カソード端子 11 柔軟な樹脂 12 硬質な樹脂 21 隔壁 23 空気抜き穴 2 Surrounding case 4 Lid 6 Anode terminal 8 Diode chip 10a Cathode terminal 11 Flexible resin 12 Hard resin 21 Partition wall 23 Vent hole

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 外囲ケース内に半導体素子封止用の柔軟
な樹脂と硬質な樹脂とが柔軟な樹脂を下側にして上下に
層状に充填され、半導体素子に接続された外部接続用端
子が前記硬質な樹脂を貫通して外囲ケース外へ突出され
た半導体装置において、前記外囲ケースに樹脂充填部を
覆う蓋体を設けると共に、この外囲ケースの内側であっ
て半導体素子搭載部を囲む位置に、柔軟な樹脂内に下端
部が埋没されかつ上端部に連通部が配設された隔壁を設
けこの隔壁の内方で前記連通部より下方に前記硬質な樹
脂を充填しこの硬質な樹脂に対向するように前記蓋体に
外囲ケース内外を連通する空気抜き穴を穿設したことを
特徴とする半導体装置。
1. An external connection terminal in which a flexible resin for sealing a semiconductor element and a hard resin are filled up and down in a layered manner with the flexible resin on a lower side in an outer case. In the semiconductor device, which penetrates the hard resin and protrudes out of the outer case, a cover for covering the resin filling portion is provided in the outer case, and a semiconductor element mounting portion inside the outer case is provided. A partition wall with a lower end buried in a flexible resin and a communication section at the upper end
The hard tree is located below the communication part inside the mound partition wall.
Grease and fill the lid so as to face this hard resin.
A semiconductor device having an air vent hole communicating with the inside and outside of an outer case .
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