JP2607147C

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Publication number: JP2607147C
Authority: JP
Original assignee: 松下電子工業株式会社
Publication date: 1998-12-09

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、液晶を用いた画像表示装置の製造方法に関するものである。（従来の技術）近年、液晶を用いた画像表示装置は軽量、薄型、低消費電力等の特徴を有する
フラットパネル・ディスプレイとして、ＣＲＴ（Cathode-Ray-Tube）では対応で
きない分野、例えば、可搬型計測機器の画像表示装置に用いられる等、非常に注
目を集めている。以下、図面を参照しながら、上述したような従来の画像表示装置の製造方法に
ついて説明する。第４図は従来の画像表示装置の構成図を示し、第５図は第４図の画素部の一部
断面図を示すものである。第４図、第５図において、40は石英基板、41はゲート酸化膜、42はゲート電極
、43はゲート信号線、44はソース領域、45はドレイン領域、46は層間絶縁膜、47
はソース・コンタクト、48はソース信号線、49はボンディング・パッド、50は画
素電極、51は保護膜、52は液晶配向膜、53は共通電極、54は上面ガラス板、55は
液晶、56は画素部、57は垂直走査回路、58は水平走査回路である。第５図に示すように、まず、石英基板40上に、ポリシリコン膜を形成し、フォ
トレジストをマスクとして、プラズマエッチングによりトランジスタ領域を形成
する。次に、チャネル領域を形成するために、熱酸化シリコン層を形成した上に、ポ
リシリコン層を形成し、フォトレジストをマスクとして、プラズマエッチングに
よりポリシリコンによる、ゲート電極42と第４図に示すゲート信号線43を形成す
る。この後、ウェットエッチングによりチャネル領域以外の熱酸化シリコン層を除
去し、ゲート酸化膜41を形成する。そして、フォトレジストをマスクとして、トランジスタ領域上に、Ｐ⁺またはAs⁺をイオン注入し、ｎ⁺領域であるソース領域44とドレイン領域45とを形成す
る。この後、ソース・コンタクト用窓とドレイン・コンタクト用窓とを有する層間
絶縁膜46を、酸化シリコン（Non-doped Silicate Glass：以下、ＮＳＧと記す。
）により形成し、Al-Si合金膜によるソース信号線48と第４図に示すボンディン
グ・パッド49とを形成する。そして、酸化インジウム錫（Indium Tin Oxide：以下、ＩＴＯと記す。）等に
よる画素電極50を形成し、窒化シリコンによる保護膜51を形成する。以上のようにして、第４図に示すような、画素部56が形成されると同時に、上
記のＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor：以下、ＣＭＯＳと
記す。）プロセスにより、垂直走査回路57と水平走査回路58とが形成される。この後、液晶工程において、第４図に示す画素部56上に、液晶配向膜52を形成
し、ラビングを行なった後、液晶55を注入し、石英基板40と対向するように、共
通電極53が形成された液晶封止用の上面ガラス板54を接着剤により接着し、液晶
55の封止を行ない、液晶55を用いた画像表示装置が製造される。（発明が解決しようとする課題）しかしながら上記のような構成では、ドレイン領域45を形成するポリシリコン
とＩＴＯの画素電極50とのコンタクト抵抗が高く、また、液晶工程において液晶
配向膜52のラビングや液晶55の注入等を行なう際の熱処理により、さらに、コン
タクト抵抗が高くなり、その場合、ドレイン信号が画素電極50に十分に伝達され
にくくなり、その結果として、画素部56の一部が動作しなくなり、表示品質が悪
くなるという欠点を有していた。本発明は上記欠点に鑑み、ドレイン信号が画素電極50に十分に伝達されない場
合に起こる画素部56の一部が動作しない等の表示品質の低下を阻止し、信頼性の
高い画像表示装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。（課題を解決するための手段）本発明は、基板上にマトリックス状に配列された薄膜トランジスタを有する画
素部と、この画素部の駆動用の垂直走査回路と水平走査回路および液晶部とを有
する画像表示装置において、画素部はポリシリコン層からなる薄膜トランジスタ
を備え、この薄膜トランジスタのソース領域上にソース・コンタクト用窓を、薄
膜トランジスタのドレイン領域上にドレイン・コンタクト用窓をそれぞれ備えた
絶縁膜が前記薄膜トランジスタ上に形成され、前記ソース・コンタクト用窓と、
前記ドレイン・コンタクト用窓にそれぞれアルミニウム又はアルミニウム−シリ
コン合金からなるソース・コンタクトとドレイン・コンタクトが形成され、ドレ
イン・コンタクト上に酸化されにくい金属膜が形成され、この金属膜上に金属膜
と導通する画素電極を備えており、画素部と前記垂直走査回路とがゲート信号線
で配線され、且つ画素部と水平走査回路とがソース信号線で配線されているもの
である。又、本発明は基板上にマトリックス状に配列された薄膜トランジスタを有する
画素部と、この画素部の駆動用の垂直走査回路と水平走査回路とを有する画像表
示装置の製造方法において、画素部はポリシリコン層からなる薄膜トランジスタ
を備え、この薄膜トランジスタのソース領域上にソース・コンタクト用窓を、薄
膜トランジスタのドレイン領域上にドレイン・コンタクト用窓をそれぞれ備えた
絶縁層を薄膜トランジスタ上に形成する工程と、前記ソース・コンタクト用窓に
金属からなるソース・コンタクトを、前記ドレイン・コンタクト用窓に金属から
なるドレイン・コンタクトをそれぞれを形成する工程と、前記ドレイン・コンタ
クト上に酸化されにくい金属膜を形成する工程と、この金属膜上に前記金属膜と
導通する画素電極を形成する工程とにより形成し、画素部と垂直走査回路とをゲ
ート信号線で配線し、且つ画素部と水平走査回路とをソース信号線で配線するも
のである。（作用）本発明は上記製造方法によって、ポリシリコンとAlあるいはAl-Si合金のコン
タクト抵抗は低く、また、AlあるいはAl-Si合金とCrあるいはNiあるいはNi-Cr合
金のコンタクト抵抗も低く、さらに、CrあるいはNiあるいはNi-Cr合金とＩＴＯ
とのコンタクト抵抗も低いので、ドレイン領域を形成するポリシリコンとＩＴＯとのコンタクト抵抗が十分低くできる。なおかつ、CrあるいはNiあるいはNi-Cr合金による酸化されにくいコンタクト
膜を用いることにより、画素電極として、例えば、ＩＴＯ等の酸化膜を用いるた
めに、酸化膜の作成時にドレイン・コンタクトのAlあるいはAl-Si合金が酸化さ
れ、コンタクト抵抗が高くなることを防止することができる。その結果、ドレイン信号が画素電極に十分に伝達されないために起こる画素部
の一部が動作しない等の表示品質の低下を阻止し、歩留まりが高く、信頼性の高
い画像表示装置が製造できる。（実施例）以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の一実施例における画像表示装置の回路構成図を示し、第２図
は第１図の画素部の一部平面図、第３図は第２図のＥ−Ｆにおける断面の製造工
程を示す図である。第１図、第２図、第３図において、10は石英基板、11はトランジスタ領域、12
はゲート酸化膜、13はゲート電極、14はゲート信号線、15はソース領域、16はド
レイン領域、17は層間絶縁膜、18はソース・コンタクト、19はドレイン・コンタ
クト、20はソース信号線、21はボンディング・パッド、22はコンタクト膜、23は
画素電極、24は保護膜、25は液晶配向膜、26は共通電極、27は上面ガラス板、28
は液晶、29は画素部、30は垂直走査回路、31は水平走査回路である。まず、製造方法の工程は第３図(a)に示すように、石英基板10上に減圧ＣＶＤ
法により厚さ0.2μm程度のポリシリコン層を形成し、フォトレジストをマスクと
して、プラズマエッチングによりトランジスタ領域11を形成する。次に第３図(b)に示すように、チャネル領域を形成するために、熱酸化による
厚さ0.1μm程度の酸化シリコン層を形成した上に、減圧ＣＶＤ法により厚さ0.3
μm程度のポリシリコン層を形成し、フォトレジストをマスクとして、プラズマ
エッチングによりポリシリコンによるゲート電極13と第２図に示すゲート信号線
14とを形成する。この後、第３図(c)に示すように、ウェットエッチングによりチャネル領域以外の酸化シリコン層を除去し、ゲート酸化膜12を形成する。そして、第３図(d)に示すように、フォトレジストをマスクとしてトランジス
タ領域上にＰ⁺またはAs⁺をイオン注入し、ｎ⁺領域であるソース領域15とドレイ
ン領域16とを形成する。この後、第３図(e)に示すように、石英基板10上に、常圧ＣＶＤ法により厚さ
１μm程度のＮＳＧ層を形成し、フォトレジストをマスクとして、エッチングに
より、ソース・コンタクト用窓18Wとドレイン・コンタクト用窓19Wとを有する層
間絶縁膜17を形成する。次に、第３図(f)に示すように、石英基板上に、ＤＣバイアス・スパッタ法に
より厚さ１μm程度のAlあるいはAl-Si合金膜を形成し、フォトレジストをマスク
としたエッチングにより、上記コンタクト窓18Wと19Wに夫々ソース・コンタクト
18とドレイン・コンタクト19を形成すると同時に、第２図に示すソース信号線20
と第１図に示すボンディング・パッド21とを形成する。そして、第３図(h)に示すように、画素電極23として、例えば、ＩＴＯ等の酸
化膜を用いるために、第３図(g)に示すように酸化膜の作成時にドレイン・コン
タクト19のAlあるいはAl-Si合金が酸化されないように、ドレイン・コンタクト1
9を覆うように酸化されにくい金属、例えば、CrあるいはNiあるいはCr-Ni合金膜
を、高周波マグネトロンスパッタ法により、350℃程度の成長温度で厚さ0.2μm
程度形成した後、フォトレジストをマスクとしてウェットエッチングにより、コ
ンタクト膜22を形成する。そして、第３図(h)に示すように、高周波マグネトロンスパッタ法により厚さ0
.1μm程度のＩＴＯ膜を形成した後、フォトレジストをマスクとしてウェットエ
ッチングにより、画素電極23を形成する。そして、第３図(i)に示すように、プラズマＣＶＤ法により厚さ0.2μm程度の
窒化シリコンによる保護膜24を形成する。以上の各製造工程を経て、第１図に示すように、画素部29が形成されると同時
に、上記のＣＭＯＳプロセスにより、垂直走査回路30と水平走査回路31とが形成
される。この後、第３図(j)に示すように、液晶工程により、第１図に示す画素部29上に、ポリイミドにより液晶配向膜25を形成し、ラビングを行なった後、液晶28を
注入し、石英基板10と対向するように、共通電極26が形成された液晶封止用の上
面ガラス板27を接着剤により接着し、液晶の封止を行ない、液晶を用いた画像表
示装置が製造される。以上のように本実施例によれば、従来からのプロセス時に、ドレイン領域を形
成するポリシリコンとＩＴＯとのコンタクト抵抗が高く、また、液晶工程におい
て液晶配向膜ラビングや液晶注入等を行なう際の熱処理により、さらに、コンタ
クト抵抗が高くなり、その場合、ドレイン信号が画素電極に十分に伝達されにく
くなり、その結果として、画素部の一部が動作しなくなり、表示品質が悪くなる
ことを阻止できる。なお、本実施例では走査回路30,31を石英基板10上に形成しているが、走査回
路30,31をハイブリット構成した画像表示装置でもよい。また、本実施例ではＴＦＴとして、Ｐ⁺やAs⁺をイオン注入したｎ型トランジス
タを用いたが、Ｂ⁺をイオン注入したｐ型トランジスタでもよい。すなわち、画素部29や垂直走査回路30や水平走査回路31やＴＦＴの構成に対し
て特別に限定されたものではない。（発明の効果）以上説明したように、本発明によれば、ポリシリコンAlあるいはAl-Si合金の
コンタクト抵抗は低く、また、AlあるいはAl-Si合金とCrあるいはNiあるいはNi-
Cr合金のコンタクト抵抗も低く、さらにCrあるいはNiあるいはNi-Cr合金とＩＴ
Ｏとのコンタクト抵抗も低いので、ドレイン領域を形成するポリシリコンとＩＴ
Ｏとのコンタクト抵抗が十分低くできる。なおかつ、CrあるいはNiあるいはNi-Cr合金による酸化されにくいコンタクト
膜を用いることにより、画素電極として、ＩＴＯ等の酸化膜を用いるために、酸
化膜の作成時にドレイン・コンタクトのAlあるいはAl-Si合金が酸化され、コン
タクト抵抗が高くなることを防止することができる。その結果、ドレイン信号が画素電極に十分に伝達されないために起こる画素部
の一部が動作しない等の表示品質の低下を阻止し、歩留まりが高く、信頼性の高
い画像表示装置が製造でき、その実用的効果は大なるものがある。 Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing an image display device using a liquid crystal. (Prior Art) In recent years, an image display device using a liquid crystal is a flat panel display having features such as light weight, thinness, and low power consumption, and is a field which cannot be handled by a CRT (Cathode-Ray-Tube). It has attracted a great deal of attention, such as being used for image display devices of measuring instruments. Hereinafter, a method for manufacturing the above-described conventional image display device will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional image display device, and FIG. 5 is a partial cross-sectional view of the pixel section of FIG. 4 and 5, 40 is a quartz substrate, 41 is a gate oxide film, 42 is a gate electrode, 43 is a gate signal line, 44 is a source region, 45 is a drain region, 46 is an interlayer insulating film, 47
Is a source contact, 48 is a source signal line, 49 is a bonding pad, 50 is a pixel electrode, 51 is a protective film, 52 is a liquid crystal alignment film, 53 is a common electrode, 54 is a top glass plate, 55 is a liquid crystal, and 56 is a liquid crystal. A pixel section, 57 is a vertical scanning circuit, and 58 is a horizontal scanning circuit. As shown in FIG. 5, first, a polysilicon film is formed on a quartz substrate 40, and a transistor region is formed by plasma etching using a photoresist as a mask. Next, in order to form a channel region, a thermal oxide layer is formed, a polysilicon layer is formed, and a photoresist is used as a mask. A gate signal line 43 is formed. Thereafter, the thermally oxidized silicon layer other than the channel region is removed by wet etching, and a gate oxide film 41 is formed. Then, using a photoresist as a mask, P ⁺ or As ⁺ is ion-implanted into the transistor region to form a source region 44 and a drain region 45 that are n ⁺ regions. Thereafter, the interlayer insulating film 46 having the source contact window and the drain contact window is referred to as silicon oxide (Non-doped Silicate Glass: NSG).
) To form a source signal line 48 of an Al-Si alloy film and a bonding pad 49 shown in FIG. Then, a pixel electrode 50 is formed of indium tin oxide (hereinafter, referred to as ITO) or the like, and a protective film 51 of silicon nitride is formed. As described above, at the same time when the pixel portion 56 as shown in FIG. 4 is formed, the vertical scanning circuit 57 and the horizontal scanning are performed by the above-described CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor: hereinafter, CMOS) process. A circuit 58 is formed. Thereafter, in a liquid crystal process, a liquid crystal alignment film 52 is formed on the pixel portion 56 shown in FIG. 4, and after rubbing, a liquid crystal 55 is injected, and the common electrode 53 is opposed to the quartz substrate 40. The top glass plate 54 for sealing the liquid crystal on which
By sealing 55, an image display device using the liquid crystal 55 is manufactured. (Problems to be Solved by the Invention) However, in the above-described configuration, the contact resistance between the polysilicon forming the drain region 45 and the pixel electrode 50 of ITO is high. The heat treatment at the time of injecting the liquid crystal 55 and the like further increases the contact resistance. In this case, it is difficult to sufficiently transmit the drain signal to the pixel electrode 50, and as a result, a part of the pixel portion 56 operates. And the display quality deteriorates. In view of the above-described drawbacks, the present invention prevents a decrease in display quality such as a part of the pixel portion 56 that does not operate when a drain signal is not sufficiently transmitted to the pixel electrode 50, and provides a highly reliable image display device and the like. It is intended to provide a manufacturing method. (Means for Solving the Problems) The present invention provides an image including a pixel portion having thin film transistors arranged in a matrix on a substrate, and a vertical scanning circuit, a horizontal scanning circuit, and a liquid crystal portion for driving the pixel portion. In the display device, the pixel portion includes a thin film transistor formed of a polysilicon layer, and an insulating film including a source contact window on a source region of the thin film transistor and a drain contact window on a drain region of the thin film transistor. A source contact window formed thereon;
A source contact and a drain contact made of aluminum or an aluminum-silicon alloy are respectively formed in the drain contact window, a metal film that is hardly oxidized is formed on the drain contact, and a conductive film is formed on the metal film. The pixel portion and the vertical scanning circuit are wired by a gate signal line, and the pixel portion and the horizontal scanning circuit are wired by a source signal line. Further, according to the present invention, in a method for manufacturing an image display device having a pixel portion having thin film transistors arranged in a matrix on a substrate and a vertical scanning circuit and a horizontal scanning circuit for driving the pixel portion, Forming a thin film transistor comprising a silicon layer, forming a source contact window on a source region of the thin film transistor, and forming an insulating layer on the thin film transistor having a drain contact window on a drain region of the thin film transistor; Forming a source contact made of metal in the contact window and forming a drain contact made of metal in the drain contact window; and forming a metal film that is hardly oxidized on the drain contact. Forming a pixel electrode on the metal film, which is electrically connected to the metal film. To be formed by the process, in which route the pixel portion and the vertical scanning circuit at a gate signal line, and wiring and a horizontal scanning circuit pixel unit in the source signal line. (Function) According to the present invention, the contact resistance between polysilicon and Al or Al-Si alloy is low, the contact resistance between Al or Al-Si alloy and Cr or Ni or Ni-Cr alloy is low, and , Cr or Ni or Ni-Cr alloy and ITO
And the contact resistance between the polysilicon forming the drain region and the ITO can be sufficiently reduced. In addition, by using a contact film that is not easily oxidized by Cr, Ni, or a Ni-Cr alloy, an oxide film such as ITO is used as a pixel electrode. It is possible to prevent the Si alloy from being oxidized and increasing the contact resistance. As a result, it is possible to prevent a decrease in display quality such as a part of the pixel portion not operating due to insufficient transmission of the drain signal to the pixel electrode, and to manufacture a high-yield and highly reliable image display device. Example An example of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit configuration diagram of an image display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial plan view of a pixel portion in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross section taken along line EF in FIG. It is a figure which shows the manufacturing process of. 1, 2 and 3, 10 is a quartz substrate, 11 is a transistor region, 12
Is a gate oxide film, 13 is a gate electrode, 14 is a gate signal line, 15 is a source region, 16 is a drain region, 17 is an interlayer insulating film, 18 is a source contact, 19 is a drain contact, 20 is a source signal line, 21 is a bonding pad, 22 is a contact film, 23 is a pixel electrode, 24 is a protective film, 25 is a liquid crystal alignment film, 26 is a common electrode, 27 is a top glass plate, 28
Denotes a liquid crystal, 29 denotes a pixel portion, 30 denotes a vertical scanning circuit, and 31 denotes a horizontal scanning circuit. First, as shown in FIG. 3 (a), the steps of the manufacturing method are a low pressure CVD on a quartz substrate 10.
A polysilicon layer having a thickness of about 0.2 μm is formed by a method, and a transistor region 11 is formed by plasma etching using a photoresist as a mask. Next, as shown in FIG. 3 (b), in order to form a channel region, a silicon oxide layer having a thickness of about 0.1 μm was formed by thermal oxidation,
A polysilicon layer of about μm is formed, and a gate electrode 13 made of polysilicon and a gate signal line shown in FIG.
Form 14 and. Thereafter, as shown in FIG. 3C, the silicon oxide layer other than the channel region is removed by wet etching, and a gate oxide film 12 is formed. Then, as shown in FIG. 3D, P ⁺ or As ⁺ is ion-implanted into the transistor region using the photoresist as a mask to form a source region 15 and a drain region 16 which are n ⁺ regions. Thereafter, as shown in FIG. 3 (e), an NSG layer having a thickness of about 1 μm is formed on the quartz substrate 10 by a normal pressure CVD method, and a source contact window is formed by etching using a photoresist as a mask. An interlayer insulating film 17 having 18W and a drain contact window 19W is formed. Next, as shown in FIG. 3 (f), an Al or Al-Si alloy film having a thickness of about 1 μm is formed on the quartz substrate by a DC bias sputtering method, and etching is performed using a photoresist as a mask. Source contacts for the above contact windows 18W and 19W respectively
At the same time as forming the drain contact 19 and the source signal line 20 shown in FIG.
And the bonding pad 21 shown in FIG. 1 are formed. Then, as shown in FIG. 3 (h), in order to use an oxide film such as ITO as the pixel electrode 23, the drain contact 19 is formed when the oxide film is formed as shown in FIG. 3 (g). Drain contact 1 to prevent oxidation of Al or Al-Si alloy
A metal that is not easily oxidized so as to cover 9, for example, Cr or Ni or a Cr-Ni alloy film is grown at a growth temperature of about 350 ° C. by a high-frequency magnetron sputtering method to a thickness of 0.2 μm.
After the formation, the contact film 22 is formed by wet etching using a photoresist as a mask. Then, as shown in FIG. 3 (h), the thickness was reduced to 0 by a high-frequency magnetron sputtering method.
After forming an ITO film having a thickness of about 0.1 μm, the pixel electrode 23 is formed by wet etching using a photoresist as a mask. Then, as shown in FIG. 3 (i), a protective film 24 made of silicon nitride having a thickness of about 0.2 μm is formed by a plasma CVD method. Through the above manufacturing steps, as shown in FIG. 1, the pixel section 29 is formed, and at the same time, the vertical scanning circuit 30 and the horizontal scanning circuit 31 are formed by the above-described CMOS process. Thereafter, as shown in FIG. 3 (j), a liquid crystal alignment film 25 is formed of polyimide on the pixel portion 29 shown in FIG. 1 by a liquid crystal process, and after rubbing, a liquid crystal 28 is injected. Then, an upper glass plate 27 for sealing a liquid crystal on which a common electrode 26 is formed is bonded with an adhesive so as to face the quartz substrate 10 to seal the liquid crystal, and an image display device using the liquid crystal is manufactured. You. As described above, according to the present embodiment, the contact resistance between the polysilicon forming the drain region and the ITO is high during the conventional process, and the rubbing of the liquid crystal alignment film and the injection of the liquid crystal in the liquid crystal process are performed. The heat treatment further increases the contact resistance. In this case, it is difficult to sufficiently transmit the drain signal to the pixel electrode, and as a result, a part of the pixel portion does not operate and the display quality can be prevented from being deteriorated. . Although the scanning circuits 30 and 31 are formed on the quartz substrate 10 in the present embodiment, an image display device in which the scanning circuits 30 and 31 are configured in a hybrid manner may be used. In this embodiment, an n-type transistor implanted with P ⁺ or As ⁺ is used as a TFT, but a p-type transistor implanted with B ⁺ may be used. That is, the configuration of the pixel unit 29, the vertical scanning circuit 30, the horizontal scanning circuit 31, and the TFT is not particularly limited. (Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, the contact resistance of polysilicon Al or Al-Si alloy is low, and Al or Al-Si alloy and Cr, Ni or Ni-
The contact resistance of Cr alloy is low, and Cr or Ni or Ni-Cr alloy and IT
Since the contact resistance with O is low, polysilicon forming the drain region and IT
The contact resistance with O can be sufficiently reduced. In addition, by using a contact film that is not easily oxidized by Cr, Ni or a Ni-Cr alloy, an oxide film such as ITO is used as a pixel electrode. Can be prevented from being oxidized to increase the contact resistance. As a result, it is possible to prevent a decrease in display quality such as a part of a pixel portion not operating due to insufficient transmission of a drain signal to a pixel electrode, and to manufacture a high-yield and highly reliable image display device. The practical effects are significant.

【図面の簡単な説明】第１図は本発明の一実施例における画像表示装置の回路構成図、第２図は本発
明の一実施例における画像表示装置の画素部の一部平面図、第３図は本発明の一
実施例における画像表示装置の画素部の一部断面の製造工程を示す図、第４図は
従来の画像表示装置の構成図、第５図は従来の画像表示装置の画素部の一部断面
図である。 10……石英基板、11……トランジスタ領域、12……ゲート酸化膜、13……ゲー
ト電極、14……ゲート信号線、15……ソース領域、16……ドレイン領域、17……
層間絶縁膜、18……ソース・コンタクト、19……ドレイン・コンタクト、20……
ソース信号線、21……ボンディング・パッド、22……コンタクト膜、23……画素
電極、24……保護膜、25……液晶配向膜、26……共通電極、27……上面ガラス板
、28……液晶、29……画素部、30……垂直走査回路、31……水平走査回路。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a circuit configuration diagram of an image display device according to an embodiment of the present invention; FIG. 2 is a partial plan view of a pixel portion of the image display device according to an embodiment of the present invention; 3 is a view showing a manufacturing process of a partial cross section of a pixel portion of the image display device according to one embodiment of the present invention, FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional image display device, and FIG. FIG. 3 is a partial cross-sectional view of a pixel unit. 10 ... quartz substrate, 11 ... transistor region, 12 ... gate oxide film, 13 ... gate electrode, 14 ... gate signal line, 15 ... source region, 16 ... drain region, 17 ...
Interlayer insulating film, 18 ... source contact, 19 ... drain contact, 20 ...
Source signal line, 21 bonding pad, 22 contact film, 23 pixel electrode, 24 protective film, 25 liquid crystal alignment film, 26 common electrode, 27 top glass plate, 28 ... liquid crystal, 29 ... pixel part, 30 ... vertical scanning circuit, 31 ... horizontal scanning circuit.

Claims

(1) In an image display device including a pixel portion having thin film transistors arranged in a matrix on a substrate, and a vertical scanning circuit and a horizontal scanning circuit for driving the pixel portion, and a liquid crystal portion , the pixel portion includes a thin film transistor made of polysilicon layer, a source region source over scan contacts window on the thin-film transistor, an insulating film having respective drain contact window to drain region of the thin film transistor is the A source contact window formed on the thin film transistor;
Aluminum or aluminum-silicon for the drain contact window
A source contact and a drain contact formed of emissions alloy formation, the drain-to refractory metal film oxide on the contact is formed, includes a pixel electrode electrically connected to the metal film on the metal film, the pixel An image display device, wherein the unit and the vertical scanning circuit are wired by a gate signal line, and the pixel unit and the horizontal scanning circuit are wired by a source signal line. (2) In a method for manufacturing an image display device having a pixel portion having thin film transistors arranged in a matrix on a substrate, and a vertical scanning circuit and a horizontal scanning circuit for driving the pixel portion, the pixel portion is formed of polysilicon. A thin film transistor comprising a layer, a source contact window on a source region of the thin film transistor, and forming an insulating layer on the thin film transistor, the insulating layer having a drain contact window on a drain region of the thin film transistor; Forming a source contact made of metal in the window for source contact, forming a drain contact made of metal in the window for drain contact, and forming a metal film hardly oxidized on the drain contact; Forming a pixel electrode on the metal film, the pixel electrode being electrically connected to the metal film. Wherein the pixel portion and the vertical scanning circuit are wired by a gate signal line, and the pixel portion and the horizontal scanning circuit are wired by a source signal line. Method.