JP2603308B2 - Chiral smectic liquid crystal device and manufacturing method - Google Patents

Chiral smectic liquid crystal device and manufacturing method

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JP2603308B2
JP2603308B2 JP22504988A JP22504988A JP2603308B2 JP 2603308 B2 JP2603308 B2 JP 2603308B2 JP 22504988 A JP22504988 A JP 22504988A JP 22504988 A JP22504988 A JP 22504988A JP 2603308 B2 JP2603308 B2 JP 2603308B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示や液晶−光シヤツター等で用いる液
晶素子、特に強誘電性液晶を用いた液晶素子に関し、更
に詳しくは配向の均一性を著しく向上させ、かつ素子の
耐久性を向上させ、暗状態と明状態のコントラストを向
上させた液晶素子に関する。
The present invention relates to a liquid crystal device used for a liquid crystal display or a liquid crystal-optical shutter, and more particularly to a liquid crystal device using a ferroelectric liquid crystal. The present invention relates to a liquid crystal device which has remarkably improved, has improved durability of the device, and has improved contrast between a dark state and a bright state.

〔背景技術〕(Background technology)

強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して、偏光素
子との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素
子がN.A.クラークらにより提案されている(特開昭56−
107216号公報、米国特許第4367924号明細書等)。この
強誘電性液晶は、一般に特定の温度域において、カイラ
ルスメクチツクC相(SmC)又はH相(SmH)を有
し、バルク状態でらせん配列構造を生じるカイラルスメ
クチツクC又はH相の温度下の液晶を、らせん配列構造
の形成を抑制するのに十分に小さい距離に設定した一対
の基板間隔に配置させて得た双安定性配向状態におい
て、加えられる電界に応答して第1の光学的安定状態と
第2の光学的安定状態のいずれかを取り、かつ電界の印
加のないときはその状態を維持するメモリー特性を有
し、また電界の変化に対して高速応答特性を有し、高温
ならびに記憶型の表示素子としての広い利用が期待され
ている。
NA Clark et al. Have proposed a display device of a type that controls transmitted light in combination with a polarizing element by utilizing the refractive index anisotropy of ferroelectric liquid crystal molecules (Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-1981).
No. 107216, U.S. Pat. No. 4,367,924, etc.). The ferroelectric liquid crystal generally has a chiral smectic C phase (SmC * ) or an H phase (SmH * ) in a specific temperature range, and generates a helical array structure in a bulk state. In response to an applied electric field, the liquid crystal at the phase temperature is placed in a bistable alignment state obtained by disposing the liquid crystal at a distance between a pair of substrates set at a distance small enough to suppress the formation of a helical alignment structure. It has a memory characteristic that takes one of the first optically stable state and the second optically stable state and maintains the state when no electric field is applied, and has a high-speed response characteristic to changes in the electric field. It is expected to be widely used as a high temperature and storage type display element.

この双安定性配向状態を生じた強誘電性スメクチツク
液晶を用いた光学変調素子が製品として前述のメモリー
特性及び高速応答特性を発揮するためには、双安定性配
向状態が安定に均一に存在し、かつ素子としての耐久性
に優れ、明状態と暗状態のコントラスト比が大きいこと
が必要であった。
In order for an optical modulator using a ferroelectric smectic liquid crystal having this bistable alignment state to exhibit the aforementioned memory characteristics and high-speed response characteristics as a product, the bistable alignment state must exist stably and uniformly. In addition, it is necessary that the device has excellent durability and a high contrast ratio between a bright state and a dark state.

岡田らは、USP4639089で、コレステリツク相を生じる
温度範囲を有する強誘電性スメクチツク液晶をラビング
処理や斜方蒸着処理などによって付与された一軸性配向
処理軸を有する液晶素子に適用することによって、均一
な双安定性配向状態の強誘電性スメクチツク液晶素子を
実現したことを明らかにしている。
Okada et al., In USP 4639089, applied a ferroelectric smectic liquid crystal having a temperature range in which a cholesteric phase occurs to a liquid crystal element having a uniaxial alignment treatment axis given by rubbing treatment, oblique deposition treatment, etc. It is clear that a ferroelectric smectic liquid crystal device in a bistable alignment state has been realized.

ラビング処理や斜方蒸着処理によって実現した均一な
双安定性配向状態の強誘電性スメクチツク液晶素子は、
N.A.クラークらのものと比較して明状態のメモリー下で
の透過光量が小さくなることがあった。
A ferroelectric smectic liquid crystal device with a uniform bistable alignment state realized by rubbing or oblique evaporation processing
In some cases, the amount of transmitted light under a bright memory was smaller than that of NA Clark et al.

上述の双安定性配向状態の強誘電性スメクチツク液晶
素子は、その配向状態が均一であることから、液晶分子
が高い秩序度の配列を生じている。この液晶分子の高い
秩序度の配列状態は、セル外部からの応力、例えば衝撃
力や歪み力に対しては、もろい性質をもっており、かか
る力が印加された時には、液晶分子の配列状態に乱れを
生じ、代表的にはサンデツド・ステクチヤーを発生す
る。衝撃力によるサンデツド・テクスチヤーの発生は、
例えば坪山らのUSP4674839で明らかにされている。
In the above-mentioned ferroelectric smectic liquid crystal element in the bistable alignment state, the liquid crystal molecules are arranged with a high degree of order because the alignment state is uniform. The arrangement state of the liquid crystal molecules having a high degree of order has a fragile property against a stress from the outside of the cell, for example, an impact force or a strain force, and when such a force is applied, the arrangement state of the liquid crystal molecules is disturbed. And typically produces a sanded stalk. The occurrence of sanded texture due to impact force,
For example, it was revealed in USP4674839 by Tsuboyama et al.

本発明者らは、配向処理法としてラビング処理法や斜
方蒸着処理法を採用することによって、高い秩序度の配
列状態を有する双安定性配向状態となっている上、セル
外部からの応力に対して強い安定度を示す配向状態を見
い出した。
By adopting a rubbing treatment method or an oblique deposition treatment method as an orientation treatment method, the present inventors have obtained a bistable orientation state having an arrangement state with a high degree of order, and also have a method of applying stress from outside the cell. On the other hand, an orientation state showing strong stability was found.

〔発明の概要〕[Summary of the Invention]

そこで、本発明の目的は、衝撃又は歪みに対して強い
安定度を示す均一な双安定性配向状態の強誘電性スメク
チツク液晶素子を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a ferroelectric smectic liquid crystal element having a uniform bistable alignment state exhibiting strong stability against impact or distortion.

本発明の別の目的は、明状態と暗状態とのコントラス
トが大きい均一な双安定性配向状態の強誘電性スメクチ
ツク液晶素子を提供することにある。
It is another object of the present invention to provide a ferroelectric smectic liquid crystal element in a uniform bistable alignment state having a large contrast between a bright state and a dark state.

本発明によれば、a.一軸性配向処理が施された一対の
基板、 b.該一対の基板間に配置され、カイラルスメクチックC
相内で高温側と低温側とで異なる双安定配向状態を生じ
るカイラルスメクチック液晶であって、低温側での配向
状態を有するカイラルスメクチック液晶、及び c.前記双安定性配向状態を光学的に識別するため手段、 を有するカイラルスメクチック液晶素子、が提供され
る。
According to the present invention, a. A pair of substrates subjected to a uniaxial orientation treatment, b. A chiral smectic C disposed between the pair of substrates
A chiral smectic liquid crystal having a bistable alignment state different between a high temperature side and a low temperature side in a phase, wherein the chiral smectic liquid crystal has an alignment state at a low temperature side, and c. Optically identifying the bistable alignment state A chiral smectic liquid crystal device comprising:

また、本発明によれば、 a.一軸性配向処理が施された一対の基板、 b.結合した一対のヘアピン欠陥及びライトニング欠陥を
発生する傾向の2つの異なる状態を生じ得るカイラルス
メクチック液晶であって、前記一軸配向処理の方向に沿
って前でライトニング欠陥、後方でヘアピン欠陥を発生
する発生秩序を示す配向状態を有するカイラルスメクチ
ック液晶、及び c.前記2つの異なる状態を光学的に識別するための手
段、 を有するカイラルスメクチック液晶素子、が提供され
る。
Further, according to the present invention, there are provided: a pair of substrates subjected to a uniaxial orientation treatment; b. A chiral smectic liquid crystal capable of generating two different states of a tendency to generate a pair of coupled hairpin defects and lightening defects. A chiral smectic liquid crystal having an alignment state indicating a generation order in which a lightning defect is generated in front of the uniaxial alignment process and a hairpin defect is generated in the rear, and c. In order to optically distinguish the two different states. The present invention provides a chiral smectic liquid crystal device comprising:

〔発明の態様の詳細な説明〕(Detailed description of embodiments of the invention)

第1図は本発明の強誘電性液晶セルの1例を模式的に
描いたものである。
FIG. 1 schematically illustrates an example of the ferroelectric liquid crystal cell of the present invention.

11aと11bは、それぞれIn2O3やITO(Indium Tin Oxid
e)等の透明電極12aと12bで被覆された基板(ガラス
板)であり、その上に200Å〜1000Å厚の絶縁膜13aと13
b(SiO2膜、TiO2膜、Ta2O5膜など)とポリイミド、ポリ
アミド、ポリエステル等で形成した50Å〜1000Å厚の配
向制御膜14aと14bとがそれぞれ積層されている。
11a and 11b are In 2 O 3 and ITO (Indium Tin Oxid
e) a substrate (glass plate) covered with transparent electrodes 12a and 12b, etc., on which insulating films 13a and 13
b (SiO 2 film, TiO 2 film, Ta 2 O 5 film, etc.) and alignment control films 14 a and 14 b each formed of polyimide, polyamide, polyester or the like and having a thickness of 50 to 1000 mm are laminated.

この際、平行かつ同一向き(第1図でいえばA方向)
になるようラビング処理(矢印方向)した配向処理膜14
aと14bが配置されている。基板11aと11bとの間には、強
誘電性スメクチツク液晶15が配置され、基板11aと11bと
の間隔の距離は、強誘電性スメクチツク液晶15のらせん
配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい距離(例え
ば0.1μm〜3μm)に設定され、強誘電性スメクチツ
ク液晶15は双安定性配向状態を生じている。上述の十分
に小さい距離は、基板11aと11bとの間に配置したビーズ
スペーサ16(シリカビーズ、アルミナビーズ)によって
保持される。
At this time, they are parallel and in the same direction (direction A in FIG. 1).
Rubbed (in the direction of the arrow) to give an alignment film 14
a and 14b are arranged. A ferroelectric smectic liquid crystal 15 is disposed between the substrates 11a and 11b, and the distance between the substrates 11a and 11b is sufficient to suppress the formation of a helical array structure of the ferroelectric smectic liquid crystal 15. When the distance is set to a small distance (for example, 0.1 μm to 3 μm), the ferroelectric smectic liquid crystal 15 has a bistable alignment state. The above-described sufficiently small distance is held by bead spacers 16 (silica beads, alumina beads) arranged between the substrates 11a and 11b.

このセルには、液晶分子の配向変調を光学的に識別す
るために、2枚の偏光子17a,17bがクロスニコルで配置
されている。
In this cell, two polarizers 17a and 17b are arranged in crossed Nicols in order to optically identify the alignment modulation of the liquid crystal molecules.

本発明者らの実験によれば、下述の実施例で明らかに
した液晶材料と配向制御膜を用いることによって、カイ
ラルスメクチツクC相の温度範囲における高温側と低温
側とで生じる双安定性配向状態が相違し、低温側での双
安定性配向状態が衝撃又は歪みに対して強い安定度を示
し、且つ明状態と暗状態との大きなコントラストを示す
ことが判明した。低温側での双安定性配向状態の強誘電
性スメクチツク液晶は、ラビング処理方向(第7図に示
す様にプレチルト角θprを生じた液晶分子の傾斜方向
(矢印方向)の基板面への写影方向)に従って前でライ
トニング欠陥、後ろでヘアピン欠陥を発生する発生秩序
を生じる配向状態にあり、これに対し、高温側ではラビ
ング処理方向に従って前でヘアピン欠陥、後ろでライト
ニング欠陥を発生する発生秩序を生じる配向状態を有し
ている。以下、カイラルスメクチツクC相の温度範囲に
おいて、便宜上、上述の高温側での配向状態を「C1配
向」と言い、低温側での配向状態を「C2配向」と言う。
ここで、「便宜上」と表現したのは、後述する様に2つ
の異なる配向状態が温度のみに依存していない理由から
である。
According to the experiments performed by the present inventors, the use of the liquid crystal material and the alignment control film clarified in the examples described below makes it possible to obtain the bistable state which occurs on the high temperature side and the low temperature side in the temperature range of the chiral smectic C phase. It was found that the crystalline orientation states were different, and the bistable orientation state on the low temperature side showed strong stability against impact or strain, and showed a large contrast between the bright state and the dark state. The ferroelectric smectic liquid crystal in the bistable alignment state at the low temperature side is projected onto the substrate surface in the rubbing direction (the tilt direction (arrow direction) of the liquid crystal molecules having a pretilt angle θpr as shown in FIG. 7). Direction), a lightning defect is generated in front and a hairpin defect is generated in the rear. The resulting alignment state. Hereinafter, in the temperature range of the chiral smectic C phase, for convenience, the above-described orientation state on the high temperature side is referred to as “C1 orientation”, and the orientation state on the low temperature side is referred to as “C2 orientation”.
Here, the expression “for convenience” is used because two different orientation states do not depend only on the temperature as described later.

第2図は参照写真1(倍率:10×10倍)のスケツチ図
で、第3図は参考写真2(倍率:10×10倍)のスケツチ
図で、第4図は参照写真3(倍率:10×10倍)のスケツ
チ図で、第5図は参考写真4(倍率:10×10倍)のスケ
ツチ図で、第6図は参考写真5(倍率:10×10倍)のス
ケツチ図である。第2図はC1配向の状態を示し、第6図
はC2配向の状態を示し、第3図〜第5図はラビング処理
方向に従って前でライトニング欠陥、後ろでヘアピン欠
陥を発生する発生秩序を生じる配向状態と、ラビング処
理方向に従って、前でヘアピン欠陥、後ろでライトニン
グ欠陥を発生する発生秩序を生じる配向状態との混在状
態(以下「C1/C2混在配向」という)を示している。第
2図〜第6図は、何れも消光位(90゜クロスニコル下で
の最暗位置)での状態である。
FIG. 2 is a sketch of Reference Photo 1 (magnification: 10 × 10 ×), FIG. 3 is a sketch of Reference Photo 2 (magnification: 10 × 10), and FIG. 4 is Reference 3 (magnification: FIG. 5 is a sketch of Reference Photo 4 (magnification: 10 × 10), and FIG. 6 is a sketch of Reference Photo 5 (magnification: 10 × 10). . FIG. 2 shows a state of C1 orientation, FIG. 6 shows a state of C2 orientation, and FIGS. 3 to 5 show a generation order of generating a lightning defect in front and a hairpin defect in rear according to the rubbing direction. A mixed state of an alignment state and an alignment state that generates a generation order in which a hairpin defect occurs in front and a lightning defect occurs in the rear according to the rubbing direction (hereinafter, referred to as “C1 / C2 mixed alignment”) is shown. 2 to 6 show the state at the extinction position (the darkest position under 90 ° crossed Nicols).

又、本発明者らの観察によれば、第2図〜第5図に示
すCI配向ドメイン20の占有面積は優勢的にも大きなもの
であった。
According to the observations made by the present inventors, the area occupied by the CI alignment domains 20 shown in FIGS. 2 to 5 was also large predominantly.

この最に用いた液晶材料は、チツソ社製の強誘電性ス
メクチツク液晶である「CS−1014」(商品名)を用い、
配向制御膜は日産化学工業社製の脂環式ポリイミド膜形
成液である「サンエバー150」(商品名)を用いた。ラ
ビング処理は、上下基板に互いに平行で、且つ同一処理
方向とし、上下基板の間隔を1.5μmの距離に設定した
(詳細は下述の実施例1に示す)。このセルにおける相
転移温度は、下記のとおりであった。
The most recently used liquid crystal material is "CS-1014" (trade name) which is a ferroelectric smectic liquid crystal manufactured by Chitso Corporation.
As the orientation control film, "Sunever 150" (trade name), which is an alicyclic polyimide film forming solution manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., was used. The rubbing treatment was performed in parallel to the upper and lower substrates and in the same processing direction, and the distance between the upper and lower substrates was set to a distance of 1.5 μm (details will be described in Example 1 below). The phase transition temperatures in this cell were as follows.

ISO;等方相 Ch;コレステリツク相 SmA;スメクチツクA相 SmC1;カイラルスメクチツクC相のうちC1配向状態の
相 SmC1/C2;カイラルスメクチツクC相のうちC1/C2混在
配向状態の相 SmC2;カイラルスメクチツクC相のうちC2配向状態の
相 Cry;結晶相 Iso−Ch相転移点,Ch−SmA相転移点,SmA−SmC1相転
移点及びSmC2−Cry、相転移点はスイス国メトラー社
製「FP800温度制御装置」(商品名)によって測定した
温度で、SmC1−SmC1/C2相転移点及びSmC1/C2−Sm
C2相転移点は降温下の顕微鏡観察で求めた温度であ
る。
ISO; isotropic phase Ch; cholesteric phase SmA; smectic A phase Sm * C1; phase in C1 orientation state among chiral smectic C phases Sm * C1 / C2; C1 / C2 mixed orientation in chiral smectic C phase Phase Sm * C2; chiral smectic C phase of C2 orientation phase Cry; crystalline phase Iso-Ch phase transition point, Ch-SmA phase transition point, SmA-Sm * C1 phase transition point and Sm * C2 -Cry, phase transition point is a temperature measured by "FP800 temperature controller" (trade name) manufactured by Mettler, Switzerland, and is Sm * C1-Sm * C1 / C2 phase transition point and Sm * C1 / C2-Sm.
* The C2 phase transition point is the temperature determined by microscopic observation at a reduced temperature.

第2図によれば、C1配向ドメイン20の消光位は(暗状
態を最暗に設定する90゜クロスニコルの位置)は、青色
状態であって、青色の明状態21と青色の暗状態22が存在
している。第6図によれば、C2配向ドメイン30の消光位
は黒色状態であって白色の明状態31と黒色の暗状態32が
存在している。又、第3図〜第5図によれば消光位が青
色のC1配向ドメイン20と消光位が黒色のC2配向ドメイン
30とが混在している状態を明らかにしている。また、C1
配向ドメイン20,C2配向ドメイン30及びC1/C2混在配向ド
メイン40のそれぞれの状態下で、50μsec,+30Vのパル
スを印加した後に、消光位での状態を観察したところ、
C1配向ドメイン20の消光位は青色で、C2配向ドメイン30
の消光位は黒色であった。さらに、C1配向ドメイン20,C
2配向ドメイン30及びC1/C2混在配向ドメイン40のそれぞ
れの状態下で、50μsec,−30Vの反転パルスを印加した
後に、消光位での状態を観察したところ、やはりC1配向
ドメイン20の消光位は青色で、C2配向ドメイン30の消光
位は黒色であった。
According to FIG. 2, the extinction position of the C1 alignment domain 20 (the position of 90 ° crossed Nicols at which the dark state is set to the darkest) is the blue state, ie, the blue light state 21 and the blue dark state 22. Exists. According to FIG. 6, the extinction position of the C2 alignment domain 30 is a black state, and there are a white bright state 31 and a black dark state 32. According to FIGS. 3 to 5, the C1 alignment domain 20 having a blue extinction position and the C2 alignment domain having a black extinction position are shown.
It is clear that 30 and 30 are mixed. Also, C1
Under each state of the alignment domain 20, the C2 alignment domain 30, and the C1 / C2 mixed alignment domain 40, after applying a pulse of 50 μsec, +30 V, the state in the extinction position was observed.
The extinction position of the C1 alignment domain 20 is blue, and the C2 alignment domain 30 is blue.
Was black. Furthermore, C1 orientation domain 20, C
Under the respective states of the 2 orientation domain 30 and the C1 / C2 mixed orientation domain 40, after applying a 50 μsec, −30 V inversion pulse, and observing the state at the extinction position, the extinction position of the C1 orientation domain 20 was also found. It was blue and the extinction position of the C2 alignment domain 30 was black.

以上の実験から、カイラルスメクチツクC相の温度範
囲において、互いに相違した配向状態のC1配向ドメイン
20とC2配向ドメイン30の相を有し、降温下でC2配向ドメ
イン30が次第に成長し、優勢的にC1配向ドメイン20を無
視できる程大きくなることが判った(シール材周辺部を
除いた全ドメインに対して60%以上のC2配向ドメイン30
の占有面積を有している)。又、下述の実施例で明らか
にするが、C2配向ドメイン30ほほとんど占める双安定性
配向状態の強誘電性スメクチツク液晶素子はC1配向ドメ
イン20下のもの及び従来の双安定性配向状態(上下基板
に平行で、且つ互いに反対方向のラビング処理を付与し
たことによって生じた配向状態)のものと比較して、外
部から衝撃力や歪み力に対する強い安定度及び明状態と
暗状態の大きなコントラストを奏することが判明した。
From the above experiments, it was found that the C1 alignment domains having different alignment states in the temperature range of the chiral smectic C phase.
It has a phase of 20 and C2 orientation domain 30, and it was found that the C2 orientation domain 30 gradually grows at a lower temperature, and the C1 orientation domain 20 becomes predominantly large so as to be negligible. 60% or more C2 oriented domain 30 to the domain
Occupied area). Further, as will be apparent from the examples described below, the ferroelectric smectic liquid crystal devices in the bistable alignment state occupying almost the C2 alignment domain 30 are those under the C1 alignment domain 20 and those in the conventional bistable alignment state (up and down). (A state of alignment caused by applying rubbing treatments in parallel to the substrate and in the opposite directions to each other). Stronger stability against impact force and strain force from the outside and greater contrast between the bright state and the dark state. It turned out to play.

第3図は51.3℃、第4図は51.2℃、第5図は51.1℃で
のC1/C2混在配向ドメイン40を示している。第3図〜第
5図は、C1/C2混在配向ドメイン40が降温下で次第にC2
配向ドメイン30のドメインを成長させていく態様を明ら
かにしている。第3図〜第5図によれば、C2配向30は、
降温下で第2図に示すC1配向ドメイン20と第3図〜第5
図に示すC1/C2混在配向ドメイン40を通して形成されて
いることが判る。
3 shows the C1 / C2 mixed orientation domain 40 at 51.3 ° C., FIG. 4 shows 51.2 ° C., and FIG. 5 shows 51.1 ° C. FIG. 3 to FIG. 5 show that the C1 / C2 mixed orientation domain 40 gradually becomes C2 at lower temperature.
An aspect in which the domain of the orientation domain 30 is grown is clarified. According to FIGS. 3 to 5, the C2 orientation 30 is:
Under cooling, the C1 alignment domain 20 shown in FIG.
It can be seen that it is formed through the C1 / C2 mixed orientation domain 40 shown in the figure.

第7図(A)及び(B)は、ほとんどのドメインがC1
配向ドメインであって、このC1配向ドメイン内に生じた
ヘアピン欠陥とライトニング欠陥を模式的に示した平面
図と断面図である。第7図(C)及び(D)は、ほとん
どのドメインがC2配向ドメインであって、このC2配向ド
メイン内に生じたヘアピン欠陥とライトニング欠陥を模
式的に示した平面図と断面図である。
FIGS. 7 (A) and (B) show that most domains are C1
FIG. 4 is a plan view and a cross-sectional view schematically showing an orientation domain, which is a hairpin defect and a lightning defect generated in the C1 orientation domain. FIGS. 7 (C) and 7 (D) are a plan view and a cross-sectional view schematically showing a hairpin defect and a lightning defect generated in most of the domains which are C2-oriented domains.

第7図中の71は、ラビング処理方向Aの配向処理が付
与された上下配向制御膜14aと14bとの間隔に形成された
複数のカイラルスメクチツクC相下の液晶分子72で組織
した異なる配向状態の分子層(分子層71として、C1配向
ドメイン73を組織する分子層と、C2配向ドメイン74を組
織する分子層とを有している)を表わしている。
In FIG. 7, reference numeral 71 denotes a different structure organized by a plurality of liquid crystal molecules 72 under a plurality of chiral smectic C phases formed at intervals between the upper and lower alignment control films 14a and 14b to which the alignment treatment in the rubbing direction A is applied. 3 shows a molecular layer in an oriented state (the molecular layer 71 has a molecular layer that organizes the C1 orientation domain 73 and a molecular layer that organizes the C2 orientation domain 74).

第7図によれば、C1配向ドメイン73を形成する分子層
71は傾斜しており、上下配向制御膜14aと14bでの隣接付
近の傾斜角θは鋭角となっている。これに対し、C2配
向ドメイン74を形成する分子層71の傾斜角θは、上下
とも鈍角となっている。
According to FIG. 7, the molecular layer forming the C1 alignment domain 73
71 is inclined, the inclination angle theta A near neighbor in the vertical alignment control films 14a and 14b has a sharp. In contrast, the inclination angle theta B molecule layer 71 to form a C2 alignment domain 74 is obtuse both the upper and lower.

ペアピン欠陥76とライトニング欠陥75は、C1配向ドメ
イン73とC2配向ドメイン74との隣接部で発生し、第7図
(A)及び(B)に示す双安定性状態のC1配向ドメイン
73内では、ラビング処理方向Aに従って前でヘアピン欠
陥76、後ろでライトニング欠陥75を発生している。
The pair pin defect 76 and the lightning defect 75 are generated adjacent to the C1 orientation domain 73 and the C2 orientation domain 74, and are in the bistable C1 orientation domain shown in FIGS. 7A and 7B.
In 73, a hairpin defect 76 is generated in front of the rubbing direction A, and a lightning defect 75 is generated behind.

又、第7図(C)及び(D)に示す双安定性配向状態
のC2配向ドメイン74内では、ラビング処理方向Aに従っ
て前でライトニング欠陥75、後ろでヘアピン欠陥76を発
生している。
Further, in the C2 orientation domain 74 in the bistable orientation state shown in FIGS. 7C and 7D, a lightning defect 75 is generated before and a hairpin defect 76 is generated behind according to the rubbing direction A.

又、第2図に示すC1配向ドメイン20を生じているセル
に対して、歪みを印加した時に、その印加部にC2配向ド
メインが生じる(すなわち、C1配向ドメインとC2配向ド
メインとの隣接域を生じ、このため欠陥とライトニング
欠陥を発生する)。
In addition, when strain is applied to the cell in which the C1 alignment domain 20 shown in FIG. 2 is generated, a C2 alignment domain is generated at the applied portion (that is, the adjacent region between the C1 alignment domain and the C2 alignment domain is formed). And thus, defects and lightning defects).

第8図(A)は、C1配向下の配向状態における液晶分
子72と分子層71の拡大図で、第8図(B)はC1配向下の
配向状態のC−ダイレクタ(分子層71の法線に対して垂
直な仮想面への分子長軸80の写影)81を表わしている。
第9図(A)は、C2配向下の配向状態における液晶分子
72と分子層71の拡大図で、第9図(B)はC2配向下の配
向状態のC−ダイレクタを表わしている。分子層71内の
分子長軸80は、上配向制御膜12aの界面から下配向制御
膜12bの界面までの間を円錐82の底面83(円形)に沿っ
た位置を変化させて配列している。尚、第8図(B)及
び第9図(B)のそれぞれの左図と右図とは、それぞれ
正(又は負)極性パルスと負(又は正)極性パルス印加
後の配向状態である。第8図において、84は折れ曲り構
造を生じている分子層71の隣接する配向制御膜14aに対
する回転方向で、85は配向制御膜14aに隣接する液晶分
子(分子長軸80)の浮き上り回転方向であり回転方向84
と85とは互いに同一回転方向である。第9図において、
91は折れ曲り構造を生じている分子層71の隣接する配向
制御膜14aに対する回転方向で、92は配向制御膜14aに隣
接する液晶分子(分子長軸80)の浮き上り回転方向であ
り、回転方向91と92とは互いに逆回転方向にある。
FIG. 8A is an enlarged view of the liquid crystal molecules 72 and the molecular layer 71 in the alignment state under the C1 alignment, and FIG. 8B is a C-director in the alignment state under the C1 alignment (the method of forming the molecular layer 71). (Projection of molecular long axis 80 on an imaginary plane perpendicular to the line) 81.
FIG. 9 (A) shows a liquid crystal molecule in an alignment state under C2 alignment.
FIG. 9 (B) is an enlarged view of the molecular layer 72 and the molecular layer 71. FIG. 9 (B) shows the C-director in the orientation state under the C2 orientation. The molecular major axis 80 in the molecular layer 71 is arranged by changing the position along the bottom surface 83 (circle) of the cone 82 between the interface of the upper alignment control film 12a and the interface of the lower alignment control film 12b. . The left and right views of FIGS. 8 (B) and 9 (B) show the orientation state after the application of the positive (or negative) polarity pulse and the negative (or positive) polarity pulse, respectively. In FIG. 8, reference numeral 84 denotes a rotation direction of the molecular layer 71 having the bent structure with respect to the adjacent alignment control film 14a, and reference numeral 85 denotes a floating rotation of liquid crystal molecules (molecular long axis 80) adjacent to the alignment control film 14a. Direction and rotation direction 84
And 85 are in the same rotational direction. In FIG.
Reference numeral 91 denotes a rotation direction of the molecular layer 71 having the bent structure with respect to the adjacent alignment control film 14a, and reference numeral 92 denotes a floating rotation direction of liquid crystal molecules (molecular long axis 80) adjacent to the alignment control film 14a. The directions 91 and 92 are in opposite rotation directions.

第10図は、上下配向制御膜14aと14bに平行であるが、
互いにラビング処理方向Aを反対方向とした時に生じた
配向状態を表わしている。第10図(A)に示す配向状態
は、カイラルスメクチツクC相下の液晶分子72と複数の
液晶分子72で組織した異なる配向状態の分子層71を有し
ている。第10図(A)に示す配向状態では、上配向制御
膜14aに付与したラビング処理の方向Aを基準にして、
図中右側の分子層71Rはその隣接付近で鋭角θに傾斜
し、図中左側の分子層71Lはその隣接付近で鈍角θ
傾斜している。下配向制御膜14bに付与したラビング処
理の方向Aを基準とした時は、分子層71Rはその隣接付
近で鈍角θに傾斜し、分子層71Lはその隣接付近で鋭
角θに傾斜している。すなわち、分子層71Rと71Lは、
ともに上下で分子層の傾斜角が鋭角θと鈍角θとな
っている。この配向状態のC−ダイレクタを第10図
(B)と(C)に示す。第10図(B)は、分子層71Lの
C−ダイレクタ81を示し、それぞれの左図と右図とは、
それぞれ正(又は負)極性パルスと負(又は正)極性パ
ルス印加後の配向状態に対応している。又、第10図
(C)は、分子層71RのC−ダイレクタ81を示し、それ
ぞれ左図と右図とは上述と同様のパルス印加後の配向状
態に対応している。
FIG. 10 is parallel to the vertical alignment control films 14a and 14b,
It shows an alignment state generated when the rubbing direction A is set to the opposite direction. The alignment state shown in FIG. 10A has a liquid crystal molecule 72 under the chiral smectic C phase and a molecular layer 71 of a different alignment state organized by a plurality of liquid crystal molecules 72. In the orientation state shown in FIG. 10 (A), with reference to the rubbing direction A applied to the upper orientation control film 14a,
Molecular layer 71R in the right side in the drawing is inclined at an acute angle theta X near its neighbor, the molecular layer 71L on the left side of the drawing is inclined at an obtuse angle theta Y near its neighbor. When relative to the direction A of the rubbing process was applied under the orientation control layer 14b, the molecular layer 71R is inclined at an obtuse angle theta Y near its neighbor, the molecular layer 71L is inclined at an acute angle theta X near its neighbor I have. That is, the molecular layers 71R and 71L are
Inclination angle of the molecular layer is an acute angle theta X and obtuse theta Y together with the vertical. The C-director in this orientation is shown in FIGS. 10 (B) and (C). FIG. 10 (B) shows the C-director 81 of the molecular layer 71L.
These correspond to the orientation state after the application of the positive (or negative) polarity pulse and the negative (or positive) polarity pulse, respectively. FIG. 10 (C) shows the C-director 81 of the molecular layer 71R. The left and right views respectively correspond to the orientation state after the pulse application as described above.

第7図に示すC1配向ドメイン73とC2配向ドメイン74と
での分子層71の傾斜角は、C1配向ドメイン73の場合で、
上下とも鋭角θであって、C2配向ドメイン74の場合
で、上下とも鈍角θである。
The tilt angle of the molecular layer 71 between the C1 alignment domain 73 and the C2 alignment domain 74 shown in FIG.
Vertically with a sharp theta A, in the case of C2 alignment domain 74, a vertical with obtuse theta B.

又、C1配向ドメイン73に対応するC−ダイレクタの配
向状態(第8図(B)に示す)とC2配向ドメイン74に対
応するC−ダイレクタの配向状態(第9図(B)に示
す)とは、互いに非対称であるのに対し、第10図(A)
に示す分子層71Rと71Lとに対応するそれぞれのC−ダイ
レクタの配向状態は、第10図(B)と(C)とで、互い
に光学的に等価で、その配列で対称となっている。
The orientation state of the C-director corresponding to the C1 orientation domain 73 (shown in FIG. 8B) and the orientation state of the C-director corresponding to the C2 orientation domain 74 (shown in FIG. 9B) are shown. Are asymmetric to each other, whereas FIG. 10 (A)
The orientation states of the C-directors corresponding to the molecular layers 71R and 71L shown in FIG. 10 are optically equivalent to each other in FIGS. 10B and 10C, and are symmetric in their arrangement.

第11図は、参考写真6(倍率:10×5倍)のスケツチ
図で、第12図は参考写真7(倍率:20×10倍)のスケツ
チ図で、第13図は参考写真8(倍率:20×10倍)のスケ
ツチ図で、第14図は参考写真9(倍率:20×10倍)のス
ケツチ図である。第12図は、第11図に示す領域Iの拡大
図で、第13図は第11図に示す領域IIの拡大図である。
尚、参考写真6は、全面が暗状態にスイツチされてお
り、90゜クロスニコルを消光位に設定した時の写真であ
る。参考写真7〜9は、何れも全面を暗状態にスイツチ
した後、90゜クロスニコルを消光位から若干ずらせた時
の写真であるため、全体が黒味がかっている。
FIG. 11 is a sketch of Reference Photo 6 (magnification: 10 × 5), FIG. 12 is a sketch of Reference Photo 7 (magnification: 20 × 10), and FIG. 13 is Reference 8 (magnification). 14 is a sketch drawing of Reference Photo 9 (magnification: 20 × 10). FIG. 12 is an enlarged view of the area I shown in FIG. 11, and FIG. 13 is an enlarged view of the area II shown in FIG.
Reference photograph 6 is a photograph in which the entire surface is switched to a dark state and 90 ° crossed Nicols are set to the extinction position. The reference photographs 7 to 9 are photographs in which the 90 ° crossed Nicols are slightly shifted from the extinction position after the entire surface is switched to a dark state, and thus the entirety is blackish.

第11図に示す配向状態では、C1配向ドメイン73とC2配
向ドメイン74とが混在し、それぞれの隣接域にライトニ
ング欠陥75とヘアピン欠陥73が発生している。第11図か
ら判るとおり、C2配向ドメイン74がC1配向ドメイン73に
よって囲まれて発生した時には、ラビング処理方向Aに
沿ってC1配向ドメイン73からC2配向ドメイン74に変化し
ていると、ライトニング欠陥75を発生し、さらにラビン
グ処理方向Aに沿ってC2配向ドメイン74からC1配向ドメ
イン73に変化していると、ヘアピン欠陥73が発生する。
In the orientation state shown in FIG. 11, the C1 orientation domain 73 and the C2 orientation domain 74 are mixed, and a lightning defect 75 and a hairpin defect 73 are generated in adjacent areas. As can be seen from FIG. 11, when the C2 alignment domain 74 is generated by being surrounded by the C1 alignment domain 73, if the C1 alignment domain 73 changes from the C1 alignment domain 73 to the C2 alignment domain 74 along the rubbing direction A, the lightning defect 75 Occurs, and the hairpin defect 73 occurs when the orientation changes from the C2 orientation domain 74 to the C1 orientation domain 73 along the rubbing direction A.

本発明は、前述の第2図〜第6図で明らかにした様
に、液晶材料と配向制御膜を適性に選択すると降温過程
でC2配向ドメイン74をセル内のほとんどの面積(シール
材周辺部を除いた全ドメインに対して60%以上、好まし
くは80%以上の占有面積)に亘って生じさせることがで
きる。本発明の好ましい具体例では、C1配向ドメイン73
をセル周辺部(例えばセルをシーリングする時に使用す
るシール材の近傍)域に生じさせ、セル周辺部の内側に
C2配向ドメイン73を形成することができる。
According to the present invention, when the liquid crystal material and the alignment control film are appropriately selected as described in FIGS. Occupying 60% or more, preferably 80% or more of the entire domain excluding the above). In a preferred embodiment of the present invention, the C1 orientation domain 73
In the area around the cell (for example, near the sealing material used when sealing the cell), and
C2 alignment domains 73 can be formed.

第12図は、ヘアピン欠陥76を境にして生じたC1配向ド
メイン73内とC2配向ドメイン74内とに、それぞれビーズ
スペーサ(平均粒径1.5μmのアルミナビーズやシリカ
ビーズ)の存在が原因となって発生したヘアピン欠陥12
1とライトニング欠陥122(結合した一対を形成)とを明
らかにしている。第12図から判るとおり、C1配向ドメイ
ン73内ではラビング処理方向Aに沿ってヘアピン欠陥12
1がライトニング欠陥122の前で発生する発生秩序をもっ
ている。又、その逆にC2配向ドメイン74内では、ラビン
グ処理方向Aに沿ってライトニング欠陥122がヘアピン
欠陥121の前で発生する発生秩序をもっている。
FIG. 12 shows that the presence of bead spacers (alumina beads and silica beads having an average particle diameter of 1.5 μm) in the C1 alignment domain 73 and the C2 alignment domain 74 generated at the border of the hairpin defect 76, respectively. Hairpin defects 12
1 and lightning defect 122 (forming a coupled pair). As can be seen from FIG. 12, the hairpin defects 12 along the rubbing direction A
1 has a generation order occurring before the lightning defect 122. Conversely, in the C2 orientation domain 74, the lightning defect 122 has a generation order in which it occurs in front of the hairpin defect 121 along the rubbing direction A.

第13図は、ライトニング欠陥75を境にして生じたC1配
向ドメイン73とC2配向ドメイン74を明らかにしている。
第13図によれば、上述の第12図に示す結合した一対のヘ
アピン欠陥122とライトニング欠陥122とが同様の発生秩
序を以って発生していることが判る。
FIG. 13 shows the C1 orientation domain 73 and the C2 orientation domain 74 generated at the boundary of the lightning defect 75.
According to FIG. 13, it can be seen that the pair of hairpin defects 122 and the lightning defect 122 shown in FIG. 12 described above are generated with the same generation order.

第14図は、C1配向ドメイン73に対して歪みを加えた時
に発生したC2配向ドメイン74を示している。この際に生
じたヘアピン欠陥141は、ラビング処理方向Aに沿って
ライトニング欠陥142の前で発生していることが判る。
FIG. 14 shows a C2 alignment domain 74 generated when a strain is applied to the C1 alignment domain 73. It can be seen that the hairpin defect 141 generated at this time occurs before the lightening defect 142 along the rubbing direction A.

又、本発明者らの観察によれば、ヘアピン欠陥は、通
常数μm幅で発生し、ライトニング欠陥は1μm以下の
線幅でジグザグ状に発生することが判った。
Further, according to observations by the present inventors, it was found that hairpin defects usually occur with a width of several μm, and lightning defects occur in a zigzag shape with a line width of 1 μm or less.

又、本発明者らの実験によれば、第14図に示す様にC1
配向ドメイン73に対して歪みを印加すると、C1配向ドメ
イン73内にC2配向ドメイン74を生じ、このC2配向ドメイ
ン74は長期間に亘って安定に存在していた。これに対
し、C2配向ドメイン74に対して歪みを印加した場合で
は、C2配向ドメイン74内にC1配向ドメイン73を生じた
が、このC1配向ドメイン73は即座に消滅してしまうこと
が判った。この点から見て、C2配向ドメイン74の方がC1
配向ドメイン73より安定に存在し、又、外部から衝撃を
受けても、即座にもとの配向状態に戻る復帰力を持って
いることが判った。これに対して、C1配向ドメイン73は
外部から衝撃に対してもろい性質をもっていることが判
った。又、参考写真6によれば、C2配向ドメイン74の消
光位での透過光量は、C1配向ドメイン73の消光位での透
過光量に較べて非常に小さい値であることが判った。
Further, according to the experiment of the present inventors, as shown in FIG.
When strain was applied to the alignment domain 73, a C2 alignment domain 74 was generated in the C1 alignment domain 73, and the C2 alignment domain 74 was stably present for a long period of time. On the other hand, when strain was applied to the C2 orientation domain 74, the C1 orientation domain 73 was generated in the C2 orientation domain 74, but it was found that the C1 orientation domain 73 immediately disappeared. In this regard, the C2 orientation domain 74 is
It was found that it was present more stably than the orientation domain 73, and had a returning force to immediately return to the original orientation state even when an external impact was applied. On the other hand, it was found that the C1 orientation domain 73 had a fragile property against external impact. Further, according to Reference Photo 6, it was found that the amount of transmitted light at the extinction position of the C2 alignment domain 74 was much smaller than the amount of transmitted light at the extinction position of the C1 alignment domain 73.

本発明は、ライトニング欠陥部が、ラビング処理や斜
方蒸着処理などの一軸性配向処理の方向に沿って、ヘア
ピン欠陥のうしろに発生するC2配向ドメインをセル内の
ほとんどの領域内に生じさせる様に制御することができ
る。本発明で用いる強誘電性スメクチツク液晶として
は、特に制限されるものではないが、本発明者らの実験
によれば、配向制御膜との間に相関作用があり、強誘電
性スメクチツク液晶と配向制御膜との好適な組合わせと
して選択することによって用いられる。特に、本発明の
好ましい具体例では、降温過程においてコレステリツク
相とスメクチツクA相を生じる温度範囲をもつカイラル
スメクチツクC液晶を用いることができる。
According to the present invention, the lightning defect portion generates a C2 alignment domain, which occurs after a hairpin defect, in almost all regions in a cell along a direction of a uniaxial alignment process such as a rubbing process or an oblique deposition process. Can be controlled as follows. The ferroelectric smectic liquid crystal used in the present invention is not particularly limited, but according to experiments performed by the present inventors, there is a correlation between the ferroelectric smectic liquid crystal and the ferroelectric smectic liquid crystal. Used by selecting as a suitable combination with a control membrane. In particular, in a preferred embodiment of the present invention, a chiral smectic C liquid crystal having a temperature range in which a cholesteric phase and a smectic A phase are generated in a temperature decreasing process can be used.

本発明の具体例ではラビング処理や斜方蒸着処理の方
向に従ってヘアピン欠陥部がライトニング欠陥部の前で
発生する発生秩序性をもつC1配向状態を生じる温度範囲
がライトニング欠陥部がヘアピン欠陥部の前で発生する
発生秩序性をもつC2配向状態を生じる温度範囲の1/5倍
以下、好ましくは1/10倍以下、特に1/20倍以下となって
いるのがよい。又、降温下でかかるC1配向状態を生じる
温度の下限が30℃以上、40℃以上であるのがよい。
According to an embodiment of the present invention, the temperature range in which the C1 orientation state in which the hairpin defect part occurs in front of the lightning defect part according to the direction of the rubbing treatment or the oblique vapor deposition treatment causes the lightning defect part to be in front of the hairpin defect part. The temperature range is 1/5 times or less, preferably 1/10 times or less, and particularly preferably 1/20 times or less of the temperature range in which the C2 orientation state having the generation order generated in the above occurs. Further, it is preferable that the lower limit of the temperature at which such a C1 orientation state occurs at a lower temperature is 30 ° C. or higher and 40 ° C. or higher.

第15図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。151Aと151BはIn2O2,Sn
O2あるいはITO等の薄膜からなる透明電極で被覆された
基板(ガラス板)であり、その間に液晶分子層152がガ
ラス面に垂直になるよう配向したSmC(カイラルスメ
クチツクC)相又はSmH(カイラルスメクチツクH)
相の液晶が封入されている。太線で示した線153が液晶
分子を表わしており、この液晶分子153はその分子に直
交した方向に双極子モーメント(P⊥)154を有してい
る。基板151Aと151B上の電極間に一定の閾値以上の電圧
を印加すると、液晶分子153のらせん構造がほどけ、双
極子モーメント(P⊥)154がすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子153は配向方向を変えることができる。液
晶分子153は、細長い形状を有しており、その長軸方向
と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス
面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧
印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子と
なることは容易に理解される。
FIG. 15 schematically illustrates an example of a cell for explaining the operation of the ferroelectric liquid crystal. 151A and 151B are In 2 O 2 , Sn
A substrate (glass plate) covered with a transparent electrode made of a thin film of O 2 or ITO, between which an SmC * (chiral smectic C) phase in which the liquid crystal molecule layer 152 is oriented perpendicular to the glass surface or SmH * (Chiral smectic H)
Phase liquid crystals are enclosed. A bold line 153 represents a liquid crystal molecule, which has a dipole moment (P 双) 154 in a direction perpendicular to the molecule. When a voltage higher than a certain threshold is applied between the electrodes on the substrates 151A and 151B, the helical structure of the liquid crystal molecules 153 is unwound, and the liquid crystal molecules 153 are oriented so that all dipole moments (P⊥) 154 are directed to the electric field. Can be changed. The liquid crystal molecules 153 have an elongated shape and exhibit refractive index anisotropy in the major axis direction and the minor axis direction. Therefore, for example, if crossed Nicol polarizers are placed above and below the glass surface, the voltage application polarity It is easily understood that the liquid crystal optical modulation element changes its optical characteristics depending on the characteristics.

本発明の液晶素子で用いる双安定性配向状態の表面安
定型強誘電性液晶セルは、その厚さを充分に薄く(例え
ば、0.1μm〜3μm)することができる。このように
液晶層が薄くなるにしたがい、第16図に示すように電界
を印加していない状態でも液晶分子のらせん構造がほど
け、非らせん構造となり、その双極子モーメントPまた
はP′は上向き(164A)又は下向き(164B)のどちらか
の状態をとる。このようなセルに、第16図に示す如く一
定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又はEbを電圧印加手
段161Aと161Bにより付与すると、双極子モーメントは、
電界Ea又はEbの電界ベクトルに対応して上向き164A又は
下向き164Bと向きを変え、それに応じて液晶分子は、第
1の安定状態163Aあるいは第2の安定状態163Bの何れか
一方に配向する。
The surface stable ferroelectric liquid crystal cell in a bistable alignment state used in the liquid crystal element of the present invention can have a sufficiently small thickness (for example, 0.1 μm to 3 μm). As shown in FIG. 16, as the liquid crystal layer becomes thinner, the helical structure of the liquid crystal molecules is unwound and becomes a non-helical structure even when no electric field is applied, and the dipole moment P or P ′ thereof is upward ( 164A) or downward (164B). When an electric field Ea or Eb having a different polarity equal to or more than a certain threshold is applied to such a cell by the voltage applying means 161A and 161B as shown in FIG. 16, the dipole moment becomes
The liquid crystal molecules change their directions to upward 164A or downward 164B in accordance with the electric field vector of the electric field Ea or Eb, and the liquid crystal molecules are aligned in one of the first stable state 163A and the second stable state 163B accordingly.

この強誘電性液晶セルによって得られる効果は、この
第1に、応答速度が極めて速いことであり、第2に液晶
分子の配向が双安定性を有することである。第2の点
を、例えば第16図によって更に説明すると、電界Eaを印
加すると液晶分子は第1の安定状態163Aに配向するが、
この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの電
界Ebを印加すると、液晶分子は第2の安定状態163bに配
向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を切って
もこの状態に留っている。又、与える電界Eaが一定の閾
値を越えない限、それぞれの配向状態にやはり維持され
ている。
The effects obtained by the ferroelectric liquid crystal cell are, first, that the response speed is extremely fast, and second, that the alignment of the liquid crystal molecules has bistability. The second point will be further described with reference to FIG. 16, for example. When an electric field Ea is applied, the liquid crystal molecules are oriented to the first stable state 163A.
This state is stable even when the electric field is turned off. Also, when an electric field Eb in the opposite direction is applied, the liquid crystal molecules are oriented to the second stable state 163b and change the direction of the molecules, but remain in this state even after the electric field is turned off. As long as the applied electric field Ea does not exceed a certain threshold value, the respective alignment states are also maintained.

以下、本発明を実施例に従って説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples.

実施例1 1000Å厚のITO膜が設けられている1.1mm厚のガラス板
を2枚用意し、それぞれのガラス板上に脂環式系ポリイ
ミド膜形成液である日産化学工業社製の「サンエバー15
0」(商品名)のN−メチルピロリドン/n−ブチルセロ
ソルブ=3/1(重量比)の3%溶液を回転数3000rpmのス
ピナーで30秒間塗布した。成膜後、約1時間,250℃で加
熱焼成処理を施した。この時の膜厚は500Åであった。
この塗膜にアセテート触毛布による一方向のラビング処
理を行った。その後、イソプロピルアルコールでガラス
板を洗浄し、120℃で20分の乾燥処理を施した。その
後、平均粒径約1.5μmのアルミナビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行で、且つその処理方向が同一方向となる様に、2
枚のガラス板を重ね合わせてセルを作成した。
Example 1 Two 1.1 mm thick glass plates provided with a 1000 mm thick ITO film were prepared, and alicyclic polyimide film forming solution "Sun Ever 15" manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. was formed on each glass plate.
A 0% (trade name) N-methylpyrrolidone / n-butyl cellosolve = 3/1 (weight ratio) 3% solution was applied by a spinner having a rotation speed of 3000 rpm for 30 seconds. After the film formation, a heating and baking treatment was performed at 250 ° C. for about 1 hour. At this time, the film thickness was 500 °.
This coating film was subjected to a one-way rubbing treatment with an acetate touch cloth. Thereafter, the glass plate was washed with isopropyl alcohol, and dried at 120 ° C. for 20 minutes. Thereafter, alumina beads having an average particle size of about 1.5 μm were sprayed on one of the glass plates, and then the rubbing treatment axes were parallel to each other and the treatment directions were the same.
A cell was created by stacking two glass plates.

このセル内にチツソ(株)社製の強誘電性スメクチツ
ク液晶である「CS−1014」(商品名)を等方相下で真空
注入してから、等方相から0.5℃/hで30℃まで徐冷する
ことによって配向させることができた。
"CS-1014" (trade name), which is a ferroelectric smectic liquid crystal manufactured by Chisso Corporation, was vacuum-injected into this cell under the isotropic phase, and then was injected at 0.5 ° C / h from the isotropic phase at 30 ° C. It was possible to orient it by slowly cooling it.

「CS−1014」を用いた本実施例のセルでの相変化は、
下記のとおりであった。
The phase change in the cell of this embodiment using “CS-1014” is
It was as follows.

このセルは、温度が約50℃〜−20℃でC2配向ドメイン
が安定に存在し、しかもモノドメイン性が非常によかっ
た。
This cell had a stable C2 orientation domain at a temperature of about 50 ° C. to −20 ° C., and had a very good monodomain property.

以後の実験は25℃の温度で行った。 Subsequent experiments were performed at a temperature of 25 ° C.

上述の液晶セルを一対の90゜クロスニコル偏光子の間
に挟み込んでから、50μsecの30Vパルスを印加してから
90゜クロスニコルを消光位(最暗状態)にセツトし、こ
の時の透過率をホトマルチプレターにより測定し、続い
て50μsecの−30Vパルスを印加し、この時の透過率(明
状態)を同様の方法で測定したところ、最暗状態時の透
過率は1.0%で、明状態時の透過率は8.0%であった。従
って、コントラストは8であった。
After sandwiching the above liquid crystal cell between a pair of 90 ° crossed Nicol polarizers, and applying a 30 μV pulse of 50 μsec,
Set the 90 ° crossed Nicols to the extinction position (darkest state), measure the transmittance at this time with a photomultiplier, and then apply a -30 V pulse of 50 μsec, and check the transmittance (bright state) at this time. When measured by the same method, the transmittance in the darkest state was 1.0%, and the transmittance in the bright state was 8.0%. Therefore, the contrast was 8.

又、上述の液晶セルの吉田精機社製の落下耐久試験機
「DT−50」(商品名)による衝撃耐久試験を行った。こ
の際、落下衝撃20G(G:重力加速度9.8m/sec2)から10G
ずつ増加させて試験したところ、本実施例の液晶セル
は、80Gの落下衝撃を与えても配向の乱れを生じること
がなく、この液晶セルに上述と同様の駆動パルスを印加
したところ、同様のスイツチング特性を示した。
Further, the above liquid crystal cell was subjected to an impact durability test using a drop durability tester “DT-50” (trade name) manufactured by Yoshida Seiki Co., Ltd. At this time, the drop impact 20G (G: gravitational acceleration 9.8m / sec 2 ) to 10G
When the liquid crystal cell of the present example was tested by increasing it at a time, a disturbance of the alignment did not occur even when a drop impact of 80 G was given, and when the same driving pulse as described above was applied to this liquid crystal cell, the same It showed switching characteristics.

実施例2〜6 表1に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた他は実
施例1と同様にしてセルを得た。
Examples 2 to 6 Cells were obtained in the same manner as in Example 1 except that the alignment control films and the liquid crystal materials shown in Table 1 were used.

それぞれに対して実施例1と同様の試験を行ったコン
トラスト比及び耐久性の結果を表2に示す。
Table 2 shows the results of the contrast ratio and durability of the same test as in Example 1 for each.

次に、本実施例セルの相転移温度を測定したところ、
下記表3のとおりであった。
Next, when the phase transition temperature of the cell of this example was measured,
The results are shown in Table 3 below.

表3によれば、SmC1/C2相転移点およびSmC1/C2−
SmC2相転移点は、セル固有の値を示し、セル毎で相違
して現われることが判る。
According to Table 3, the Sm * C1 / C2 phase transition point and Sm * C1 / C2-
It can be seen that the Sm * C2 phase transition point shows a value unique to the cell and appears differently for each cell.

次に、これらの実施例1〜6のセルに50μsecの30Vパ
ルスを印加した後で、90゜クロスニコルを消光位に設定
したところ、いずれも黒色の状態を生じ、続いて50μse
cの−30Vパルスを印加した後で、再び90゜クロスニコル
を消光位に設定したところ、やはりいずれも黒色の状態
であることが確認された(測定温度25℃)。
Next, after applying a 30 μV pulse of 50 μsec to the cells of Examples 1 to 6, the 90 ° crossed Nicols were set at the extinction position.
After applying the -30 V pulse of c, the 90 ° crossed Nicols were again set to the extinction position, and it was again confirmed that all of them were in a black state (measuring temperature 25 ° C.).

比較例1〜5 表4に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた地は実
施例1と全く同様にしてセルを作成した。
Comparative Examples 1 to 5 A cell using the alignment control film and the liquid crystal material shown in Table 4 was prepared in exactly the same manner as in Example 1.

それぞれのセルに対してコントラスト比及び耐久性の
結果を得た。その結果を表5に示した。
Contrast ratio and durability results were obtained for each cell. Table 5 shows the results.

次に、本比較例セルの相転移温度を測定したところ、
下記表6のとおりであった。
Next, when the phase transition temperature of this comparative example cell was measured,
The results are shown in Table 6 below.

表6から判るとおり、比較例セルは何れもSmC2を生
じる温度範囲をもっていなかった。
As can be seen from Table 6, none of the cells of the comparative example had a temperature range in which Sm * C2 was generated.

次に、これらの比較例1〜5のセルに50μsecの30Vパ
ルスを印加した後で、90゜クロスニコルを消光位に設定
したところ、いずれも青色の状態を生じ、続いて50μse
cの−30Vパルスを印加した後で、再び90゜クロスニコル
を消光位に設定したところ、やはりいずれも青色の状態
であることが確認された(測定温度25℃)。この点、実
施例1〜6における消光位の2状態と相違しており、そ
の配向状態も相違していることが判明した。
Next, after applying a 30 μV pulse of 50 μsec to the cells of Comparative Examples 1 to 5, the 90 ° crossed Nicols were set to the extinction position.
After applying the -30 V pulse of c, the 90 ° crossed Nicols were again set to the extinction position, and it was confirmed that all of them were in a blue state (measuring temperature 25 ° C.). In this respect, it was found that the two states were different from the two states of the extinction positions in Examples 1 to 6, and the orientation states were also different.

比較例6 上下ガラス基板に平行で、且つ、互いに反対方向のラ
ビング処理を施したほかは、実施例1と同様の方法で液
晶セルを作成し、実施例1と同様の測定を行ったとこ
ろ、下記表7に示す結果が得られた。
Comparative Example 6 A liquid crystal cell was prepared in the same manner as in Example 1 except that the rubbing treatment was performed in parallel with the upper and lower glass substrates and in the opposite directions, and the same measurement as in Example 1 was performed. The results shown in Table 7 below were obtained.

次に、この比較例セルに50μsecの30Vパルスを印加し
た後で、90゜クロスニコルを消光位に設定したところ、
黒色の状態を生じ、続いて50μsecの−30Vパルスを印加
した後で、再び90゜クロスニコルを消光位に設定したと
ころ、青色の状態であることが確認された(測定温度25
℃)。この点で、実施例1〜6における消光位の2状態
と相違しており、その配向状態も相違していたことが判
明した。
Next, after applying a 30 μV pulse of 50 μsec to this comparative example cell, the 90 ° crossed Nicols were set to the extinction position.
After a black state was generated and subsequently a -30 V pulse of 50 μsec was applied, the 90 ° crossed Nicols were again set to the extinction position, and it was confirmed that the state was blue (measurement temperature 25
° C). In this respect, it was found that the two states of the extinction positions in Examples 1 to 6 were different, and that the orientation states were also different.

以上の比較例1〜6で行った衝撃試験の結果によっ
て、生じた配向乱れの多くは、サンデツド・テクスチヤ
ーとなっており、50μsecの30V及び−30Vパルスの印加
によるスイツチングは生じなかった。
According to the results of the impact tests performed in Comparative Examples 1 to 6, most of the generated orientation disorder was in the form of a sanded texture, and switching was not caused by the application of the 30 V and −30 V pulses of 50 μsec.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上の実施例及び比較例から判るとおり、本発明は従
来の強誘電性液晶パルスに較べ改善された耐衝撃安定性
を付与することができるとともに、改善されたコントラ
ストの表示画面を提供することができる。
As can be seen from the above Examples and Comparative Examples, the present invention can provide improved shock resistance as compared with the conventional ferroelectric liquid crystal pulse and provide a display screen with improved contrast. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、本発明の液晶素子の断面図である。第2図〜
第6図は、強誘電性液晶配向状態の温度依存性を示す顕
微鏡写真のスケツチ図である。第7図(A)は、C1配向
ドメインとC2配向ドメインを模式的に示す平面図で、第
7図(B)は、その断面図である。第7図(C)は、別
のC1配向ドメインとC2配向ドメインを模式的に示す平面
図で、第7図(D)はその断面図である。第8図(A)
は、C1配向の模式図で、第8図(B)はそのC−ダイレ
クタを示す写影図である。第9図(A)は、C2配向の模
式図で、第9図(B)はそのC−ダイレクタを示す写影
図である。第10図(A)は、従来の配向状態を示す模式
図で、第10図(B)及び(C)はそのC−ダイレクタを
示す写影図である。第11図〜第14図は、C1配向ドメイン
とC2配向ドメインを示す顕微鏡写真のスケツチ図であ
る。第15図は、強誘電性液晶素子の動作を模式的に示す
斜視図である。第16図は、本発明で用いた双安定性配向
状態の表面安定型強誘電性液晶素子の動作を模式的に示
す斜視図である。
FIG. 1 is a sectional view of the liquid crystal element of the present invention. Fig. 2 ~
FIG. 6 is a sketch drawing of a micrograph showing the temperature dependence of the ferroelectric liquid crystal alignment state. FIG. 7A is a plan view schematically showing a C1 orientation domain and a C2 orientation domain, and FIG. 7B is a sectional view thereof. FIG. 7 (C) is a plan view schematically showing another C1 orientation domain and another C2 orientation domain, and FIG. 7 (D) is a sectional view thereof. Fig. 8 (A)
Is a schematic diagram of the C1 orientation, and FIG. 8 (B) is a projection showing the C-director. FIG. 9 (A) is a schematic view of the C2 orientation, and FIG. 9 (B) is a projection showing the C-director. FIG. 10 (A) is a schematic view showing a conventional orientation state, and FIGS. 10 (B) and (C) are projection views showing the C-director. FIG. 11 to FIG. 14 are sketch diagrams of micrographs showing a C1 orientation domain and a C2 orientation domain. FIG. 15 is a perspective view schematically showing the operation of the ferroelectric liquid crystal element. FIG. 16 is a perspective view schematically showing the operation of the surface stable ferroelectric liquid crystal element in a bistable alignment state used in the present invention.

Claims (23)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】a.一軸性配向処理が施された一対の基板、 b.該一対の基板間に配置され、カイラルスメクチックC
相内で高温側と低温側とで異なる双安定配向状態を生じ
るカイラルスメクチック液晶であって、低温側での配向
状態を有するカイラルスメクチック液晶、及び c.前記双安定性配向状態を光学的に識別するため手段、 を有するカイラルスメクチック液晶素子。
A) a pair of substrates subjected to a uniaxial orientation treatment; b. A chiral smectic C disposed between the pair of substrates.
A chiral smectic liquid crystal having a bistable alignment state different between a high temperature side and a low temperature side in a phase, wherein the chiral smectic liquid crystal has an alignment state at a low temperature side, and c. Optically identifying the bistable alignment state A chiral smectic liquid crystal device comprising:
【請求項2】前記低温側での配向状態が降温下で30℃以
上の温度で発現する配向状態である請求項1記載の液晶
素子。
2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the alignment state on the low-temperature side is an alignment state developed at a temperature of 30 ° C. or more at a reduced temperature.
【請求項3】前記低温側での配向状態が降温下で40℃以
上の温度で発現する配向状態である請求項1記載の液晶
素子。
3. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the alignment state on the low temperature side is an alignment state developed at a temperature of 40.degree.
【請求項4】a.一軸性配向処理が施された一対の基板、 b.結合した一対のヘアピン欠陥及びライトニング欠陥を
発生する傾向の2つの異なる状態を生じ得るカイラルス
メクチック液晶であって、前記一軸配向処理の方向に沿
って前でライトニング欠陥、後方でヘアピン欠陥を発生
する発生秩序を示す配向状態を有するカイラルスメクチ
ック液晶、及び c.前記2つの異なる状態を光学的に識別するための手
段、 を有するカイラルスメクチック液晶素子。
4. A pair of substrates having been subjected to a uniaxial alignment treatment, b. A chiral smectic liquid crystal capable of generating two different states of a tendency to generate a pair of coupled hairpin defects and lightening defects, A chiral smectic liquid crystal having an orientation state showing a generation order in which a lightning defect occurs before and a hairpin defect occurs behind in the direction of the uniaxial orientation treatment; andc. Means for optically distinguishing the two different states, A chiral smectic liquid crystal device having
【請求項5】前記発生秩序を示す配向状態のドメイン占
有面積が、他の発生秩序を示す配向状態のドメインを無
視できる大きさを有している請求項4記載のカイラルス
メクチック液晶素子。
5. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 4, wherein the domain occupied by the domain in the alignment state showing the generation order has a size that can ignore the domain in the alignment state showing the other generation order.
【請求項6】前記発生秩序を示す配向状態のドメイン
が、他の発生秩序を示す配向状態のドメインを無視でき
る大きさまで降温下で成長させることによって生じた占
有面積を有している請求項4記載のカイラルスメクチッ
ク液晶素子。
6. The domain of the orientation state showing the generation order has an occupied area generated by growing the domain of the orientation state showing the other generation order to a negligible size at a reduced temperature. The chiral smectic liquid crystal device according to the above.
【請求項7】前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配
向状態のドメインが無視できない大きさの占有面積を生
じる温度範囲が、該ドメインを無視できる大きさの占有
面積を生じる温度範囲に対して1/5以下の幅の温度範囲
である請求項6記載のカイラルスメクチック液晶素子。
7. The temperature range in which the domain of the orientation state showing the other generation order produces an occupied area of a size that cannot be ignored under the temperature-lowering condition, 7. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 6, wherein the temperature range is 1/5 or less.
【請求項8】前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配
向状態のドメインが無視できない大きさの占有面積を生
じる温度範囲が、該ドメインを無視できる大きさの占有
面積を生じる温度範囲に対して1/10以下の幅の温度範囲
である請求項6記載のカイラルスメクチック液晶素子。
8. A temperature range in which the domain of the orientation state showing the other generation order produces an occupied area of a size that cannot be ignored under the temperature-lowering condition, 7. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 6, wherein the temperature range is 1/10 or less of the temperature range.
【請求項9】前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配
向状態のドメインが無視できない大きさの占有面積を生
じる温度範囲が、該ドメインを無視できる大きさの占有
面積を生じる温度範囲に対して1/20以下の幅の温度範囲
である請求項6記載のカイラルスメクチック液晶素子。
9. The temperature range in which the domain of the orientation state showing the other generation order produces an occupied area of a size that cannot be ignored under the temperature decrease is set to a temperature range in which the occupied area of the domain having a size that can be ignored is ignored. 7. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 6, wherein the temperature range is 1/20 or less.
【請求項10】前記降温下で、前記他の発生秩序を示す
配向状態のドメインが無視できない大きさの占有面積を
生じる下限温度が、30℃以上である請求項6記載のカイ
ラルスメクチック液晶素子。
10. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 6, wherein a lower limit temperature at which the domain of the orientation state exhibiting the other generation order produces an occupied area of a size that cannot be ignored under the temperature decrease is 30 ° C. or more.
【請求項11】前記降温下で、前記他の発生秩序を示す
配向状態のドメインが無視できない大きさの占有面積を
生じる下限温度が、40℃以上である請求項6記載のカイ
ラルスメクチック液晶素子。
11. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 6, wherein the lower limit temperature at which the domain of the alignment state exhibiting another generation order produces an occupied area of a size that cannot be ignored under the temperature decrease is 40 ° C. or more.
【請求項12】前記一対の基板が、シール材を介して対
向配置されており、前記他の発生秩序を示す配向状態の
ドメインが該シール材の近接域に生じ、前記発生秩序を
示す配向状態のドメインが該シール材の近傍域より内側
に生じている請求項5記載のカイラルスメクチック液晶
素子。
12. The pair of substrates are arranged to face each other with a sealing material interposed therebetween, and the other domain of the orientation state showing the generation order is generated in the vicinity of the sealing material, and the alignment state showing the generation order is provided. 6. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 5, wherein the domain of (a) is formed inside a region near the sealing material.
【請求項13】前記発生秩序を示す配向状態のドメイン
の消光位における2つの状態が光学的に等価である請求
項4記載のカイラルスメクチック液晶素子。
13. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 4, wherein the two states in the extinction position of the domain in the alignment state indicating the generation order are optically equivalent.
【請求項14】前記一軸性配向処理が、基板に設けられ
た配向制御膜に付与されている請求項4記載のカイラル
スメクチック液晶素子。
14. The chiral smectic liquid crystal element according to claim 4, wherein said uniaxial alignment treatment is applied to an alignment control film provided on a substrate.
【請求項15】前記配向制御膜が、ポリイミド、ポリア
ミド又はポリエステルからなる請求項14記載のカイラル
スメクチック液晶素子。
15. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 14, wherein said alignment control film is made of polyimide, polyamide or polyester.
【請求項16】前記配向制御膜が、ポリイミドからなる
請求項14記載のカイラルスメクチック液晶素子。
16. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 14, wherein said alignment control film is made of polyimide.
【請求項17】前記配向制御膜が、基板に形成した絶縁
膜上に設けられた膜である請求項14記載のカイラルスメ
クチック液晶素子。
17. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 14, wherein the alignment control film is a film provided on an insulating film formed on a substrate.
【請求項18】前記一軸配向処理がラビングである請求
項4記載のカイラルスメクチック液晶素子。
18. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 4, wherein said uniaxial alignment treatment is rubbing.
【請求項19】a.一軸配向処理が付与された一対の基
板、 b.複数の液晶分子で組織した複数の層によって形成され
た層構造を有し、固有するらせん配列構造の形成が抑制
された配列構造を有するカイラルスメクチック液晶であ
って、該層構造がライトニング欠陥とヘアピン欠陥とを
生じさせ得る折れ曲がり構造を有し、一軸配向処理の方
向に沿って、前でライトニング欠陥、後ろでヘアピン欠
陥を生じ、該前のライトニング欠陥と後ろのヘアピン欠
陥とで囲まれた領域の層構造が主領域となる温度範囲、
及び一軸配向処理の方向に沿って、前でヘアピン欠陥、
後ろでライトニング欠陥を生じ、該前のヘアピン欠陥と
後ろのライトニング欠陥とで囲まれた領域の層構造が主
領域となる温度範囲を生じる、カイラルスメクチック液
晶 を有するカイラルスメクチック液晶素子。
19. A pair of substrates provided with a uniaxial alignment treatment, b. A layer structure formed by a plurality of layers organized by a plurality of liquid crystal molecules, and the formation of a unique helical arrangement structure is suppressed. A chiral smectic liquid crystal having an aligned structure, wherein the layer structure has a bent structure that can cause a lightning defect and a hairpin defect, and a lightning defect in front and a hairpin defect in back along the direction of the uniaxial alignment treatment. Temperature range in which the layer structure of the region surrounded by the front lightning defect and the rear hairpin defect becomes a main region,
And hairpin defects in front, along the direction of uniaxial orientation processing,
A chiral smectic liquid crystal device having a chiral smectic liquid crystal, in which a lightning defect occurs behind, and a temperature range in which a layer structure of a region surrounded by the hairpin defect before and the lightening defect behind becomes a main region.
【請求項20】一軸性配向処理を付与した一対の基板間
に、カイラルスメクチック液晶を配置する工程を有する
液晶素子の製法において、 一軸配向処理の方向に沿って、前でライトニング欠陥、
後ろでヘアピン欠陥を生じ、該前のライトニング欠陥と
後ろのヘアピン欠陥とで囲まれた領域の層構造が主領域
となる温度範囲を冷却によって通過させ、更に冷却によ
って一軸配向処理の方向に沿って、前でヘアピン欠陥、
後ろでライトニング欠陥を生じ、該前のヘアピン欠陥と
後ろのライトニング欠陥とで囲まれた領域の層構造が主
領域となる温度範囲を生じさせる工程を有する液晶素子
の製法。
20. A method of manufacturing a liquid crystal device having a step of disposing a chiral smectic liquid crystal between a pair of substrates to which a uniaxial alignment treatment has been applied, the method comprising the steps of:
A hairpin defect occurs behind, and the temperature range in which the layer structure of the region surrounded by the previous lightning defect and the rear hairpin defect becomes a main region is passed by cooling, and further along the direction of the uniaxial orientation process by cooling. Hairpin defects in front,
A method for producing a liquid crystal element, comprising: a step of generating a lightning defect at the rear and a temperature range in which a layer structure of a region surrounded by the hairpin defect at the front and the lightning defect at the rear becomes a main region.
【請求項21】一対の基板及び複数の液晶分子で組織し
た複数の層によって形成された層構造を有し、固有する
らせん配列構造の形成が抑制された配列構造を有し、該
折れ曲がり構造の隣接基板に対する回転方向が、該隣接
基板に隣接する液晶分子の浮き上り回転方向と互いに逆
回転方向の関係にある領域を主領域としたカイラルスメ
クチック液晶を有するカイラルスメクチック液晶素子。
21. A bent structure having a layer structure formed by a pair of substrates and a plurality of layers organized by a plurality of liquid crystal molecules, having an arrangement structure in which formation of a unique helical arrangement structure is suppressed. A chiral smectic liquid crystal element having a chiral smectic liquid crystal whose main direction is a region in which a rotation direction with respect to an adjacent substrate is in a direction opposite to a floating rotation direction of liquid crystal molecules adjacent to the adjacent substrate.
【請求項22】前記カイラルスメクチック液晶がカイラ
ルスメクチック相の温度範囲より高温側にスメクチック
A相を生じる温度範囲を有し、該スメクチックA相を生
じる温度範囲を経由してカイラルスメクチックC相まで
冷却させてなる請求項21記載のカイラルスメクチック液
晶素子。
22. The chiral smectic liquid crystal has a temperature range in which a smectic A phase is generated on a higher temperature side than a temperature range of the chiral smectic phase, and is cooled to a chiral smectic C phase via the temperature range in which the smectic A phase is generated. 22. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 21, comprising:
【請求項23】前記カイラルスメクチック液晶が、カイ
ラルスメクチック相の温度範囲より高温側にコレステリ
ック相を生じる温度範囲及びスメクチックA相を生じる
温度範囲を有し、該コレステリック相を生じる温度範囲
及びスメクチックA相を生じる温度範囲を経由してカイ
ラルスメクチック相まで冷却させてなる請求項21記載の
カイラルスメクチック液晶素子。
23. The chiral smectic liquid crystal has a temperature range in which a cholesteric phase and a temperature range in which a smectic A phase is generated on a higher temperature side than a temperature range of the chiral smectic phase, and a temperature range in which the cholesteric phase is generated and a smectic A phase. 22. The chiral smectic liquid crystal device according to claim 21, wherein the device is cooled to a chiral smectic phase via a temperature range in which is generated.
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