JP2604854B2 - 回路板のスルーホール形成方法 - Google Patents
回路板のスルーホール形成方法Info
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- JP2604854B2 JP2604854B2 JP1133935A JP13393589A JP2604854B2 JP 2604854 B2 JP2604854 B2 JP 2604854B2 JP 1133935 A JP1133935 A JP 1133935A JP 13393589 A JP13393589 A JP 13393589A JP 2604854 B2 JP2604854 B2 JP 2604854B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、回路板のスルーホール形成方法に関す
る。
る。
〔従来の技術〕 回路基板の表面に真空蒸着法やスパッタリング法等に
より膜を形成して回路板を得る方法を用いると、メッキ
法等による場合に比べて、セラミック基板に導体膜等
（絶縁体、抵抗体、および誘導体等による成膜も可能）
を比較的容易に形成することができるし、不純物の少な
い高品質の導体膜を形成することもできる。前記真空蒸
着法等によれば、前記メッキ法等による場合に比べて、
回路基板の表面粗さが細かくても導体膜に充分な接合度
が得られるので、導体膜の厚みが充分に薄くなって同膜
部分の導電抵抗が小さくなり、高周波特性に優れた回路
板を得ることができる、等の利点を有している。
より膜を形成して回路板を得る方法を用いると、メッキ
法等による場合に比べて、セラミック基板に導体膜等
（絶縁体、抵抗体、および誘導体等による成膜も可能）
を比較的容易に形成することができるし、不純物の少な
い高品質の導体膜を形成することもできる。前記真空蒸
着法等によれば、前記メッキ法等による場合に比べて、
回路基板の表面粗さが細かくても導体膜に充分な接合度
が得られるので、導体膜の厚みが充分に薄くなって同膜
部分の導電抵抗が小さくなり、高周波特性に優れた回路
板を得ることができる、等の利点を有している。
第５図は、スパッタリング法により、スルーホール用
の孔３…が明けられたアルミナ等の回路基板１の片面に
導体膜を形成するとともに前記孔３…の内周にも同時に
導体膜を形成するようにした方法の一例をあらわしてい
る。同装置は真空容器５を備え、同容器５には、Arガス
の吸気口６と、真空ポンプ７の接続された排気口８とが
開口している。この真空容器５内の空間上位には、ホル
ダー９により前記回路基板１が水平にセットされ、空間
下位には、カソード10上側に設けられたターゲット（飛
散させる部分）２が位置している。前記真空ポンプ７の
作動により、真空容器５内が吸引減圧されて真空状態に
なり、これにより、前記吸気口６を通してArガスが強制
吸引されるようになる。真空容器５内に吸引されたArガ
スにより、回路基板１とターゲット２間にArプラズマを
発生させるとともに、同プラズマにより、ターゲット２
から銅原子（飛散する物質）が飛散するようになる。そ
の結果、銅原子は回路基板１の表面に付着するととも
に、同基板１のスルーホール用孔３…の内周面にも付着
するようになる。
の孔３…が明けられたアルミナ等の回路基板１の片面に
導体膜を形成するとともに前記孔３…の内周にも同時に
導体膜を形成するようにした方法の一例をあらわしてい
る。同装置は真空容器５を備え、同容器５には、Arガス
の吸気口６と、真空ポンプ７の接続された排気口８とが
開口している。この真空容器５内の空間上位には、ホル
ダー９により前記回路基板１が水平にセットされ、空間
下位には、カソード10上側に設けられたターゲット（飛
散させる部分）２が位置している。前記真空ポンプ７の
作動により、真空容器５内が吸引減圧されて真空状態に
なり、これにより、前記吸気口６を通してArガスが強制
吸引されるようになる。真空容器５内に吸引されたArガ
スにより、回路基板１とターゲット２間にArプラズマを
発生させるとともに、同プラズマにより、ターゲット２
から銅原子（飛散する物質）が飛散するようになる。そ
の結果、銅原子は回路基板１の表面に付着するととも
に、同基板１のスルーホール用孔３…の内周面にも付着
するようになる。
ところで、前記方式は、回路基板１をホルダー９で支
持して行なうが、同基板１は、スルーホール用の孔３…
が裏面側において閉止するように支持されていたので、
銅原子は、回路基板１の一側面には比較的容易に到達す
るが、スルーホール用の孔３…内への流入は非常に消極
的になっていた。これを、要部を拡大してみた第６図を
用いてより具体的に説明すると、同図において、回路基
板１の厚みをＴ、スルーホール用の孔３の内径をｄ、回
路基板１の表面に付着した導体膜12の厚みをt0、スルー
ホール用孔３の内周面に付着する導体膜13の厚みをｔと
した場合、 π(d/2)2t0≒πｄ（Ｔ＋t0） …式 と近似するものとなり、 ∴ｔ≒t0×d/4（Ｔ＋t0） …式 となることが判る。式を一例として、たとえば、Ｔ＝
0.635 t0＝0.01を代入して、孔３の内径ｄを変化させた
場合にｔがいくらになるかを第１表に示した。
持して行なうが、同基板１は、スルーホール用の孔３…
が裏面側において閉止するように支持されていたので、
銅原子は、回路基板１の一側面には比較的容易に到達す
るが、スルーホール用の孔３…内への流入は非常に消極
的になっていた。これを、要部を拡大してみた第６図を
用いてより具体的に説明すると、同図において、回路基
板１の厚みをＴ、スルーホール用の孔３の内径をｄ、回
路基板１の表面に付着した導体膜12の厚みをt0、スルー
ホール用孔３の内周面に付着する導体膜13の厚みをｔと
した場合、 π(d/2)2t0≒πｄ（Ｔ＋t0） …式 と近似するものとなり、 ∴ｔ≒t0×d/4（Ｔ＋t0） …式 となることが判る。式を一例として、たとえば、Ｔ＝
0.635 t0＝0.01を代入して、孔３の内径ｄを変化させた
場合にｔがいくらになるかを第１表に示した。
同表にみるように、スルーホール用孔３の内径ｄが小
さくなればなる程、同孔３内に堆積する導体膜13の厚み
ｔは薄くなり、d/Tが１以下、すなわち、回路基板１の
厚みＴに対してｄの方がそれ以下で孔３が細長傾向にな
る場合、回路基板１の平面部分の表面に付着する導体膜
12の厚みt0の２割以下しか得られないことになる。前記
孔３内に堆積して形成される導体膜13は、第７図にみる
ように、ターゲット２側において厚く、それより奥側へ
と次第に薄くなり、これにより、導体膜13の電気抵抗値
が大きくなってしまい、場合によっては、導通不良を生
じることもあった。
さくなればなる程、同孔３内に堆積する導体膜13の厚み
ｔは薄くなり、d/Tが１以下、すなわち、回路基板１の
厚みＴに対してｄの方がそれ以下で孔３が細長傾向にな
る場合、回路基板１の平面部分の表面に付着する導体膜
12の厚みt0の２割以下しか得られないことになる。前記
孔３内に堆積して形成される導体膜13は、第７図にみる
ように、ターゲット２側において厚く、それより奥側へ
と次第に薄くなり、これにより、導体膜13の電気抵抗値
が大きくなってしまい、場合によっては、導通不良を生
じることもあった。
前記事情に鑑みて、この発明の課題とするところは、
スルーホール用孔内周壁に、充分な量でかつ導電抵抗が
小さくなるように導体膜が形成されるとともに緻密な導
体膜が形成されるようにすることにある。
スルーホール用孔内周壁に、充分な量でかつ導電抵抗が
小さくなるように導体膜が形成されるとともに緻密な導
体膜が形成されるようにすることにある。
前記課題を解決するため、この発明にかかる回路板の
スルーホール形成方法は、スルーホール用孔の明けられ
た回路基板の一側面側に接するように導電性材料を配し
て、前記導電性材料で前記スルーホール用孔を塞ぐよう
にするとともに、前記回路基板の導電性材料とは反対側
から前記スルーホール用孔を通るようにして導電性材料
にビームを照射することで、前記導電性材料の一部を加
熱し、同加熱による導電性材料からの飛散物質を前記ス
ルーホール用孔の内周面に向けて付着させて、同内周面
に導体膜を形成するようにする。
スルーホール形成方法は、スルーホール用孔の明けられ
た回路基板の一側面側に接するように導電性材料を配し
て、前記導電性材料で前記スルーホール用孔を塞ぐよう
にするとともに、前記回路基板の導電性材料とは反対側
から前記スルーホール用孔を通るようにして導電性材料
にビームを照射することで、前記導電性材料の一部を加
熱し、同加熱による導電性材料からの飛散物質を前記ス
ルーホール用孔の内周面に向けて付着させて、同内周面
に導体膜を形成するようにする。
スルーホール用孔の明けられた回路基板の一側面側に
接するように導電性材料で前記スルーホール用孔を塞ぐ
ようにするとともに、前記回路基板の導電性材料とは反
対側から前記スルーホール用孔を通るようにして導電性
材料にビームを照射することで、前記導電性材料の一部
を加熱し、同加熱による導電性材料からの飛散物質を前
記スルーホール用孔の内周面に向けて付着させて、同内
周面に導体膜を形成するようにすると、飛散物質が、前
記内周面に対して大きな角度で入射するようになり、同
飛散物質が、スルーホール用孔の外に漏れるという無駄
はほとんどなく、スルーホール用孔の内周面に多くしか
も全体にわたるように付着するとともに、角度をもって
緻密に付着するようになる。
接するように導電性材料で前記スルーホール用孔を塞ぐ
ようにするとともに、前記回路基板の導電性材料とは反
対側から前記スルーホール用孔を通るようにして導電性
材料にビームを照射することで、前記導電性材料の一部
を加熱し、同加熱による導電性材料からの飛散物質を前
記スルーホール用孔の内周面に向けて付着させて、同内
周面に導体膜を形成するようにすると、飛散物質が、前
記内周面に対して大きな角度で入射するようになり、同
飛散物質が、スルーホール用孔の外に漏れるという無駄
はほとんどなく、スルーホール用孔の内周面に多くしか
も全体にわたるように付着するとともに、角度をもって
緻密に付着するようになる。
以下に、この発明を、その実施例をあらわす図面を参
照しつつ詳しく説明する。
照しつつ詳しく説明する。
第１図は、この発明にかかる回路板のスルーホール形
成方法の一実施例を装置としてあらわしている。同装置
は、回路基板20の両側面に予め銅金属からなる導体膜2
1,21を施したものを対象として、そのスルーホール用孔
22…にあとで導体膜を形成するようにするものである。
基板20は、両側面あるいは一側面に導体膜の施される前
のものであってもよい。前記導体膜21,21の施された回
路基板20は、真空容器（図示省略）内に一側面が水平
（水平でなくてもよい）になるように設置されてのち、
同容器内は真空雰囲気23に保たれる。この回路基板20の
下側には、同基板20の底面に、たとえば、0.5mmの間隔
を置いて平行に近接するようにして銅板（導電性材料）
24を配置する。回路基板20の銅板24とは反対側になる上
方位置には電子銃25が設けられている。この電子銃25に
代えてレーザ発振器あるいはイオン銃等を用いることも
できる。前記電子銃25は、電子ビーム26を照射すること
ができ、好ましくは、同ビームを0,2mmφに絞り得るよ
うなものを用いる。前記回路基板20と銅板24とは、電子
銃25のビーム軸がスルーホール用孔22の孔中心を通って
銅板24の面にほぼ垂直に到達するように設置される。同
ビーム軸とスルーホール用孔22の位置合わせは、ビーム
26の偏向あるいは回路基板20の移動調整により行なえば
よい。そして、電子銃25からのビーム26をスルーホール
用孔22内を通して銅板24の表面に照射するようにするこ
とで、銅板24の照射部24aから導電性の金属原子あるい
は粒子が蒸発あるいはスパッタさせ、これらの飛散物質
27…をスルーホール用孔22の内周面22aに導くようにす
る。このとき、前記回路基板20および銅板24を適当な温
度（たとえば、200〜250℃）に予熱しておくと、内周面
22aに形成される金属導体膜の同内周面22aへの密着力が
強くなる。
成方法の一実施例を装置としてあらわしている。同装置
は、回路基板20の両側面に予め銅金属からなる導体膜2
1,21を施したものを対象として、そのスルーホール用孔
22…にあとで導体膜を形成するようにするものである。
基板20は、両側面あるいは一側面に導体膜の施される前
のものであってもよい。前記導体膜21,21の施された回
路基板20は、真空容器（図示省略）内に一側面が水平
（水平でなくてもよい）になるように設置されてのち、
同容器内は真空雰囲気23に保たれる。この回路基板20の
下側には、同基板20の底面に、たとえば、0.5mmの間隔
を置いて平行に近接するようにして銅板（導電性材料）
24を配置する。回路基板20の銅板24とは反対側になる上
方位置には電子銃25が設けられている。この電子銃25に
代えてレーザ発振器あるいはイオン銃等を用いることも
できる。前記電子銃25は、電子ビーム26を照射すること
ができ、好ましくは、同ビームを0,2mmφに絞り得るよ
うなものを用いる。前記回路基板20と銅板24とは、電子
銃25のビーム軸がスルーホール用孔22の孔中心を通って
銅板24の面にほぼ垂直に到達するように設置される。同
ビーム軸とスルーホール用孔22の位置合わせは、ビーム
26の偏向あるいは回路基板20の移動調整により行なえば
よい。そして、電子銃25からのビーム26をスルーホール
用孔22内を通して銅板24の表面に照射するようにするこ
とで、銅板24の照射部24aから導電性の金属原子あるい
は粒子が蒸発あるいはスパッタさせ、これらの飛散物質
27…をスルーホール用孔22の内周面22aに導くようにす
る。このとき、前記回路基板20および銅板24を適当な温
度（たとえば、200〜250℃）に予熱しておくと、内周面
22aに形成される金属導体膜の同内周面22aへの密着力が
強くなる。
第２図はその付着（飛着）する様子をあらわしてお
り、飛散物質27…は、第３図にみる従来の場合のように
遠くから飛散して角度θ′で飛着するものに比べて、そ
れより大きい角度θで入射し飛着するようになるととも
に、近くからの飛着であるので、量的にも従来より増加
するようになる。これにより、導体膜は緻密であるとと
もに密着性に優れ、しかも、充分な厚みをもって形成さ
れるようになる。
り、飛散物質27…は、第３図にみる従来の場合のように
遠くから飛散して角度θ′で飛着するものに比べて、そ
れより大きい角度θで入射し飛着するようになるととも
に、近くからの飛着であるので、量的にも従来より増加
するようになる。これにより、導体膜は緻密であるとと
もに密着性に優れ、しかも、充分な厚みをもって形成さ
れるようになる。
前記実施例では、銅板24が一様な平板状である場合を
示したが、第４図にみるように、スルーホール用孔22に
臨む部分だけが同孔22内に突出する部分28aをもつよう
な銅板（銅に限定はされない）28を用いることができ
る。
示したが、第４図にみるように、スルーホール用孔22に
臨む部分だけが同孔22内に突出する部分28aをもつよう
な銅板（銅に限定はされない）28を用いることができ
る。
この発明にかかる回路板のスルーホール形成方法は、
以上のようにするので、スルーホール用孔内周壁に、量
が充分でありながら導電抵抗が小さくかつ緻密な導体膜
が形成されるようになる。
以上のようにするので、スルーホール用孔内周壁に、量
が充分でありながら導電抵抗が小さくかつ緻密な導体膜
が形成されるようになる。
第１図はこの発明にかかる回路板のスルーホール形成方
法の一実施例を装置としてあらわす断面図、第２図はそ
の飛散物質が内周面に大きな角度で入射する様子をあら
わす断面図、第３図は従来の飛散物質の入射する様子を
あらわす断面図、第４図は導電性材料に凸部が設けられ
た他の実施例をあらわす断面図、第５図は従来のスルー
ホール形成方法を装置としてあらわす模式図、第６図は
同スルーホール用孔内に導体膜が堆積する量を概算によ
り示すための拡大模式図、第７図は同孔内の入口側に導
体膜が堆積した様子をあらわす拡大図である。 20……回路基板、22……スルーホール用孔、24,48……
銅板（導電性材料）、25……電子銃（ビーム照射手
段）、27……飛散物質
法の一実施例を装置としてあらわす断面図、第２図はそ
の飛散物質が内周面に大きな角度で入射する様子をあら
わす断面図、第３図は従来の飛散物質の入射する様子を
あらわす断面図、第４図は導電性材料に凸部が設けられ
た他の実施例をあらわす断面図、第５図は従来のスルー
ホール形成方法を装置としてあらわす模式図、第６図は
同スルーホール用孔内に導体膜が堆積する量を概算によ
り示すための拡大模式図、第７図は同孔内の入口側に導
体膜が堆積した様子をあらわす拡大図である。 20……回路基板、22……スルーホール用孔、24,48……
銅板（導電性材料）、25……電子銃（ビーム照射手
段）、27……飛散物質
Claims (1)
- 【請求項１】スルーホール用孔の明けられた回路基板の
一側面側に接するように導電性材料を配して、前記導電
性材料で前記スルーホール用孔を塞ぐようにするととも
に、前記回路基板の導電性材料とは反対側から前記スル
ーホール用孔を通るようにして導電性材料にビームを照
射することで、前記導電性材料の一部を加熱し、同加熱
による導電性材料からの飛散物質を前記スルーホール用
孔の内周面に向けて付着させて、同内周面に導体膜を形
成するようにする回路板のスルーホール形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133935A JP2604854B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 回路板のスルーホール形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133935A JP2604854B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 回路板のスルーホール形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02310993A JPH02310993A (ja) | 1990-12-26 |
| JP2604854B2 true JP2604854B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=15116511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1133935A Expired - Fee Related JP2604854B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 回路板のスルーホール形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604854B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5597853B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-10-01 | 国立大学法人 千葉大学 | スルーホール電極の形成方法及び電子部品 |
| US20240167147A1 (en) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for depositing material within a through via |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62214170A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-19 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 細孔内壁部表面処理法 |
| US4895735A (en) * | 1988-03-01 | 1990-01-23 | Texas Instruments Incorporated | Radiation induced pattern deposition |
-
1989
- 1989-05-25 JP JP1133935A patent/JP2604854B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02310993A (ja) | 1990-12-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |