JP2607479B2 - Scrubber for recycling mirror-surface wafers for foreign substance inspection - Google Patents

Scrubber for recycling mirror-surface wafers for foreign substance inspection

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JP2607479B2
JP2607479B2 JP61211535A JP21153586A JP2607479B2 JP 2607479 B2 JP2607479 B2 JP 2607479B2 JP 61211535 A JP61211535 A JP 61211535A JP 21153586 A JP21153586 A JP 21153586A JP 2607479 B2 JP2607479 B2 JP 2607479B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハの処理プロセスにおける異物管
理に使用する鏡面ウェハの再生用スクラバに関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scrubber for regenerating a mirror-surface wafer used for foreign substance management in a semiconductor wafer processing process.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体ウェハの処理プロセスでは、プロセスにおける
異物が製造歩留に大きな影響を与える。このため、プロ
セスを実行する前に、ダミーウェハとしての鏡面ウェハ
を用いた異物試験が行われ、この試験結果により種々の
対策を施している。そして、この鏡面ウェハを用いた試
験では、鏡面ウェハを再利用するために、一度使用した
鏡面ウェハをスクラバにより洗浄することが行われる。
In a semiconductor wafer processing process, foreign matter in the process has a great effect on the manufacturing yield. Therefore, before executing the process, a foreign substance test using a mirror-finished wafer as a dummy wafer is performed, and various measures are taken based on the test results. In the test using the mirror-surface wafer, the mirror-surface wafer that has been used once is cleaned with a scrubber in order to reuse the mirror-surface wafer.

従来、この種のスクラバでは、洗浄水を高圧で噴射す
るハイプレッシャノズルと、鏡面ウェハ上で回転される
モヘアブラシとを備えた構成とされ、ブラシリンス,ブ
ラシスクラブ,ハイプレッシャスクラブ及びスピン乾燥
の手順で洗浄を行っている。特に、ブラシスクラブでは
モヘアブラシを回転させて鏡面ウェハの表面をブラシス
クラウし、またハイプレッシャスクラブではハイプレッ
シャノズルから射出される洗浄水を鏡面ウェハの全面に
投射させてスクラブする方法が採られている。
Conventionally, this type of scrubber has a configuration including a high-pressure nozzle for injecting cleaning water at high pressure and a mohair brush rotated on a mirror-finished wafer, for brush rinse, brush scrub, high-pressure scrub and spin drying. Cleaning is performed according to the procedure. Particularly, in brush scrubbing, a mohair brush is rotated to brush scour the surface of a mirror-finished wafer, and in high-pressure scrubbing, scrubbing is performed by projecting cleaning water ejected from a high-pressure nozzle onto the entire surface of a mirror-finished wafer. .

尚、実開昭51−84371号公報には回転ブラシで半導体
基板表面を機械的にブリッシングして洗浄することを特
徴とする半導体基板洗浄装置が開示されている。しかし
ながら、実開昭51−84371号公報では洗浄液を散布しな
がら半導体基板をブラッシングしており、洗浄液の散布
時にブラシが半導体基板に接触しない構成は開示されて
いない。
Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 51-84371 discloses a semiconductor substrate cleaning apparatus characterized in that the surface of a semiconductor substrate is mechanically brushed and cleaned with a rotating brush. However, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 51-84371 discloses brushing the semiconductor substrate while spraying the cleaning liquid, and does not disclose a configuration in which the brush does not contact the semiconductor substrate when the cleaning liquid is sprayed.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

このような従来のスクラブでは、ブラシスクラブ中に
モヘアブラシに巻込まれた比較的大きな異物がウェハ表
面に接触して傷が発生し易くなっている。また、ハイプ
レッシャノズルからの高圧洗浄水の噴射は、比較的に水
量が少ないため、微細な異物を鏡面ウェハ表面から完全
に流し去ることは困難である。このため、異物の残存及
び傷の発生により鏡面ウェハの再生が困難になり、製造
コストの増加を招く原因になっている。
In such a conventional scrub, a relatively large foreign substance caught in the mohair brush during the brush scrub comes into contact with the wafer surface, so that a scratch is easily generated. In addition, since the amount of high-pressure cleaning water sprayed from the high-pressure nozzle is relatively small, it is difficult to completely remove fine foreign matters from the mirror-finished wafer surface. For this reason, it is difficult to regenerate the mirror-finished wafer due to the remaining foreign matters and the generation of scratches, which causes an increase in manufacturing cost.

本発明の目的は、鏡面ウェハの洗浄を効果的に行って
ウェハにおける異物残り及び傷の発生を防止し、ウェハ
を確実に再生することのできるウェハスクラバを提供す
ることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wafer scrubber capable of effectively cleaning a mirror-finished wafer, preventing the generation of foreign particles and scratches on the wafer, and reliably reproducing the wafer.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明のウェハスクラバは、ハイプレッシャノズルと
並んで低圧で洗浄水を噴射するロープレッシャノズルを
設け、しかもこのロープレッシャノズルをブラシスクラ
ブの前及びハイプレッシャスクラブの後に夫々動作し得
るように構成している。
The wafer scrubber of the present invention is provided with a low pressure nozzle that sprays cleaning water at a low pressure in parallel with the high pressure nozzle, and furthermore, this low pressure nozzle is configured to be able to operate before the brush scrub and after the high pressure scrub, respectively. ing.

〔作用〕[Action]

この構成によれば、ロープレッシャノズルから噴射さ
れる低圧洗浄水をブラシスラブの前に鏡面ウェハの全面
に投射することにより比較的大きな異物を流し去ること
ができ、ブラシスクラブ時にこの異物をブラシに巻込む
ことがなく傷の発生を防止できる。また、ハイプレッシ
ャスクラブの後にロープレッシャノズルからまとまった
洗浄水を鏡面ウェハに流すことにより、微細な異物を流
し去ることができ、異物を確実に除去できる。
According to this configuration, relatively large foreign matter can be washed away by projecting the low-pressure cleaning water sprayed from the low pressure nozzle onto the entire surface of the mirror wafer before the brush slab. The occurrence of scratches can be prevented without being involved. Further, by flowing the cleaning water collected from the low pressure nozzle to the mirror-finished wafer after the high pressure scrub, fine foreign matters can be washed away, and the foreign matters can be surely removed.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例の要部の平面図、第2図は
そのAA線に沿う断面図、また第3図及び第4図は全体装
置の平面図及び正面図である。
FIG. 1 is a plan view of a main part of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA, and FIGS. 3 and 4 are a plan view and a front view of the entire apparatus.

これらの図において、このスクラバは、スクラブ部1
と、このスクラブ部1にウェハをロード,アンロードす
るローディング部2と、前記スクラブ部1を動作させる
制御部3とを備えている。
In these figures, the scrubber is a scrubber 1
A loading unit 2 for loading and unloading a wafer into and from the scrub unit 1; and a control unit 3 for operating the scrub unit 1.

前記スクラブ部1は、第1図及び第2図に詳細に示す
ように、鏡面ウェハWを載置して高速で回転可能なウェ
ハチャック11を有し、これに対向するようにブラシユニ
ット11Aと洗浄ユニット1Bとを備えている。
As shown in detail in FIGS. 1 and 2, the scrub section 1 has a wafer chuck 11 on which a mirror-surface wafer W is placed and which can be rotated at a high speed, and a brush unit 11A and a brush chuck 11A opposed thereto. And a cleaning unit 1B.

ブラシユニット1Aは昇降用ロータ12によって上下動さ
れる昇降アーム13の先端に取着したモヘアブラシ14を有
し、このモヘアブラシ14はチェーン12aによっては鏡面
ウェハWに対して垂直方向に回転される。また、前記昇
降用ロータ12及びアーム13は水平配置したシリンダ15の
伸縮ロッド15aに連結され、このシリンダ15の作用によ
って第1図の左右方向に往復移動できる。
The brush unit 1A has a mohair brush 14 attached to the tip of an elevating arm 13 which is moved up and down by an elevating rotor 12. This mohair brush 14 is rotated in a direction perpendicular to the mirror wafer W by a chain 12a. . The elevating rotor 12 and the arm 13 are connected to a telescopic rod 15a of a horizontally arranged cylinder 15, and the cylinder 15 can reciprocate in the left-right direction in FIG.

また、前記洗浄ユニット1Bは、シリンダ16の可動ロッ
ド16aと一体に設けたL字状アーム17の先端に洗浄水を
噴射する洗浄ノズルヘッド18を取着し、シリンダ16の作
用によって前記モヘアブラシ14と同一方向に往復移動さ
れる。そして、この洗浄ノズルヘッド18には高圧で洗浄
水を噴射するハイプレッシャノズル18aと、低圧で洗浄
水を噴射するロープレッシャノズル18bとを設けてい
る。なお、ここではハイプレッシャノズル18aの噴射最
高圧力は200Kg/cm2,ロープレッシャノズル18bの噴射圧
力は6kg/cm2に夫々設定している。
Further, the cleaning unit 1B has a cleaning nozzle head 18 for spraying cleaning water attached to a tip of an L-shaped arm 17 provided integrally with a movable rod 16a of a cylinder 16, and the mohair brush 14 Is reciprocated in the same direction. The washing nozzle head 18 is provided with a high pressure nozzle 18a for ejecting washing water at high pressure and a low pressure nozzle 18b for ejecting washing water at low pressure. Here, the injection pressure of the high pressure nozzle 18a is set to 200 kg / cm 2 , and the injection pressure of the low pressure nozzle 18b is set to 6 kg / cm 2 .

なお、19はブラシリンス用純水の回収用受皿である。 Reference numeral 19 denotes a collecting pan for collecting pure water for brush rinsing.

前記ローディング部2は、ローダ21にセットされた鏡
面ウェハWをプリアライメントユニット22に送り出し、
かつこれをハンドラ23によりスクライビング部1へ移載
する。また、このハンドラ23はスクラブが完了したウェ
ハをスクラブ部1からアンローダ24に取り出すこともで
きる。
The loading unit 2 sends out the mirror wafer W set in the loader 21 to the pre-alignment unit 22,
And, this is transferred to the scribing unit 1 by the handler 23. The handler 23 can also take out the wafer after the scrub is completed from the scrub section 1 to the unloader 24.

また、制御部3は、制御電源31,スクラブ部1の各動
作タイミングやウェハチャックの回転速度,時間の設定
用パネル32,ハイプレッシャスクラブ用の高圧純水発生
部33,ブラシユニットの加圧圧力調整ゲージ34及びスピ
ン乾燥時に発生するウォータミストを乾燥用窒素ガスと
共に排出する強制ファン35等を備えている。
The control unit 3 includes a control power supply 31, a panel 32 for setting operation timings of the scrubbing unit 1, a rotation speed and a time of the wafer chuck 32, a high-pressure pure water generating unit 33 for high-pressure scrub, and a pressurizing pressure of the brush unit. An adjustment gauge 34 and a forced fan 35 for discharging water mist generated during spin drying together with the drying nitrogen gas are provided.

以上の構成のスクラバによれば、第5図(a)の工程
でウェハのスクラブを行うことができる。
According to the scrubber having the above structure, the wafer can be scrubbed in the step of FIG.

先ず、ローダ21及びハンドラ23によりスクラブ部1に
鏡面ウェハWがセットされると、ウェハチャック11は約
300rpmで回転される。このとき、ロープレッシャノズル
18bから低圧の純水をウェハ表面に噴射させ、ウェハ表
面上を流される多量の純水でウェハをプレ洗浄する。こ
れにより、比較的大きな異物をウェハ表面から流し去る
ことができる。
First, when the mirror-finished wafer W is set on the scrub section 1 by the loader 21 and the handler 23, the wafer chuck 11
Rotated at 300rpm. At this time, the low pressure nozzle
Low pressure pure water is sprayed onto the wafer surface from 18b, and the wafer is pre-cleaned with a large amount of pure water flowing over the wafer surface. As a result, relatively large foreign matter can be washed away from the wafer surface.

また、一方ではこれと並行してモヘアブラシ14を回転
しながら純水を供給して約5時間のブラシリンスを行
う。
Meanwhile, on the other hand, pure water is supplied while rotating the mohair brush 14 to perform brush rinsing for about 5 hours.

そして、モヘアブラシ14は昇降ロータ12及び昇降アー
ム13によって下降されてウェハWの表面に接触し、かつ
その回転動作によって約20秒間ブラシスクラブを実行す
る。これにより、ウェハ表面に付着している微細な異物
がウェハ表面から剥離される。
The mohair brush 14 is lowered by the elevating rotor 12 and the elevating arm 13 to contact the surface of the wafer W, and performs a brush scrub for about 20 seconds by its rotation operation. As a result, fine foreign matter adhering to the wafer surface is peeled off from the wafer surface.

しかる上で、今度はハイプレッシャノズル18aから細
く絞った純粋を120Kg/cm2程度の圧力でウェハ表面に噴
射させ、かつシリンダ16の作用によってこのノズル18a
をウェハ全面に対して約30秒間往復移動させる。その
後、ロープレッシャノズル18bから再度低圧で純水を約1
5秒間ウェハ全面に噴射させてポスト洗浄を行い、ウェ
ハ表面に残存している微細異物を流し去る。しかる上
で、7000rpmで20秒間ウェハチャック11によりウェハを
回転させてスピン乾燥を行う。
Then, the pure pressure finely squeezed from the high pressure nozzle 18a is sprayed onto the wafer surface at a pressure of about 120 kg / cm 2 , and the nozzle 18a
Is reciprocated about the entire surface of the wafer for about 30 seconds. Then, about 1 liter of pure water was again applied at low pressure from the low pressure nozzle 18b.
Post cleaning is performed by spraying the entire surface of the wafer for 5 seconds, and fine foreign substances remaining on the wafer surface are washed away. Then, the wafer is rotated by the wafer chuck 11 at 7000 rpm for 20 seconds to perform spin drying.

以上でスクラブ工程は完了し、ハンドラ23及びアンロ
ーダ24の動作によりウェハを所要のカセット内に収納
し、全工程が完了される。
Thus, the scrub process is completed, and the wafer is stored in a required cassette by the operation of the handler 23 and the unloader 24, and the entire process is completed.

したがって、このスクラブによれば、第5図(b)に
示す従来の工程と比較して判るように、ブラシスクラブ
の前にプレ洗浄工程が追加されているとともに、ハイプ
レッシャスクラブの後にポスト洗浄工程が追加されてい
る。
Therefore, according to this scrub, a pre-cleaning step is added before the brush scrub, and a post-cleaning step is performed after the high pressure scrub, as can be seen from the conventional step shown in FIG. 5 (b). Has been added.

このため、ブラシスクラブに際してウェハ表面上に存
在する大きな異物をプレ洗浄により確実に除去できるの
で、この大きな異物がブラシに巻込まれることが原因と
される傷が発生することはない。またハイプレッシャス
クラブの後にも未だにウェハ表面上に残存されている微
細異物をポスト洗浄により確実に除去できるので、微細
異物が残されることもない。これにより、極めて良好な
洗浄を実現でき、鏡面ウェハの再利用効率を高めること
ができる。
For this reason, large foreign substances existing on the wafer surface can be reliably removed by pre-cleaning during brush scrubbing, so that scratches caused by the large foreign substances being caught in the brush do not occur. Further, even after the high pressure scrub, the fine foreign matter still remaining on the wafer surface can be surely removed by the post-cleaning, so that the fine foreign matter does not remain. Thereby, extremely good cleaning can be realized, and the reuse efficiency of the mirror surface wafer can be increased.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように本発明は、ハイプレッシャノズルと並ん
で低圧で洗浄水を噴射するロープレッシャノズルを設
け、しかもこのロープレッシャノズルをブラシスクラブ
の前及びハイプレッシャスクラブの後に夫々動作してプ
レ洗浄及びポスト洗浄を行い得るように構成しているの
で、ロープレッシャノズルを用いたプレ洗浄工程により
鏡面ウェハ上の比較的大きな異物を除去したスクラブ時
における傷の発生を防止できるとともに、ポスト洗浄工
程によりウェハ表面上に残存する微細な異物を流し去る
ことができ、これによりウェハにおける傷の発生や異物
の残存を確実に防止でき、ウェハのスクラブ効果を向上
できる。
As described above, the present invention provides a low pressure nozzle that injects cleaning water at a low pressure in parallel with the high pressure nozzle, and further operates the low pressure nozzle before the brush scrub and after the high pressure scrub to perform pre-cleaning and cleaning. It is configured to be able to perform post-cleaning, so that a pre-cleaning process using a low-pressure nozzle can prevent scratches from occurring during scrubbing, in which relatively large foreign substances on the mirror-surfaced wafer have been removed. Fine foreign matters remaining on the surface can be washed away, thereby making it possible to reliably prevent scratches and foreign matters from remaining on the wafer, and improve the scrubbing effect of the wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明のスクラバの要部の平面図、 第2図は第1図のAA線に沿う断面図、 第3図は本発明のスクラバの全体構成の平面図、 第4図はその正面図、 第5図(a)は本発明における洗浄工程図、同図(b)
は従来における洗浄工程図である。 1……スクラブ部、1A……ブラシユニット、1B……洗浄
ユニット、2……ローディング部、3……制御部、11…
…ウェハチャック、12……昇降ロータ、13……昇降アー
ム、14……モヘアブラシ、15……シリンダ、16……シリ
ンダ、17……アーム、18……洗浄ノズルヘッド、18a…
…ハイプレッシャノズル、18b……ロープレッシャノズ
ル、19……回収用受皿、21……ローダ、22……プレアラ
イメントユニット、23……ハンドラ、24……アンロー
ダ、31……制御電源、32……設定用パネル、33……高圧
純水発生部、34……加圧力調整ゲージ、35……強制ファ
ン、W……鏡面ウェハ。
FIG. 1 is a plan view of a main portion of the scrubber of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, FIG. 3 is a plan view of the overall configuration of the scrubber of the present invention, and FIG. FIG. 5 (a) is a cleaning process diagram in the present invention, FIG. 5 (b)
FIG. 2 is a conventional cleaning step diagram. 1 ... Scrubbing section, 1A ... Brush unit, 1B ... Cleaning unit, 2 ... Loading section, 3 ... Control section, 11 ...
… Wafer chuck, 12… Lift rotor, 13… Lift arm, 14… Mohair brush, 15… Cylinder, 16… Cylinder, 17… Arm, 18… Cleaning nozzle head, 18 a…
… High pressure nozzle, 18b …… Low pressure nozzle, 19 …… Collection tray, 21 …… Loader, 22 …… Prealignment unit, 23 …… Handler, 24 …… Unloader, 31 …… Control power, 32 …… Setting panel, 33 High pressure pure water generator, 34 Pressure adjusting gauge, 35 Force fan, W Mirror wafer.

フロントページの続き (72)発明者 下村 繁雄 茂原市早野3300番地 株式会社日立製作 所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭57−102024(JP,A) 特開 昭61−26226(JP,A) 特開 昭61−18958(JP,A) 実開 昭60−194335(JP,U)Continuation of the front page (72) Inventor Shigeo Shimomura 3300 Hayano, Mobara-shi Inside the Mobara Plant of Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-57-102024 (JP, A) JP-A-61-26226 (JP, A JP-A-61-18958 (JP, A) JP-A-60-194335 (JP, U)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】異物検査用の鏡面ウェハを載せるウェハチ
ャックと、洗浄水を噴射する低圧洗浄水ノズルと、上記
鏡面ウェハをブラシスクラブするブラシと、上記低圧洗
浄水ノズルから噴射する洗浄水よりも高圧で洗浄水を噴
射する高圧洗浄水ノズルとからなり、上記ブラシで上記
鏡面ウェハをブラシスクラブする工程の前に上記低圧洗
浄水ノズルで上記ブラシ及び、上記鏡面ウェハを洗浄
し、上記ブラシスクラブ工程の次に上記高圧洗浄水ノズ
ルから噴射する洗浄水で上記鏡面ウェハを洗浄し、該高
圧洗浄水ノズルで洗浄する工程の後に、上記低圧洗浄水
ノズルで上記鏡面ウェハを洗浄するよう動作し得るよう
に構成したことを特徴とする異物検査用鏡面ウェハの再
生用スクラバ。
1. A wafer chuck for mounting a mirror-surface wafer for foreign substance inspection, a low-pressure cleaning water nozzle for spraying cleaning water, a brush for brush-scrubbing the mirror-surface wafer, and a cleaning water jet from the low-pressure cleaning water nozzle. A high-pressure washing water nozzle for injecting washing water at high pressure, wherein the brush and the mirror-finished wafer are washed with the low-pressure washing water nozzle before the brush scrubbing the mirror-finished wafer with the brush, and the brush scrubbing step is performed. Then, after the step of cleaning the mirror-finished wafer with the cleaning water sprayed from the high-pressure cleaning water nozzle and cleaning with the high-pressure cleaning water nozzle, the low-pressure cleaning water nozzle can be operated to clean the mirror-finished wafer. A scrubber for regenerating a mirror-surface wafer for foreign substance inspection, characterized in that the scrubber is configured as described above.
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