JP2621928B2 - Gas detector - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は雰囲気中にガスが存在することを検知するガ
ス検出装置に関するものであって、更に詳細には、LPガ
スや都市ガスのガス洩れ警報として適用するのに適した
ガス検出装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas detection device for detecting the presence of gas in the atmosphere, and more particularly, to a gas detection alarm for LP gas and city gas. The present invention relates to a gas detection device suitable for performing the above.
特開昭61−191953号公報にみられるように従来のガス
検知装置においては、第１図（ガス検出装置の上面
図）、第２図（第１図Ｐ−Ｐ′断面図）、第３図（第１
図Ｑ−Ｑ′断面図）にみられるとおり、ガス感応物質層
２は上部に露出した形で配置されており、このガス検出
装置１は、一般のトランジスタ等の電子部品と同様にハ
ーメチックシールを用いて第４図に示すように実装され
ている。ガス検出装置１はベース11上にダイボンディン
グ材料15により装着され、ワイヤー４によりリードター
ミナル14と接続されている。As shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-191953, in the conventional gas detecting device, FIG. 1 (a top view of the gas detecting device), FIG. Figure (first
As shown in FIG. QQ ′ cross-sectional view), the gas-sensitive material layer 2 is disposed so as to be exposed at the top, and the gas detection device 1 has a hermetic seal like a general electronic component such as a transistor. And is implemented as shown in FIG. The gas detector 1 is mounted on a base 11 by a die bonding material 15 and connected to a lead terminal 14 by a wire 4.
ところが、いずれにしろガス感応物質層２が上部に露
出した形で配置されているため、ゴミ等が落下しガス感
応物質層２を汚染し、感度を低下させたりする。これを
防止するため、例えば一般のEP−ROM用キャップ12を利
用し、ガラス窓のかわりにステンレスメッシュ13を取付
けガスが通過できるようにする方法が考えられるが、そ
れでもメッシュ13を通過するゴミを避けることができな
い。However, in any case, since the gas-sensitive material layer 2 is arranged so as to be exposed at the upper part, dust or the like falls and contaminates the gas-sensitive material layer 2 and lowers the sensitivity. In order to prevent this, for example, a method of using a general EP-ROM cap 12 and attaching a stainless steel mesh 13 instead of a glass window to allow gas to pass therethrough is considered. I can't avoid it.
そこで、第５図に示すように、ベース11に開口部19を
設け、非開口型キャップ18で上部をシールすることによ
り、あるいは第６図に示すように第２ベース20にガス検
出装置を取りつけ天地逆向きにハーメチックシールに組
みこむことにより、ゴミの付着を防止することが考えら
れる。Therefore, as shown in FIG. 5, an opening 19 is provided in the base 11, and the upper part is sealed with a non-opening type cap 18, or the gas detector is attached to the second base 20 as shown in FIG. It is conceivable to prevent the attachment of dust by assembling the hermetic seal upside down.
しかしながら、これらの手段は、第４図にのような一
般のハーメチックシールが利用できないためコスト高と
なり、とくに第６図の場合には、追加的部品が必要な
上、工程も複雑になる。又これらの手段を採用すると、
内部容積の増大により、ガスの換気時間が長くなり、検
出開示がおくれるという欠点がある。However, these means are costly because a general hermetic seal as shown in FIG. 4 cannot be used, and especially in the case of FIG. 6, additional parts are required and the process becomes complicated. When these means are adopted,
The disadvantage of the increased internal volume is that the ventilation time of the gas is lengthened and the detection disclosure is delayed.
そこで、本発明の目的は、トランジスタ等の電子部品
と同様のハーメチックシールを用いて実装することが可
能であり、かつ、大気中のゴミが付着しにくいガス検出
装置を提供する点にある。Therefore, an object of the present invention is to provide a gas detection device that can be mounted using the same hermetic seal as an electronic component such as a transistor, and that is hardly attached to dust in the atmosphere.
本発明は、ガス感応物質層の表面を基板内部空間側に
開口させた点に特徴をもつものである。The present invention is characterized in that the surface of the gas-sensitive material layer is opened to the space inside the substrate.
すなわち、本発明は、基板、前記基板上に空中に張り
出して設けられ電気的絶縁性材料からなる張り出し部、
前記張り出し部上に設けられており検出領域において互
いに所定距離離隔して設けた少なくとも一対の検出用リ
ード、前記張り出し部上に略前記検出用リードと並置し
て設けられた少なくとも１個のピータリード、前記検出
領域において前記少なくとも一対の検知用リードの夫々
に接触して設けられたガス感応物質層、ガス感応物質層
の表面は、基板内部空間側に開口し外側は電気的絶縁性
材料で被覆された構造を有しており、前記ガス感応物質
層がガスと接触反応することによりその抵抗値変化とし
てガス検出を行なうことを特徴とするガス検出装置に関
する。That is, the present invention provides a substrate, a projecting portion made of an electrically insulating material and provided on the substrate so as to project in the air,
At least one pair of detection leads provided on the overhang and provided at a predetermined distance from each other in the detection region, at least one peta lead provided substantially side by side with the detection lead on the overhang, In the detection region, a gas-sensitive material layer provided in contact with each of the at least one pair of detection leads, a surface of the gas-sensitive material layer is opened to the substrate internal space side, and the outside is covered with an electrically insulating material. A gas detecting device having a gas-sensitive material layer and a gas-sensitive material layer that performs a gas-detecting operation as a change in the resistance value of the gas-sensitive material layer by reacting with the gas.
本発明を図面に基づいて説明する。第７図は、本発明
のガス検出装置の一例を示す上図面であり、第８図は、
第７図Ｒ−Ｒ′断面図、第９図は第７図Ｓ−Ｓ′断面図
である。The present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is an upper drawing showing an example of the gas detection device of the present invention, and FIG.
FIG. 7 is a sectional view taken along the line RR ′, and FIG. 9 is a sectional view taken along the line SS ′ in FIG.
基板36内の空洞35上に張り出した架橋構造として、絶
縁層38の一部にガス感応物質層32を形成し、これら32,3
8の上部にガス検出用リード33a,33b、ヒータリード33
c、被覆絶縁層37を設ける。A gas-sensitive material layer 32 is formed on a part of the insulating layer 38 as a cross-linking structure protruding above the cavity 35 in the substrate 36, and these 32,3
8 gas detection leads 33a, 33b, heater lead 33
c, providing a coating insulating layer 37;
このガス検出装置31はガス感応物質層32の表面が下方
に開口していて上部は被覆されているため、表面へのゴ
ミの付着が防止できる。In the gas detection device 31, the surface of the gas-sensitive material layer 32 is open downward and the upper portion is covered, so that dust can be prevented from adhering to the surface.
第10図にハーメチックシールに装着した断面図を示
す。このようにすることにより、第６図の例のように第
２ベース20に取付け逆向きに組込まれなければならない
ような複雑な手順を経ることなく、従来の製造順序を入
換える程度で第10図の様にメッシュ13を通過したゴミが
ガス感応物質層表面に付着しにくい構造が簡単にかつ安
価に実現できる。FIG. 10 shows a cross-sectional view attached to the hermetic seal. By doing so, the conventional manufacturing sequence can be replaced without changing the conventional manufacturing sequence without going through the complicated procedure of mounting and reversing the second base 20 as shown in the example of FIG. As shown in the figure, a structure in which dust passing through the mesh 13 is less likely to adhere to the surface of the gas-sensitive material layer can be realized easily and inexpensively.
つぎに、第７〜９図に示した本発明のガス検出装置の
製造方法について説明する。Next, a method of manufacturing the gas detection device of the present invention shown in FIGS. 7 to 9 will be described.
第８図は第11−８図、第９図は第12−８図に対応して
いる。まず第11−１図、12−１図ではシリコン、ガラ
ス、セラミックス、樹脂等よりなる基板41上にSnO2,Fe2
O3,ZnO等の金属酸化物半導体からなるガス感応物質層を
蒸着、スパッタ、CVD、イオンプレーティング等の手段
により厚さ0.1〜２μｍに成膜し、さらにフォトレジス
トを所定の形状に作製しプラズマエッチング法等により
パターニングして、ガス感応物質層42を形成する。FIG. 8 corresponds to FIG. 11-8, and FIG. 9 corresponds to FIG. 12-8. First, in FIGS. 11-1 and 12-1, SnO 2 and Fe 2 are deposited on a substrate 41 made of silicon, glass, ceramics, resin or the like.
A gas-sensitive material layer made of a metal oxide semiconductor such as O 3 or ZnO is formed to a thickness of 0.1 to 2 μm by means such as evaporation, sputtering, CVD, or ion plating, and a photoresist is formed into a predetermined shape. The gas responsive material layer 42 is formed by patterning by a plasma etching method or the like.
第11−２図、12−２図ではさらに上部層としてSiO,Al
2O3,Si3N4,Ta2O5等の電気絶縁層48を厚さ0.1〜２μｍに
成膜する。In FIGS. 11-2 and 12-2, SiO, Al
An electric insulating layer 48 of 2 O 3 , Si 3 N 4 , Ta 2 O 5 or the like is formed to a thickness of 0.1 to 2 μm.
第11−３図、12−３図では緩衝フッ酸エッチング液を
用い、SnO2よりなるガス感応物質層42の上部領域の上部
層SiO248を除去する。フオトレジストによりガス感応物
質層42領域外はエッチングしないよう残置しておく。In FIGS. 11-3 and 12-3, the upper layer SiO 2 48 in the upper region of the gas-sensitive material layer 42 made of SnO 2 is removed using a buffered hydrofluoric acid etchant. The photoresist is left outside the region of the gas-sensitive material layer 42 so as not to be etched.
第11−４図、12−４図ではさらに上部層としてAu,Pd,
Pt,Rh,Ir,Ni,Cr,Mo,W,Taなどによる単層又はそれらの複
合層もしくは合金層からなる導電材料層43を厚さ0.1〜
２μｍに成膜する。In FIGS. 11-4 and 12-4, Au, Pd,
Pt, Rh, Ir, Ni, Cr, Mo, W, Ta, etc. the conductive material layer 43 consisting of a single layer or a composite layer or alloy layer thereof with a thickness of 0.1 to
The film is formed to a thickness of 2 μm.
第11−５図、12−５図では導電材料層43をプラズマエ
ッチング法等によりボンディングパッド、ヒータリード
43c、ガス検出用リード43bの各パターンをフォトエッチ
ングする。ガス感応物質層42はヒータリード43c、ガス
検出用リード43bとは電気的に接続されることになる。In FIGS. 11-5 and 12-5, the conductive material layer 43 is bonded to the bonding pad and the heater lead by plasma etching or the like.
43c and each pattern of the gas detection lead 43b are photo-etched. The gas sensitive substance layer 42 is electrically connected to the heater lead 43c and the gas detection lead 43b.
第11−６図、12−６図ではさらに全領域に上部層とし
てSiO2,Al2O3,Si3N4,Ta2O5等の被覆絶縁層47を厚さ0.1
〜２μｍに成膜する。In FIGS. 11-6 and 12-6, a covering insulating layer 47 of SiO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , Ta 2 O 5 or the like is further provided as an upper layer over the entire area to a thickness of 0.1.
A film is formed to a thickness of 2 μm.
第11−７図、12−７図では緩衝フッ酸エッチング液を
用い、被覆絶縁層47にSi基板40のエッチング窓とボンデ
ィングパッド上部領域の開口を行う。In FIGS. 11-7 and 12-7, an etching window of the Si substrate 40 and an opening in the upper region of the bonding pad are formed in the covering insulating layer 47 using a buffered hydrofluoric acid etching solution.
第11−８図、12−８図ではSi基板41のエッチングNaO
H,KOH等のアルカリ水溶液を用いて行い、空洞（溝）部
を設け、架橋構造を形成する。In FIGS. 11-8 and 12-8, etching NaO of the Si substrate 41 is performed.
The process is performed using an aqueous alkali solution such as H or KOH to form a cavity (groove) and form a crosslinked structure.
ここでガス感応物質層42の表面は基板の表面（上部）
に露出することなく開口している。なお第11−１図、12
−１図から第11−３図、12−３図まではガス感応物質層
42、絶縁層48の順序に形成しているが、その逆の順序で
も可能であり、第11−９図、12−９図から第11−11図、
12−11図までにその態様を示す。Here, the surface of the gas sensitive material layer 42 is the surface of the substrate (upper).
It is open without being exposed to. 11-1 and 12
Figure 1 to Figures 11-3 and 12-3 show the gas sensitive material layer
42, the insulating layer 48 is formed in the order, but the reverse order is also possible, and FIG. 11-9, FIG. 12-9 to FIG. 11-11,
The embodiment is shown in Fig. 12-11.
ガス検出装置の製造方法として別法を説明する。 Another method will be described as a method of manufacturing the gas detection device.
第12′−１図、13′−１図ではSi基板51の上部にSiO
絶縁層58、さらに導電材料層53を形成する。In FIGS. 12'-1 and 13'-1, the SiO.sub.
An insulating layer 58 and a conductive material layer 53 are formed.
第12′−２図、13′−２図では導電材料層53、絶縁層
58をプラズマエッチング法等によりフォトエッチングす
る。12'-2 and 13'-2, the conductive material layer 53 and the insulating layer are shown.
58 is photo-etched by a plasma etching method or the like.
第12′−３図、13′−３図ではガス感応物質層を全体
に形成後フォトエッチングによりガス感応物質層52をパ
ターニングする。In FIGS. 12'-3 and 13'-3, the gas-sensitive material layer 52 is patterned by photoetching after the entire gas-sensitive material layer is formed.
第12′−４図、13′−４図ではSiO2被覆絶縁層57を形
成後フォトエッチングによりボンディングパッド、Si基
板エッチング窓を開口させる。12'-4 and 13'-4, the bonding pad and the Si substrate etching window are opened by photo-etching after forming the SiO 2 covering insulating layer 57.
第12′−５図、13′−５図ではSi基板51をエッチング
して空洞（溝）部55を設け、ガス感応物質層52の表面を
空洞内に開口させる。In FIGS. 12'-5 and 13'-5, the Si substrate 51 is etched to form a cavity (groove) 55, and the surface of the gas sensitive material layer 52 is opened into the cavity.
次に別の４つの実施例について説明する。 Next, another four embodiments will be described.
実施例１（第14図、15図参照） ガス感応物質層62は空洞65内側に開口して周囲の雰囲
気中のガス検出を行う。ガス感応物質層と同一材料で形
成された温度補償物質層62′は被覆絶縁層67と絶縁層68
に囲まれているため周囲の温度のみ検出しガス検出は行
わない。Example 1 (see FIGS. 14 and 15) The gas-sensitive material layer 62 is opened inside the cavity 65 to detect gas in the surrounding atmosphere. The temperature-compensating material layer 62 'formed of the same material as the gas-sensitive material layer has a covering insulating layer 67 and an insulating layer 68.
, Only the ambient temperature is detected and no gas detection is performed.
62と62′の１組により周囲環境の温度補償が可能なガ
ス検出装置が得られ、しかも表面に開口していないため
ゴミの付着による影響がない。A gas detector capable of compensating for the temperature of the surrounding environment can be obtained by one set of 62 and 62 ', and since there is no opening on the surface, there is no influence from the adhesion of dust.
63a,63bはガス検出用リード、63cはヒータリード、63
d,63eは温度補償用リードである。63a and 63b are gas detection leads, 63c is a heater lead, 63
d and 63e are temperature compensation leads.
実施例２（第16図、17図参照） 張出し部が架橋構造でなく片持ち製造である場合を示
す。Example 2 (see FIGS. 16 and 17) A case where the overhanging portion is not a cross-linked structure but is manufactured in a cantilever manner is shown.
ガス感応物質層72は片持ち梁の先端近くにあり空洞75
内側に開口している。73cはヒータリード、63a,73bはガ
ス検出用リード、77は被覆絶縁層、78は絶縁層である。The gas-sensitive material layer 72 is near the tip of the cantilever and has a cavity 75
It opens inside. 73c is a heater lead, 63a and 73b are gas detection leads, 77 is a coating insulating layer, and 78 is an insulating layer.
実施例３（第18図、19図参照） 張出し部の絶縁体層88をガス感応物質層82領域を除き
基板全面に渡って残し、裏面の絶縁体層89の開口部か
ら、基板をエッチングして空洞部85を形成する。83a,83
bはガス検出用リード、83c、83c′はヒータリード、87
は被覆絶縁層である。Example 3 (see FIGS. 18 and 19) The substrate was etched from the opening of the insulator layer 89 on the back surface, leaving the overhanging insulator layer 88 over the entire surface of the substrate except for the gas-sensitive material layer 82 region. To form a cavity 85. 83a, 83
b is a gas detection lead, 83c and 83c 'are heater leads, 87
Is a coating insulating layer.
実施例４（第20図、21図参照） 互いに交差する張り出し部からなる絶縁体層98の交差
部にガス感応物質層92と温度補償物質層92′を設け、そ
の電気的特性をそれぞれの張り出し部上の検出用リード
93a,93b,93d,93eにより受ける。Embodiment 4 (See FIGS. 20 and 21) A gas sensitive material layer 92 and a temperature compensating material layer 92 'are provided at the intersection of insulator layers 98, which are composed of projecting portions that intersect each other. Detection lead on the part
Received by 93a, 93b, 93d, 93e.
92,92′はヒータリード93c,93c′により加熱される。
なお92は、交差した張り出し部の中間からエッチングに
より形成された空洞部95内側に開口しているが、92′は
第15図の62′と同様に92′の下部に絶縁体層98があり上
部に被覆絶縁体層がある。92, 92 'are heated by heater leads 93c, 93c'.
Incidentally, 92 has an opening inside the cavity 95 formed by etching from the middle of the intersecting overhangs, but 92 'has an insulator layer 98 under 92' as in 62 'in FIG. On top is a covering insulator layer.
本発明のガス検出装置は、ガス感応物質層の表面を基
板内部の空間側に開口させた構造をとることにより、大
気中のゴミが付着しない効果を奏するとともに、トラン
ジスタ等の電子部品と同様のハーメチックシールを用い
て実装することが可能となった。The gas detection device of the present invention has a structure in which the surface of the gas-sensitive material layer is opened to the space side inside the substrate, so that it has an effect of preventing dust in the air from adhering, and has the same effect as electronic components such as transistors. Mounting using hermetic seals is now possible.
第１図は従来型ガス検出装置の上面図、第２図は第１図
Ｐ−Ｐ′断面図、第３図は第１図Ｑ−Ｑ′断面図、第４
図は第１図の従来型ガス検出装置の実装態様を示す。第
5,6図は従来型ガス検出装置の改良案を示すモデル図、
第７図〜第22図は本発明に係る図面であり、第７図は本
発明のガス検出装置の１例を示す上面図、第８図は第７
図Ｒ−Ｒ′断面図、第９図は第７図のＳ−Ｓ′断面図、
第10図は第７図の本発明ガス検出装置を実装した態様を
示す。第11−１〜第11−８図、第12−１〜第12−８図は
本発明の製造方法の１例を示すものであり、第11−８図
は第８図に、第12−８図は第９図に対応するものであ
る。第11−９図〜第11−11図および第12−９〜第12−11
図は本発明の製造方法の別法を示す。 第13−１〜第13−５図および第14−１〜第14−５図は、
本発明のもう１つの製造方法を示す。 第15図は、実施例１のガス検知装置の上面図、第16図は
そのＴ−Ｔ′断面図、第17図は、実施例２のガス検知装
置の上面図、第18図はそのＵ−Ｕ′断面図、第19図は、
実施例３のガス検知装置の正面図、第20図はそのＶ−
Ｖ′断面図、第21図は、実施例４のガス検知装置の上面
図、第22図はそのＷ−Ｗ′断面図である。 １……ガス検出装置、２……ガス感応物質層 3a……ガス検出用リード、3b……ガス検出用リード 3c……ヒータリード、４……配線 ５……空洞（又は溝）、６……基板 11……ベース、12……開口キャップ 13……ステンレスメッシュ、14……リードターミナル 15……ダイボンディング材料、16……メッシュを通過す
るゴミ 17……メッシュ、18……非開口型キャップ 19……ベース開口部、20……第２ベース 31……ガス検知装置、32……ガス感応物質層 33a,33b……ガス検出用リード、33c……ヒータリード 35……空洞、36……基板 37……被覆絶縁層、38……絶縁層 41……基板、42……ガス感応物質層 43……導電材料層、43b……ガス検出用リード 43c……ヒータリード、45……空洞 47……被覆絶縁層、48……絶縁層 51……基板、52……ガス感応物質層 53……導電材料層、55……空洞 57……被覆絶縁層、58……絶縁層FIG. 1 is a top view of a conventional gas detector, FIG. 2 is a sectional view taken along line PP 'of FIG. 1, FIG. 3 is a sectional view taken along line QQ' of FIG.
The figure shows an implementation of the conventional gas detector of FIG. No.
Figures 5 and 6 are model diagrams showing an improvement plan of the conventional gas detector,
7 to 22 are drawings according to the present invention, FIG. 7 is a top view showing an example of the gas detector of the present invention, and FIG.
FIG. 9 is a sectional view taken along the line RR ′, FIG. 9 is a sectional view taken along the line SS ′ of FIG.
FIG. 10 shows an embodiment in which the gas detection device of the present invention shown in FIG. 7 is mounted. 11-1 to 11-8 and FIGS. 12-1 to 12-8 show one example of the manufacturing method of the present invention. FIG. 11-8 is FIG. FIG. 8 corresponds to FIG. 11-9 to 11-11 and 12-9 to 12-11
The figure shows another method of the production method of the present invention. 13-1 to 13-5 and FIGS. 14-1 to 14-5,
3 shows another manufacturing method of the present invention. FIG. 15 is a top view of the gas detection device of the first embodiment, FIG. 16 is a sectional view taken along line TT ′, FIG. 17 is a top view of the gas detection device of the second embodiment, and FIG. -U 'sectional view, FIG.
FIG. 20 is a front view of the gas detection device according to the third embodiment, and FIG.
FIG. 21 is a top view of the gas detection device of the fourth embodiment, and FIG. 22 is a WW ′ cross-sectional view thereof. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Gas detection device, 2 ... Gas sensitive substance layer 3a ... Gas detection lead, 3b ... Gas detection lead 3c ... Heater lead, 4 ... Wiring 5 ... Cavity (or groove), 6 ... ... Substrate 11 ... Base 12 Open cap 13 Stainless mesh 14 Lead terminal 15 Die bonding material 16 Dust passing through the mesh 17 Mesh 18 Non-opening cap 19: Base opening, 20: Second base 31: Gas detection device, 32: Gas sensitive material layer 33a, 33b ... Gas detection lead, 33c ... Heater lead 35 ... Cavity, 36 ... Substrate 37 Cover insulating layer 38 Insulating layer 41 Substrate 42 Gas sensitive material layer 43 Conductive material layer 43b Gas detection lead 43c Heater lead 45 Hollow 47 …… Coating insulating layer, 48 …… Insulating layer 51 …… Substrate, 52 …… Gas sensitive material layer 53 …… Conductive material , 55 ...... cavity 57 ...... coating insulating layer, 58 ...... insulating layer
Claims (1)
られ電気的絶縁性材料からなる張り出し部、前記張り出
し部上に設けられており検出領域において互いに所定距
離離隔して設けた少なくとも一対の検出用リード、前記
張り出し部上に略前記検出用リードと並置して設けられ
た少なくとも１個のヒータリード、前記検出領域におい
て前記少なくとも一対の検知用リードの夫々に接触して
設けられたガス感応物質層、ガス感応物質層の表面は、
基板内部空間側に開口し外側は電気的絶縁性材料で被覆
された構造を有しており、前記ガス感応物質層がガスと
接触反応することにより抵抗値変化としてガス検出を行
なうことを特徴とするガス検出装置。1. A substrate, an overhang portion provided on the substrate overhanging in the air and made of an electrically insulating material, and at least one pair of overhangs provided on the overhang portion and provided at a predetermined distance from each other in a detection area. A detection lead, at least one heater lead provided substantially in parallel with the detection lead on the overhang portion, and a gas-sensitive lead provided in contact with each of the at least one pair of detection leads in the detection region. The surface of the material layer and gas sensitive material layer
It has a structure that is open to the inside space of the substrate and the outside is covered with an electrically insulating material, and performs gas detection as a resistance value change by the gas-sensitive material layer reacting with a gas to make a contact reaction. Gas detector.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12683788A JP2621928B2 (en) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | Gas detector |
| US07/288,279 US4967589A (en) | 1987-12-23 | 1988-12-22 | Gas detecting device |
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